JP4542369B2 - 透明導電膜形成用塗布液及び透明導電膜の形成方法 - Google Patents
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しかしながら、この塗布液を使用して得られる透明導電膜のシート抵抗値は、およそ102〜104Ω/□程度であり、これよりも高いシート抵抗値を得ることは困難であった。
一方、特許文献2には、インジウムアセチルアセトナート及びスズ化合物を含有する透明導電膜形成液により、103Ω/□程度のシート抵抗値を有する透明導電膜を得ることができる旨が開示されている。また、この透明導電膜形成液には、第3成分として第2族元素、第3族元素及びランタノイド等を添加することができる旨が開示されている。
また、透明導電膜の形成方法は、上記透明導電膜形成用塗布液を基板に塗布し、熱処理することにより有機成分を熱分解することを特徴とする。
上記(c)所定の金属化合物の金属元素数比率は、特に制限されることはなく、形成される透明導電膜の目的とする抵抗値によって割合を選択すればよいが、(a)有機インジウム化合物中のインジウム1に対して、モル比で0.001〜0.2が好ましく、0.005〜0.1がより好ましい。(c)の割合が0.001未満であると高抵抗の透明導電膜が得られず、一方0.2を超えると透明導電膜の膜物性が悪化してしまうので好ましくない。
なお、ここで言う「溶解」とは、溶解させようとする温度における溶解度が概ね5(g/100g)以上であることを意味する。
ここで、「無極性溶媒」の用語は、通常の有機化学工業分野において用いられる「無極性溶媒」と同義であり、必ずしもダイポーラモーメント0を意味するものではない。このような無極性溶媒の例としては、例えば、キシレンやトルエン、デカリン及びテトラリン等の芳香族炭化水素、ヘキサン及びオクタン等の脂肪族炭化水素、シクロヘキサン等の脂環式炭化水素等を挙げることができ、これらは混合して使用してもよい。
ここで、「極性溶媒」の用語は、通常の有機化学工業分野において用いられる「極性溶媒」と同義である。このような極性溶媒としては、例えば、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、n−ブチルアルコール及びα−ターピネオール等のアルコール、酢酸エチル及び酢酸ブチル等のエステル等を挙げることができ、これらは混合して使用してもよい。
基板としては、熱分解温度及び熱処理温度に耐え、且つ使用する溶媒への耐性のあるものであれば任意に選択することができ、ITO膜形成用基板として公知の各種ガラス基板を全て使用することができる。
熱処理は、大気中、300℃以上で行うことができるが、より高温で行えば、より膜特性のよい透明導電膜を得ることができる。なお、上記温度には特に制限はないが、工業性の観点からは300℃〜600℃が好ましい。
熱処理時間は、温度にもよるが、通常20〜70分程度でよい。また、熱処理の前に有機インジウム化合物が熱分解しない100℃程度の温度で塗布液を塗布した基板を乾燥した方が、より平滑な膜面を得ることができるので好ましい。
このような透明導電膜及び透明導電膜が基板表面に形成された透明導電膜付き基板は、105Ω/□以上の超高抵抗なシート抵抗値を有しているので、高抵抗が必要とされる各種エレクトロニクス素子に使用することができる。
[実施例A]
有機酸塩中の金属元素のモル比が、表1に示した値:1/0.03/x(x:La濃度=0.01〜0.05)になるように、ビス(2−エチルヘキサノアート)ヒドロキソインジウム2.4g、オクチル酸錫(II)0.07g、オクチル酸La0.03〜0.16gを量りとり、これをキシレン22.6g、エタノール2.5g及び酢酸−n−ブチル2.5gの混合溶媒に溶解して、粘度15センチポアズ(25℃)のITO塗布液を調製した(実施例1〜5)。なお、比較例としてLa元素を含有しないITO塗布液を調製した(比較例1)。
これらの塗布液を、無アルカリガラス基板(コーニング1737)上に、スピンコート法によって、まず500rpmで10秒間塗布し、さらに1000rpmで15秒間塗布した。そして、100℃で10分間乾燥させた後、500℃の電気炉中で60分間熱処理して、膜厚1700ÅのITO透明導電膜を得た。得られた膜の取り出し後24時間経過後のシート抵抗値を表1に示す。なお、シート抵抗値の測定は、四端子抵抗率計(三菱化学(株)ロレスターSP 測定上限2×107Ω/□)を用いて行った。
オクチル酸Laに代えて、表2に示した各種有機金属化合物を、金属元素のモル比をIn/Sn/y=1/0.03/0.03(y:インジウム及び錫以外の金属元素)の割合で配合し、実施例Aに準じてITO塗布液を調製した。
この各塗布液を、無アルカリガラス基板(コーニング7059)上に塗布し、100℃で10分間乾燥させた後、500℃の電気炉中で60分間熱処理してITO透明導電膜を得た。得られた膜の取り出し後24時間経過後のシート抵抗値を表2に示す。なお、シート抵抗値の測定は実施例Aと同様に行った。
このように、(c)インジウム及び錫以外の金属元素化合物を含有させることにより、超高抵抗な透明導電膜を得ることができる。
従って、本発明の透明導電膜形成用塗布液は、保存性が良く、粘度調整が容易であり、且つ良好な膜特性及び105Ω/□以上の超高抵抗なシート抵抗値を有する透明導電膜を得ることのできるものである。
Claims (2)
- (a)式In(OH)(OCOR)2(式中、Rは分岐または直鎖のアルキル基であり、同一でも異なっていてもよい)で表わされる有機インジウム化合物、(b)有機錫化合物、(c)Al、Ba、Bi、Ca、Cd、Co、Cu、Dy、Fe、Gd、Ho、La、Mg、Mn、Nd、Ni、Pb、Pd、Pr、Rh、Ru、Sb、Si、Sr、Ti、Y、Zn及びZrの、有機酸金属塩、アセチルアセトナート錯体及び金属アルコキシドから選択される金属化合物、並びに(d)溶媒を含有する透明導電膜形成用塗布液。
- 請求項1に記載の透明導電膜形成用塗布液を基板に塗布し、熱処理することにより有機成分を熱分解する透明導電膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004151678A JP4542369B2 (ja) | 2004-05-21 | 2004-05-21 | 透明導電膜形成用塗布液及び透明導電膜の形成方法 |
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JP2005332748A JP2005332748A (ja) | 2005-12-02 |
JP4542369B2 true JP4542369B2 (ja) | 2010-09-15 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4542369B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104583350B (zh) * | 2012-06-14 | 2018-04-10 | 日产化学工业株式会社 | 金属氧化物被膜用涂布液以及金属氧化物被膜 |
JP7079410B2 (ja) * | 2018-04-16 | 2022-06-02 | 日油株式会社 | 焼成用材料 |
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-
2004
- 2004-05-21 JP JP2004151678A patent/JP4542369B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2004084064A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-03-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 透明導電膜形成用組成物、透明導電膜形成用溶液および透明導電膜の形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005332748A (ja) | 2005-12-02 |
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