JP4527777B2 - 複数のプローブが形成されたシリコンウェハ、シリコンウェハモジュール及びプローブボンディング方法 - Google Patents
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Description
まず、図1に示すように、プローブ基板10の表面には、検査対象である電子部品やチップなどの表面に配列されたパッドと対応するようにバンプ11が形成される。次に、図2に示すように、プローブチップ21及び支持ビーム22が形成された6インチシリコンウェハ20を準備する。バンプ11、プローブチップ21及び支持ビーム22は、フォトリソグラフィ工程及びメッキ工程によって形成される。続いて、図3に示すように、バンプ11の上端にソルダペーストPを塗布する。そして、バンプ11の上面に支持ビーム22の端部を接触させた状態で、約200℃〜350℃の温度で加熱する。この過程で、ソルダペーストPが溶融して、バンプ11と支持ビーム22とが接合する。そして、シリコンウェハ20をエッチングによって除去することで、プローブカードの最も重要な製造工程であるボンディング工程が終了する。
図7及び図8に示すように、シリコンウェハ140の表面には、フォトリソグラフィ工程及びメッキ工程を用いてプローブチップ141と支持ビーム142とが形成されており、隣接する2つの支持ビーム142対の間には、これらを繋ぐように空間部143形成されている。また、支持ビーム142対が隣接していない箇所では、単位格子内の一対の支持ビーム142のみに空間部143’が形成されている。そして、空間部143、143’は、いずれもシリコンウェハ140を貫通している。従って、各支持ビーム142の端部は、対応する空間部143、143’を通じて外部に露出されている。図7では、空間部143、143’は、一対又は隣接する4つの支持ビーム142を繋ぐように形成されているが、これに限定されず、1つ以上の支持ビーム142上であれば任意の形態にすることができる。さらに、図9に示すように、隣接して配列される複数の支持ビーム142を繋ぐように横方向に長い複数の空間部143’’を並行に形成することもできる。また、支持ビーム142の配列によっては、空間部を曲線に沿って形成することもできる。
その後、図15に示すように、不良Eを含む部分240a以外の残りのウェハ240bを、プローブ基板230の残りのウェハ240bと対応する部分に接合し、プローブ基板230の部分240aと対応する部分に、他のシリコンウェハから分離したウェハモジュール340aを接合する。
Claims (10)
- 支持ビームと前記支持ビームの一端部に備えられたプローブチップとを含む複数のプローブが所定の形態に整列し形成されたシリコンウェハにおいて、
前記支持ビームの他端部を開放する少なくとも一つの空間部がシリコンウェハを貫通して形成され、
前記複数のプローブが形成された表面と反対側のシリコンウェハの表面にガラスが接合されている複数のプローブが形成されたシリコンウェハ。 - 前記空間部は、前記シリコンウェハ上で直線に沿って形成されている請求項1記載の複数のプローブが形成されたシリコンウェハ。
- 前記空間部は、前記シリコンウェハ上で曲線に沿って形成されている請求項1記載の複数のプローブが形成されたシリコンウェハ。
- プローブチップと端部において前記プローブチップと接触する支持ビームとを含む複数のプローブが所定の形態に整列されたシリコンウェハを所定の形態に分割して形成されるシリコンウェハモジュールにおいて、
前記支持ビームの他端部を開放する複数の空間部が前記シリコンウェハモジュールを貫通して形成され、
前記複数のプローブが形成された表面と反対側のシリコンウェハの表面にガラスが接合されている複数のプローブが形成されたシリコンウェハモジュール。 - 前記複数の空間部は、前記シリコンウェハモジュール上で横方向に延びるとともに、互いに並行に配置されている請求項4記載の複数のプローブが形成されたシリコンウェハモジュール。
- 各空間部は、前記シリコンウェハモジュール上で曲線に沿って形成されている請求項4記載の複数のプローブが形成されたシリコンウェハモジュール。
- シリコンウェハ上に、支持ビームと前記支持ビームの一端部に備えられたプローブチップとを含む複数のプローブを所定の形態で整列し形成する段階と、
前記支持ビームの他端部を開放する少なくとも一つの空間部を、前記シリコンウェハを貫通して形成する段階と、
前記シリコンウェハをプローブ基板上に配置し、前記シリコンウェハの空間部を介して露出された前記各支持ビームを、前記プローブ基板上に形成されたバンプに接触させる段階と、
前記空間部を介して、外部からレーザーを照射して、前記支持ビームと前記バンプとをボンディングする段階と、
前記複数のプローブを除いたシリコンウェハの部分をエッチングにより除去する段階と
を含むプローブボンディング方法。 - シリコンウェハ上に、支持ビームと前記支持ビームの一端部に備えられたプローブチップとを含む複数のプローブを所定の形態で整列し形成する段階と、
前記支持ビームの他端部を開放する複数の空間部を、前記シリコンウェハを貫通して形成する段階と、
前記シリコンウェハを所定の形態に分割してシリコンウェハモジュールを形成する段階と、
前記シリコンウェハジュールをプローブ基板上の所定の領域に配置し、前記シリコンウェハモジュールの空間部を介して露出された前記支持ビームを、前記プローブ基板上に形成されたバンプに接触させる段階と、
前記分割されたシリコンウェハモジュール同士を結合して前記プローブ基板上の全てのバンプと対応するように前記シリコンウェハモジュールを組み合わせる段階と、
前記空間部を介して、外部からレーザーを照射して、前記支持ビームと前記バンプとをボンディングする段階と、
前記全てのシリコンウェハモジュールのウェハの部分をエッチングによって除去する段階と
を含むプローブボンディング方法。 - 前記組み合わされたシリコンウェハモジュール上にガラスを接合する段階を含む請求項8記載のプローブボンディング方法。
- プローブ基板より小さいサイズを有するシリコンウェハ上に、支持ビームと前記支持ビームの一端部に備えられたプローブチップとを含む複数のプローブを所定の形態で整列し形成する第1段階と、
前記支持ビームの他端部を開放する少なくとも一つの空間部を、前記シリコンウェハを貫通して形成する第2段階と、
前記シリコンウェハを前記プローブ基板上の所定の領域に配置し、前記シリコンウェハ上の空間部を介して露出された前記支持ビームを、前記プローブ基板上に形成されたバンプに接触させる第3段階と、
前記空間部を介して、外部からレーザーを照射して、前記支持ビームと前記バンプとをボンディングする第4段階と、
前記複数のプローブを除いたシリコンウェハの部分をエッチングにより除去する第5段階と、
前記プローブ基板上の残りの部分に前記第1〜第5段階を順次繰り返して実施する第6段階と
を含むプローブボンディング方法。
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