JP2005332892A5 - - Google Patents

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  1. 略板状の六方晶系の結晶のｃ面上における結晶分割形状が略長方形となる様に前記結晶を複数に分割する方法であって、
    ｘｙ平面が前記ｃ面と略一致し、ｚ軸の正の向きが前記ｃ面の法線ベクトルの向きと略一致し、かつ、前記結晶の一つのｒ面の法線ベクトルの極距離θと経度φが「０°＜θ＜９０°、かつ、４０°≦φ≦５０°」を満たす様に、前記結晶上に右手系の直交座標を固定した時に、
    前記ｃ面に対してｘ軸の正の向きにスクライブを施す第１のスクライブ工程と、
    前記ｃ面に対してｙ軸の正の向きにスクライブを施す第２のスクライブ工程と、
    前記結晶に形成された各スクライブ線に沿って前記結晶をブレーキングする長方形分割工程と
    を有することを特徴とする結晶の分割方法。
  2. 前記結晶はサファイアであり、
    前記極距離θは約１ラジアンであることを特徴とする請求項１に記載の結晶の分割方法。
  3. 前記結晶は、複数の半導体デバイスの集合体を構成する半導体ウェハの結晶成長基板であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の結晶の分割方法。
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