JP4398524B2 - 境界領域の導電層形成を防止する半導体メモリ装置のゲート形成方法 - Google Patents
境界領域の導電層形成を防止する半導体メモリ装置のゲート形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4398524B2 JP4398524B2 JP35679398A JP35679398A JP4398524B2 JP 4398524 B2 JP4398524 B2 JP 4398524B2 JP 35679398 A JP35679398 A JP 35679398A JP 35679398 A JP35679398 A JP 35679398A JP 4398524 B2 JP4398524 B2 JP 4398524B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- forming
- gate
- conductive layer
- cell array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 110
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 55
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 55
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 19
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
- H01L27/105—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including field-effect components
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
- H10B41/40—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the peripheral circuit region
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
- H10B41/40—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the peripheral circuit region
- H10B41/42—Simultaneous manufacture of periphery and memory cells
- H10B41/43—Simultaneous manufacture of periphery and memory cells comprising only one type of peripheral transistor
- H10B41/44—Simultaneous manufacture of periphery and memory cells comprising only one type of peripheral transistor with a control gate layer also being used as part of the peripheral transistor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体メモリ装置のゲート形成方法に関するものであり、より詳しくは、セルアレー領域と周辺回路領域との間の境界領域の導電層形成を防止する半導体メモリ装置のゲート方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
EPROM(Erasable Programmable Read−Only Memory)及びEEPROM(Electrically Erasable Programmable Read−Only Memory)、FLASHメモリ等のように、スタックゲート(stacked gate)構造を有する製品において、スタックゲートを形成するため、下端ゲート物質と上端ゲート物質に対するセルフアライン(self−align)エッチングを行われるようになる。
【0003】
図1から図4は、従来の半導体メモリ装置のゲート形成方法を順次的に示す断面図である。
【0004】
図1を参照すると、従来の半導体メモリ装置のゲート形成方法は、まず、セルアレー領域aと、セルアレー領域aと周辺回路領域(図面に未図示)の間の境界領域bを有する半導体基板10上にフィールド酸化膜12を形成する。
【0005】
セルアレー領域aの活性領域(active region)からフィールド酸化膜12の一部とオーバーラップ(overlap)するようにフローティングゲート(floating gate)形成用第1ポリシリコン層14と、第1ポリシリコン層14上に絶縁層16を形成する。
【0006】
セルアレー領域aの活性領域に形成された第1ポリシリコン層14下部にゲート絶縁膜13が付加的に形成されている。
【0007】
絶縁層16を含む半導体基板10上にコントロールゲート(control gate)及び単一ゲート(single gate)形成用第2ポリシリコン層18を形成する。
【0008】
第2ポリシリコン層18上に第1ポリシリコン層14と第2ポリシリコン層18が積層された領域の一部が露出されるようにスタックゲート形成用第1フォトレジスト膜パターン20を形成する。
【0009】
図2において、第1フォトレジスト膜パターン20をマスクとして使用して第2ポリシリコン層18及び絶縁層16、そして第1ポリシリコン層14をセルフアラインエッチングで除去してセルアレー領域aのスタックゲート22を形成する。
【0010】
スタックゲート22は、フローティングゲート14a及びコトロールゲート18a、そしてプローティングゲート14aとコントロールゲート18aの間に形成された絶縁層16aを含んで非揮発性メモリ装置のゲートで使用する。
【0011】
図3において、スタックゲート形成用フォトレジスト膜パターン20を除去してから、境界領域bの第2ポリシリコン層18の一部が露出されるように単一ゲート形成用第2フォトレジスト膜パターン24を形成する。
【0012】
最後に、第2フォトレジスト膜パターン24をマスクとして使用して第2ポリシリコン層18をエッチングして除去すると、周辺回路領域に単一ゲート(図示せず)が形成される。このとき、図4に示されたように、境界領域bにポリシリコン層14b、18b及び絶縁層16bによる導電性構造物26を残す。
【0013】
導電性構造物26は、スタックゲート22形成のためのセルフアラインエッチング及び境界領域bの第2ポリシリコン層18単一層エッチング時、導電性構造物26にプラズマによる局部的なチャージアップ(charge−up)現象が発生される。
【0014】
そのため、導電性構造物26にアーク(arc)が発生し爆発することによって、構造的な変形を生じさせるだけではなく、これによるポリシリコン粒子(particle)の汚染という問題が発生する。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述の諸般問題点を解決するため提案されたものであり、セルアレー領域と周辺回路領域との間の境界領域にポリシリコン構造物を形成させない半導体メモリ装置のゲート形成方法を提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するため提案された本発明の特徴によると、半導体メモリ装置のゲート形成方法は、セルアレー領域と、セルアレー領域と周辺回路領域との間の境界領域を有し、セルアレー領域は、活性領域と非活性領域を有する半導体メモリ装置のゲート形成方法において、境界領域及びセルアレー領域の非活性領域の半導体基板上にフィールド酸化膜を形成する段階と、セルアレー領域の活性領域から境界領域のフィールド酸化膜の一部に延長して第1導電層パターンを形成し、その上部に絶縁層を有するように形成する段階と、絶縁層を含んで半導体基板上に第2導電層を形成する段階と、第1導電層及び第2導電層が積層された領域と第2導電層だけの単一層領域の境界を中心に、境界両側の一部が各々露出されるように第1マスクパターンを形成する段階と、第1マスクパターンによって露出された部位の第2導電層及び絶縁層、そして第1導電層をセルフアラインエッチングで除去してセルアレー領域のスタックゲートを形成する段階と、第1マスクパターンを除去する段階と、境界領域の第2導電層だけの単一層が形成された領域を露出させる第2マスクパターンを形成する段階と、第2マスクパターンによって露出された部位の第2導電層をエッチングして除去する段階とを含む。
【0017】
この望ましい実施形態において、第1導電層は、フローティングゲート形成用ポリシリコン層である1境界領域の導電層形成を防止する。
【0018】
この望ましい実施形態において、第2導電層は、セルアレー領域のコントロールゲート及び周辺回路領域の単一ゲート形成用ポリシリコン層である1境界領域の導電層形成を防止する。
【0019】
上述の目的を達成するための本発明の特徴によると、半導体メモリ装置のゲート形成方法は、セルアレー領域と、セルアレー領域と周辺回路領域との間の境界領域を有し、セルアレー領域は、活性領域と非活性領域を有する半導体メモリ装置のゲート形成方法において、境界領域及びセルアレー領域の非活性領域の半導体基板上にフィールド酸化膜を形成する段階と、セルアレー領域から境界領域から境界領域のフィールド酸化膜の一部に延長して第1導電層パターンを形成し、その上部に絶縁層を有するように形成する段階と、絶縁層を含む半導体基板上に第2導電層を形成する段階と、境界領域の第2導電層のみの単一層領域の一部が露出されるように第1マスクパターンを形成する段階と、第1マスクパターンによって露出された部位の第2導電層をエッチングして除去する段階と、第1マスクパターンを除去する段階と、第1導電層及び第2導電層が積層された領域と、この領域に延長してエッチングされずに残っている第2導電層のみの単一層領域が露出されるように第2導電層だけの単一領域が露出されるように第2マスクパターンを形成する段階と、第2マスクパターンによって露出された部位の第2導電層及び絶縁層、および、第1導電層をセルフアラインエッチングで除去してセルアレー領域のスタックゲートを形成する段階とを含む。
【0020】
この望ましい実施形態において、第1導電層は、フローティングゲート形成用ポリシリコン層である4境界領域の導電層形成を防止する。
【0021】
この望ましい実施形態において、第2導電層は、セルアレー領域のコントロールゲート及び周辺回路領域の単一ゲート形成用ポリシリコン層である。
【0022】
(作用)
本発明による半導体メモリ装置のゲート形成方法は、セルアレー領域と周辺回路領域との間の境界領域にポリシリコン構造物を形成させないことによって、アーク発生及びこれによる周辺素子のポリシリコン粒子汚染問題を防止する。
【0023】
【発明の実施の形態】
図8を参照すると、本発明の実施形態による新規した半導体メモリ装置のゲート形成方法は、セルアレー領域aと、セルアレー領域aと周辺回路領域(図示せず)の間の境界領域bを有する半導体基板100上にフィールド酸化膜102を形成する。セルアレー領域aから境界領域bの一部に延長してフローティングゲート形成用ポリシリコン層104を形成するが、その上部に絶縁層106を有するように形成する。絶縁層106を含んで半導体基板100上にコンタクトゲート及び単一ゲート形成用ポリシリコン層108を形成し、セルフアラインエッチング及び単一ゲートポリエッチングで、各々スタックゲート112及び単一ゲートを形成する。セルフアラインエッチング領域及び単一ゲートポリエッチング領域を調節して境界領域bのポリシリコン構造物が全部除去されるようにする。このような半導体メモリ装置の製造方法によって、境界領域bに残存するポリシリコン構造物によるアーク発生及びポリシリコン粒子汚染が防止できる。
【0024】
以下、図5乃至図8を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。
【0025】
図5乃至図8は、本発明の実施形態による半導体メモリ装置のゲート形成方法を順次的に示す断面図である。
【0026】
図5を参照すると、本発明の実施形態による半導体メモリ装置のゲート形成方法は、まず半導体メモリ装置は、セルアレー領域a及び周辺回路領域(図示せず)、そしてこの領域の境界領域bを有し、境界領域b及びセルアレー領域aの非活性領域の半導体基板100上にフィールド酸化膜102を形成する。
【0027】
セルアレー領域aの非活性領域から境界領域bの一部に延長してフローティングゲート形成用第1ポリシリコン層104を形成する。
【0028】
セルアレー領域aの活性領域の第1ポリシリコン層104下部にゲート絶縁膜103がさらに形成されているし、第1ポリシリコン層104上にはONO(Oxide−Nitride−Oxide)等の絶縁層106が付加的に形成されている。
【0029】
絶縁層106を含むフィールド酸化膜102上にコントロールゲート及び単一ゲート形成用第2ポリシリコン層108を形成する。
【0030】
第1ポリシリコン層104及び第2ポリシリコン層108が積層された領域と第2ポリシリコン層108だけの単一層領域の境界を中心に、境界両側の一部が、各々露出されるようにスタックゲート形成用第1フォトレジスト膜パターン110を形成する。
【0031】
図6において、第1フォトレジスト膜パターン110をマスクとして使用して第2ポリシリコン層108及び絶縁層106、そして第1ポリシリコン層104をセルフアラインエッチングで除去してセルアレー領域aのスタックゲート112を形成する。
【0032】
スタックゲート112は、フローティングゲート104a及びコトロールゲート108a、そしてフローティングゲート104aとコントロールゲート108aの間に形成された絶縁層106aを含む非揮発性メモリ装置のゲートとして使用される。
【0033】
第2ポリシリコン層108だけの単一層領域は、積層領域のポリシリコン層104、108がエッチングされる間、参照番号111で示したように、フィールド酸化膜102がある程度エッチングされる。
【0034】
図7を参照すると、第1フォトレジスト膜パターン110を除去してから、境界領域bのエッチングされないで残っている第2ポリシリコン層108bだけが単一層が形成された領域が露出されるように単一ゲート形成用第2フォトレジスト膜パターン114を形成する。
【0035】
最後に、第2フォトレジスト膜パターン114をマスクとして使用して第2ポリシリコン層108bをエッチングして除去してから、第2フォトレジスト膜パターン114を除去すると、周辺回路領域に単一ゲート(図示せず)が形成され、図8に図示されたように、境界領域bにポリシリコン構造物を有しない半導体メモリ装置が完成される。
【0036】
第2ポリシリコン層108bがエッチングされる間、フィールド酸化膜102の符号115で示した部位がもっとエッチングされた符号116で示したフィールド酸化膜102の厚さを有する。フィールド酸化膜116の厚さは、フィールド酸化膜102の厚さ約4000オングストロームに対して少なくとも2000オングストローム以上を有するように調節する。
【0037】
一方、第1フォトレジスト膜パターン110と第2フォトレジスト膜パターン114の使用順序を変える場合、即ちセルフアラインエッチングと単一ゲートポリエッチング順序を変える場合も、同じ結果を示すようになる。
【0038】
言い換えれば、図5の第2ポリシリコン層108上に境界領域bの第2ポリシリコン層108だけの単一層領域の一部が露出されるように第2フォトレジスト膜パターン114を形成する。そして、第2フォトレジスト膜パターン114をマスクとして使用して第2ポリシリコン層108をエッチングして除去する。
【0039】
第2フォトレジスト膜パターン114を除去してから、第1ポリシリコン層104及び第2ポリシリコン層108が積層された領域の一部と、この領域に延長されて形成されたエッチングされないで残っている第2ポリシリコン層108だけの単一層領域が露出されるように第1フォトレジスト膜パターン110を形成する。
【0040】
第1フォトレジスト膜パターン110をマスクとして使用して第2ポリシリコン層108及び絶縁層106、そして第1ポリシリコン層104をセルフアラインエッチングで除去してセルアレー領域aのスタックゲート112を形成する。
【0041】
第1フォトレジスト膜パターン110を除去して境界領域bにポリシリコン構造物を有しない半導体メモリ装置が完成される。
【0042】
【発明の効果】
本発明は、スタックゲート形成時、セルアレー領域と周辺回路領域の境界領域にポリシリコン構造物を形成させないことによって、ポリシリコン構造物によるアーク発生及びポリシリコン粒子汚染が防止できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来の半導体メモリ装置のゲート形成方法を示す断面図である。
【図2】 従来の半導体メモリ装置のゲート形成方法を示す断面図である。
【図3】 従来の半導体メモリ装置のゲート形成方法を示す断面図である。
【図4】 従来の半導体メモリ装置のゲート形成方法を示す断面図である。
【図5】 本発明の実施形態による半導体メモリ装置のゲート形成方法を示す断面図である。
【図6】 本発明の実施形態による半導体メモリ装置のゲート形成方法を示す断面図である。
【図7】 本発明の実施形態による半導体メモリ装置のゲート形成方法を示す断面図である。
【図8】 本発明の実施形態による半導体メモリ装置のゲート形成方法を示す断面図である。
【符号の説明】
10、100:半導体基板
12、102:フィールド酸化膜
13、103:ゲート絶縁膜
14、104:第1導電層
16、106:絶縁層
18、108:第2導電層
20、110:第1マスク層
22、112:スタックゲート
24、114:第2マスク層
26:導電性構造物
Claims (3)
- セルアレー領域と、前記セルアレー領域と周辺回路領域との間の境界領域とを有し、前記セルアレー領域は、活性領域と非活性領域を有する半導体メモリ装置のゲート形成方法において、
前記境界領域及び前記セルアレー領域の非活性領域の半導体基板上にフィールド酸化膜を形成する段階と、
前記セルアレー領域の活性領域から前記境界領域のフィールド酸化膜の一部に延長して第1導電層パターンを、その上部に絶縁層を有するように形成する段階と、
前記絶縁層を覆って前記半導体基板上に第2導電層を形成する段階と、
前記第1導電層及び第2導電層が積層された領域と前記第2導電層だけの単一層領域の境界を中心に、前記境界両側の一部が各々露出されるように、セルアレー領域から周辺回路領域に向かう方向において、セルアレー領域と周辺回路領域の境界で露出された領域がフィールド酸化膜上部に限定されるように第1マスクパターンを形成する段階と、
前記第1マスクパターンによって露出された部位の前記第2導電層及び絶縁層、そして第1導電層をセルフアラインエッチングで除去してセルアレー領域のスタックゲートを形成する段階と、
前記第1マスクパターンを除去する段階と、
前記境界領域の前記第2導電層だけの単一層が形成された領域を露出させる第2マスクパターンを形成する段階と、
前記第2マスクパターンによって露出された部位の第2導電層をエッチングして除去する段階とを含むことを特徴とする境界領域の導電層形成を防止する半導体メモリ装置のゲート形成方法。 - 前記第1導電層は、フローティングゲート形成用ポリシリコン層であることを特徴とする請求項1に記載の境界領域の導電層形成を防止する半導体メモリ装置のゲート形成方法。
- 前記第2導電層は、セルアレー領域のコントロールゲート及び周辺回路領域の単一ゲート形成用ポリシリコン層であることを特徴とする請求項1に記載の境界領域の導電層形成を防止する半導体メモリ装置のゲート形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019970069989A KR100257583B1 (ko) | 1997-12-17 | 1997-12-17 | 경계 영역의 도전층 형성을 방지하는 반도체 메모리 장치의 게이트 형성 방법 |
KR199769989 | 1997-12-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11238816A JPH11238816A (ja) | 1999-08-31 |
JP4398524B2 true JP4398524B2 (ja) | 2010-01-13 |
Family
ID=19527700
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP35679398A Expired - Fee Related JP4398524B2 (ja) | 1997-12-17 | 1998-12-15 | 境界領域の導電層形成を防止する半導体メモリ装置のゲート形成方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6228723B1 (ja) |
JP (1) | JP4398524B2 (ja) |
KR (1) | KR100257583B1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100540478B1 (ko) * | 2004-03-22 | 2006-01-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전하 트랩을 갖는 게이트유전체를 포함한 휘발성 메모리셀 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
US7030001B2 (en) * | 2004-04-19 | 2006-04-18 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for forming a gate electrode having a metal |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5173436A (en) * | 1989-11-21 | 1992-12-22 | Texas Instruments Incorporated | Method of manufacturing an EEPROM with trench-isolated bitlines |
TW425660B (en) * | 1997-12-12 | 2001-03-11 | Mosel Vitelic Inc | Method of forming uniform dielectric layer between two conductive layers in integrated circuit |
-
1997
- 1997-12-17 KR KR1019970069989A patent/KR100257583B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-12-15 JP JP35679398A patent/JP4398524B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-12-16 US US09/216,667 patent/US6228723B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR19990050805A (ko) | 1999-07-05 |
US6228723B1 (en) | 2001-05-08 |
KR100257583B1 (ko) | 2000-06-01 |
JPH11238816A (ja) | 1999-08-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6579757B2 (en) | Method for fabricating semiconductor device which prevents gates of a peripheral region from being oxidized | |
JPH06216125A (ja) | 高集積半導体素子のコンタクトホール形成方法 | |
JPH08288477A (ja) | 不揮発性メモリ素子及びその製造方法 | |
US5427980A (en) | Method of making a contact of a semiconductor memory device | |
JPH1092933A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20040023716A (ko) | 반도체 디바이스 제조 방법 | |
JP4398524B2 (ja) | 境界領域の導電層形成を防止する半導体メモリ装置のゲート形成方法 | |
US20090051014A1 (en) | Method of fabricating semiconductor device having silicide layer and semiconductor device fabricated thereby | |
JPH11330262A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100470992B1 (ko) | 비활성메모리장치의저항형성방법 | |
JP2914655B2 (ja) | 非揮発性メモリ素子の製造方法 | |
JP2938290B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3231136B2 (ja) | 半導体記憶装置の製造方法 | |
JPH02129917A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3783240B2 (ja) | フラッシュメモリの製造方法 | |
KR100316527B1 (ko) | 플래시 메모리 제조방법 | |
JP2551030B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR100244293B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
US20020061658A1 (en) | Method of forming a semiconductor structure | |
KR100568424B1 (ko) | 반도체 소자의 선택적 실리사이드 형성 방법 | |
JPH09223692A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH04186778A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3499056B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
KR940011733B1 (ko) | 반도체장치의 접촉창 형성방법 | |
KR20000042292A (ko) | 플래쉬 메모리 셀 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050704 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060207 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060508 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060704 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061026 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20061212 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20070209 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090825 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091023 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121030 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131030 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |