CN101533871A - 晶体硅太阳电池选择性扩散工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种晶体硅太阳电池选择性扩散工艺，包括在正面电极栅线区域进行高浓度磷扩散，在正面电极区域外进行低浓度磷扩散，包括以下步骤：先将硅片清洗制绒后在硅片上制备一层致密的二氧化硅膜作为扩散阻挡层，然后采用激光刻槽技术选择性去除电极栅线区域的氧化膜并形成一定深度的凹槽，再进行高浓度磷扩散在电极区域形成重掺杂。本发明提供的工艺所制备的选择性发射极太阳电池，不仅短波效率高，而且具有较低的电极电阻及接触电阻，与传统采用的光刻技术腐蚀电极图形相比，设备成本低，生产效率高，适用于晶体硅太阳电池的工业化生产。

Description

晶体硅太阳电池选择性扩散工艺
技术领域
本发明涉及晶体硅太阳电池加工技术领域，尤其是一种晶体硅太阳电池选择性扩散工艺。
背景技术
目前选择性发射极太阳电池传统的实现工艺是采用光刻掩膜技术和二次扩散的方法来实现的，但是这种过分复杂的工艺影响了其工艺效率，增加了生产成本，不能被强调简单和低成本的太阳电池企业所接受，而其他的二次扩散方法和掩膜方法也会增加工艺的复杂性，而且电池效率增加的收益不足以弥补成本的增加和工艺效率的下降所带来的损失，因而其工业化应用也受到了限制。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：提出一种生产成本低，生产效率高，适用于晶体硅太阳电池工业化生产的晶体硅太阳电池选择性扩散工艺。
本发明所采用的技术方案为：(1)一种晶体硅太阳电池选择性扩散工艺，包括在正面电极栅线区域进行高浓度磷扩散，在正面电极区域外进行低浓度磷扩散，包括的步骤为：将硅片清洗制绒后在硅片上制备一层致密的二氧化硅膜作为扩散阻挡层，然后采用激光刻槽技术选择性去除电极栅线区域的氧化膜并形成一定深度的凹槽，之后再进行高浓度磷扩散在电极区域形成重掺杂，同时在电极区域外形成轻掺杂。(2)一种晶体硅太阳电池选择性扩散工艺，包括在正面电极栅线区域进行高浓度磷扩散，在正面电极区域外进行低浓度磷扩散，包括的步骤为：将硅片清洗制绒后先在硅片表面进行低浓度磷扩散，然后在扩散后的硅片表面制备一层致密的二氧化硅膜，之后采用激光刻槽技术选择性的去除电极栅线区域的氧化膜并形成一定深度的凹槽，最后再进行高浓度磷扩散在电极区域形成重掺杂。(3)一种晶体硅太阳电池选择性扩散工艺，包括在正面电极栅线区域进行高浓度磷扩散，在正面电极区域外进行低浓度磷扩散，包括的步骤为：将硅片清洗制绒后在硅片上制备一层致密的二氧化硅膜作为扩散阻挡层，然后采用激光刻槽技术选择性去除电极栅线区域的氧化膜并形成一定深度的凹槽，之后再进行高浓度磷扩散在电极区域形成重掺杂，去除二氧化硅膜掩膜后进行低浓度扩散。
本发明进一步包括所述的方案(1)或方案(2)或方案(3)中激光刻槽的工艺为：
a)采用532nm或355nm激光器对硅片表面二氧化硅层进行选择性刻蚀，刻蚀深度在1-10um范围，主栅电极区域刻蚀宽度在2mm+0.1mm，细栅线电极区域刻蚀宽度在50-120um范围；
b)激光刻蚀后对硅片表面进行清洗，去除刻槽区的激光损伤层。
本发明还进一步包括所述的方案(1)或方案(2)或方案(3)中高浓度扩散的工艺为：
a)使用链式扩散炉或管式扩散炉，温度870-900℃，扩散时间40min；
b)电极栅线区域下扩散电阻为25-30欧姆，电极栅线外区域扩散电阻80-85欧姆。
本发明的有益效果是：本发明提供的工艺所制备的选择性发射极太阳电池，不仅短波效率高，而且具有较低的电极电阻及接触电阻，与传统采用的光刻技术腐蚀电极图形相比，设备成本低，生产效率高，适用于晶体硅太阳电池的工业化生产。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明工艺路线1的路线图；
图2是本发明工艺路线2的路线图；
图3是本发明工艺路线3的路线图。
具体实施方式
现在结合附图和优选实施例对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。
本发明实施时，先在硅片上通过热氧化、蒸发或溅射方法制备20nm-150nm厚度的掩膜层，然后在掩膜层上利用激光按照正电极印刷栅线图形进行划线刻槽，并通过调节激光器的频率和功率等工艺参数得到不同的刻槽效果，其中通过调整掩膜层的厚度等参数可以得到形成选择性反射结构。
在较薄的掩膜层情况下，通过一次高浓度扩散就能够在栅线刻槽区域形成重掺杂，而在其他区域形成所要求的浅掺杂，如图1所示，一种晶体硅太阳电池选择性扩散工艺，包括在正面电极栅线区域进行高浓度磷扩散，在正面电极区域外进行低浓度磷扩散，包括的步骤为：将硅片清洗制绒后在硅片上制备一层致密的二氧化硅膜作为扩散阻挡层，然后采用激光刻槽技术选择性去除电极栅线区域的氧化膜并形成一定深度的凹槽，之后再进行高浓度磷扩散在电极区域形成重掺杂，同时在电极区域外形成轻掺杂。
在较厚的掩膜层情况下，通过一次高浓度扩散仅能够在栅线刻槽区域形成重掺杂，在其他区域不能达到要求的浅掺杂，因此需要再进行一步低浓度扩散以达到浅掺杂结构，如图3所示，一种晶体硅太阳电池选择性扩散工艺，包括在正面电极栅线区域进行高浓度磷扩散，在正面电极区域外进行低浓度磷扩散，包括的步骤为：将硅片清洗制绒后在硅片上制备一层致密的二氧化硅膜作为扩散阻挡层，然后采用激光刻槽技术选择性去除电极栅线区域的氧化膜并形成一定深度的凹槽，之后再进行高浓度磷扩散在电极区域形成重掺杂，最后进行低浓度扩散。
另外，也可以先在硅片表面做低浓度扩散形成浅掺杂后再做掩膜层、激光刻槽，之后进行高浓度扩散，在刻槽区域形成重掺杂结构，如图2所示，一种晶体硅太阳电池选择性扩散工艺，包括在正面电极栅线区域进行高浓度磷扩散，在正面电极区域外进行低浓度磷扩散，包括的步骤为：将硅片清洗制绒后先在硅片表面进行低浓度磷扩散，然后在扩散后的硅片表面制备一层致密的二氧化硅膜，之后采用激光刻槽技术选择性的去除电极栅线区域的氧化膜并形成一定深度的凹槽，最后再进行高浓度磷扩散在电极区域形成重掺杂。
如图1或图2或图3所示，本发明中工艺路线1或工艺路线2或工艺路线3中的激光刻槽的工艺为：
a)采用532nm或355nm激光器对硅片表面二氧化硅层进行选择性刻蚀，刻蚀深度在1-10um范围，主栅电极区域刻蚀宽度在2mm+0.1mm，细栅线电极区域刻蚀宽度在50-120um范围；
b)激光刻蚀后对硅片表面进行清洗，去除刻槽区的激光损伤层。
如图1或图2或图3所示，本发明中工艺路线1或工艺路线2或工艺路线3中高浓度扩散的工艺为：
a)使用链式扩散炉或管式扩散炉，温度870-900，扩散时间40min；
b)电极栅线区域下扩散电阻为25-30欧姆，电极栅线外区域扩散电阻80-85欧姆。
以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。

Claims (5)

1、一种晶体硅太阳电池选择性扩散工艺，包括在正面电极栅线区域进行高浓度磷扩散，在正面电极区域外进行低浓度磷扩散，其特征在于：将硅片清洗制绒后在硅片上制备一层致密的二氧化硅膜作为扩散阻挡层，然后采用激光刻槽技术选择性去除电极栅线区域的氧化膜并形成一定深度的凹槽，之后再进行高浓度磷扩散在电极区域形成重掺杂，同时在电极区域外形成轻掺杂。
2、一种晶体硅太阳电池选择性扩散工艺，包括在正面电极栅线区域进行高浓度磷扩散，在正面电极区域外进行低浓度磷扩散，其特征在于：将硅片清洗制绒后先在硅片表面进行低浓度磷扩散，然后在扩散后的硅片表面制备一层致密的二氧化硅膜，之后采用激光刻槽技术选择性的去除电极栅线区域的氧化膜并形成一定深度的凹槽，最后再进行高浓度磷扩散在电极区域形成重掺杂。
3、一种晶体硅太阳电池选择性扩散工艺，包括在正面电极栅线区域进行高浓度磷扩散，在正面电极区域外进行低浓度磷扩散，其特征在于：将硅片清洗制绒后在硅片上制备一层致密的二氧化硅膜作为扩散阻挡层，然后采用激光刻槽技术选择性去除电极栅线区域的氧化膜并形成一定深度的凹槽，之后再进行高浓度磷扩散在电极区域形成重掺杂，去除二氧化硅膜掩膜后进行低浓度扩散。
4、如权利要求1或2或3所述的一种晶体硅太阳电池选择性扩散工艺，其特征在于：所述的步骤2)中激光刻槽的工艺为：
a)采用532nm或355nm激光器对硅片表面二氧化硅层进行选择性刻蚀，刻蚀深度在1-10um范围，主栅电极区域刻蚀宽度在2mm+0.1mm，细栅线电极区域刻蚀宽度在50-120um范围；
b)激光刻蚀后对硅片表面进行清洗，去除刻槽区的激光损伤层。
5、如权利要求1或2或3所述的一种晶体硅太阳电池选择性扩散工艺，其特征在于：所述的步骤3)中高浓度扩散的工艺为：
a)使用链式扩散炉或管式扩散炉，温度870-900℃，扩散时间40min；
b)电极栅线区域下扩散电阻为25-30欧姆，电极栅线外区域扩散电阻80-85欧姆。
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Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101866984A (zh) * 2010-05-18 2010-10-20 常州亿晶光电科技有限公司 对晶体硅电池片表面选择性掺杂制发射级的方法
CN101950770A (zh) * 2010-07-22 2011-01-19 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池选择性发射极结构的制备方法
CN101976702A (zh) * 2010-07-28 2011-02-16 常州天合光能有限公司 选择性发射极太阳能电池的制造工艺及结构
CN101976707A (zh) * 2010-09-17 2011-02-16 江苏林洋太阳能电池及应用工程技术研究中心有限公司 晶体硅选择性发射极太阳电池制造工艺
CN101976708A (zh) * 2010-09-22 2011-02-16 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种提高晶体硅太阳能电池光电转换效率的方法
CN102145602A (zh) * 2010-11-19 2011-08-10 山东力诺太阳能电力股份有限公司 一种晶体硅选择性发射极电池的印刷对位方法
CN102244136A (zh) * 2010-05-12 2011-11-16 中国科学院微电子研究所 一种制备叉指背接触双面太阳能电池的方法
CN102290492A (zh) * 2011-08-31 2011-12-21 无锡赛晶太阳能有限公司 一种晶体硅太阳能电池片的扩散制备工艺
CN102315317A (zh) * 2011-07-04 2012-01-11 常州天合光能有限公司 反应离子刻蚀制绒结合选择性发射极太阳能电池制造工艺
CN102456765A (zh) * 2010-10-14 2012-05-16 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 选择性发射极电池的制作方法
CN102629647A (zh) * 2012-05-03 2012-08-08 上海联孚新能源科技有限公司 一种太阳能电池的制造方法
CN102800757A (zh) * 2012-08-28 2012-11-28 英利集团有限公司 N型太阳能电池及其制造工艺
CN103066164A (zh) * 2013-01-31 2013-04-24 英利集团有限公司 一种n型太阳能电池及其制作方法
CN103155165A (zh) * 2010-08-26 2013-06-12 信越化学工业株式会社 用于太阳电池的基板和太阳电池
CN103219425A (zh) * 2013-04-10 2013-07-24 中国科学院微电子研究所 一种用于超小绒面高效太阳电池的电极结构的制备方法
WO2013143255A1 (zh) * 2012-03-28 2013-10-03 泰通(泰州)工业有限公司 一种晶体硅太阳能电池选择性发射极的制备方法
CN103515483A (zh) * 2013-09-09 2014-01-15 中电电气（南京）光伏有限公司 一种晶体硅太阳能电池发射结的制备方法
CN105374668A (zh) * 2015-11-02 2016-03-02 吉林华微电子股份有限公司 重掺杂硅衬底高品质屏蔽式扩散方法
CN107742655A (zh) * 2017-09-18 2018-02-27 东方环晟光伏（江苏）有限公司 选择性发射极电池结构及其制备方法
CN109285918A (zh) * 2018-09-04 2019-01-29 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 一种太阳能电池的制备工艺
CN109638109A (zh) * 2018-12-11 2019-04-16 湖南红太阳光电科技有限公司 一种选择性发射极的制备方法、选择性发射极电池的制备方法
CN110491971A (zh) * 2019-08-22 2019-11-22 东方环晟光伏（江苏）有限公司 一种大尺寸叠瓦电池制绒工艺
CN110880543A (zh) * 2019-12-20 2020-03-13 遵义师范学院 一种双面太阳能电池背面发射极的制备方法
CN111739958A (zh) * 2020-07-01 2020-10-02 江苏顺风光电科技有限公司 N型电池正面se结构的制备方法
CN112071958A (zh) * 2020-09-24 2020-12-11 山西潞安太阳能科技有限责任公司 一种新型p型晶硅电池发射极接触钝化制备工艺
CN112582485A (zh) * 2020-12-15 2021-03-30 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种太阳能电池及其制作方法
CN112599617A (zh) * 2020-12-15 2021-04-02 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种太阳能电池及其制作方法
CN114566554A (zh) * 2020-11-27 2022-05-31 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司 激光掺杂选择性发射极太阳能电池的制作方法
CN114628535A (zh) * 2020-12-10 2022-06-14 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司 一种选择性发射极及其制备方法
CN115148856A (zh) * 2022-07-14 2022-10-04 上饶捷泰新能源科技有限公司 一种太阳能电池选择性掺杂方法和制作方法

Cited By (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102244136A (zh) * 2010-05-12 2011-11-16 中国科学院微电子研究所 一种制备叉指背接触双面太阳能电池的方法
CN101866984B (zh) * 2010-05-18 2015-01-07 常州亿晶光电科技有限公司 对晶体硅电池片表面选择性掺杂制发射级的方法
CN101866984A (zh) * 2010-05-18 2010-10-20 常州亿晶光电科技有限公司 对晶体硅电池片表面选择性掺杂制发射级的方法
CN101950770B (zh) * 2010-07-22 2013-04-24 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池选择性发射极结构的制备方法
CN101950770A (zh) * 2010-07-22 2011-01-19 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池选择性发射极结构的制备方法
CN101976702A (zh) * 2010-07-28 2011-02-16 常州天合光能有限公司 选择性发射极太阳能电池的制造工艺及结构
US10141466B2 (en) 2010-08-26 2018-11-27 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Substrate for solar cell, and solar cell
CN103155165B (zh) * 2010-08-26 2016-01-27 信越化学工业株式会社 用于太阳电池的基板和太阳电池
CN103155165A (zh) * 2010-08-26 2013-06-12 信越化学工业株式会社 用于太阳电池的基板和太阳电池
CN101976707A (zh) * 2010-09-17 2011-02-16 江苏林洋太阳能电池及应用工程技术研究中心有限公司 晶体硅选择性发射极太阳电池制造工艺
CN101976708A (zh) * 2010-09-22 2011-02-16 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种提高晶体硅太阳能电池光电转换效率的方法
CN102456765A (zh) * 2010-10-14 2012-05-16 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 选择性发射极电池的制作方法
CN102145602A (zh) * 2010-11-19 2011-08-10 山东力诺太阳能电力股份有限公司 一种晶体硅选择性发射极电池的印刷对位方法
CN102315317A (zh) * 2011-07-04 2012-01-11 常州天合光能有限公司 反应离子刻蚀制绒结合选择性发射极太阳能电池制造工艺
CN102290492A (zh) * 2011-08-31 2011-12-21 无锡赛晶太阳能有限公司 一种晶体硅太阳能电池片的扩散制备工艺
WO2013143255A1 (zh) * 2012-03-28 2013-10-03 泰通(泰州)工业有限公司 一种晶体硅太阳能电池选择性发射极的制备方法
CN102629647A (zh) * 2012-05-03 2012-08-08 上海联孚新能源科技有限公司 一种太阳能电池的制造方法
CN102800757B (zh) * 2012-08-28 2016-03-16 英利集团有限公司 N型太阳能电池及其制造工艺
CN102800757A (zh) * 2012-08-28 2012-11-28 英利集团有限公司 N型太阳能电池及其制造工艺
CN103066164A (zh) * 2013-01-31 2013-04-24 英利集团有限公司 一种n型太阳能电池及其制作方法
CN103219425A (zh) * 2013-04-10 2013-07-24 中国科学院微电子研究所 一种用于超小绒面高效太阳电池的电极结构的制备方法
CN103515483A (zh) * 2013-09-09 2014-01-15 中电电气（南京）光伏有限公司 一种晶体硅太阳能电池发射结的制备方法
CN105374668A (zh) * 2015-11-02 2016-03-02 吉林华微电子股份有限公司 重掺杂硅衬底高品质屏蔽式扩散方法
CN105374668B (zh) * 2015-11-02 2021-06-11 吉林华微电子股份有限公司 重掺杂硅衬底高品质屏蔽式扩散方法
CN107742655A (zh) * 2017-09-18 2018-02-27 东方环晟光伏（江苏）有限公司 选择性发射极电池结构及其制备方法
CN109285918A (zh) * 2018-09-04 2019-01-29 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 一种太阳能电池的制备工艺
CN109638109B (zh) * 2018-12-11 2020-07-10 湖南红太阳光电科技有限公司 一种选择性发射极的制备方法、选择性发射极电池的制备方法
CN109638109A (zh) * 2018-12-11 2019-04-16 湖南红太阳光电科技有限公司 一种选择性发射极的制备方法、选择性发射极电池的制备方法
CN110491971B (zh) * 2019-08-22 2024-05-31 环晟光伏(江苏)有限公司 一种大尺寸叠瓦电池制绒工艺
CN110491971A (zh) * 2019-08-22 2019-11-22 东方环晟光伏（江苏）有限公司 一种大尺寸叠瓦电池制绒工艺
CN110880543A (zh) * 2019-12-20 2020-03-13 遵义师范学院 一种双面太阳能电池背面发射极的制备方法
CN111739958A (zh) * 2020-07-01 2020-10-02 江苏顺风光电科技有限公司 N型电池正面se结构的制备方法
CN112071958A (zh) * 2020-09-24 2020-12-11 山西潞安太阳能科技有限责任公司 一种新型p型晶硅电池发射极接触钝化制备工艺
CN114566554A (zh) * 2020-11-27 2022-05-31 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司 激光掺杂选择性发射极太阳能电池的制作方法
CN114628535A (zh) * 2020-12-10 2022-06-14 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司 一种选择性发射极及其制备方法
CN112599617A (zh) * 2020-12-15 2021-04-02 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种太阳能电池及其制作方法
CN112582485B (zh) * 2020-12-15 2024-04-09 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种太阳能电池及其制作方法
CN112582485A (zh) * 2020-12-15 2021-03-30 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种太阳能电池及其制作方法
CN115148856A (zh) * 2022-07-14 2022-10-04 上饶捷泰新能源科技有限公司 一种太阳能电池选择性掺杂方法和制作方法

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