JP4506276B2 - 自己消弧形半導体素子の駆動回路 - Google Patents
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Description
図7は、この種の電力変換装置の回路構成を示すブロック図である。電力変換装置の主回路において、直流電源12の両端には、還流ダイオード2が逆並列接続された自己消弧形半導体素子としてのIGBT1が2個直列に接続されて一相分の上下アームが構成され、これらの上下アームが三相分並列に接続されている。そして、各相の上下アームの内部接続点が交流出力端子となり、負荷としての三相交流電動機10に接続されている。なお、11AはIGBT1の駆動回路であり、図示例では便宜上、一相分上下アームのIGBTの駆動回路のみを示してある。
IGBTのターンオフ、または還流ダイオードが逆回復する際には、非常に高いdi/dt(電流変化率)が発生する。この電流変化率は、図9Aに示す如く、直流電源12とIGBT1との間の配線における浮遊インダクタンス15(インダクタンス値をLとする)により、図9Bのサージ電圧(L×di/dt)として現れる。
スイッチ7a,7bのオン・オフのタイミングは、図7の制御部14からパルス分配部13を介して送出されたオン・オフ指令信号に従い、タイミング制御回路8によって決定される。
すなわち、抵抗9a,9bの値を大きくするほどIGBT1のゲート充放電速度が遅くなってIGBT1のスイッチング速度を遅くすることができ、スイッチング時のdi/dtが小さくなるため、サージ電圧を抑制することができる。
しかし、上記の方法によってサージ電圧を抑制する場合には、全体的にスイッチング動作における損失やスイッチング時間遅れが増大するという問題がある。
その結果、IGBT1のゲートの放電速度が抑制されるため、di/dtはサージ電圧がほぼツェナーダイオードの降伏電圧Vzになるような値に制限されることになり、ターンオフを緩やかにすることができる。
つまり、前述した図8のように、オフ側IGBTのゲート電圧は、オフ状態を維持するために通常マイナス・バイアスが印加されているため、還流ダイオード2の逆回復時に発生したサージ電圧がツェナーダイオードの降伏電圧Vzに達した場合、ツェナー降伏電流はオフ側IGBTのゲート入力容量16を充電する方向には流れずに、逆バイアス用駆動電源6側にバイパスして流れてしまうためである。
図13Aに示すIGBT1のターンオフ動作では、電流遮断時のIGBT1のゲート電圧VGEはほぼしきい値電圧Vth付近であり、サージ電圧の発生に伴ってツェナーダイオード3からゲート入力容量16の充電電流が流れ込むため、IGBT1のゲート電圧VGEは上昇し、コレクタ・エミッタ間電圧VCEがツェナー降伏電圧Vzと等しくなる点でバランスして遮断動作が行われる。
従って、図12に示した従来技術では、還流ダイオード2の逆回復時にサージ電圧を抑制できないため、このサージ電圧により素子の破壊や劣化を招く恐れがある。
この特性を利用して、下記の特許文献2には、IGBTのゲート電圧を段階的に上昇させてターンオン速度を調整する技術が開示されている。しかし、この場合でも、ゲート電圧の立ち上がりが緩慢なためにターンオン時のスイッチング損失が増大したり、スイッチング時間が遅延する等の問題を生じる。
しかしながら、この従来技術では、IGBTの主エミッタ端子・補助エミッタ端子間に接続された電流変化率検出用インダクタンスや電流検出用抵抗の電圧降下によりワンショット回路を動作させてIGBTのスイッチング時間を短縮するものであり、所望のスイッチング時間を得るためには前記インダクタンスや抵抗の値に厳密な精度が要求され、また、部品数が多く回路構成も複雑になるという問題がある。
そこで本発明は、上記の種々の課題を解決するためになされたものである。
上下アームの半導体素子の入力端子と制御端子との間に、半導体素子のスイッチング時のサージ電圧を半導体素子の耐圧以下に抑制するための電圧クランプ素子をそれぞれ接続すると共に、
前記タイミング制御手段は、
一方のアームの半導体素子をターンオフさせた後に、少なくとも他方のアームの半導体素子がターンオンする期間、一方のアームの半導体素子の制御端子に対して、前記オン・オフ指令信号に基づく半導体スイッチの動作により、前記順バイアス電圧及び逆バイアス電圧を印加する手段から分圧抵抗を介してこの半導体素子をターンオンさせる極性であってターンオンのしきい値よりも低い値の電圧を前記予備充電手段により出力させるものである。
まず、図1は本発明の第1実施形態を示す回路図であり、図10,図12と同一の構成要素には同一の参照符号を付してある。
また、図示されていないが、図7の制御部14及びパルス分配部13を介したオン・オフ指令信号がタイミング制御回路8に入力され、このタイミング制御回路8の出力信号により前記スイッチ7a〜7dがオン・オフ制御されるようになっている。
また、抵抗9c,9dは駆動電源5,6の分圧用抵抗であり、IGBT1のターンオフ後にある一定期間スイッチ7c,7dをオンさせることにより、ゲート電圧VGEを抵抗9c,9dによって分圧される所定電圧値に保持するように動作する。
ここで、駆動電源5,6、スイッチ7c,7d及び抵抗9c,9dは、本発明における予備充電手段を構成している。
ここで、本実施形態では、一方のIGBT1がオンからオフに切り替わるタイミングにおいて、タイミング制御回路8の制御動作により、スイッチ7a,7bをある一定期間Δtだけ、具体的には対向アーム側IGBTのターンオンが完了するまでの期間だけオフさせ、かつ、スイッチ7c,7dをオン状態で保持する。これにより、図1に示すIGBT1のゲートには、駆動電源5,6の電圧和を分圧抵抗9c,9dによって分圧した電圧値が印加されて予備充電が行われる。
この間、IGBT1のゲート・コレクタ間に接続されているツェナーダイオード3は、IGBT1がターンオフした際に生じるサージ電圧を降伏電圧Vzにクランプする動作を行う。
対向アーム側の還流ダイオード2の逆回復動作が完了、すなわちIGBT1がターンオンした後に、既にターンオフしたアーム側のIGBT1の駆動回路では、スイッチ7c,7dをオフし、逆バイアス印加用のスイッチ7bをオンさせて連続的に逆バイアスを印加する。これにより、IGBT1のオフ状態を安定的に保持することができる。
これらの図から、サージ電圧が発生してツェナーダイオードの降伏電圧Vzを超えると降伏電流が流れてIGBT1によるサージ電圧のクランプ動作が行われ、IGBT1のゲート電圧VGEがしきい値Vth近傍から上昇することがわかる。これにより、ゲートの放電速度が抑制され、サージ電圧がほぼ降伏電圧Vz付近になるようなdi/dtに制限しつつターンオフを緩慢に行わせることができる。
なお、図5は、上下アームのIGBT1のゲート電圧、上アームのIGBT1のコレクタ電流、下アームの還流ダイオード2の電流及び電圧の関係を示すタイミングチャートである。
すなわち、ゲート電圧VGEがほぼターンオン可能なレベルに保持されているため、ノイズに弱くなるおそれがある。
この場合のスイッチ7a〜7dの制御動作は、駆動回路11内のタイミング制御回路8により容易に設定できることは明らかである。
2:還流ダイオード
3:ツェナーダイオード
5,6:駆動電源
7a,7b,7c,7d:スイッチ
8:タイミング制御回路
9a,9b,9c,9d:抵抗
10:三相交流電動機
11,11A:駆動回路
12:直流電源
13:パルス分配部
14:制御部
14a:出力電圧指令
14b:基準三角波
14c:比較演算部
15:浮遊インダクタンス
16:ゲート入力容量
Claims (3)
- ダイオードが逆並列接続された自己消弧形半導体素子を直列に接続して上下アームを構成し、これらの上下アームの前記半導体素子をオン・オフ指令信号により交互にオン・オフして電力変換を行う電力変換装置における前記半導体素子の駆動回路であって、前記半導体素子の制御端子に順バイアス電圧及び逆バイアス電圧を印加する手段と、前記半導体素子のターンオフ時に前記制御端子に所定電圧を印加して予備充電を行う予備充電手段と、これらの各手段の動作タイミングを制御するタイミング制御手段と、を備えた駆動回路において、
上下アームの半導体素子の入力端子と制御端子との間に、半導体素子のスイッチング時のサージ電圧を半導体素子の耐圧以下に抑制するための電圧クランプ素子をそれぞれ接続すると共に、
前記タイミング制御手段は、
一方のアームの半導体素子をターンオフさせた後に、少なくとも他方のアームの半導体素子がターンオンする期間、一方のアームの半導体素子の制御端子に対して、前記オン・オフ指令信号に基づく半導体スイッチの動作により、前記順バイアス電圧及び逆バイアス電圧を印加する手段から分圧抵抗を介してこの半導体素子をターンオンさせる極性であってターンオンのしきい値よりも低い値の電圧を前記予備充電手段により出力させることを特徴とする自己消弧形半導体素子の駆動回路。 - 請求項1に記載した自己消弧形半導体素子の駆動回路において、
前記タイミング制御手段は、一方のアームの半導体素子のターンオフ以後、前記予備充電手段を継続的に動作させることを特徴とする自己消弧形半導体素子の駆動回路。 - 請求項1に記載した自己消弧形半導体素子の駆動回路において、
前記タイミング制御手段は、一方のアームの半導体素子がターンオフしてから一定期間経過後に前記予備充電手段を動作させることを特徴とする自己消弧形半導体素子の駆動回路。
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