JP4527917B2 - スキャン、繋ぎ合わせ、および防振を含む両面計測検査具での測定 - Google Patents

スキャン、繋ぎ合わせ、および防振を含む両面計測検査具での測定 Download PDF

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Description

【0001】
(技術分野)
本発明は、全般的に光学的画像形成の分野に関し、特に両側仕様の干渉検体例えば半導体ウェーハのようなもののサブアパーチャデータ画像形成のためのシステムに関する。
【0002】
(背景技術)
近年、半導体産業の進歩は、結果としてチップ製造のベース材としての半導体ウェーハの直径の著しい増大を齎している。これは経済的、プロセス工学的理由からである。200ミリメートルや300ミリメートルの直径を有するウェーハが最近当然のように処理されている。
【0003】
現在、200ミリや300ミリの範囲のウェーハの製造業者や加工業者は、特有の幾何学的形状、即ち、平滑度、曲率、厚さ変動を充分な解離度や精度で検査できる入手可能な幅広い範囲の測定機器を有していない。
【0004】
検体のスキャン法はサブアパーチャの範囲まで及ぶように改良されているので、両側仕様検体の全検体検査を実施するのに要する時間もまた増加している。検体の一面を検査し、その検体を反転し、その他の一方の面を検査するというような種々の検査への取り組みが用いられている。かかるシステムは検体の機械的取扱いを必要とし、これは好ましいものではない。更に、検体の検査行為は一般に検体を拘束したりするので、検体端部を変形させたり、端部の欠陥を増加させたり、または検査中検体を曲げたりしかねない。
【0005】
両側仕様検体の両面を検査する一つの方法がディーターミューラー(Dieter Mueller)の出願であるPCT出願番号PCT/EP/03881に開示されている。この出願は,本出願の譲受人であるKLAテンコール社(KLA-Tencor Corporation)に現在譲渡されている。そこに開示されたシステムは、移相干渉型のものを用いている。これは半導体ウェーハのような検体の両面を、ウェーハの厚さ変動と共に、同時トポグラフィ(topography)形状測定を可能にするものである。ミューラーのかすめ入射線干渉型(grazing incidence interferometer)の簡単な図が図1Aに示されている。図1Aのシステムは、レンズ装置102とともに平行レーザ光源101を用いて検体103の両側表面に光エネルギを同時にかすめさせる。そこで第2のレンズ装置104が出てきた光エネルギの焦点を合わせ、検出器105がその光エネルギの検出を行う。
【0006】
図1A型のものは両側仕様検体の両面を一回の測定サイクルでトポグラフィ形状測定をするのには非常に有用であるが、特有の欠陥を有している。第一に、そのシステムでは測定中検体は殆ど動いてはならない。しかし、このことは周囲の振動や検体自体の振動により、なかなか困難である。更に、検査に時間がかかり、光エネルギの使用やレンズ配列は高度に正確さを要し高価となる。検体は自由に置かれていなければならず、端部からの力も加えられていてはならない。また検査中の入射の配置も妨害があってはならない。全ての入射角のもとでアクセスは保護されていなければならない。これらの要因のため検体を的確に支持するには機械的な問題への挑戦をすることになる。即ち最低数のポイントで力を余計に掛ければ検体を変形させ、接触点を多くすればアクセスを妨害し正確な位置決めが必要となり、それによって検査中の検体変形や湾曲を避けることが必要になる。更に、検体の端部を支持することは、検体を薄膜のように働かせ、微弱な音響的、地震的外乱に起因した振動を誘起してしまう傾向を有している。上述の他の問題と組合せられたこの薄膜による傾向を、周囲の振動を最低にする囲いの中に、このシステムの大部分の構成要素を入れてしまうことで全般的に対処しようとしているが、これがそのシステムに少なからぬコストを加え、しかも全ての振動問題を完全に解決してはいない。
【0007】
また、図1Aに示された装置内にある、1枚のウェーハ全体を検査するのに適した寸法のレンズは非常に高価で、しかも検体の直径と一般に同じ直径を有し、使用法にもよるが、一般に200ミリから300ミリとなる。300ミリメートル検体の全検査を行うための構成に用いられる精密レンズ、回折格子、ビーム分割器を含む全開口脱平行(decollimating)光学系は非常に高価で、一般にウェーハの径の半分の径の光学構成部品より数桁大きいコストがかかる。
【0008】
それゆえ本発明の目的は、直径300ミリメートルまで、及びそれを超える大きさの径を持つ両側仕様検体を1回の測定サイクルで検査するシステムを提供することである。
【0009】
更に本発明の目的は、両側仕様検体の検査を過剰な結合点を要せず、同時に検体の両側の検査に自由に到達できるシステムを提供することである。
【0010】
更に本発明の目的は、検体が薄膜として挙動する傾向を極小化して、両面仕様の検体の1回の測定サイクルの検査を提供し、検査装置や検査工程に関係する音響的および/または地震波的振動を極小化することである。
【0011】
本発明のなお更なる目的は、上記目的の全てを、比較的低コストで達成することで、特に平行および脱平行光学素子および音響的および地震波的振動を極小化するのに必要な何らかの囲いと関連づけて比較的低コストで提供することである。
【0012】
(発明の開示)
本発明は両側仕様のウェーハ又は検体の両側の検査を含むウェーハの検査のためのシステムである。ウェーハは固定3点取付け装置を用いて取付けられるが、この装置は、ウェーハを比較的固定した位置に保持するとともに同時に湾曲やストレスを極小にしている。検体より小さい直径、検体の寸法の半分といったような径のレンズを用いたレンズ装置を通して、光エネルギが送られ、ウェーハの表面にあたり、ついで、第2の平行レンズを通過して、そこで検出と測定が行われるようになっている。
【0013】
このシステムは、更に少なくとも1つの防振バーを有しているが、その防振バーの数はウェーハ再配置装置に依存する。防振バーの効果は検体の測定しない表面の粘性フィルム防振、即ちVFDを行って、VFD即ちベルヌーイの原理に応じて振動の影響を極小化することである。個々の防振バーは防振される表面に近接した位置に置かれる。防振バーとウェーハの表面との近さは0.5ミリメートル未満であることが好ましく、0.25ミリから0.33ミリの間隙が効果的である。より少ない間隙であると、ねじれた検体を検査したときに問題を生じる。本発明の一実施形態では、走査位置にあるときの検体の半分より僅か少なくカバーする防振バーを用いている。
【0014】
ウェーハの取付けには3点支持の調整型取付けが用いられる。取付け点は球体または半球体への接線的取付け接点を有したクリップを含み、支持プレートに取付けられ、略同一支持面を形成するように配置されたクリップである。そのクリップはウェーハの形状の多少の不規則さに対して調整可能になっている。接触点が調整可能であることは、硬直した即ち堅い接続をしないでウェーハを保持する能力を与えるもので、そのような堅い接続では湾曲や変形が起きてしまう。勿論不正確な測定となる、ゆるい不確実な接続をせずにウェーハを保持する能力を与えていることは当然である。
【0015】
光エネルギがビーム導波管を通って偏向ミラーに当たり、更に2つの偏向ミラーによって、放物面平行ミラーに向けられる。偏向ミラーは相互に90度の向きになっている。放物面ミラーから反射された平行光ビームPはその2つの偏向ミラーを通ってビーム分割器に達する。
【0016】
ビーム分割器は第1回折格子として形成され、装置内で垂直に配置されている。平行光ビームPは回折格子に垂直に当たる。第2回折格子の形でのビームコレクタが第1回折格子からそれに対して平行に配置されている。ビームコレクタの背後に二つの脱平行レンズが同じレベルで配置されている。脱平行レンズから出た光ビームは互いに偏向し、ペアーになっている種々の偏向ミラーを通って、二つのCCDカメラに焦点を当て、光学画像形成システムへと向けられている。
【0017】
ビーム分割器は光軸に対して横方向に支えられ、回折格子を移動することによって平行光ビームPの位相を移相するための圧電作動素子を有している。
【0018】
測定されるウェーハまたは検体は、両平坦表面が光ビームPに平行な垂直方向に配置されるように支持具に保持されている。ウェーハは略その垂直端部に支えられ、両面が支持支柱によって実質的には接触しない様になっており、自由に干渉計による測定が出来るようになっている。
【0019】
受側装置を備えることも出来る。更に、少なくとも一つの平坦な表面を有する参照体からなる参照装置が提供されてもよい。参照体は第1回折格子と第2回折格子の間の光路に測定される半導体ウェーハまたは検体の代わりに直線ガイド付きトラベラによって導入されてもよい。参照体はその平坦な表面が回折されていない光ビームPに平行な垂直方向に向けられるように保持される。
【0020】
画像形成用の装置や方法についての部分的変更は可能である。2つの正確に平坦な平行表面を有する物体が参照体として用いられ、そこでは両面が同時に測定される。しかし、参照体の唯ひとつの平坦表面を有する実施形態の方がより適している。
【0021】
1実施形態の装置では、光源が先ず光エネルギを放射し2つのミラー表面にあたる。それにより光エネルギは第1平行レンズを通り検体の二つの表面に同時にあたる。光エネルギはそこで平行レンズの二番目のペアーを通って集束素子装置、検出器の方へ向かってミラーの2番目のペアーに向けられる。接点およびウェーハまたは検体を保持している移送面乃至取付け面は移送台に固定されレンズ/画像形成装置内で、およびレンズ/画像形成装置内へと検体の移送または摺動が行われる。システムは先ず検体の一部分の検査を行い、移送台とウェーハは、移送台の駆動などによって再位置合わせされ又は移送され、ウェーハの別の部分が画像形成路内に置かれるようにする。ウェーハの他の部分が次いで画像形成され、そしてウェーハの両側の画像が共に「繋ぎ合わせ」られる。
【0022】
ウェーハまたは検体の残りの部分を検査位置に出す他の手段は機械的または手動でウェーハを回転したり、又はウェーハを固定し光学素子と画像形成用構成部品を動かすというような方法を用いてもよい。代わりに、スキャニングをモジュールの多重両側検査を用いて行ってもよい。多重両側検査には、例えば、検体の約3等分、4等分、5等分等に対し3、4、5あるいはそれ以上のスキャンというような、モジュールの多重両側検査を用いて行ってもよい。多重スキャンは時間が余計にかかり、単位時間あたりの処理量は増えるが、このようにすることによって、より小さい光学素子が使用でき、それにより総体のシステムコストを節約できる。
【0023】
両側仕様検体の2位相スキャンにおいて、少なくとも表面の50%がスキャンの各相ごとにスキャンされなければならない。実際に好ましくは50%を超え、例えば各スキャンあたり55%スキャンするのがよく、それによって、スキャンの比較が可能になるとともに二つのスキャンを一緒に「繋ぎ合わせる」ことが可能になる。
【0024】
スキャニングと繋ぎ合わせには、各スキャン中、検体の送りとチルトの決定、そのスキャンの送りとチルトに対する各スキャンの調整、および往々にして追加の繋ぎ合わせ処理の実行を含んでいる。追加の繋ぎ合わせ処理では、それに限るものではないが、2つのスキャンの重なり合った部分の間のポイントについて、カーブすり合わせ加工を用いてカーブをすり合わせ、両データの組の平均で、重なり合っている画素を置換え、又は重なり合った領域で平均することの重み付けを行って、端部未整合を除く。これには台形関数、半余弦関数又はその他の数学的関数を用いる。背景基準値は、出来れば差引くと繋ぎ合わせの結果が向上する。比較的大きな欠陥を調査する場合のように、スキャン間で充分な整合性の必要がなければ、チルトや送りに対する簡単な修正だけでよい結果を与える。しかし、多くの場合、完全には必要でないとしても、何らかのタイプのカーブすり合わせ又はスキャン整合が好ましい。
【0025】
本発明のこれら又は他の目的、利点は当業者にとって以下の発明の詳細な説明および添付の図より明らかになるであろう。
【0026】
(発明を実施するための最良の形態)
図1Bは本発明の第1の実施形態を示すもので、特に、両面ウェーハ又は検体111の両側をスキャンするためのものである。図1Bによれば、ウェーハ111は固定した3点取付け装置を用いて取付けられ、この取付け装置は図2に示されている。3点取付け装置はウェーハ111を比較的固定した位置に保持するのに用い、同時に両面ウェーハの湾曲またはストレスを極小にしている。光エネルギは第1の平行レンズ112を通って送られる。この平行レンズは光エネルギをウェーハ111の表面に当て、ついで第2の平行レンズ113を通過し、そこで検出と測定が行われるように配置されている。図1Bをよく見れば判るように、第1平行レンズ112と第2平行レンズ113両方の直径は検体またはウェーハ111の直径よりかなり小さく、入射光はウェーハ111の表面の一部にのみ当たっている。図1Bには図示されていないが、光エネルギは示されている装置においてウェーハ111の見える表面に当たっているが、光エネルギは同時に第1平行レンズ112を通過してウェーハ111の図1Bには示されていない反対側に当たっている。光エネルギは検体111の反対側から第2平行レンズ113へと通過する。
【0027】
この装置は更に上部防振バー114と下部防振バー115を有している。図1Bに示される装置において、上部防振バー114は検体111の約半分、特に検査されない半分を覆っている。防振バーの効果というのは、検体111の測定にかからない表面を防振して振動の影響を最低にすることである。この装置における防振はVFD即ちベルヌーイの原理に基づくもので、示されている装置の上部防振バー114は防振される表面の非常に近くに配置されている。防振バー114又は115のいずれかとウェーハの表面の間の間隙は出来れば0.5ミリメートル以下が好ましく、0.25ミリから0.33ミリのものを用いると好結果が出る。防振バー114又は115のいずれかとウェーハ111の表面との間に、より小さい隙間を提供することと関わる問題は、ウェーハに何かねじれがあると、バーがウェーハの表面に接触することである。このため、またウェーハの表面によっては、0.1ミリメートル未満の隙間は一般に好ましくない。なお、1ミリメートルを超える隙間は望ましい防振効果を生じない。というのは、ベルヌーイの原理では、1ミリメートルを超える隙間があると充分な防振を生み出さないからである。
【0028】
検体111と上部防振バー114又は下部防振バー115の間の隙間は、検体と防振バーの間の空気流を制限し、検体に誘起された振動を減衰させる。各防振バーは、丈夫なスチール部材のような一般に硬く重い材料から作られている。全体の大きさ、寸法は重要であるが決定的なものではなく、重要なことは防振バーがウェーハ111の少なからぬ部分をカバーすることである。ウェーハの20%未満のカバーでは、ウェーハへの総体としての防振効果を最低としてしまうが、それでもそれなりの防振効果は与えている。
【0029】
ウェーハ111の一部のみに照明を当てることにより従来行われていたよりも小さなレンズが使える。図1Bに示した実施形態では、第1平行レンズ112と第2平行レンズ113の好ましい大きさは約4.4インチで一方ウェーハ111は300ミリメートルの直径である。そのような装置では、防振バー114および115は約4.5インチの巾である。防振バーの長さは以下に述べるウェーハの動き方のモードによる。
【0030】
図2に示すように、ウェーハ111の取付けは好ましくは3点調整型取付けを用いるのがよい。そこでの3つのポイント201、202、203は接線で接する球体又は半球体接触を示している。ポイント201、202、203は球又は半球体に接線的な取付け接触を有する小さなクリップであって、取付けプレート116のような支持プレートに実質的に同一支持面を形成するように取付けられ、ウェーハ111の形状の多少の不規則性に対して調整可能なクリップである。球体又は半球体の構成部品は充分硬くなければならないが、それも硬過ぎるほどであってはならない。これらの部品として好ましい材料はルビーである。ポイント201、202、203が調整可能であることは、硬直した堅い接続をしないでウェーハ111の保持が出来る。堅い接続は湾曲や変形のもととなる。不正確な測定の原因となりうる、ゆるい又は不確かな接続をしないで、ウェーハ111を保持出来るのは勿論のことである。図1Bにおいて、図示していない2つの下側の調整取付けポイント202、203はウェーハ111の下の部分を支持し、上の部分は取付けポイントとクリップ201で支持されている。ポイント201、202、203はそれゆえ、ウェーハまたは検体111を取付けるのに充分な堅さを有して「ガタツキ」を防ぐが、ウェーハをねじるほど堅くはない。球体又は半球体的接触点は一般に機械技術当業者には公知であり、特に半導体ウェーハの取付け、保持に精通している人には公知である。このように固定することと防振バー114、115によるベルヌーイの防振の組合せが音響的、地震波的振動を極小化するのに役立っている。
【0031】
検体の両側の同時画像形成はディーターミューラーのPCT出願PCT/EP/03881に準じて行われる。なお、この出願は本出願の譲受人であるKLAテンコール社(KLA-Tencor Corporation)に現在譲渡されている。PCT/EP/03881の全体が引例としてここに取り入れられている。この画像形成装置は図7や図8に示されている。図7や図8に示されるように、本発明に使われている光エネルギ配向装置はレーザ801の形の光源で構成されている。レーザ801から出た光はビーム導波管802を通して導かれる。レーザ801で生じた光はビーム導波管802の端部803に現れ、端部803は点光源として働く。この出現光は偏向ミラー804に当たり、そこで更に2つの偏向ミラー805、806によって放物面ミラーの形状の平行ミラー807にへと再び向きを変えられる。偏向ミラー805,806は相互に90度の角度となるような向きに置かれている。放物面ミラー807から反射された平行光ビームPは2つの偏向ミラー805,806を通過してビーム分割器808に達する。
【0032】
ビーム分割器808は第1の回折格子として形成され位相格子であることが好ましい。ビーム分割器808は装置の中で垂直方向に配置され、平行な光ビームPが垂直方向に回折格子に当たる。第2の回折格子の形でビームコレクタ810が第1回折格子808からそれに平行に配置される。ビームコレクタ810の背後には、2つの脱平行(decollimation)レンズ811が同じレベルで配置され、これら脱平行レンズから出た光ビームは対になっている偏向ミラー812Aと812B,813Aと813B,814Aと814Bによってそれぞれ偏向され、2つのCCDカメラ816に焦点を合わせられ光学画像形成システム15に向けられる。
【0033】
ビーム分割器808は光軸を横切って支持され、更に回折格子を移動することで平行光ビームPの位相をシフトするために圧電起動素子817を含んで構成されている。
【0034】
保持機器830、それは例えば支持柱の形であるが、第1回折格子と第2回折格子の間の中央に備えられている。測定されるウェーハまたは検体809は保持機器830の上に保持され、両平坦表面831と832は、光ビームPに平行な垂直方向に配置される。ウェーハ809は支持柱に実質的にその垂直端部833のみで支持され、両表面831と832はその支持柱に実質上接触せず自由に干渉計測定が出来るようになっている。
【0035】
更に、受側装置830,825が測定されるウェーハ809用に提供されてもよい。ウェーハは受側装置に水平に挿入されることができる。傾け装置826によってウェーハ809はその水平位置から垂直測定位置に傾けてもよいし、またウェーハ809は位置決めトラベラによって第1回折格子と第2回折格子の間の光路内に移動してもよく、それにより、測定面831、832は回折しない光ビームPに略平行に、そして略垂直方向に配列される。
【0036】
更に、参照装置820が備えられ、この装置は少なくとも一つの平坦な表面824を有する参照体821より構成されている。参照体821は第1回折格子808と第2回折格子810の間の光路に、測定用半導体ウェーハ又は検体809の代わりに、直線ガイド818付きのトラベラ823によって導入することが出来る。参照体821の保持は、その平坦表面824が回折されていない光ビームPに平行な垂直方向に配置されるよう保持される。参照体821は、その取付け状態を、表面824に平行な軸を中心に180度回転可能である。
【0037】
操作時において、測定されるウェーハ又は検体809は先ずウェーハ受側装置825に挿入される。表面831,832は水平に配置される。傾け装置とトラベラ819によって、測定されるウェーハが保持機器830に運ばれ、そこで表面831,832が垂直になるよう配置される。ビーム分割器の第1回折格子808に当たる平行光ビームPの回折が、部分光ビームAとBを生み出し、そこで正の回折角度を有する部分光ビームAはウェーハ809の一つの表面831に当たりそこで反射する。一方負の回折角度を有する部分光ビームBはウェーハのもう一方の表面832に当たり、そこで反射する。平行光ビームPの回折オーダー零番目のものは、第1回折格子808を通過しウェーハ809の表面831と832で反射されない。この光ビームPの一部は、ビームAとBの反射した波頭との干渉において、参照ビームとして働く。ビームコレクタとしての第2回折格子810において、反射した部分光ビームAとBは、回折オーダー零番目の参照ビームPと再び互いに組合され、二つの部分光ビームA+PとB+Pの形で、正のレンズ815と共に脱平行レンズ811と偏向ミラー812、813,814を介してCCDカメラ816の焦点面に焦点が合わせられる。
【0038】
表面の露光中、平行光ビームPの位相は回折格子を移動することによって90度と120度に繰返しシフトされる。これにより位相がシフトされた干渉パターンが出来る。移相器817によって作られた干渉相の規定されたシフトは測定されて、測定された面831、832に突起又はくぼみがあるかを判定し、二つのデジタル化した位相パターンは互いに差引きされる。
【0039】
参照体821を用いた較正はウェーハ809の各測定の前に行ってもよい。参照体821は第1回折格子808と第2回折格子810の間のビーム路に導入される。既知の平担な表面824が測定される。次いで、参照体821が180度回転され、同じ表面824が第2表面として測定される。
【0040】
図3はウェーハ又は検体の存在しない測定モデルを示している。図3から、光源301が最初光エネルギを放射し、第1ミラー面302と図示しない第2ミラー面303に当たるように焦点を合わせる。これらの二つのミラー面のそれぞれは、光エネルギをこの図では示していない第1平行レンズ112に通過させ、光エネルギは、同時に、やはり図示していない検体111の二つの表面に当たる。検体111の二つの表面に当たった後、光エネルギは、やはり図3に示されていない第2平行レンズ113を通過して第3ミラー304および第四ミラー305に向けられる。第3ミラー304および第4ミラー305は光エネルギを集束素子306および検出器307に向ける。画像形成アーム311は第3ミラー304から集束素子306への光画像路を示している。集束素子やセンサーは当業者に公知のもので、多重レンズ、およびCCD又は他の画像形成センサのようなレンズ装置を含むことが出来る。集束素子306、および検出器またはセンサ307がその他の作用を行なうことは、なお本発明の範囲内にあって可能である。
【0041】
図1Bから、検体111はポイント201を含んだ3点に取付けられ、3点は取付け面116に固定して取付けられる。取付け面116は移送面117に固定して取付けられている。移送面117又は取付け面116のいずれかが移送台308に固定され、取付け面116及び検体111を図3に示された装置内で、または装置内に移送又は摺動させる。この装置は更に移送面117を有していてもよいが、これは利用方法にもよる。移送台308は図1Bの装置、特にウェーハ又は検体111、ポイント201、202、及び203、取付け面116、移送面117が、下記に述べるように比較的限られた範囲で上下に動くのを可能にしている。移送面117を使用しているような装置では、移送面、取付け面が接触点とともに測定モジュール300内に配置されるが、出来れば移送面117を移送台308に取付けることで配置されることが好ましい。検体111は近接する防振バー309と共に防振バー114,115の間に物理的に位置付けられポイント201,202および203に固定されている。ひとたび検体111がポイント201,202,203に正しく固定されると、ウェーハの下部の検査が始められる。適当な検査が終了した後、即ち、検体111の一部の検査が容認できる結果を得た後、移送台308と最後にはウェーハが、移送台308をトラック310に沿って駆動させるなどして再配置または移送され、検体111の残り約半分、ウェーハ111で言えば他の部分が画像形成路内にあるようにする。そのウェーハの他の部分がそこで画像形成され、ウェーハ表面の両側の画像が共に繋ぎ合わされる。
【0042】
防振バーは本発明の範囲内で、上に述べたように、寸法を変えてもよい。図3において、防振バーは端部片310、311に固定されているが、上述の隙間の空き具合が確保され、ウェーハの希望する部分でのスキャンが行える限り、どのような取付けであってもよい。
【0043】
理解されるように、ウェーハ又は検体111の残りの部分を検査するには、別の手段が使われてもよい。即ち、取付けポイントから離して手動で回すなどしてウェーハを回転させてもよい。代わりに、取付け面116を移送面117に回転可能に搭載することと取付け面116に二つのロックする場所を備えることによって検体の機械的な回転を起こさせてもよい。即ち、ウェーハ111、ポイント201,202および203、取付け面116は当初移送面117に固定して係合される。検体111の一部の第1検査スキャンが完了すると、ウェーハ111、ポイント201,202、203及び取付け面116は移送面117の固定を外され、移送面117に直角な軸上を機械又は手動で垂直に回される。ウェーハと関連するハードウェアは第2の固定位置に180度回転し、そこで面が固定され第2の検査スキャンが始まる。この回転動作の間、防振バーや妨害物は機械又は手動で取り除かれ、ポイント201、202、および203との接触を防いでいる。種々の構成部分特に取付け面116は、移送台や他のモジュール構成部分と接触しないで測定モジュール300内の回転に合うように寸法が決められている。
【0044】
代わりに、スキャニングは、検体の約3等分、4等分、5等分の部分に対し3、4、5スキャンのような、モジュールの多重両側検査を用いて行ってもよい。多重スキャンは時間が余計にかかり、単位時間あたりの処理量は増えるが、このようにすることによって、より小さい光学素子が使用でき、システムコストを節約できる。数多くのサブアパーチャスキャンが図3に示されるものと同じようなシステムで行われてもよい。これもなお本発明の範囲である。
【0045】
図4Aと4Bは、ウェーハ又は検体111の回転スキャン装置を示している。理解されるように、両面検体の2位相スキャンにおいて、少なくとも、表面の50%がスキャンの各相ごとにスキャンされなければならない。実際に好ましくは50%を超え、例えば各スキャンあたり55%スキャンするのがよく、それによって、スキャンの比較が可能となるとともに二つのスキャンを一緒に「繋ぎ合わせる」ことが可能になる。図4Aに示される装置において、面111のA部として示されるように、50%を超える面が先ずスキャンされる。B部は防振バーのひとつによって覆われている。最初のスキャン相の後、検体111は手動又は機械的に図4Bに示された位置に回される。前面および裏面の両方の約55%がこの第2相の間にスキャンされる。これにより、ウェーハの5%が重なり合うことになり、これらの重なり合った部分間の比較がスキャンを一緒に繋ぎ合わせられるかの参考となる。図4Bにおいて、ウェーハのA部は防振バーで覆われている。
【0046】
代わりに、図3に示された装置でのように、ウェーハ又は検体111が垂直に移送され、2又はそれ以上の別々のスキャンが行われてもよい。図5Aと5Bに示すように、ウェーハ111の一部は防振バー114および115のような2つの防振バーの間に置かれ、図5Aで「B]とマークした部分がスキャンされる。そこに示されるように、検体111の50%を超える部分はスキャンされ、その重なり合った部分は第2のスキャンと繋ぎ合わされる。最初のスキャンの後、ウェーハは図5Bに示される位置に移送される。図5Bの「A」部が次にスキャンされ、その時下部の防振バーは「B」部の大部分をカバーする。2つのスキャンの重なり合った部分はそこで繋ぎ合わされ、その面全体の提示がなされる。そしてそのようなスキャンが両側について行われる。
【0047】
図4A,4B,5Aおよび5Bから明らかなように、もし検体111が図4Aや4Bのように回されるのであれば、一本の防振バーが必要であり、ウェーハ111が図5Aや5Bのように移送されるのであれば2つの防振バーが必要となる。なお、測定の組立てにより、任意の送り又はDCオフセットおよびチルトが各測定に適用され、そのことは、多少の修正が繋ぎ合わせの前または最中に必要になるということを意味し、それによって正確に表面の測定が得られる。
【0048】
図6はここに記載された発明によって使われる一般的なスキャンと繋ぎ合わせのアルゴリズムを示している。アルゴリズムはステップ601で始まり、検体111の送りとチルトを決めるとともにステップ602で最初のスキャンを始めている。アルゴリズムはステップ603でそのスキャンが受け入れられるか否かを評価するが、それはオペレータが実際にスキャンを評価するか、既知のスキャン又は前のスキャンとの機械的な比較による評価とどちらを受け入れるかの評価である。スキャンが受け入れられるものであれば、アルゴリズムはステップ604に進むが、そこでウェーハは次の場所に再配置される。スキャンが受け入れられない場合は、ウェーハはその元の位置で再スキャンされる。送りとチルトは再計算されるがウェーハは動かないのでこれは必要ではない。ステップ604でウェーハが再配置されると、ステップ605で次のスキャンが行われ、新しい方向へのチルトと送りが計算される。ステップ606でスキャンが受け入れられるかが評価され、受け入れられなければスキャンが再び行われる。送りとチルトはここでもまた再計算される必要はない。一旦スキャンが機械的または目視的に受入れられるようであれば、アルゴリズムは全表面がスキャンされたかどうかをステップ607で判定する。もし全表面がスキャンされていなければ、そのウェーハは再び再配置され残りのスキャンが、示されているステップに従って実行される。もし全表面がスキャンされていれば、アルゴリズムはステップ608で、xイコール1およびyイコール2と設定する。ステップ609でシステムはスキャンxをチルトと送りにあわせて変更し、それとは別にスキャンyをそれぞれのチルトと送りに合わせて変更する。この時点でスキャンxとyは中立に位置付けられ共に繋ぎ合わされてもよい。ステップ610は追加の繋ぎ合わせ処理を行うための任意のステップである。追加の繋ぎ合わせ処理では、それに限られるわけではないが、2つのスキャンの重なり合った部分の間のポイントについて、カーブすり合わせ工程でカーブをすり合わせ、両データの組の平均で、重なり合っている画素を置換え、または重なり合った領域で平均することの重み付けを行って、端部での未整合を除く。これには台形関数、半余弦関数,又はその他の数学的関数を用いる。背景基準値は出来れば差引くと繋ぎ合わせの結果が向上する。もし比較的大きな欠陥を調査する場合のような、スキャン間で充分な整合性の必要がなければ、簡単にチルトや送りに対する修正だけでよい結果を与えステップ610は実行しなくてよい。しかし、多くの場合、ある種のカーブすり合わせ又はスキャン整合が必要である。スキャンはステップ611で整合され繋ぎ合わされる。そのような繋ぎ合わせアルゴリズムは図示しないマイクロプロセッサのような計算機器を用いて行うのが好ましい。
【0049】
ステップ612はウェーハ全体が繋ぎ合わされたかを査定する。もし終わっていなければ、ステップ613でxとyを増加させるように進み、残っている部分の追加の繋ぎ合わせを行う。ウェーハ全体が繋ぎ合わされたら、アルゴリズムはステップ614で終了する。
【0050】
上に提出された開示に基づき、特に図3に示されたものと関わって、ウェーハ111は一般に再配置され、一方検査光源と光学素子は固定されている。このようにすると、両側ウェーハの多重スキャンを行うための段取り時間が明らかに有利になる一方、ウェーハが固定されたまま、光源や関連光学素子や検出器は摺動可能または回転可能に搭載されてもよいことが判る。図3に示す構成において、光源301、支持部材310,311、防振バー114,115、防振バー309,4つのミラー302、303、304、305、集束素子306、および検出器307は単一表面に取付けられ、互いに関連した位置に固定的に位置付けられ、ウェーハの回りを移送または回転させてもよい。代わりに、これら構成要素は、共に又は個別に移送され、ウェーハ又は検体111について続いてスキャンを行ってもよい。
【0051】
この発明はその特定の実施形態と関連して記述されているが、この発明は更なる変形が可能であることが判るであろう。この出願は、一般にこの発明の原理に従っている変形、用法や適合をカバーしようとするもので、本開示からの次のような離脱即ち、本発明が属する技術内で公知で習慣的に行われている範囲内にいたるような離脱も包含しようとするものである。
【図面の簡単な説明】
【図1A】 先行のミューラーのシステムの一般概念を示した図で、このシステムは半導体ウェーハ又は検体が略「垂直」方向に向けられている時、検体の両側を検査するものである。
【図1B】 本発明の第1の実施形態を示した図で、防振バーおよび両側仕様のレンズ装置を含むものである。
【図2】 ウェーハ又は検体の取付けポイントを示した図である。
【図3】 ウェーハを移送し複式の防振バーの存在下での多重スキャンを実行することと関連して用いる測定モジュールを示した図である。
【図4A】 回転スキャンや繋ぎ合わせ処理がウェーハ表面の約半分について行われるときの、防振バーに対応したウェーハ又は検体の第1位置を示した図である。
【図4B】 回転スキャンや繋ぎ合わせ処理がウェーハ表面の他の約半分について行われるときの、防振バーに対応したウェーハ又は検体の第2位置を示した図である。
【図5A】 移動スキャンや繋ぎ合わせ処理がウェーハ表面の約半分について行われるときの、防振バーに対応したウェーハ又は検体の第1位置を示した図である。
【図5B】 移動スキャンや繋ぎ合わせ処理がウェーハ表面の他の約半分について行われるときの、防振バーに対応したウェーハ又は検体の第2位置を示した図である。
【図6】 本発明によるスキャンと繋ぎ合わせを実施するアルゴリズムを示したフローチャートである。
【図7】 半導体ウェーハの両面画像形成を行うのに必要な構成部品や光学系を概念的に模式図で示した図である。
【図8】 構成部品と光学素子の上面図で光エネルギの路を示す図である。

Claims (20)

  1. 両面仕様検体の両側をスキャンするシステムであって
    ほぼ固定した位置に前記検体を維持する手段と、
    前記検体のスキャンを行わない部分を検体表面に接触しないように覆うことにより防振する防振バーと、
    前記検体の所定の部分に複数のスキャンを実行する手段と、
    前記検体を前記実行する手段との関係で再配置する手段、および
    前記両面仕様の検体の各サイドの比較的連続したスキャンを形成するためにすべてのスキャンを繋ぎ合わせる手段
    とから構成されることを特徴とするシステム。
  2. 請求項1に記載のシステムであって、
    前記防振バーは前記検体から約0.10ミリメートルから1.0ミリメートル隔てて位置づけられていることを特徴とするシステム。
  3. 請求項1に記載のシステムであって、
    前記再配置手段は前記検体を移動する手段を備え、
    前記実行手段は検査装置から構成され、
    前記検査装置は前記検体のうち前記防振バーによって覆われていない所定の部分をスキャンすることを特徴とするシステム。
  4. 請求項1に記載のシステムであって、
    前記維持手段は3点の調整型取付け部から構成され、
    前記3点調整型取付け部の全ての点は接線的に取付けられ、
    前記検体は略垂直に取付けられた半導体ウェーハであることを特徴とするシステム。
  5. 請求項1に記載のシステムであって、
    前記繋ぎ合わせ手段は前記スキャンを略均一に方向付けし、前記スキャンを組合せるコンピュータから構成されることを特徴とするシステム。
  6. 検体をスキャンするための方法であって、
    前記検体を略固定した位置に維持するステップと、
    前記検体のスキャンを行わない部分を検体表面に接触しないように覆う防振バーにより前記検体を防振するステップと、
    前記検体の第1所定部分にスキャン装置を用いて第1スキャンを実行するステップと、
    前記検体を前記スキャン装置と関係して再配置するステップと、
    前記検体の少なくとも一つの次の所定の部分に少なくとも一つの次のスキャンを実行するステップ、および
    前記検体の比較的連続的なスキャンを形成するため全てのスキャンを繋ぎ合わせるステップとからなることを特徴とする検体をスキャンするための方法。
  7. 請求項6に記載の方法であって、
    前記防振は、前記検体から約0.10ミリメートルから1.0ミリメートル隔てて前記防振バーを位置付けることによって行なわれることを特徴とする方法。
  8. 請求項7に記載の方法であって、
    再配置は前記検体を移送することにより構成され、
    個々の実行ステップは防振バーで覆われていない前記検体の一部をスキャンすることにより構成されることを特徴とする方法。
  9. 請求項6に記載の方法であって、
    検体の維持は、前記検体を3点の調整型取付けを用いて略垂直のオンエッジ型の方位で保持することで構成されることを特徴とする方法。
  10. 請求項6に記載の方法であって、
    繋ぎ合わせは、前記スキャンを略均一に方向付けし、前記スキャンを組合せることにより構成されることを特徴とする方法。
  11. 検体をスキャンするためのシステムであって、
    前記検体を所定の位置に固定して維持する位置決め装置、
    前記検体のスキャンを行わない部分を検体表面に接触しないように覆うことにより防振する防振バー
    前記検体の表面に光エネルギーを向けるスキャン用光学素子、
    前記位置決め装置を前記スキャン用光学素子を基準にして再配置するための再配置要素、および
    前記スキャン用光学素子から得られたスキャンを繋ぎ合わせる繋ぎ合わせ手段とから構成されていることを特徴とする検体をスキャンするシステム。
  12. 請求項11のシステムであって、
    前記防振バーは、前記検体から約0.10ミリメートルから1.0ミリメートルの間隙をもって位置付けられていることを特徴とするシステム。
  13. 請求項11のシステムであって、
    前記再配置要素は、前記検体を移送する移送手段から構成され、前記スキャン用光学素子は前記防振バーで覆われていない前記検体の所定の部分をスキャンすることを特徴とするシステム。
  14. 請求項11のシステムであって、
    前記位置決め装置は3点の調整型取付けより構成され、
    前記3点の調整型取付けの全ての点は接線的に取付けられ、
    前記検体は略垂直に取付けられた半導体ウェーハであることを特徴とするシステム。
  15. 請求項11のシステムであって、
    前記繋ぎ合わせ手段は、前記スキャンの向きを略均一に整合させ前記スキャンを組合せるためのコンピュータから構成されることを特徴とするシステム。
  16. 検体をスキャンするための方法であって、
    前記検体をほぼ固定した位置に位置決めするステップと、
    前記検体のスキャンを行わない部分を検体表面に接触しないように覆う防振バーにより前記検体に伝わる振動を防止するステップと、
    前記検体の複数の部分をスキャンするステップ、および
    前記検体の複数の部分のスキャンを共に繋ぎ合わせるステップとから構成されることを特徴とする検体をスキャンする方法。
  17. 請求項16の方法であって、
    前記防振は、前記検体から約0.10ミリメートルから1.0ミリメートル隔てて前記防振バーを位置付けることによって行なわれることを特徴とする方法。
  18. 請求項17の方法であって、
    前記防振バーで覆われていない前記検体の一部をスキャンすることを特徴とする方法。
  19. 請求項16の方法であって、
    検体の維持は前記検体を3点の調整型取付けを用いて略垂直のオンエッジ型の方位で保持することで構成されることを特徴とする方法。
  20. 請求項16の方法であって、
    繋ぎ合わせは前記スキャンを略均一に方向付けし、前記スキャンを組合せることにより構成されることを特徴とする方法。
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19602445A1 (de) * 1996-01-24 1997-07-31 Nanopro Luftlager Produktions Vorrichtung und Verfahren zum Vermessen von zwei einander gegenüberliegenden Oberflächen eines Körpers
US7295314B1 (en) * 1998-07-10 2007-11-13 Nanometrics Incorporated Metrology/inspection positioning system
US6320609B1 (en) * 1998-07-10 2001-11-20 Nanometrics Incorporated System using a polar coordinate stage and continuous image rotation to compensate for stage rotation
AT406989B (de) * 1999-05-18 2000-11-27 Femtolasers Produktions Gmbh Fokussiereinrichtung
US6414752B1 (en) * 1999-06-18 2002-07-02 Kla-Tencor Technologies Corporation Method and apparatus for scanning, stitching, and damping measurements of a double-sided metrology inspection tool
US6834117B1 (en) * 1999-11-30 2004-12-21 Texas Instruments Incorporated X-ray defect detection in integrated circuit metallization
JP3472750B2 (ja) * 2000-04-10 2003-12-02 シーシーエス株式会社 表面検査装置
US20070258085A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-08 Robbins Michael D Substrate illumination and inspection system
US20040207836A1 (en) * 2002-09-27 2004-10-21 Rajeshwar Chhibber High dynamic range optical inspection system and method
US6785615B2 (en) * 2002-10-29 2004-08-31 International Business Machines Corporation Method and structure for detection of electromechanical problems using variance statistics in an E-beam lithography device
US6844929B2 (en) 2003-04-09 2005-01-18 Phase Shift Technology Apparatus and method for holding and transporting thin opaque plates
JP2008544295A (ja) * 2005-06-28 2008-12-04 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 物体の表面トポロジを再構成する方法
US7623251B2 (en) * 2006-04-07 2009-11-24 Amo Wavefront Sciences, Llc. Geometric measurement system and method of measuring a geometric characteristic of an object
US20090122304A1 (en) * 2006-05-02 2009-05-14 Accretech Usa, Inc. Apparatus and Method for Wafer Edge Exclusion Measurement
US7508504B2 (en) * 2006-05-02 2009-03-24 Accretech Usa, Inc. Automatic wafer edge inspection and review system
US20090116727A1 (en) * 2006-05-02 2009-05-07 Accretech Usa, Inc. Apparatus and Method for Wafer Edge Defects Detection
US8049878B2 (en) * 2008-08-22 2011-11-01 Corning Incorporated Systems and methods for detecting defects in ceramic filter bodies
US8068234B2 (en) 2009-02-18 2011-11-29 Kla-Tencor Corporation Method and apparatus for measuring shape or thickness information of a substrate
US8537369B1 (en) 2009-07-16 2013-09-17 Kla Tencor Method and apparatus for measuring the shape and thickness variation of a wafer by two single-shot phase-shifting interferometers
US8169620B1 (en) 2009-09-21 2012-05-01 The United States Of America, As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Sub-pixel spatial resolution wavefront phase imaging
ES2547678T3 (es) * 2011-05-27 2015-10-08 Peugeot Citroën Automobiles SA Placa de absorción para climatizador
US20140293291A1 (en) * 2013-04-01 2014-10-02 Kla-Tencor Corporation Wafer Shape and Thickness Measurement System Utilizing Shearing Interferometers
US10978331B2 (en) 2018-03-30 2021-04-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Systems and methods for orientator based wafer defect sensing
WO2020142656A1 (en) 2019-01-04 2020-07-09 Engent, Inc. Systems and methods for precision placement of components
US11899060B2 (en) 2021-03-12 2024-02-13 Battelle Memorial Institute Systems and methods for precise signal injection into microelectronic devices
EP4352524A1 (en) * 2021-06-08 2024-04-17 Battelle Memorial Institute High resolution imaging of microelectronic devices

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4335313A (en) * 1980-05-12 1982-06-15 The Perkin-Elmer Corporation Method and apparatus for aligning an opaque mask with an integrated circuit wafer
US4659172A (en) * 1985-05-20 1987-04-21 Insystems, Inc. Rotatable and translatable mounting mechanism for a specimen pattern in optical processing apparatus
JP3101290B2 (ja) * 1989-03-15 2000-10-23 キヤノン株式会社 表面状態検査装置、露光装置、及び表面状態検査方法
US5495097A (en) * 1993-09-14 1996-02-27 Symbol Technologies, Inc. Plurality of scan units with scan stitching
JPH0440668A (ja) * 1990-06-06 1992-02-12 Mitsubishi Electric Corp ディスク装置
US5086477A (en) * 1990-08-07 1992-02-04 Northwest Technology Corp. Automated system for extracting design and layout information from an integrated circuit
US5032734A (en) * 1990-10-15 1991-07-16 Vti, Inc. Method and apparatus for nondestructively measuring micro defects in materials
JP3109840B2 (ja) * 1990-12-28 2000-11-20 キヤノン株式会社 面状態検査装置
JP2933736B2 (ja) * 1991-02-28 1999-08-16 キヤノン株式会社 表面状態検査装置
JP2823707B2 (ja) * 1991-03-15 1998-11-11 松下電工株式会社 位相シフト斜入射干渉計
JP2531596B2 (ja) * 1991-03-19 1996-09-04 富士写真光機株式会社 被測定面における分割域間の接続方法及び分割域間の波面接続方法
JPH04290906A (ja) * 1991-03-19 1992-10-15 Fuji Photo Optical Co Ltd 形状測定装置
CA2064260C (en) * 1991-03-29 1999-12-14 Yoshio Komaki Image processing apparatus
EP0544957B1 (en) * 1991-12-06 1995-05-17 Sigmatech Co. Ltd. Apparatus for inspecting internal circuit of semiconductor device
US5481202A (en) 1993-06-17 1996-01-02 Vlsi Technology, Inc. Optical scan and alignment of devices under test
US5712890A (en) * 1994-11-23 1998-01-27 Thermotrex Corp. Full breast digital mammography device
JPH08240417A (ja) * 1995-03-02 1996-09-17 Canon Inc 形状測定方法及びそれを用いた形状測定装置
JPH08313206A (ja) * 1995-05-23 1996-11-29 Fuji Photo Optical Co Ltd 斜入射干渉計装置
JPH09159617A (ja) * 1995-12-08 1997-06-20 Sony Corp 異物検査装置
DE19602445A1 (de) * 1996-01-24 1997-07-31 Nanopro Luftlager Produktions Vorrichtung und Verfahren zum Vermessen von zwei einander gegenüberliegenden Oberflächen eines Körpers
EP0894262B1 (en) * 1996-12-24 2008-06-11 ASML Netherlands B.V. Optical inspection device and lithographic apparatus provided with such a device
US5970168A (en) * 1997-08-05 1999-10-19 Kla-Tencor Corporation Fourier filtering mechanism for inspecting wafers
JPH11160052A (ja) * 1997-11-27 1999-06-18 Nikon Corp 長尺鏡干渉計測装置、及び、長尺鏡干渉計測方法
US6113056A (en) * 1998-08-04 2000-09-05 Micrion Corporation Workpiece vibration damper
US6204917B1 (en) * 1998-09-22 2001-03-20 Kla-Tencor Corporation Backside contamination inspection device
US6252705B1 (en) * 1999-05-25 2001-06-26 Schlumberger Technologies, Inc. Stage for charged particle microscopy system
US6414752B1 (en) 1999-06-18 2002-07-02 Kla-Tencor Technologies Corporation Method and apparatus for scanning, stitching, and damping measurements of a double-sided metrology inspection tool

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