JP2000031711A - マイクロ波回路とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来例に比較して小型軽量であって、より大
きいオフ時の減衰量を有するスイッチング回路を備えた
マイクロ波回路とその製造方法を提供する。 【解決手段】 裏面に接地導体が形成された基板上１０
に、互いに電磁的に所定の結合係数Ｍで結合するように
近接して並置されて形成された２本のマイクロストリッ
プ導体１，２を備えてなる結合器１０１を備えたマイク
ロ波回路２０１である。フローティング導体１１はマイ
クロストリップ導体１，２によって挟設されるように形
成され、スイッチング素子４１の一端は上記フローティ
ング導体１１の一端に接続されかつスイッチング素子４
１の他端が接地される。スイッチング素子４１を選択的
にオン又はオフにすることにより上記結合係数Ｍを変化
させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、結合器を用いて構
成されたスイッチング回路を備え、概ね１ＧＨｚ以上で
３００ＧＨｚ以下の周波数であるマイクロ波帯、準ミリ
波帯、ミリ波帯などの周波数帯で動作するマイクロ波回
路とその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１２は、従来例のマイクロ波スイッチ
ング回路の回路図である。この従来例は、１入力３出力
のスイッチング回路をＧａＡｓＰＩＮ型ＭＭＩＣで構成
したものである。図１２において、ポートＰ３１は伝送
線路１５１を介して接続点Ｐ３４に接続される。接続点
Ｐ３５は結合用キャパシタＣ１及びインピーダンス整合
用１／４波長板（伝送線路）１５２を介してポートＰ３
２に接続され、ポートＰ３２はダイオードＤ１を介して
接地される。また、接続点Ｐ３５は結合用キャパシタＣ
２及びインピーダンス整合用１／４波長板（伝送線路）
１５３を介してポートＰ３３に接続され、ポートＰ３３
はダイオードＤ２を介して接地される。さらに、接続点
Ｐ３５は結合用キャパシタＣ３及びインピーダンス整合
用１／４波長板（伝送線路）１５４を介してポートＰ３
４に接続され、ポートＰ３４はダイオードＤ２を介して
接地される。ここで、各ダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３に
はオン／オフ用直流電圧が印加され、キャパシタＣ１，
Ｃ２，Ｃ３はこれら直流電圧の直流阻止のために設けら
れる。

【０００３】以上のように構成された従来例において、
例えば、ダイオードＤ１に対して直流電圧を印加しない
一方、所定の正の直流電圧を順方向でダイオードＤ２，
Ｄ３に対して印加したとき、ダイオードＤ１はオフとな
る一方、ダイオードＤ２，Ｄ３はオンとなる。このと
き、ポートＰ３１に入力されるマイクロ波信号は伝送線
路１５１から接続点Ｐ３５、結合用キャパシタＣ１及び
１／４波長板１５２を介してポートＰ３２に出力され
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、３個の
１／４波長板１５２，１５３，１５４と伝送線路１５１
とを必要とするので、回路の大きさが比較的大型にな
り、また、特により高い周波数帯になるとダイオードＤ
１，Ｄ２，Ｄ３のオフ容量が比較的大きくなり、スイッ
チング回路がオフのときの減衰量が比較的小さい（例え
ば２５ｄＢ）という問題点があった。

【０００５】本発明の目的は以上の問題点を解決し、従
来例に比較して小型軽量であって、より大きいオフ時の
減衰量を有するスイッチング回路を備えたマイクロ波回
路を提供することにある。

【０００６】本発明のもう１つの目的は、従来例に比較
して小型軽量であって、より大きいオフ時の減衰量を有
するスイッチング回路を備えたマイクロ波回路におい
て、減衰量を変化させることができるマイクロ波回路の
製造方法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】第１の発明に係るマイク
ロ波回路は、裏面に接地導体が形成された基板上に、互
いに電磁的に所定の結合係数で結合するように近接して
並置されて形成された２本のマイクロストリップ導体を
備えてなる結合器を備えたマイクロ波回路において、上
記基板上に、上記２本のマイクロストリップ導体によっ
て挟設されるように形成された少なくとも１本のフロー
ティング導体と、一端が上記フローティング導体の少な
くとも一端に接続されかつ他端が接地され、選択的にオ
ン又はオフとなるスイッチング素子とを備え、上記スイ
ッチング素子がオンされたとき上記フローティング導体
は接地される一方、上記スイッチング素子がオフされた
とき上記フローティング導体は所定の浮動電位を有し、
上記スイッチング素子を選択的にオン又はオフにするこ
とにより上記結合係数を変化させることを特徴とする。

【０００８】また、上記マイクロ波回路において、上記
スイッチング素子は電界効果トランジスタであることを
特徴とする。

【０００９】さらに、上記マイクロ波回路において、上
記スイッチング素子はダイオードであることを特徴とす
る。

【００１０】また、上記マイクロ波回路において、上記
２本のマイクロストリップ導体のうちのいずれか１本に
接続された増幅器をさらに備えたことを特徴とする。

【００１１】さらに、上記マイクロ波回路において、並
置されて形成された複数の上記フローティング導体と、
上記複数のフローティング導体にそれぞれ接続された複
数の上記スイッチング素子とを備え、上記複数のスイッ
チング素子をオン又はオフすることにより、上記結合係
数を段階的に変化させることを特徴とする。

【００１２】また、上記マイクロ波回路において、上記
２本のマイクロストリップ導体のうちのいずれか１本に
接続された増幅器をさらに備えたことを特徴とする。

【００１３】さらに、上記マイクロ波回路において、入
力ポートと出力ポートと帰還路とを有する増幅器と、所
定の帰還回路とをさらに備え、上記帰還路は、上記マイ
クロ波回路と、上記帰還回路とが縦続接続されてなり、
帰還型増幅器として動作することを特徴とする。

【００１４】またさらに、上記マイクロ波回路におい
て、上記結合器は１／４波長結合線路型方向性結合器で
あることを特徴とする。

【００１５】第２の発明に係るマイクロ波回路は、裏面
に接地導体が形成された基板上に、互いに電磁的に所定
の第１の結合係数で結合するように近接して並置されて
形成された第１と第２のマイクロストリップ導体と、上
記基板上に、上記第１のマイクロストリップ導体と電磁
的に所定の第２の結合係数で結合するように近接して並
置されて形成された第３のマイクロストリップ導体とを
備えたなる結合器を備えたマイクロ波回路であって、上
記基板上に、上記第１と第２のマイクロストリップ導体
によって挟設されるように形成された少なくとも１本の
第１のフローティング導体と、上記基板上に、上記第１
と第３のマイクロストリップ導体によって挟設されるよ
うに形成された少なくとも１本の第２のフローティング
導体と、一端が上記第１のフローティング導体の少なく
とも一端に接続されかつ他端が接地され、選択的にオン
又はオフとなる第１のスイッチング素子と、一端が上記
第２のフローティング導体の少なくとも一端に接続され
かつ他端が接地され、選択的にオン又はオフとなる第２
のスイッチング素子とを備え、上記第１のスイッチング
素子がオフされかつ上記第２のスイッチング素子がオン
されたとき、上記第１の結合係数は上記第２の結合係数
よりも大きくなる一方、上記第１のスイッチング素子が
オンされかつ上記第２のスイッチング素子がオフされた
とき、上記第１の結合係数は上記第２の結合係数よりも
小さくなり、上記マイクロ波回路は、上記第１のマイク
ロストリップ導体を上記第２のマイクロストリップ導体
と上記第３のマイクロストリップ導体のうちのいずれか
１つに選択的にかつ電磁的に結合させるスイッチング回
路として動作することを特徴とする。

【００１６】また、上記マイクロ波回路において、上記
第２のマイクロストリップ導体に接続され、上記第２の
マイクロストリップ導体から入力される信号を所定の第
１の移相量だけ移相させて出力する第１の移相手段と、
上記第３のマイクロストリップ導体に接続され、上記第
３のマイクロストリップ導体から入力される信号を所定
の第２の移相量だけ移相させて出力する第２の移相手段
と、上記第１の移相手段から出力される信号と、上記第
２の移相手段から出力される信号とを合成して出力する
合成手段とをさらに備えたことを特徴とする。

【００１７】さらに、上記マイクロ波回路において、上
記第１のマイクロストリップ導体はアンテナに接続さ
れ、上記第２のマイクロストリップ導体は送信機に接続
され、上記第３のマイクロストリップ導体は受信機に接
続され、上記マイクロ波回路はトランシーバのための送
受信切り換え回路として動作することを特徴とする。

【００１８】第３の発明に係るマイクロ波回路の製造方
法は、裏面に接地導体が形成された基板上に、互いに電
磁的に所定の結合係数で結合するように近接して並置さ
れた２本のマイクロストリップ導体を備えてなる結合器
を形成するステップと、上記基板上に、上記２本のマイ
クロストリップ導体によって挟設されるように少なくと
も１本のフローティング導体を形成するステップと、一
端が上記フローティング導体の少なくとも一端に接続さ
れかつ他端が接地され、選択的にオン又はオフとなるス
イッチング素子を形成するステップと、上記２本のマイ
クロストリップ導体の各幅を変更することにより、上記
結合係数を調整するステップとを含むことを特徴とす
る。

【００１９】第４の発明に係るマイクロ波回路の製造方
法は、裏面に接地導体が形成された基板上に、互いに電
磁的に所定の結合係数で結合するように近接して並置さ
れた２本のマイクロストリップ導体を備えてなる結合器
を形成するステップと、上記基板上に、上記２本のマイ
クロストリップ導体によって挟設されるように少なくと
も１本のフローティング導体を形成するステップと、一
端が上記フローティング導体の少なくとも一端に接続さ
れかつ他端が接地され、選択的にオン又はオフとなるス
イッチング素子を形成するステップと、上記２本のマイ
クロストリップ導体と上記フローティング導体との間の
間隔を変更することにより、上記結合係数を調整するス
テップとを含むことを特徴とする。

【００２０】第５の発明に係るマイクロ波回路の製造方
法は、裏面に接地導体が形成された基板上に、互いに電
磁的に所定の結合係数で結合するように近接して並置さ
れた２本のマイクロストリップ導体を備えてなる結合器
を形成するステップと、上記基板上に、上記２本のマイ
クロストリップ導体によって挟設されるように少なくと
も１本のフローティング導体を形成するステップと、一
端が上記フローティング導体の少なくとも一端に接続さ
れかつ他端が接地され、選択的にオン又はオフとなるス
イッチング素子を形成するステップと、上記フローティ
ング導体の上記第１と第２のマイクロストリップ導体に
対する結合長を変更することにより、上記結合係数を調
整するステップとを含むことを特徴とする。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明に
係る実施の形態について説明する。

【００２２】実施の形態１．図１は、本発明に係る実施
の形態１であるマイクロ波回路２０１の構成を示す平面
図及び回路図であり、図２は、図１のマイクロ波回路２
０１に含まれる結合器１０１のＡ‐Ａ’線についての縦
断面図である。

【００２３】本実施の形態のマイクロ波回路２０１は、
スイッチング回路１５１と増幅器３０とを備え、スイッ
チング回路１５１は、図１及び図２に示すように、裏面
に接地導体１５が形成された誘電体基板１０上にそれぞ
れ互いに電磁的に結合するように近接しかつ互いに平行
となるように形成された２本のマイクロストリップ導体
１，２と、それらのマイクロストリップ導体１，２によ
って挟設されたフローティング導体１１とを備えてなる
結合器１０１と、上記フローティング導体１１の一端を
接地するか否かを切り換えるソース接地の電界効果トラ
ンジスタ（以下、ＦＥＴという。）４１とを備えたこと
を特徴とする。

【００２４】図１及び図２において、スイッチング回路
１５１においては、裏面に接地導体１５が形成された誘
電体基板１０上にそれぞれ互いに電磁的に結合するよう
に近接しかつ互いに平行となるように、２本のマイクロ
ストリップ導体１，２が形成され、各マイクロストリッ
プ導体１，２はそれぞれ１／２λｇの長さと幅ｗを有す
る。ここで、λｇは管内波長である。そして、誘電体基
板１０上に、２本のマイクロストリップ導体１，２によ
って挟設されかつ２本のマイクロストリップ導体１，２
と平行となるように、フローティング導体１１が形成さ
れ、フローティング導体１１は１／２λｇよりも長い長
さと幅ｗを有する。ここで、フローティング導体１１と
マイクロストリップ導体１との間の間隔、及びフローテ
ィング導体１１とマイクロストリップ導体２との間の間
隔は同一の間隔ｔに設定される。さらに、誘電体基板１
０上に、マイクロストリップ導体１の長手方向の中点か
ら誘電体基板１０の１辺の略中点まで延在する幅ｗのマ
イクロストリップ導体２１が形成され、その誘電体基板
１０の１辺の略中点側の端部をポートＰ１とする。ま
た、誘電体基板１０上に、マイクロストリップ導体２の
長手方向の中点からポートＰ１に対向する誘電体基板１
０の１辺（以下、対向１辺という。）の略中点まで延在
する幅ｗのマイクロストリップ導体２２が形成され、そ
の誘電体基板１０の対向１辺の略中点側の端部をポート
Ｐ２とする。

【００２５】ここで、マイクロストリップ導体１と接地
導体１５とによってマイクロストリップ線路が形成さ
れ、マイクロストリップ導体２と接地導体１５とによっ
てマイクロストリップ線路が形成され、マイクロストリ
ップ導体２１と接地導体１５とによってマイクロストリ
ップ線路が形成され、マイクロストリップ導体２２と接
地導体１５とによってマイクロストリップ線路が形成さ
れる。また、マイクロストリップ導体１とマイクロスト
リップ導体２は、フローティング導体１１を介して結合
係数Ｍ及び結合長Ｌで電磁的に結合する。ここで、結合
長Ｌは、マイクロストリップ導体１，２の電磁的な結合
にかかわるフローティング導体１１の長手方向の長さで
ある。以上のようにして、ポートＰ１とポートＰ２を有
する結合器１０１が形成される。

【００２６】フローティング導体１１の一端はＦＥＴ４
１のドレインに接続され、ＦＥＴ４１のソースは接地さ
れる。ＦＥＴ４１のゲートは比較的大きな抵抗値を有す
る直流電圧印加用抵抗５１を介してスイッチＳＷ１の共
通端子に接続される一方、スイッチＳＷ１の接点ａは所
定の直流電圧を有する直流電源６１の正極に接続され、
また、スイッチＳＷ１の接点ｂは接地される。ここで、
直流電源６１の負極は接地される。

【００２７】ここで、結合器１０１と、ＦＥＴ４１及び
その周辺回路とによりスイッチング回路１５１を構成し
ている。そして、結合器１０１のポートＰ２は反転増幅
器である増幅器３０を介してポートＰ３に接続される。
ここで、スイッチング回路１５１と増幅器３０とによ
り、後述するように、増幅と減衰とを切り換え可能な
（すなわち、増幅度を変化可能な）増幅回路であるマイ
クロ波回路２０１を構成している。

【００２８】以上のように構成されたスイッチング回路
１５１において、スイッチＳＷ１を接点ａ側に切り換え
ると、ＦＥＴ４１のゲートに所定の正の直流電圧が印加
されて、ＦＥＴ４１がオンとなり、フローティング導体
１１が接地され、接地電位となる。一方、スイッチＳＷ
１を接点ｂ側に切り換えると、ＦＥＴ４１のゲートが接
地されて、ＦＥＴ４１がオフとなり、フローティング導
体１１は、接地電位ではない浮動電位となる。

【００２９】ここで、ポートＰ３に所定の負荷を接続
し、ＦＥＴ４１がオフであるときに、マイクロ波信号を
ポートＰ１に入力したとき、マイクロストリップ導体１
は浮動電位を有するフローティング導体１１を介してマ
イクロストリップ導体２に電磁的により大きな結合係数
Ｍで結合しているので、入力されたマイクロ波信号はマ
イクロストリップ導体１からフローティング導体１１を
介してマイクロストリップ導体２に出力され、さらには
ポートＰ２及び増幅器３０を介してポートＰ３に出力さ
れる。一方、ＦＥＴ４１がオンであるとき、フローティ
ング導体１１は接地されるので、マイクロストリップ導
体１とマイクロストリップ導体２との間の電磁的な結合
度、すなわち結合係数は、ＦＥＴ４１がオフのときに比
較して小さくなり、後述する阻止周波数を有するマイク
ロ波信号をポートＰ１に入力したとき、入力されたマイ
クロ波信号はマイクロストリップ導体１に入力される
が、フローティング導体１１により減衰され、所定の減
衰量だけ減衰されたマイクロ波信号がマイクロストリッ
プ導体２を出力され、さらにはポートＰ２及び増幅器３
０を介してポートＰ３に出力される。ここで、減衰量が
極めて大きいときは、上記入力されたマイクロ波信号は
ポートＰ２にはほとんど出力されない。なお、結合器１
０１は可逆回路である。

【００３０】図３は、図１のスイッチング回路１５１の
ポートＰ１からポートＰ２への伝達係数特性を示し、伝
達係数Ｓ₂₁（ｄＢ）と入力マイクロ波の周波数（ＧＨ
ｚ）との関係を表すグラフである。図３から明らかなよ
うに、ＦＥＴ４１をオフにしたときは、伝達係数Ｓ₂₁は
ほぼ全周波数域に対しておよそ−３ｄＢの減衰量となる
が、ＦＥＴ４１をオンにしたときは、伝達係数Ｓ₂₁は、
およそ２３ＧＨｚの阻止周波数に対して約−４０ｄＢと
なる。つまり、ＦＥＴ４１のオン／オフを切り換えるこ
とによって、所定の阻止周波数を有する入力マイクロ波
信号をポートＰ１からポートＰ２に伝送し、又は減衰さ
せて伝送させないことを切り換えることができる。以
下、前者を伝送時といい、後者を減衰時という。また、
図３から明らかなように、減衰時の周波数帯は目的周波
数に対して比較的広帯域である。

【００３１】従って、本実施の形態のマイクロ波回路２
０１は、上述の作用を用いてポートＰ１からポートＰ２
へのマイクロ波信号の伝送／減衰又は遮断の切り換えを
行うことが可能であり、従来例と比較してオフ時の減衰
量が大きい。また、本実施の形態のマイクロ波回路２０
１の製造プロセスは高精度なものを要求しないために、
容易かつ安価に製造することが可能となる。さらに、従
来例と比較して、１／４波長板１５２，１５３，１５４
などの入出力整合回路等を必要としないために、より小
型軽量化することが可能である。

【００３２】図４は、図１におけるスイッチング回路１
５１において、マイクロストリップ導体１，２の各幅ｗ
を変更した場合のポートＰ１からポートＰ２への伝達係
数特性を示し、伝達係数Ｓ₂₁（ｄＢ）と周波数（ＧＨ
ｚ）との関係を表すグラフである。図４では、各幅ｗを
それぞれ２０μｍ、５０μｍとしたときの伝達係数Ｓ₂₁
を図示している。

【００３３】図４から明らかなように、ＦＥＴ４１がオ
フのとき、幅ｗ＝２０μｍのときの伝達係数Ｓ₂₁は全周
波数域に対しておよそ−３ｄＢとなり、幅ｗ＝５０μｍ
のときの伝達係数Ｓ₂₁は全周波数域に対しておよそ−４
ｄＢとなる。一方、ＦＥＴ４１がオンのとき、幅ｗ＝２
０μｍのときの伝達係数Ｓ₂₁と幅ｗ＝５０μｍのときの
伝達係数Ｓ₂₁の特性形状は概ね相似しているが、幅ｗ＝
５０μｍのときの伝達係数Ｓ₂₁は幅ｗ＝２０μｍのとき
の伝達係数Ｓ₂₁と比較して入力マイクロ波の周波数域全
体的に３〜５ｄＢ程度減衰量が大きいことがわかる。こ
のことは、マイクロストリップ導体１，２の幅ｗを変化
させることによって、マイクロストリップ導体１，２を
含むマイクロストリップ線路の伝送インピーダンスが変
化するが、特に、マイクロストリップ導体１，２間の結
合係数が変化し、その結果、伝達係数Ｓ₂₁が変化し、す
なわち、特に、ＦＥＴ４１がオンのときの減衰量が変化
する。従って、マイクロストリップ導体１及び２の各々
の幅ｗを変更することによって、スイッチング回路１５
１の減衰特性を調整することが可能である。

【００３４】また、以上の実験例では、幅ｗを変化して
いるが、本発明はこれに限らず、間隔ｔ又は結合長Ｌを
変化してもよい。ここで、間隔ｔを大きくした場合、結
合係数Ｍは小さくなり、伝送時及び減衰時の伝達係数Ｓ
₂₁は小さくなる一方、間隔ｔを小さくした場合、結合係
数Ｍは大きくなり、伝送時及び減衰時の伝達係数Ｓ₂₁は
大きくなる。また、結合長Ｌを小さくした場合、結合係
数Ｍは小さくなり、伝送時及び減衰時の伝達係数Ｓ₂₁は
小さくなる一方、結合長Ｌを大きくした場合、結合係数
Ｍは大きくなり、伝送時及び減衰時の伝達係数Ｓ₂₁は大
きくなる。ここで、結合長Ｌは、図１に示すように、マ
イクロストリップ導体１，２に対して電磁的に、すなわ
ち有効的に対向するフローティング導体１１の長さであ
り、図１の実施の形態の場合、結合長Ｌを１／２λｇを
超えて設定しても、伝達係数Ｓ₂₁の特性の変化はほとん
ど見られなくなる。

【００３５】なお、幅ｗ、間隔ｔ又は結合長Ｌを変更す
るためには、当該マイクロ波回路２０１を製造するプロ
セス中において、形成するマイクロストリップ導体の導
体幅又は導体長さを変化させて調整し、もしくは、形成
したマイクロストリップ導体の一部を例えば化学的にエ
ッチングすることにより、その導体幅又は導体長さを変
化させて調整することができる。これらのパラメータの
変更により、結合係数Ｍが変化して伝達係数Ｓ₂₁を変化
させて、伝送時及び遮断時の減衰量を変化させることが
できる。

【００３６】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、ポートＰ１からポートＰ２へのマイクロ波信号の伝
送／減衰又は遮断の切り換えを行うことが可能であり、
従来例と比較してオフ時の減衰量が大きい。また、本実
施の形態のマイクロ波回路２０１の製造プロセスは高精
度なものを要求しないために、容易かつ安価に製造する
ことが可能となる。さらに、従来例と比較して、１／４
波長板１５２，１５３，１５４などの入出力整合回路等
を必要としないために、より小型軽量化することが可能
である。

【００３７】実施の形態２．図５は、本発明に係る実施
の形態２であるマイクロ波回路２０２の構成を示すブロ
ック図及び回路図である。図５において、図１と同様の
ものには同一の符号を付している。本実施の形態のマイ
クロ波回路２０２のスイッチング回路１５２は、図１の
実施の形態１のスイッチング回路１５１に比較して、Ｆ
ＥＴ４１をダイオード７１に置き換えたことを特徴とし
ている。

【００３８】ここで、フローティング導体１１の一端
は、ダイオード７１のアノードに接続され、ダイオード
７１のカソードは接地される。また、ダイオード７１の
アノードは抵抗５１を介してスイッチＳＷ１の共通端子
に接続される。

【００３９】以上のように構成されたスイッチング回路
１５２において、スイッチＳＷ１を接点ａ側に切り換え
ると、ダイオード７１がオンとなり、フローティング導
体１１が接地され、接地電位となる。このとき、スイッ
チング回路１５２はマイクロ波信号の伝送状態となる。
一方、スイッチＳＷ１を接点ｂ側に切り換えると、ダイ
オード７１がオフとなり、フローティング導体１１は、
接地電位ではない浮動電位となる。このとき、スイッチ
ング回路１５２はマイクロ波信号の減衰又は遮断状態と
なる。従って、本実施の形態によれば、実施の形態１と
同様の作用と効果を有する。

【００４０】本実施の形態のダイオード７１を備えたス
イッチング回路１５２は、実施の形態１のみならず、後
述する実施の形態３乃至７に適用することができる。

【００４１】実施の形態３．図６は、本発明に係る実施
の形態３であるマイクロ波回路２０３の構成を示す回路
図である。図６において、図１及び図５と同様のものに
ついては同一の符号を付している。本実施の形態のマイ
クロ波回路２０３は、スイッチング回路１５３と増幅器
３０とを備えて構成され、スイッチング回路１５３は、
図６に示すように、裏面に接地導体が形成された誘電体
基板１０上にそれぞれ互いに電磁的に結合するように近
接しかつ互いに平行となるように形成された２本のマイ
クロストリップ導体１，２と、それらのマイクロストリ
ップ導体１，２によって挟設され、マイクロストリップ
導体１，２に対して平行となりかつ互いに等間隔ｔで並
置された３本のフローティング導体１１，１２，１３と
を備えてなる結合器１０３と、上記各フローティング導
体１１，１２，１３の一端を接地するか否かを切り換え
るソース接地のＦＥＴ４１，４２，４３とを備えたこと
を特徴とする。

【００４２】図６のスイッチング回路１５３において、
フローティング導体１１の一端は、ＦＥＴ４１のドレイ
ン及びソースを介して接地され、ＦＥＴ４１のゲートは
図１と同様に、抵抗５１及びスイッチＳＷ１を介して直
流電源６１又は接地電位に接続される。また、フローテ
ィング導体１２の一端は、ＦＥＴ４２のドレイン及びソ
ースを介して接地され、ＦＥＴ４２のゲートはＦＥＴ４
１と同様に、抵抗５２及びスイッチＳＷ２を介して直流
電源６２又は接地電位に接続される。さらに、フローテ
ィング導体１３の一端は、ＦＥＴ４３のドレイン及びソ
ースを介して接地され、ＦＥＴ４３のゲートはＦＥＴ４
１と同様に、抵抗５３及びスイッチＳＷ３を介して直流
電源６３又は接地電位に接続される。

【００４３】以上の構成されたスイッチング回路１５３
において、フローティング導体１１，１２，１３の３つ
のうち１つ、２つ又は３つを接地し、又はすべてを接地
しないようにすることにより、マイクロストリップ導体
１とマイクロストリップ導体２との間の結合係数Ｍを変
化することができ、これにより、ポートＰ１にマイクロ
波信号を入力したときに、ポートＰ２に現れるマイクロ
波信号の減衰量を変化させることができる。なお、結合
器１０３は可逆回路である。

【００４４】図７は、図６におけるスイッチング回路１
５３において、ＦＥＴ４１，４２，４３のオン／オフを
切り換えた場合のポートＰ１からポートＰ２への伝達係
数特性を示し、伝達係数Ｓ₂₁（ｄＢ）と入力マイクロ波
の周波数（ＧＨｚ）との関係を表すグラフである。図７
から明らかなように、ＦＥＴ４１，４２，４３をすべて
オフにしたときは、伝達係数Ｓ₂₁は入力マイクロ波の全
周波数域に対しておよそ−３ｄＢの減衰量となっている
ことがわかる。それに対し、ＦＥＴ４１，４２，４３の
うちの１つをオンにすると、例えば阻止周波数２７ＧＨ
ｚに対して伝達係数Ｓ₂₁は約−２５ｄＢとなる。また、
ＦＥＴ４１，４２，４３のうちの２つをオンにすると、
例えば阻止周波数２７ＧＨｚに対して伝達係数Ｓ₂₁は約
−２７ｄＢとなる。さらに、ＦＥＴ４１，４２，４３の
すべてをオンにすると、例えば阻止周波数２７ＧＨｚに
対して伝達係数Ｓ₂₁は約−２９ｄＢとなる。また、図７
から明らかなように、減衰時の周波数帯は目的周波数に
対して比較的広帯域である。すなわち、比較的広帯域に
わたってマイクロ波信号を減衰させ、かつその減衰量を
段階的に変化させることができる。

【００４５】以上説明したように本実施の形態によれ
ば、上述の作用を利用し、ＦＥＴ４１，４２，４３を適
切にオン／オフすることによって、ポートＰ１からポー
トＰ２への入力マイクロ波の減衰量を段階的に変化させ
て調整し、スイッチング回路１５３を含むマイクロ波回
路２０３を減衰器として用いることが可能である。ま
た、本実施の形態のマイクロ波回路２０７の製造プロセ
スは高精度なものを要求しないために、容易かつ安価に
製造することが可能となる。さらに、従来例と比較し
て、１／４波長板１５２，１５３，１５４などの入出力
整合回路等を必要としないために、より小型軽量化する
ことが可能である。

【００４６】なお、本実施の形態では、３本のフローテ
ィング導体１１，１２，１３を形成しているが、フロー
ティング導体の本数はこれに限らず、２本又は４本以上
であってもよい。

【００４７】実施の形態４．図８は、本発明に係る実施
の形態４であるマイクロ波回路２０４の構成を示す平面
図及び回路図である。図８において、図１、図５及び図
７と同様のものについては同一の符号を付している。本
実施の形態のマイクロ波回路２０４は、実施の形態３の
スイッチング回路１５３に加えて、反転増幅器である増
幅器３０ｃと、帰還回路８０とを備えて負帰還型増幅回
路を構成したことを特徴とする。

【００４８】図８において、入力ポートＰ１１は増幅器
３０ｃを介して出力ポートＰ１２に接続され、出力ポー
トＰ１２は所定の長さを有する伝送線路にてなる帰還回
路８０と、スイッチング回路１５３のポートＰ１及びＰ
２を介して入力ポートＰ１１に接続される。ここで、出
力ポートＰ１２から帰還回路８０及びスイッチング回路
１５３を介して入力ポートＰ１１までの回路は、当該マ
イクロ波回路２０４において、負帰還路を構成してお
り、マイクロ波回路２０４全体で負帰還型増幅回路を構
成している。すなわち、負帰還路は、スイッチング回路
１５３の結合器１０３と、帰還回路８０とが縦続接続さ
れてなる。

【００４９】以上のように構成されたマイクロ波回路２
０４において、実施の形態３のように、スイッチング回
路１５３の減衰量を変化させることができ、これによ
り、当該負帰還型増幅回路の負帰還量を変化させること
ができ、従って、当該負帰還型増幅回路の増幅度を変化
させることができる。

【００５０】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、比較的広帯域にわたってマイクロ波信号を減衰させ
かつその減衰量を変化させることができるスイッチング
回路１５３を負帰還回路に用いることにより、比較的広
帯域で増幅度を変化させることができる負帰還型増幅回
路を構成することができる。また、本実施の形態のマイ
クロ波回路２０４の製造プロセスは高精度なものを要求
しないために、容易かつ安価に製造することが可能とな
る。さらに、従来例と比較して、１／４波長板１５２，
１５３，１５４などの入出力整合回路等を必要としない
ために、より小型軽量化することが可能である。

【００５１】実施の形態５．図９は、本発明に係る実施
の形態５であるマイクロ波回路２０５の構成を示す平面
図及び回路図である。図９において、図１、図５、図７
及び図８と同様のものについては同一の符号を付してい
る。本実施の形態のマイクロ波回路２０５は、スイッチ
ング回路１５５と、９０度移相器９０ａと、４５度移相
器９０ｂとを備えて、移相量切り換え型移相回路を構成
したことを特徴としている。

【００５２】図９において、スイッチング回路１５５に
おいては、図１のスイッチング回路１５１に比較して、
図１のマイクロストリップ導体２が長手方向の中点で２
本のマイクロストリップ導体２ａ，２ｂに切断分割さ
れ、図１のフローティング導体１１が長手方向の中点で
２本のフローティング導体１１ａ，１１ｂに切断分割さ
れる。すなわち、それぞれ１／４λｇの長さを有する２
本のマイクロストリップ導体２ａ，２ｂがマイクロスト
リップ導体１と電磁的に結合するように近接して１直線
上に形成される。フローティング導体１１ａは、マイク
ロストリップ導体１の一方の半分部分とマイクロストリ
ップ導体２ａとの間に挟設されかつ２本のマイクロスト
リップ導体１，２ａと平行となるように形成される。ま
た、フローティング導体１１ｂは、マイクロストリップ
導体１の他方の半分部分とマイクロストリップ導体２ｂ
との間に挟設されかつ２本のマイクロストリップ導体
１，２ｂと平行となるように形成される。ここで、フロ
ーティング導体１１ａ，１１ｂとマイクロストリップ導
体１との間の間隔、及びフローティング導体１１ａ，１
１ｂとマイクロストリップ導体２との間の間隔は同一の
間隔ｔに設定される。また、各マイクロストリップ導体
１，２ａ，２ｂ及びフローティング導体１１ａ，１１ｂ
は所定の同一の幅ｗを有する。

【００５３】さらに、誘電体基板１０上に、マイクロス
トリップ導体１の中点から誘電体基板１０の１辺の略中
点まで延在する幅ｗのマイクロストリップ導体２１が形
成され、その誘電体基板１０の１辺の略中点側の端部を
ポートＰ１とする。また、誘電体基板１０上に、マイク
ロストリップ導体２ａの外側の一端から上記ポートＰ１
の一辺に対向する誘電体基板１０の１辺の所定位置まで
延在する幅ｗのマイクロストリップ導体２２ａが形成さ
れ、その誘電体基板１０の１辺の側の端部をポートＰ２
ａとする。ここで、外側とは、誘電体基板１０の端部の
近傍に面する側をいう。さらに、誘電体基板１０上に、
マイクロストリップ導体２ｂの外側の一端から上記ポー
トＰ１の一辺に対向する誘電体基板１０の１辺の所定位
置まで延在する幅ｗのマイクロストリップ導体２２ｂが
形成され、その誘電体基板１０の１辺の側の端部をポー
トＰ２ｂとする。

【００５４】ここで、マイクロストリップ導体１と接地
導体１５とによってマイクロストリップ線路が形成さ
れ、マイクロストリップ導体２ａと接地導体１５とによ
ってマイクロストリップ線路が形成され、マイクロスト
リップ導体２ｂと接地導体１５とによってマイクロスト
リップ線路が形成される。また、マイクロストリップ導
体２１と接地導体１５とによってマイクロストリップ線
路が形成され、マイクロストリップ導体２２ａと接地導
体１５とによってマイクロストリップ線路が形成され、
マイクロストリップ導体２２ｂと接地導体１５とによっ
てマイクロストリップ線路が形成される。ここで、マイ
クロストリップ導体１とマイクロストリップ導体２ａ
は、フローティング導体１１ａを介して結合係数Ｍａで
電磁的に結合し、マイクロストリップ導体１とマイクロ
ストリップ導体２ｂは、フローティング導体１１ｂを介
して結合係数Ｍｂで電磁的に結合する。以上のようにし
て、ポートＰ１とポートＰ２ａ，Ｐ２ｂを有する結合器
１０５が形成される。

【００５５】フローティング導体１１ａの外側の一端は
ＦＥＴ４１ａのドレイン及びソースを介して接地され、
ＦＥＴ４１ａのゲートは比較的大きな抵抗値を有する直
流電圧印加用抵抗５１ａを介してスイッチＳＷ１ａを介
して直流電源６１ａ又は接地電位に接続される。また、
フローティング導体１１ｂの外側の一端はＦＥＴ４１ｂ
のドレイン及びソースを介して接地され、ＦＥＴ４１ｂ
のゲートは比較的大きな抵抗値を有する直流電圧印加用
抵抗５１ｂを介してスイッチＳＷ１ｂを介して直流電源
６１ｂ又は接地電位に接続される。

【００５６】ここで、結合器１０５と、ＦＥＴ４１ａ及
びその周辺回路と、ＦＥＴ４１ｂ及びその周辺回路とに
よりスイッチング回路１５５を構成している。そして、
結合器１０１のポートＰ２ａは、入力マイクロ波信号を
９０度だけ移相する９０度移相器９０ａ及び合成器９１
を介してポートＰ４に接続され、結合器１０１のポート
Ｐ２ｂは、入力マイクロ波信号を４５度だけ移相する４
５度移相器９０ｂ及び合成器９１を介してポートＰ４に
接続される。ここで、合成器９１は、各移相器９０ａ，
９０ｂから出力される信号を合成してポートＰ４に出力
する。

【００５７】以上のように構成されたスイッチング回路
１５１において、スイッチＳＷ１ａを接点ｂ側に切り換
えかつスイッチＳＷ１ｂを接点ａ側に切り換えたとき、
ＦＥＴ４１ａがオフとなりかつＦＥＴ４１ｂがオンとな
る。従って、このとき、フローティング導体１１ａは浮
動電位となる一方、フローティング導体１１ｂは接地さ
れて接地電位となるので、Ｍａ＞Ｍｂとなり、実施の形
態１の作用及び実験例から明らかなように、ポートＰ１
に入力されたマイクロ波信号はマイクロストリップ導体
１からマイクロストリップ導体２ａ及び合成器９１を介
してポートＰ２ａに出力されるが、マイクロストリップ
導体１からマイクロストリップ導体２ｂ及び合成器９１
を介してポートＰ２ｂには比較的大きな減衰量でほとん
ど出力されない。

【００５８】一方、スイッチＳＷ１ａを接点ａ側に切り
換えかつスイッチＳＷ１ｂを接点ｂ側に切り換えたと
き、ＦＥＴ４１ａがオンとなりかつＦＥＴ４１ｂがオフ
となる。従って、このとき、フローティング導体１１ａ
は接地されて接地電位となる一方、フローティング導体
１１ｂは浮動電位となるので、Ｍｂ＞Ｍａとなり、実施
の形態１の作用及び実験例から明らかなように、ポート
Ｐ１に入力されたマイクロ波信号はマイクロストリップ
導体１からマイクロストリップ導体２ｂを介してポート
Ｐ２ｂに出力されるが、マイクロストリップ導体１から
マイクロストリップ導体２ａを介してポートＰ２ａには
比較的大きな減衰量でほとんど出力されない。

【００５９】従って、スイッチング回路１５５は、ポー
トＰ１をポートＰ２ａ又はＰ２ｂに選択的に接続する選
択型スイッチ回路を構成する。すなわち、ポートＰ４に
所定の負荷を接続した場合に、スイッチング回路１５１
において、スイッチＳＷ１ａを接点ｂ側に切り換えかつ
スイッチＳＷ１ｂを接点ａ側に切り換えたとき、ポート
Ｐ１に入力されたマイクロ波信号はスイッチング回路１
５５及び９０度移相器９０ａを介してポートＰ４に出力
される一方、スイッチＳＷ１ａを接点ａ側に切り換えか
つスイッチＳＷ１ｂを接点ｂ側に切り換えたとき、ポー
トＰ１に入力されたマイクロ波信号はスイッチング回路
１５５及び４５度移相器９０ｂを介してポートＰ４に出
力される。それ故、当該マイクロ波回路２０５は、移相
量を９０度又は４５度に選択的に切り換えることができ
る移相量切り換え型移相回路を構成している。なお、結
合器１０５は可逆回路である。

【００６０】以上説明したように本実施の形態のマイク
ロ波回路２０５によれば、スイッチング回路１５５によ
り選択型スイッチ回路を構成することができるととも
に、当該スイッチング回路１５５を用いて、移相量を９
０度又は４５度に選択的に切り換えることができる移相
量切り換え型移相回路を構成することができる。この移
相回路は比較的広帯域であって、オフ時の減衰量が比較
的大きいという効果を有する。また、本実施の形態のマ
イクロ波回路２０５の製造プロセスは高精度なものを要
求しないために、容易かつ安価に製造することが可能と
なる。さらに、従来例と比較して、１／４波長板１５
２，１５３，１５４などの入出力整合回路等を必要とし
ないために、より小型軽量化することが可能である。

【００６１】以上の実施の形態において、マイクロスト
リップ導体１とマイクロストリップ導体２ａとによって
挟設されたフローティング導体１１ａは１本であるが、
本発明はこれに限らず、実施の形態３及び４と同様に複
数本のフローティング導体を形成してもよい。これによ
り、ポートＰ１とポートＰ２ａとの間の遮断時の減衰量
を変化させることができる。また、マイクロストリップ
導体１とマイクロストリップ導体２ｂとによって挟設さ
れたフローティング導体１１ｂは１本であるが、本発明
はこれに限らず、実施の形態３及び４と同様に複数本の
フローティング導体を形成してもよい。これにより、ポ
ートＰ１とポートＰ２ｂとの間の遮断時の減衰量を変化
させることができる。

【００６２】以上の実施の形態において、移相器とし
て、９０度移相器Ｐ２ａ及び４５度移相器Ｐ２ｂを用い
ているが、本発明はこれらの移相量に限定されない。

【００６３】実施の形態６．図１０は、本発明に係る実
施の形態６であるトランシーバ１３０の構成を示す回路
図である。図１０において、図１、図５、図７、図８及
び図９と同様のものについては同一の符号を付してい
る。本実施の形態のトランシーバ１３０は、実施の形態
５のスイッチング回路１５５を送受信切り換え回路とし
て用いたことを特徴としている。図９の実施の形態５と
の相違点について詳述する。

【００６４】図１０において、送信機１００はスイッチ
ング回路１５５のポートＰ２ａに接続され、受信機１１
０はスイッチング回路１５５のポートＰ２ｂに接続さ
れ、アンテナ１２０はスイッチング回路１５５のポート
Ｐ１に接続される。

【００６５】以上のように構成されたトランシーバ１３
０において、スイッチＳＷ１ａを接点ｂ側に切り換えか
つスイッチＳＷ１ｂを接点ａ側に切り換えたとき、アン
テナ１２０はスイッチング回路１５５を介して送信機１
００に接続され、このとき、送信機１００から送信され
るマイクロ波送信信号は、スイッチング回路１５５を介
してアンテナ１２０に出力されて放射される。一方、ス
イッチＳＷ１ａを接点ａ側に切り換えかつスイッチＳＷ
１ｂを接点ｂ側に切り換えたとき、アンテナ１２０はス
イッチング回路１５５を介して受信機１１０に接続さ
れ、アンテナ１２０で受信されたマイクロ波受信信号
は、スイッチング回路１５５を介して受信機１１０に出
力されて受信機１１０により受信される。

【００６６】以上説明したように本実施の形態のトラン
シーバ１３０によれば、スイッチング回路１５５により
送受信切り換えスイッチ回路を構成することができる。
このスイッチ回路は比較的広帯域であって、オフ時の減
衰量が比較的大きいという効果を有する。また、本実施
の形態のトランシーバ１３０の製造プロセスは高精度な
ものを要求しないために、容易かつ安価に製造すること
が可能となる。さらに、従来例と比較して、１／４波長
板１５２，１５３，１５４などの入出力整合回路等を必
要としないために、より小型軽量化することが可能であ
る。

【００６７】実施の形態７．図１１は、本発明に係る実
施の形態７であるマイクロ波回路２０７の構成を示す回
路図である。図１１において、図１と同様のものについ
ては同一の符号を付している。本実施の形態のマイクロ
波回路２０７は、スイッチング回路１５７と２個の増幅
器３０ａ，３０ｂとを備えて構成され、ここで、互いに
電磁的に結合する２本のマイクロストリップ導体３，４
と、図１のフローティング導体１１とにより方向性結合
器１０７を構成し、当該方向性結合器１０７と、フロー
ティング導体１１を接地電位又は浮動電位に設定するた
めのＦＥＴ４１とその周辺回路とによりスイッチング回
路２０７を構成したことを特徴とする。ここで、２本の
マイクロストリップ導体３，４により１／４波長結合線
路型方向性結合器を構成している。当該実施の形態のス
イッチング回路１５７は、上述の実施の形態１乃至４に
適用することができる。すなわち、上述の結合器１０
０，１０１，１０３を方向性結合器１０７で置き換えて
もよい。

【００６８】図１１において、スイッチング回路１５７
においては、裏面に接地導体が形成された誘電体基板１
０上にそれぞれ互いに電磁的に結合するように近接しか
つ互いに平行となるように、２本のマイクロストリップ
導体３，４が形成され、各マイクロストリップ導体３，
４はそれぞれ１／４λｇの長さと幅ｗを有する。ここ
で、λｇは管内波長である。そして、誘電体基板１０上
に、２本のマイクロストリップ導体３，４によって挟設
されかつ２本のマイクロストリップ導体３，４と平行と
なるように、フローティング導体１１が形成され、フロ
ーティング導体１１は１／４λｇよりも長い長さと幅ｗ
を有する。ここで、フローティング導体１１とマイクロ
ストリップ導体３との間の間隔、及びフローティング導
体１１とマイクロストリップ導体４との間の間隔は同一
の間隔ｔに設定される。

【００６９】さらに、誘電体基板１０上に、マイクロス
トリップ導体３の長手方向の一端から誘電体基板１０の
１辺の端部まで延在する幅ｗのマイクロストリップ導体
３ａが形成され、その誘電体基板１０の１辺の端部をポ
ートＰ２１とする。また、誘電体基板１０上に、マイク
ロストリップ導体３の長手方向の他端から誘電体基板１
０の１辺の別の端部まで延在する幅ｗのマイクロストリ
ップ導体３ｂが形成され、その誘電体基板１０の１辺の
別の端部をポートＰ２２とする。さらに、誘電体基板１
０上に、マイクロストリップ導体４の長手方向の一端か
ら誘電体基板１０の上記１辺に対向する１辺（以下、対
向１辺という。）の端部まで延在する幅ｗのマイクロス
トリップ導体４ａが形成され、その誘電体基板１０の対
向１辺の端部をポートＰ２３とする。また、誘電体基板
１０上に、マイクロストリップ導体４の長手方向の他端
から誘電体基板１０の対向１辺の別の端部まで延在する
幅ｗのマイクロストリップ導体４ｂが形成され、その誘
電体基板１０の対向１辺の別の端部をポートＰ２４とす
る。

【００７０】ここで、マイクロストリップ導体３と接地
導体１５とによってマイクロストリップ線路が形成さ
れ、マイクロストリップ導体４と接地導体１５とによっ
てマイクロストリップ線路が形成される。また、マイク
ロストリップ導体３ａと接地導体１５とによってマイク
ロストリップ線路が形成され、マイクロストリップ導体
３ｂと接地導体１５とによってマイクロストリップ線路
が形成される。さらに、マイクロストリップ導体４ａと
接地導体１５とによってマイクロストリップ線路が形成
され、マイクロストリップ導体４ｂと接地導体１５とに
よってマイクロストリップ線路が形成される。ここで、
マイクロストリップ導体３とマイクロストリップ導体４
は、フローティング導体１１を介して結合係数Ｍ及び結
合長Ｌで電磁的に結合する。ここで、結合長Ｌは、マイ
クロストリップ導体３，４の電磁的な結合にかかわるフ
ローティング導体１１の長手方向の長さである。以上の
ようにして、４個のポートＰ２１，Ｐ２２，Ｐ２３，Ｐ
２４とフローティング導体１１とを有する１／４波長結
合線路型方向性結合器１０７が形成される。

【００７１】フローティング導体１１の一端はＦＥＴ４
１のドレインに接続され、ＦＥＴ４１のソースは接地さ
れる。ＦＥＴ４１のゲートは比較的大きな抵抗値を有す
る直流電圧印加用抵抗５１を介してスイッチＳＷ１の共
通端子に接続される一方、スイッチＳＷ１の接点ａは所
定の直流電圧を有する直流電源６１の正極に接続され、
また、スイッチＳＷ１の接点ｂは接地される。ここで、
直流電源６１の負極は接地される。

【００７２】ここで、方向性結合器１０７と、ＦＥＴ４
１及びその周辺回路とによりスイッチング回路１５７を
構成している。そして、方向性結合器１０７のポートＰ
２３は反転増幅器である増幅器３０ａを介してポートＰ
２５に接続される。また、方向性結合器１０７のポート
Ｐ２４は反転増幅器である増幅器３０ｂを介してポート
Ｐ２６に接続される。ここで、スイッチング回路１５７
と増幅器３０ａ，３０ｂとにより、後述するように、増
幅と減衰とを切り換え可能な増幅回路であるマイクロ波
回路２０７を構成している。

【００７３】以上のように構成されたスイッチング回路
１５７において、スイッチＳＷ１を接点ａ側に切り換え
ると、ＦＥＴ４１のゲートに所定の正の直流電圧が印加
されて、ＦＥＴ４１がオンとなり、フローティング導体
１１が接地され、接地電位となる。一方、スイッチＳＷ
１を接点ｂ側に切り換えると、ＦＥＴ４１のゲートが接
地されて、ＦＥＴ４１がオフとなり、フローティング導
体１１は、接地電位ではない浮動電位となる。

【００７４】ここで、例えば、ポートＰ２２を終端し、
ポートＰ２５，Ｐ２６をそれぞれ所定の負荷で終端した
場合に、ＦＥＴ４１がオフであるときに、マイクロ波信
号をポートＰ２１に入力したとき、マイクロストリップ
導体１は浮動電位を有するフローティング導体１１を介
してマイクロストリップ導体２に電磁的により大きな結
合係数Ｍで結合しているので、入力されたマイクロ波信
号はマイクロストリップ導体３からフローティング導体
１１及びマイクロストリップ導体４を介してマイクロス
トリップ導体４ａ，４ｂに出力され、さらにはポートＰ
２３及び増幅器３０ａを介してポートＰ２５に出力され
るともに、ポートＰ２４及び増幅器３０ｂを介してポー
トＰ２６に出力される。一方、ＦＥＴ４１がオンである
とき、フローティング導体１１は接地されるので、マイ
クロストリップ導体３とマイクロストリップ導体４との
間の電磁的な結合度、すなわち結合係数は、ＦＥＴ４１
がオフのときに比較して小さくなり、所定の阻止周波数
を有するマイクロ波信号をポートＰ２１に入力したと
き、入力されたマイクロ波信号はマイクロストリップ導
体３に入力されるが、フローティング導体１１により減
衰され、所定の減衰量だけ減衰されたマイクロ波信号が
マイクロストリップ導体４を出力され、さらにはポート
Ｐ２３及び増幅器３０ａを介してポートＰ２５に出力さ
れるともに、ポートＰ２４及び増幅器３０ｂを介してポ
ートＰ２６に出力される。ここで、減衰量が極めて大き
いときは、上記入力されたマイクロ波信号はポートＰ２
３，Ｐ２４にはほとんど出力されない。

【００７５】また、例えば、ポートＰ２１を終端し、ポ
ートＰ２５，Ｐ２６をそれぞれ所定の負荷で終端した場
合に、マイクロ波信号をポートＰ２２に入力したとき
も、上述と同様に動作する。なお、方向性結合器１０７
は可逆回路である。

【００７６】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、ポートＰ２１又はＰ２２からポートＰ２３又はＰ２
４へのマイクロ波信号の伝送／減衰又は遮断の切り換え
を行うことが可能であり、従来例と比較してオフ時の減
衰量が大きい。なお、増幅器３０ａ，３０ｂを備えない
ときは、スイッチング回路１５７において、ポートＰ２
３又はＰ２４からポートＰ２１又はＰ２２へのマイクロ
波信号の伝送／減衰又は遮断の切り換えを行うことが可
能である。また、本実施の形態のマイクロ波回路２０７
の製造プロセスは高精度なものを要求しないために、容
易かつ安価に製造することが可能となる。さらに、従来
例と比較して、１／４波長板１５２，１５３，１５４な
どの入出力整合回路等を必要としないために、より小型
軽量化することが可能である。

【００７７】変形例．以上の実施の形態及び変形例にお
いては、誘電体基板１０を用いているが、本発明はこれ
に限らず、半導体基板を用いてもよい。

【００７８】以上の実施の形態及び変形例においては、
フローティング導体１１，１２，１３の各一端にＦＥＴ
４１，４２，４３又はダイオード７１などのスイッチン
グ素子を接続して上記各一端を接地し又は接地しないよ
うに切り換えているが、本発明はこれに限らず、フロー
ティング導体１１，１２，１３の両端に上記スイッチン
グ素子を接続して上記両端を接地し又は接地しないよう
に切り換えてもよい。ここで、ＦＥＴ４１，４２，４３
又はダイオード７１などのスイッチング素子は、誘電体
基板１０上においてハイブリッド素子として接続し、も
しくは半導体基板上にその素子を形成してもよい。ま
た、スイッチング素子の一端を接地導体１５に接地する
方法としては、誘電体基板１０又は半導体基板をその厚
さ方向に貫通するスルーホールに形成されたスルーホー
ル導体を介して、スイッチング素子の一端を接地導体１
５に接地するか、もしくは、誘電体基板１０又は半導体
基板の外側側面に形成された導体又はワイヤを介して、
スイッチング素子の一端を接地導体１５に接地するよう
にすればよい。

【００７９】以上の実施の形態及び変形例においては、
幅ｗ、間隔ｔ及び結合長Ｌ（特に、複数のフローティン
グ導体１１，１２，１３のとき）を同一としているが、
本発明はこれに限らず、適宜異なるように設定してもよ
い。

【００８０】以上の実施の形態及び変形例において、Ｆ
ＥＴはエンハンスメント型ＦＥＴであってもよいし、デ
ィプレッション型ＦＥＴであってもよい。なお、後者の
場合においては、ＦＥＴ４１，４２，４３，４１ａ，４
１ｂをオフにするときは、負の直流電圧を印加する必要
がある。

【００８１】以上の実施の形態及び変形例において、抵
抗５１，５２，５３，５１ａ，５１ｂを用いているが、
本発明はこれに限らず、これに代えて、インダクタとし
て動作する伝送線路を用いてもよい。

【００８２】

【発明の効果】第１の発明に係るマイクロ波回路は、裏
面に接地導体が形成された基板上に、互いに電磁的に所
定の結合係数で結合するように近接して並置されて形成
された２本のマイクロストリップ導体を備えてなる結合
器を備えたマイクロ波回路において、上記基板上に、上
記２本のマイクロストリップ導体によって挟設されるよ
うに形成された少なくとも１本のフローティング導体
と、一端が上記フローティング導体の少なくとも一端に
接続されかつ他端が接地され、選択的にオン又はオフと
なるスイッチング素子とを備え、上記スイッチング素子
がオンされたとき上記フローティング導体は接地される
一方、上記スイッチング素子がオフされたとき上記フロ
ーティング導体は所定の浮動電位を有し、上記スイッチ
ング素子を選択的にオン又はオフにすることにより上記
結合係数を変化させる。従って、上記結合係数を変化さ
せることにより、マイクロ波信号の伝送／減衰又は遮断
の切り換えを行うことが可能であり、従来例と比較して
オフ時の減衰量が大きい。また、当該マイクロ波回路の
製造プロセスは高精度なものを要求しないために、容易
かつ安価に製造することが可能となる。さらに、従来例
と比較して、１／４波長板１５２，１５３，１５４など
の入出力整合回路等を必要としないために、より小型軽
量化することが可能である。

【００８３】また、上記マイクロ波回路において、上記
スイッチング素子は電界効果トランジスタである。従っ
て、上記結合係数を変化させることにより、マイクロ波
信号の伝送／減衰又は遮断の切り換えを行うことが可能
であり、従来例と比較してオフ時の減衰量が大きい。ま
た、当該マイクロ波回路の製造プロセスは高精度なもの
を要求しないために、容易かつ安価に製造することが可
能となる。さらに、従来例と比較して、１／４波長板１
５２，１５３，１５４などの入出力整合回路等を必要と
しないために、より小型軽量化することが可能である。

【００８４】さらに、上記マイクロ波回路において、上
記スイッチング素子はダイオードである。従って、上記
結合係数を変化させることにより、マイクロ波信号の伝
送／減衰又は遮断の切り換えを行うことが可能であり、
従来例と比較してオフ時の減衰量が大きい。また、当該
マイクロ波回路の製造プロセスは高精度なものを要求し
ないために、容易かつ安価に製造することが可能とな
る。さらに、従来例と比較して、１／４波長板１５２，
１５３，１５４などの入出力整合回路等を必要としない
ために、より小型軽量化することが可能である。

【００８５】また、上記マイクロ波回路において、上記
２本のマイクロストリップ導体のうちのいずれか１本に
接続された増幅器をさらに備える。従って、上記結合係
数を変化させることにより、マイクロ波信号の伝送／減
衰又は遮断の切り換えを行うことが可能であり、従来例
と比較してオフ時の減衰量が大きい。それ故、増幅度を
変化できる増幅器を構成することができる。また、当該
マイクロ波回路の製造プロセスは高精度なものを要求し
ないために、容易かつ安価に製造することが可能とな
る。さらに、従来例と比較して、１／４波長板１５２，
１５３，１５４などの入出力整合回路等を必要としない
ために、より小型軽量化することが可能である。

【００８６】さらに、上記マイクロ波回路において、並
置されて形成された複数の上記フローティング導体と、
上記複数のフローティング導体にそれぞれ接続された複
数の上記スイッチング素子とを備え、上記複数のスイッ
チング素子をオン又はオフすることにより、上記結合係
数を段階的に変化させる。従って、上記結合係数を変化
させることにより、マイクロ波信号の伝送／減衰又は遮
断の切り換えを行うことが可能であり、従来例と比較し
てオフ時の減衰量が大きい。また、減衰量を段階的に変
化させることができる。また、当該マイクロ波回路の製
造プロセスは高精度なものを要求しないために、容易か
つ安価に製造することが可能となる。さらに、従来例と
比較して、１／４波長板１５２，１５３，１５４などの
入出力整合回路等を必要としないために、より小型軽量
化することが可能である。

【００８７】また、上記マイクロ波回路において、上記
２本のマイクロストリップ導体のうちのいずれか１本に
接続された増幅器をさらに備える。従って、上記結合係
数を変化させることにより、マイクロ波信号の伝送／減
衰又は遮断の切り換えを行うことが可能であり、従来例
と比較してオフ時の減衰量が大きい。また、減衰量を段
階的に変化させることができるので、増幅度を段階的に
変化可能な増幅回路を構成することができる。また、当
該マイクロ波回路の製造プロセスは高精度なものを要求
しないために、容易かつ安価に製造することが可能とな
る。さらに、従来例と比較して、１／４波長板１５２，
１５３，１５４などの入出力整合回路等を必要としない
ために、より小型軽量化することが可能である。

【００８８】さらに、上記マイクロ波回路において、入
力ポートと出力ポートと帰還路とを有する増幅器と、所
定の帰還回路とをさらに備え、上記帰還路は、上記マイ
クロ波回路と、上記帰還回路とが縦続接続されてなり、
帰還型増幅器として動作する。従って、上記結合係数を
変化させることにより、マイクロ波信号の伝送／減衰又
は遮断の切り換えを行うことが可能であり、従来例と比
較してオフ時の減衰量が大きい。また、減衰量を段階的
に変化させることができるので、帰還量を段階的に変化
させることができ、それ故、増幅度を段階的に変化可能
な帰還型増幅回路を構成することができる。また、当該
マイクロ波回路の製造プロセスは高精度なものを要求し
ないために、容易かつ安価に製造することが可能とな
る。さらに、従来例と比較して、１／４波長板１５２，
１５３，１５４などの入出力整合回路等を必要としない
ために、より小型軽量化することが可能である。

【００８９】またさらに、上記マイクロ波回路におい
て、上記結合器は１／４波長結合線路型方向性結合器で
ある。従って、上記結合係数を変化させることにより、
マイクロ波信号の伝送／減衰又は遮断の切り換えを行う
ことが可能であり、従来例と比較してオフ時の減衰量が
大きい。また、当該マイクロ波回路の製造プロセスは高
精度なものを要求しないために、容易かつ安価に製造す
ることが可能となる。さらに、従来例と比較して、１／
４波長板１５２，１５３，１５４などの入出力整合回路
等を必要としないために、より小型軽量化することが可
能である。

【００９０】第２の発明に係るマイクロ波回路は、裏面
に接地導体が形成された基板上に、互いに電磁的に所定
の第１の結合係数で結合するように近接して並置されて
形成された第１と第２のマイクロストリップ導体と、上
記基板上に、上記第１のマイクロストリップ導体と電磁
的に所定の第２の結合係数で結合するように近接して並
置されて形成された第３のマイクロストリップ導体とを
備えたなる結合器を備えたマイクロ波回路であって、上
記基板上に、上記第１と第２のマイクロストリップ導体
によって挟設されるように形成された少なくとも１本の
第１のフローティング導体と、上記基板上に、上記第１
と第３のマイクロストリップ導体によって挟設されるよ
うに形成された少なくとも１本の第２のフローティング
導体と、一端が上記第１のフローティング導体の少なく
とも一端に接続されかつ他端が接地され、選択的にオン
又はオフとなる第１のスイッチング素子と、一端が上記
第２のフローティング導体の少なくとも一端に接続され
かつ他端が接地され、選択的にオン又はオフとなる第２
のスイッチング素子とを備え、上記第１のスイッチング
素子がオフされかつ上記第２のスイッチング素子がオン
されたとき、上記第１の結合係数は上記第２の結合係数
よりも大きくなる一方、上記第１のスイッチング素子が
オンされかつ上記第２のスイッチング素子がオフされた
とき、上記第１の結合係数は上記第２の結合係数よりも
小さくなり、上記マイクロ波回路は、上記第１のマイク
ロストリップ導体を上記第２のマイクロストリップ導体
と上記第３のマイクロストリップ導体のうちのいずれか
１つに選択的にかつ電磁的に結合させるスイッチング回
路として動作する。従って、選択型スイッチング回路を
構成することができ、従来例と比較してオフ時の減衰量
が大きい。また、当該マイクロ波回路の製造プロセスは
高精度なものを要求しないために、容易かつ安価に製造
することが可能となる。さらに、従来例と比較して、１
／４波長板１５２，１５３，１５４などの入出力整合回
路等を必要としないために、より小型軽量化することが
可能である。

【００９１】また、上記マイクロ波回路において、上記
第２のマイクロストリップ導体に接続され、上記第２の
マイクロストリップ導体から入力される信号を所定の第
１の移相量だけ移相させて出力する第１の移相手段と、
上記第３のマイクロストリップ導体に接続され、上記第
３のマイクロストリップ導体から入力される信号を所定
の第２の移相量だけ移相させて出力する第２の移相手段
と、上記第１の移相手段から出力される信号と、上記第
２の移相手段から出力される信号とを合成して出力する
合成手段とをさらに備える。従って、選択型スイッチン
グ回路を用いて、移相量を選択的に切り換えることがで
きる移相量切り換え型移相回路を構成することができ
る。従来例と比較してオフ時の減衰量が大きい。また、
当該マイクロ波回路の製造プロセスは高精度なものを要
求しないために、容易かつ安価に製造することが可能と
なる。さらに、従来例と比較して、１／４波長板１５
２，１５３，１５４などの入出力整合回路等を必要とし
ないために、より小型軽量化することが可能である。

【００９２】さらに、上記マイクロ波回路において、上
記第１のマイクロストリップ導体はアンテナに接続さ
れ、上記第２のマイクロストリップ導体は送信機に接続
され、上記第３のマイクロストリップ導体は受信機に接
続され、上記マイクロ波回路はトランシーバのための送
受信切り換え回路として動作する。従って、選択型スイ
ッチング回路を用いて、送受信切り換え回路を構成する
ことができる。従来例と比較してオフ時の減衰量が大き
い。また、当該マイクロ波回路の製造プロセスは高精度
なものを要求しないために、容易かつ安価に製造するこ
とが可能となる。さらに、従来例と比較して、１／４波
長板１５２，１５３，１５４などの入出力整合回路等を
必要としないために、より小型軽量化することが可能で
ある。

【００９３】第３の発明に係るマイクロ波回路の製造方
法は、裏面に接地導体が形成された基板上に、互いに電
磁的に所定の結合係数で結合するように近接して並置さ
れた２本のマイクロストリップ導体を備えてなる結合器
を形成するステップと、上記基板上に、上記２本のマイ
クロストリップ導体によって挟設されるように少なくと
も１本のフローティング導体を形成するステップと、一
端が上記フローティング導体の少なくとも一端に接続さ
れかつ他端が接地され、選択的にオン又はオフとなるス
イッチング素子を形成するステップと、上記２本のマイ
クロストリップ導体の各幅を変更することにより、上記
結合係数を調整するステップとを含む。従って、従来例
と比較してオフ時の減衰量が大きいスイッチング回路に
おいて、上記減衰量を容易に調整することができる。ま
た、当該マイクロ波回路の製造プロセスは高精度なもの
を要求しないために、容易かつ安価に製造することが可
能となる。さらに、従来例と比較して、１／４波長板１
５２，１５３，１５４などの入出力整合回路等を必要と
しないために、より小型軽量化することが可能である。

【００９４】第４の発明に係るマイクロ波回路の製造方
法は、裏面に接地導体が形成された基板上に、互いに電
磁的に所定の結合係数で結合するように近接して並置さ
れた２本のマイクロストリップ導体を備えてなる結合器
を形成するステップと、上記基板上に、上記２本のマイ
クロストリップ導体によって挟設されるように少なくと
も１本のフローティング導体を形成するステップと、一
端が上記フローティング導体の少なくとも一端に接続さ
れかつ他端が接地され、選択的にオン又はオフとなるス
イッチング素子を形成するステップと、上記２本のマイ
クロストリップ導体と上記フローティング導体との間の
間隔を変更することにより、上記結合係数を調整するス
テップとを含む。従って、従来例と比較してオフ時の減
衰量が大きいスイッチング回路において、上記減衰量を
容易に調整することができる。また、当該マイクロ波回
路の製造プロセスは高精度なものを要求しないために、
容易かつ安価に製造することが可能となる。さらに、従
来例と比較して、１／４波長板１５２，１５３，１５４
などの入出力整合回路等を必要としないために、より小
型軽量化することが可能である。

【００９５】第５の発明に係るマイクロ波回路の製造方
法は、裏面に接地導体が形成された基板上に、互いに電
磁的に所定の結合係数で結合するように近接して並置さ
れた２本のマイクロストリップ導体を備えてなる結合器
を形成するステップと、上記基板上に、上記２本のマイ
クロストリップ導体によって挟設されるように少なくと
も１本のフローティング導体を形成するステップと、一
端が上記フローティング導体の少なくとも一端に接続さ
れかつ他端が接地され、選択的にオン又はオフとなるス
イッチング素子を形成するステップと、上記フローティ
ング導体の上記第１と第２のマイクロストリップ導体に
対する結合長を変更することにより、上記結合係数を調
整するステップとを含む。従って、従来例と比較してオ
フ時の減衰量が大きいスイッチング回路において、上記
減衰量を容易に調整することができる。また、当該マイ
クロ波回路の製造プロセスは高精度なものを要求しない
ために、容易かつ安価に製造することが可能となる。さ
らに、従来例と比較して、１／４波長板１５２，１５
３，１５４などの入出力整合回路等を必要としないため
に、より小型軽量化することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係る実施の形態１であるマイクロ波
回路２０１の構成を示す平面図及び回路図である。

【図２】 図１のマイクロ波回路２０１に含まれるスイ
ッチング回路１５１のＡ‐Ａ’線についての縦断面図で
ある。

【図３】 図１のスイッチング回路１５１のポートＰ１
からポートＰ２への伝達係数特性を示し、伝達係数Ｓ₂₁
［ｄＢ］と周波数［ＧＨｚ］との関係を表すグラフであ
る。

【図４】 図１のスイッチング回路１５１において、マ
イクロストリップ導体１，２の各幅ｗを変更した場合の
ポートＰ１からポートＰ２への伝達係数特性を示し、伝
達係数Ｓ₂₁［ｄＢ］と周波数［ＧＨｚ］との関係を表す
グラフである。

【図５】 本発明に係る実施の形態２であるマイクロ波
回路２０２の構成を示す平面図及び回路図である。

【図６】 本発明に係る実施の形態３であるマイクロ波
回路２０３の構成を示す平面図及び回路図である。

【図７】 図６のスイッチング回路１５３において、Ｆ
ＥＴ４１乃至４３のオン／オフを切り換えた場合のポー
トＰ１からポートＰ２への伝達係数特性を示し、伝達係
数Ｓ₂₁［ｄＢ］と周波数［ＧＨｚ］との関係を表すグラ
フである。

【図８】 本発明に係る実施の形態４であるマイクロ波
回路２０４の構成を示す平面図及び回路図である。

【図９】 本発明に係る実施の形態５であるマイクロ波
回路２０５の構成を示す平面図及び回路図である。

【図１０】 本発明に係る実施の形態６であるトランシ
ーバ１３０の構成を示す平面図及び回路図である。

【図１１】 本発明に係る変形例であるスイッチング回
路１５７の構成を示す平面図及び回路図である。

【図１２】 従来例のマイクロ波スイッチング回路の構
成を示す回路図である。

【符号の説明】

１，１ａ，１ｂ，２，２ａ，２ｂ，３，３ａ，３ｂ，
４，４ａ，４ｂ マイクロストリップ導体、 １０ 誘
電体基板、 １１，１１ａ，１１ｂ，１２，１３フロー
ティング導体、 １５ 接地導体、 ３０，３０ａ，３
０ｂ，３０ｃ増幅器、 ４１，４１ａ，４１ｂ，４２，
４３ ＦＥＴ、 ５１，５１ａ，５１ｂ，５２，５３
抵抗、 ６１，６１ａ，６１ｂ，６２，６３ 直流電
源、 ７１ ダイオード、 ９１ 合成器、 １０１，
１０３，１０５ 結合器、１０７方向性結合器、 １０
０ 送信機、 １１０ 受信機、 １２０ アンテナ、
１３０ トランシーバ、 １５１，１５２，１５３，１
５５，１５７ スイッチング回路、 ２０１，２０２，
２０３，２０４，２０５ マイクロ波回路、Ｐ１，Ｐ
２，Ｐ２ａ，Ｐ２ｂ，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ
２３，Ｐ２４ポート、 Ｐ１１ 入力ポート、 Ｐ１２
出力ポート、 ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＳＷ１ａ，
ＳＷ１ｂ スイッチ。

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 裏面に接地導体が形成された基板上に、
   互いに電磁的に所定の結合係数で結合するように近接し
   て並置されて形成された２本のマイクロストリップ導体
   を備えてなる結合器を備えたマイクロ波回路において、 上記基板上に、上記２本のマイクロストリップ導体によ
   って挟設されるように形成された少なくとも１本のフロ
   ーティング導体と、 一端が上記フローティング導体の少なくとも一端に接続
   されかつ他端が接地され、選択的にオン又はオフとなる
   スイッチング素子とを備え、 上記スイッチング素子がオンされたとき上記フローティ
   ング導体は接地される一方、上記スイッチング素子がオ
   フされたとき上記フローティング導体は所定の浮動電位
   を有し、上記スイッチング素子を選択的にオン又はオフ
   にすることにより上記結合係数を変化させることを特徴
   とするマイクロ波回路。
2. 【請求項２】 上記スイッチング素子は電界効果トラン
   ジスタであることを特徴とする請求項１記載のマイクロ
   波回路。
3. 【請求項３】 上記スイッチング素子はダイオードであ
   ることを特徴とする請求項１記載のマイクロ波回路。
4. 【請求項４】 上記２本のマイクロストリップ導体のう
   ちのいずれか１本に接続された増幅器をさらに備えたこ
   とを特徴とする請求項１乃至３のうちのいずれか１つに
   記載のマイクロ波回路。
5. 【請求項５】 並置されて形成された複数の上記フロー
   ティング導体と、上記複数のフローティング導体にそれ
   ぞれ接続された複数の上記スイッチング素子とを備え、 上記複数のスイッチング素子をオン又はオフすることに
   より、上記結合係数を段階的に変化させることを特徴と
   する請求項１乃至３のうちのいずれか１つに記載のマイ
   クロ波回路。
6. 【請求項６】 上記２本のマイクロストリップ導体のう
   ちのいずれか１本に接続された増幅器をさらに備えたこ
   とを特徴とする請求項５記載のマイクロ波回路。
7. 【請求項７】 請求項５記載のマイクロ波回路におい
   て、 入力ポートと出力ポートと帰還路とを有する増幅器と、 所定の帰還回路とをさらに備え、 上記帰還路は、請求項５記載のマイクロ波回路と、上記
   帰還回路とが縦続接続されてなり、帰還型増幅器として
   動作することを特徴とするマイクロ波回路。
8. 【請求項８】 上記結合器は１／４波長結合線路型方向
   性結合器であることを特徴とする請求項１乃至７のうち
   のいずれか１つに記載のマイクロ波回路。
9. 【請求項９】 裏面に接地導体が形成された基板上に、
   互いに電磁的に所定の第１の結合係数で結合するように
   近接して並置されて形成された第１と第２のマイクロス
   トリップ導体と、 上記基板上に、上記第１のマイクロストリップ導体と電
   磁的に所定の第２の結合係数で結合するように近接して
   並置されて形成された第３のマイクロストリップ導体と
   を備えたなる結合器を備えたマイクロ波回路であって、 上記基板上に、上記第１と第２のマイクロストリップ導
   体によって挟設されるように形成された少なくとも１本
   の第１のフローティング導体と、 上記基板上に、上記第１と第３のマイクロストリップ導
   体によって挟設されるように形成された少なくとも１本
   の第２のフローティング導体と、 一端が上記第１のフローティング導体の少なくとも一端
   に接続されかつ他端が接地され、選択的にオン又はオフ
   となる第１のスイッチング素子と、 一端が上記第２のフローティング導体の少なくとも一端
   に接続されかつ他端が接地され、選択的にオン又はオフ
   となる第２のスイッチング素子とを備え、 上記第１のスイッチング素子がオフされかつ上記第２の
   スイッチング素子がオンされたとき、上記第１の結合係
   数は上記第２の結合係数よりも大きくなる一方、上記第
   １のスイッチング素子がオンされかつ上記第２のスイッ
   チング素子がオフされたとき、上記第１の結合係数は上
   記第２の結合係数よりも小さくなり、 上記マイクロ波回路は、上記第１のマイクロストリップ
   導体を上記第２のマイクロストリップ導体と上記第３の
   マイクロストリップ導体のうちのいずれか１つに選択的
   にかつ電磁的に結合させるスイッチング回路として動作
   することを特徴とするマイクロ波回路。
10. 【請求項１０】 上記第２のマイクロストリップ導体に
    接続され、上記第２のマイクロストリップ導体から入力
    される信号を所定の第１の移相量だけ移相させて出力す
    る第１の移相手段と、 上記第３のマイクロストリップ導体に接続され、上記第
    ３のマイクロストリップ導体から入力される信号を所定
    の第２の移相量だけ移相させて出力する第２の移相手段
    と、 上記第１の移相手段から出力される信号と、上記第２の
    移相手段から出力される信号とを合成して出力する合成
    手段とをさらに備えたことを特徴とする請求項９記載の
    マイクロ波回路。
11. 【請求項１１】 上記第１のマイクロストリップ導体は
    アンテナに接続され、上記第２のマイクロストリップ導
    体は送信機に接続され、上記第３のマイクロストリップ
    導体は受信機に接続され、 上記マイクロ波回路はトランシーバのための送受信切り
    換え回路として動作することを特徴とする請求項９記載
    のマイクロ波回路。
12. 【請求項１２】 裏面に接地導体が形成された基板上
    に、互いに電磁的に所定の結合係数で結合するように近
    接して並置された２本のマイクロストリップ導体を備え
    てなる結合器を形成するステップと、 上記基板上に、上記２本のマイクロストリップ導体によ
    って挟設されるように少なくとも１本のフローティング
    導体を形成するステップと、 一端が上記フローティング導体の少なくとも一端に接続
    されかつ他端が接地され、選択的にオン又はオフとなる
    スイッチング素子を形成するステップと、 上記２本のマイクロストリップ導体の各幅を変更するこ
    とにより、上記結合係数を調整するステップとを含むこ
    とを特徴とするマイクロ波回路の製造方法。
13. 【請求項１３】 裏面に接地導体が形成された基板上
    に、互いに電磁的に所定の結合係数で結合するように近
    接して並置された２本のマイクロストリップ導体を備え
    てなる結合器を形成するステップと、 上記基板上に、上記２本のマイクロストリップ導体によ
    って挟設されるように少なくとも１本のフローティング
    導体を形成するステップと、 一端が上記フローティング導体の少なくとも一端に接続
    されかつ他端が接地され、選択的にオン又はオフとなる
    スイッチング素子を形成するステップと、 上記２本のマイクロストリップ導体と上記フローティン
    グ導体との間の間隔を変更することにより、上記結合係
    数を調整するステップとを含むことを特徴とするマイク
    ロ波回路の製造方法。
14. 【請求項１４】 裏面に接地導体が形成された基板上
    に、互いに電磁的に所定の結合係数で結合するように近
    接して並置された２本のマイクロストリップ導体を備え
    てなる結合器を形成するステップと、 上記基板上に、上記２本のマイクロストリップ導体によ
    って挟設されるように少なくとも１本のフローティング
    導体を形成するステップと、 一端が上記フローティング導体の少なくとも一端に接続
    されかつ他端が接地され、選択的にオン又はオフとなる
    スイッチング素子を形成するステップと、 上記フローティング導体の上記第１と第２のマイクロス
    トリップ導体に対する結合長を変更することにより、上
    記結合係数を調整するステップとを含むことを特徴とす
    るマイクロ波回路の製造方法。