JP2001313501A - 移相器及びそれを用いた無線機器 - Google Patents
移相器及びそれを用いた無線機器Info
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- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/18—Phase-shifters
- H01P1/185—Phase-shifters using a diode or a gas filled discharge tube
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/18—Networks for phase shifting
- H03H7/185—Networks for phase shifting comprising distributed impedance elements together with lumped impedance elements
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- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 連続的に位相を可変制御することができる小
型の移相器及び移動体通信機器を提供する。 【解決手段】 移相器１０は、結合度Ｍで電磁結合した
第１及び第２の線路１１，１２からなるコムライン１３
と、第１及び第２の線路１１，１２に接続される可変容
量ダイオードであるバリキャップダイオードＤ１１，Ｄ
１２と、抵抗Ｒ１１，Ｒ１２とを備える。コムライン１
３をなす第１及び第２の線路１１，１２の一端は、それ
ぞれ入力端子Ｐｉ、出力端子Ｐｏに接続される。また、
コムライン１３をなす第１及び第２の線路１１，１２の
他端とグランドとの間に、カソードが第１及び第２の線
路１１，１２の他端側になるようにバリキャップダイオ
ードＤ１１，Ｄ１２が接続される。
型の移相器及び移動体通信機器を提供する。 【解決手段】 移相器１０は、結合度Ｍで電磁結合した
第１及び第２の線路１１，１２からなるコムライン１３
と、第１及び第２の線路１１，１２に接続される可変容
量ダイオードであるバリキャップダイオードＤ１１，Ｄ
１２と、抵抗Ｒ１１，Ｒ１２とを備える。コムライン１
３をなす第１及び第２の線路１１，１２の一端は、それ
ぞれ入力端子Ｐｉ、出力端子Ｐｏに接続される。また、
コムライン１３をなす第１及び第２の線路１１，１２の
他端とグランドとの間に、カソードが第１及び第２の線
路１１，１２の他端側になるようにバリキャップダイオ
ードＤ１１，Ｄ１２が接続される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、移相器及び無線機
器に関し、特にマイクロ波帯やミリ波帯で用いられる移
相器及びそれを用いた無線機器に関する。
器に関し、特にマイクロ波帯やミリ波帯で用いられる移
相器及びそれを用いた無線機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、無線機器の１つである基地局で
は、共通増幅アンプに、高周波信号の位相を連続的に可
変するために、位相を所望の位相に調整する移相器が使
用される。
は、共通増幅アンプに、高周波信号の位相を連続的に可
変するために、位相を所望の位相に調整する移相器が使
用される。
【０００３】図１０は、マイクロ波帯において使用され
る従来の移相器である。移相器７０は、入力端子７１、
出力端子７２、高周波信号の通過する伝送線路を制御す
る制御端子７３〜７６、通過位相の異なる伝送線路７
７，７８、及び入出力間の導通あるいは遮断を切り換え
る電界効果トランジスタ（以下、ＦＥＴ）７９〜８２を
備える。
る従来の移相器である。移相器７０は、入力端子７１、
出力端子７２、高周波信号の通過する伝送線路を制御す
る制御端子７３〜７６、通過位相の異なる伝送線路７
７，７８、及び入出力間の導通あるいは遮断を切り換え
る電界効果トランジスタ（以下、ＦＥＴ）７９〜８２を
備える。
【０００４】そして、従来の移相器７０では、ＦＥＴ７
９，８０の制御端子７３，７４の電圧を０Ｖとし、ＦＥ
Ｔ７９，８０をオン状態にして、ＦＥＴ８１，８２の制
御端子７５，７６にピンチオフ以下の電圧、例えば、−
５Ｖを印加してＦＥＴ８１，８２をオフ状態にすると、
入力端子７１より入力した高周波信号は伝送線路７７を
通過する。一方、ＦＥＴ７９，８０をオフ状態にして、
ＦＥＴ８１，８２をオン状態にすると、高周波信号は伝
送線路７８を通過する。伝送線路７７と伝送線路７８と
は通過時の位相が異なるため、２つの状態間で位相差が
生じる。このようにして位相を制御し、高周波信号の位
相を得ている。
９，８０の制御端子７３，７４の電圧を０Ｖとし、ＦＥ
Ｔ７９，８０をオン状態にして、ＦＥＴ８１，８２の制
御端子７５，７６にピンチオフ以下の電圧、例えば、−
５Ｖを印加してＦＥＴ８１，８２をオフ状態にすると、
入力端子７１より入力した高周波信号は伝送線路７７を
通過する。一方、ＦＥＴ７９，８０をオフ状態にして、
ＦＥＴ８１，８２をオン状態にすると、高周波信号は伝
送線路７８を通過する。伝送線路７７と伝送線路７８と
は通過時の位相が異なるため、２つの状態間で位相差が
生じる。このようにして位相を制御し、高周波信号の位
相を得ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
移相器においては、異なった位相を有する複数の伝送線
路をＦＥＴにより切り換える構成のため、位相を連続的
に可変制御することができないという問題があった。
移相器においては、異なった位相を有する複数の伝送線
路をＦＥＴにより切り換える構成のため、位相を連続的
に可変制御することができないという問題があった。
【０００６】また、各経路に含まれるＦＥＴが、可変す
る位相の数の倍数だけ必要となるため、部品点数が多く
なり、移相器そのものの構成が複雑となり、移相器が大
型化するとともに、その製造コストが増大するという問
題もあった。
る位相の数の倍数だけ必要となるため、部品点数が多く
なり、移相器そのものの構成が複雑となり、移相器が大
型化するとともに、その製造コストが増大するという問
題もあった。
【０００７】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、連続的に位相を可変制御する
ことができる小型の移相器及び無線機器を提供すること
を目的とする。
めになされたものであり、連続的に位相を可変制御する
ことができる小型の移相器及び無線機器を提供すること
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述する問題点を解決す
るため本発明の移相器は、電磁結合した第１及び第２の
線路からなるコムラインと、該コムラインをなす前記第
１及び第２の線路に接続される複数の可変容量ダイオー
ドとを備え、前記第１の線路の一端に入力端子、前記第
２の線路の一端に出力端子、前記第１及び第２の線路の
他端とグランドとの間に前記可変容量ダイオードが接続
されることを特徴とする。
るため本発明の移相器は、電磁結合した第１及び第２の
線路からなるコムラインと、該コムラインをなす前記第
１及び第２の線路に接続される複数の可変容量ダイオー
ドとを備え、前記第１の線路の一端に入力端子、前記第
２の線路の一端に出力端子、前記第１及び第２の線路の
他端とグランドとの間に前記可変容量ダイオードが接続
されることを特徴とする。
【０００９】また、本発明の移相器は、抵抗を前記可変
容量ダイオードに並列接続したことを特徴とする。
容量ダイオードに並列接続したことを特徴とする。
【００１０】また、本発明の移相器は、セラミックスか
らなる複数のシート層を積層してなるセラミック基板を
備え、該セラミック基板に前記コムラインをなすストリ
ップ電極を内蔵し、前記セラミック基板に前記可変容量
ダイオードを搭載することを特徴とする。
らなる複数のシート層を積層してなるセラミック基板を
備え、該セラミック基板に前記コムラインをなすストリ
ップ電極を内蔵し、前記セラミック基板に前記可変容量
ダイオードを搭載することを特徴とする。
【００１１】また、本発明の移相器は、電磁結合した第
１及び第２の線路からなる第１のコムラインと、電磁結
合した第３及び第４の線路からなる第２のコムライン
と、該第２のコムラインをなす前記第３及び第４の線路
にそれぞれ接続される可変容量ダイオードとを備え、前
記第１の線路の一端に入力端子、前記第２の線路の一端
に出力端子、前記第３及び第４の線路の一端とグランド
との間に前記可変容量ダイオードが接続され、かつ前記
第１の線路の他端と前記第３の線路の他端、前記第２の
線路の他端と前記第４の線路の他端とがそれぞれ接続さ
れることを特徴とする。
１及び第２の線路からなる第１のコムラインと、電磁結
合した第３及び第４の線路からなる第２のコムライン
と、該第２のコムラインをなす前記第３及び第４の線路
にそれぞれ接続される可変容量ダイオードとを備え、前
記第１の線路の一端に入力端子、前記第２の線路の一端
に出力端子、前記第３及び第４の線路の一端とグランド
との間に前記可変容量ダイオードが接続され、かつ前記
第１の線路の他端と前記第３の線路の他端、前記第２の
線路の他端と前記第４の線路の他端とがそれぞれ接続さ
れることを特徴とする。
【００１２】また、本発明の移相器は、抵抗を前記可変
容量ダイオードに並列接続したことを特徴とする。
容量ダイオードに並列接続したことを特徴とする。
【００１３】また、本発明の移相器は、セラミックスか
らなる複数のシート層を積層してなるセラミック基板を
備え、該セラミック基板に前記第１及び第２のコムライ
ンをなすストリップ電極を内蔵し、前記セラミック基板
に前記可変容量ダイオードを搭載することを特徴とす
る。
らなる複数のシート層を積層してなるセラミック基板を
備え、該セラミック基板に前記第１及び第２のコムライ
ンをなすストリップ電極を内蔵し、前記セラミック基板
に前記可変容量ダイオードを搭載することを特徴とす
る。
【００１４】本発明の無線機器は、上述の移相器を用い
たことを特徴とする。
たことを特徴とする。
【００１５】本発明の移相器によれば、コムラインをな
す第１及び第２の線路の他端とグランドとの間に可変容
量ダイオードが接続されるため、それらの可変容量ダイ
オードに印加する印加電圧を可変制御することで、それ
らの可変容量ダイオードの容量値を可変制御することが
できる。
す第１及び第２の線路の他端とグランドとの間に可変容
量ダイオードが接続されるため、それらの可変容量ダイ
オードに印加する印加電圧を可変制御することで、それ
らの可変容量ダイオードの容量値を可変制御することが
できる。
【００１６】本発明の無線機器によれば、小型の移相器
を用いるため、送信特性に優れた小型の基地局を実現す
ることができる。
を用いるため、送信特性に優れた小型の基地局を実現す
ることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図１は、本発明の移相器に係る第１の
実施例の構成を示す図である。移相器１０は、結合度Ｍ
で電磁結合した第１及び第２の線路１１，１２からなる
コムライン１３と、第１及び第２の線路１１，１２に接
続される可変容量ダイオードであるバリキャップダイオ
ードＤ１１，Ｄ１２と、抵抗Ｒ１１，Ｒ１２とを備え
る。
施例を説明する。図１は、本発明の移相器に係る第１の
実施例の構成を示す図である。移相器１０は、結合度Ｍ
で電磁結合した第１及び第２の線路１１，１２からなる
コムライン１３と、第１及び第２の線路１１，１２に接
続される可変容量ダイオードであるバリキャップダイオ
ードＤ１１，Ｄ１２と、抵抗Ｒ１１，Ｒ１２とを備え
る。
【００１８】コムライン１３をなす第１及び第２の線路
１１，１２の一端は、それぞれ入力端子Ｐｉ、出力端子
Ｐｏに接続される。また、コムライン１３をなす第１の
線路１１の他端とグランドとの間に、カソードが第１の
線路１１の他端側になるようにバリキャップダイオード
Ｄ１１が接続され、第１の線路１１の他端とダイオード
Ｄ１１のカソードとの接続点は、抵抗Ｒ１１を介して制
御端子Ｖｃ１１に接続される。
１１，１２の一端は、それぞれ入力端子Ｐｉ、出力端子
Ｐｏに接続される。また、コムライン１３をなす第１の
線路１１の他端とグランドとの間に、カソードが第１の
線路１１の他端側になるようにバリキャップダイオード
Ｄ１１が接続され、第１の線路１１の他端とダイオード
Ｄ１１のカソードとの接続点は、抵抗Ｒ１１を介して制
御端子Ｖｃ１１に接続される。
【００１９】さらに、コムライン１３をなす第２の線路
１２の他端とグランドとの間に、カソードが第２の線路
１２の他端側になるようにバリキャップダイオードＤ１
２が接続され、第２の線路１２の他端とバリキャップダ
イオードＤ１２のカソードとの接続点は、抵抗Ｒ１２を
介して制御端子Ｖｃ１２に接続される。
１２の他端とグランドとの間に、カソードが第２の線路
１２の他端側になるようにバリキャップダイオードＤ１
２が接続され、第２の線路１２の他端とバリキャップダ
イオードＤ１２のカソードとの接続点は、抵抗Ｒ１２を
介して制御端子Ｖｃ１２に接続される。
【００２０】上述の回路構成を備えた移相器１０の動作
を説明する。入力端子Ｐｉから入力された高周波信号
は、コムライン１３を介してバリキャップダイオードＤ
１１，Ｄ１２のカソードで反射されると、反射した高周
波信号の大部分は出力端子Ｐｏから出力される。
を説明する。入力端子Ｐｉから入力された高周波信号
は、コムライン１３を介してバリキャップダイオードＤ
１１，Ｄ１２のカソードで反射されると、反射した高周
波信号の大部分は出力端子Ｐｏから出力される。
【００２１】この際、バリキャップダイオードＤ１１，
Ｄ１２のカソードで反射された高周波信号は、制御端子
Ｖｃ１１，Ｖｃ１２から印加された印加電圧により変化
するバリキャップダイオードＤ１１，Ｄ１２の容量値に
応じて位相が変化し、出力端子Ｐｏから位相が変化し合
成された高周波信号が出力されることになる。
Ｄ１２のカソードで反射された高周波信号は、制御端子
Ｖｃ１１，Ｖｃ１２から印加された印加電圧により変化
するバリキャップダイオードＤ１１，Ｄ１２の容量値に
応じて位相が変化し、出力端子Ｐｏから位相が変化し合
成された高周波信号が出力されることになる。
【００２２】すなわち、制御端子Ｖｃ１１，Ｖｃ１２か
らバリキャップダイオードＤ１１，Ｄ１２に印加する印
加電圧としての正の電圧を０Ｖから徐々に大きくしてい
くと、バリキャップダイオードＤ１１，Ｄ１２の容量値
が徐々に大きくなり、その結果、バリキャップダイオー
ドＤ１１，Ｄ１２のインピーダンスが変化し、移相器１
０の入力端子Ｐｉからコムライン１３を経由して出力端
子Ｐｏに送られる高周波信号の位相は徐々に０°〜１８
０°と変化する。
らバリキャップダイオードＤ１１，Ｄ１２に印加する印
加電圧としての正の電圧を０Ｖから徐々に大きくしてい
くと、バリキャップダイオードＤ１１，Ｄ１２の容量値
が徐々に大きくなり、その結果、バリキャップダイオー
ドＤ１１，Ｄ１２のインピーダンスが変化し、移相器１
０の入力端子Ｐｉからコムライン１３を経由して出力端
子Ｐｏに送られる高周波信号の位相は徐々に０°〜１８
０°と変化する。
【００２３】したがって、制御端子Ｖｃ１１，Ｖｃ１２
から印加する印加電圧を可変制御することにより、バリ
キャップダイオードＤ１１，Ｄ１２のインピーダンスを
可変制御できる。その結果、移相器１０の入力端子Ｐｉ
からコムライン１３を経由して出力端子Ｐｏへ送られる
高周波信号の位相を可変制御することが可能となる。
から印加する印加電圧を可変制御することにより、バリ
キャップダイオードＤ１１，Ｄ１２のインピーダンスを
可変制御できる。その結果、移相器１０の入力端子Ｐｉ
からコムライン１３を経由して出力端子Ｐｏへ送られる
高周波信号の位相を可変制御することが可能となる。
【００２４】図２は、図１の移相器の一部分解透視斜視
図である。可変減衰器１０は、コムライン１３をなす第
１及び第２の線路１１，１２を内蔵したセラミック基板
１４を備える。
図である。可変減衰器１０は、コムライン１３をなす第
１及び第２の線路１１，１２を内蔵したセラミック基板
１４を備える。
【００２５】セラミック基板１４の上面には、バリキャ
ップダイオードＤ１１，Ｄ１２、抵抗Ｒ１１，Ｒ１２が
搭載される。また、セラミック基板１４の側面から下面
にかけて外部端子Ｔａ〜Ｔｈが設けられる。
ップダイオードＤ１１，Ｄ１２、抵抗Ｒ１１，Ｒ１２が
搭載される。また、セラミック基板１４の側面から下面
にかけて外部端子Ｔａ〜Ｔｈが設けられる。
【００２６】この際、外部端子Ｔａは入力端子Ｐｉ、外
部端子Ｔｃは出力端子Ｐｏ、外部端子Ｔｅは制御端子Ｖ
ｃ１２、外部端子Ｔｇは制御端子Ｖｃ１１、外部端子Ｔ
ｂ，Ｔｄ，Ｔｆ，Ｔｈはグランド端子となる。
部端子Ｔｃは出力端子Ｐｏ、外部端子Ｔｅは制御端子Ｖ
ｃ１２、外部端子Ｔｇは制御端子Ｖｃ１１、外部端子Ｔ
ｂ，Ｔｄ，Ｔｆ，Ｔｈはグランド端子となる。
【００２７】図３（ａ）〜図３（ｆ）は、図２の移相器
のセラミック基板を構成する各シート層の上面図及び下
面図である。セラミック基板１４は例えば、８５０℃〜
１０００℃の温度で焼成可能な酸化バリウム、酸化アル
ミニウム、シリカを主成分とする低温焼成セラミックス
からなる第１〜第５のシート層１４ａ〜１４ｅを順次積
層し、焼成することによって形成される。
のセラミック基板を構成する各シート層の上面図及び下
面図である。セラミック基板１４は例えば、８５０℃〜
１０００℃の温度で焼成可能な酸化バリウム、酸化アル
ミニウム、シリカを主成分とする低温焼成セラミックス
からなる第１〜第５のシート層１４ａ〜１４ｅを順次積
層し、焼成することによって形成される。
【００２８】第１のシート層１４ａの上面にはバリキャ
ップダイオードＤ１１，Ｄ１２、抵抗Ｒ１１，Ｒ１２を
実装するためのランドＬａが形成される。また、第２及
び第５のシート層１４ｂ，１４ｅのシート層の上面には
グランド電極Ｇ１１，Ｇ１２がそれぞれ形成される。
ップダイオードＤ１１，Ｄ１２、抵抗Ｒ１１，Ｒ１２を
実装するためのランドＬａが形成される。また、第２及
び第５のシート層１４ｂ，１４ｅのシート層の上面には
グランド電極Ｇ１１，Ｇ１２がそれぞれ形成される。
【００２９】さらに、第３及び第４のシート層１４ｃ，
１４ｄの上面にはストリップライン電極ＳＴ１１，ＳＴ
１２がそれぞれ形成される。また、第５のシート層の下
面（図３（ｆ）中において、１４ｅｕと符号を付す）に
は外部端子Ｔａ〜Ｔｈが形成される。さらに、第１〜第
４のシート層１４ａ〜１４ｄには、各シート１４ａ〜１
４ｄを貫通するようにビアホール電極Ｖｈが形成され
る。
１４ｄの上面にはストリップライン電極ＳＴ１１，ＳＴ
１２がそれぞれ形成される。また、第５のシート層の下
面（図３（ｆ）中において、１４ｅｕと符号を付す）に
は外部端子Ｔａ〜Ｔｈが形成される。さらに、第１〜第
４のシート層１４ａ〜１４ｄには、各シート１４ａ〜１
４ｄを貫通するようにビアホール電極Ｖｈが形成され
る。
【００３０】この際、ストリップライン電極ＳＴ１１で
コムライン１３をなす第１の線路１１を、ストリップラ
イン電極ＳＴ１２でコムライン１３をなす第２の線路１
２をそれぞれ構成する。また、第１及び第２の線路１
１，１２、バリキャップダイオードＤ１１，Ｄ１２は、
セラミック基板１４の内部でビアホール電極Ｖｈにより
接続される。
コムライン１３をなす第１の線路１１を、ストリップラ
イン電極ＳＴ１２でコムライン１３をなす第２の線路１
２をそれぞれ構成する。また、第１及び第２の線路１
１，１２、バリキャップダイオードＤ１１，Ｄ１２は、
セラミック基板１４の内部でビアホール電極Ｖｈにより
接続される。
【００３１】上述した第１の実施例の移相器によれば、
コムラインをなす第１及び第２の線路の他端とグランド
との間にバリキャップダイオードが接続されるため、そ
れらのバリキャップダイオードに印加する印加電圧を可
変制御することで、それらのバリキャップダイオードの
容量値を可変制御することができる。その結果、バリキ
ャップダイオードのインピーダンスを可変制御でき、移
相器の入力端子からコムラインを経由して出力端子へ送
られる高周波信号の位相を可変制御することが可能とな
る。
コムラインをなす第１及び第２の線路の他端とグランド
との間にバリキャップダイオードが接続されるため、そ
れらのバリキャップダイオードに印加する印加電圧を可
変制御することで、それらのバリキャップダイオードの
容量値を可変制御することができる。その結果、バリキ
ャップダイオードのインピーダンスを可変制御でき、移
相器の入力端子からコムラインを経由して出力端子へ送
られる高周波信号の位相を可変制御することが可能とな
る。
【００３２】また、移相器が、コムラインとバリキャッ
プダイオードとで構成されるため、移相器の構成が簡単
となり、その結果、移相器が小型化できるとももに、そ
の製造コストを減少することができる。
プダイオードとで構成されるため、移相器の構成が簡単
となり、その結果、移相器が小型化できるとももに、そ
の製造コストを減少することができる。
【００３３】さらに、セラミックスからなる複数のシー
ト層を積層してなるセラミック基板を備え、そのセラミ
ック基板にコムラインをなす銅からなるストリップ電極
を内蔵しているため、セラミック基板による波長短縮効
果、及び銅による損失の低減により１ＧＨｚ以上の高周
波帯域への対応が可能となる。
ト層を積層してなるセラミック基板を備え、そのセラミ
ック基板にコムラインをなす銅からなるストリップ電極
を内蔵しているため、セラミック基板による波長短縮効
果、及び銅による損失の低減により１ＧＨｚ以上の高周
波帯域への対応が可能となる。
【００３４】図４は、本発明の移相器に係る第２の実施
例の回路図である。移相器２０は、第１の実施例の移相
器１０（図１）と比較して、バリキャップダイオードＤ
１１，Ｄ１２に抵抗Ｒ１３，Ｒ１４が並列接続される点
で異なる。
例の回路図である。移相器２０は、第１の実施例の移相
器１０（図１）と比較して、バリキャップダイオードＤ
１１，Ｄ１２に抵抗Ｒ１３，Ｒ１４が並列接続される点
で異なる。
【００３５】すなわち、コムライン１３をなす第１及び
第２の線路１１，１２の他端とグランドとの間に、バリ
キャップダイオードＤ１１と抵抗Ｒ１３との並列回路、
バリキャップダイオードＤ１２と抵抗Ｒ１４との並列回
路が接続されることになる。
第２の線路１１，１２の他端とグランドとの間に、バリ
キャップダイオードＤ１１と抵抗Ｒ１３との並列回路、
バリキャップダイオードＤ１２と抵抗Ｒ１４との並列回
路が接続されることになる。
【００３６】上述した第２の実施例の移相器によれば、
バリキャップダイオードに抵抗が並列接続されるため、
反射係数を一定に保ちながら位相を変化させることがで
きる。したがって、移相器において、振幅の変化を抑制
しながら位相を変化させることができる。
バリキャップダイオードに抵抗が並列接続されるため、
反射係数を一定に保ちながら位相を変化させることがで
きる。したがって、移相器において、振幅の変化を抑制
しながら位相を変化させることができる。
【００３７】図５は、本発明の移相器に係る第３の実施
例の回路図である。移相器３０は、結合度Ｍで電磁結合
した第１及び第２の線路３１，３２からなる第１のコム
ライン３３と、結合度Ｍで電磁結合した第３及び第４の
線路３４，３５からなる第２のコムライン３６と、第２
のコムライン３６を構成する第３及び第４の線路３４，
３５に接続される可変容量ダイオードであるバリキャッ
プダイオードＤ２１，Ｄ２２とを含む。
例の回路図である。移相器３０は、結合度Ｍで電磁結合
した第１及び第２の線路３１，３２からなる第１のコム
ライン３３と、結合度Ｍで電磁結合した第３及び第４の
線路３４，３５からなる第２のコムライン３６と、第２
のコムライン３６を構成する第３及び第４の線路３４，
３５に接続される可変容量ダイオードであるバリキャッ
プダイオードＤ２１，Ｄ２２とを含む。
【００３８】第１のコムライン３３をなす第１及び第２
の線路３１，３２の一端は、それぞれ入力端子Ｐｉ、出
力端子Ｐｏに接続される。また、第２のコムライン３６
をなす第３の線路３４の一端とグランドとの間に、カソ
ードが第３の線路３４の一端側になるようにバリキャッ
プダイオードＤ２１が接続され、第３の線路３４の一端
とバリキャップダイオードＤ２１との接続点は、抵抗Ｒ
２１を介して制御端子Ｖｃ２１に接続される。
の線路３１，３２の一端は、それぞれ入力端子Ｐｉ、出
力端子Ｐｏに接続される。また、第２のコムライン３６
をなす第３の線路３４の一端とグランドとの間に、カソ
ードが第３の線路３４の一端側になるようにバリキャッ
プダイオードＤ２１が接続され、第３の線路３４の一端
とバリキャップダイオードＤ２１との接続点は、抵抗Ｒ
２１を介して制御端子Ｖｃ２１に接続される。
【００３９】さらに、第２のコムライン３６をなす第４
の線路３５の一端とグランドとの間に、カソードが第４
の線路３５の一端側になるようにバリキャップダイオー
ドＤ２２が接続され、第４の線路３５の一端とバリキャ
ップダイオードＤ２２との接続点は、抵抗Ｒ２２を介し
て制御端子Ｖｃ２２に接続される。
の線路３５の一端とグランドとの間に、カソードが第４
の線路３５の一端側になるようにバリキャップダイオー
ドＤ２２が接続され、第４の線路３５の一端とバリキャ
ップダイオードＤ２２との接続点は、抵抗Ｒ２２を介し
て制御端子Ｖｃ２２に接続される。
【００４０】また、第１のコムライン３３をなす第１の
線路３１の他端と第２のコムライン３６をなす第３の線
路３４の他端とが接続され、第１のコムライン３３をな
す第２の線路３２の他端と第２のコムライン３６をなす
第４の線路３５の他端とが接続される。
線路３１の他端と第２のコムライン３６をなす第３の線
路３４の他端とが接続され、第１のコムライン３３をな
す第２の線路３２の他端と第２のコムライン３６をなす
第４の線路３５の他端とが接続される。
【００４１】図６は、図５の移相器の一部分解透視斜視
図である。移相器３０は、第１のコムライン３３をなす
第１及び第２の線路３１，３２、並びに第２のコムライ
ン３６をなす第３及び第４の線路３４，３５を内蔵した
セラミック基板３７を備える。
図である。移相器３０は、第１のコムライン３３をなす
第１及び第２の線路３１，３２、並びに第２のコムライ
ン３６をなす第３及び第４の線路３４，３５を内蔵した
セラミック基板３７を備える。
【００４２】セラミック基板３７の上面には、ダイオー
ドＤ２１，Ｄ２２、抵抗Ｒ２１，Ｒ２２が搭載される。
また、セラミック基板３７の側面から下面に架けて外部
端子Ｔａ〜Ｔｈが設けられる。
ドＤ２１，Ｄ２２、抵抗Ｒ２１，Ｒ２２が搭載される。
また、セラミック基板３７の側面から下面に架けて外部
端子Ｔａ〜Ｔｈが設けられる。
【００４３】この際、外部端子Ｔａは入力端子Ｐｉ、外
部端子Ｔｃは出力端子Ｐｏ、外部端子Ｔｅは制御端子Ｖ
ｃ１２、外部端子Ｔｇは制御端子Ｖｃ１１、外部端子Ｔ
ｂ，Ｔｄ，Ｔｆ，Ｔｈはグランド端子となる。
部端子Ｔｃは出力端子Ｐｏ、外部端子Ｔｅは制御端子Ｖ
ｃ１２、外部端子Ｔｇは制御端子Ｖｃ１１、外部端子Ｔ
ｂ，Ｔｄ，Ｔｆ，Ｔｈはグランド端子となる。
【００４４】図７（ａ）〜図７（ｆ）及び図８（ａ）〜
図８（ｃ）は、図６の減衰器のセラミック基板を構成す
る各シート層の上面図及び下面図である。セラミック基
板３７は例えば、８５０℃〜１０００℃の温度で焼成可
能な酸化バリウム、酸化アルミニウム、シリカを主成分
とする低温焼成セラミックスからなる第１〜第８のシー
ト層３７ａ〜３７ｈを順次積層し、焼成することによっ
て形成される。
図８（ｃ）は、図６の減衰器のセラミック基板を構成す
る各シート層の上面図及び下面図である。セラミック基
板３７は例えば、８５０℃〜１０００℃の温度で焼成可
能な酸化バリウム、酸化アルミニウム、シリカを主成分
とする低温焼成セラミックスからなる第１〜第８のシー
ト層３７ａ〜３７ｈを順次積層し、焼成することによっ
て形成される。
【００４５】第１のシート層３７ａの上面にはバリキャ
ップダイオードＤ２１，Ｄ２２、抵抗Ｒ２１，Ｒ２２を
実装するためのランドＬａが形成される。また、第２、
第５及び第８のシート層３７ｂ，３７ｅ，３７ｈのシー
ト層の上面にはグランド電極Ｇ２１〜Ｇ２３がそれぞれ
形成される。
ップダイオードＤ２１，Ｄ２２、抵抗Ｒ２１，Ｒ２２を
実装するためのランドＬａが形成される。また、第２、
第５及び第８のシート層３７ｂ，３７ｅ，３７ｈのシー
ト層の上面にはグランド電極Ｇ２１〜Ｇ２３がそれぞれ
形成される。
【００４６】さらに、第３、第４、第６及び第７のシー
ト層３７ｃ，３７ｄ，３７ｆ，３７ｇの上面にはストリ
ップライン電極ＳＴ２１〜ＳＴ２４がそれぞれ形成され
る。また、第８のシート層の下面（図８（ｃ）中におい
て、３７ｈｕと符号を付す）には外部端子Ｔａ〜Ｔｈが
形成される。さらに、第１〜第７のシート層３７ａ〜３
７ｇには、各シート３７ａ〜３７ｇを貫通するようにビ
アホール電極Ｖｈが形成される。
ト層３７ｃ，３７ｄ，３７ｆ，３７ｇの上面にはストリ
ップライン電極ＳＴ２１〜ＳＴ２４がそれぞれ形成され
る。また、第８のシート層の下面（図８（ｃ）中におい
て、３７ｈｕと符号を付す）には外部端子Ｔａ〜Ｔｈが
形成される。さらに、第１〜第７のシート層３７ａ〜３
７ｇには、各シート３７ａ〜３７ｇを貫通するようにビ
アホール電極Ｖｈが形成される。
【００４７】この際、ストリップライン電極ＳＴ２１で
第１のコムライン３３をなす第２の線路３２を、ストリ
ップライン電極ＳＴ２２で第１のコムライン３３をなす
第１の線路３１を、ストリップライン電極ＳＴ２３で第
２のコムライン３６をなす第４の線路３５を、ストリッ
プライン電極ＳＴ２４で第２のコムライン３６をなす第
３の線路３４をそれぞれ構成する。また、第１〜第４の
線路３１，３２，３４，３５、バリキャップダイオード
Ｄ２１，Ｄ２２、抵抗Ｒ２１，Ｒ２２は、セラミック基
板３７の内部でビアホール電極Ｖｈにより接続される。
第１のコムライン３３をなす第２の線路３２を、ストリ
ップライン電極ＳＴ２２で第１のコムライン３３をなす
第１の線路３１を、ストリップライン電極ＳＴ２３で第
２のコムライン３６をなす第４の線路３５を、ストリッ
プライン電極ＳＴ２４で第２のコムライン３６をなす第
３の線路３４をそれぞれ構成する。また、第１〜第４の
線路３１，３２，３４，３５、バリキャップダイオード
Ｄ２１，Ｄ２２、抵抗Ｒ２１，Ｒ２２は、セラミック基
板３７の内部でビアホール電極Ｖｈにより接続される。
【００４８】上述した第４の実施例の移相器によれば、
第２のコムラインをなす第３及び第４の線路の他端とグ
ランドとの間にバリキャップダイオードが接続されるた
め、バリキャップダイオードに印加する印加電圧を可変
制御することで、それらのバリキャップダイオードの容
量値を可変制御することができる。その結果、バリキャ
ップダイオードのインピーダンスを可変制御でき，移相
器の入力端子から第１及び第２のコムラインを経由して
出力端子へ送られる高周波信号の位相を可変制御するこ
とが可能となる。
第２のコムラインをなす第３及び第４の線路の他端とグ
ランドとの間にバリキャップダイオードが接続されるた
め、バリキャップダイオードに印加する印加電圧を可変
制御することで、それらのバリキャップダイオードの容
量値を可変制御することができる。その結果、バリキャ
ップダイオードのインピーダンスを可変制御でき，移相
器の入力端子から第１及び第２のコムラインを経由して
出力端子へ送られる高周波信号の位相を可変制御するこ
とが可能となる。
【００４９】また、移相器が、第１及び第２のコムライ
ンとバリキャップダイオードとで構成されるため、移相
器の構成が簡単となり、その結果、移相器が小型化でき
るとももに、その製造コストを減少することができる。
ンとバリキャップダイオードとで構成されるため、移相
器の構成が簡単となり、その結果、移相器が小型化でき
るとももに、その製造コストを減少することができる。
【００５０】さらに、セラミックスからなる複数のシー
ト層を積層してなるセラミック基板を備え、そのセラミ
ック基板にコムラインをなす銅からなるストリップ電極
を内蔵しているため、セラミック基板による波長短縮効
果、及び銅による損失の低減により１ＧＨｚ以上の高周
波帯域への対応が可能となる。
ト層を積層してなるセラミック基板を備え、そのセラミ
ック基板にコムラインをなす銅からなるストリップ電極
を内蔵しているため、セラミック基板による波長短縮効
果、及び銅による損失の低減により１ＧＨｚ以上の高周
波帯域への対応が可能となる。
【００５１】また、セラミック基板に第１のコムライン
と第２のコムラインとを高さ方向に重なるように配置し
ているため、移相器の実装面積を小さくすることが可能
となる。ちなみに、本実施例の場合の実装面積は、４．
９×３．２ｍｍであった。
と第２のコムラインとを高さ方向に重なるように配置し
ているため、移相器の実装面積を小さくすることが可能
となる。ちなみに、本実施例の場合の実装面積は、４．
９×３．２ｍｍであった。
【００５２】図９は、無線機器の１つである基地局に用
いられる共通増幅アンプのブロック図である。この共通
増幅アンプ５０は、主信号ラインに配設される高出力増
幅器ＰＡ、低雑音増幅器ＬＡ、ディレイラインＤＬ１，
ＤＬ２、カプラＣＰＬ１，ＣＰＬ２、移相器ＰＳ１，Ｐ
Ｓ２及び減衰器ＧＡ１、ＧＡ２を備える。
いられる共通増幅アンプのブロック図である。この共通
増幅アンプ５０は、主信号ラインに配設される高出力増
幅器ＰＡ、低雑音増幅器ＬＡ、ディレイラインＤＬ１，
ＤＬ２、カプラＣＰＬ１，ＣＰＬ２、移相器ＰＳ１，Ｐ
Ｓ２及び減衰器ＧＡ１、ＧＡ２を備える。
【００５３】共通増幅アンプ５０の動作を説明する。入
力信号ａは点Ａにて分岐され、一方の信号は減衰器ＧＡ
１、移相器ＰＳ１を経て、高出力増幅器ＰＡにて増幅さ
れてＩＭＤ（相互変調歪み）を持った信号ｂとなる。他
方の信号はディレイラインＤＬ１よって信号ｂとタイミ
ングを合わせ（信号ａ´）てカプラＣＰＬ１へ入力され
る。
力信号ａは点Ａにて分岐され、一方の信号は減衰器ＧＡ
１、移相器ＰＳ１を経て、高出力増幅器ＰＡにて増幅さ
れてＩＭＤ（相互変調歪み）を持った信号ｂとなる。他
方の信号はディレイラインＤＬ１よって信号ｂとタイミ
ングを合わせ（信号ａ´）てカプラＣＰＬ１へ入力され
る。
【００５４】カプラＣＰＬ１の出力端子Ｂへは、信号ａ
´と信号ｂの一部（信号ｂ´）が振幅を合わせかつ、位
相を逆にして出力されるため、希望信号がキャンセルさ
れてＩＭＤのみの信号（信号ｃ）となる。信号ｃは減衰
器ＧＡ２、移相器ＰＳ２を経て低雑音増幅器ＬＡに入力
され、低雑音増幅器ＬＡにて増幅される際に、その振幅
が信号ｂ´´のＩＭＤと同じになるように調整される
（信号ｄ）。
´と信号ｂの一部（信号ｂ´）が振幅を合わせかつ、位
相を逆にして出力されるため、希望信号がキャンセルさ
れてＩＭＤのみの信号（信号ｃ）となる。信号ｃは減衰
器ＧＡ２、移相器ＰＳ２を経て低雑音増幅器ＬＡに入力
され、低雑音増幅器ＬＡにて増幅される際に、その振幅
が信号ｂ´´のＩＭＤと同じになるように調整される
（信号ｄ）。
【００５５】信号ｂ´´はディレイラインＤＬ２によっ
て信号ｄとタイミングを合わせられる。そして、カプラ
ＣＰＬ２にて信号ｂ´´と信号ｄとが合成されるとＩＭ
Ｄがキャンセルされた希望信号のみの信号ｅが得られ
る。この信号ｅが帯域阻止フィルタＢＥＦを介して基地
局のアンテナＡＮＴから出力される。
て信号ｄとタイミングを合わせられる。そして、カプラ
ＣＰＬ２にて信号ｂ´´と信号ｄとが合成されるとＩＭ
Ｄがキャンセルされた希望信号のみの信号ｅが得られ
る。この信号ｅが帯域阻止フィルタＢＥＦを介して基地
局のアンテナＡＮＴから出力される。
【００５６】このような共通増幅アンプ５０において、
正確な位相の信号を得るために、入力信号の位相を連続
的に可変できる移相器ＰＳ１，ＰＳ２が用いられてい
る。
正確な位相の信号を得るために、入力信号の位相を連続
的に可変できる移相器ＰＳ１，ＰＳ２が用いられてい
る。
【００５７】そして、このような構成の共通増幅アンプ
５０において、移相器ＰＳ１，ＰＳ２に、図１、図４、
図５に示した小型の移相器１０，２０，３０を用いれ
ば、送信特性に優れた小型の基地局を実現することがで
きる。
５０において、移相器ＰＳ１，ＰＳ２に、図１、図４、
図５に示した小型の移相器１０，２０，３０を用いれ
ば、送信特性に優れた小型の基地局を実現することがで
きる。
【００５８】なお、上述の第１乃至第３の実施例では、
コムラインを構成する第１及び第２の線路の一端が入力
端子あるいは出力端子に直接接続される場合について説
明したが、直流カット用のコンデンサを介して接続され
ていてもよい。
コムラインを構成する第１及び第２の線路の一端が入力
端子あるいは出力端子に直接接続される場合について説
明したが、直流カット用のコンデンサを介して接続され
ていてもよい。
【００５９】また、可変容量ダイオードであるバリキャ
ップダイオードに印加電圧を印加するための制御端子
が、抵抗を介してバリキャップダイオードのカソードに
接続される場合について説明したが、抵抗を介さずに直
接接続されていてもよい。
ップダイオードに印加電圧を印加するための制御端子
が、抵抗を介してバリキャップダイオードのカソードに
接続される場合について説明したが、抵抗を介さずに直
接接続されていてもよい。
【００６０】さらに、可変容量ダイオードであるバリキ
ャップダイオードに印加電圧を印加するための制御端子
が、コムラインを構成する第１乃至第４の線路の一端に
設けられる場合について説明したが、制御端子は第１乃
至第４の線路のいずれの箇所に設けられていてもよい。
ャップダイオードに印加電圧を印加するための制御端子
が、コムラインを構成する第１乃至第４の線路の一端に
設けられる場合について説明したが、制御端子は第１乃
至第４の線路のいずれの箇所に設けられていてもよい。
【００６１】また、可変容量ダイオードとしてバリキャ
ップダイオードを用いる場合について説明したが、バラ
クターダイオードを用いても同様の効果が得られる。
ップダイオードを用いる場合について説明したが、バラ
クターダイオードを用いても同様の効果が得られる。
【００６２】さらに、可変容量ダイオードが、そのカソ
ードが第１〜第４の線路の他端側となるように、第１〜
第４の線路とグランドとの間に接続されている場合につ
いて説明したが、アノードが第１〜第４の線路の他端側
となるように接続されていてもよい。この場合には、可
変容量ダイオードのアノード側に印加する印加電圧とし
ての負の電圧を０Ｖから徐々に大きくしていくと、可変
容量ダイオードの容量値が徐々に大きくなっていく。
ードが第１〜第４の線路の他端側となるように、第１〜
第４の線路とグランドとの間に接続されている場合につ
いて説明したが、アノードが第１〜第４の線路の他端側
となるように接続されていてもよい。この場合には、可
変容量ダイオードのアノード側に印加する印加電圧とし
ての負の電圧を０Ｖから徐々に大きくしていくと、可変
容量ダイオードの容量値が徐々に大きくなっていく。
【００６３】また、上述の第３の実施例では、２つのコ
ムラインを接続する場合について説明したが、３つ以上
のコムラインを接続してもよい。この場合には、コムラ
インの数が増加するにともない、減衰器のより小型化が
可能となる。
ムラインを接続する場合について説明したが、３つ以上
のコムラインを接続してもよい。この場合には、コムラ
インの数が増加するにともない、減衰器のより小型化が
可能となる。
【００６４】
【発明の効果】請求項１の移相器によれば、コムライン
をなす第１及び第２の線路の他端とグランドとの間に可
変容量ダイオードが接続されるため、それらの可変容量
ダイオードに印加する印加電圧を可変制御することで、
それらの可変容量ダイオードの容量値を可変制御するこ
とができる。その結果、可変容量ダイオードのインピー
ダンスを可変制御でき、移相器の入力端子からコムライ
ンを経由して出力端子へ送られる高周波信号の位相を可
変制御することが可能となる。
をなす第１及び第２の線路の他端とグランドとの間に可
変容量ダイオードが接続されるため、それらの可変容量
ダイオードに印加する印加電圧を可変制御することで、
それらの可変容量ダイオードの容量値を可変制御するこ
とができる。その結果、可変容量ダイオードのインピー
ダンスを可変制御でき、移相器の入力端子からコムライ
ンを経由して出力端子へ送られる高周波信号の位相を可
変制御することが可能となる。
【００６５】また、移相器が、コムラインと可変容量ダ
イオードとで構成されるため、移相器の構成が簡単とな
り、その結果、移相器が小型化できるとももに、その製
造コストを減少することができる。
イオードとで構成されるため、移相器の構成が簡単とな
り、その結果、移相器が小型化できるとももに、その製
造コストを減少することができる。
【００６６】請求項２の移相器によれば、可変容量ダイ
オードに抵抗が並列接続されるため、反射係数を一定に
保ちながら位相を変化させることができる。したがっ
て、移相器において、振幅の変化を抑制しながら位相を
変化させることができる。
オードに抵抗が並列接続されるため、反射係数を一定に
保ちながら位相を変化させることができる。したがっ
て、移相器において、振幅の変化を抑制しながら位相を
変化させることができる。
【００６７】請求項３の移相器によれば、セラミックス
からなる複数のシート層を積層してなるセラミック基板
を備え、そのセラミック基板にコムラインをなす銅から
なるストリップ電極を内蔵しているため、セラミック基
板による波長短縮効果、及び銅による損失の低減により
１ＧＨｚ以上の高周波帯域への対応が可能となる。
からなる複数のシート層を積層してなるセラミック基板
を備え、そのセラミック基板にコムラインをなす銅から
なるストリップ電極を内蔵しているため、セラミック基
板による波長短縮効果、及び銅による損失の低減により
１ＧＨｚ以上の高周波帯域への対応が可能となる。
【００６８】請求項４の移相器によれば、第２のコムラ
インをなす第３及び第４の線路の他端とグランドとの間
に可変容量ダイオードが接続されるため、可変容量ダイ
オードに印加する印加電圧を可変制御することで、それ
らの可変容量ダイオードの容量値を可変制御することが
できる。その結果、可変容量ダイオードのインピーダン
スを可変制御でき，移相器の入力端子から第１及び第２
のコムラインを経由して出力端子へ送られる高周波信号
の位相を可変制御することが可能となる。
インをなす第３及び第４の線路の他端とグランドとの間
に可変容量ダイオードが接続されるため、可変容量ダイ
オードに印加する印加電圧を可変制御することで、それ
らの可変容量ダイオードの容量値を可変制御することが
できる。その結果、可変容量ダイオードのインピーダン
スを可変制御でき，移相器の入力端子から第１及び第２
のコムラインを経由して出力端子へ送られる高周波信号
の位相を可変制御することが可能となる。
【００６９】また、移相器が、第１及び第２のコムライ
ンと可変容量ダイオードとで構成されるため、移相器の
構成が簡単となり、その結果、移相器が小型化できると
ももに、その製造コストを減少することができる。
ンと可変容量ダイオードとで構成されるため、移相器の
構成が簡単となり、その結果、移相器が小型化できると
ももに、その製造コストを減少することができる。
【００７０】請求項５の移相器によれば、可変容量ダイ
オードに抵抗が並列接続されるため、反射係数を一定に
保ちながら位相を変化させることができる。したがっ
て、移相器において、振幅の変化を抑制しながら位相を
変化させることができる。
オードに抵抗が並列接続されるため、反射係数を一定に
保ちながら位相を変化させることができる。したがっ
て、移相器において、振幅の変化を抑制しながら位相を
変化させることができる。
【００７１】請求項６の移相器によれば、セラミックス
からなる複数のシート層を積層してなるセラミック基板
を備え、そのセラミック基板にコムラインをなす銅から
なるストリップ電極を内蔵しているため、セラミック基
板による波長短縮効果、及び銅による損失の低減により
１ＧＨｚ以上の高周波帯域への対応が可能となる。
からなる複数のシート層を積層してなるセラミック基板
を備え、そのセラミック基板にコムラインをなす銅から
なるストリップ電極を内蔵しているため、セラミック基
板による波長短縮効果、及び銅による損失の低減により
１ＧＨｚ以上の高周波帯域への対応が可能となる。
【００７２】また、セラミック基板に第１のコムライン
と第２のコムラインとを高さ方向に重なるように配置し
ているため、移相器の実装面積を小さくすることが可能
となる。
と第２のコムラインとを高さ方向に重なるように配置し
ているため、移相器の実装面積を小さくすることが可能
となる。
【００７３】請求項７の無線機器によれば、小型の移相
器を用いるため、送信特性に優れた小型の基地局を実現
することができる。
器を用いるため、送信特性に優れた小型の基地局を実現
することができる。
【図１】本発明の移相器に係る第１の実施例の回路図で
ある。
ある。
【図２】図１の移相器の一部分解透視斜視図である。
【図３】図２の移相器のセラミック基板を構成する
（ａ）第１のシート層〜（ｅ）第５のシート層の上面
図、及び（ｆ）第５のシート層の下面図である。
（ａ）第１のシート層〜（ｅ）第５のシート層の上面
図、及び（ｆ）第５のシート層の下面図である。
【図４】本発明の移相器に係る第２の実施例の回路図で
ある。
ある。
【図５】本発明の移相器に係る第３の実施例の回路図で
ある。
ある。
【図６】図５の移相器の一部分解透視斜視図である。
【図７】図６の移相器のセラミック基板を構成する
（ａ）第１のシート層〜（ｆ）第６のシート層の上面図
である。
（ａ）第１のシート層〜（ｆ）第６のシート層の上面図
である。
【図８】図６の移相器のセラミック基板を構成する
（ａ）第７のシート層、（ｂ）第８のシート層の上面
図、及び（ｃ）第８のシート層の下面図である。
（ａ）第７のシート層、（ｂ）第８のシート層の上面
図、及び（ｃ）第８のシート層の下面図である。
【図９】無線機器の１つである携帯電話器のブロック図
である。
である。
【図１０】従来の移相器を示す回路図である。
１０，２０，３０ 移相器 １１，３１ 第１の線路 １２，３２ 第２の線路 １３ コムライン ３３ 第１のコムライン ３４ 第３の線路 ３５ 第４の線路 ３６ 第２のコムライン ５０ 無線機器（携帯電話器） Ｄ１１，Ｄ１２，Ｄ２１〜Ｄ２４ 可変容量ダイオ
ード
ード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5J012 HA02 5K060 BB07 DD03 DD04 HH05 HH06 HH11 HH37 JJ02 JJ06 JJ19 KK06 LL30
Claims (7)
- 【請求項１】 電磁結合した第１及び第２の線路からな
るコムラインと、該コムラインをなす前記第１及び第２
の線路に接続される複数の可変容量ダイオードとを備
え、 前記第１の線路の一端に入力端子、前記第２の線路の一
端に出力端子、前記第１及び第２の線路の他端とグラン
ドとの間に前記可変容量ダイオードが接続されることを
特徴とする移相器。 - 【請求項２】 抵抗を前記可変容量ダイオードに並列接
続したことを特徴とする請求項１に記載の移相器。 - 【請求項３】 セラミックスからなる複数のシート層を
積層してなるセラミック基板を備え、該セラミック基板
に前記コムラインをなすストリップ電極を内蔵し、前記
セラミック基板に前記可変容量ダイオードを搭載するこ
とを特徴とする請求項１あるいは請求項２に記載の移相
器。 - 【請求項４】 電磁結合した第１及び第２の線路からな
る第１のコムラインと、電磁結合した第３及び第４の線
路からなる第２のコムラインと、該第２のコムラインを
なす前記第３及び第４の線路にそれぞれ接続される可変
容量ダイオードとを備え、 前記第１の線路の一端に入力端子、前記第２の線路の一
端に出力端子、前記第３及び第４の線路の一端とグラン
ドとの間に前記可変容量ダイオードが接続され、かつ前
記第１の線路の他端と前記第３の線路の他端、前記第２
の線路の他端と前記第４の線路の他端とがそれぞれ接続
されることを特徴とする移相器。 - 【請求項５】 抵抗を前記可変容量ダイオードに並列接
続したことを特徴とする請求項４に記載の移相器。 - 【請求項６】 セラミックスからなる複数のシート層を
積層してなるセラミック基板を備え、該セラミック基板
に前記第１及び第２のコムラインをなすストリップ電極
を内蔵し、前記セラミック基板に前記可変容量ダイオー
ドを搭載することを特徴とする請求項４あるいは請求項
５に記載の移相器。 - 【請求項７】 請求項１乃至請求項６のいずれかに記載
の移相器を用いたことを特徴とする無線機器。
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