JP4504364B2 - センス・アンプおよびセルフタイム式ラッチを備えるメモリ装置 - Google Patents
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Description
異なる図面にまたがる同一の参照番号は、別段の指示がない限り、同一の部材を示す。
図2は、本発明によるメモリ装置のブロック図である。メモリ装置201は、それぞれがデータのビットを記憶する複数のメモリ・セルを含むビット・セル・アレイ203を含む。一実施形態の場合には、メモリ装置201は、SRAMメモリであり、ビット・セル・アレイ203のメモリ・セルは、6トランジスタのSRAMセルである。しかしながら、他の実施形態の場合には、例えば、他のタイプのSRAM、DRAM、MRAM、フラッシュ・メモリ、ROM、EPROM、EEPROM、強磁性、またはこれら以外のメモリ・セルのような他のタイプのメモリ・セルをメモリ装置において使用することができる。実施形態によっては、ビット・セル・アレイ203内の各セルは、複数のビットを記憶する。ビット・セル・アレイ203内の複数のメモリ・セルのそれぞれは、一対の差動ビット線BL205および*BL207に結合されている。アレイ203内の各セルは、行デコーダ209により制御されるワード線(例えば、210)に結合されている。行デコーダ209は、その入力において、行アドレスを受信し、その行アドレスにより指定されたワード線を有効化するために、その行アドレスをデコードする。メモリ装置201はまた、列論理211も含む。一実施形態の場合には、列論理は、プリチャージおよび等化回路と、書き込み回路と、列デコード回路と、分離トランジスタ(例えば、図3の306および308)とを含む。列論理は、メモリ・セルにデータを書き込むために、列アドレス線に結合され、かつ線内のデータに結合されている入力を有する。実施形態によっては、列論理211はまた、ビット線の複数のペアと結合され得る。列論理211は、選択された列をセンス・アンプ回路213に結合する際に列のデコード機能を実行する。
Claims (2)
- メモリ装置であって、
複数のメモリ・セルであって、該複数のメモリ・セルのそれぞれは、第1のビット線および第2のビット線に結合されている、複数のメモリ・セルと、
読み出しサイクルの少なくとも一部の間に前記第1のビット線に結合される第1のデータ線と、
前記読み出しサイクルの少なくとも一部の間に前記第2のビット線に結合される第2のデータ線と、
前記第1のデータ線および前記第2のデータ線に結合された一対の交差結合したインバータを有するセンス・アンプであって、該一対の交差結合したインバータは、センス・イネーブル信号の有効化に応答して、前記ビット線を介して前記複数のメモリ・セルのうちの選択された1つからのデータ信号を増幅し、増幅されたデータ信号を提供する、センス・アンプと、
前記第1のビット線および前記第2のビット線と前記センス・アンプとの間に結合されている分離回路であって、前記センス・イネーブル信号の有効化とほぼ同時に、前記複数のメモリ・セルのうちの前記選択された1つを前記センス・アンプから分離し、前記センス・イネーブル信号が無効化された後、前記第1および第2のデータ線がプリチャージされる間中、前記複数のメモリ・セルのうちの前記選択された1つを前記センス・アンプから継続的に分離する分離回路と、
前記増幅されたデータ信号のみに応答して、前記増幅されたデータ信号に対応するデータを記憶するセルフタイム式記憶装置であって、
第1の電流電極、電源電圧端子と結合されている第2の電流電極、および前記第1のデータ線に結合されている制御電極を有する第1のトランジスタと、
第1の電流電極、前記電源電圧端子に結合されている第2の電流電極、および前記第2のデータ線に結合されている制御電極を有する第2のトランジスタと、
前記第1のトランジスタの前記第1の電流電極に結合されている入力、および前記第2のトランジスタの前記第1の電流電極に結合されている出力を有する第1のインバータと、
前記第2のトランジスタの前記第1の電流電極に結合されている入力、および前記第1のトランジスタの前記第1の電流電極に結合されている出力を有する第2のインバータと、
前記第1のインバータの前記出力および前記第2のインバータの前記入力に結合されている出力と
を含む前記セルフタイム式記憶装置と、
を備えるメモリ装置。 - メモリ装置のメモリ・セルを読み出すための方法であって、前記メモリ装置は複数のメモリ・セルであって、該複数のメモリ・セルのそれぞれは第1のビット線、第2のビット線およびワード線に結合されている、前記複数のメモリ・セルと、読み出しサイクルの少なくとも一部の間に前記第1のビット線に結合される第1のデータ線と、前記読み出しサイクルの少なくとも一部の間に前記第2のビット線に結合される第2のデータ線と、前記第1のデータ線および前記第2のデータ線に結合された一対の交差結合したインバータを有するセンス・アンプと、前記第1のビット線および前記第2のビット線と前記センス・アンプとの間に結合されている分離回路と、セルフタイム式ラッチであって、第1の電流電極、電源電圧端子と結合されている第2の電流電極、および前記第1のデータ線に結合されている制御電極を有する第1のトランジスタと、第1の電流電極、前記電源電圧端子に結合されている第2の電流電極、および前記第2のデータ線に結合されている制御電極を有する第2のトランジスタと、前記第1のトランジスタの前記第1の電流電極に結合されている入力、および前記第2のトランジスタの前記第1の電流電極に結合されている出力を有する第1のインバータと、前記第2のトランジスタの前記第1の電流電極に結合されている入力、および前記第1のトランジスタの前記第1の電流電極に結合されている出力を有する第2のインバータと、前記第1のインバータの前記出力及び前記第2のインバータの前記入力に結合されている出力とを含む前記セルフタイム式ラッチとを備え、前記方法は、
前記複数のメモリ・セルのうちの少なくとも1つを選択すること、
増幅されたデータ信号を生成するために、センス・イネーブル信号の有効化に応答して、前記センス・アンプにより前記第1のビット線および第2のビット線上の電圧を感知して増幅することであって、前記増幅されたデータ信号は、前記選択することによって選択された前記複数のメモリ・セルのうちの前記少なくとも1つに記憶されている論理状態を表す、電圧を感知して増幅すること、
前記分離回路により、前記センス・イネーブル信号の有効化とほぼ同時に、前記センス・アンプから前記ビット線を分離すること、
前記セルフタイム式ラッチの前記第1および第2のインバータに、前記増幅されたデータ信号に対応するデータを前記増幅されたデータ信号のみに応答してラッチするように、前記第1および第2のトランジスタを前記増幅されたデータ信号によって制御して前記電源電圧端子の電圧を前記セルフタイム式ラッチの出力に供給すること、
を備え、前記分離することは、前記センス・イネーブル信号が無効化された後、前記第1および第2のデータ線がプリチャージされる間中、前記複数のメモリ・セルのうちの前記選択された1つを前記センス・アンプから継続的に分離することを含む、方法。
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