JP4399005B2 - フリップチップ実装方法及びバンプ形成方法 - Google Patents
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Description
【0001】
本発明は、半導体チップを配線基板に搭載するフリップチップ実装方法、及び基板の電極上にバンプを形成するバンプ形成方法に関する。特に、狭ピッチ化された半導体チップにも対応可能な、生産性の高いフリップチップ実装方法、及び狭ピッチ化された基板電極上へのバンプ形成方法に関する。
【0002】
近年、電子機器に使用される半導体集積回路(LSI)の高密度、高集積化に伴い、LSIチップの電極端子の多ピン、狭ピッチ化が急速に進んでいる。これらLSIチップの配線基板への実装には、配線遅延を少なくするために、フリップチップ実装が広く用いられている。そして、このフリップチップ実装においては、LSIチップの電極端子上にはんだバンプを形成し、当該はんだバンプを介して、配線基板上に形成された接続端子に一括接合されるのが一般である。
【0003】
しかしながら、電極端子数が5,000を超えるような次世代LSIを配線基板に実装するためには、100μm以下の狭ピッチに対応したバンプを形成する必要があるが、現在のはんだバンプ形成技術では、それに適応することが難しい。また、電極端子数に応じた多数のバンプを形成する必要があるので、低コスト化を図るためには、チップ当たりの搭載タクトの短縮による高い生産性も要求される。
【0004】
同様に、半導体集積回路は、電極端子の増大でペリフェラル電極端子からエリア配置の電極端子に変化している。また、高密度化、高集積化の要求で半導体プロセスが90nmから65nm、45nmへと進展していくことが予想される。その結果、配線の微細化が更に進み、配線間の容量が増大することにより、高速化、消費電力ロスの問題が深刻になり、配線層間の絶縁膜の低誘電率化(Low−K)の要求が更に高まっている。このような絶縁膜のLow−K化の実現は、絶縁層材料の多孔質化(ポーラス化)によって得られるため、機械的強度が弱く、半導体の薄型化の障害になっている。また、上述のように、エリア配置の電極端子を構成する場合、Low−K化による多孔質膜上の強度に問題があるため、エリア配置電極上にバンプを形成すること、およびフリップチップ実装そのものが困難となっている。従って、今後の半導体プロセスの進展に対応した薄型・高密度半導体に適した低荷重フリップチップ実装法が要求されている。
【0005】
従来、バンプの形成技術としては、メッキ法やスクリ−ン印刷法などが開発されている。メッキ法は狭ピッチには適するものの、工程が複雑になる点、生産性に問題があり、また、スクリーン印刷法は、生産性には優れているが、マスクを用いる点で、狭ピッチ化には適していない。
【0006】
こうした中、最近では、LSIチップや配線基板の電極上に、はんだバンプを選択的に形成する技術がいくつか開発されている。これらの技術は、微細バンプの形成に適しているだけでなく、バンプの一括形成ができるので、生産性にも優れており、次世代LSIの配線基板への実装に適応可能な技術として注目されている。
【0007】
その一つに、ソルダーペースト法と呼ばれる技術(例えば、特許文献1参照)がある。この技術は、導電粉とフラックスの混合物によるソルダーペーストを、表面に電極が形成された基板上にベタ塗りし、基板を加熱することによって、導電粉を溶融させ、濡れ性の高い電極上に選択的にはんだバンプを形成させるものである。
【0008】
また、スーパーソルダー法と呼ばれる技術(例えば、特許文献2参照)は、有機酸鉛塩と金属錫を主要成分とするペースト状組成物(化学反応析出型はんだ)を、電極が形成された基板上にベタ塗りし、基板を加熱することによって、PbとSnの置換反応を起こさせ、Pb/Snの合金を基板の電極上に選択的に析出させるものである。
【0009】
しかしながら、ソルダーペースト法及びスーパーソルダー法は、ともに、ペースト状組成物を基板上に塗布により供給するので、局所的な厚みや濃度のバラツキが生じ、そのため、電極ごとのはんだ析出量が異なり、均一な高さのバンプが得られない。また、これらの方法は、表面に電極の形成された凹凸のある配線基板上に、ペースト状組成物を塗布により供給するので、凸部となる電極上には、十分なはんだ量が供給できず、フリップチップ実装において必要とされる所望のバンプ高さを得ることが難しい。
【0010】
ところで、従来のバンプ形成技術を用いたフリップチップ実装は、バンプが形成された配線基板に半導体チップを搭載した後、半導体チップを配線基板に固定するために、アンダーフィルと呼ばれる樹脂を、半導体チップと配線基板の間に注入する工程をさらに必要とする。
【0011】
そこで、半導体チップと配線基板の対向する電極端子間の電気的接続と、半導体チップの配線基板への固定を同時に行なう方法として、異方性導電材料を用いたフリップチップ実装技術(例えば、特許文献3参照)が開発されている。これは、配線基板と半導体チップの間に、導電粒子を含有させた熱硬化性樹脂を供給し、半導体チップを加圧すると同時に、熱硬化性樹脂を加熱することによって、半導体チップと配線基板の電極端子間の電気的接続と、半導体チップの配線基板への固定を同時に実現するもので、従来のバンプ形成は特に必要とされない。
【0012】
上述した異方性導電材料を用いたフリップチップ実装は、バンプ形成が不要で、半導体チップと配線基板の電気的接続と物理的固定を同時に実現できることから、生産性に優れていると言えるが、導電粒子を介した機械的接触により電極間の電気的導通を得ており、安定した導通状態を得ることが難しい。
【0013】
また、対向電極に挟まれた導電粒子は、樹脂の熱硬化による凝集力によって維持されているので、熱硬化性樹脂の弾性率や熱膨張率などの特性や、導電粒子の粒径分布などの特性を揃える必要があり、プロセス制御が難しいという課題がある。
【0014】
すなわち、異方性導電材料を用いたフリップチップ実装は、接続端子数が5,000を超えるような次世代LSIチップに適用するためには、信頼性の面で解決すべき課題を多く残している。
【特許文献1】
特開2000−94179号公報
【特許文献2】
特開平1−157796号公報
【特許文献3】
特開2000−332055号公報
【発明の開示】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、次世代LSIのフリップチップ実装に適用可能な、生産性及び信頼性の高いフリップチップ実装方法、及び本技術を応用したバンプ形成方法を提供する。
【0016】
本発明のフリップチップ実装方法は、複数の接続端子を有する配線基板と対向させて、複数の電極端子を有する半導体チップを配設し、前記配線基板の前記接続端子と、前記半導体チップの前記電極端子とを電気的に接続するフリップチップ実装方法であって、
前記配線基板上に、導電粉を含有した樹脂を供給する第1の工程と、
前記樹脂表面に、前記半導体チップを所定の間隔に配置する第2の工程と、
前記導電粉を含有する樹脂を加熱して、前記導電粉及び前記樹脂を溶融する第3の工程を含み、
前記第3の工程において、前記溶融樹脂に振動を付与して流動させ、前記導電粉を前記配線基板の前記接続端子と前記半導体チップの前記電極端子との間に自己集合させることによって、前記接続端子と前記電極端子とを電気的に接続する接続体を形成することを特徴とする。
【0017】
本発明のバンプ形成方法は、基板に形成された複数の電極上にバンプを形成するバンプ形成方法において、
前記基板上に、導電粉を含有する樹脂を供給する第1の工程と、
前記導電粉を含有する樹脂を加熱して、前記導電粉を溶融する第2の工程とを含み、
前記第2の工程は、前記樹脂に外部から振動を付与しながら行なわれ、
前記溶融した導電粉は、前記樹脂に付与された振動により前記樹脂中を強制的に移動されながら、前記基板の電極上に自己集合することによって、前記電極上にバンプを形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【0018】
本発明に係るフリップチップ実装方法は、配線基板と半導体チップ間に供給された導電粉を含有する樹脂に外部から振動を付与することによって、樹脂を強制的に流動させ、これにより、樹脂中に分散している溶融導電粉を、配線基板の電極端子または半導体チップの接続端子に強制的に接触させることができる。その結果、樹脂中の溶融導電粉が、接続端子又は電極端子に接触する確立が高まり、これにより、溶融導電粉が、濡れ性の高い電極端子と接続端子間に自己集合することによって、両端子間を電気的に接続する接続体を均一に形成することができる。さらに、配線基板と半導体チップ間に供給され樹脂を硬化させることによって、端子間の電気的接続と、半導体チップの配線基板への固定を同時に行なうことができ、生産性の高いフリップチップ実装体が実現できる。
【0019】
また、樹脂を強制的に振動させることによって、樹脂中に分散された溶融導電粉を、確実に端子間に自己集合させることができるので、樹脂中に含有させる導電粉を必要最小限の量に留めることができる。その結果、端子間に接続体が形成された後、樹脂中に残存する不要な導電粉の量を低減することができ、接続体間の絶縁耐性を向上させ、信頼性の高いフリップチップ実装体を実現することができる。
【0020】
さらに、電極端子または接続端子が不均一に配列している場合であっても、樹脂の強制的な流動によって、端子間に溶融導電粉を均一に自己集合させることができるので、端子配列に限定されない汎用性の高いフリップチップ実装体が実現できる。
【0021】
また、樹脂に超音波振動を加えることによって、樹脂中にキャビテーション(発泡現象)を起こさせ、発生したキャビティにより、樹脂をより強制的に流動させることができるので、端子間への導電粉の自己集合を、さらに促進させることができる。これにより、端子間への接続体の形成をより確実なものにすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0022】
本発明は、溶融した導電粉を端子間に効率よく自己集合させることのできる新規なフリップチップ実装方法を提案するものである。
【0023】
本発明は、対向する電極又は金属間に導電粉を含有した樹脂を存在させ、導電粉と樹脂をともに加熱溶融し、振動を付与して流動化させると、溶融した導電粉は濡れやすい電極又は金属表面に集合し、さらに溶融導電粉同士が自己集合して大きな塊となり、電気的な接続体を形成したり、金属バンプを形成できることを見出したところに、その着想と特徴がある。
【0024】
本発明においては、前記導電粉は、はんだ金属粉であることが好ましい。
【0025】
前記樹脂は熱硬化性樹脂で構成されており前記樹脂は加熱により硬化されるか、又は前記樹脂は熱可塑性樹脂で構成されており冷却により固化されることが好ましい。
【0026】
また、前記接続体形成後の樹脂中にも導電粉が非導通状態で存在させておくこともできる。
【0027】
本発明の製造方法においては、前記樹脂に付与された振動による該樹脂の強制的な流動は、前記樹脂が、前記配線基板及び半導体チップに対して相対的に変位することが好ましい。
【0028】
前記樹脂は、ペースト状樹脂で構成されていてもよいし、シート状樹脂で構成されていてもよい。いずれの状態であっても、前記趣旨は加熱により流動性を有するようになる。
【0029】
また、前記第3の工程で前記接続体を形成した後、前記樹脂を硬化させて、前記半導体チップを前記配線基板に固定させる第4の工程をさらに含んでもよい。
【0030】
また、前記樹脂は熱硬化性樹脂で構成されており、前記第4の工程において、前記樹脂は加熱により硬化される。
【0031】
また、前記樹脂は熱可塑性樹脂で構成されており、前記第4の工程において、前記樹脂は冷却により硬化される。
【0032】
ある好適な実施形態において、前記第3の工程において、前記配線基板又は半導体チップの少なくとも一方を可動ステージに固定し、該可動ステージを水平方向又は垂直方向に振動させることによって、前記樹脂に振動を与える。
【0033】
ある好適な実施形態において、前記第3の工程において、前記樹脂に付与される振動は、超音波振動を含む。
【0034】
ある好適な実施形態において、前記第3の工程において、前記樹脂に付与された超音波振動によって発生したキャビテーションにより、前記溶融した導電粉を前記樹脂中で強制的に移動させる。
【0035】
ある好適な実施形態において、前記第3の工程において、前記樹脂に付与された振動により、前記導電粉が強制的に前記樹脂中を移動する。
【0036】
ある好適な実施形態において、前記第2の工程において前記複数の電極上に前記バンプを形成した後、前記樹脂を除去する第3の工程をさらに含む。
【0037】
本発明で使用する導電粉としては、例えばはんだ粉を使用できる。はんだ粉であれば、任意のものを選択して使用できる。例えば次の表1に示すものを挙げることができる。一例として挙げた表1に示す材料は、単独でも使用できるし、適宜組み合わせて使用することもできる。なお、導電粉の融点が、熱硬化性樹脂の硬化温度よりも低い材料を用いれば、樹脂を流動させ自己集合させた後、さらに、樹脂を加熱して硬化させ、電気接続と樹脂による封止とを行うことができる点で好ましい。
【0038】
【表1】
【0039】
導電粉(はんだ粉)の好ましい融点は120〜260℃であり、さらに好ましくは表1に示すように139〜240℃である。融点が120℃未満では耐久性に問題が生ずる傾向になる。融点が260℃を超えると、樹脂の選択が困難となる。
【0040】
導電粉(はんだ粉)の好ましい平均粒子径は1〜30μmの範囲であり、さらに好ましくは5〜20μmの範囲である。平均粒子径が1μm未満では、導電粉(はんだ粉)の表面酸化で溶融が困難となり、また電気接続体を形成するのに時間がかかりすぎる傾向となる。平均粒子径が30μmを超えると、沈降により電気接続体を得るのが難しくなる。なお、平均粒子径は市販の粒度分布計で測定できる。
【0041】
次に樹脂について説明する。樹脂としては、室温から導電粉の溶融温度の範囲内において、流動可能な程度の粘度を有するものであればよく、また、加熱することによって流動可能な粘度に低下するものも含む。代表的な例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、フラン樹脂、メラミン樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリエステルエストラマ、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アラミド樹脂等の熱可塑性樹脂、又は光(紫外線)硬化樹脂等、あるいはそれらを組み合わせた材料を使用することができる。樹脂以外にも、高沸点溶剤、オイル等も使用することができる。
【0042】
導電粉と樹脂の配合割合は、重量比で導電粉:樹脂=70〜30:30〜70の範囲が好ましく、さらに好ましくは導電粉:樹脂=60〜40:40〜60である。導電粉と樹脂は、均一混合した後に使用するのが好ましい。例えば、はんだ粉は50重量%、エポキシ樹脂50重量%とし、混錬器にて均一混合状態とし、これを使用する。なお、はんだ粉が分散状態を保ったままペースト状にしてもよいしシート状に形成された樹脂を用いてもよい。
【0043】
次に本発明においては導電粉と樹脂を溶融した後、又は溶融と同時に振動させるが、振動数は240回/分(4Hz)以上、超音波領域の80kHz以下の範囲が好ましい。振動数が240回/分(4Hz)未満、及び80kHzを超えると溶融した導電粉の凝集作用が低くなる。
【0044】
さらに本発明の好適例においては、導電粉としては、例えば鉛フリーで融点200〜230℃のはんだ合金粒子を使用できる。また、樹脂が熱硬化性樹脂の場合、はんだの融点よりも樹脂の硬化温度のほうが高いことが好ましい。このようにすると、電気的な接続体を形成したり、金属バンプを形成する工程中に樹脂を硬化でき、作業工程が短縮できる。
【0045】
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。以下の図面においては、説明の簡略化のため、実質的に同一の機能を有する構成要素を同一の参照符号で示す。なお、本発明は以下の実施形態に限定されない。
【0046】
(実施形態1)
図1A〜Cは、本発明の実施形態におけるフリップチップ実装方法を示す工程断面図であり、本発明のフリップチップ実装方法の基本的な工程を示したものである。
【0047】
まず、図1Aに示すように、複数の接続端子11を有する配線基板10上に、導電粉12(例えば融点217℃、組成Sn−3.0Ag−0.5Cu、平均粒子径12μm)を配合した樹脂13(例えばエポキシ樹脂、樹脂と導電粉の配合比率は樹脂50重量部、導電粉50重量部)をディスペンサ装置で供給した。配線基板10の面積は1cm2、樹脂と導電粉混合物の供給量は2mgであった。
【0048】
次に、図1Bに示すように、樹脂13の表面に、配線基板10の接続端子11と対向させて、複数の電極端子21を有する半導体チップ20を、接続端子11と電極端子21のギャップが40μmとなるように配置した。その後、導電粉12を含有する樹脂13を230℃まで加熱して、導電粉12を溶融した。この工程では、樹脂13に矢印で示すような外部から振動を付与し、付与された振動により樹脂13を強制的に流動させた。この例では超音波振動(振動数40kHz)を付与した。溶融した導電粉12は、樹脂13の強制的な流動により、配線基板10の接続端子11と半導体チップ20の電極端子21との間に自己集合することによって、図1Cに示すように、接続端子11と電極端子21とを電気的に接続する接続体22を形成した。接続端子11と電極端子21の間隔ピッチは200μmであり、接続端子11と電極端子21のサイズはともに直径100μmであった。また接続体22の高さは40μmであった。なお、半導体チップ20は、10mm角サイズであり、電極端子21は半導体チップの表面にグリッド状に200μmピッチで存在したものを利用した。グリッド状に形成された電極端子21の総数は1600ピンであった。
【0049】
本発明の方法によれば、配線基板10と半導体チップ20間に供給された樹脂13に外部から振動を付与することによって、樹脂13を強制的に流動させ、これにより、樹脂13中に分散している溶融導電粉12を、配線基板10の接続端子11または半導体チップ20の電極端子21に強制的に接触させ、凝集化することができた。その結果、樹脂13中の溶融導電粉12が、接続端子11又は電極端子21に接触する確立が高まり、これにより、溶融導電粉12が、濡れ性の高い接続端子11と電極端子21間に自己集合し、均一な接続体22を形成することが可能となった。
【0050】
また、樹脂13を強制的に振動させることによって、樹脂13中に分散された溶融導電粉12を、確実に端子11、21間に自己集合させることができるので、樹脂13中に含有させる導電粉12を必要最小限の量に留めることができた。その結果、端子11、21間に接続体22が形成された後、樹脂13中に残存する不要な導電粉12の量を低減することができ、接続体22間の絶縁耐性を向上させ、信頼性の高いフリップチップ実装体を実現することができた。
【0051】
さらに、接続端子11または電極端子21が不均一に配列している場合であっても、樹脂13の強制的な流動によって、端子11、21間に溶融導電粉12を均一に自己集合させることができるので、端子配列に限定されない汎用性の高いフリップチップ実装体が実現できた。
【0052】
また、溶剤を使用してないことから、図1Cに示す接続体22の部分にも樹脂13の部分にも溶剤が揮発することに起因するボイドなどの発生は見られなかった。
【0053】
なお、ここで、樹脂13への振動の付与は、樹脂13自体が振動する場合だけでなく、樹脂13が配線基板10及び半導体チップ20に対して相対的に流動するものであれば、振動の付与方法は問わない。
【0054】
図2は本発明における樹脂内に生じた剪断応力を模式的に説明する断面図であり、上記の効果に加え、樹脂13の強制的な流動により、図2に示すように、配線基板10の接続端子11の面(同様に、半導体チップ20の電極端子21の面)に沿って、樹脂13内に剪断応力30が生じる例である。この剪断応力30によって、樹脂13中の溶融導電粉12が、接続端子11(または電極端子21)に強制的に押し付けられ、その結果、導電粉12自体の濡れ性による自己集合に加え、剪断応力30による強い接触力をもって溶融導電粉12の自己集合を促進することができ、端子間への接続体22の形成をより確実なものにすることができる。
【0055】
また、それと同時に、発生した剪断応力によって、導電粉12の表面に形成され、導電粉12の結合の阻害要因となる酸化皮膜を除去することができるので、より均一な接続体22を端子11、21間に形成することが可能となる。
【0056】
ここで、樹脂13は、ペースト状樹脂で構成されていることが好ましい。この場合、配線基板10への樹脂13の供給は、回転塗布、スクリーン印刷、又は直接滴下等の方法で行なうことができる。ペースト状樹脂としては、例えば、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、フェノール系樹脂等の熱硬化性樹脂を挙げることができる。
【0057】
また、樹脂13は、シート状樹脂で構成されていてもよい。ただし、樹脂13を加熱して導電粉12を溶融する工程において、流動性を有するものである必要がある。この場合、配線基板10への樹脂13の供給は、シート状樹脂を直接配置、又は転写等の方法で行なうことができる。シート状樹脂としては、塩化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂等の熱可塑性樹脂を挙げることができる。
【0058】
なお、図1Cの工程において、接続体22を形成した後、樹脂13を硬化させることによって、半導体チップ20を配線基板10に固定させることができる。これによって、端子11、21間の電気的接続と、半導体チップ20の配線基板10への固定を同時に行なうことができ、生産性の高いフリップチップ実装体が実現できる。
【0059】
樹脂13の硬化は、熱硬化性樹脂の場合は、樹脂13をさらに高温に加熱することによって、また、熱可塑性樹脂の場合には、樹脂13を冷却することによって、それぞれ行なうことができる。また、光硬化性樹脂を用いることもできる。
【0060】
次に、樹脂13に外部から振動を付与することによって、樹脂13を配線基板10及び半導体チップ20に対して相対的に流動させる方法の一例を、図3及び図4を参照しながら、以下説明をする。
【0061】
図3は本発明における可動ステージを水平方向に振動させて樹脂に振動を付与する方法を示す断面図、図4は本発明における可動ステージの構成を示す平面図である。
【0062】
図3に示すように、配線基板10と半導体チップ20の間に樹脂13を供給した状態で、配線基板10を可動ステージ41に固定させ、半導体チップ20は、固定ステージ42に固定させる。可動ステージ41は、図4に示すような構成で水平方向に振動するようになっている。可動ステージ41は、レール(図示せず)に沿って一定方向(紙面の左右方向)に水平移動するように設置され、可動ステージ41の端部において、カム43を介して回転体44に連結されている。そして、回転体44を回転させることによって、カム43に連結した可動ステージ41を水平方向に振動させる。一例として、振幅幅0.5mm、振動数240回/分とした。
【0063】
可動ステージ41の振動により、配線基板10は、固定ステージ42に固定された半導体チップ20に対して相対的に変位する。これにより、粘性及び表面張力をもつ樹脂13は、図3に示す矢印の方向に、実効的に振動することになる。樹脂13に付与される振動の周期及び振幅は、樹脂13の流動性(粘度)によっても変わるが、回転体44の半径、回転速度、カム43の長さ等を変えることによって調整することができる。
【0064】
また、図5は本発明における可動ステージを垂直方向に振動させて樹脂に振動を付与する方法を示す断面図であり、図5に示すように、配線基板10を固定した可動ステージ41を垂直方向に振動させても、同様に、樹脂13に実効的な振動を加えることができる。この場合は、樹脂13への圧縮が繰り返されることにより、樹脂13は、図5に示す矢印の方向に、実効的に振動することになる。
【0065】
なお、図3及び図5では、配線基板10を可動ステージ41に固定し、半導体チップ20を固定ステージ42に固定した例を示したが、その逆であっても構わない。また、ステージ42を固定ステージとしたが、可動ステージ41と異なる方向に振動させても構わない。例えば、ステージ42をステージ41と反対方向に振動させる場合や、ステージ41を水平方向に振動させステージ42を垂直方向に振動させる場合の様に、それぞれ異なる方向に振動させることで、複数の異なる振動を樹脂13に加えることができ、同様もしくはそれ以上の振動効果を得ることができる。
【0066】
上記の例は、配線基板10と半導体チップ20を相対的に変位させることによって、樹脂13に実効的な振動を付与したものであるが、樹脂13自体に振動を付与する例を、図6及び図7を参照しながら、次に説明をする。
【0067】
図6は本発明における振動子を用いて樹脂に振動を付与する方法を示す断面図、図7は本発明における金型を用いて樹脂に振動を付与する方法を示す断面図である。
【0068】
図6に示した例は、配線基板10(または、半導体チップ20)の表面に複数の振動子50を取り付け、これに電圧を印加することによって、振動子50に振動を発生させ、この振動を配線基板10を介して、樹脂13中に伝播させるものである。これにより、樹脂13自体が強制的に流動することにより、樹脂13を配線基板10及び半導体チップ20に対して相対的に変位させることができる。
【0069】
また、図7に示した例は、配線基板10と半導体チップ20を、上金型60及び下金型61内にそれぞれ設置した後、両金型60、61をかみ合わせ、吸入口62から樹脂13を金型60、61の空間部に注入し、配線基板10と半導体チップ20の間に、樹脂13を供給するようにしたものである。上金型60(または/および下金型61)の内側には、複数の振動子50が取り付けられており、これに電圧を印加して振動子50に振動を発生させることによって、樹脂13中に振動が伝播させる。この方法は、樹脂13に直接振動を与えることができるので、効率よく樹脂13を流動させることが可能となる。
【0070】
本発明は、樹脂13に外部から振動を付与することによって、樹脂13を強制的に流動させるところに特徴を有するが、さらに、樹脂13に超音波振動を加えることによって、20kHzから1MHzを超える超音波域での極めて高い周波数での繰り返し振動を樹脂13に与えることができ、図2に模式的に示した、配線基板10の接続端子11の面や半導体チップ20の電極端子21の面に沿った、樹脂13中の剪断応力30による溶融導電粉12の強い摩擦力や接触力が、高い繰り返し周波数で発生し、溶融導電粉12の自己集合を促進することができる。
【0071】
さらに加えて、樹脂13に付与される振動に超音波振動を加えた場合、樹脂13中にキャビテーション(発泡現象)を起こさせることができ、より強力に樹脂13を流動させることができる。
【0072】
図8A〜Cは本発明における超音波振動により発生したキャビテーションの様子を説明する断面図であり、図8は、樹脂13に超音波振動を付与することによって、キャビテーションが生じる様子を模式的に示している。図8Aに示すように、配線基板10(または半導体チップ20)の表面に、複数の超音波振動子50’を取り付け、これに電圧を印加することによって、配線基板10を介して超音波振動を樹脂13中に伝播させる。
【0073】
樹脂13中に伝播した超音波振動により、図8Bに示すように、樹脂13中に多数のキャビティが発生し、成長したキャビティ70により、キャビティ70周辺の樹脂13が矢印で示す方向に強制的に押し出される。そして、図8Cに示すように、キャビティ70が消滅したときは、今度は逆に、キャビティ70がいたところに樹脂13が押し戻される。このように、キャビティ70の発生及び消滅の繰り返しにより、樹脂13は、実効的に振動を与えられた状態と等しくなり、樹脂13中の導電粉の自己集合を、より促進させることができる。
【0074】
(実施形態2)
本発明のフリップチップ実装方法における特徴的な技術は、バンプ形成方法にも適用することができる。以下、図9A〜Dを参照しながら、本発明におけるバンプ形成方法について説明する。
【0075】
図9は本発明の実施形態におけるバンプ形成方法を示す工程断面図である。
【0076】
図9Aに示すように、複数の電極11’が形成された基板10’上に、導電粉12を含有する樹脂13を供給する。次に、図9Bに示すように、樹脂13の表面に平板14を所定の間隔(例えば40μm)で配置した状態で、導電粉12を含有する樹脂13を加熱して、導電粉12を溶融させる。この工程は、樹脂13に外部から振動が付与され、この振動により樹脂13を強制的に流動させながら実行される。溶融した導電粉12は、樹脂13の強制的な流動により、基板10’の電極11’上に自己集合することによって、図9Cに示すように、電極11’上にバンプ15を形成する。その後、図9Dに示すように、平板14及び樹脂13を除去することによって、電極11’上にバンプが形成された基板10’が完成する。
【0077】
本発明の方法によれば、基板10’上に供給された樹脂13に外部から振動を付与することによって、樹脂13を強制的に流動させ、これにより、樹脂13中に分散している溶融導電粉12を、基板10’の電極11’に強制的に接触させることができる。その結果、樹脂13中の溶融導電粉12が、電極11’に接触する確立が高まり、これにより、溶融導電粉12が、濡れ性の高い電極11’上に自己集合し、均一なバンプ15を形成することが可能となる。
【0078】
ここで、基板10’は、配線基板、半導体チップその他の表面に電極11’が形成された基板であればよく、また、樹脂13に振動を付与する方法は、上述したフリップチップ実装方法において用いたのと同様の方法を提供することができる。
【0079】
以上、本発明を好適な実施形態により説明してきたが、こうした記述は限定事項ではなく、勿論、種々の改変が可能である。例えば、樹脂13に付与する振動は、直線振動に限らず、円振動、楕円振動その他種々のモードの振動であってもよく、また、横振動、縦振動どちらの振動でも構わない。また、樹脂13に付与された振動により、導電粉12自体が強制的に樹脂13中を移動する効果も生じ、かかる効果により、導電粉12の端子間への自己集合がより促進される。
【産業上の利用可能性】
【0080】
本発明によれば、次世代LSIのフリップチップ実装に適用可能な、生産性及び信頼性の高いフリップチップ実装方法、及びバンプ形成方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0081】
【図1】図1A〜Cは、本発明の一実施形態におけるフリップチップ実装方法を示す工程断面図。
【図2】図2は、本発明の一実施形態における樹脂内に生じた剪断応力を模式的に説明する断面図。
【図3】図3は、本発明の一実施形態における可動ステージを水平方向に振動させて樹脂に振動を付与する方法を示す断面図。
【図4】図4は、本発明の一実施形態における可動ステージの構成を示す平面図。
【図5】図5は、本発明の一実施形態における可動ステージを垂直方向に振動させて樹脂に振動を与える方法を示す断面図。
【図6】図6は、本発明の一実施形態における振動子を用いて樹脂に振動を与える方法を示す断面図。
【図7】図7は、本発明の一実施形態における金型を用いて樹脂に振動を付与する方法を示す断面図。
【図8】図8A〜Cは、本発明の一実施形態における超音波振動により発生したキャビテーションの様子を説明する断面図。
【図9】図9A〜Dは、本発明の別の実施形態におけるバンプ形成方法を示す工程断面図。
Claims (14)
- 複数の接続端子を有する配線基板と対向させて、複数の電極端子を有する半導体チップを配設し、前記配線基板の前記接続端子と、前記半導体チップの前記電極端子とを電気的に接続するフリップチップ実装方法であって、
前記配線基板上に、導電粉を含有した樹脂を供給する第1の工程と、
前記樹脂表面に、前記半導体チップを所定の間隔に配置する第2の工程と、
前記導電粉を含有する樹脂を加熱して、前記導電粉及び前記樹脂を溶融する第3の工程を含み、
前記第3の工程において、前記溶融樹脂に振動を付与して流動させ、前記導電粉を前記配線基板の前記接続端子と前記半導体チップの前記電極端子との間に自己集合させることによって、前記接続端子と前記電極端子とを電気的に接続する接続体を形成することを特徴とするフリップチップ実装方法。 - 前記第3の工程において、前記樹脂に付与された振動による該樹脂の強制的な流動は、前記樹脂が、前記配線基板及び半導体チップに対して相対的に変位することを含む請求項1に記載のフリップチップ実装方法。
- 前記樹脂は、ペースト状樹脂で構成されている請求項1に記載のフリップチップ実装方法。
- 前記樹脂は、シート状樹脂で構成されており、
前記第3の工程において、前記シート状樹脂を加熱により流動させる請求項1に記載のフリップチップ実装方法。 - 前記第3の工程で前記接続体を形成した後、
前記樹脂を硬化又は固化させて、前記半導体チップを前記配線基板に固定させる第4の工程をさらに含む請求項1に記載のフリップチップ実装方法。 - 前記樹脂は、熱硬化性樹脂で構成されており、
前記第4の工程において、前記樹脂は加熱により硬化される請求項5に記載のフリップチップ実装方法。 - 前記樹脂は、熱可塑性樹脂で構成されており、
前記第4の工程において、前記樹脂は冷却により固化される請求項5に記載のフリップチップ実装方法。 - 前記第3の工程において、前記配線基板又は半導体チップの少なくとも一方を可動ステージに固定し、該可動ステージを水平方向又は垂直方向に振動させることによって、前記樹脂に振動を与える請求項1に記載のフリップチップ実装方法。
- 前記第3の工程において、前記樹脂に付与される振動は、超音波振動を含む請求項1に記載のフリップチップ実装方法。
- 前記第3の工程において、前記樹脂に付与された超音波振動によって発生したキャビテーションにより、前記溶融した導電粉を前記樹脂中で移動させる請求項9に記載のフリップチップ実装方法。
- 前記第3の工程において、前記樹脂に付与された振動により、前記導電粉が前記樹脂中を移動する請求項1に記載のフリップチップ実装方法。
- 基板に形成された複数の電極上にバンプを形成するバンプ形成方法において、
前記基板上に、導電粉を含有する樹脂を供給する第1の工程と、
前記導電粉を含有する樹脂を加熱して、前記導電粉を溶融する第2の工程とを含み、
前記第2の工程は、前記樹脂に外部から振動を付与しながら行なわれ、
前記溶融した導電粉は、前記樹脂に付与された振動により前記樹脂中を強制的に移動されながら、前記基板の電極上に自己集合することによって、前記電極上にバンプを形成することを特徴とするバンプ形成方法。 - 前記第2の工程において前記複数の電極上に前記バンプを形成した後、前記樹脂を除去する第3の工程をさらに含む請求項12に記載のバンプ形成方法。
- 前記第1の工程の後であって、前記第2の工程の前に、前記導電粉を含有する樹脂の上に平板を置き、前記電極上にバンプを形成した後に前記平板を除去する請求項12に記載のバンプ形成方法。
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