JP4512121B2 - ショットキーバリアダイオードの製造方法およびショットキーバリアダイオード - Google Patents
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Description
A:ショットキー面積、ρe:エピ層比抵抗、ρs:サブ層比抵抗、te:エピ層の厚さ、Δt:エピ層の這い上がり分、ts:サブストレート厚、Ap:ペレット面積、IF:順方向電流、W:ワイヤー断面積、Wt:ワイヤー長さ、Wρ:ワイヤー比抵抗、ΦBn:ショットキー障壁、k:ボルツマン定数、T:使用温度(絶対温度)、q:電子の電荷量、A*:リチャードソン定数
第1導電型の第1の半導体領域の上に、その厚みが2.0〜4.0μmで不純物濃度が第1の半導体領域よりも低い同一導電型の第2の半導体領域を積層した構造を持つ、半導体基板を形成する工程と、
半導体基板の上面側から第2の半導体領域の所定の位置に第2導電型の不純物を注入してガードリングを形成する工程と、
ガードリングで囲まれた第2の半導体領域を一辺が0.1〜0.5mmの複数の単位領域に分割し、各単位領域内に、第1導電型のショットキーコンタクト領域とショットキーコンタクト領域を囲む第2導電型の素子分割領域とを形成する工程と、
ショットキーコンタクト領域を除く半導体基板の上面に絶縁層を形成する工程と、
ショットキーコンタクト領域のそれぞれの上面に、ショットキーコンタクト領域との間でショットキーコンタクトを生じるバリアメタルを形成する工程と、
半導体基板の上面側に、すべてのバリアメタルと電気的に接続される第1の電極を形成する工程と、
半導体基板の下面側に、第1の半導体領域と電気的に接続される第2の電極を形成する工程と、
を具備することを特徴とする。
2…エピタキシャル成長層(エピ層)
3…ガードリング
4…絶縁層
5…バリアメタル
6…アノード電極
7…カソード電極
8…素子分割領域
9…単位領域(ペレット)
10…ショットキーコンタクト領域
Claims (8)
- 半導体基板とバリアメタルの間のショットキーコンタクトを利用するショットキーダイオードの製造方法において、
第1導電型の第1の半導体領域の上に、その厚みが2.0〜4.0μmで不純物濃度が該第1の半導体領域よりも低い同一導電型の第2の半導体領域を積層した構造を持つ、該半導体基板を形成する工程と、
該半導体基板の上面側から該第2の半導体領域の所定の位置に第2導電型の不純物を注入してガードリングを形成する工程と、
該ガードリングで囲まれた該第2の半導体領域を一辺が0.1〜0.5mmの複数の単位領域に分割し、各単位領域内に、第1導電型のショットキーコンタクト領域と該ショットキーコンタクト領域を囲む第2導電型の素子分割領域とを形成する工程と、
該ショットキーコンタクト領域を除く該半導体基板の上面に絶縁層を形成する工程と、
該ショットキーコンタクト領域のそれぞれの上面に、該ショットキーコンタクト領域との間でショットキーコンタクトを生じるバリアメタルを形成する工程と、
該半導体基板の上面側に、すべての該バリアメタルと電気的に接続される第1の電極を形成する工程と、
該半導体基板の下面側に、該第1の半導体領域と電気的に接続される第2の電極を形成する工程と、
を具備することを特徴とするショットキーバリアダイオードの製造方法。 - 前記単位領域内に前記ショットキーコンタクト領域と前記素子分割領域を形成する工程において、該単位領域内にそれぞれ枠状の該素子分割領域が1つずつ形成されることを特徴とする請求項1に記載のショットキーバリアダイオードの製造方法。
- 前記単位領域内に前記ショットキーコンタクト領域と前記素子分割領域を形成する工程において、該素子分割領域が格子状に形成されることを特徴とする請求項1に記載のショットキーバリアダイオードの製造方法。
- 前記半導体基板の一辺が1.5mm以上であり、前記ガードリングに囲まれる前記第2の半導体領域がチップの85%以上の面積であることを特徴とする請求項1乃至請求項3に記載のショットキーバリアダイオードの製造方法。
- 半導体基板とバリアメタルの間のショットキーコンタクトを利用するショットキーダイオードにおいて、
第1導電型の第1の半導体領域の上に、厚みが2.0〜4.0μmの不純物濃度が該第1の半導体領域よりも低い同一導電型の第2の半導体領域を有し、
該第2の半導体領域の所定の位置に第2導電型の不純物により形成されるガードリングを有し、
該ガードリングで囲まれた該第2の半導体領域が一辺が0.1〜0.5mmの複数の単位領域を有し、
各単位領域内に、第1導電型のショットキーコンタクト領域と該ショットキーコンタクト領域を囲む第2導電型の素子分割領域を有し、
該ショットキーコンタクト領域を除く該半導体基板の上面に絶縁層を有し、
該ショットキーコンタクト領域のそれぞれの上面に、該ショットキーコンタクト領域との間でショットキーコンタクトを生じるバリアメタルを有し、
該半導体基板の上面側に、すべての該バリアメタルと電気的に接続される第1の電極と、該半導体基板の下面側に、該第1の半導体領域と電気的に接続される第2の電極とを有する、
ショットキーバリアダイオード。 - 前記第2導電型の素子分割領域が、それぞれ枠状の素子分割領域である請求項5に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記第2導電型の素子分割領域が、格子状の素子分割領域である請求項5に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記半導体基板の一辺が1.5mm以上であり、前記ガードリングに囲まれる前記第2の半導体領域がチップの85%以上の面積である請求項5乃至請求項7に記載のショットキーバリアダイオード。
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