JP4457884B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4457884B2 JP4457884B2 JP2004370605A JP2004370605A JP4457884B2 JP 4457884 B2 JP4457884 B2 JP 4457884B2 JP 2004370605 A JP2004370605 A JP 2004370605A JP 2004370605 A JP2004370605 A JP 2004370605A JP 4457884 B2 JP4457884 B2 JP 4457884B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- semiconductor device
- conductive film
- contact hole
- tin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
以下、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について説明する。
以下、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について説明する。
102 NiSi層
103 層間絶縁膜
104 コンタクトホール
105 Ti膜
106 TiN膜
107 W膜
201 半導体基板
202 NiSi層
203 層間絶縁膜
204 コンタクトホール
205 Ti膜
206 第1のTiN膜
207 第2のTiN膜
208 W膜
Claims (5)
- 半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成され前記半導体基板に接続する溝と、
前記溝の側壁に形成された単層からなる第1の導電膜と、
前記溝の底部に形成された、前記第1の導電膜とは異なる材料からなり、かつ、単層からなる第2の導電膜と、
前記溝の底部及び側壁において、前記第1の導電膜と前記第2の導電膜を覆うように形成された単層からなる第3の導電膜と、
前記溝を埋めるように形成された第4の導電膜とを有する半導体装置において、
前記第2の導電膜及び前記第3の導電膜は、前記第4の導電膜に対してバリア性を有する金属窒化膜であり、
前記第3の導電膜は、前記第1の導電膜及び前記第2の導電膜と比較して、薄いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記半導体基板の上面には、TiSi2層、CoSi2層又はNiSi層のいずれか1つが形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は2に記載の半導体装置において、
前記第1の導電膜はTi膜であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記第2の導電膜及び前記第3の導電膜はTiNであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置において、
第4の導電膜は、W膜であることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004370605A JP4457884B2 (ja) | 2004-12-22 | 2004-12-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004370605A JP4457884B2 (ja) | 2004-12-22 | 2004-12-22 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006179645A JP2006179645A (ja) | 2006-07-06 |
JP4457884B2 true JP4457884B2 (ja) | 2010-04-28 |
Family
ID=36733467
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004370605A Expired - Fee Related JP4457884B2 (ja) | 2004-12-22 | 2004-12-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4457884B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5204964B2 (ja) | 2006-10-17 | 2013-06-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2008311457A (ja) | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
CN103165439A (zh) * | 2013-03-15 | 2013-06-19 | 上海华力微电子有限公司 | 接触孔中的阻隔层及其制造方法 |
US11152305B1 (en) | 2020-07-20 | 2021-10-19 | Winbond Electronics Corp. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
-
2004
- 2004-12-22 JP JP2004370605A patent/JP4457884B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006179645A (ja) | 2006-07-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5103914B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP5430946B2 (ja) | 相互接続構造体形成方法 | |
TW541659B (en) | Method of fabricating contact plug | |
US20070126120A1 (en) | Semiconductor device | |
TWI694501B (zh) | 防止銅擴散的介電/金屬阻障集成 | |
US9899258B1 (en) | Metal liner overhang reduction and manufacturing method thereof | |
JP2005340808A (ja) | 半導体装置のバリア構造 | |
JP5141761B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
TW200400590A (en) | Method for forming copper metal line in semiconductor device | |
US20090026626A1 (en) | Method for fabricating semiconductor device and semiconductor device | |
KR100808601B1 (ko) | 다마신 공정을 이용한 반도체 소자의 다층 금속배선형성방법 | |
US9659817B1 (en) | Structure and process for W contacts | |
JP4457884B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5217272B2 (ja) | 配線の形成方法及び半導体装置の製造方法 | |
KR100632115B1 (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 | |
KR20070005870A (ko) | 반도체 소자의 구리 금속배선 형성방법 | |
JP2004179605A (ja) | アルミニウム金属配線形成方法 | |
JP5428151B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100515370B1 (ko) | 반도체 소자의 플러그 제조 방법 | |
KR101103550B1 (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
KR101158059B1 (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 | |
KR20080091989A (ko) | 반도체 소자의 배선 구조체 형성방법 및 이에 의해 제조된배선 구조체 | |
KR100252843B1 (ko) | 반도체 소자의 확산방지막 및 그 형성방법 | |
JP2015133382A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TW423139B (en) | Method for forming barrier layer on copper surface |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070918 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20071012 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090818 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090820 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091117 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091120 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091217 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100119 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100201 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130219 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |