JP2000311841A - 半導体チップおよび半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 この発明は、半導体チップの動作時にチップ
内の温度上昇が局部的に集中するのを分散させ、半導体
チップの反り、はんだ部のクラックや樹脂部の盛りあが
りや剥離、半導体パッケージ基板の反りなどを改善す
る。 【解決手段】 半導体チップを円板状にする。この円板
状半導体チップ２１はチップ面内で局部的高温を改善す
る。このチップ２１をはんだバンプ４を介して円板状に
加工した半導体パッケージ基板２２にはんだ付けする。
この基板２２も熱を分散させ、局部的熱応力集中を分散
させている。さらに、半導体チップ２１および半導体パ
ッケージ基板に設けられるはんだバンプをリング状に分
散配列することにより熱分散させ、局部的集中を回避し
ている。このような構成の半導体装置１２を印刷回路基
板１３に実装する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は半導体チップおよ
び半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体特に、集積回路（ＬＳＩと略す）
の高集積化の進展は著しい。このＬＳＩの実装技術は、
従来、ＬＳＩチップをリードフレームにワイヤボンダに
よりワイヤリングし、このＬＳＩチップをリードフレー
ムに樹脂モールドして固定し、パッケージイングして半
導体装置を製造していた。

【０００３】しかし、最近ＬＳＩの集積度は２５６Ｍビ
ット, １Ｇビットなどと高集積化が進み、集積度１５Ｇ
まで製造可能と絶えない開発が続いている。

【０００４】このように集積度が向上することは、１チ
ップ内に収容される電気回路すなわち集積回路の大規模
化であり、半導体素子、抵抗、コンデンサなどの機能素
子数が著増することである。従って、ＶＬＳＩチップに
駆動電圧が印加され回路動作した際には、それぞれの機
能素子から発熱し、その発熱が蓄積しチップ内温度はか
なり高温となる。この１チップ当たりの温度上昇は、集
積度が向上するごとに増加する。

【０００５】従来の半導体チップ実装を例示すると、図
５、図６の通りである。即ち、半導体ウエハの状態で集
積回路たとえばＬＳＩ、ＶＬＳＩなどの回路が各チップ
に設けられ、このチップには、上記回路から導出された
電極パッドが集積度に応じて多数設けられる。この各電
極パッド上にはハンダバンプ７１が設けられる。

【０００６】このように形成されたウエハは、ウエハプ
ローバにより全チップ検査され、その検査結果は、プロ
ーバのメモリーにウエハの予め定められたアドレスと共
に記憶される。その後、直線状スクライブラインに沿っ
てワイヤソーやレーザ光などにより、各チップ７２毎に
分割する。上記検査の結果、良品の半導体チップ７２の
み実装される。この各ＩＣチップ（半導体チップ）７２
は図５（Ａ）に示すように例えば正４角形または長方形
である。

【０００７】このＩＣチップ７２のはんだバンプ７１
は、半導体パッケージ基板７３の予め定められた接続端
子にはんだ付けする。さらに上記半導体パッケージ基板
７３およびＩＣチップ７２の接続部を樹脂７４でモール
ドし補強する。このようにして、半導体装置（ＩＣ装
置）７５を構成する。図５（Ａ）はＩＣチップ７２およ
び半導体パッケージ基板７３との関係を示す平面図、
（Ｂ）図は、一部拡大断面図である。このＩＣ装置７５
は印刷回路基板７６に実装する。この実装は、印刷回路
基板７６の予め定められたパターンで設けられているラ
ンドに、上記半導体パッケージ基板７６のはんだバンプ
７７をハンダ付けする。この状態が図５（Ｂ）に示され
ている。

【０００８】また、図６は他の従来例で、図５と同一部
分は同一番号を付けて説明している。ＩＣチップ７２を
半導体パッケージ基板７３に樹脂７８により接着固定
し、ＩＣチップ７２の各電極パッドと半導体パッケージ
基板７３に植設された各接続端子の一方端間でワイヤ７
９により電気的に接続される。その後、ＩＣチップ７２
を半導体パッケージ基板７３上に樹脂８０により接着固
定し、さらにモールドして半導体装置７５を構成する。
この半導体装置７５を印刷回路基板７６に実装する。
この実装は上記半導体パッケージ基板７３に設けられて
いる上記接続端子の他方端に設けられたはんだバンプ７
７が、上記印刷回路基板７６のランドにはんだ付けし
て、配線回路装置が構成される。

【０００９】このような半導体装置７５において、集積
度が向上することは、１ＬＳＩチップ当たりの電極ピン
数、はんだバンプ７１、ワイヤ７９などが著増する。換
言すると、このピン数の増加は一つのピン面積が減少
し、ピン間隔も狭小化する。したがって、上記従前のＬ
ＳＩチップ７２のパッケージング方法では実装精度が製
造限界となり、最近ははんだバンプ採用のＣＳＰ( ＣＨ
ＩＰ ＳＩＺＥ ＰＡＣＫＡＧＥ) 技術が実用期に入
り、‘９９年には量産開始期になると予想されている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上記したように、集積
度の向上の絶えない今日、このＬＳＩ、ＶＬＳＩのパソ
コンなどへの実用において、半導体パッケージ基板７３
の反りや、はんだバンプ部７１、７７、のクラック、半
導体チップ被覆モールド樹脂などの樹脂７４、７８、８
０の剥離、盛りあがり、半導体チップ７２の若干の反
り、さらには印刷回路基板７６の反りなどの不良による
故障の発生が多くなってきた。

【００１１】この原因について本発明者らが詳査した結
果、これらの現象の発生が４角形状のＩＣチップ７２お
よび４角形状半導体パッケージ基板７３のコーナー部８
０、８１に関連して比較的集中していることが判った。
そこで、上記配線回路基板について、環境試験を実行し
た。たとえばパソコンなどの厳しい設置環境を想定し、
マイナス２５℃に３０分間、１２５℃に３０分間繰り返
し環境試験を実施し、その結果を分析した内容は次のと
おりである。

【００１２】即ち、高集積化に伴い、ＩＣチップ７２内
各機能素子から発熱し、この熱が蓄積して高温となり、
この熱が４角形状ＩＣチップ７２や半導体パッケージ基
板７３のコーナ部８２、８３に比較的集中する。この現
象が熱応力となって、この結果、半導体チップの若干の
反り、熱膨張によるはんだ部のクラック、樹脂部７４、
７８、８０の盛りあがりや剥離、半導体パッケージ基板
７３の反り、さらには印刷回路基板７６の反りなどが発
生しているものと思われる。

【００１３】すなわち、コーナ部８２，８３に熱が集中
し、この熱集中により応力が集中し、接続信頼性を劣化
させていることが判った。換言すれば、上記ＩＣチップ
７２内回路からの熱により上記図５、図６での樹脂部分
７４，７８が熱膨張し、剥離する。さらにＩＣチップ７
２の取り付け側から加熱することになるため、半導体パ
ッケージ基板７３に反りが発生し、この基板７３に設け
られている配線、ランドスルー部のはんだなどにクラッ
クが発生し、電気的接触不良が発生する。さらに、はん
だの熱膨張によってもはんだにクラックが発生する。

【００１４】さらにまた、外部からＩＣチップ７２に応
力を加えた場合にも、半導体装置のコーナ部８２，８３
で比較的追従できず、このコーナ部８２，８３に物理
的、機械的応力が集中する。このように局部的に応力集
中があっても、上記コーナ部の上記ハンダバンプ部分７
１にクラックが入ったり、樹脂部分７４が剥離するなど
の接続信頼性に開発課題のあることが判った。

【００１５】この発明は、上記点に鑑みなされたもの
で、半導体チップ内で発生した熱を分散させ、さらに外
部から応力をかけられても均等に応力分散させ電気的接
続信頼性を向上させた半導体チップおよび半導体装置を
提供することを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】この発明の半導体チップ
は、請求項１に記載したように、少なくとも５角形状ま
たは円板状の外形を有する一導電型半導体基板と、この
半導体基板に設けられた集積回路と、を具備してなるこ
とを特徴としている。

【００１７】さらに、この発明の半導体チップは請求項
２に記載されたように、円板状の外形を有する一導電型
半導体基板と、この半導体基板に設けられた集積回路
と、この集積回路からリング状に配列された電極パッド
と、この電極パッド上にリング状に配列されたはんだバ
ンプとを具備してなることを特徴としている。

【００１８】この発明の半導体装置は、請求項３に記載
したように、少なくとも５角形状または円板状の半導体
チップと、この半導体チップが固定して設けられた少な
くとも５角形状または円板状半導体パッケージ基板と、
少なくともこの半導体パッケージ基板および前記半導体
チップの接触部に設けられた樹脂とを具備してなること
を特徴としている。

【００１９】この発明の半導体装置は、請求項４に記載
したように、半導体パッケージ基板と、この半導体パッ
ケージ基板に固定して設けられた半導体チップと、この
半導体チップおよび半導体チップ基板の少なくとも一方
の形状が多角形状または円板状の外形とを具備してなる
ことを特徴としている。

【００２０】この発明の半導体装置は、請求項５に記載
したように、集積回路が設けられた半導体チップと、こ
の半導体チップの前記集積回路に設けられた電極パッド
と、この電極パッド上に設けられたはんだバンプと、こ
のはんだバンプがはんだ付けされる端子を有する半導体
パッケージ基板と、この半導体パッケージ基板および前
記半導体チップの少なくとも一方の形状が少なくとも５
角形状または円板状の外形とを具備してなることを特徴
としている。この発明の半導体装置は、請求項６に記載
したように、集積回路が設けられた半導体チップと、こ
の半導体チップの前記集積回路に設けられた電極パッド
と、この電極パッド上に設けられたはんだバンプと、こ
のはんだバンプがハンダ付けされる端子を有する半導体
パッケージ基板と、この半導体パッケージ基板および前
記半導体チップの少なくとも一方の形状が少なくとも５
角形状または円板状の外形と、前記半導体パッケージ基
板にリング状に配列されたはんだバンプとを具備してな
ることを特徴としている。以上の発明によれば、半導体
チップの基板および半導体パッケージ基板の少なくとも
一方を多角形状または円板状にしたので、半導体チップ
動作時の発熱や外部から応力をかけられても半導体チッ
プ面内での局部的応力集中が分散、緩和される。したが
って、半導体チップからの動作時の熱により発生した半
導体チップの反り、はんだ付け部分のクラック、樹脂部
分の盛りあがり、剥離、半導体パッケージ基板の反り、
配線回路基板の反りなどを改善できる効果を有する。

【００２１】この発明は、半導体チップ、半導体パッケ
ージ基板についても５角形以上の多角形状および円板状
に構成したもので、鋭角なコーナ部を無くすことがパッ
ケージ内で最適に、熱分散や応力分散させることができ
る。さらに、はんだバンプをリング状に分散配列するこ
とによっても、局部的発熱を回避している。

【００２２】

【発明の実施の形態】この発明の実施形態はＬＳＩやＶ
ＬＳＩなどの半導体チップ、半導体パッケージ基板を５
角形以上の多角形状または円板状に構成して、熱および
応力が局部的に集中するのを回避し、熱分散および応力
分散させるものである。半導体チップの加工は、たとえ
ば、半導体ウエハにＩＣ製造プロセス終了後のスクライ
ブ工程で実施することが最適である。

【００２３】すなわち、５角形以上の多角形状および円
板状半導体チップに加工する手段は上記スクライブ工程
で、予め加工形状を登録し、数値制御（ＮＣ制御）によ
りワイヤカット放電加工、放電加工、電解加工、レーザ
加工などのプロセスにより選択して加工できる。さらに
半導体パッケージ基板は例えば、樹脂モールド工程で金
型により所望する形状を選択し実施できる。この樹脂は
たとえば熱膨張係数が７×１０^-6/K乃至８×１０^-6/K、
厚さ例えば０．４ｍｍ、６角形状のアルミナである。

【００２４】次に、図１乃至図４を参照して本発明の実
施形態を詳細に説明する。図１（Ａ）に示すように、一
導電型半導体ウエハたとえばＮ型半導体ウエハ１上には
多数個のＩＣ回路パターン２（ＩＣチップ）が形成され
ている。このＩＣ製造プロセスは周知でレジスト層、半
導体層、メタルたとえばアルミニウム層、絶縁層たとえ
ばＳｉＯ₂ 層などの成膜工程、これらの露光、エッチン
グ工程、不純物注入工程などの組み合わせによるＩＣ製
造プロセス（図示せず）を経て形成する。

【００２５】この製造された多数の各ＩＣチップ２の各
ＩＣ回路には、図１（Ｂ）に示すように多数の電極パッ
ド３が設けられている。これら電極パッドも比較的集中
しないように、均一分散手段として一重または複数重に
リング状に均一分散配列させている。この状態が図１
（Ｂ）に図示されている。このリング状配列は、同軸的
でもよく、同心的がベストであるが、必ずしもその必要
はなく、比較的均一に分散配列を意味し放射状に分散配
列したパターンも含むものとする。

【００２６】この実施形態ではこれら各電極パッド３上
には、マスク技術により図１（Ｃ）に示すようにはんだ
バンプ４が形成されている。このバンプ４の形成手段
は、蒸着法、電解メッキ法、はんだボール転写法、はん
だの液滴を噴射させてはんだを付着させるソルダジェッ
ト法などで形成される。すなわち、はんだバンプ４もリ
ング状に分散配列される。このようにして、ウエハプロ
セス前工程を終了する。次に、ウエハプローバ（図示せ
ず）に搬入して、一枚のウエハに形成された全ＩＣ回路
について、テスタにより検査を実施し、良品、不良品の
検査結果をプローバのメモリーに各ＩＣチップ２のアド
レスと共に記憶する。

【００２７】次に、スクライブ工程にてＩＣチップ２の
切り出しを実行する。即ち、ウエハ１上に設けられたス
クライブライン５に沿ってワイヤーソーや、レーザ光な
どの半導体切断手段を用いて分割、切り出しを実行す
る。この切り出し工程による上記チップ２の形状がこの
発明の第一の特徴例である。

【００２８】即ち、少なくとも上記検査による良品の各
ＩＣチップ２を５角形以上の多角形または円板状の少な
くとも一つの形状を選択して切り出し、このＩＣチップ
２をパッケージングすることである。すなわち、出きる
限り鋭角なコーナー部を少なくし、最適には半導体チッ
プ２に鈍角のコーナ部または、円板状に切り出すことで
ある。この実施形態では、図１（Ｄ）に示すように正６
角形を選択している。この形状は正確にたとえば正６角
形でなくとも、各辺不揃いの形状でも鈍角部が多い方が
よい。従って、多角形の方が望ましく角部の無い円板状
が理想的である。熱や応力の集中する鈍角なコーナ部で
形成するのが、目的である。

【００２９】たとえば、上記検査結果の良品チップのみ
外形を正６角形状の半導体チップ２にしてもよい。ま
た、全ＩＣチップ２について８角形状にしてもよい。こ
の切り出し工程はレーザ切断装置（図示せず）により数
値制御（ＮＣ）技術による自動切断加工を実行する。即
ち、上記切断機に正６角形のパターン、移動順序などを
加工用プログラムとして予め登録し、ウエハ１のスクラ
イブライン５に沿ってレーザ切断を実行する。このスク
ライブ工程により半導体チップ２を得ることができる。

【００３０】次にこの半導体チップ２のパッケージング
工程を図１（Ｄ），（Ｅ）を参照して説明する。即ち、
この６角形状ＩＣチップ２の各バンプ４は例えばはんだ
ボールで半導体パッケージング基板１１一方面の予め定
められたランドスルーパターン（図示せず）に接続固定
たとえばはんだ付けされる。このはんだボールは例えば
半田ペーストを印刷し、乾燥工程で形成できる。このは
んだ付け工程ははんだバンプをリフローさせて電気的、
機械的に接続、実装する。

【００３１】上記基板１１は例えばアルミナや窒化アル
ミナなどのセラミックである。ここで、この形状は半導
体チップ２と半導体パッケージ基板１１と一致させなく
ともよい。その後、ＩＣチップ２のバンプ４の部分はマ
ウント材の樹脂１５たとえばガラスエポキシ樹脂により
固定支持されて半導体装置１２が構成されている。

【００３２】上記半導体パッケージング基板１１の外形
形状も多角形状または円板状たとえばこの実施形態では
正６角形状で、図１（Ｄ）に示すようにＩＣチップ２が
同軸的にマウントされている。

【００３３】上記半導体パッケージング基板１１の形状
を正６角形に加工する手段は材料例えばガラスエポキシ
樹脂を使用する場合、樹脂製造工程で金型にてモールド
する際型出しすることにより製造できる。また、ドリル
を用いて加工してもよい。このように構成された、半導
体装置１２は、印刷回路基板１３に実装される。

【００３４】すなわち、半導体装置１２上記パッケージ
基板１１の他方面には予め定められたパターンのはんだ
バンプ１４が形成されている。即ち、上記ＩＣチップ２
に設けられたはんだバンプと同様にリング状に分散配列
される。このリング状分散配列の目的、作用効果、構成
は同様である。

【００３５】このはんだバンプ１４が回路基板１３上に
形成された配線パターンのランドパターンに電気的接続
たとえばはんだ付けされる。上記バンプ１４の形成手段
は、蒸着法、電解メッキ法、はんだボール転写法、はん
だの液滴を噴射させてはんだを付着させるソルダジェッ
ト法などで導電体膜が成膜される。この導電体膜をマス
ク技術、エッチング技術などでバンプ１４が形成され
る。この実施形態ではＩＣチップ２および半導体パッケ
ージ基板１１の外形を６角形状にしたので、鋭角なコー
ナ部を所有しない構成になったため、熱や応力が局部的
に集中するのを減少回避し、結果として分散する作用を
する。

【００３６】次に、他の実施形態を図２を参照して説明
する。図1 と同一部分は同一番号で説明する。この実施
形態は、応力および熱の分散効果として多角形の延長上
にある円板状にした実施形態である。図２（Ａは平面図
であり、（Ｂ）図は半導体チップ２１の実装状態を説明
するための一部切欠断面図である。（Ｃ）図は半導体チ
ップ２１の裏面に設けられたバンプ４の説明図である。

【００３７】即ち、半導体ウエハにＩＣ回路パターンを
形成したのち、スクライブラインに沿って各ＩＣチップ
２１に切り出す工程において、この実施形態は、角度部
（コーナ部）の無い円板状にＩＣチップの切り出しを実
行する例である。この円板状は略円板状であればよく、
楕円状などＩＣチップ２１の動作により発生した熱があ
る部分に集中するのを上記実施形態と同様に避けること
ができ、熱分散効果や応力分散効果を得ることができれ
ばよい。

【００３８】さらに外部から所望しない応力がかけられ
ても、応力分散効果がある。この円板状の切り出し手段
は、上記と同様に上記レーザ切断装置により可能であ
る。

【００３９】この実施形態では、図１と同様に半導体パ
ッケージ基板２２の形状も円板状に構成されている。こ
の円板状半導体パッケージ基板２２と上記円板状半導体
チップ２１は、この実施形態でも同軸的に設けられてい
る。必ずしも同軸的に配置しなくても、夫々の中心がず
れて偏芯して配置されても、半導体チップ２１内、半導
体パッケージ基板２２内での熱や応力に対し分散効果を
呈するので、同様な効果を得ることができる。

【００４０】半導体チップ２１の裏面に設けられるバン
プ４は図２（Ｃ）に示すように円板状基板１１と同軸的
にリング状に配列されて設けられている。この実施形態
もリング状配列の構成は上記実施形態と同様である。こ
のバンプ４が上記パッケージ基板２２にはんだ付けさ
れ、さらに、樹脂１５により補強固定されて半導体装置
１２が構成されている。

【００４１】この半導体装置１２は図１の実施形態と同
様な手順により印刷回路基板１３に実装される。この実
施形態では、半導体チップ２１および半導体パッケージ
基板２２を円板状に構成したので、角部が全く無い構成
で、熱や応力に対し比較的均等に分散する作用を呈す
る。この円板状は楕円状でもよい。

【００４２】次に、他の実施形態として図２の実施形態
を樹脂モールド型パッケージイング型半導体装置に適用
した実施形態を図３を参照して説明する。図３（Ａ）は
平面図であり、（Ｂ）図は実装状態を説明するための一
部切欠断面図である。

【００４３】即ち、図２と異なるのは、半導体チップ３
１の電極パッド３０と半導体パッケージ基板３２に設け
られているランドパターンのランドスルー部との電気的
接続がワイヤボンダにより予め配線手順を登録しておく
ことにより自動的にワイヤー３４を配線できる。この配
線によるワイヤー３４を保護するために樹脂３５でモー
ルドしたＶＬＳＩ以前のＬＳＩ素子構造である。

【００４４】この実施形態も半導体チップ３１（ＩＣチ
ップ）および半導体パッケージ基板３２を円板状に構成
し、夫々を同軸的に配置したものである。図３はこの状
態を示している。ウエハにＩＣ製造プロセス技術により
ＩＣ回路を形成し、このウエハに設けられているスクラ
イブラインに沿って各ＩＣチップ３１毎に切断、分割す
る。

【００４５】この切断工程は、上記実施形態と同様にた
とえばレーザ光により各ＩＣチップ３１を円板状に切断
する。良品の円板状ＩＣチップ３１を半導体パッケージ
基板３２上にマウントする。この基板３２を円板状に形
成する手段は、上記実施形態同様に樹脂を型出しする際
の金型を円板状にすることにより形成できる。

【００４６】この基板３２の表裏面には、ランドパター
ンが形成されており、このパターンの予め定められた位
置にはランドスルーが形成されている。このランドスル
ーのパターンの裏面には、はんだバンプ３０が形成され
ている。次に上記ＩＣチップ３１のマウント技術を説明
する。上記円板状ＩＣチップ３１を上記基板３２上の予
め定められた位置にマウント材たとえば樹脂３３により
接着効果により固定する。

【００４７】上記基板３２に固定されたＩＣチップ３１
と上記基板３２の予め設けられたランドスルーパターン
とのワイヤリングを例えばワイヤボンダ（図示せず）に
より実行する。即ち、ＩＣチップ３１の電極パッドと上
記基板３２上に設けられたランドスルーパターンとのワ
イヤー３４による電気的接続を実行する。その後上記ワ
イヤー３４を樹脂モールドして半導体装置を構成する。
この樹脂モールドは、上記ＩＣチップ３１およびワイヤ
３４を保護する目的で、樹脂層３５を形成して半導体装
置３６を構成する。

【００４８】次に、この半導体装置３６を実装たとえば
印刷回路基板３７にマウントたとえばチップマウンタ
（図示せず）により実装する。上記半導体装置３６の半
導体パッケージ基板３２の裏面に設けられた上記はんだ
バンプ３０が、印刷回路基板３７の配線パターンの予め
定められた位置にはんだ付けされて、半導体回路装置３
８が構成されている。

【００４９】この実施形態では、上記図２の実施形態と
同様に半導体チップ３１および半導体パッケージ基板３
２を円板状に構成したので、半導体チップ３１の動作時
の発熱や、外部からの応力が比較的集中するコーナー部
が無くなり、比較的均等に熱や応力を分散することがで
きる。

【００５０】上記実施形態では、半導体チップおよび半
導体パッケージ基板の外形を夫々相似形にした実施形態
について説明したが、相似形でなくとも、例えば図４
（Ａ）に示すように半導体チップ４１の外形をたとえば
６角形にし、半導体パッケージ基板４２の外形を円板状
にしても、熱応力や外部応力に対して分散効果を有し、
上記実施形態と同様な作用効果を得ることができる。

【００５１】さらに、図４（Ｂ）に示すように半導体チ
ップ４１の外形を円板状にし、半導体パッケージ基板４
２の外形をたとえば８角形に、異なる外形にしても熱応
力や外部応力に対して分散効果を有し、上記実施形態と
同様な作用効果を得ることができる。

【００５２】さらにまた、上記実施形態では半導体チッ
プ４１と半導体パッケージ基板４２とを同軸的に配置し
たが、図４（Ｃ）、（Ｄ）に示すように例えばそれぞれ
円板状で偏芯して配置してもよい。勿論上記半導体チッ
プ４１および半導体パッケージ基板４２を異なる外形形
状にして偏芯してもよい。この実施形態でも熱応力や外
部応力に対して分散効果を有し、同様な作用効果を得る
ことができる。さらにまた、半導体チップ４１と半導体
パッケージ基板４２の大きさを図４（Ｅ）、（Ｆ）に示
すように同一または略同一にしてＣＳＰ実装してもよ
い。この実施形態は半導体チップ４１および半導体パッ
ケージ基板４２の形状を円板状にし、さらに大きさを同
一にした実施形態である。この形状は、多角形でもよ
い。この場合半導体チップ４１の半導体パッケージ基板
４２への実装は図２で説明したバンプ４、１４例えばは
んだボールによるはんだ付けで行われる。この実施形態
では半導体パッケージ基板４２に設けられる接続端子４
３がＩＣチップ４１に形成されたバンプ４の配列パター
ンと一対一の同一である。

【００５３】さらにまた、半導体チップ４１と半導体パ
ッケージ基板４２の大きさを同一または略同一にし、形
状を図４（Ｇ）、（Ｈ）に示すように異なる形状にして
もよい。

【００５４】この実施形態では上記半導体チップ４１の
外形を例えば円板状に切断し、半導体パッケージ基板４
２の外形を例えば８角形状に加工し、実装もＣＳＰ実装
で図２のバンプ４による実装で行われる。この実施形態
において、半導体チップ４１を８角形状にし、半導体パ
ッケージ基板４２を円板状にしてもよい。この実施形態
も図４（Ｅ）（Ｆ）の実装プロセスと同様であるため、
同一番号を付与している。

【００５５】

【発明の効果】以上説明したようにこの発明の半導体チ
ップによれば、ＬＳＩ、ＶＬＳＩなど１チップ内機能素
子からの温度上昇があっても、この熱が当該チップ内で
の特定個所への集中蓄積が比較的分散され接続信頼性を
向上する効果を得ることができる。さらに外部から応力
が掛けられても、比較的応力集中が分散し、ハンダ部へ
のクラックの発生を減少できる。

【００５６】さらにまた、半導体チップの外形を５角形
以上の多角形状または円板状にするだけの簡便なプロセ
スで、上記した熱分散効果、応力分散効果を得ることが
できる。

【００５７】さらにこの発明の半導体装置によれば、半
導体チップの動作時に、このチップを構成する機能素子
からの発熱がチップ内もパッケージされた半導体装置内
においても、特定個所に集中することなく、分散するた
め、特定個所のハンダのクラック、樹脂の剥離、半導体
パッケージ基板の反りなどの課題を回避できる効果があ
る。さらにまた、この発明の半導体装置によれば、はん
だバンプをリング状に配列したので、熱分散し、応力分
散するので、半導体チップや半導体パッケージなどの反
りを改善できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の半導体チップおよび半導体装置の一
実施形態を説明するための一部拡大図である。

【図２】図１の他の実施形態を説明するための一部拡大
断面図である。

【図３】図１の他の実施形態を説明するための一部拡大
断面図である。

【図４】図１の他の実施形態を説明するための一部拡大
断面図である。

【図５】従来の半導体装置の他の実施形態を説明するた
めの一部拡大断面図である。

【図６】従来の半導体装置の他の実施形態を説明するた
めの一部拡大断面図である。

【符号の説明】 １……半導体ウエハ ２、２１、３１、４１……半導体チップ ３……半導体チップの電極パッドのパターン ４……はんだバンプのパターン ５……スクライブライン １１、２２、３２、４２……半導体パッケージ基板 １２、３６……半導体装置 １３、３７……印刷回路基板 １４、３０……はんだボール ３３、３５……樹脂 ３４……ワイヤ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 細田 邦康 東京都青梅市新町３丁目３番地の１ 東芝 コンピュータエンジニアリング株式会社内 Ｆターム(参考） 5E338 AA18 BB65 CC01 CD33 EE28

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも５角形状以上多角形状または
   円板状の外形を有する一導電型半導体基板とを具備して
   なることを特徴とする半導体チップ。
2. 【請求項２】 円板状の外形を有する一導電型半導体基
   板と、 この集積回路からリング状に配列された電極パッドとを
   具備してなることを特徴とする半導体チップ。
3. 【請求項３】 少なくとも５角形状以上多角形状または
   円板状の半導体チップと、 この半導体チップが固定して設けられた少なくとも５角
   形状以上多角形状または円板状半導体パッケージ基板
   と、 を具備してなることを特徴とする半導体装置。
4. 【請求項４】 半導体パッケージ基板と、 この半導体パッケージ基板に固定して設けられた半導体
   チップとを具備し、 この半導体チップおよび半導体チップ基板の少なくとも
   一方の形状を多角形状または円板状の外形にしたことを
   特徴とする半導体装置。
5. 【請求項５】 集積回路が設けられた半導体チップと、 この半導体チップの前記集積回路に設けられた電極パッ
   ドと、 この電極パッド上に設けられたハンダバンプと、 このハンダバンプがハンダ付けされる端子を有する半導
   体パッケージ基板とを具備し、 この半導体パッケージ基板および前記半導体チップの少
   なくとも一方の形状を少なくとも５角形状または円板状
   の外形にしたことを特徴とする半導体装置。
6. 【請求項６】 集積回路が設けられた半導体チップと、 この半導体チップの前記集積回路に設けられた電極パッ
   ドと、 この電極パッド上に設けられたハンダバンプと、 このハンダバンプがハンダ付けされる端子を有する半導
   体パッケージ基板と、 この半導体パッケージ基板にリング状に配列されたはん
   だバンプとを具備し、 この半導体パッケージ基板および前記半導体チップの少
   なくとも一方の形状を少なくとも５角形状または円板状
   の外形にしたことを特徴とする半導体装置。