KR100557201B1

KR100557201B1 - 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼 및 모듈 및 이를 이용한 프로브 본딩 방법

Info

Publication number: KR100557201B1
Application number: KR1020040043676A
Authority: KR
Inventors: 이정훈
Original assignee: 주식회사 파이컴
Priority date: 2004-06-14
Filing date: 2004-06-14
Publication date: 2006-03-10
Also published as: JP2008502912A; CN1957454A; JP4527777B2; US7804312B2; US20080012588A1; KR20050118539A; WO2005122240A1; TW200604532A; TWI283301B; CN100431127C

Abstract

본 발명은 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼 및 이를 이용한 프로브 본딩방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 프로브 기판상에의 프로브 본딩이 용이하도록 형상이 개선된 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼 및 상기 실리콘 웨이퍼 상의 지지빔을 프로브 기판 상의 범프에 본딩하는 방법에 관한 것이다.

본 발명에서는, 프로브 팁의 단부에 구비된 지지빔이 소정 형태로 정렬되어 형성된 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼에 있어서, 상기 지지빔의 상기 프로브 팁 반대편 부분을 가로질러 개방하는 공간부가 상기 실리콘 웨이퍼에 형성된 것을 특징으로 하는 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼가 개시된다.

프로브, 공간부, 레이저 본딩, 웨이퍼 모듈, 글라스

Description

프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼 및 모듈 및 이를 이용한 프로브 본딩 방법{Silicon wafer for probe bonding and Silicon wafer module for probe bonding and probe bonding method using thereof}

도 1a 내지 도 1c 는 종래 프로브 카드의 제조과정을 설명하는 평면도,

도 2a 내지 도 2c 는 종래의 다른 프로브 카드의 제조과정을 설명하는 평면도,

도 3a 는 본 발명에 따른 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼의 일 실시예를 나타내는 평면도,

도 3b 는 도 2a 의 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼를 이용한 프로브 카드 제조과정을 설명하는 도면,

도 3c 는 본 발명에 따른 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼의 다른 실시예를 나타내는 부분 확대 평면도,

도 4a 내지 도 4d 는 본 발명에 따른 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼를 제작하는 과정을 나타내는 측단면도,

도 5a 및 도 5b 는 본 발명에 따른 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼 모듈의 일 실시예를 설명하기 위한 평면도,

도 6a 는 본 발명에 따른 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼의 다른 실시예를 사용한 프로브 본딩 과정을 설명하는 평면도,

도 6b 는 본 발명에 따른 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼 모듈의 다른 실시예를 설명하기 위한 평면도,

도 7a 는 본 발명에 따른 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼의 또 다른 실시예를 나타내는 측단면도,

도 7b 는 도 7a의 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼를 사용하여 프로브 본딩을 하는 과정을 설명하는 부분 확대된 측단면도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

130: 기판 131: 범프

140: 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼 142: 지지빔

143: 공간부 160: 포토레지스트

161: 패턴 170: 글라스

200: 레이저 광원부 201: 레이저

340a: 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼 모듈

본 발명은 프로브 본딩에 사용되는 실리콘 웨이퍼 및 이를 이용한 프로브 본딩 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 표면에 팁부와 지지빔이 형성된 실리콘 웨이퍼로서 프로브 기판에의 프로브 본딩이 용이하도록 형상이 개선된 실리콘 웨이퍼와 상기 실리콘 웨이퍼 상의 지지빔을 프로브 기판 상의 범프에 본딩하는 방법에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 집적회로 장치들은 제조상 그 전기적 특성이 설계와 일치하도록 제조되었는지를 검사하게 되는데, 이러한 테스트에 사용되는 장비가 프로브 장비이다. 프로브 카드는 상기 프로브 장비의 일부로서, 반도체 집적회로장치 내의 패드에 접촉하여 장비 내의 각종 전기적 신호 발생부 내지 신호 검출부와 상기 패드 사이를 전기적으로 소통시키는 역할을 한다. 상기 프로브 카드상의 프로브와 상기 패드 간의 전기 소통에 의해 장치의 정상작동 유무를 검사하게 되는 것이다.

종래에는 이와 같은 캔티레버형 프로브 카드는 검사대상인 전자부품의 칩 배열에 맞추어 가로 4개, 세로 8개의 칩 배열 구조(즉, 4×8=32para)를 가지고 있었다.

이러한 프로브 카드의 제조방법을 간단히 설명하면, 도 1a 에 도시된 바와 같이, 먼저 프로브 기판(10)의 표면에는 검사대상인 전자부품, 칩 등의 표면에 배열된 패드에 대응하도록 범프(11)를 형성한다.

그리고 도 1b 에 도시된 바와 같이, 프로브 팁(21) 및 지지빔(22)이 형성된 6인치 실리콘 웨이퍼(20)를 준비한다. 여기서, 상기 범프(11), 프로브 팁(21) 및 지지빔(22)은 포토리소그래피 공정 및 도금 공정에 의하여 형성된다.

이상과 같이 준비된 기판(10)과 실리콘 웨이퍼(20)는, 도 1c 에 도시된 바와 같이, 상기 범프(11)의 상단부에 솔더 페이스트(P)를 도포한다. 그리고 범프(11)에 지지빔(22)의 일단부를 접촉시켜, 약 200~350℃의 온도로 가열한다. 이 과정에서 상기 솔더 페이스트(solder paste, P)가 녹으면서 범프(11)와 지지빔(22)을 부착시 킨다. 다음으로, 상기 실리콘 웨이퍼(20)를 식각에 의해 제거함으로써 프로브 카드의 핵심 제작과정인 본딩과정이 완성된다.

한편, 반도체 제조기술이 발전함에 따라 원가절감 및 생산성 향상을 위해 보다 많은 수의 칩이 단일 기판에 형성되었으며, 이의 검사를 위해 프로브 카드 또한 대형화되었다. 즉, 도 2a 및 도 2b 에 도시된 바와 같이 가로 8, 세로 16 개의 칩배열 구조를 갖는 128para의 대형 프로브 기판(30)과 이에 대응하도록 12인치 실리콘 웨이퍼(40)를 이용하여 프로브 카드를 제작하였다(도 2c 참조).

그러나, 도 1a 내지 도 1c 에 도시된 바와 같은 종래의 프로브 카드 제조상에는 다음과 같은 문제점이 있었다.

즉, 상기 프로브 기판(10)의 범프(11)와 실리콘 웨이퍼(20)의 지지빔(22)의 접촉고정을 위해 200~350℃의 고온에서 가열함에 따라 상기 기판(10)의 재질은 주로 세라믹 종류로 제한되었다. 이에 따라 프로브 카드의 단가가 높아진다는 문제가 있었다.

또한, 기판(10) 및 실리콘 웨이퍼(20)의 가열 및 냉각과정에서 열팽창 및 열수축이 발생하게 되는바, 상기 실리콘 웨이퍼(20)와 세라믹으로 이루어진 기판(10)의 열팽창계수차에 의해 범프(11)와 지지빔(22) 사이의 접촉부분에는 고온 하에서 위치오차가 발생할 뿐 아니라, 냉각시 잔류응력으로 상기 접촉부분에 전단력이 발생하여 범프(11)와 지지빔(22)간이 분리되는 현상이 발생할 수 있다는 문제가 있었다.

또한, 상기한 방식에 의한 프로브 카드의 제작은, 이전에 비해 기판 및 실리 콘 웨이퍼의 사이즈가 변화된 경우, 예를 들어 도 2a 내지 도 2c 에 도시된 바와 같이 프로브 기판(30)이 32para에서 128para로 증가한 경우 기존의 6인치이던 실리콘 웨이퍼를 모두 12인치로 교체하여야 하므로, 변화된 기판의 사이즈에 따른 실리콘 웨이퍼의 호환성이 떨어진다는 문제가 있다. 더구나, 프로브 검사장치가 점차 대형화되어가는 추세에 비추어 보면, 상기한 바와 같은 종래 방식에 의한 프로브 본딩에서의 호환성 문제는 주기적 및 필연적으로 발생한다는 문제가 있었다.

마지막으로, 상기와 같이 대형화된 실리콘 웨이퍼를 사용하는 경우, 상기 대형화에 따른 불량품의 발생확률이 높아져 결과적으로 제품원가가 높아진다는 문제가 있었다.

따라서, 본 발명의 목적은, 프로브 카드의 제작이 상온 하에서 레이저광원의 국부 가열 방식에 의한 방법으로 이루어지도록 함으로써 다양한 재질의 프로브 기판을 사용할 수 있도록 하여 원가를 절감하고, 열팽창 및 열수축에 의한 잔류응력의 발생으로 인한 프로브의 손상을 최소화하는데 있다.

또한, 프로브 기판의 사이즈가 변화하는 경우에도 기존 사이즈의 실리콘 웨이퍼를 이용한 프로브 본딩이 이루어질 수 있도록 함으로써 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼의 호환성을 높이도록 하는데 있다.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 프로브 팁의 단부에 구비된 지지빔이 소정 형태로 정렬되어 형성된 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼에 있어서, 상기 지지빔 의 상기 프로브 팁 반대편 부분을 가로질러 개방하는 공간부가 상기 실리콘 웨이퍼에 형성된 것을 특징으로 하는 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼를 제공한다.

또한, 상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 다수의 프로브 팁과 일단부가 상기 프로브 팁에 접촉되는 다수의 지지빔이 소정 형태로 정렬되어 형성된 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼를 소정 형태로 분할하여 형성되는 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼 모듈로서, 상기 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼의 내측에 상기 지지빔을 가로지르는 다수의 공간부를 형성하고, 상기 지지빔의 일단부가 상기 일 공간부로 노출되도록 형성된 것을 특징으로 하는 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼 모듈을 제공한다.

또한, 상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 프로브 본딩 방법에 있어서, 상기 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼를 기판 상에 위치시켜 상기 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼 상의 일 공간부로 노출된 각 지지빔을 상기 기판 상에 형성된 각 범프에 접촉시키는 제 1 단계와; 외부로부터 상기 공간부를 통해 레이저를 발사하여 상기 지지빔과 범프를 본딩시키는 제 2 단계와; 상기 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼의 웨이퍼 부분을 식각에 의해 제거하는 제 3 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 프로브 본딩 방법을 제공한다.

또한, 상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 상기 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼 모듈을 기판 상의 소정 영역에 위치시켜 상기 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼 모듈 상의 일 공간부로 노출된 각 지지부를 상기 기판 상에 위치된 각 범프에 접촉시키는 제 1 단계와; 상기 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼 모듈과 결합하여 기판 상의 모든 범프와 대응되도록 하는 하나 이상의 실리콘 웨이퍼 모듈을 조합하는 제 2 단계와; 외부로부터 상기 공간부를 통해 레이저를 발사하여 상기 지지빔과 범프를 본딩시키는 제 3 단계와; 상기 모든 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼 모듈의 웨이퍼 부분을 식각에 의해 제거하는 제 4 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 프로브 본딩 방법을 제공한다.

또한, 상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 상기 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼가 그 대상되는 기판보다 작은 사이즈에 해당하는 경우 수행하는 프로브 본딩 방법에 있어서, 상기 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼를 상기 기판 상의 소정 영역에 위치시켜 상기 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼상의 일 공간부로 노출된 각 지지빔을 상기 기판 상에 형성된 각 범프에 접촉시키는 제 1 단계와; 외부로부터 상기 공간부를 통해 레이저를 발사하여 상기 지지빔과 범프를 본딩시키는 제 2 단계와; 상기 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼의 웨이퍼 부분을 식각에 의해 제거하는 제 3 단계와; 상기 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼와 같은 형상의 다른 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼를 사용하여, 상기 기판 상의 나머지 부분에 대해 각각 상기 제 1 내지 제 3 단계를 순차적으로 반복 수행하는 제 4 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 프로브 본딩 방법을 제공한다.

이하 첨부도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명하기로 한다.

본 발명에 따른 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼(140)는, 도 3a 및 도 3b 에 도시된 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(140) 표면에 포토리소그래피 공정 및 도금 공정을 이용하여 프로브 팁(141)과 지지빔(142)이 형성되어 있으며, 이웃하여 배열되는 2 쌍의 지지빔(142) 사이에는 공간부(143)가 걸쳐지는 형태로 형성되어 있다. 또는, 지지빔이 이웃하지 아니한 경우에는 단위 격자내의 2개의 지지빔(142)간에만 공간부(143')가 걸쳐 형성되어 있다. 그리고, 상기 공간부(143, 143')는 실리콘 웨이퍼(140)를 상하로 관통하고 있다. 따라서, 상기 각 공간부(143, 143')에 걸쳐지는 지지빔(142)은 그 일측단부가 상기 공간부(143, 143')를 통해 외부로 노출된다. 한편, 도 3a 에서는 상기 공간부(143, 143')가 2개 또는 서로 이웃하는 4개의 지지빔(142)에 걸쳐진 형태를 하고 있으나, 이에 한정되지 않고 1이상의 지지빔(142)이라면 어떠한 형태로도 걸쳐 형성될 수 있다. 나아가, 도 3c 에 도시된 바와 같이, 이웃하여 배열되는 다수의 지지빔(142)에 동시에 걸치도록 가로방향으로 긴 다수의 공간부(143'')가 평행하게 형성될 수도 있다. 또한, 지지빔(142)의 배열에 따라서는 곡선형태의 공간부가 형성될 수도 있을 것이다.

상기 공간부(143)는, 실리콘 웨이퍼(140)의 상면에 포토레지스트를 코팅하고, 그 상면에 상기 공간부(143) 모양을 갖는 마스크를 부착한 후 노광 및 현상함으로써 형성된다. 즉, 먼저 도 4a 에 도시된 바와 같이, 지지빔(142)이 형성된 실리콘 웨이퍼(140)의 반대측 표면(도면에서는 상면)에 포토레지스트(160)를 도포한 후 상기 공간부(143)가 형성될 부분에 대해 노광 및 현상하여 소정부의 포토레지스트(160)을 제거함으로써 공간부의 패턴(161)을 형성한다(도 4b 참조). 다음으로 도 4c 에 도시된 바와 같이, 상기 패턴상의 공간(161)을 통해서 실리콘 웨이퍼(140)를 건식식각하여 공간부(143)를 형성한다. 마지막으로 도 4d 에 도시된 바와 같이 포토레지스트의 재료에 따라 아세톤과 같은 화학물질을 이용하여 웨이퍼 표면에서 상기 포토레지스트(160)를 제거한다. 이상의 공정에 의해 형성된 공간부(143)에 의해, 상기 지지빔(142)의 일단부는 외부공간에 노출되어진다.

이상과 같이 형성된 실리콘 웨이퍼(140)는, 도 3b 에 도시된 바와 같은 방법으로 프로브 본딩에 이용된다. 즉, 실리콘 웨이퍼(140) 상에서 공간부(143)에 노출된 지지빔(142)의 일측 단부는 기판(130)상에 형성된 범프(131)의 상단에 접촉되고, 그 접촉부분에는 상기 공간부(143)를 통해 외부에 설치된 별도의 레이저 광원부(200)로부터 레이저(201)가 주사된다. 상기 레이저(201)에 의해 범프(131) 상단부에 도포된 솔더 페이스트(P)가 가열되어 녹으면서 상기 지지빔(142)의 일측 단부가 범프(131)에 본딩된다. 같은 방법으로 기판(130)상의 모든 범프(131)에 지지빔(142)의 일측 단부를 본딩한 후, 실리콘 웨이퍼(140)의 웨이퍼 부분을 식각에 의해 제거함으로써 프로브 카드가 완성된다.

한편, 이상과 같이 본 발명에 따른 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼와 레이저를 이용한 프로브 본딩 방법에 의하면, 범프와 지지빔의 부착작업이 국부가열방식으로 이루어져 프로브 카드의 제작이 상온하에서 가능하게 됨으로써 프로브 기판의 재질에 제한이 없으므로 기판 원가를 절감할 수 있으며, 종래기술과는 달리 열팽창 및 열수축에 의한 잔류응력의 발생이 없으므로 프로브 본딩에 따른 손상을 방지할 수 있다.

한편, 본 발명에 따른 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼는, 도 3a 의 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼(140) 상에서 불량이 있는 하나의 4분면을 절단하여 실리콘 웨이퍼를 모듈화 할 수도 있다. 즉, 도 5a 에 도시된 바와 같이, 제작된 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼(240)상에서 1사분면에 해당하는 부분(240a)에 불량(E)이 발생하였을 경우에는 해당 사분면(240a)을 절단한 후 나머지 웨이퍼(240b)를 기판(230)의 대응 부분에 부착한다(도 5b 참조). 그리고, 도 5b 에 도시된 바와 같이, 다른 실리콘 웨이퍼에서 분리해온 상기 1사분면 부분, 즉 웨이퍼 모듈(340a)을 기판(230)의 해당부분에 부착한다. 이러한 실리콘 웨이퍼의 모듈화는 상기와 같은 4분할 원형뿐 아니라 반원형으로도 만들어 사용할 수 있으며, 필요에 따라서는 실리콘 웨이퍼(240)의 전체 원형에서 일측부를 직선으로 절단한 형태로도 사용할 수 있다. 그리고, 이상과 같이 실리콘 웨이퍼의 모듈화에 따른 프로브 본딩은, 웨이퍼에 형성된 공간부와 이를 통한 레이저 본딩에 의해 이루어진다.

또한, 이상에 개시된 발명을 응용하면, 기판의 대형화에도 불구하고 종래 사이즈의 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼를 사용할 수 있다. 예를 들어, 도 6a 를 참조하면, 종래의 32para에서 128para로 커진 사이즈의 기판(430)에 대해서는, 종래의 본딩 방법에 의한다면 기존의 32para를 갖는 6인치 지름의 실리콘 웨이퍼(440)는 사용할 수 없었다. 그러나, 본 발명에 따라, 상기 6인치의 실리콘 웨이퍼(440)에 도 3a 의 공간부(143)와 같은 공간부를 형성하는 공정을 수행한다면, 상기 기판(430)의 사분면 중 하나를 본딩할 수 있다. 즉, 공간부가 형성된 6인치 실리콘 웨이퍼(440)를 상기 기판(430)의 하나의 사분면에 부착하여 레이저로 프로브 본딩을 행한 다음 식각에 의해 웨이퍼 부분을 제거한다. 그리고, 상기의 과정을 각 사분면에 순차적으로 수행함으로써 프로브 카드의 제조를 완성할 수 있다.

또는, 도 6b 에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따라 6인치 실리콘 웨이퍼에 공간부를 형성한 후 기판(430)의 각 사분면에 맞도록 이웃하는 2개의 측부를 절단한 6인치 실리콘 웨이퍼 모듈(440a)을 서로 이웃시켜 레이저 본딩에 사용할 수도 있다. 상기 실리콘 웨이퍼 모듈(440a)을 이용한 본딩은 각 사분면별로 순차적으로 수행할 수도 있으며, 모든 실리콘 웨이퍼 모듈(440a)을 기판(430)의 각 사분면에 대해 일정한 높이를 유지하도록 위치시킨 후 동시에 본딩을 수행할 수도 있다.

한편, 본 발명에 따른 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼(140)는, 도 7a 에 도시된 바와 같이, 그 상면에 글라스(170)를 부착시킨 상태에서 사용할 수도 있다. 이는, 특히 도 3c 와 같이 긴 공간부(143'')가 형성된 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼를 사용하는 경우 상기 공간부(143'')로 인해 웨이퍼 중심부에 처짐 또는 틀어짐이 발생되는 것을 방지하기 위함이다. 또한, 프로브 본딩 작업시 레이저빔에 의해 범프와 지지빔의 부착부분이 가열 및 냉각되는 경우 수축력 또는 팽창력이 발생하는데, 이 때 상기 공간부(143'')가 존재함으로 인해 웨이퍼에 처짐 내지 틀어짐이 발생하게 되는바, 상기 글라스는 이를 방지하는 역할도 한다.

또한, 상기 글라스(170)는, 도 5b 의 조합된 실리콘 웨이퍼 모듈(340a, 240b) 또는 도 6b 의 조합된 실리콘 웨이퍼 모듈(440a) 상에 부착시킬 수도 있다. 이 경우, 상기 글라스(170)는 실리콘 웨이퍼 모듈 간의 평탄도를 맞추는 역할도 한다.

상기 글라스(170)는 에폭시, 양면 테이프 등을 이용하여 실리콘 웨이퍼 또는 실리콘 웨이퍼 모듈 상면에 접합한다. 글라스(170)를 부착한 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼(140)는 도 7b 에 도시된 바와 같이, 레이저(210)가 글라스(170)를 통과하므로 본딩작업에는 영향이 없다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼, 실리콘 웨이퍼 모듈 및 이를 이용한 프로브 본딩방법에 의하면, 프로브 카드의 제작이 상온 하에서 레이저광원의 국부 가열 방식에 의한 방법으로 이루어지도록 함으로써 다양한 재질의 기판을 사용할 수 있도록 하여 원가를 절감하고, 열팽창 및 열수축에 의한 잔류응력의 발생으로 인한 프로브의 손상을 최소화할 수 있다는 효과가 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 변화된 기판의 사이즈에 대해서도 기존 사이즈의 실리콘 웨이퍼를 이용하여 프로브 본딩이 이루어짐으로써 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼의 호환성을 높일 수 있다는 효과가 있다.

Claims

프로브 팁의 단부에 구비된 지지빔이 소정 형태로 정렬되어 형성된 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼에 있어서,

상기 지지빔의 상기 프로브 팁 반대편 부분을 가로질러 개방하는 공간부가 상기 실리콘 웨이퍼에 형성된 것을 특징으로 하는 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼.
제 1 항에 있어서, 상기 공간부는,

상기 실리콘 웨이퍼 상에서 직선 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼.
제 1 항에 있어서, 상기 공간부는,

상기 실리콘 웨이퍼 상에서 곡선 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼의 상기 지지빔이 형성된 반대측 표면에 글라스가 추가적으로 결합되는 것을 특징으로 하는 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼.
다수의 프로브 팁과 일단부가 상기 프로브 팁에 접촉되는 다수의 지지빔이 소정 형태로 정렬되어 형성된 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼를 소정 형태로 분할하여 형성되는 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼 모듈로서,

상기 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼의 내측에 상기 지지빔을 가로지르는 다수의 공간부를 형성하고,

상기 지지빔의 일단부가 상기 일 공간부로 노출되도록 형성된 것을 특징으로 하는 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼 모듈.
제 5 항에 있어서, 상기 다수의 공간부는,

상기 실리콘 웨이퍼 모듈 상에서 가로방향으로 긴 형태로 상호간에 평행하게 형성된 것을 특징으로 하는 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼 모듈.
제 5 항에 있어서, 상기 다수의 공간부는,

상기 실리콘 웨이퍼 모듈 상에서 곡선 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼 모듈.
제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼 모듈의 상기 지지빔이 형성된 반대측 표면에 글라스가 추가적으로 결합되는 것을 특징으로 하는 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼 모듈.
프로브 본딩 방법에 있어서,

제 1 항의 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼를 기판 상에 위치시켜 상기 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼 상의 일 공간부로 노출된 각 지지빔을 상기 기판 상에 형성된 각 범프에 접촉시키는 제 1 단계와;

외부로부터 상기 공간부를 통해 레이저를 발사하여 상기 지지빔과 범프를 본딩시키는 제 2 단계와;

상기 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼의 웨이퍼 부분을 식각에 의해 제거하는 제 3 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 프로브 본딩 방법.
프로브 본딩 방법에 있어서,

제 5 항의 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼 모듈을 기판 상의 소정 영역에 위치시켜 상기 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼 모듈 상의 일 공간부로 노출된 각 지지부를 상기 기판 상에 형성된 각 범프에 접촉시키는 제 1 단계와;

상기 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼 모듈과 결합하여 기판 상의 모든 범프와 대응되도록 하는 하나 이상의 실리콘 웨이퍼 모듈을 조합하는 제 2 단계와;

외부로부터 상기 공간부를 통해 레이저를 발사하여 상기 지지빔과 범프를 본딩시키는 제 3 단계와;

상기 모든 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼 모듈의 웨이퍼 부분을 식각에 의해 제거하는 제 4 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 프로브 본딩 방법.
제 10 항에 있어서,

상기 제 2 단계와 제 3 단계 사이에 개재하는 단계로서, 상기 조합된 실리콘 웨이퍼 모듈 상에 글라스를 결합하는 단계가 추가되는 것을 특징으로 하는 프로브 본딩 방법.
제 1 항의 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼가 그 대상되는 기판보다 작은 사이즈에 해당하는 경우 수행하는 프로브 본딩 방법에 있어서,

상기 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼를 상기 기판 상의 소정 영역에 위치시켜 상기 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼상의 일 공간부로 노출된 각 지지빔을 상기 기판 상에 형성된 각 범프에 접촉시키는 제 1 단계와;

외부로부터 상기 공간부를 통해 레이저를 발사하여 상기 지지빔과 범프를 본딩시키는 제 2 단계와;

상기 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼의 웨이퍼 부분을 식각에 의해 제거하는 제 3 단계와;

상기 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼와 같은 형상의 다른 프로브 본딩용 실리콘 웨이퍼를 사용하여, 상기 기판 상의 나머지 부분에 대해 각각 상기 제 1 내지 제 3 단계를 순차적으로 반복 수행하는 제 4 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 프로브 본딩 방법.