JP4472917B2 - アミノオキシ化合物、ヒドロキシアミノ化合物又はヒドロキシケトン化合物の製造方法 - Google Patents
アミノオキシ化合物、ヒドロキシアミノ化合物又はヒドロキシケトン化合物の製造方法 Download PDFInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ニトロソ化合物への位置選択的かつエナンチオ選択的求核付加反応によりニトロソ化合物からアミノオキシ化合物又はヒドロキシアミノ化合物を製造する方法や、ニトロソ化合物への位置選択的かつエナンチオ選択的求核付加反応用触媒や、アミノオキシ化合物からヒドロキシケトン化合物を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
生理活性物質の多くはその分子内にヘテロ原子、とりわけ窒素原子および酸素原子を含んでおり、医薬、農薬、工業薬品等の技術分野において有用な種々の化合物を合成するため、窒素原子および酸素原子を分子内に導入する新しい有機合成反応の開発が活発に行なわれた結果、ヒドロキシル化反応は発展期を迎え、特に、求核付加反応の求電子剤の中でも、Ｃ＝Ｏ結合を有するカルボニル化合物やＣ＝Ｎ結合を有するイミン類については、実用的な新反応が数多く見出されている。Ｎ＝Ｏ結合については、シリルエノールエーテルとニトロソベンゼンとの室温で迅速な反応（例えば、非特許文献１参照。）や、エノラートとα−クロロニトロソ化合物との反応（例えば、非特許文献２参照。）が報告されている。
【０００３】
一方、光学活性を有する特定のキラルルイス酸を触媒として、エナンチオ選択的反応により２位が置換されたピラン誘導体を得る方法として、安価な原料から容易に調製することができる不斉触媒を用い、アセトアルデヒドのように嵩が小さく、触媒との電子的相互作用を期待することができない単純なアルデヒドとダニシェフスキー型ジエンとを高エナンチオ選択的不斉ヘテロディールズ＝アルダー反応させて２位が置換された光学活性２，３−ジヒドロ−４Ｈ−ピラン−４−オンを製造する効率的な製造方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平９−７７７６０号公報
【非特許文献１】
Sasaki, T.; Ishibashi, Y.; Ohno著「M. Chem. Lett. 」日本化学会出版、１９８３年、ｐ．８６３
【非特許文献２】
Oppolzer, W.; Tamura著「O. Tetrahedron Lett. 」ＰＥＲＧＡＭＯＮ出版、１９９０年、ｐ．９９１
【０００５】
しかしながら、これらの文献に記載されるＮ＝Ｏ結合については特定の極限られた芳香族ケトンエノラートしか得られておらず、Ｎ＝Ｏ結合を有するニトロソ化合物と互変異性体であるケトンエノラートとの反応において、アミノオキシ化合物又はヒドロキシアミノ化合物のいずれか一方を選択的に得る求核付加反応については検討がなされていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、分子内に窒素原子、酸素原子等のヘテロ原子を有する生理活性物質の合成へ導くことができる化合物を選択的に合成することを目的とし、Ｎ＝Ｏ結合を有するニトロソ化合物とエノラートとを出発物質として、ニトロソ化合物へのエノラートの位置選択的かつエナンチオ選択的求核付加反応を過酷な条件を必要とせずに容易に進行させることにより、ヒドロキシアミノ化合物又はアミノオキシ化合物のうちいずれか一方の化合物を選択して得ることができるヒドロキシアミノ化合物やアミノオキシ化合物の製造方法や、かかるニトロソ化合物へのエノラートの位置選択的かつエナンチオ選択的求核付加反応を促進させ得るアミノオキシ化合物又はヒドロキシアミノ化合物選択的合成触媒を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、ニトロソ化合物の求核付加反応について鋭意研究し、ニトロソ化合物と、シリルエノールエーテル化合物とを特定のルイス酸触媒存在下で反応させることにより、ニトロソ化合物への位置選択的求核付加を生じさせることができるとの知見を得、ヒドロキシアミノ化合物又はアミノオキシ化合物を位置選択的に合成する製造方法について既に発明している（特願２００２−１２０７９５号）。本発明者らは、更にニトロソ化合物の求核付加反応についての研究を推進し、ニトソロ化合物とエノラートとを所定のキラルルイス酸触媒の存在下で反応させることにより、Ｎ＝Ｏ結合に対し位置選択的にかつエナンチオ選択的にエノラートを求核付加させてアミノオキシ化合物を合成することができ、一方、ニトソロ化合物とエノラートとを特定の溶媒中で触媒を用いずに反応させることにより、ヒロドキシアミノ化合物を選択的に合成することができることを見い出し、更に、選択的に得られたアミノオキシ化合物のＮ−Ｏ結合を開裂することによりヒドロキシケトン化合物を選択的に得ることができることを見い出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
すなわち本発明は、一般式（Ｉ）
Ｒ1ＮＯ （Ｉ）
[式中、Ｒ1は未置換若しくは置換基を有するフェニル基又はアルキル基を表す。]で示されるニトロソ化合物と、一般式（II）
【０００９】
【化８】
【００１０】
［式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、水素原子、未置換若しくは置換基を有するＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基、Ｃ３〜Ｃ６の環状炭化水素基又はアルコキシ基を表し、Ｒ２とＲ３とは結合してＣ５〜Ｃ７の環を形成してもよく、Ｍ１は、スズ原子を表し、ＬｎはＭ１で表される原子に結合し得るｎ個の独立した原子又は原子団を表す。］で示されるエノラート化合物とを、銀化合物の（Ｒ）−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（以下、「Ｒ−ＢＩＮＡＰ」という）錯体、式（ＶＩＩＩ）において、（ａ）で表される化合物（以下、「Ｒ−ＴｏｌＢＩＮＡＰ」という）錯体、（ｂ）で表される化合物（以下、「Ｓ，Ｓ−メチル−ＤＵＰＨＯＳ」という）錯体、（ｃ）で表される化合物（以下、「Ｒ，Ｓ−ＢＰＰＦＡ」という）錯体及び（ｄ）で表される化合物（以下、「Ｒ−ＭＯＰ」という）錯体から選ばれるキラルルイス酸を含有する触媒の存在下で反応させることを特徴とする一般式（III）
【００１１】
【化９】
【００１２】
［式中、Ｒ１は一般式（Ｉ）におけるＲ１と同じものを表し、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は一般式（ＩＩ）におけるＲ２、Ｒ３、Ｒ４と同じものを表す。］で示されるアミノオキシ化合物の製造方法に関し、好ましくは、一般式（Ｉ）で表されるニトロソ化合物が、未置換若しくは置換基を有するニトロソベンゼンであることを特徴とする請求項１記載のアミノオキシ化合物の製造方法（請求項２）や、一般式（ＩＩ）におけるＲ２とＲ３とが結合して形成される環が、５員環又は６員環であることを特徴する請求項１又は２記載のアミノオキシ化合物の製造方法（請求項３）や、一般式（ＩＩ）におけるＭ１で表されるスズ原子に結合し得るｎ個の独立した原子又は原子団を表すＬｎが、３個の独立したＣ１〜Ｃ６のアルキル基を表すことを特徴とする請求項１〜３のいずれか記載のアミノオキシ化合物の製造方法（請求項４）や、キラルルイス酸が、銀化合物のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか記載のアミノオキシ化合物の製造方法（請求項５）や、銀化合物のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体が、銀トリフラート、四フッ化ホウ酸銀又は過塩素酸銀からなる群から選ばれた１種又は２種以上の銀化合物のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体であることを特徴とする請求項５記載のアミノオキシ化合物の製造方法（請求項６）に関する。
【００１３】
また、本発明は、一般式（Ｉ）
Ｒ1ＮＯ （Ｉ）
[式中、Ｒ1は未置換若しくは置換基を有するフェニル基又はアルキル基を表す。]で示されるニトロソ化合物と、一般式（Ｖ）
【００１４】
【化１０】
【００１５】
[式中、Ｒ2〜Ｒ4は、水素原子、未置換若しくは置換基を有するＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基、Ｃ３〜Ｃ６の環状炭化水素基又はアルコキシ基を表し、Ｒ2とＲ3とは結合してＣ５〜Ｃ７の環を形成してもよく、Ｍは金属原子を表し、ＬｎはＭで表される金属原子に結合し得るｎ個の独立した原子又は原子団を表す。]で示されるエノラート化合物とを、極性溶媒中無触媒で反応させることを特徴とする一般式（IV）
【００１６】
【化１１】
【００１７】
[式中、Ｒ1は一般式（Ｉ）におけるＲ1と同じものを表し、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は一般式（Ｖ）におけるＲ2、Ｒ3、Ｒ4と同じものを表す。]で示されるヒドロキシアミノ化合物の製造方法（請求項７）に関し、好ましくは、一般式（Ｉ）で表されるニトロソ化合物が、未置換若しくは置換基を有するニトロソベンゼンであることを特徴とする請求項７記載のヒドロキシアミノ化合物の製造方法（請求項８）や、一般式（Ｖ）におけるＭで表される金属原子が、リチウム、ナトリウム、マグネシウム又はスズ原子のいずれかであることを特徴とする請求項７又は８記載のヒドロキシアミノ化合物の製造方法（請求項９）や、一般式（Ｖ）におけるＲ2とＲ3とが結合して形成される環が、５員環又は６員環であることを特徴する請求項７〜９のいずれか記載のヒドロキシアミノ化合物の製造方法（請求項１０）や、極性溶媒がテトラヒドロフランであることを特徴とする請求項７〜１０のいずれか記載のヒドロキシアミノ化合物の製造方法（請求項１１）に関する。
【００１８】
また、本発明は、一般式（III）
【００１９】
【化１２】
【００２０】
［式中、Ｒ１は未置換若しくは置換基を有するフェニル基又はアルキル基を表し、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は水素原子、未置換若しくは置換基を有するＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基、Ｃ３〜Ｃ６の環状炭化水素基又はアルコキシ基を表し、Ｒ２とＲ３とは結合してＣ５〜Ｃ７の環を形成してもよい。］で示されるアミノオキシ化合物を硫酸銅存在下、メタノール溶媒中で反応させることを特徴とするヒドロキシケトン化合物の製造方法（請求項１２）に関する。
【００２１】
また、本発明は、銀化合物のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体、Ｒ−ＴｏｌＢＩＮＡＰ錯体、Ｓ，Ｓ−メチル−ＤＵＰＨＯＳ錯体、Ｒ，Ｓ−ＢＰＰＦＡ錯体及びＲ−ＭＯＰ錯体から選ばれるキラルルイス酸を有効成分として含有し、一般式（Ｉ）
Ｒ１ＮＯ （Ｉ）
［式中、Ｒ１は未置換若しくは置換基を有するフェニル基又はアルキル基を表す。］で示されるニトロソ化合物と、一般式（II）
【００２２】
【化１３】
【００２３】
[式中、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は、水素原子、未置換若しくは置換基を有するＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基、Ｃ３〜Ｃ６の環状炭化水素基又はアルコキシ基を表し、Ｒ2とＲ3とは結合してＣ５〜Ｃ７の環を形成してもよく、Ｍ1はスズ原子を表し、ＬｎはＭ1で表される原子に結合し得るｎ個の独立した原子又は原子団を表す。]で示されるエノラート化合物とを反応させて、一般式（III）
【００２４】
【化１４】
【００２５】
［式中、Ｒ１は一般式（Ｉ）におけるＲ１と同じものを表し、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は一般式（II）におけるＲ２、Ｒ３、Ｒ４と同じものを表す。］で示されるアミノオキシ化合物を選択的に合成することを特徴とするアミノオキシ化合物選択的合成用触媒（請求項１３）に関し、好ましくは、一般式（Ｉ）で表されるニトロソ化合物が、未置換若しくは置換基を有するニトロソベンゼンであることを特徴とする請求項１３記載のアミノオキシ化合物選択的合成用触媒（請求項１４）や、一般式（II）におけるＲ２とＲ３とが結合して形成される環が、５員環又は６員環であることを特徴する請求項１３又は１４記載のアミノオキシ化合物選択的合成用触媒（請求項１５）や、一般式（II）におけるＭ１で表される原子に結合し得るｎ個の独立した原子又は原子団を表すＬｎが、３個の独立したＣ１〜Ｃ６のアルキル基を表すことを特徴とする請求項１３〜１５のいずれか記載のアミノオキシ化合物選択的合成用触媒（請求項１６）や、キラルルイス酸が、銀化合物のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体であることを特徴とする請求項１３〜１６のいずれか記載のアミノオキシ化合物選択的合成用触媒（請求項１７）や、銀化合物のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体が、銀トリフラート、四フッ化ホウ酸銀又は過塩素酸銀からなる群から選ばれた１種又は２種以上の銀化合物のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体であることを特徴とする請求項１７記載のアミノオキシ化合物選択的合成用触媒（請求項１８）に関する。
【００２６】
【発明の実施の形態】
本発明のアミノオキシ化合物の製造方法は、一般式（Ｉ）（式中、Ｒ1は未置換若しくは置換基を有するフェニル基又はアルキル基を表す。）で示されるニトロソ化合物と、一般式（II）（式中、Ｒ2〜Ｒ4は、水素原子、未置換若しくは置換基を有するＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基、Ｃ３〜Ｃ６の環状炭化水素基又はアルコキシ基を表し、Ｒ2とＲ3とは結合してＣ５〜Ｃ７の環を形成してもよく、Ｍ1は、スズ原子を表し、ＬｎはＭ1で表される原子に結合し得るｎ個の独立した原子又は原子団を表す。）で示されるエノラート化合物とを、所定のキラルルイス酸を含有する触媒の存在下で反応させ、一般式（III）（式中、Ｒ1は一般式（Ｉ）におけるＲ1と同じものを表し、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は一般式（II）におけるＲ2、Ｒ3、Ｒ4と同じものを表す。）で示されるアミノオキシ化合物を選択的に合成させる方法であれば、特に制限されるものではない。
【００２７】
本発明に用いられるニトロソ化合物は、一般式（Ｉ）で表され、顕著な求電子性を有し、一般式（II）で表されるスズエノラートに対し求核付加反応を生ぜしめるニトロソ基を有するものであり、一般式（Ｉ）中、Ｒ1は未置換若しくは置換基を有するフェニル基又はアルキル基を表す。一般式（Ｉ）におけるＲ1がアルキル基であるアルキルニトロソ化合物としては、ニトロソ基が第三級炭素原子に結合しているものが好ましく、具体的には、２−ニトロソイソブタン、２−ニトロソ−２−メチルペンタン等を例示することができる。また、一般式（Ｉ）におけるＲ1がフェニル基である芳香族ニトロソ化合物としては、ニトロソベンゼンを例示することができる。これらのアルキルニトロソ化合物や芳香族ニトロソ化合物の置換基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基等のアルキル基や、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、フェノキシ基、ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基等のアルコキシ基や、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子などを例示することができる。
【００２８】
かかる置換基を有する芳香族ニトロソ化合物としては、具体的には、ｏ−ニトロソトルエン、ｍ−ニトロソトルエン、ｐ−ニトロソトルエン、３，５−ジメチルニトロソベンゼン、ｏ−ニトロソエチルベンゼン、ｏ−ニトロソスチレン、ｏ−ニトロソアニソール、ｍ−ニトロソアニソール、ｐ−ニトロソアニソール、ｏ−ニトロソフェネトール、ｍ−ニトロソフェネトール、ｐ−ニトロソフェネトール、ｐ−フルオロニトロソベンゼン、ｐ−クロロニトロソベンゼン、ｐ−ブロモニトロソベンゼン等を例示することができる。
【００２９】
本発明に使用されるエノラート化合物は、一般式（II）で表され、式中、Ｒ2〜Ｒ4は、水素原子、未置換若しくは置換基を有するＣ１〜Ｃ６の非環状化水素基、Ｃ３〜Ｃ６の環状炭化水素基又はアルコキシ基を表し、Ｒ2とＲ3とは相互に結合してＣ５〜Ｃ７の環を形成してもよく、Ｍ1は、スズ原子を表し、ＬｎはＭ1で表される原子に結合し得るｎ個の独立した原子又は原子団を表すものであり、触媒として使用されるキラルルイス酸との組合せにおいて適宜選択される。かかる一般式（II）で表されるエノラート化合物は、式（VI）で表されるようにケトエノール互変異性体である。
【００３０】
【化１５】
【００３１】
かかる一般式（II）で表されるエノラート化合物における一般式（II）中、Ｒ2〜Ｒ4としては、水素原子、未置換若しくは置換基を有するＣ１〜Ｃ６非環状炭化水素基、Ｃ３〜Ｃ６の環状炭化水素基又はアルコキシ基が挙げられる。一般式（II）におけるＲ2〜Ｒ4で表わされるＣ１〜Ｃ６非環状炭化水素基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等のアルキル基を具体的に挙げることができ、Ｃ３〜Ｃ６の環状炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の脂環式炭化水素基や、フェニル基の芳香族炭化水素基を具体的に挙げることができ、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、フェノキシ基、ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基等を具体的に挙げることができる。
【００３２】
かかる一般式（II）におけるＲ2〜Ｒ4が表すＣ１〜Ｃ６非環状炭化水素や、Ｃ３〜Ｃ６の環状炭化水素基における置換基としては、特に制限されるものではないが、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基等のアルキル基や、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基などや、シクロプロピル基、シクロヘキシル基等の脂肪族炭化水素基や、フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、２，４−キシル基、２，４，６−メシチル基、ｏ−クメニル基、ｍ−クメニル基、ｐ−クメニル基、ベンジル基、フェネチル基等の芳香族炭化水素基などの環状炭化水素基を挙げることができる。
【００３３】
また、一般式（II）におけるＲ2とＲ3とが相互に結合してＣ５〜Ｃ７の環を形成する場合の一般式（II）で表されるエノールとしては、１位の炭素に不飽和結合を有するエノール型と１位にオキソ基を有するケト型との互変異性体であれば、特に制限されるものではなく、かかるＣ５〜Ｃ７の環としては、そのエノール型として１−シクロペンテニル基、１−シクロヘキシニル基、１−シクロヘプチニル基、ビシクロ[２．２．１]−１−ヘプチニル基、ビシクロ[２．２．１]−２−ヘプチニル基等を挙げることができるが、Ｃ５又はＣ６の環が好ましい。
【００３４】
更に、一般式（II）におけるＲ2とＲ3とが相互に結合して形成するＣ５〜Ｃ７の環における置換基としては、上記Ｒ2、Ｒ3が表すＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基や、Ｃ３〜Ｃ６の環状炭化水素基における置換基と同様の置換基を挙げることができ、環状の置換基はＲ2とＲ3とが相互に結合して形成するＣ５〜Ｃ７の環に縮合したベンゼン環であってもよい。
【００３５】
また、一般式（II）で表されるエノラート化合物の一般式（II）におけるＬｎは、Ｍ1で表されるスズ原子に結合し得る３個の独立した原子又は原子団であればいずれのものであってもよいが、相互に異なった又は同一のＣ１〜Ｃ６のアルキル基であることが好ましく、かかるＣ１〜Ｃ６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基等を挙げることができ、ｎ−ブチル基が特に好ましい。
【００３６】
このような一般式（II）で表されるエノラート化合物としては、具体的には、そのエノール型として、１−トリメチルスズオキシ−１−（ｎ−ブチル）エチレン、１−トリメチルスズオキシ−１−（ｎ−ブチル）−２−メチルエチレン、１−トリメチルスズオキシ−１−（ｎ−ペンチル）エチレン、１−トリメチルスズオキシ−１−（ｎ−ペンチル）−２−メチルエチレン、１−トリメチルスズ−１−（ｎ−ヘキシル）エチレン、１−トリメチルスズオキシ−１−（ｎ−ヘキシル）−２−メチルエチレン、１−トリメチルスズオキシ−１−シクロペンチルエチレン、１−トリメチルスズオキシ−１−シクロペンチル−２−メチルエチレン、１−トリメチルスズオキシ−１−シクロヘキシルエチレン、１−トリメチルスズオキシ−１−シクロヘキシル−２−メチルエチレン、１−トリメチルスズオキシ−１−フェニルエチレン、１−トリメチルスズオキシ−１−フェニル−２−メチルエチレン、１−トリメチルスズオキシ−１−シクロペンテン、１−トリメチルスズオキシ−２−メチル−１−シクロペンテン、１−トリメチルスズオキシ−１−インデン、１−トリメチルスズオキシ−２−メチル−１−インデン、１−トリメチルスズオキシ−１−シクロヘキセン、１−トリメチルスズオキシ−２−フェニル−１−シクロヘキセン、１−トリメチルスズオキシ−２，６，６−トリメチル−１−シクロヘキセン、１−トリメチルスズオキシ−２−フェニル−１−シクロヘプテンを挙げることができる。
【００３７】
本発明に使用される触媒として、所定のキラルルイス酸を含有する触媒が好ましい。所定のキラルルイス酸とは、光学活性を有する不斉構造を有し不斉誘導によりエノラート化合物に電子対受容体として作用してエノラート化合物のニトロソ化合物のＮ＝Ｏ原子団に対する求核攻撃を促進させ、ケト型スズエノラートのα位とニトロソ化合物の酸素原子への付加を位置選択的かつエナンチオ選択的に促進させる触媒であり、この触媒作用により一般式（III）で表されるアミノオキシ化合物が選択的に合成される。一般式（III）で表されるアミノオキシ化合物が選択的に合成されるのは、通常、一般式（Ｉ）で表されるニトロソ化合物は単量体と窒素原子が相互に結合した二量体との混合物となっており、所定のキラルルイス酸の存在によりかかる二量体の生成が促進されることにより、式（VII）に示すように、ニトロソ化合物の酸素原子に一般式（II）で表されるエノラート化合物が結合し、一般式（III）で表されるアミノオキシ化合物が生成すると考えられる。
【００３８】
【化１６】
【００３９】
かかる一般式（III）で表されるアミノオキシ化合物を合成する所定のキラルルイス酸触媒として、銀化合物のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体を好適に例示することができる。銀化合物のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体における銀化合物としては、特に制限されるものではなく、例えば、トリフラート（トリフルオロメタンスルホン酸）の銀塩（ＡｇＯＳＯ2ＣＦ3）（ＡｇＯＴｆ）や、四フッ化ホウ酸銀（ＡｇＢＦ4）、六フッ化アンチモン酸の銀塩（ＡｇＳｂＦ6）、六フッ化リン酸銀（ＡｇＰＦ6）、チオフラートの銀塩（ＡｇＮＴｆ2）等の銀フッ化物や、過塩素酸銀や酢酸銀等が挙げられ、このうち特に銀トリフラート、四フッ化ホウ酸銀、過塩素酸銀等が好ましい。また、銀化合物のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体におけるＲ−ＢＩＮＡＰは２，２′−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１′−ビナフチル類のＲ構造の光学異性体であって、ビナフトールに、塩基存在下、パーフルオロアルキルスルホニルハライド又はパーフルオロアルカンスルホン酸無水物を反応させて、ジパーフルオロアルキルスルホネートを得、これを塩基及びニッケル触媒の存在下、ジフェニルホスフィンと反応させる等、公知の方法に準じて生成することができる。得られたＲ−ＢＩＮＡＰから銀化合物との錯体を形成するには、Ｒ−ＢＩＮＡＰをメタノール等の溶液とし、この溶液に銀化合物を添加する等の公知の方法によることができる。また、Ｒ−ＢＩＮＡＰは市販のものを適用し、銀化合物のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体を容易に生成することができる。
【００４０】
また、銀化合物のＲ−ＴｏｌＢＩＮＡＰ錯体、Ｓ，Ｓ−メチル−ＤＵＰＨＯＳ錯体、Ｒ，Ｓ−ＢＰＰＦＡ錯体、Ｒ−ＭＯＰ錯体も光学活性を有する不斉構造を有し、キラルルイス酸触媒として好ましく、かかる錯体は式（VIII）に示すように、（ａ）〜（ｄ）に示す構造を有し、市販のものを適用し、銀化合物と共に溶媒に添加して容易に銀塩の錯体として容易に生成することができる。
【００４１】
【化１７】
【００４２】
かかるキラルルイス酸触媒は一般式（II）で表されるスズエノラート化合物との組合せにおいて適宜選択して使用される。一般式（II）で表されるスズエノラート化合物がニトロソ化合物の酸素原子に付加し一般式（III）で表されるアミノオキシ化合物の選択的合成が緩和される場合は、スズエノラート化合物の使用量を過剰に、例えば、ニトロソ化合物に対して通常１当量使用されるところを２当量程度に増加したり、あるいは、ブチルスズアセテート（Ｂｕ2Ｓｎ（ＯＡｃ）2）等のスズ化合物を触媒量添加することにより一般式（III）で表されるアミノオキシ化合物を選択的に合成することができる。かかるキラルルイス酸触媒の使用量としては、ニトロソ化合物に対して５〜１５ｍｏｌ％の範囲が好ましく、１０ｍｏｌ％程度がより好ましい。
【００４３】
尚、一定のキラルルイス酸触媒としては、後述する一般式（IV）で表されるヒドロキシアミノ化合物を選択的に合成する触媒となり得るものもある。一般式（IV）で表されるヒドロキシアミノ化合物を選択的に合成する触媒としては、銅化合物と式（VIII）（ｅ）に示すＳ，Ｓ−イソプロピル−ｐｙｂｏｘ錯体との化合物等を挙げることができ、銅化合物のＳ，Ｓ−イソプロピル−ｐｙｂｏｘ錯体としての銅化合物は、例えば、トリフラート（トリフルオロメタンスルホン酸）の銅塩（Ｃｕ（ＯＳＯ2ＣＦ3）2）（Ｃｕ（ＯＴｆ）2）等を挙げることができる。銅化合物のＳ，Ｓ−イソプロピル−ｐｙｂｏｘ錯体は溶媒にＳ，Ｓ−イソプロピル−ｐｙｂｏｘ錯体と銅化合物を添加して調製することができ、Ｓ，Ｓ−イソプロピル−ｐｙｂｏｘは市販のものを適用することにより、銅化合物のＳ，Ｓ−イソプロピル−ｐｙｂｏｘ錯体を調製することができる。
【００４４】
本発明の上記一般式（Ｉ）で表されるニトロソ化合物と一般式（II）で表されるエノラート化合物との反応に用いられる溶媒としては、特に制限されるものではないが、使用するニトロソ化合物、スズエノラート化合物や、反応生成物のアミノオキシ化合物や、触媒との関係において、適宜選択することができる。溶媒としては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香環をもつ溶媒、アセトニトリル等のニトリル溶媒等を使用することができ、これらの溶媒の１種又は２種以上を混合して使用することができる。これらのうちで、特に、テトラヒドロフラン、メタノール等が好ましい。
【００４５】
上記溶媒中で上記所定のキラルルイス酸触媒を使用して一般式（III）で表されるアミノオキシ化合物を選択的に合成するためには、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中、上記のニトロソ化合物の溶媒溶液に、スズエノラート化合物を、ニトロソ化合物１ｍｏｌに対して、１ｍｏｌ程度添加し、この混合溶液に、キラルルイス酸触媒を５〜１５ｍｏｌ％、好ましくは１０ｍｏｌ％程度を、−７８℃〜室温、好ましくは−７８〜０℃前後の温度で添加することができる。この条件下で反応させることによりニトロソ化合物の酸素原子にケト型スズエノラート化合物のα位の求核付加が生じ、ヒドロキシアミノ化合物が選択的に合成される。反応後、飽和食塩水を添加して反応を終了させることができ、得られたアミノオキシ化合物の精製は、公知の従来の方法で行うことができる。
【００４６】
本発明のニトロソ化合物への位置選択的かつエナンチオ選択的求核付加反応によって生成される一般式（III）で表されるアミノオキシ化合物としては、具体的には、２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−シクロペンタノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−シクロペンタノン、２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−インダノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−インダノン、２−（Ｎ−ｏ−トリルアミノオキシ）−１−シクロペンタノン、２−（Ｎ−ｐ−トリルアミノオキシ）−１−シクロペンタノン、２−[Ｎ−（３，５−キシル）アミノオキシ]−１−シクロペンタノン、２−[Ｎ−（ｐ−クロロフェニル）アミノオキシ]−１−シクロペンタノン、２−[Ｎ−（ｐ−ブロモフェニル）アミノオキシ]−１−シクロペンタノン、２−[Ｎ−（ｏ−アニソール）アミノオキシ]−１−シクロペンタノン、２−[Ｎ−（ｐ−アニソール）アミノオキシ]−１−シクロペンタノン、２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−シクロヘキサノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−シクロヘキサノン、２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−ベンゾ[ｅ]シクロヘキサノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−ベンゾ[ｅ]シクロヘキサノン、２−（Ｎ−ｏ−トリルアミノオキシ）−１−シクロヘキサノン、２−（Ｎ−ｐ−トリルアミノオキシ）−１−シクロヘキサノン、２−[Ｎ−（３，５−キシル）アミノオキシ]−１−シクロヘキサノン、２−[Ｎ−（ｐ−クロロフェニル）アミノオキシ]−１−シクロヘキサノン、２−[Ｎ−（ｐ−ブロモフェニル）アミノオキシ]−１−シクロヘキサノン、２−[Ｎ−（ｏ−アニソール）アミノオキシ]−１−シクロヘキサノン、２−[Ｎ−（ｐ−アニソール）アミノオキシ]−１−シクロヘキサノン等を例示することができる。
【００４７】
更に、一般式（III）で表されるアミノオキシ化合物としては、２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−シクロヘプタノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−シクロヘプタノン、２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−ベンゾ[ｆ]シクロヘプタノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−ベンゾ[ｆ]シクロヘプタノン、２−（Ｎ−ｏ−トリルアミノオキシ）−１−シクロヘプタノン、２−（Ｎ−ｐ−トリルアミノオキシ）−１−シクロヘプタノン、２−[Ｎ−（３，５−キシル）アミノオキシ]−１−シクロヘプタノン、２−[Ｎ−（ｐ−クロロフェニル）アミノオキシ]−１−シクロヘプタノン、２−[Ｎ−（ｐ−ブロモフェニル）アミノオキシ]−１−シクロヘプタノン、２−[Ｎ−（ｏ−アニソール）アミノオキシ]−１−シクロヘプタノン、２−[Ｎ−（ｐ−アニソール）アミノオキシ]−１−シクロヘプタノン等を例示することができる。
【００４８】
更に、一般式（III）で表されるアミノオキシ化合物としては、Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブトキシ）フェニルアミン、Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブトキシ）−ｏ−トリルアミン、Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブトキシ）−ｐ−トリルアミン、Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブトキシ）−（３，５−キシル）アミン、Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブトキシ）−（ｐ−クロロフェニル）アミン、Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブトキシ）−（ｏ−アニソール）アミン、Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブトキシ）−（ｐ−アニソール）アミン、Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエトキシ）フェニルアミン、Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエトキシ）−ｏ−トリルアミン、Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエトキシ）−ｐ−トリルアミン、Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエトキシ）−（３，５−キシル）アミン、Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエトキシ）−（ｐ−クロロフェニル）アミン、Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエトキシ）−（ｏ−アニソール）アミン、Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエトキシ）−（ｐ−アニソール）アミン等を例示することができる。
【００４９】
また、一般式（IV）で表されるヒドロキシアミノ化合物を選択的に合成する方法として、本発明のヒドロキシアミノ化合物の製造方法は、一般式（Ｉ）で示されるニトロソ化合物と一般式（Ｖ）で示されるエノラート化合物とを、極性溶媒中無触媒で反応させることを特徴とする。
本発明のヒドロキシアミノ化合物の製造方法における一般式（Ｉ）で示されるニトロソ化合物としては、上述のアミノオキシ化合物又はヒドロキシアミノ化合物の製造方法における一般式（Ｉ）で表されるニトロソ化合物と同様のものを挙げることができるが、特に芳香族ニトロソ化合物が好ましい。かかる一般式（Ｉ）で表されるニトロソ化合物として、具体的に、ニトロソベンゼン、ｏ−メチルニトロソベンゼン、ｐ−ブロモニトロソベンゼン、ｐ−メトキシニトロソベンゼン等を挙げることができ、これらのうち、ハロゲン原子等の求電子置換基を有する芳香族ニトロソ化合物、例えばｐ−ブロモニトロソベンゼン等がより好ましい。
【００５０】
本発明の一般式（Ｖ）で示されるエノラート化合物としては、式中、Ｒ2〜Ｒ4は、水素原子、未置換若しくは置換基を有するＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基、Ｃ３〜Ｃ６の環状炭化水素基又はアルコキシ基を表し、Ｒ2とＲ3とは結合してＣ５〜Ｃ７の環を形成してもよい。かかる一般式（Ｖ）におけるＲ2〜Ｒ4で表されるＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基、Ｃ３〜Ｃ６の環状炭化水素基又はアルコキシ基は、一般式（II）におけるＲ2〜Ｒ4と同様のものを表し、具体的に一般式（II）におけるＲ2〜Ｒ4と同様のものを例示することができ、これらの置換基としても一般式（II）におけるＲ2〜Ｒ4における場合と同様の置換基を挙げることができる。
【００５１】
本発明の一般式（Ｖ）におけるＭで表される金属原子としてはスズの他、アルカリ金属、アルカリ土類金属等であってもよいが、特に、スズ、リチウム、ナトリウム、マグネシウム等を好適なものとして例示することができる。また、一般式（Ｖ）におけるＬｎは、Ｍで表される金属原子に結合し得るｎ個の独立した原子又は原子団を表す。かかる原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子等を挙げることができ、原子団としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基等のアルキル基や、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基などを挙げることができる。具体的には、Ｍで表される金属原子が四価のスズの場合３個のｎ−ブチル基等を挙げることができ、Ｍで表される金属原子が二価のマグネシウムの場合１個のイソプロピル基や臭素原子等を挙げることができ、Ｍで表される金属原子が一価のリチウム、ナトリウム等ではＬｎとして表される原子又は原子団は存在しない。
【００５２】
本発明の一般式（Ｖ）で表されるエノラート化合物は、目的とするエノラート化合物に相当するエノール化合物と、目的とするエノラート化合物を構成する金属を含有する金属アミドとを溶媒中で混合することにより、例えば、エノール化合物１当量に対して金属アミド１．１当量等を混合して調製することができる。リチウムエノラートの場合は、例えば、リチウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ）とエノール化合物とを混合し、マグネシウムエノラートの場合は、例えば、ブロモマグネシウム−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアミドとエノール化合物とを混合し、ナトリウムエノラートの場合はナトリウムヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）とエノール化合物とを混合することにより調製することができる。
【００５３】
このような一般式（Ｖ）で表されるエノラート化合物としては、具体的には、そのエノール型として、上記に具体的に例示したスズエノラートの他、１−トリブチルスズオキシ−１−フェニル−２−メチルエチレン、１−トリブチルスズオキシ−１−エチル−２−メチルエチレン、１−トリブチルスズオキシ−１−シクロペンテン、１−トリブチルスズオキシ−２−メチル−１−シクロペンテン、１−トリブチルスズオキシ−１−インデン、１−トリブチルスズオキシ−２−メチル−１−インデン、１−トリブチルスズオキシ−１−シクロヘキセン、１−トリブチルスズオキシ−２−フェニル−１−シクロヘキセン、１−トリブチルスズオキシ−２−メチル−１−シクロヘキセン、１−トリブチルスズオキシ−１−シクロヘプテン、１−トリブチルスズオキシ−２−フェニル−１−シクロヘプテン、１−トリブチルスズオキシ−３，４−ジヒドロナフタリン等を挙げることができる。
【００５４】
更に、一般式（Ｖ）で表されるエノラート化合物としては、具体的には、そのエノール型として、リチウムオキシ−１−（ｔ−ブチル）−２−メチルエチレン、リチウムオキシ−１−フェニルエチレン、リチウムオキシ−１−フェニル−２−メチルエチレン、リチウムオキシ−１−メトキシ−２−メチルエチレン、リチウムオキシ−１−（ｎ−ペンチル）エチレン、リチウムオキシ−１−（ｎ−ペンチル）−２−メチルエチレン、リチウムオキシ−１−シクロペンチルエチレン、リチウムオキシ−１−シクロヘキシルエチレン、リチウムオキシ−１−シクロペンテン、リチウムオキシ−２−メチル−１−シクロペンテン、リチウムオキシ−１−インデン、リチウムオキシ−２−メチル−１−インデン、リチウムオキシ−１−シクロヘキセン、リチウムオキシ−２−メチル−１−シクロヘキセン、リチウムオキシ−２、６，６−トリメチル−１−シクロヘキセン、リチウムオキシ−２−フェニル−１−シクロヘキセン、リチウムオキシ−２−フェニル−１−シクロヘプテン、リチウムオキシ−３，４−ジヒドロナフタリン、リチウムオキシ−２−メチル−３，４−ジヒドロナフタリン等を挙げることができ、上記リチウムをナトリウムに変換したエノラート化合物を挙げることができる。
【００５５】
更に、一般式（Ｖ）で表されるエノラート化合物としては、具体的には、そのエノール型として、１−ブチルマグネシウムオキシ−１−（ｔ−ブチル）−２−メチルエチレン、１−ブチルマグネシウムオキシ−１−フェニルエチレン、１−ブチルマグネシウムオキシ−１−フェニル−２−メチルエチレン、１−ブチルマグネシウムオキシ−１−メトキシ−２−メチルエチレン、１−ブチルマグネシウムオキシ−１−（ｎ−ペンチル）エチレン、１−ブチルマグネシウムオキシ−１−（ｎ−ペンチル）−２−メチルエチレン、１−ブチルマグネシウムオキシー１−シクロペンチルエチレン、１−ブチルマグネシウムオキシ−１−シクロヘキシルエチレン、１−ブチルマグネシウムオキシ−１−シクロペンテン、１−ブチルマグネシウムオキシ−２−メチル−１−シクロペンテン、１−ブチルマグネシウムオキシ−１−インデン、１−ブチルマグネシウムオキシ−２−メチル−１−インデン、１−ブチルマグネシウムオキシ−１−シクロヘキセン、１−ブチルマグネシウムオキシ−２−メチル−１−シクロヘキセン、１−ブチルマグネシウムオキシ−２、６，６−トリメチル−１−シクロヘキセン、１−ブチルマグネシウムオキシ−２−フェニル−１−シクロヘキセン、１−ブチルマグネシウムオキシ−２−フェニル−１−シクロヘプテン、１−ブチルマグネシウムオキシ−３，４−ジヒドロナフタリン、１−ブチルマグネシウムオキシ−２−メチル−３，４−ジヒドロナフタリン等を挙げることができる。
【００５６】
本発明に使用される極性溶媒は、一般式（Ｉ）で表されるニトロソ化合物の窒素原子と一般式（Ｖ）で表されるエノラート化合物のα位とを選択的に結合させ、一般式（IV）で表されるヒドロキシアミノ化合物の合成を促進させる作用を有する。かかる極性溶媒としては特に制限されるものではないが、ＴＨＦ、ジエチルエーテル等が好ましい。かかる溶媒中においては、一般式（Ｉ）で表されるニトロソ化合物が単量体となり、式（IX）に示すように、一般式（Ｉ）で表されるニトロソ化合物の窒素原子に一般式（Ｖ）で表されるエノラート化合物が結合し、一般式（IV）で表されるヒドロキシアミノ化合物が選択的に合成される。
【００５７】
【化１８】
【００５８】
かかる溶媒を用いて一般式（IV）で表されるヒドロキシアミノ化合物を合成するには、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中、−７８℃〜室温、好ましくは−７８〜０℃前後の温度で、一般式（Ｉ）で表されるニトロソ化合物を添加し、一般式（Ｖ）で表されるエノラート化合物を、ニトロソ化合物１ｍｏｌに対して、１ｍｏｌ程度添加することにより行なうことができる。かかる溶媒中において、一般式（Ｉ）で表されるニトロソ化合物が単量体で存在し、エノラート化合物のα位とニトロソ化合物の窒素原子との付加反応を位置選択的かつエナンチオ選択的に促進させ、一般式（IV）で表されるヒドロキシアミノ化合物が選択的に合成される。一般式（Ｖ）で表されるスズエノラート化合物がニトロソ化合物の酸素原子に付加し一般式（IV）で表されるヒドロキシアミノ化合物の選択的合成が緩和される場合は、エノラート化合物の使用量を過剰に、例えば、ニトロソ化合物に対して１当量のところを２当量程度に増加することにより一般式（IV）で表されるヒドロキシアミノ化合物を選択的に合成することができる。
【００５９】
本発明のニトロソ化合物への位置選択的かつエナンチオ選択的求核付加反応によって生成される一般式（IV）で表されるヒドロキシアミノ化合物としては、具体的には、２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−シクロペンタノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−シクロペンタノン、２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−インダノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−インダノン、２−（Ｎ−ｏ−トリルヒドロキシアミノ）−１−シクロペンタノン、２−（Ｎ−ｐ−トリルヒドロキシアミノ）−１−シクロペンタノン、２−[Ｎ−（３，５−キシル）ヒドロキシアミノ]−１−シクロペンタノン、２−[Ｎ−（ｐ−クロロフェニル）ヒドロキシアミノ]−１−シクロペンタノン、２−[Ｎ−（ｐ−ブロモフェニル）ヒドロキシアミノ]−１−シクロペンタノン、２−[Ｎ−（ｏ−アニソール）ヒドロキシアミノ]−１−シクロペンタノン、２−[Ｎ−（ｐ−アニソール）ヒドロキシアミノ]−１−シクロペンタノン、２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−シクロヘキサノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−シクロヘキサノン、２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−ベンゾ[ｅ]シクロヘキサノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−ベンゾ[ｅ]シクロヘキサノン、２−（Ｎ−ｏ−トリルヒドロキシアミノ）−１−シクロヘキサノン、２−（Ｎ−ｐ−トリルヒドロキシアミノ）−１−シクロヘキサノン、２−[Ｎ−（３，５−キシル）ヒドロキシアミノ]−１−シクロヘキサノン、２−[Ｎ−（ｐ−クロロフェニル）ヒドロキシアミノ]−１−シクロヘキサノン、２−[Ｎ−（ｐ−ブロモフェニル）ヒドロキシアミノ]−１−シクロヘキサノン、２−[Ｎ−（ｏ−アニソール）ヒドロキシアミノ]−１−シクロヘキサノン、２−[Ｎ−（ｐ−アニソール）ヒドロキシアミノ]−１−シクロヘキサノン等を例示することができる。
【００６０】
更に、一般式（IV）で表されるヒドロキシアミノ化合物としては、具体的には、２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−シクロヘプタノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−シクロヘプタノン、２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−ベンゾ[ｆ]シクロヘプタノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−ベンゾ[ｆ]シクロヘプタノン、２−（Ｎ−ｏ−トリルヒドロキシアミノ）−１−シクロヘプタノン、２−（Ｎ−ｐ−トリルヒドロキシアミノ）−１−シクロヘプタノン、２−[Ｎ−（３，５−キシル）ヒドロキシアミノ]−１−シクロヘプタノン、２−[Ｎ−（ｐ−クロロフェニル）ヒドロキシアミノ]−１−シクロヘプタノン、２−[Ｎ−（ｐ−ブロモフェニル）ヒドロキシアミノ]−１−シクロヘプタノン、２−[Ｎ−（ｏ−アニソール）ヒドロキシアミノ]−１−シクロヘプタノン、２−[Ｎ−（ｐ−アニソール）ヒドロキシアミノ]−１−シクロヘプタノン等を例示することができる。
【００６１】
更に、一般式（IV）で表されるヒドロキシアミノ化合物としては、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブチル）フェニルヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブチル）−ｏ−トリルヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブチル）−ｐ−トリルヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブチル）−（３，５−キシル）ヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブチル）−（ｐ−クロロフェニル）ヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブチル）−（ｐ−ブロモフェニル）ヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブチル）−（ｏ−アニソール）ヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブチル）−（ｐ−アニソール）ヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエチル）フェニルヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエチル）−ｏ−トリルヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエチル）−ｐ−トリルヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエチル）−（３，５−キシル）ヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエチル）−（ｐ−クロロフェニル）ヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエチル）−（ｐ−ブロモフェニル）ヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエチル）−（ｏ−アニソール）ヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエチル）−（ｐ−アニソール）ヒドロキシアミン等を例示することができる。
【００６２】
また、本発明のヒドロキシケトン化合物の製造方法は、一般式（III）で表されるアミノオキシ化合物を硫酸銅存在下、溶媒中でＮ−Ｏ結合を開裂することを特徴とし、かかる溶媒としては、メタノールを使用することが好ましい。一般式（III）で表されるアミノオキシ化合物は、本発明の一般式（Ｉ）で表されるニトロソ化合物と、一般式（II）で表されるスズエノール化合物とから合成されたものを使用することにより、α−ヒドロキシケトン化合物を高収率で得ることができる。かかるα−ヒドロキシケトン化合物の合成は、０．３当量の硫酸銅存在下、メタノール溶媒中、０℃前後で、１２〜２４時間、好ましくは１２時間前後で反応させることにより行なうことができる。
【００６３】
【実施例】
以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明の技術的範囲はこれらの例示に限定されるものではない。
実施例１［キラルルイス酸触媒の選択］
アルゴン気流下、ＴＨＦ溶媒２ｍｌに、トリフラート銀塩２５．６ｍｇとＲ−ＢＩＮＡＰ６２．３ｍｇを溶かし、遮光して室温で２０分間攪拌し、トリフラート銀・Ｒ−ＢＩＮＡＰ錯体ＴＨＦ溶液を調製した。次に、アルゴン気流下、ＴＨＦ溶媒３ｍｌにニトロソベンゼン１０７．１ｍｇ（１ｍｍｏｌ）を溶かし、さらに、室温で５分間攪拌した。調製済みのトリフラート銀・Ｒ−ＢＩＮＡＰ錯体ＴＨＦ溶液を−７８℃に冷却後、ニトロソベンゼンＴＨＦ溶液を加え、続いて１−トリブチルスズオキシ−１−シクロヘキセン（１ａ）を加えた。−７８℃で２時間攪拌後、飽和食塩水を加えて反応を消化した。シリカゲルクロマトグラフィーにより反応生成物を精製し、分離後の収率と、反応生成物における２−（Ｎ、Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）シクロヘキサノン（１ｂ）と２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）シクロヘキサノン（１ｃ）の収率の比及び光学純度（ｅｅ）を求めた。結果を表１に示す。
【００６４】
同様にして調製したトリフラート銅・Ｓ，Ｓ−ｉ−Ｐｒ−ｐｙｂｏｘ錯体、トリフラート銅・Ｓ−ｔ−Ｂｕ−Ｂｏｘ錯体、過塩素酸鉛・Ｒ−ＢＩＮＡＰ錯体を触媒として、同様に反応を行ない、分離後の収率と、反応生成物における２−（Ｎ，Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）シクロヘキサノン（１ｂ）と、２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）シクロヘキサノン（１ｃ）の収率の比及び光学純度を同様に求めた。結果を表１に示す。また、触媒を使用せずに−２０℃で１時間、−７８℃で５時間行なった他は同様に反応を行なった。反応生成物の収率と、反応生成物における２−（Ｎ，Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）シクロヘキサノン（１ｂ）と、２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）シクロヘキサノン（１ｃ）の収率の比及び分離後の収率を同様に求めた。結果を表１に示す。
【００６５】
【表１】
【００６６】
結果から明らかなように、トリフラート銀・Ｒ−ＢＩＮＡＰ錯体を用いた場合、２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）シクロヘキサノン（１ｃ）を選択的に得ることができ、トリフラート銅・Ｓ，Ｓ−ｉ−Ｐｒ−ｐｙｂｏｘ錯体を用いた場合と触媒を使用しない場合、２−（Ｎ，Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）シクロヘキサノン（１ｂ）が選択的に得られることがわかった。
【００６７】
実施例２［アミノオキシ化合物選択的合成のキラルルイス酸触媒の選択］
実施例１と同様にして、表２に示す各銀化合物についてＲ−ＢＩＮＡＰ錯体を調製した。得られた各銀化合物のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体を触媒として、実施例１と同様に反応を行ない反応生成物を得た。得られた反応生成物の分離後の収率と、反応生成物における２−（Ｎ，Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）シクロヘキサノン（２ｂ）と、２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）シクロヘキサノン（２ｃ）の収率の比及び光学純度を同様に求めた。結果を表２に示す。
【００６８】
【表２】
【００６９】
結果からも明らかなように、銀塩のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体はいずれも２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）シクロヘキサノンの選択的合成に優れた触媒となり得ることがわかった。
【００７０】
実施例３［アミノオキシ化合物選択的合成のスズエノラートの基質適用範囲］
実施例２で調製した過塩素酸銀のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体、Ｒ−ＴｏｌＢＩＮＡＰ錯体、Ｓ，Ｓ−メチル−ＤＵＰＨＯＳ錯体、Ｒ，Ｓ−ＢＰＰＦＡ錯体、Ｒ−ＭＯＰ錯体をニトロソベンゼンに対して１０ｍｏｌ％用い、表３に示す各スズエノラートについて実施例１と同様にして反応を行ない反応生成物を得た。得られた反応生成物の分離後の収率と、反応生成物におけるＮ，Ｎ−フェニルヒドロキシアミノケトン（３ｂ）と、Ｎ−フェニルアミノオキシケトン（３ｃ）の収率の比及び光学純度を同様に求めた。結果を表３に示す。尚、表中、ａ）はスズエノラートを２当量用いて反応を行なった結果であり、ｂ）はジブチルスズジアセテート（Ｂｕ2Ｓｎ（ＯＡｃ）2）１０ｍｏｌ％添加して反応を行なった結果である。
【００７１】
【表３】
【００７２】
結果からもこれらの触媒はアミノオキシ化合物を選択的に得ることができることがわかった。アミノオキシ化合物の選択的合成が緩和された五員環ケトン由来のスズエノラートについては２当量を使用することにより、また、七員環ケトン由来のスズエノラートについては１０ｍｏｌ％のジブチルスズアセテートを添加することにより、アミノオキシ化合物が選択的に得られることがわかった。
【００７３】
実施例４［ヒドロキシアミノ化合物選択的合成のエノラートを構成する金属の選択］
ＴＨＦ溶媒２ｍｌに、２−メチル−１−インダノン（４ａ）１．１ｍｍｏｌと、リチウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ）、ブロロマグネシウム−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアミド又はナトリウムヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）１ｍｍｏｌとをそれぞれ添加し、各種金属のエノラートを調製した。その後、アルゴン気流下、ＴＨＦ溶媒５ｍｌ又はジエチルエーテル５ｍｌにニトロソベンゼン１０７．１ｍｇ（１ｍｍｏｌ）を溶かし、室温で５分間攪拌した後、この溶液を表４に示す最適温度に冷却後、得られた各種金属のエノラート１ｍｍｏｌを加えた。表４に示す時間攪拌後、飽和食塩水を加えて反応を消化した。シリカゲルクロマトグラフィーにより反応生成物を精製し、反応生成物を得た。分離後の収率と、反応生成物におけるＮ，Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ−２−メチル−１−インダノン（４ｂ）とＮ−フェニルアミノオキシ−２−メチル−１−インダノン（４ｃ）の収率の比を求めた。結果を表４に示す。
【００７４】
【表４】
【００７５】
結果からもリチウム、マグネシウム、ナトリウムのエノラート化合物から無触媒でヒドロキシアミノ化合物を選択的に得られることがわかった。
【００７６】
実施例５［ヒドロキシアミノ化合物選択的合成のスズエノラートの基質適用範囲］
アルゴン気流下、ＴＨＦ溶媒５ｍＬにニトロソベンゼン１０７．１ｍｇ（１ｍｍｏｌ）を溶かし、室温で５分間攪拌した。この溶液を−２０℃に冷却後、スズエノラート（５ａ）１ｍｍｏｌを加えた。−２０℃、２時間攪拌後、飽和食塩水を加えて反応を消化した。シリカゲルクロマトグラフィーにより反応生成物を精製し、反応生成物を得た。分離後の収率と、反応生成物におけるＮ，Ｎ−フェニルヒドロキシアミノケトン（５ｂ）とＮ−フェニルアミノオキシケトン（５ｃ）の収率の比を求めた。結果を表５に示す。尚、表中、ａ）はスズエノラートを２当量添加した結果を示す。１当量添加のときのＮ，Ｎ−フェニルヒドロキシアミノケトン（５ｂ）とＮ−フェニルアミノオキシケトン（５ｃ）の収率比は５３／４７であった。
【００７７】
【表５】
【００７８】
結果から明らかなように、表５に示すスズエノラートから無触媒でＮ，Ｎ−フェニルヒドロキシアミノケトン（５ｂ）が選択的に得られることがわかった。
【００７９】
実施例６［ヒドロキシアミノ化合物選択的合成のリチウムエノラートの基質適用範囲］
アルゴン気流下、ＴＨＦ溶媒５ｍｌにニトロソベンゼン１０７．１ｍｇ（１ｍｍｏｌ）を溶かし、室温で５分間攪拌した。この溶液を表６に示す温度に冷却後、リチウムエノラート１ｍｍｏｌを加えた。表６に示す温度で、５分〜１時間攪拌後、飽和食塩水を加えて反応を消化した。シリカゲルクロマトグラフィーにより反応生成物を精製し、反応生成物を得た。分離後のＮ，Ｎ−フェニルヒドロキシアミノケトンの収率を求めた。結果を表６に示す。尚、表中、エノラートの調製方法の欄に示すＡは、ＴＨＦ溶媒中、−７８〜０℃で対応ケトンとＬＤＡとの反応により調製されたことを示し、Ｂは、ＴＨＦ溶媒中、０℃〜室温で対応シリルエノールエーテルとｎ−ブチルリチウムとの反応により調製されたことを示す。結果を表６に示す。
【００８０】
【表６】
【００８１】
結果から明らかなように、表６に示すリチウムエノラートから、Ｎ−フェニルヒドロキシアミノケトンが選択的に得られることがわかった。
【００８２】
実施例７［ヒドロキシアミノ化合物選択的合成のニトロソ化合物の基質適用範囲］
アルゴン気流下、ＴＨＦ溶媒５ｍＬに表７に示すニトロソ化合物（７ａ）１ｍｍｏｌを溶かし、室温で５分間攪拌した。この溶液を−２０℃温度に冷却後、１−トリブチルスズオキシ−１−シクロヘキセン１ｍｍｏｌを加えた。−２０℃で、２又は１０時間攪拌後、飽和食塩水を加えて反応を消化した。シリカゲルクロマトグラフィーにより反応生成物を精製し、反応生成物を得た。分離後の収率を求めた。結果を表７に示す。
【００８３】
【表７】
【００８４】
結果から明らかなように、表７に示すニトロソ化合物（７ａ）からＮ，Ｎ−ヒドロキシアミノケトン（７ｂ）が選択的に得られることがわかった。
【００８５】
実施例８［α−ヒドロキシケトン化合物の合成］
アルゴン気流下、メタノール溶媒６ｍｌに実施例７で得られた２−（Ｎ−フェニルアミノキシ）シクロヘキサノン１ｍｍｏｌを溶かし、硫酸銅０．３ｍｍｏｌを添加し、０℃で１２時間攪拌後、飽和食塩水を加えて反応を消化した。シリカゲルクロマトグラフィーにより反応生成物を精製し、反応生成物を得た。得られた２−ヒドロキシシクロヘキサノンの収率は９２％であった。
結果から、本発明で得られたアミノオキシ化合物からＮ−Ｏ結合の開裂が良好に進行することがわかった。
【００８６】
【発明の効果】
本発明によれば、キラルルイス酸触媒を用いて、ニトロソ化合物とスズエノール化合物とからアミノオキシ化合物を選択的に収率よく合成することができ、また、所定の極性溶媒中無触媒でニトロソ化合物とエノラート化合物とからヒドロキシアミノ化合物を選択的に得ることができ、更に、得られたアミノオキシ化合物からヒドロキシケトン化合物を選択的に収率よく合成することができ、生理活性物質の合成へ導くことができる有用な化合物を効率よく合成することができる。
【発明の属する技術分野】
本発明は、ニトロソ化合物への位置選択的かつエナンチオ選択的求核付加反応によりニトロソ化合物からアミノオキシ化合物又はヒドロキシアミノ化合物を製造する方法や、ニトロソ化合物への位置選択的かつエナンチオ選択的求核付加反応用触媒や、アミノオキシ化合物からヒドロキシケトン化合物を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
生理活性物質の多くはその分子内にヘテロ原子、とりわけ窒素原子および酸素原子を含んでおり、医薬、農薬、工業薬品等の技術分野において有用な種々の化合物を合成するため、窒素原子および酸素原子を分子内に導入する新しい有機合成反応の開発が活発に行なわれた結果、ヒドロキシル化反応は発展期を迎え、特に、求核付加反応の求電子剤の中でも、Ｃ＝Ｏ結合を有するカルボニル化合物やＣ＝Ｎ結合を有するイミン類については、実用的な新反応が数多く見出されている。Ｎ＝Ｏ結合については、シリルエノールエーテルとニトロソベンゼンとの室温で迅速な反応（例えば、非特許文献１参照。）や、エノラートとα−クロロニトロソ化合物との反応（例えば、非特許文献２参照。）が報告されている。
【０００３】
一方、光学活性を有する特定のキラルルイス酸を触媒として、エナンチオ選択的反応により２位が置換されたピラン誘導体を得る方法として、安価な原料から容易に調製することができる不斉触媒を用い、アセトアルデヒドのように嵩が小さく、触媒との電子的相互作用を期待することができない単純なアルデヒドとダニシェフスキー型ジエンとを高エナンチオ選択的不斉ヘテロディールズ＝アルダー反応させて２位が置換された光学活性２，３−ジヒドロ−４Ｈ−ピラン−４−オンを製造する効率的な製造方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平９−７７７６０号公報
【非特許文献１】
Sasaki, T.; Ishibashi, Y.; Ohno著「M. Chem. Lett. 」日本化学会出版、１９８３年、ｐ．８６３
【非特許文献２】
Oppolzer, W.; Tamura著「O. Tetrahedron Lett. 」ＰＥＲＧＡＭＯＮ出版、１９９０年、ｐ．９９１
【０００５】
しかしながら、これらの文献に記載されるＮ＝Ｏ結合については特定の極限られた芳香族ケトンエノラートしか得られておらず、Ｎ＝Ｏ結合を有するニトロソ化合物と互変異性体であるケトンエノラートとの反応において、アミノオキシ化合物又はヒドロキシアミノ化合物のいずれか一方を選択的に得る求核付加反応については検討がなされていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、分子内に窒素原子、酸素原子等のヘテロ原子を有する生理活性物質の合成へ導くことができる化合物を選択的に合成することを目的とし、Ｎ＝Ｏ結合を有するニトロソ化合物とエノラートとを出発物質として、ニトロソ化合物へのエノラートの位置選択的かつエナンチオ選択的求核付加反応を過酷な条件を必要とせずに容易に進行させることにより、ヒドロキシアミノ化合物又はアミノオキシ化合物のうちいずれか一方の化合物を選択して得ることができるヒドロキシアミノ化合物やアミノオキシ化合物の製造方法や、かかるニトロソ化合物へのエノラートの位置選択的かつエナンチオ選択的求核付加反応を促進させ得るアミノオキシ化合物又はヒドロキシアミノ化合物選択的合成触媒を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、ニトロソ化合物の求核付加反応について鋭意研究し、ニトロソ化合物と、シリルエノールエーテル化合物とを特定のルイス酸触媒存在下で反応させることにより、ニトロソ化合物への位置選択的求核付加を生じさせることができるとの知見を得、ヒドロキシアミノ化合物又はアミノオキシ化合物を位置選択的に合成する製造方法について既に発明している（特願２００２−１２０７９５号）。本発明者らは、更にニトロソ化合物の求核付加反応についての研究を推進し、ニトソロ化合物とエノラートとを所定のキラルルイス酸触媒の存在下で反応させることにより、Ｎ＝Ｏ結合に対し位置選択的にかつエナンチオ選択的にエノラートを求核付加させてアミノオキシ化合物を合成することができ、一方、ニトソロ化合物とエノラートとを特定の溶媒中で触媒を用いずに反応させることにより、ヒロドキシアミノ化合物を選択的に合成することができることを見い出し、更に、選択的に得られたアミノオキシ化合物のＮ−Ｏ結合を開裂することによりヒドロキシケトン化合物を選択的に得ることができることを見い出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
すなわち本発明は、一般式（Ｉ）
Ｒ1ＮＯ （Ｉ）
[式中、Ｒ1は未置換若しくは置換基を有するフェニル基又はアルキル基を表す。]で示されるニトロソ化合物と、一般式（II）
【０００９】
【化８】
【００１０】
［式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、水素原子、未置換若しくは置換基を有するＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基、Ｃ３〜Ｃ６の環状炭化水素基又はアルコキシ基を表し、Ｒ２とＲ３とは結合してＣ５〜Ｃ７の環を形成してもよく、Ｍ１は、スズ原子を表し、ＬｎはＭ１で表される原子に結合し得るｎ個の独立した原子又は原子団を表す。］で示されるエノラート化合物とを、銀化合物の（Ｒ）−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（以下、「Ｒ−ＢＩＮＡＰ」という）錯体、式（ＶＩＩＩ）において、（ａ）で表される化合物（以下、「Ｒ−ＴｏｌＢＩＮＡＰ」という）錯体、（ｂ）で表される化合物（以下、「Ｓ，Ｓ−メチル−ＤＵＰＨＯＳ」という）錯体、（ｃ）で表される化合物（以下、「Ｒ，Ｓ−ＢＰＰＦＡ」という）錯体及び（ｄ）で表される化合物（以下、「Ｒ−ＭＯＰ」という）錯体から選ばれるキラルルイス酸を含有する触媒の存在下で反応させることを特徴とする一般式（III）
【００１１】
【化９】
【００１２】
［式中、Ｒ１は一般式（Ｉ）におけるＲ１と同じものを表し、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は一般式（ＩＩ）におけるＲ２、Ｒ３、Ｒ４と同じものを表す。］で示されるアミノオキシ化合物の製造方法に関し、好ましくは、一般式（Ｉ）で表されるニトロソ化合物が、未置換若しくは置換基を有するニトロソベンゼンであることを特徴とする請求項１記載のアミノオキシ化合物の製造方法（請求項２）や、一般式（ＩＩ）におけるＲ２とＲ３とが結合して形成される環が、５員環又は６員環であることを特徴する請求項１又は２記載のアミノオキシ化合物の製造方法（請求項３）や、一般式（ＩＩ）におけるＭ１で表されるスズ原子に結合し得るｎ個の独立した原子又は原子団を表すＬｎが、３個の独立したＣ１〜Ｃ６のアルキル基を表すことを特徴とする請求項１〜３のいずれか記載のアミノオキシ化合物の製造方法（請求項４）や、キラルルイス酸が、銀化合物のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか記載のアミノオキシ化合物の製造方法（請求項５）や、銀化合物のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体が、銀トリフラート、四フッ化ホウ酸銀又は過塩素酸銀からなる群から選ばれた１種又は２種以上の銀化合物のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体であることを特徴とする請求項５記載のアミノオキシ化合物の製造方法（請求項６）に関する。
【００１３】
また、本発明は、一般式（Ｉ）
Ｒ1ＮＯ （Ｉ）
[式中、Ｒ1は未置換若しくは置換基を有するフェニル基又はアルキル基を表す。]で示されるニトロソ化合物と、一般式（Ｖ）
【００１４】
【化１０】
【００１５】
[式中、Ｒ2〜Ｒ4は、水素原子、未置換若しくは置換基を有するＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基、Ｃ３〜Ｃ６の環状炭化水素基又はアルコキシ基を表し、Ｒ2とＲ3とは結合してＣ５〜Ｃ７の環を形成してもよく、Ｍは金属原子を表し、ＬｎはＭで表される金属原子に結合し得るｎ個の独立した原子又は原子団を表す。]で示されるエノラート化合物とを、極性溶媒中無触媒で反応させることを特徴とする一般式（IV）
【００１６】
【化１１】
【００１７】
[式中、Ｒ1は一般式（Ｉ）におけるＲ1と同じものを表し、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は一般式（Ｖ）におけるＲ2、Ｒ3、Ｒ4と同じものを表す。]で示されるヒドロキシアミノ化合物の製造方法（請求項７）に関し、好ましくは、一般式（Ｉ）で表されるニトロソ化合物が、未置換若しくは置換基を有するニトロソベンゼンであることを特徴とする請求項７記載のヒドロキシアミノ化合物の製造方法（請求項８）や、一般式（Ｖ）におけるＭで表される金属原子が、リチウム、ナトリウム、マグネシウム又はスズ原子のいずれかであることを特徴とする請求項７又は８記載のヒドロキシアミノ化合物の製造方法（請求項９）や、一般式（Ｖ）におけるＲ2とＲ3とが結合して形成される環が、５員環又は６員環であることを特徴する請求項７〜９のいずれか記載のヒドロキシアミノ化合物の製造方法（請求項１０）や、極性溶媒がテトラヒドロフランであることを特徴とする請求項７〜１０のいずれか記載のヒドロキシアミノ化合物の製造方法（請求項１１）に関する。
【００１８】
また、本発明は、一般式（III）
【００１９】
【化１２】
【００２０】
［式中、Ｒ１は未置換若しくは置換基を有するフェニル基又はアルキル基を表し、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は水素原子、未置換若しくは置換基を有するＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基、Ｃ３〜Ｃ６の環状炭化水素基又はアルコキシ基を表し、Ｒ２とＲ３とは結合してＣ５〜Ｃ７の環を形成してもよい。］で示されるアミノオキシ化合物を硫酸銅存在下、メタノール溶媒中で反応させることを特徴とするヒドロキシケトン化合物の製造方法（請求項１２）に関する。
【００２１】
また、本発明は、銀化合物のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体、Ｒ−ＴｏｌＢＩＮＡＰ錯体、Ｓ，Ｓ−メチル−ＤＵＰＨＯＳ錯体、Ｒ，Ｓ−ＢＰＰＦＡ錯体及びＲ−ＭＯＰ錯体から選ばれるキラルルイス酸を有効成分として含有し、一般式（Ｉ）
Ｒ１ＮＯ （Ｉ）
［式中、Ｒ１は未置換若しくは置換基を有するフェニル基又はアルキル基を表す。］で示されるニトロソ化合物と、一般式（II）
【００２２】
【化１３】
【００２３】
[式中、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は、水素原子、未置換若しくは置換基を有するＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基、Ｃ３〜Ｃ６の環状炭化水素基又はアルコキシ基を表し、Ｒ2とＲ3とは結合してＣ５〜Ｃ７の環を形成してもよく、Ｍ1はスズ原子を表し、ＬｎはＭ1で表される原子に結合し得るｎ個の独立した原子又は原子団を表す。]で示されるエノラート化合物とを反応させて、一般式（III）
【００２４】
【化１４】
【００２５】
［式中、Ｒ１は一般式（Ｉ）におけるＲ１と同じものを表し、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は一般式（II）におけるＲ２、Ｒ３、Ｒ４と同じものを表す。］で示されるアミノオキシ化合物を選択的に合成することを特徴とするアミノオキシ化合物選択的合成用触媒（請求項１３）に関し、好ましくは、一般式（Ｉ）で表されるニトロソ化合物が、未置換若しくは置換基を有するニトロソベンゼンであることを特徴とする請求項１３記載のアミノオキシ化合物選択的合成用触媒（請求項１４）や、一般式（II）におけるＲ２とＲ３とが結合して形成される環が、５員環又は６員環であることを特徴する請求項１３又は１４記載のアミノオキシ化合物選択的合成用触媒（請求項１５）や、一般式（II）におけるＭ１で表される原子に結合し得るｎ個の独立した原子又は原子団を表すＬｎが、３個の独立したＣ１〜Ｃ６のアルキル基を表すことを特徴とする請求項１３〜１５のいずれか記載のアミノオキシ化合物選択的合成用触媒（請求項１６）や、キラルルイス酸が、銀化合物のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体であることを特徴とする請求項１３〜１６のいずれか記載のアミノオキシ化合物選択的合成用触媒（請求項１７）や、銀化合物のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体が、銀トリフラート、四フッ化ホウ酸銀又は過塩素酸銀からなる群から選ばれた１種又は２種以上の銀化合物のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体であることを特徴とする請求項１７記載のアミノオキシ化合物選択的合成用触媒（請求項１８）に関する。
【００２６】
【発明の実施の形態】
本発明のアミノオキシ化合物の製造方法は、一般式（Ｉ）（式中、Ｒ1は未置換若しくは置換基を有するフェニル基又はアルキル基を表す。）で示されるニトロソ化合物と、一般式（II）（式中、Ｒ2〜Ｒ4は、水素原子、未置換若しくは置換基を有するＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基、Ｃ３〜Ｃ６の環状炭化水素基又はアルコキシ基を表し、Ｒ2とＲ3とは結合してＣ５〜Ｃ７の環を形成してもよく、Ｍ1は、スズ原子を表し、ＬｎはＭ1で表される原子に結合し得るｎ個の独立した原子又は原子団を表す。）で示されるエノラート化合物とを、所定のキラルルイス酸を含有する触媒の存在下で反応させ、一般式（III）（式中、Ｒ1は一般式（Ｉ）におけるＲ1と同じものを表し、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は一般式（II）におけるＲ2、Ｒ3、Ｒ4と同じものを表す。）で示されるアミノオキシ化合物を選択的に合成させる方法であれば、特に制限されるものではない。
【００２７】
本発明に用いられるニトロソ化合物は、一般式（Ｉ）で表され、顕著な求電子性を有し、一般式（II）で表されるスズエノラートに対し求核付加反応を生ぜしめるニトロソ基を有するものであり、一般式（Ｉ）中、Ｒ1は未置換若しくは置換基を有するフェニル基又はアルキル基を表す。一般式（Ｉ）におけるＲ1がアルキル基であるアルキルニトロソ化合物としては、ニトロソ基が第三級炭素原子に結合しているものが好ましく、具体的には、２−ニトロソイソブタン、２−ニトロソ−２−メチルペンタン等を例示することができる。また、一般式（Ｉ）におけるＲ1がフェニル基である芳香族ニトロソ化合物としては、ニトロソベンゼンを例示することができる。これらのアルキルニトロソ化合物や芳香族ニトロソ化合物の置換基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基等のアルキル基や、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、フェノキシ基、ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基等のアルコキシ基や、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子などを例示することができる。
【００２８】
かかる置換基を有する芳香族ニトロソ化合物としては、具体的には、ｏ−ニトロソトルエン、ｍ−ニトロソトルエン、ｐ−ニトロソトルエン、３，５−ジメチルニトロソベンゼン、ｏ−ニトロソエチルベンゼン、ｏ−ニトロソスチレン、ｏ−ニトロソアニソール、ｍ−ニトロソアニソール、ｐ−ニトロソアニソール、ｏ−ニトロソフェネトール、ｍ−ニトロソフェネトール、ｐ−ニトロソフェネトール、ｐ−フルオロニトロソベンゼン、ｐ−クロロニトロソベンゼン、ｐ−ブロモニトロソベンゼン等を例示することができる。
【００２９】
本発明に使用されるエノラート化合物は、一般式（II）で表され、式中、Ｒ2〜Ｒ4は、水素原子、未置換若しくは置換基を有するＣ１〜Ｃ６の非環状化水素基、Ｃ３〜Ｃ６の環状炭化水素基又はアルコキシ基を表し、Ｒ2とＲ3とは相互に結合してＣ５〜Ｃ７の環を形成してもよく、Ｍ1は、スズ原子を表し、ＬｎはＭ1で表される原子に結合し得るｎ個の独立した原子又は原子団を表すものであり、触媒として使用されるキラルルイス酸との組合せにおいて適宜選択される。かかる一般式（II）で表されるエノラート化合物は、式（VI）で表されるようにケトエノール互変異性体である。
【００３０】
【化１５】
【００３１】
かかる一般式（II）で表されるエノラート化合物における一般式（II）中、Ｒ2〜Ｒ4としては、水素原子、未置換若しくは置換基を有するＣ１〜Ｃ６非環状炭化水素基、Ｃ３〜Ｃ６の環状炭化水素基又はアルコキシ基が挙げられる。一般式（II）におけるＲ2〜Ｒ4で表わされるＣ１〜Ｃ６非環状炭化水素基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等のアルキル基を具体的に挙げることができ、Ｃ３〜Ｃ６の環状炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の脂環式炭化水素基や、フェニル基の芳香族炭化水素基を具体的に挙げることができ、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、フェノキシ基、ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基等を具体的に挙げることができる。
【００３２】
かかる一般式（II）におけるＲ2〜Ｒ4が表すＣ１〜Ｃ６非環状炭化水素や、Ｃ３〜Ｃ６の環状炭化水素基における置換基としては、特に制限されるものではないが、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基等のアルキル基や、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基などや、シクロプロピル基、シクロヘキシル基等の脂肪族炭化水素基や、フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、２，４−キシル基、２，４，６−メシチル基、ｏ−クメニル基、ｍ−クメニル基、ｐ−クメニル基、ベンジル基、フェネチル基等の芳香族炭化水素基などの環状炭化水素基を挙げることができる。
【００３３】
また、一般式（II）におけるＲ2とＲ3とが相互に結合してＣ５〜Ｃ７の環を形成する場合の一般式（II）で表されるエノールとしては、１位の炭素に不飽和結合を有するエノール型と１位にオキソ基を有するケト型との互変異性体であれば、特に制限されるものではなく、かかるＣ５〜Ｃ７の環としては、そのエノール型として１−シクロペンテニル基、１−シクロヘキシニル基、１−シクロヘプチニル基、ビシクロ[２．２．１]−１−ヘプチニル基、ビシクロ[２．２．１]−２−ヘプチニル基等を挙げることができるが、Ｃ５又はＣ６の環が好ましい。
【００３４】
更に、一般式（II）におけるＲ2とＲ3とが相互に結合して形成するＣ５〜Ｃ７の環における置換基としては、上記Ｒ2、Ｒ3が表すＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基や、Ｃ３〜Ｃ６の環状炭化水素基における置換基と同様の置換基を挙げることができ、環状の置換基はＲ2とＲ3とが相互に結合して形成するＣ５〜Ｃ７の環に縮合したベンゼン環であってもよい。
【００３５】
また、一般式（II）で表されるエノラート化合物の一般式（II）におけるＬｎは、Ｍ1で表されるスズ原子に結合し得る３個の独立した原子又は原子団であればいずれのものであってもよいが、相互に異なった又は同一のＣ１〜Ｃ６のアルキル基であることが好ましく、かかるＣ１〜Ｃ６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基等を挙げることができ、ｎ−ブチル基が特に好ましい。
【００３６】
このような一般式（II）で表されるエノラート化合物としては、具体的には、そのエノール型として、１−トリメチルスズオキシ−１−（ｎ−ブチル）エチレン、１−トリメチルスズオキシ−１−（ｎ−ブチル）−２−メチルエチレン、１−トリメチルスズオキシ−１−（ｎ−ペンチル）エチレン、１−トリメチルスズオキシ−１−（ｎ−ペンチル）−２−メチルエチレン、１−トリメチルスズ−１−（ｎ−ヘキシル）エチレン、１−トリメチルスズオキシ−１−（ｎ−ヘキシル）−２−メチルエチレン、１−トリメチルスズオキシ−１−シクロペンチルエチレン、１−トリメチルスズオキシ−１−シクロペンチル−２−メチルエチレン、１−トリメチルスズオキシ−１−シクロヘキシルエチレン、１−トリメチルスズオキシ−１−シクロヘキシル−２−メチルエチレン、１−トリメチルスズオキシ−１−フェニルエチレン、１−トリメチルスズオキシ−１−フェニル−２−メチルエチレン、１−トリメチルスズオキシ−１−シクロペンテン、１−トリメチルスズオキシ−２−メチル−１−シクロペンテン、１−トリメチルスズオキシ−１−インデン、１−トリメチルスズオキシ−２−メチル−１−インデン、１−トリメチルスズオキシ−１−シクロヘキセン、１−トリメチルスズオキシ−２−フェニル−１−シクロヘキセン、１−トリメチルスズオキシ−２，６，６−トリメチル−１−シクロヘキセン、１−トリメチルスズオキシ−２−フェニル−１−シクロヘプテンを挙げることができる。
【００３７】
本発明に使用される触媒として、所定のキラルルイス酸を含有する触媒が好ましい。所定のキラルルイス酸とは、光学活性を有する不斉構造を有し不斉誘導によりエノラート化合物に電子対受容体として作用してエノラート化合物のニトロソ化合物のＮ＝Ｏ原子団に対する求核攻撃を促進させ、ケト型スズエノラートのα位とニトロソ化合物の酸素原子への付加を位置選択的かつエナンチオ選択的に促進させる触媒であり、この触媒作用により一般式（III）で表されるアミノオキシ化合物が選択的に合成される。一般式（III）で表されるアミノオキシ化合物が選択的に合成されるのは、通常、一般式（Ｉ）で表されるニトロソ化合物は単量体と窒素原子が相互に結合した二量体との混合物となっており、所定のキラルルイス酸の存在によりかかる二量体の生成が促進されることにより、式（VII）に示すように、ニトロソ化合物の酸素原子に一般式（II）で表されるエノラート化合物が結合し、一般式（III）で表されるアミノオキシ化合物が生成すると考えられる。
【００３８】
【化１６】
【００３９】
かかる一般式（III）で表されるアミノオキシ化合物を合成する所定のキラルルイス酸触媒として、銀化合物のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体を好適に例示することができる。銀化合物のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体における銀化合物としては、特に制限されるものではなく、例えば、トリフラート（トリフルオロメタンスルホン酸）の銀塩（ＡｇＯＳＯ2ＣＦ3）（ＡｇＯＴｆ）や、四フッ化ホウ酸銀（ＡｇＢＦ4）、六フッ化アンチモン酸の銀塩（ＡｇＳｂＦ6）、六フッ化リン酸銀（ＡｇＰＦ6）、チオフラートの銀塩（ＡｇＮＴｆ2）等の銀フッ化物や、過塩素酸銀や酢酸銀等が挙げられ、このうち特に銀トリフラート、四フッ化ホウ酸銀、過塩素酸銀等が好ましい。また、銀化合物のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体におけるＲ−ＢＩＮＡＰは２，２′−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１′−ビナフチル類のＲ構造の光学異性体であって、ビナフトールに、塩基存在下、パーフルオロアルキルスルホニルハライド又はパーフルオロアルカンスルホン酸無水物を反応させて、ジパーフルオロアルキルスルホネートを得、これを塩基及びニッケル触媒の存在下、ジフェニルホスフィンと反応させる等、公知の方法に準じて生成することができる。得られたＲ−ＢＩＮＡＰから銀化合物との錯体を形成するには、Ｒ−ＢＩＮＡＰをメタノール等の溶液とし、この溶液に銀化合物を添加する等の公知の方法によることができる。また、Ｒ−ＢＩＮＡＰは市販のものを適用し、銀化合物のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体を容易に生成することができる。
【００４０】
また、銀化合物のＲ−ＴｏｌＢＩＮＡＰ錯体、Ｓ，Ｓ−メチル−ＤＵＰＨＯＳ錯体、Ｒ，Ｓ−ＢＰＰＦＡ錯体、Ｒ−ＭＯＰ錯体も光学活性を有する不斉構造を有し、キラルルイス酸触媒として好ましく、かかる錯体は式（VIII）に示すように、（ａ）〜（ｄ）に示す構造を有し、市販のものを適用し、銀化合物と共に溶媒に添加して容易に銀塩の錯体として容易に生成することができる。
【００４１】
【化１７】
【００４２】
かかるキラルルイス酸触媒は一般式（II）で表されるスズエノラート化合物との組合せにおいて適宜選択して使用される。一般式（II）で表されるスズエノラート化合物がニトロソ化合物の酸素原子に付加し一般式（III）で表されるアミノオキシ化合物の選択的合成が緩和される場合は、スズエノラート化合物の使用量を過剰に、例えば、ニトロソ化合物に対して通常１当量使用されるところを２当量程度に増加したり、あるいは、ブチルスズアセテート（Ｂｕ2Ｓｎ（ＯＡｃ）2）等のスズ化合物を触媒量添加することにより一般式（III）で表されるアミノオキシ化合物を選択的に合成することができる。かかるキラルルイス酸触媒の使用量としては、ニトロソ化合物に対して５〜１５ｍｏｌ％の範囲が好ましく、１０ｍｏｌ％程度がより好ましい。
【００４３】
尚、一定のキラルルイス酸触媒としては、後述する一般式（IV）で表されるヒドロキシアミノ化合物を選択的に合成する触媒となり得るものもある。一般式（IV）で表されるヒドロキシアミノ化合物を選択的に合成する触媒としては、銅化合物と式（VIII）（ｅ）に示すＳ，Ｓ−イソプロピル−ｐｙｂｏｘ錯体との化合物等を挙げることができ、銅化合物のＳ，Ｓ−イソプロピル−ｐｙｂｏｘ錯体としての銅化合物は、例えば、トリフラート（トリフルオロメタンスルホン酸）の銅塩（Ｃｕ（ＯＳＯ2ＣＦ3）2）（Ｃｕ（ＯＴｆ）2）等を挙げることができる。銅化合物のＳ，Ｓ−イソプロピル−ｐｙｂｏｘ錯体は溶媒にＳ，Ｓ−イソプロピル−ｐｙｂｏｘ錯体と銅化合物を添加して調製することができ、Ｓ，Ｓ−イソプロピル−ｐｙｂｏｘは市販のものを適用することにより、銅化合物のＳ，Ｓ−イソプロピル−ｐｙｂｏｘ錯体を調製することができる。
【００４４】
本発明の上記一般式（Ｉ）で表されるニトロソ化合物と一般式（II）で表されるエノラート化合物との反応に用いられる溶媒としては、特に制限されるものではないが、使用するニトロソ化合物、スズエノラート化合物や、反応生成物のアミノオキシ化合物や、触媒との関係において、適宜選択することができる。溶媒としては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香環をもつ溶媒、アセトニトリル等のニトリル溶媒等を使用することができ、これらの溶媒の１種又は２種以上を混合して使用することができる。これらのうちで、特に、テトラヒドロフラン、メタノール等が好ましい。
【００４５】
上記溶媒中で上記所定のキラルルイス酸触媒を使用して一般式（III）で表されるアミノオキシ化合物を選択的に合成するためには、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中、上記のニトロソ化合物の溶媒溶液に、スズエノラート化合物を、ニトロソ化合物１ｍｏｌに対して、１ｍｏｌ程度添加し、この混合溶液に、キラルルイス酸触媒を５〜１５ｍｏｌ％、好ましくは１０ｍｏｌ％程度を、−７８℃〜室温、好ましくは−７８〜０℃前後の温度で添加することができる。この条件下で反応させることによりニトロソ化合物の酸素原子にケト型スズエノラート化合物のα位の求核付加が生じ、ヒドロキシアミノ化合物が選択的に合成される。反応後、飽和食塩水を添加して反応を終了させることができ、得られたアミノオキシ化合物の精製は、公知の従来の方法で行うことができる。
【００４６】
本発明のニトロソ化合物への位置選択的かつエナンチオ選択的求核付加反応によって生成される一般式（III）で表されるアミノオキシ化合物としては、具体的には、２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−シクロペンタノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−シクロペンタノン、２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−インダノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−インダノン、２−（Ｎ−ｏ−トリルアミノオキシ）−１−シクロペンタノン、２−（Ｎ−ｐ−トリルアミノオキシ）−１−シクロペンタノン、２−[Ｎ−（３，５−キシル）アミノオキシ]−１−シクロペンタノン、２−[Ｎ−（ｐ−クロロフェニル）アミノオキシ]−１−シクロペンタノン、２−[Ｎ−（ｐ−ブロモフェニル）アミノオキシ]−１−シクロペンタノン、２−[Ｎ−（ｏ−アニソール）アミノオキシ]−１−シクロペンタノン、２−[Ｎ−（ｐ−アニソール）アミノオキシ]−１−シクロペンタノン、２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−シクロヘキサノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−シクロヘキサノン、２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−ベンゾ[ｅ]シクロヘキサノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−ベンゾ[ｅ]シクロヘキサノン、２−（Ｎ−ｏ−トリルアミノオキシ）−１−シクロヘキサノン、２−（Ｎ−ｐ−トリルアミノオキシ）−１−シクロヘキサノン、２−[Ｎ−（３，５−キシル）アミノオキシ]−１−シクロヘキサノン、２−[Ｎ−（ｐ−クロロフェニル）アミノオキシ]−１−シクロヘキサノン、２−[Ｎ−（ｐ−ブロモフェニル）アミノオキシ]−１−シクロヘキサノン、２−[Ｎ−（ｏ−アニソール）アミノオキシ]−１−シクロヘキサノン、２−[Ｎ−（ｐ−アニソール）アミノオキシ]−１−シクロヘキサノン等を例示することができる。
【００４７】
更に、一般式（III）で表されるアミノオキシ化合物としては、２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−シクロヘプタノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−シクロヘプタノン、２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−ベンゾ[ｆ]シクロヘプタノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−ベンゾ[ｆ]シクロヘプタノン、２−（Ｎ−ｏ−トリルアミノオキシ）−１−シクロヘプタノン、２−（Ｎ−ｐ−トリルアミノオキシ）−１−シクロヘプタノン、２−[Ｎ−（３，５−キシル）アミノオキシ]−１−シクロヘプタノン、２−[Ｎ−（ｐ−クロロフェニル）アミノオキシ]−１−シクロヘプタノン、２−[Ｎ−（ｐ−ブロモフェニル）アミノオキシ]−１−シクロヘプタノン、２−[Ｎ−（ｏ−アニソール）アミノオキシ]−１−シクロヘプタノン、２−[Ｎ−（ｐ−アニソール）アミノオキシ]−１−シクロヘプタノン等を例示することができる。
【００４８】
更に、一般式（III）で表されるアミノオキシ化合物としては、Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブトキシ）フェニルアミン、Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブトキシ）−ｏ−トリルアミン、Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブトキシ）−ｐ−トリルアミン、Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブトキシ）−（３，５−キシル）アミン、Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブトキシ）−（ｐ−クロロフェニル）アミン、Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブトキシ）−（ｏ−アニソール）アミン、Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブトキシ）−（ｐ−アニソール）アミン、Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエトキシ）フェニルアミン、Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエトキシ）−ｏ−トリルアミン、Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエトキシ）−ｐ−トリルアミン、Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエトキシ）−（３，５−キシル）アミン、Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエトキシ）−（ｐ−クロロフェニル）アミン、Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエトキシ）−（ｏ−アニソール）アミン、Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエトキシ）−（ｐ−アニソール）アミン等を例示することができる。
【００４９】
また、一般式（IV）で表されるヒドロキシアミノ化合物を選択的に合成する方法として、本発明のヒドロキシアミノ化合物の製造方法は、一般式（Ｉ）で示されるニトロソ化合物と一般式（Ｖ）で示されるエノラート化合物とを、極性溶媒中無触媒で反応させることを特徴とする。
本発明のヒドロキシアミノ化合物の製造方法における一般式（Ｉ）で示されるニトロソ化合物としては、上述のアミノオキシ化合物又はヒドロキシアミノ化合物の製造方法における一般式（Ｉ）で表されるニトロソ化合物と同様のものを挙げることができるが、特に芳香族ニトロソ化合物が好ましい。かかる一般式（Ｉ）で表されるニトロソ化合物として、具体的に、ニトロソベンゼン、ｏ−メチルニトロソベンゼン、ｐ−ブロモニトロソベンゼン、ｐ−メトキシニトロソベンゼン等を挙げることができ、これらのうち、ハロゲン原子等の求電子置換基を有する芳香族ニトロソ化合物、例えばｐ−ブロモニトロソベンゼン等がより好ましい。
【００５０】
本発明の一般式（Ｖ）で示されるエノラート化合物としては、式中、Ｒ2〜Ｒ4は、水素原子、未置換若しくは置換基を有するＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基、Ｃ３〜Ｃ６の環状炭化水素基又はアルコキシ基を表し、Ｒ2とＲ3とは結合してＣ５〜Ｃ７の環を形成してもよい。かかる一般式（Ｖ）におけるＲ2〜Ｒ4で表されるＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基、Ｃ３〜Ｃ６の環状炭化水素基又はアルコキシ基は、一般式（II）におけるＲ2〜Ｒ4と同様のものを表し、具体的に一般式（II）におけるＲ2〜Ｒ4と同様のものを例示することができ、これらの置換基としても一般式（II）におけるＲ2〜Ｒ4における場合と同様の置換基を挙げることができる。
【００５１】
本発明の一般式（Ｖ）におけるＭで表される金属原子としてはスズの他、アルカリ金属、アルカリ土類金属等であってもよいが、特に、スズ、リチウム、ナトリウム、マグネシウム等を好適なものとして例示することができる。また、一般式（Ｖ）におけるＬｎは、Ｍで表される金属原子に結合し得るｎ個の独立した原子又は原子団を表す。かかる原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子等を挙げることができ、原子団としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基等のアルキル基や、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基などを挙げることができる。具体的には、Ｍで表される金属原子が四価のスズの場合３個のｎ−ブチル基等を挙げることができ、Ｍで表される金属原子が二価のマグネシウムの場合１個のイソプロピル基や臭素原子等を挙げることができ、Ｍで表される金属原子が一価のリチウム、ナトリウム等ではＬｎとして表される原子又は原子団は存在しない。
【００５２】
本発明の一般式（Ｖ）で表されるエノラート化合物は、目的とするエノラート化合物に相当するエノール化合物と、目的とするエノラート化合物を構成する金属を含有する金属アミドとを溶媒中で混合することにより、例えば、エノール化合物１当量に対して金属アミド１．１当量等を混合して調製することができる。リチウムエノラートの場合は、例えば、リチウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ）とエノール化合物とを混合し、マグネシウムエノラートの場合は、例えば、ブロモマグネシウム−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアミドとエノール化合物とを混合し、ナトリウムエノラートの場合はナトリウムヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）とエノール化合物とを混合することにより調製することができる。
【００５３】
このような一般式（Ｖ）で表されるエノラート化合物としては、具体的には、そのエノール型として、上記に具体的に例示したスズエノラートの他、１−トリブチルスズオキシ−１−フェニル−２−メチルエチレン、１−トリブチルスズオキシ−１−エチル−２−メチルエチレン、１−トリブチルスズオキシ−１−シクロペンテン、１−トリブチルスズオキシ−２−メチル−１−シクロペンテン、１−トリブチルスズオキシ−１−インデン、１−トリブチルスズオキシ−２−メチル−１−インデン、１−トリブチルスズオキシ−１−シクロヘキセン、１−トリブチルスズオキシ−２−フェニル−１−シクロヘキセン、１−トリブチルスズオキシ−２−メチル−１−シクロヘキセン、１−トリブチルスズオキシ−１−シクロヘプテン、１−トリブチルスズオキシ−２−フェニル−１−シクロヘプテン、１−トリブチルスズオキシ−３，４−ジヒドロナフタリン等を挙げることができる。
【００５４】
更に、一般式（Ｖ）で表されるエノラート化合物としては、具体的には、そのエノール型として、リチウムオキシ−１−（ｔ−ブチル）−２−メチルエチレン、リチウムオキシ−１−フェニルエチレン、リチウムオキシ−１−フェニル−２−メチルエチレン、リチウムオキシ−１−メトキシ−２−メチルエチレン、リチウムオキシ−１−（ｎ−ペンチル）エチレン、リチウムオキシ−１−（ｎ−ペンチル）−２−メチルエチレン、リチウムオキシ−１−シクロペンチルエチレン、リチウムオキシ−１−シクロヘキシルエチレン、リチウムオキシ−１−シクロペンテン、リチウムオキシ−２−メチル−１−シクロペンテン、リチウムオキシ−１−インデン、リチウムオキシ−２−メチル−１−インデン、リチウムオキシ−１−シクロヘキセン、リチウムオキシ−２−メチル−１−シクロヘキセン、リチウムオキシ−２、６，６−トリメチル−１−シクロヘキセン、リチウムオキシ−２−フェニル−１−シクロヘキセン、リチウムオキシ−２−フェニル−１−シクロヘプテン、リチウムオキシ−３，４−ジヒドロナフタリン、リチウムオキシ−２−メチル−３，４−ジヒドロナフタリン等を挙げることができ、上記リチウムをナトリウムに変換したエノラート化合物を挙げることができる。
【００５５】
更に、一般式（Ｖ）で表されるエノラート化合物としては、具体的には、そのエノール型として、１−ブチルマグネシウムオキシ−１−（ｔ−ブチル）−２−メチルエチレン、１−ブチルマグネシウムオキシ−１−フェニルエチレン、１−ブチルマグネシウムオキシ−１−フェニル−２−メチルエチレン、１−ブチルマグネシウムオキシ−１−メトキシ−２−メチルエチレン、１−ブチルマグネシウムオキシ−１−（ｎ−ペンチル）エチレン、１−ブチルマグネシウムオキシ−１−（ｎ−ペンチル）−２−メチルエチレン、１−ブチルマグネシウムオキシー１−シクロペンチルエチレン、１−ブチルマグネシウムオキシ−１−シクロヘキシルエチレン、１−ブチルマグネシウムオキシ−１−シクロペンテン、１−ブチルマグネシウムオキシ−２−メチル−１−シクロペンテン、１−ブチルマグネシウムオキシ−１−インデン、１−ブチルマグネシウムオキシ−２−メチル−１−インデン、１−ブチルマグネシウムオキシ−１−シクロヘキセン、１−ブチルマグネシウムオキシ−２−メチル−１−シクロヘキセン、１−ブチルマグネシウムオキシ−２、６，６−トリメチル−１−シクロヘキセン、１−ブチルマグネシウムオキシ−２−フェニル−１−シクロヘキセン、１−ブチルマグネシウムオキシ−２−フェニル−１−シクロヘプテン、１−ブチルマグネシウムオキシ−３，４−ジヒドロナフタリン、１−ブチルマグネシウムオキシ−２−メチル−３，４−ジヒドロナフタリン等を挙げることができる。
【００５６】
本発明に使用される極性溶媒は、一般式（Ｉ）で表されるニトロソ化合物の窒素原子と一般式（Ｖ）で表されるエノラート化合物のα位とを選択的に結合させ、一般式（IV）で表されるヒドロキシアミノ化合物の合成を促進させる作用を有する。かかる極性溶媒としては特に制限されるものではないが、ＴＨＦ、ジエチルエーテル等が好ましい。かかる溶媒中においては、一般式（Ｉ）で表されるニトロソ化合物が単量体となり、式（IX）に示すように、一般式（Ｉ）で表されるニトロソ化合物の窒素原子に一般式（Ｖ）で表されるエノラート化合物が結合し、一般式（IV）で表されるヒドロキシアミノ化合物が選択的に合成される。
【００５７】
【化１８】
【００５８】
かかる溶媒を用いて一般式（IV）で表されるヒドロキシアミノ化合物を合成するには、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中、−７８℃〜室温、好ましくは−７８〜０℃前後の温度で、一般式（Ｉ）で表されるニトロソ化合物を添加し、一般式（Ｖ）で表されるエノラート化合物を、ニトロソ化合物１ｍｏｌに対して、１ｍｏｌ程度添加することにより行なうことができる。かかる溶媒中において、一般式（Ｉ）で表されるニトロソ化合物が単量体で存在し、エノラート化合物のα位とニトロソ化合物の窒素原子との付加反応を位置選択的かつエナンチオ選択的に促進させ、一般式（IV）で表されるヒドロキシアミノ化合物が選択的に合成される。一般式（Ｖ）で表されるスズエノラート化合物がニトロソ化合物の酸素原子に付加し一般式（IV）で表されるヒドロキシアミノ化合物の選択的合成が緩和される場合は、エノラート化合物の使用量を過剰に、例えば、ニトロソ化合物に対して１当量のところを２当量程度に増加することにより一般式（IV）で表されるヒドロキシアミノ化合物を選択的に合成することができる。
【００５９】
本発明のニトロソ化合物への位置選択的かつエナンチオ選択的求核付加反応によって生成される一般式（IV）で表されるヒドロキシアミノ化合物としては、具体的には、２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−シクロペンタノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−シクロペンタノン、２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−インダノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−インダノン、２−（Ｎ−ｏ−トリルヒドロキシアミノ）−１−シクロペンタノン、２−（Ｎ−ｐ−トリルヒドロキシアミノ）−１−シクロペンタノン、２−[Ｎ−（３，５−キシル）ヒドロキシアミノ]−１−シクロペンタノン、２−[Ｎ−（ｐ−クロロフェニル）ヒドロキシアミノ]−１−シクロペンタノン、２−[Ｎ−（ｐ−ブロモフェニル）ヒドロキシアミノ]−１−シクロペンタノン、２−[Ｎ−（ｏ−アニソール）ヒドロキシアミノ]−１−シクロペンタノン、２−[Ｎ−（ｐ−アニソール）ヒドロキシアミノ]−１−シクロペンタノン、２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−シクロヘキサノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−シクロヘキサノン、２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−ベンゾ[ｅ]シクロヘキサノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−ベンゾ[ｅ]シクロヘキサノン、２−（Ｎ−ｏ−トリルヒドロキシアミノ）−１−シクロヘキサノン、２−（Ｎ−ｐ−トリルヒドロキシアミノ）−１−シクロヘキサノン、２−[Ｎ−（３，５−キシル）ヒドロキシアミノ]−１−シクロヘキサノン、２−[Ｎ−（ｐ−クロロフェニル）ヒドロキシアミノ]−１−シクロヘキサノン、２−[Ｎ−（ｐ−ブロモフェニル）ヒドロキシアミノ]−１−シクロヘキサノン、２−[Ｎ−（ｏ−アニソール）ヒドロキシアミノ]−１−シクロヘキサノン、２−[Ｎ−（ｐ−アニソール）ヒドロキシアミノ]−１−シクロヘキサノン等を例示することができる。
【００６０】
更に、一般式（IV）で表されるヒドロキシアミノ化合物としては、具体的には、２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−シクロヘプタノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−シクロヘプタノン、２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−ベンゾ[ｆ]シクロヘプタノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−ベンゾ[ｆ]シクロヘプタノン、２−（Ｎ−ｏ−トリルヒドロキシアミノ）−１−シクロヘプタノン、２−（Ｎ−ｐ−トリルヒドロキシアミノ）−１−シクロヘプタノン、２−[Ｎ−（３，５−キシル）ヒドロキシアミノ]−１−シクロヘプタノン、２−[Ｎ−（ｐ−クロロフェニル）ヒドロキシアミノ]−１−シクロヘプタノン、２−[Ｎ−（ｐ−ブロモフェニル）ヒドロキシアミノ]−１−シクロヘプタノン、２−[Ｎ−（ｏ−アニソール）ヒドロキシアミノ]−１−シクロヘプタノン、２−[Ｎ−（ｐ−アニソール）ヒドロキシアミノ]−１−シクロヘプタノン等を例示することができる。
【００６１】
更に、一般式（IV）で表されるヒドロキシアミノ化合物としては、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブチル）フェニルヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブチル）−ｏ−トリルヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブチル）−ｐ−トリルヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブチル）−（３，５−キシル）ヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブチル）−（ｐ−クロロフェニル）ヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブチル）−（ｐ−ブロモフェニル）ヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブチル）−（ｏ−アニソール）ヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブチル）−（ｐ−アニソール）ヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエチル）フェニルヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエチル）−ｏ−トリルヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエチル）−ｐ−トリルヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエチル）−（３，５−キシル）ヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエチル）−（ｐ−クロロフェニル）ヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエチル）−（ｐ−ブロモフェニル）ヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエチル）−（ｏ−アニソール）ヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエチル）−（ｐ−アニソール）ヒドロキシアミン等を例示することができる。
【００６２】
また、本発明のヒドロキシケトン化合物の製造方法は、一般式（III）で表されるアミノオキシ化合物を硫酸銅存在下、溶媒中でＮ−Ｏ結合を開裂することを特徴とし、かかる溶媒としては、メタノールを使用することが好ましい。一般式（III）で表されるアミノオキシ化合物は、本発明の一般式（Ｉ）で表されるニトロソ化合物と、一般式（II）で表されるスズエノール化合物とから合成されたものを使用することにより、α−ヒドロキシケトン化合物を高収率で得ることができる。かかるα−ヒドロキシケトン化合物の合成は、０．３当量の硫酸銅存在下、メタノール溶媒中、０℃前後で、１２〜２４時間、好ましくは１２時間前後で反応させることにより行なうことができる。
【００６３】
【実施例】
以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明の技術的範囲はこれらの例示に限定されるものではない。
実施例１［キラルルイス酸触媒の選択］
アルゴン気流下、ＴＨＦ溶媒２ｍｌに、トリフラート銀塩２５．６ｍｇとＲ−ＢＩＮＡＰ６２．３ｍｇを溶かし、遮光して室温で２０分間攪拌し、トリフラート銀・Ｒ−ＢＩＮＡＰ錯体ＴＨＦ溶液を調製した。次に、アルゴン気流下、ＴＨＦ溶媒３ｍｌにニトロソベンゼン１０７．１ｍｇ（１ｍｍｏｌ）を溶かし、さらに、室温で５分間攪拌した。調製済みのトリフラート銀・Ｒ−ＢＩＮＡＰ錯体ＴＨＦ溶液を−７８℃に冷却後、ニトロソベンゼンＴＨＦ溶液を加え、続いて１−トリブチルスズオキシ−１−シクロヘキセン（１ａ）を加えた。−７８℃で２時間攪拌後、飽和食塩水を加えて反応を消化した。シリカゲルクロマトグラフィーにより反応生成物を精製し、分離後の収率と、反応生成物における２−（Ｎ、Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）シクロヘキサノン（１ｂ）と２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）シクロヘキサノン（１ｃ）の収率の比及び光学純度（ｅｅ）を求めた。結果を表１に示す。
【００６４】
同様にして調製したトリフラート銅・Ｓ，Ｓ−ｉ−Ｐｒ−ｐｙｂｏｘ錯体、トリフラート銅・Ｓ−ｔ−Ｂｕ−Ｂｏｘ錯体、過塩素酸鉛・Ｒ−ＢＩＮＡＰ錯体を触媒として、同様に反応を行ない、分離後の収率と、反応生成物における２−（Ｎ，Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）シクロヘキサノン（１ｂ）と、２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）シクロヘキサノン（１ｃ）の収率の比及び光学純度を同様に求めた。結果を表１に示す。また、触媒を使用せずに−２０℃で１時間、−７８℃で５時間行なった他は同様に反応を行なった。反応生成物の収率と、反応生成物における２−（Ｎ，Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）シクロヘキサノン（１ｂ）と、２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）シクロヘキサノン（１ｃ）の収率の比及び分離後の収率を同様に求めた。結果を表１に示す。
【００６５】
【表１】
【００６６】
結果から明らかなように、トリフラート銀・Ｒ−ＢＩＮＡＰ錯体を用いた場合、２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）シクロヘキサノン（１ｃ）を選択的に得ることができ、トリフラート銅・Ｓ，Ｓ−ｉ−Ｐｒ−ｐｙｂｏｘ錯体を用いた場合と触媒を使用しない場合、２−（Ｎ，Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）シクロヘキサノン（１ｂ）が選択的に得られることがわかった。
【００６７】
実施例２［アミノオキシ化合物選択的合成のキラルルイス酸触媒の選択］
実施例１と同様にして、表２に示す各銀化合物についてＲ−ＢＩＮＡＰ錯体を調製した。得られた各銀化合物のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体を触媒として、実施例１と同様に反応を行ない反応生成物を得た。得られた反応生成物の分離後の収率と、反応生成物における２−（Ｎ，Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）シクロヘキサノン（２ｂ）と、２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）シクロヘキサノン（２ｃ）の収率の比及び光学純度を同様に求めた。結果を表２に示す。
【００６８】
【表２】
【００６９】
結果からも明らかなように、銀塩のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体はいずれも２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）シクロヘキサノンの選択的合成に優れた触媒となり得ることがわかった。
【００７０】
実施例３［アミノオキシ化合物選択的合成のスズエノラートの基質適用範囲］
実施例２で調製した過塩素酸銀のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体、Ｒ−ＴｏｌＢＩＮＡＰ錯体、Ｓ，Ｓ−メチル−ＤＵＰＨＯＳ錯体、Ｒ，Ｓ−ＢＰＰＦＡ錯体、Ｒ−ＭＯＰ錯体をニトロソベンゼンに対して１０ｍｏｌ％用い、表３に示す各スズエノラートについて実施例１と同様にして反応を行ない反応生成物を得た。得られた反応生成物の分離後の収率と、反応生成物におけるＮ，Ｎ−フェニルヒドロキシアミノケトン（３ｂ）と、Ｎ−フェニルアミノオキシケトン（３ｃ）の収率の比及び光学純度を同様に求めた。結果を表３に示す。尚、表中、ａ）はスズエノラートを２当量用いて反応を行なった結果であり、ｂ）はジブチルスズジアセテート（Ｂｕ2Ｓｎ（ＯＡｃ）2）１０ｍｏｌ％添加して反応を行なった結果である。
【００７１】
【表３】
【００７２】
結果からもこれらの触媒はアミノオキシ化合物を選択的に得ることができることがわかった。アミノオキシ化合物の選択的合成が緩和された五員環ケトン由来のスズエノラートについては２当量を使用することにより、また、七員環ケトン由来のスズエノラートについては１０ｍｏｌ％のジブチルスズアセテートを添加することにより、アミノオキシ化合物が選択的に得られることがわかった。
【００７３】
実施例４［ヒドロキシアミノ化合物選択的合成のエノラートを構成する金属の選択］
ＴＨＦ溶媒２ｍｌに、２−メチル−１−インダノン（４ａ）１．１ｍｍｏｌと、リチウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ）、ブロロマグネシウム−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアミド又はナトリウムヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）１ｍｍｏｌとをそれぞれ添加し、各種金属のエノラートを調製した。その後、アルゴン気流下、ＴＨＦ溶媒５ｍｌ又はジエチルエーテル５ｍｌにニトロソベンゼン１０７．１ｍｇ（１ｍｍｏｌ）を溶かし、室温で５分間攪拌した後、この溶液を表４に示す最適温度に冷却後、得られた各種金属のエノラート１ｍｍｏｌを加えた。表４に示す時間攪拌後、飽和食塩水を加えて反応を消化した。シリカゲルクロマトグラフィーにより反応生成物を精製し、反応生成物を得た。分離後の収率と、反応生成物におけるＮ，Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ−２−メチル−１−インダノン（４ｂ）とＮ−フェニルアミノオキシ−２−メチル−１−インダノン（４ｃ）の収率の比を求めた。結果を表４に示す。
【００７４】
【表４】
【００７５】
結果からもリチウム、マグネシウム、ナトリウムのエノラート化合物から無触媒でヒドロキシアミノ化合物を選択的に得られることがわかった。
【００７６】
実施例５［ヒドロキシアミノ化合物選択的合成のスズエノラートの基質適用範囲］
アルゴン気流下、ＴＨＦ溶媒５ｍＬにニトロソベンゼン１０７．１ｍｇ（１ｍｍｏｌ）を溶かし、室温で５分間攪拌した。この溶液を−２０℃に冷却後、スズエノラート（５ａ）１ｍｍｏｌを加えた。−２０℃、２時間攪拌後、飽和食塩水を加えて反応を消化した。シリカゲルクロマトグラフィーにより反応生成物を精製し、反応生成物を得た。分離後の収率と、反応生成物におけるＮ，Ｎ−フェニルヒドロキシアミノケトン（５ｂ）とＮ−フェニルアミノオキシケトン（５ｃ）の収率の比を求めた。結果を表５に示す。尚、表中、ａ）はスズエノラートを２当量添加した結果を示す。１当量添加のときのＮ，Ｎ−フェニルヒドロキシアミノケトン（５ｂ）とＮ−フェニルアミノオキシケトン（５ｃ）の収率比は５３／４７であった。
【００７７】
【表５】
【００７８】
結果から明らかなように、表５に示すスズエノラートから無触媒でＮ，Ｎ−フェニルヒドロキシアミノケトン（５ｂ）が選択的に得られることがわかった。
【００７９】
実施例６［ヒドロキシアミノ化合物選択的合成のリチウムエノラートの基質適用範囲］
アルゴン気流下、ＴＨＦ溶媒５ｍｌにニトロソベンゼン１０７．１ｍｇ（１ｍｍｏｌ）を溶かし、室温で５分間攪拌した。この溶液を表６に示す温度に冷却後、リチウムエノラート１ｍｍｏｌを加えた。表６に示す温度で、５分〜１時間攪拌後、飽和食塩水を加えて反応を消化した。シリカゲルクロマトグラフィーにより反応生成物を精製し、反応生成物を得た。分離後のＮ，Ｎ−フェニルヒドロキシアミノケトンの収率を求めた。結果を表６に示す。尚、表中、エノラートの調製方法の欄に示すＡは、ＴＨＦ溶媒中、−７８〜０℃で対応ケトンとＬＤＡとの反応により調製されたことを示し、Ｂは、ＴＨＦ溶媒中、０℃〜室温で対応シリルエノールエーテルとｎ−ブチルリチウムとの反応により調製されたことを示す。結果を表６に示す。
【００８０】
【表６】
【００８１】
結果から明らかなように、表６に示すリチウムエノラートから、Ｎ−フェニルヒドロキシアミノケトンが選択的に得られることがわかった。
【００８２】
実施例７［ヒドロキシアミノ化合物選択的合成のニトロソ化合物の基質適用範囲］
アルゴン気流下、ＴＨＦ溶媒５ｍＬに表７に示すニトロソ化合物（７ａ）１ｍｍｏｌを溶かし、室温で５分間攪拌した。この溶液を−２０℃温度に冷却後、１−トリブチルスズオキシ−１−シクロヘキセン１ｍｍｏｌを加えた。−２０℃で、２又は１０時間攪拌後、飽和食塩水を加えて反応を消化した。シリカゲルクロマトグラフィーにより反応生成物を精製し、反応生成物を得た。分離後の収率を求めた。結果を表７に示す。
【００８３】
【表７】
【００８４】
結果から明らかなように、表７に示すニトロソ化合物（７ａ）からＮ，Ｎ−ヒドロキシアミノケトン（７ｂ）が選択的に得られることがわかった。
【００８５】
実施例８［α−ヒドロキシケトン化合物の合成］
アルゴン気流下、メタノール溶媒６ｍｌに実施例７で得られた２−（Ｎ−フェニルアミノキシ）シクロヘキサノン１ｍｍｏｌを溶かし、硫酸銅０．３ｍｍｏｌを添加し、０℃で１２時間攪拌後、飽和食塩水を加えて反応を消化した。シリカゲルクロマトグラフィーにより反応生成物を精製し、反応生成物を得た。得られた２−ヒドロキシシクロヘキサノンの収率は９２％であった。
結果から、本発明で得られたアミノオキシ化合物からＮ−Ｏ結合の開裂が良好に進行することがわかった。
【００８６】
【発明の効果】
本発明によれば、キラルルイス酸触媒を用いて、ニトロソ化合物とスズエノール化合物とからアミノオキシ化合物を選択的に収率よく合成することができ、また、所定の極性溶媒中無触媒でニトロソ化合物とエノラート化合物とからヒドロキシアミノ化合物を選択的に得ることができ、更に、得られたアミノオキシ化合物からヒドロキシケトン化合物を選択的に収率よく合成することができ、生理活性物質の合成へ導くことができる有用な化合物を効率よく合成することができる。
Claims (18)
- 一般式（Ｉ）
Ｒ１ＮＯ （Ｉ）
［式中、Ｒ１は未置換若しくは置換基を有するフェニル基又はアルキル基を表す。］で示されるニトロソ化合物と、一般式（II）
- 一般式（Ｉ）で表されるニトロソ化合物が、未置換若しくは置換基を有するニトロソベンゼンであることを特徴とする請求項１記載のアミノオキシ化合物の製造方法。
- 一般式（II）におけるＲ２とＲ３とが結合して形成される環が、５員環又は６員環であることを特徴する請求項１又は２記載のアミノオキシ化合物の製造方法。
- 一般式（II）におけるＭ１で表されるスズ原子に結合し得るｎ個の独立した原子又は原子団を表すＬｎが、３個の独立したＣ１〜Ｃ６のアルキル基を表すことを特徴とする請求項１〜３のいずれか記載のアミノオキシ化合物の製造方法。
- キラルルイス酸が、銀化合物のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか記載のアミノオキシ化合物の製造方法。
- 銀化合物のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体が、銀トリフラート、四フッ化ホウ酸銀又は過塩素酸銀からなる群から選ばれた１種又は２種以上の銀化合物のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体であることを特徴とする請求項５記載のアミノオキシ化合物の製造方法。
- 一般式（Ｉ）
Ｒ１ＮＯ （Ｉ）
［式中、Ｒ１は未置換若しくは置換基を有するフェニル基又はアルキル基を表す。］で示されるニトロソ化合物と、一般式（Ｖ）
- 一般式（Ｉ）で表されるニトロソ化合物が、未置換若しくは置換基を有するニトロソベンゼンであることを特徴とする請求項７記載のヒドロキシアミノ化合物の製造方法。
- 一般式（Ｖ）におけるＭで表される金属原子が、リチウム、ナトリウム、マグネシウム又はスズ原子のいずれかであることを特徴とする請求項７又は８記載のヒドロキシアミノ化合物の製造方法。
- 一般式（Ｖ）におけるＲ２とＲ３とが結合して形成される環が、５員環又は６員環であることを特徴する請求項７〜９のいずれか記載のヒドロキシアミノ化合物の製造方法。
- 極性溶媒がテトラヒドロフランであることを特徴とする請求項７〜１０のいずれか記載のヒドロキシアミノ化合物の製造方法。
- 一般式（III）
- 銀化合物のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体、Ｒ−ＴｏｌＢＩＮＡＰ錯体、Ｓ，Ｓ−メチル−ＤＵＰＨＯＳ錯体、Ｒ，Ｓ−ＢＰＰＦＡ錯体及びＲ−ＭＯＰ錯体から選ばれるキラルルイス酸を有効成分として含有し、一般式（Ｉ）
Ｒ１ＮＯ （Ｉ）
［式中、Ｒ１は未置換若しくは置換基を有するフェニル基又はアルキル基を表す。］で示されるニトロソ化合物と、一般式（II）
- 一般式（Ｉ）で表されるニトロソ化合物が、未置換若しくは置換基を有するニトロソベンゼンであることを特徴とする請求項１３記載のアミノオキシ化合物選択的合成用触媒。
- 一般式（II）におけるＲ２とＲ３とが結合して形成される環が、５員環又は６員環であることを特徴する請求項１３又は１４記載のアミノオキシ化合物選択的合成用触媒。
- 一般式（II）におけるＭ１で表される原子に結合し得るｎ個の独立した原子又は原子団を表すＬｎが、３個の独立したＣ１〜Ｃ６のアルキル基を表すことを特徴とする請求項１３〜１５のいずれか記載のアミノオキシ化合物選択的合成用触媒。
- キラルルイス酸が、銀化合物のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体であることを特徴とする請求項１３〜１６のいずれか記載のアミノオキシ化合物選択的合成用触媒。
- 銀化合物のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体が、銀トリフラート、四フッ化ホウ酸銀又は過塩素酸銀からなる群から選ばれた１種又は２種以上の銀化合物のＲ−ＢＩＮＡＰ錯体であることを特徴とする請求項１７記載のアミノオキシ化合物選択的合成用触媒。
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