JP4530192B2 - 単結晶粉末の製造方法 - Google Patents
単結晶粉末の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4530192B2 JP4530192B2 JP2000556087A JP2000556087A JP4530192B2 JP 4530192 B2 JP4530192 B2 JP 4530192B2 JP 2000556087 A JP2000556087 A JP 2000556087A JP 2000556087 A JP2000556087 A JP 2000556087A JP 4530192 B2 JP4530192 B2 JP 4530192B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- melt
- single crystal
- fluxing agent
- crystal powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Medicinal Preparation (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
【産業上の利用分野】
本発明は、単結晶粉末の製造方法およびこの粉末より成る単粒子膜(monograin membrane)に関する。
【0002】
【従来の技術】
単粒子膜は1つの粉末層から構成される薄い膜である。その粉末粒子は互いに一緒に接合されている。
【0003】
Philips Technical Review, 29 (1968), 238-242に記載の、T.S.Velde および G.W.M.T.van Helden の“Monograin layers (単粒子層)"という名称の論文によって、単粒子膜を単結晶CdS粉末から製造されることは公知である。CdSを含有する単結晶粉末は比較的大きな単結晶を粉砕することによって得られる。その時、結合剤は薄い層としてガラス製基体に塗布され、粉末がその結合剤の膜の上にまき散らされ、そこにただちに粉末の層が結合剤に接合される。結合剤に付着していない他の粉末粒子は除かれる。溶解された樹脂、ポリマーまたはそれの構成成分を結合剤に接合している粉末粒子に加える。その溶液が乾燥しそして硬化した後に、粉末層を含有する塗膜を基体から剥離する。必要な場合にはエッチングによって粉末粒子を表面から遊離させてもよい。さもなければ粉末粒子を樹脂等によって互いに一緒にするかまたはした保持したままにし、所望の単粒子膜を形成する。
【0004】
単結晶粉末の製造には一つの問題がある。例えば、最初に比較的に大きな単結晶を製造するのに割合に比較的に多大な費用が掛かる。機械的に粉砕することによって均一な粒度の粉末粒子を製造することは殆ど不可能である。
【0005】
均一粒度の粉末粒子は、均一な厚さの単結晶膜を得るために必要である。
【0006】
単粒子膜は中でも光起電性の分野で有利に使用することができる。銅−インジウム−ジセレン化物はこの目的に特に適している。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、予め決められた粒度を有する単結晶粉末を製造するための経済的な方法を提供することである。本発明の別の課題は、先ず第一にこの方法に従って形成された粉末よりなる特別な単粒子膜を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
この課題は請求項1の特徴部分を含む方法並びに請求項6の特徴部分を含む単粒子膜によって達成される。有利な実施態様はそれらの従属形式の請求項に規定してある。
【0009】
本発明の方法によれば、溶融物を形成し、次いでフラックス剤を添加する。溶融物は半導体材料の個々の成分、好ましくはII/VIまたは III/V半導体の個々の成分から生成される。従ってその個々の成分の例は銅−インジウム−ジセレン化物またはGaAsの成分である。これら成分を含む塩を各成分の代わりに溶融してもよい。各成分またはそれの塩は好ましくは、各成分が溶融物中に、製造されるべき粉末の成分と同じ化学量論組成で存在する様に選択する。
【0010】
次いでその溶融物を、個々の成分またはそれらの塩が溶融されそして同時に製造すべき粉末が結晶析出する温度にしなければならない。かゝる温度は一般に300℃〜1000℃である。最適な温度範囲では単結晶粉末粒子を溶融物中で生成される。粉末粒子が所望の粒度に達したら、溶融物を粉末粒子の成長が結果として止まるように急速に冷却または急冷する。急冷の最適な時点並びに所望の粒度を得るための最適な温度プロフィールは例えば予備実験によって決められる。急冷または冷却の後でフラックス剤を除くことが有利である。
【0011】
本発明の方法は、前述の大きな単結晶を製造する必要がないので、簡単であり経済的である。粒子は均一に成長しそしてそうして得られる粉末は均一な粒度の粒子で構成されている。
【0012】
銅−インジウム−ジセレン化物の単結晶粉末を製造するために、塩溶融物はCuSeおよびInからまたはCu、SeおよびInからまたはCu−In−合金およびSeからまたは最適な融点を有するCu、InまたはSeの各塩から形成されていてもよい。代表的な溶融物は例えば6.35gのCu、11.5gのIn、15.8gのSeおよび40容量%のCuSeの組成を有している。
【0013】
NaClまたは過剰のSeまたはセレン化物は銅−インジウム−ジセレン化物を含有する溶融物中でフラックス剤として使用することができる。フラックス剤の割合は典型的には溶融物の40容量%である。しかしながら一般に10容量%〜90容量%の範囲が可能である。フラックス剤を一緒に含有する溶融物は例えば石英製アンプルに導入する。その石英製アンプルを減圧しそして溶融する。その後に例として挙げた内容物と一緒に石英製アンプルを少なくとも300℃、特に600℃に加熱する。各成分が溶融するやいなや、単結晶の銅−インジウム−ジセレン化物粒子が成長し始める。半導体、例えば銅−インジウム−ジセレン化物の成長は時間および使用されるフラックス剤の関数として生じる。フラックス剤および粉末粒子の所望の大きさに依存して、5分〜100時間の範囲内の処理時間が必要である。
【0014】
成長を意図的に中止するためには、溶融物を冷却する。冷却速度は材料中の欠陥を含む量および欠陥の種類並びに表面の形態を決める。急冷は数秒の時間内で完了することができる。溶融物を数時間に渡って冷却してもよい。この目的のためには内容物と一緒に石英製アンプルをウオーターバスでまたは空気中で、予備実験によって決められた時間で冷却することができる。
【0015】
その後で内容物を石英製アンプルから取り出しそしてフラックス剤を除く。NaClの場合には、これは、銅−インジウム−ジセレン化物の場合と同様に粉末粒子が水に不溶性であることを条件として例えばNaClを水に溶解することで達成できる。Seをフラックス剤として使用する場合には、Seの揮発によって除くことができる。
【0016】
再結晶化が行なわれる温度範囲はフラックス剤および所望の粒度に依存しており、100℃〜1000℃の間にある。この方法によって中でも極めて高い電導性を有する単結晶の銅−インジウム−ジセレン化物粉末が製造される。例えば40μmの粒子径が得られる。10〜30Ωの抵抗を有する粒子が得られる。この値は0.1〜0.6Ωcmの比電気抵抗に相当する。
【0017】
0.1μm〜0.1mmの直径を有する粉末を製造することが可能である。
【0018】
この方法で製造される粉末から、冒頭に記載の従来技術に従って、例えば光起電の分野で使用できる単粒子膜が製造される。10μmの最小直径は単粒子膜の製造に必要とされる。何故ならばさもないと連続ポリマー膜が不可能だからである。単粒子膜の製造にとって50μmの直径を超えてはならない。何故ならばさもなければ例えば光起電の分野では不所望な高い直列抵抗が生じ、材料が無駄になるからである。本発明の方法で製造される粒度はバッチ内で僅かしか相違しないことを強調する。
【0019】
本発明の方法に従って単結晶粉末を製造することのできる半導体材料の他の例にはCdTe、CdSeTe、CdS、CdSSeTe、GaAs、InPがある。
Claims (2)
- 少なくとも3つの成分より成る多物質系を包含しそしてその一つの成分がIUPACの11族の元素である半導体材料より成る単結晶粉末を以下の方法段階で製造する方法:
a) 半導体材料の相応する各成分または該各成分の塩をNaCl、Se、As、砒化物及びセレン化物よりなる群から選ばれるフラックス剤と混合し、
b) この混合物をフラックス剤の融点の上にありかつ製造する単結晶粉末の融点の下にある温度に調整し、
c) 単結晶粉末を結晶析出させ;
d) 溶融物を単結晶粉末の成長を中止させるために冷却する。 - IUPACの11族の元素が銅である請求項1に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19828310A DE19828310C2 (de) | 1998-06-25 | 1998-06-25 | Einkristallpulver- und Monokornmembranherstellung |
DE19828310.5 | 1998-06-25 | ||
PCT/DE1999/001870 WO1999067449A1 (de) | 1998-06-25 | 1999-06-23 | Einkristallpulver- und monokornmembranherstellung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002519273A JP2002519273A (ja) | 2002-07-02 |
JP4530192B2 true JP4530192B2 (ja) | 2010-08-25 |
Family
ID=7871979
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000556087A Expired - Lifetime JP4530192B2 (ja) | 1998-06-25 | 1999-06-23 | 単結晶粉末の製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6488770B1 (ja) |
EP (1) | EP1097262B1 (ja) |
JP (1) | JP4530192B2 (ja) |
AT (1) | ATE222613T1 (ja) |
DE (2) | DE19828310C2 (ja) |
DK (1) | DK1097262T3 (ja) |
ES (1) | ES2182559T3 (ja) |
WO (1) | WO1999067449A1 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1039291A1 (en) * | 1999-03-26 | 2000-09-27 | Sony International (Europe) GmbH | Optochemical sensor and method for its construction |
AT410803B (de) * | 2001-09-27 | 2003-08-25 | Voest Alpine Ind Anlagen | Verfahren zur reduktion von metallhältigem, insbesondere eisenerzhältigem, teilchenförmigem material |
DK1548159T3 (da) * | 2003-12-22 | 2006-07-10 | Scheuten Glasgroep Bv | Fremgangsmåde til fremstilling af et Cu(In,Ga)Se2 monokrystallinsk pulver og monokornmembran-solcelle omfattende dette pulver |
ATE348408T1 (de) * | 2003-12-22 | 2007-01-15 | Scheuten Glasgroep Bv | Verfahren zur behandlung von pulverkörner |
US7569462B2 (en) * | 2006-12-13 | 2009-08-04 | Applied Materials, Inc. | Directional crystallization of silicon sheets using rapid thermal processing |
DE102008040147A1 (de) * | 2008-07-03 | 2010-01-28 | Crystalsol Og | Verfahren zur Herstellung einer Monokornmembran für eine Solarzelle sowie Monokornmembran nebst Solarzelle |
DE202008009492U1 (de) * | 2008-07-15 | 2009-11-26 | Tallinn University Of Technology | Halbleitermaterial und dessen Verwendung als Absorptionsmaterial für Solarzellen |
JP2011091132A (ja) * | 2009-10-21 | 2011-05-06 | Fujifilm Corp | 光電変換半導体層とその製造方法、光電変換素子、及び太陽電池 |
US8414862B2 (en) | 2009-11-25 | 2013-04-09 | E I Du Pont De Nemours And Company | Preparation of CZTS and its analogs in ionic liquids |
JP2011204825A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Fujifilm Corp | 光電変換半導体層とその製造方法、光電変換素子、及び太陽電池 |
WO2011163299A2 (en) * | 2010-06-22 | 2011-12-29 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Nanocrystalline copper indium diselenide (cis) and ink-based alloys absorber layers for solar cells |
US8709657B2 (en) | 2010-12-09 | 2014-04-29 | E I Du Pont De Nemours And Company | Quaternary chalcogenide wafers |
US8480944B2 (en) | 2010-12-09 | 2013-07-09 | E I Du Pont De Nemours And Company | Quaternary chalcogenide wafers |
WO2014121187A2 (en) | 2013-02-01 | 2014-08-07 | First Solar, Inc. | Photovoltaic device including a p-n junction and method of manufacturing |
US11876140B2 (en) | 2013-05-02 | 2024-01-16 | First Solar, Inc. | Photovoltaic devices and method of making |
CN104183663B (zh) | 2013-05-21 | 2017-04-12 | 第一太阳能马来西亚有限公司 | 光伏器件及其制备方法 |
US10062800B2 (en) | 2013-06-07 | 2018-08-28 | First Solar, Inc. | Photovoltaic devices and method of making |
US10529883B2 (en) * | 2014-11-03 | 2020-01-07 | First Solar, Inc. | Photovoltaic devices and method of manufacturing |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3174823A (en) * | 1961-12-15 | 1965-03-23 | Kopelman Bernard | Process for producing crystals of zn, cd and pb sulfides, selenides and tellurides |
NL6901662A (ja) | 1969-02-01 | 1970-08-04 | ||
JPS50152684A (ja) * | 1974-05-27 | 1975-12-08 | ||
JPS50152683A (ja) * | 1974-05-27 | 1975-12-08 | ||
JPS5120081A (en) * | 1974-08-12 | 1976-02-17 | Hitachi Ltd | Ketsushoseichohoho oyobi sochi |
JPS53112493A (en) * | 1977-03-14 | 1978-09-30 | Nat Res Inst Metals | Method of manufacturing ferromagnetic semiconductor monocrystal |
IL75703A0 (en) * | 1984-07-27 | 1985-11-29 | Hahn Meitner Kernforsch | Semiconductor layer of transition metal dichalcogenide,method for its manufacture and use as solar cell |
US4921531A (en) | 1984-10-19 | 1990-05-01 | Martin Marietta Corporation | Process for forming fine ceramic powders |
EP0211187A3 (en) * | 1985-06-28 | 1989-01-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Process for producing single crystal of garnet ferrite |
WO1989005280A1 (en) * | 1987-11-30 | 1989-06-15 | Martin Marietta Corporation | Process for forming fine ceramic powders and products thereof |
US5436204A (en) * | 1993-04-12 | 1995-07-25 | Midwest Research Institute | Recrystallization method to selenization of thin-film Cu(In,Ga)Se2 for semiconductor device applications |
CN1038352C (zh) * | 1994-04-15 | 1998-05-13 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 新型非线性光学晶体硼铍酸锶 |
JP3876473B2 (ja) * | 1996-06-04 | 2007-01-31 | 住友電気工業株式会社 | 窒化物単結晶及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-06-25 DE DE19828310A patent/DE19828310C2/de not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-06-23 US US09/719,036 patent/US6488770B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-06-23 JP JP2000556087A patent/JP4530192B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-06-23 ES ES99939958T patent/ES2182559T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1999-06-23 DE DE59902420T patent/DE59902420D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-06-23 AT AT99939958T patent/ATE222613T1/de active
- 1999-06-23 WO PCT/DE1999/001870 patent/WO1999067449A1/de active IP Right Grant
- 1999-06-23 EP EP99939958A patent/EP1097262B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-06-23 DK DK99939958T patent/DK1097262T3/da active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1097262A1 (de) | 2001-05-09 |
WO1999067449A1 (de) | 1999-12-29 |
DK1097262T3 (da) | 2002-12-23 |
EP1097262B1 (de) | 2002-08-21 |
JP2002519273A (ja) | 2002-07-02 |
DE19828310A1 (de) | 1999-12-30 |
DE59902420D1 (de) | 2002-09-26 |
US6488770B1 (en) | 2002-12-03 |
ATE222613T1 (de) | 2002-09-15 |
ES2182559T3 (es) | 2003-03-01 |
DE19828310C2 (de) | 2000-08-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4530192B2 (ja) | 単結晶粉末の製造方法 | |
KR100821696B1 (ko) | 단일결정 Cu〔In, Ga〕Se2 분말의 제조 방법 및이 분말을 함유한 단일입자 막형 태양 전지 | |
US5871580A (en) | Method of growing a bulk crystal | |
US3447976A (en) | Formation of heterojunction devices by epitaxial growth from solution | |
JP2555847B2 (ja) | 低抵抗半導体結晶基板及びその製造方法 | |
Fuke et al. | Solution Growth of Highly Perfect Crystals of Zinc Telluride | |
Chang et al. | Crystal growth of CdTe alloyed with Zn, Se and S | |
JP2692410B2 (ja) | 単結晶の育成方法 | |
JP2600015B2 (ja) | 結晶成長方法 | |
Sharma et al. | The preparation of InSb films | |
JPS63195198A (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の製造方法 | |
JPH0344461A (ja) | スパッタ用銅セレン系ターゲット材料 | |
JPH01226735A (ja) | 超電導材料の製造方法 | |
JPH02133320A (ja) | 超電導薄膜の作成方法 | |
JPH0725533B2 (ja) | シリコン多結晶インゴツトの製造方法 | |
JPH0818904B2 (ja) | ▲iii▼−▲v▼族化合物半導体単結晶の製造方法 | |
JPH0547683A (ja) | 液相エピタキシー用融液の製造方法 | |
JPH0333099A (ja) | ヒ素化合物半導体結晶の処理方法 | |
Rakovits et al. | Growth of PbSe crystals from lead melt | |
Suto et al. | Electron Microscopic Study of the Crystallization in Amorphous Copper-Silicon Alloys | |
JPH0352223A (ja) | 化合物半導体の製造方法 | |
JPH0127028B2 (ja) | ||
JPS6065800A (ja) | HgCdTe結晶の製造方法 | |
JPH01203288A (ja) | 液相エピタキシャル成長法 | |
JPH01153566A (ja) | 酸化物超電導体用pvd原料の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060418 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090721 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20091020 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20091027 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20091120 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20091130 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20091218 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20091228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100119 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100308 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100308 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100525 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100527 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100602 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4530192 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130618 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |