RU2013113212A - Подложка для солнечного элемента и солнечный элемент - Google Patents
Подложка для солнечного элемента и солнечный элемент Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013113212A RU2013113212A RU2013113212/28A RU2013113212A RU2013113212A RU 2013113212 A RU2013113212 A RU 2013113212A RU 2013113212/28 A RU2013113212/28 A RU 2013113212/28A RU 2013113212 A RU2013113212 A RU 2013113212A RU 2013113212 A RU2013113212 A RU 2013113212A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- corner
- solar cell
- recess
- plan
- substrate
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract 6
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 238000007373 indentation Methods 0.000 claims abstract 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 2
Classifications
-
- H01L31/04—
-
- H01L29/045—
-
- H01L29/0657—
-
- H01L31/02168—
-
- H01L31/022433—
-
- H01L31/0352—
-
- H01L31/035281—
-
- H01L31/065—
-
- H01L31/068—
-
- H01L31/182—
-
- H01L31/186—
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
1. Кремниевая подложка для формирования солнечного элемента квадратной формы с углами при наблюдении на виде в плане, которая снабжена фаской на одном углу или углублением на одном углу или вблизи него.2. Кремниевая подложка для формирования солнечного элемента квадратной формы при наблюдении на виде в плане, имеющая первый угол и второй угол, не диагонально противоположный первому углу, которая снабжена фаской на первом углу или углублением на первом углу или вблизи него и углублением на втором углу или вблизи него или фаской на втором углу, причем углубление или фаска на втором углу выбирается отличной от фаски или углубления на первом углу.3. Монокристаллическая кремниевая подложка для формирования солнечного элемента квадратной формы со скругленными углами при наблюдении на виде в плане, которая снабжена ориентационной плоской площадкой на одном углу или углублением на одном углу или вблизи него.4. Монокристаллическая кремниевая подложка для формирования солнечного элемента квадратной формы со скругленными углами при наблюдении на виде в плане, имеющая поверхность в плоскости (100), причем подложка снабжена ориентационной плоской площадкой или углублением в ориентации кристалла <110>, проходящей, по существу, через центр подложки.5. Монокристаллическая кремниевая подложка для формирования солнечного элемента квадратной формы со скругленными углами при наблюдении на виде в плане, которая снабжена ориентационной плоской площадкой на одном углу и углублением на другом углу или вблизи него, не диагонально противоположном одному углу.6. Солнечный элемент, содержащий подложку по любому из пп.1-5, в котором ди�
Claims (6)
1. Кремниевая подложка для формирования солнечного элемента квадратной формы с углами при наблюдении на виде в плане, которая снабжена фаской на одном углу или углублением на одном углу или вблизи него.
2. Кремниевая подложка для формирования солнечного элемента квадратной формы при наблюдении на виде в плане, имеющая первый угол и второй угол, не диагонально противоположный первому углу, которая снабжена фаской на первом углу или углублением на первом углу или вблизи него и углублением на втором углу или вблизи него или фаской на втором углу, причем углубление или фаска на втором углу выбирается отличной от фаски или углубления на первом углу.
3. Монокристаллическая кремниевая подложка для формирования солнечного элемента квадратной формы со скругленными углами при наблюдении на виде в плане, которая снабжена ориентационной плоской площадкой на одном углу или углублением на одном углу или вблизи него.
4. Монокристаллическая кремниевая подложка для формирования солнечного элемента квадратной формы со скругленными углами при наблюдении на виде в плане, имеющая поверхность в плоскости (100), причем подложка снабжена ориентационной плоской площадкой или углублением в ориентации кристалла <110>, проходящей, по существу, через центр подложки.
5. Монокристаллическая кремниевая подложка для формирования солнечного элемента квадратной формы со скругленными углами при наблюдении на виде в плане, которая снабжена ориентационной плоской площадкой на одном углу и углублением на другом углу или вблизи него, не диагонально противоположном одному углу.
6. Солнечный элемент, содержащий подложку по любому из пп.1-5, в котором диффузионный слой низкой концентрации сформирован на светоприемной поверхности подложки, и диффузионный слой высокой концентрации сформирован там, где нужно сформировать пальцевый электрод.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010189213A JP2012049285A (ja) | 2010-08-26 | 2010-08-26 | 太陽電池用基板及び太陽電池 |
JP2010-189213 | 2010-08-26 | ||
PCT/JP2011/068540 WO2012026357A1 (ja) | 2010-08-26 | 2011-08-16 | 太陽電池用基板及び太陽電池 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2013113212A true RU2013113212A (ru) | 2014-10-27 |
RU2569902C2 RU2569902C2 (ru) | 2015-12-10 |
Family
ID=45723359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2013113212/28A RU2569902C2 (ru) | 2010-08-26 | 2011-08-16 | Подложка для солнечного элемента и солнечный элемент |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20130153026A1 (ru) |
EP (1) | EP2610918B1 (ru) |
JP (1) | JP2012049285A (ru) |
KR (1) | KR101877277B1 (ru) |
CN (1) | CN103155165B (ru) |
AU (1) | AU2011294367C1 (ru) |
MY (1) | MY157356A (ru) |
RU (1) | RU2569902C2 (ru) |
SG (1) | SG187963A1 (ru) |
WO (1) | WO2012026357A1 (ru) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103165760B (zh) * | 2013-04-01 | 2015-08-05 | 南通大学 | 一种太阳能电池的选择性掺杂方法 |
DE102014224679A1 (de) * | 2014-12-02 | 2016-06-02 | Solarworld Innovations Gmbh | Solarzelle |
US10784396B2 (en) * | 2015-09-30 | 2020-09-22 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solar cell, solar cell module, and production method for solar cell |
CN204991745U (zh) * | 2015-10-12 | 2016-01-20 | 广东汉能薄膜太阳能有限公司 | 一种太阳能电池磨边机和一次清洗机联用的防堵片系统 |
FR3103965A1 (fr) * | 2019-12-02 | 2021-06-04 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Clivage de plaque pour la fabrication de cellules solaires |
CN111029440B (zh) | 2019-12-11 | 2022-01-28 | 晶科能源有限公司 | 一种单晶电池及单晶硅片的制作方法 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57173931A (en) * | 1981-04-17 | 1982-10-26 | Toshiba Corp | Substrate for semiconductor device |
JPS59104181A (ja) * | 1982-12-07 | 1984-06-15 | Seiko Epson Corp | 透明基板 |
JPS6088536U (ja) * | 1983-11-24 | 1985-06-18 | 住友電気工業株式会社 | 化合物半導体ウエハ |
JPS6146727U (ja) * | 1984-08-29 | 1986-03-28 | シャープ株式会社 | 太陽電池素子基板 |
JPH01217950A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-08-31 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JPH02130850A (ja) * | 1988-11-10 | 1990-05-18 | Hitachi Cable Ltd | 半導体ウエーハのマーキング方法 |
JPH11297799A (ja) * | 1998-04-10 | 1999-10-29 | Hitachi Cable Ltd | ノッチ付き半導体基板 |
JP2001026500A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Canon Inc | 薄膜単結晶デバイスの製造法 |
US6452091B1 (en) | 1999-07-14 | 2002-09-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing thin-film single-crystal device, solar cell module and method of producing the same |
JP2001085710A (ja) * | 1999-09-17 | 2001-03-30 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜太陽電池モジュール及びその製造方法 |
US6482661B1 (en) | 2000-03-09 | 2002-11-19 | Intergen, Inc. | Method of tracking wafers from ingot |
JP2002314059A (ja) * | 2001-04-18 | 2002-10-25 | Sony Corp | 受光素子用パッケージと受光装置の製造方法 |
US6524880B2 (en) | 2001-04-23 | 2003-02-25 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Solar cell and method for fabricating the same |
JP2003110041A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-11 | Kyocera Corp | 電子部品収納用パッケージ |
JP4170701B2 (ja) | 2002-07-31 | 2008-10-22 | 信越半導体株式会社 | 太陽電池及びその製造方法 |
JP2004193350A (ja) * | 2002-12-11 | 2004-07-08 | Sharp Corp | 太陽電池セルおよびその製造方法 |
JP2004217491A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Nikon Corp | 光学素子 |
JP3580311B1 (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-20 | 住友電気工業株式会社 | 表裏識別した矩形窒化物半導体基板 |
JP4660642B2 (ja) | 2003-10-17 | 2011-03-30 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池及びその製造方法 |
KR101073016B1 (ko) * | 2004-12-13 | 2011-10-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양전지 및 그 제조방법 |
EP1892767A1 (en) * | 2006-08-22 | 2008-02-27 | BP Solar Espana, S.A. Unipersonal | Photovoltaic cell and production thereof |
JP2008294364A (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
JP2008294365A (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
EP2168158B1 (en) | 2007-06-13 | 2013-06-05 | Conergy AG | Method for marking wafers |
WO2009057669A1 (en) * | 2007-11-01 | 2009-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing photoelectric conversion device |
WO2010068331A1 (en) * | 2008-12-10 | 2010-06-17 | Applied Materials, Inc. | Enhanced vision system for screen printing pattern alignment |
CN101533871A (zh) * | 2009-04-01 | 2009-09-16 | 常州天合光能有限公司 | 晶体硅太阳电池选择性扩散工艺 |
-
2010
- 2010-08-26 JP JP2010189213A patent/JP2012049285A/ja active Pending
-
2011
- 2011-08-16 KR KR1020137007249A patent/KR101877277B1/ko active IP Right Grant
- 2011-08-16 EP EP11819820.9A patent/EP2610918B1/en active Active
- 2011-08-16 MY MYPI2013000604A patent/MY157356A/en unknown
- 2011-08-16 RU RU2013113212/28A patent/RU2569902C2/ru active
- 2011-08-16 AU AU2011294367A patent/AU2011294367C1/en not_active Ceased
- 2011-08-16 SG SG2013014196A patent/SG187963A1/en unknown
- 2011-08-16 WO PCT/JP2011/068540 patent/WO2012026357A1/ja active Application Filing
- 2011-08-16 CN CN201180048928.1A patent/CN103155165B/zh active Active
- 2011-08-16 US US13/819,256 patent/US20130153026A1/en not_active Abandoned
-
2015
- 2015-11-17 US US14/943,390 patent/US10141466B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20130111540A (ko) | 2013-10-10 |
AU2011294367A1 (en) | 2013-03-21 |
CN103155165B (zh) | 2016-01-27 |
US20160141438A1 (en) | 2016-05-19 |
RU2569902C2 (ru) | 2015-12-10 |
WO2012026357A1 (ja) | 2012-03-01 |
AU2011294367B2 (en) | 2014-11-27 |
MY157356A (en) | 2016-05-31 |
JP2012049285A (ja) | 2012-03-08 |
EP2610918A1 (en) | 2013-07-03 |
US10141466B2 (en) | 2018-11-27 |
US20130153026A1 (en) | 2013-06-20 |
AU2011294367C1 (en) | 2015-05-14 |
EP2610918B1 (en) | 2018-12-05 |
EP2610918A4 (en) | 2017-03-29 |
SG187963A1 (en) | 2013-04-30 |
CN103155165A (zh) | 2013-06-12 |
KR101877277B1 (ko) | 2018-07-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2013113212A (ru) | Подложка для солнечного элемента и солнечный элемент | |
EP2998992A3 (en) | Semiconductor module | |
JP2016006872A5 (ja) | 半導体装置 | |
WO2015172586A1 (zh) | 一种灵敏元芯片 | |
JP2012129234A5 (ru) | ||
JP2013149965A5 (ru) | ||
EP2631945A3 (en) | Microelectronic package with terminals on dielectric mass | |
JP2011119667A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2012098628A5 (ru) | ||
EP2690683A3 (en) | Transparent conductive oxide thin film substrate, method of fabricating the same, and organic light-emitting device and photovoltaic cell having the same | |
CL2012000113A1 (es) | Dispositivo fotovoltaico formado por un material de celda solar y un vidrio modelado con una superficie en contacto directo con dicho material y con una superficie con porciones convexas que tienen una parte superior plana de menor ancho que el material solar para que la luz se distribuya uniformemente sobre dicho material. | |
JP2012084853A5 (ja) | 半導体装置の作製方法、及び、半導体装置 | |
HK1111807A1 (en) | Solar cell | |
TW201234653A (en) | Group III nitride semiconductor light-emitting device | |
MY183477A (en) | Passivation of light-receiving surfaces of solar cells with crystalline silicon | |
EP2846363A3 (en) | Solar cell | |
EP2369697A3 (en) | Semiconductor laser element and method of manufacturing thereof | |
EP2642525A3 (en) | Solar cell | |
JP2013008960A5 (ru) | ||
MX2015007055A (es) | Capa de siembra para contacto conductor de celda solar. | |
EP2362438A3 (en) | Light emitting device and method of manufacturing the same | |
EP2704205A3 (en) | Texturing of monocrystalline semiconductor substrates to reduce incident light reflectance | |
JP2014049752A (ja) | 太陽電池モジュール | |
WO2018234411A3 (en) | ELECTROMAGNETIC RADIATION DETECTOR | |
RU2012101130A (ru) | Полупроводниковый приемник инфракрасного излучения |