JP4419680B2 - 結晶の分割方法 - Google Patents
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この方法発明は、例えば半導体デバイスの量産などに大いに有用なものである。
実際に、例えば下記の特許文献2などに例示されている要領で、c面を主面とする略板状の六方晶系の結晶を複数の長方形に分割すると、スクライブ線に沿って綺麗に割れないことが多く、このような事態は、特に、半導体デバイスを製造する場合に、その歩留りなどの点で深刻となる。
(1)それらの形状には必ず鋭角部分が存在するが、その鋭角部が欠け易い。
(2)分割などの形状加工を実施するための設備において、正三角形を基調とする構造や仕組みを取り入れざるを得ない。このことは、一般の加工設備が、基本的に直線や直角などを基調とした構造を備えていることが多いと言う点で不利である。
(3)半導体デバイスを製造する際に、電流の密度分布を理想的に実現し難い場合がある。また、電極などの設計に付いても必ずしも簡単ではなくなる。
(4)正三角形を基調とする三角形や菱形などは、その形を円に内接させる際に、その円に対する面積占有率を十分に高く確保することができない。このことは、例えばLEDなどの半導体デバイスを製造する際に、素子の小型化や高発光効率化の点などで不利となる場合が多い。
また、本発明の更なる目的は、c面を主面とする結晶成長基板を用いて製造される半導体デバイスの歩留りや生産性を改善することである。
ただし、上記の個々の目的は、本発明の個々の手段の内の少なくとも何れか1つによって、個々に達成されれば十分であって、本願の個々の発明(下記の個々の手段)は、上記の全ての課題を同時に解決する形態が存在することを必ずしも保証するものではない。
即ち、本発明の第1の手段は、板状の六方晶系の結晶のc面上における結晶分割形状が長方形となる様に結晶を複数に分割する工程において、結晶上に下記の所定の直交座標を固定した際に、c面に対してx軸の正の向きにスクライブを施す第1のスクライブ工程と、c面に対してy軸の正の向きにスクライブを施す第2のスクライブ工程と、この結晶に形成された各スクライブ線に沿ってこの結晶をブレーキングする長方形分割工程とを備えることである。ただし、ここで、上記の直交座標は、xy平面がc面と一致し、z軸の正の向きがc面の法線ベクトルの向きと一致し、かつ、結晶の一つのr面の法線ベクトルの極距離θと経度φが「0°<θ<90°、かつ、40°≦φ≦50°」を満たす右手系の直交座標とする。
また、z軸の正の向きがc面の法線ベクトルの向きと略一致するとは、z軸とc軸との成す角度が10°以内のことを言うものとする。ただし、このずれ角は、極力小さい方が望ましく、完全に一致する時に最良の結果が得られる。
以下、本明細書では六方晶系の結晶の任意に選んだ1つのr面の法線ベクトルを<r|と書く。また、1つのm面の法線ベクトルを<m|と書くことがある。
以上の本発明の手段により、前記の課題を効果的、或いは合理的に解決することができる。
即ち、本発明の第1の手段によれば、スクライブとブレーキングが良好に実施でき、分割対象となる上記の結晶を所望の長方形に分割することができる。これは、スクライブする方向だけではなく、スクライブする向きに対しても上記の様に六方晶系の性質に則して厳格な制約を課したためである。これにより、結晶は所望の長方形に分割できるため、分割後の各結晶はそのc面上において鋭角を持たない。したがって、これにより、鋭角部が欠けるなどの事態を払拭することもできる。
図1は、一般の六方晶系の結晶の模式的な斜視図であり、図2はこの図1の結晶を上から見下ろした平面図である。図1の単位ベクトル<r|は、任意に選んだ1つのr面の法線ベクトルを示しており、例えばサファイア結晶の場合にはこの法線ベクトル<r|の極距離θは約1ラジアンとなる。
なお、図1及び図2におけるxyz直交座標の配向は、図示される六方晶系の結晶の1つのr面の法線ベクトル<r|の経度φと、図示される1つのm面の法線ベクトル<m|の経度とが、何れも45°となる様に設定されている。
図3のグラフは、例えば図2の法線ベクトル<m|の向き(Φ=45°の向き)に、c面上でスクライブを施した場合には、そのスクライブ線に沿って結晶が割れることはないか、若しくは結晶が非常に割れ難いことを示している。また、このグラフは同時に、これとは逆向きのΦ=225°の向きにc面上にスクライブを施した場合には、そのスクライブ線に沿って結晶が綺麗に割れることを示している。
したがって、言い換えれば、スクライブを実施すべき所望の方向においては、この内積<ej |q>が大きくなる側の向きを選択することが、最も重要なことであると言うことができる。実際に、この内積<ej |q>が大きい場合ほど、図3にも示す様に、分離溝を弱い力でも深くシャープに形成することができる。これは、上記の内積<ej |q>が大きい場合ほど、スクライブの圧力が所定の分子構造に対して有効に作用するためだと考えられる。
実際に、直角(x軸の正の向き及びy軸の正の向き)に引くスクライブ線の幅、即ち分割に必要となるc面上での切りしろは、<r|の経度φが45°に近い場合ほど、事実上細く形成することができるので、この点でも本発明の第1の手段は有効である。
図4にサファイア基板の割れ易さの角度依存性を示す。本図のxyz直交座標は、図示するサファイア結晶に固定されているものであり、c軸はz軸と一致し、1つのr面の法線ベクトルの経度φは45°であり、かつ、その極距離θは57.6°(≒1ラジアン)になっている。
(記号の意味)
○ : スクライブ線に沿って容易かつ綺麗にブレーキングできる
△ : スクライブ線に沿って容易にブレーキングできることが多い
× : スクライブ線に沿ってはブレーキングできない
これらの調査結果から、本発明によれば、スクライブとブレーキングが良好に実施でき、分割対象となる上記の結晶を所望の長方形に綺麗に分割できることが判る。
特に、平面形状が略長方形の半導体デバイスを量産する際に、その半導体ウェハの結晶成長基板を本発明に基づいて、長方形に分割すれば、歩留りが大いに向上する。
c : c面
r : r面
n : n面
<r|: 1つのr面の法線ベクトル
<m|: 1つのm面の法線ベクトル
θ : 法線ベクトル<r|の極距離
φ : 法線ベクトル<r|の経度
Φ : スクライブの向きを表す経度
Claims (3)
- 板状の六方晶系の結晶のc面上における結晶分割形状が長方形となる様に前記結晶を複数に分割する方法であって、
xy平面が前記c面と一致し、z軸の正の向きが前記c面の法線ベクトルの向きと一致し、かつ、前記結晶の一つのr面の法線ベクトルの極距離θと経度φが「0°<θ<90°、かつ、40°≦φ≦50°」を満たす様に、前記結晶上に右手系の直交座標を固定した時に、
前記c面に対してx軸の正の向きにスクライブを施す第1のスクライブ工程と、
前記c面に対してy軸の正の向きにスクライブを施す第2のスクライブ工程と、
前記結晶に形成された各スクライブ線に沿って前記結晶をブレーキングする長方形分割工程と
を有することを特徴とする結晶の分割方法。 - 前記結晶はサファイアであり、
前記極距離θは1ラジアンであることを特徴とする請求項1に記載の結晶の分割方法。 - 前記結晶は、複数の半導体デバイスの集合体を構成する半導体ウェハの結晶成長基板であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の結晶の分割方法。
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