JP2007328909A - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、フローティングゲートFGに電子などの電荷を蓄積するまたはしないことによりデータを記憶するメモリセルを有する半導体記憶装置において、そのメモリセルを第1の電荷交換能力を持つ第1のメモリセルQ2と第2の電荷交換能力を持つ第2のメモリセルQ3にすることで、復活させたいデータを記憶させることを特徴とする。メモリセルへの全面消去を行うことにより、メモリセルの異なる電荷交換能力に従って、異なる閾値電圧状態にすることができ、復活させたい初期データの読み出しが可能になる。
【選択図】図2
Description
CG コントロールゲート
FG フローティングゲート
Q2,Q3 電荷交換能力が異なるメモリセル
Claims (9)
- フローティングゲートに電荷を蓄積することによりデータを記憶する複数のメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置において、前記フローティングゲートの電荷の交換について第1の電荷交換能力を有する第1のメモリセル群と、前記第1の交換能力より高い第2の電荷交換能力を有する第2のメモリセル群とを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
- 請求項1において、前記メモリセルは、第1の導電型の半導体基板表面に形成され、当該半導体基板表面に形成された第2の導電型のソース領域およびドレイン領域と、前記ソース、ドレイン領域の間の前記第1の導電型のチャネル領域上に形成された前記フローティングゲートと、該フローティングゲート上に形成されたコントロールゲートとを有し、前記第1のメモリセル群の前記チャネル領域は、前記第2のメモリセル群の前記チャネル領域と不純物濃度が異なることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
- 請求項1において、前記メモリセルは、前記フローティングゲート上にコントロールゲートを有し、更に、第1の読み出し時に、前記コントロールゲートに第1の読み出し電位を印加し、前記第1の読み出し時と異なる第2の読み出し時に、前記コントロールゲートに前記第1の読み出し電位と異なる第2の読み出し電位を印加する読み出しレベル生成回路を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
- フローティングゲートに電荷を蓄積することによりデータを記憶する複数のメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置において、前記フローティングゲートの電荷の交換について第1の電荷交換能力を有する第1のメモリセルと、前記第1の交換能力より高い第2の電荷交換能力を有する第2のメモリセルとを有する第1のメモリ領域と、前記第1または第2の電荷交換能力のいずれか一方を有するメモリセルを有する第2のメモリ領域とを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
- 請求項4において、前記第1のメモリ領域は、前記第1及び第2のメモリセルの組み合わせにより所定の第1のデータを記憶することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
- 請求項5において、前記メモリセルは、前記フローティングゲート上にコントロールゲートを有し、第1の読み出し時に、前記コントロールゲートに第1の読み出し電位を印加して前記第1のデータを読み出し、前記第1の読み出し時と異なる第2の読み出し時に、前記コントロールゲートに前記第1の読み出し電位と異なる第2の読み出し電位を印加して、前記フローティングゲートの電荷蓄積状態に応じた第2のデータを読み出すことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
- 請求項6において、前記第1のメモリ領域全面を、消去またはプログラムすることにより、前記第1及び第2のメモリセルが前記第1及び第2の電荷交換能力に応じた閾値電圧を有する状態になることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
- 請求項4において、前記第1のデータはエラー検出コードを有し、前記第1のデータの読み出し時において、当該エラー検出コードを利用して該第1のデータが読み出されることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
- フローティングゲートに電荷を蓄積することによりデータを記憶する複数のメモリセルを有する不揮発性メモリ領域を有するマイクロプロセッサにおいて、前記不揮発性メモリ領域は、前記フローティングゲートの電荷の交換について第1の電荷交換能力を有する第1のメモリセルと、前記第1の交換能力より高い第2の電荷交換能力を有する第2のメモリセルとを有する第1のメモリ領域と、前記第1または第2の電荷交換能力を有するメモリセルを有する第2のメモリ領域とを有し、前記第1のメモリ領域内に、前記第1及び第2のメモリセルの組み合わせによってブート用プログラムが記録されることを特徴とするマイクロプロセッサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP35873198A Division JP4036552B2 (ja) | 1998-12-17 | 1998-12-17 | 不揮発性半導体記憶装置 |
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JP2007328909A true JP2007328909A (ja) | 2007-12-20 |
JP4554652B2 JP4554652B2 (ja) | 2010-09-29 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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