JP4417235B2

JP4417235B2 - 発振器

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Publication number: JP4417235B2
Application number: JP2004353274A
Authority: JP
Inventors: 達也鶴岡; 健司鈴木
Original assignee: NGK Insulators Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd
Priority date: 2004-12-06
Filing date: 2004-12-06
Publication date: 2010-02-17
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Description

本発明は、複数の誘電体層が積層されて構成された誘電体基板内に、少なくとも位相器と、電力分配器とを有し、光通信機器に用いられる電圧制御発振器等の発振器に関する。

電子機器の小型化、薄型化の影響により、光通信機器に使用される発振器等も同じく小型化、薄型化の要求が強まっている。

従来の発振器は、ガラスエポキシ基板上にチップ部品を実装したものであって、構成部品の搭載面積が大きくなり、小型化は困難であった。

そこで、小型化を実現するために、ガラスエポキシ基板等の有機多層基板を用いた発振器は、配線とストリップラインを基板の層間に形成し、表層に個別部品を搭載していたが、実装する部品のレイアウトで基板サイズが決まるため、配線の線幅を狭くしたり、小型チップ部品を実装して基板の搭載面積を小さくするようにしている。

一方、低誘電率アルミナ等の誘電体基板を用いた発振器は、厚膜形成手法で形成できる受動部品及び配線を誘電体基板の内層に収納できるため、表層に搭載する個別部品数を低減することができ、基板面積をさらに小さくすることができる（特許文献１参照）。

また、誘電体基板内に形成される回路を集中定数回路ではなく、分布定数回路とすることで、部品点数を大幅に減らすようにした例もある（例えば特許文献２〜４参照）。なお、集中定数回路を分布定数回路とする場合に、渦巻状に形成された２つののストリップラインを誘電体層を間に挟んで対向させることで、小型化を有効に図ることができる例も開示されている（例えば特許文献５及び６参照）。

特開２００２−５７５２５号公報特開平４−２０７５１２号公報特開２００１−３１３５０１号公報特開２００３−１１０３６０号公報特開昭５１−７８６７１号公報特開平５−２４３８２０号公報

しかしながら、従来においては、集中定数回路を分布定数回路に変更することと、分布定数回路の形状を特定することで小型化を図ることがほとんどであり、誘電体基板内での回路要素の配置については、何ら示唆していない。すなわち、回路要素の配置も考慮に入れることで、集中定数回路でも十分に小型化が図れ、また、分布定数回路に変更することで、部品点数の低減と小型化を図ることができ、発振器を実装した電子機器の小型化をさらに促進させることができる。

本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、回路要素の配置も考慮に入れることで、発振器自体の小型化並びに該発振器を実装した電子機器の小型化をさらに促進させることができる発振器を提供することを目的とする。

本発明に係る発振器は、複数の誘電体層が積層されて構成された誘電体基板に、少なくとも位相器と、電力分配器とを有する発振器であって、前記誘電体基板内に、前記位相器のカプラを構成する複数の電極が形成された第１の形成領域と、前記位相器の反射回路を構成する複数の電極が形成された第２の形成領域と、前記電力分配器を構成する複数の電極が形成された第３の形成領域とを有し、前記第１の形成領域、前記第２の形成領域及び前記第３の形成領域が、それぞれ平面的に分離した位置に配置されていることを特徴とする。

これにより、誘電体基板内に形成される回路要素（位相器のカプラ及び反射回路及び電力分配器）と接続される外部回路を、誘電体基板上に配置できる程度に誘電体基板の主面（例えば）上面の面積を確保しつつ、発振器の低背化及び小型化を図ることができる。これは、本発明に係る発振器を実装した電子機器の小型化をも図ることができることにつながる。

そして、前記構成において、前記第２の形成領域が、前記誘電体基板の平面上、ほぼ中央に配置され、前記第１の形成領域が、前記誘電体基板の平面上、前記第２の形成領域と前記誘電体基板の一方の端面の間に形成され、前記第３の形成領域が、前記誘電体基板の平面上、前記第２の形成領域と前記誘電体基板の他方の端面の間に形成されていてもよい。

これにより、誘電体基板内での平面的な配置でみると、位相器の反射回路が位相器のカプラと電力分配器の間に形成された形態となる。所望の特性が得られるように回路定数が決められて形成される位相器のカプラと電力分配器が互いに離間する位置に配置され、その間に位相器の反射回路が配置された形態となる。従って、第１〜第３の形成領域を、位相器のカプラと電力分配器とが電磁的に干渉することなく、しかも、コンパクトにまとめることが可能となる。

このように、本発明においては、回路要素の配置も考慮に入れるようにしたので、集中定数回路でも十分に小型化が図れ、また、分布定数回路に変更することで、部品点数の低減と小型化を図ることができ、発振器を実装した電子機器の小型化をさらに促進させることができる。

また、前記構成において、前記第１の形成領域には、前記位相器のカプラを構成する２つの渦巻状のストリップライン電極が誘電体層を間に挟んで対向されて形成されていてもよい。

つまり、特許文献６にも示すように、集中定数回路を単に直線状のストリップライン電極にした場合、直線状のストリップライン電極の長さとしてλ／４が必要であることから、例えば１ＧＨｚの信号では、７．５ｃｍ（但し、比誘電率＝１とする）もの長さは必要になり、直線状のストリップライン電極を結合させるためには、比較的広い面積が必要になり、小型化と性能維持を両立させることは困難である。

しかし、２つのストリップライン電極を渦巻状とし、かつ、これら２つのストリップライン電極が誘電体層を間に挟んで対向させることで、伝送特性インピーダンスを高くすることができ、小型化と性能維持を両立させることが可能となる。

なお、前記第２の形成領域には、複数のインダクタンス用電極とコンデンサ用電極が形成され、前記複数のインダクタンス用電極のインダクタンスによって前記位相器の反射回路のインダクタンスが構成され、前記複数のコンデンサ用電極と前記誘電体基板に形成されたグランド用電極で形成された静電容量によって、前記位相器の反射回路のキャパシタンスが構成されてもよい。

また、前記第３の形成領域には、複数のインダクタンス用電極と複数のコンデンサ用電極が形成され、前記複数のインダクタンス用電極のインダクタンスによって前記電力分配器のインダクタンスが構成され、前記複数のコンデンサ用電極と前記誘電体基板に形成されたグランド電極で形成された静電容量によって、前記電力分配器のキャパシタンスが構成されていてもよい。

この場合、前記位相器の反射回路のインダクタンスを構成する前記複数のインダクタンス用電極と、前記位相器の反射回路のキャパシタンスを構成する前記複数のコンデンサ用電極とを、前記誘電体基板における複数の誘電体層の積層方向上下に分離して配置し、前記電力分配器のインダクタンスを構成する前記複数のインダクタンス用電極と、前記電力分配器のキャパシタンスを構成する前記複数のコンデンサ用電極とを、前記誘電体基板における複数の誘電体層の積層方向上下に分離して配置することが好ましい。

すなわち、誘電率が異なる複数の誘電体層を積層させることで、インダクタンス用電極が形成される部分の誘電率と、キャパシタンス用電極が形成される部分の誘電率を容易に変えることができ、さらなる小型化に寄与させることができるからである。

また、本発明において、前記第３の形成領域には、前記電力分配器を構成する２つの渦巻状のストリップライン電極が誘電体層を間に挟んで対向されて形成されていてもよい。この場合、伝送特性インピーダンスを高くすることができ、小型化と性能維持を両立させることが可能となる。

そして、前記第２の形成領域には、複数のインダクタンス用電極とコンデンサ用電極が形成され、前記複数のインダクタンス用電極のインダクタンスによって前記位相器の反射回路のインダクタンスが構成され、前記複数のコンデンサ用電極と前記誘電体基板に形成されたグランド用電極で形成された静電容量によって、前記位相器の反射回路のキャパシタンスが構成されてもよい。

この場合、前記位相器の反射回路のインダクタンスを構成する前記複数のインダクタンス用電極と、前記位相器の反射回路のキャパシタンスを構成する前記複数のコンデンサ用電極とを、前記誘電体基板における複数の誘電体層の積層方向上下に分離して配置することが好ましい。

以上説明したように、本発明に係る発振器によれば、回路要素の配置も考慮に入れることで、発振器自体の小型化並びに該発振器を実装した電子機器の小型化をさらに促進させることができる。

以下、本発明に係る発振器を例えば電圧制御発振器に適用した実施の形態例を図１〜図５を参照しながら説明する。

まず、本実施の形態に係る発振器１０は、図１に示すように、位相器１２と、発振子１４と、増幅器１６と、電力分配器１８とを有する。

位相器１２は、カプラ２０と反射回路２２とを有し、制御端子２４に供給された制御電圧Ｖｔによって、位相器１２を通過する信号の位相を変化させる。すなわち、発振周波数を変化させる。発振子１４は、特定の周波数のみで発振し、表面波発振子あるいは水晶発振子などが用いられる。増幅器１６は、発振子１４からの信号を増幅する回路であり、電源端子２６には電源電圧Ｖｃｃが供給される。電力分配器１８は、増幅器１６からの信号を位相器１２側と出力端子２８に分配する。

そして、本実施の形態においては、図２に示すように、複数の誘電体層が積層されて構成された誘電体基板３０に、少なくとも位相器１２のカプラ２０と、位相器１２の反射回路２２と、電力分配器１８とを有する。位相器１２のカプラ２０、位相器１２の反射回路２２、電力分配器１８は、それぞれ図示しないが、集中定数回路にて構成されている。

図２及び図３に示すように、誘電体基板３０の第１の側面３０ａには、制御端子２４と、ＮＣ端子（無接続端子）３２と、出力端子２８とが形成され、誘電体基板３０の第２の側面３０ｂ（第１の側面３０ａと反対側の側面）には、２つのグランド端子３４ａ及び３４ｂと電源端子２６とが形成されている。また、誘電体基板３０の第３の側面３０ｃ及び第４の側面３０ｄ（第３の側面３０ｃと反対側の側面）には、それぞれグランド端子３４ｃ及び３４ｄが形成されている。

そして、誘電体基板３０内に、位相器１２のカプラ２０を構成する電極が形成された第１の形成領域Ａ１と、位相器１２の反射回路２２を構成する複数の電極が形成された第２の形成領域Ａ２と、電力分配器１８を構成する複数の電極が形成された第３の形成領域Ａ３とを有する。

第１の形成領域Ａ１、第２の形成領域Ａ２及び第３の形成領域Ａ３は、図２及び図３に示すように、誘電体基板３０内において、それぞれ平面的に分離した位置に配置されている。

具体的には、第２の形成領域Ａ２が、誘電体基板３０の平面上、ほぼ中央に配置され、第１の形成領域Ａ１が、誘電体基板３０の平面上、第２の形成領域Ａ２と誘電体基板の一方の端面（第４の側面３０ｄ）の間に形成され、第３の形成領域Ａ３が、誘電体基板３０の平面上、第２の形成領域Ａ２と誘電体基板３０の他方の端面（第３の側面３０ｃ）の間に形成されている。

このように、本実施の形態に係る発振器１０においては、誘電体基板３０内に形成される回路要素（位相器１２のカプラ２０、位相器１２の反射回路２２及び電力分配器１８）と接続される外部回路（位相器１２の一部、発振子１４及び増幅器１６）を、誘電体基板３０上に配置できる程度に誘電体基板３０の主面（例えば）上面の面積を確保しつつ、発振器１０の低背化及び小型化を図ることができる。これは、本実施の形態に係る発振器１０を実装した電子機器の小型化をも図ることができることにつながる。

しかも、誘電体基板３０内での平面的な配置でみると、位相器１２の反射回路２２が位相器１２のカプラ２０と電力分配器１８の間に形成された形態としたので、所望の特性が得られるように回路定数が決められて形成される位相器１２のカプラ２０と電力分配器１８とが互いに離間する位置に配置し、その間に反射回路２２が配置された形態とすることができる。従って、第１〜第３の形成領域Ａ１〜Ａ３を、位相器１２のカプラ２０と電力分配器１８とが互いに電磁的に干渉することなく、しかも、コンパクトにまとめることが可能となる。

各回路素子（位相器１２のカプラ２０、位相器１２の反射回路２２及び電力分配器１８）間の電磁結合の発生を抑制するためには、位相器１２のカプラ２０のインダクタンス成分と電力分配器１８のインダクタンス成分を離すのがよい。インダクタンス成分を構成する電極の形状が大きいからである。従って、反射回路２２のインダクタンス成分を、位相器１２のカプラ２０のインダクタンス成分と電力分配器１８のインダクタンス成分から等距離に置くのが好ましい。また、位相器１２のカプラ２０のインダクタンス成分と反射回路２２のインダクタンス成分との間、並びに電力分配器１８のインダクタンス成分と反射回路２２のインダクタンス成分との間にそれぞれ図示しないグランドビア（誘電体基板３０に形成されたグランド電極につながるビア）を形成することで、位相器１２のカプラ２０のインダクタンス成分と反射回路２２のインダクタンス成分との間の距離、並びに電力分配器１８のインダクタンス成分と反射回路２２のインダクタンス成分との間の距離を短縮することができ、発振器１０の小型化をさらに促進させることができる。

このように、本実施の形態においては、回路要素の配置も考慮に入れるようにしたので、集中定数回路でも十分に小型化が図れ、発振器１０を実装した電子機器の小型化を促進させることができる。

次に、第１の変形例に係る発振器１０ａについて図４を参照しながら説明する。この第１の変形例に係る発振器１０ａは、位相器１２のカプラ２０が２つのストリップライン電極を渦巻状とし、かつ、これら２つのストリップライン電極が誘電体層を間に挟んで対向されて構成されている点で異なる。

具体的に説明すると、この第１の変形例に係る発振器１０ａは、図４に示すように、複数の誘電体層が積層、焼成一体化されて構成された誘電体基板３０を有する。

誘電体基板は、位相器１２のカプラ２０、反射回路２２及び電力分配器１８が形成された主要回路形成部分３０Ａと、該主要回路形成部分３０Ａの上部に積層され、位相器１２のカプラ２０、反射回路２２及び電力分配器１８と外部回路とを接続するための接続部が形成された図示しない接続部形成部分とを有する。以下の説明では、主として主要回路形成部分３０Ａの構成について説明する。

誘電体基板３０の主要回路形成部分３０Ａは、図４に示すように、上から順に、第１の誘電体層Ｓ１〜第５の誘電体層Ｓ５が積み重ねられて構成されている。これら第１〜第５の誘電体層Ｓ１〜Ｓ５は１枚あるいは複数枚の層にて構成される。

誘電体基板３０の主要回路形成部分３０Ａ内には、上述したように、位相器１２のカプラ２０、反射回路２２及び電力分配器１８が形成されている。すなわち、位相器１２のカプラ２０と電力分配器１８とが互いに離間する位置に配置され、その間に反射回路２２が配置された形態となっている。

第１の誘電体層Ｓ１及び第５の誘電体層Ｓ５の各主面には、それぞれ内層グランド電極４２及び４４が形成されている。これら内層グランド電極４２及び４４は、図３に示すように、誘電体基板３０の側面に形成されたグランド端子３４ａ〜３４ｄに接続されている。

そして、図４に示すように、第２の誘電体層Ｓ２の主面には、位相器１２のカプラ２０を構成する第１の渦巻状のストリップライン電極４０ａと、反射回路２２を構成する第１のインダクタンス用電極４６ａと、電力分配器１８を構成する第１のインダクタンス用電極４８ａが形成されている。また、第３の誘電体層Ｓ３の主面には、位相器１２のカプラ２０を構成する第２の渦巻状のストリップライン電極４０ｂと、反射回路２２を構成する第２のインダクタンス用電極４６ｂと、電力分配器１８を構成する第２のインダクタンス用電極４８ｂが形成されている。第１の渦巻状のストリップライン電極４０ａと第２の渦巻状のストリップライン電極４０ｂは、第２の誘電体層Ｓ２を間に挟んで互いに対向する位置に形成されている。

第４の誘電体層Ｓ４の主面には、位相器１２の反射回路２２を構成するコンデンサ電極５０と、電力分配器１８を構成するコンデンサ電極５２が形成されている。

つまり、図４に示すように、第２及び第３の誘電体層Ｓ２及びＳ３に形成された第１及び第２のインダクタンス用電極４６ａ及び４６ｂで位相器１２の反射回路２２のインダクタンス成分が構成され、第４の誘電体層Ｓ４に形成されたコンデンサ電極５０と内層グランド電極４４とで反射回路２２のキャパシタンス成分（静電容量）が構成される。

また、第２及び第３の誘電体層Ｓ２及びＳ３に形成された第１及び第２の渦巻状のストリップライン電極４０ａ及び４０ｂで位相器１２のカプラ２０が構成される。

さらに、第２及び第３の誘電体層Ｓ２及びＳ３に形成された第１及び第２のインダクタンス用電極４８ａ及び４８ｂで電力分配器１８のインダクタンス成分が構成され、第４の誘電体層Ｓ４に形成されたコンデンサ電極５２と内層グランド電極４４とで電力分配器１８のキャパシタンス成分（静電容量）が構成される。

このように、第１の変形例に係る発振器１０ａにおいては、上述した実施の形態に係る発振器１０と同様に、位相器１２のカプラ２０と電力分配器１８とが互いに離間する位置に配置され、その間に反射回路２２が配置された形態となっているため、位相器１２のカプラ２０と電力分配器１８とが互いに電磁的に干渉することなく、しかも、コンパクトにまとめることが可能となる。

また、この第１の変形例では、位相器１２のカプラ２０を、第１及び第２の渦巻状のストリップライン電極４０ａ及び４０ｂを第２の誘電体層Ｓ２を間に挟んで対向させて構成するようにしたので、伝送特性インピーダンスを高くすることができ、小型化と性能維持を両立させることが可能となる。

そのため、位相器１２のカプラ２０を集中定数回路で構成した場合よりも部品点数を大幅に低減させることができ、コストの低廉化に有利となる。また、直線状のストリップライン電極の分布定数回路で構成した場合よりも大幅な小型化を図ることができる。

また、この第１の変形例に係る発振器１０ａにおいては、第２及び第３の誘電体層Ｓ２及びＳ３に、位相器１２のカプラ２０を構成する第１及び第２の渦巻状のストリップライン電極４０ａ及び４０ｂと、位相器１２の反射回路２２を構成する第１及び第２のインダクタンス用電極４６ａ及び４６ｂと、電力分配器１８を構成する第１及び第２のインダクタンス用電極４８ａ及び４８ｂを形成し、第４の誘電体層Ｓ４に、位相器１２の反射回路２２を構成するコンデンサ電極５０と、電力分配器１８を構成するコンデンサ電極５２を形成するようにしている。

すなわち、インダクタンス用電極が形成される部分とコンデンサ電極が形成される部分を、誘電体基板３０における複数の誘電体層の積層方向上下に分離して配置するようにしている。

そのため、誘電率が異なる複数の誘電体層を積層させることで、インダクタンス用電極が形成される部分の誘電率と、コンデンサ電極が形成される部分の誘電率を容易に変えることができ、さらなる小型化に寄与させることができる。

上述した第１の変形例に係る発振器１０ａでは、例えば第２の誘電体層Ｓ２にカプラ２０を構成する第１の渦巻状のストリップライン電極４０ａと反射回路２２を構成する第１のインダクタンス用電極４６ａと電力分配器を構成する第１のインダクタンス用電極４８ａを形成するようにしているが、それぞれ別の誘電体層に形成するようにしてもよい。これは、第３の誘電体層Ｓ３に形成された第２の渦巻状のストリップライン電極４０ｂ、第２のインダクタンス用電極４６ｂ及び第２のインダクタンス用電極４８ｂや、第４の誘電体層Ｓ４に形成された反射回路２２を構成するコンデンサ用電極５０と電力分配器１８を構成するコンデンサ用電極５２についても同様である。

次に、第２の変形例に係る発振器１０ｂについて図５を参照しながら説明する。なお、図４と対応する部材については同符号を付してその重複説明を省略する。

この第２の変形例に係る発振器１０ｂは、上述した第１の変形例に係る発振器とほぼ同様の構成を有するが、電力分配器１８が第２の誘電体層Ｓ２の主面に形成された第１の渦巻状のストリップライン電極５４ａと第３の誘電体層Ｓ３の主面に形成された第２の渦巻状のストリップライン電極５４ｂとが第２の誘電体層Ｓ２を間に挟んで対向されて構成されている。

なお、第１の変形例との比較でみた場合、図４において第４の誘電体層Ｓ４に形成された電力分配器１８を構成するコンデンサ電極５２が、図５（第２の変形例）では省略されている。

この第２の変形例に係る発振器においては、位相器１２のカプラ２０に加えて電力分配器１８についても、伝送特性インピーダンスを高くすることができ、小型化と性能維持を両立させることが可能となる。

そのため、位相器１２のカプラ２０及び電力分配器１８をそれぞれ集中定数回路で構成した場合よりも部品点数を大幅に低減させることができ、さらなるコストの低廉化並びに小型化を図ることができる。

上述した第２の変形例に係る発振器１０ｂでは、例えば第２の誘電体層Ｓ２にカプラ２０を構成する第１の渦巻状のストリップライン電極４０ａと反射回路２２を構成する第１のインダクタンス用電極４６ａと電力分配器を構成する第１の渦巻状のストリップライン電極５４ａを形成するようにしているが、それぞれ別の誘電体層に形成するようにしてもよい。これは、第３の誘電体層Ｓ３に形成された第２の渦巻状のストリップライン電極４０ｂ、第２のインダクタンス用電極４６ｂ及び第２の渦巻状のストリップライン電極５４ｂについても同様である。

なお、本発明に係る発振器は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。

本実施の形態に係る発振器を示すブロック図である。本実施の形態に係る発振器において、誘電体基板内における第１〜第３の形成領域の配置関係を示す説明図である。誘電体基板内における第１〜第３の形成領域の配置関係を示す横断面図である。本実施の形態に係る発振器の第１の変形例において、誘電体基板の主要回路形成部分における第１〜第５の誘電体層に形成される電極を示す平面図である。本実施の形態に係る発振器の第２の変形例において、誘電体基板の主要回路形成部分における第１〜第５の誘電体層に形成される電極を示す平面図である。

符号の説明

１０、１０ａ、１０ｂ…発振器１２…位相器
１４…発振子１６…増幅器
１８…電力分配器２０…カプラ
２２…反射回路
４０ａ、４０ｂ、５４ａ、５４ｂ…ストリップライン電極
Ａ１…第１の形成領域Ａ２…第２の形成領域
Ａ３…第３の形成領域

Claims

複数の誘電体層が積層されて構成された誘電体基板に、少なくとも位相器と、電力分配器とを有する発振器であって、
前記誘電体基板内に、前記位相器のカプラを構成する複数の電極が形成された第１の形成領域と、前記位相器の反射回路を構成する複数の電極が形成された第２の形成領域と、前記電力分配器を構成する複数の電極が形成された第３の形成領域とを有し、
前記第１の形成領域、前記第２の形成領域及び前記第３の形成領域が、それぞれ平面的に分離した位置に配置されていることを特徴とする発振器。
請求項１記載の発振器において、
前記第２の形成領域が、前記誘電体基板の平面上、ほぼ中央に配置され、
前記第１の形成領域が、前記誘電体基板の平面上、前記第２の形成領域と前記誘電体基板の一方の端面の間に形成され、
前記第３の形成領域が、前記誘電体基板の平面上、前記第２の形成領域と前記誘電体基板の他方の端面の間に形成されていることを特徴とする発振器。
請求項１又は２記載の発振器において、
前記第１の形成領域には、前記位相器のカプラを構成する２つの渦巻状のストリップライン電極が誘電体層を間に挟んで対向されて形成されていることを特徴とする発振器。
請求項１〜３のいずれか１項に記載の発振器において、
前記第２の形成領域には、複数のインダクタンス用電極とコンデンサ用電極が形成され、前記複数のインダクタンス用電極のインダクタンスによって前記位相器の反射回路のインダクタンスが構成され、前記複数のコンデンサ用電極と前記誘電体基板に形成されたグランド電極で形成された静電容量によって、前記位相器の反射回路のキャパシタンスが構成され、
前記第３の形成領域には、複数のインダクタンス用電極と複数のコンデンサ用電極が形成され、前記複数のインダクタンス用電極のインダクタンスによって前記電力分配器のインダクタンスが構成され、前記複数のコンデンサ用電極と前記誘電体基板に形成されたグランド電極で形成された静電容量によって、前記電力分配器のキャパシタンスが構成されていることを特徴とする発振器。
請求項４記載の発振器において、
前記位相器の反射回路のインダクタンスを構成する前記複数のインダクタンス用電極と、前記位相器の反射回路のキャパシタンスを構成する前記複数のコンデンサ用電極とが、前記誘電体基板における複数の誘電体層の積層方向上下に分離して配置され、
前記電力分配器のインダクタンスを構成する前記複数のインダクタンス用電極と、前記電力分配器のキャパシタンスを構成する前記複数のコンデンサ用電極とが、前記誘電体基板における複数の誘電体層の積層方向上下に分離して配置されていることを特徴とする発振器。
請求項１〜３のいずれか１項に記載の発振器において、
前記第３の形成領域には、前記電力分配器を構成する２つの渦巻状のストリップライン電極が誘電体層を間に挟んで対向されて形成されていることを特徴とする発振器。
請求項６記載の発振器において、
前記第２の形成領域には、複数のインダクタンス用電極とコンデンサ用電極が形成され、前記複数のインダクタンス用電極のインダクタンスによって前記位相器の反射回路のインダクタンスが構成され、前記複数のコンデンサ用電極と前記誘電体基板に形成されたグランド電極で形成された静電容量によって、前記位相器の反射回路のキャパシタンスが構成されていることを特徴とする発振器。
請求項７記載の発振器において、
前記位相器の反射回路のインダクタンスを構成する前記複数のインダクタンス用電極と、前記位相器の反射回路のキャパシタンスを構成する前記複数のコンデンサ用電極とが、前記誘電体基板における複数の誘電体層の積層方向上下に分離して配置されていることを特徴とする発振器。