JP4353126B2 - 車両状態判定装置 - Google Patents

Description

この発明は、半導体メモリに記憶される車両情報に基づいて車両が特定の状態にあるか否かを判定する車両状態判定装置に関するものである。

従来、車両に搭載される装置の状態を監視し、その搭載機器が正常に機能しなくなるなど、車両が特定の状態になったことを判定するようにした車両状態判定装置が知られている。例えば、特許文献１には、車両に搭載される触媒装置の熱劣化度を示す値を記憶し、その熱劣化度を示す値が所定の判定値を上回ったことをもって触媒装置が熱劣化した状態にある旨判定するようにしている。ここで、こうした搭載機器の状態等、車両情報を記憶する媒体として通常は半導体メモリが採用されている。車両の運転状態を制御する装置では、この半導体メモリに記憶される車両情報を車両やその搭載機器の使用状況に即して逐次更新することにより、同半導体メモリに記憶されている車両情報の信頼性を高めるようにしている。
特開平０７−１１９４４７号公報

ところで、こうした半導体メモリにあっては、その記憶内容が例えば電気的ノイズ等によって破損する、いわゆるデータ化けが生じることがある。特に車両においては、例えば点火プラグ、インジェクタ等々、電気的ノイズを発生する種々の機器が搭載されているため、こうしたデータ化け等、半導体メモリの記憶内容に異常が生じ易い傾向にある。このため、従来の装置にあっては、触媒装置の異常等、こうした半導体メモリの異常に起因して触媒装置が正常に機能しているのにもかかわらずこれが異常である旨判定される等、車両状態の誤判定を招くおそれがある。

この発明は、こうした従来の実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体メモリの記憶内容にかかる異常に起因して車両が特定の状態にある旨誤判定されるのを極力抑制することのできる車両状態判定装置を提供することにある。

以下、上記目的を達成するための手段及びその作用効果について説明する。
先ず、請求項１に記載の発明は、半導体メモリに記憶される車両情報を所定周期毎に更新し、その更新された最新の車両情報に基づいて車両が特定の状態にあるか否かを判定する判定手段を備える車両状態判定装置において、前記半導体メモリの記憶内容についての破損異常を診断する診断手段と、前記半導体メモリの前記車両情報にかかる記憶内容が更新されたとき、その更新以後において前記診断手段による異常診断が開始されて同異常診断が完了するまでの期間にわたり前記判定手段による判定を遅延させる判定遅延手段とを備えることをその要旨とする。

同構成では、半導体メモリに記憶されている車両情報が更新された場合には、半導体メモリの記憶内容についてその異常診断が完了するまで車両が特定の状態にあるか否かの判定を遅らせるようにしている。従って、半導体メモリの記憶内容に異常が発生してその記憶内容の示す車両情報が変化し、同車両情報の信頼性が低下している場合には、記憶内容を初期値に書き換える、また記憶内容を別の半導体メモリにバックアップする構成を採用しているのであればこれを複写する等、車両が特定の状態にあるか否かの判定がなされる前に適切な処理を行うことが可能になる。従って、半導体メモリの記憶内容に異常が生じて車両が特定の状態にある旨誤判定されるのを極力抑制することができるようになる。

尚ここで、「車両が特定の状態にある」とは、例えば、車両の搭載機器が正常に機能しなくなった状態や、同搭載機器の機能が低下してその交換が必要である状態、タイヤの空気圧が低下した状態、内燃機関等の車両駆動力を発生する駆動源に異常が生じている状態、等々を挙げることができる。

また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の車両状態判定装置において、前記判定手段は所定周期をもって前記車両の状態判定を行うものであり、前記診断手段は前記判定手段の判定周期よりも短い周期をもって前記半導体メモリの記憶内容の破損異常を診断するものであり、前記判定遅延手段は前記半導体メモリの前記車両情報にかかる記憶内容が更新されたとき、前記判定手段による判定を１周期以上遅延させるものであることをその要旨とする。

同構成によれば、例えば、半導体メモリに記憶される車両情報が更新されたときから半導体メモリの記憶内容についてその異常診断が完了しているか否かを監視し、同異常診断が完了したことをもって車両の状態判定を許可する、等の構成と比較して、異常診断処理と判定遅延処理とを独立した各別の処理として実行することができ、判定手段による車両の状態判定を異常診断が完了するまで遅延させるのに際しその制御構造の簡素化を図ることができるようになる。

また、請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の車両状態判定装置において、
前記判定遅延手段は前記半導体メモリの車両情報を示す記憶値の更新に際して同記憶値が所定値以上変化したことを条件に前記判定手段による判定を遅延させることをその要旨とする。

半導体メモリの記憶内容に生じる異常として、特に顕著にみられるのが、電気的ノイズ等の影響によって半導体メモリに記憶されているデータが破損する、いわゆるデータ化けがある。そして、こうしたデータ化けが発生した場合には、半導体メモリに記憶される記憶値が大きく変化する傾向がある。この点、請求項３に記載の構成によれば、半導体メモリの車両情報を示す記憶値が所定値以上変化したことを条件に車両状態判定を遅延させるようにしているため、こうしたデータ化けが生じた場合、これに適切に対処することができ、車両状態の誤判定を極力抑制することができるようになる。

また、請求項４に記載の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載の車両状態判定装置において、前記半導体メモリとは別のバックアップ用半導体メモリを有してこれに前記半導体メモリの記憶内容を定期的にバックアップするバックアップ手段を更に備え、前記診断手段は前記半導体メモリの記憶内容に破損異常がある旨診断したとき同半導体メモリの記憶内容を書き換えてこれを前記バックアップ用半導体メモリに記憶されている記憶内容と置換することをその要旨とする。

同構成によれば、半導体メモリの記憶内容に異常が生じている場合であっても、これをバックアップ用半導体メモリにバックアップされている信頼性の高い車両情報を用いて復元することができ、その復元された車両情報に基づいて車両が特定の状態にあるか否かを判定することができるようになる。

また、請求項５に記載の発明は、請求項１〜４のいずれか一項に記載の車両状態判定装置において、前記半導体メモリは前記車両に搭載される触媒装置の劣化情報を前記車両情報として記憶するものであり、前記判定手段は前記半導体メモリに記憶される前記触媒装置の劣化情報に基づき前記車両においてその触媒装置が劣化した状態にあるか否かを判定することをその要旨とする。

同構成によれば、半導体メモリの記憶内容に生じた異常に起因して車両の触媒装置が劣化した状態にある旨誤判定されてしまうのを好適に抑制することができる。
また、請求項６に記載の発明は、請求項１〜５のいずれか一項に記載の車両状態判定装置において、前記半導体メモリは車両のバッテリによって給電されその記憶内容を保持する揮発性半導体メモリであることをその要旨とする。

揮発性半導体メモリはその書込速度が不揮発性半導体メモリと比較して大きく、また書込保証回数も多いものの、耐ノイズ性の点では劣る傾向がある。即ち、車両情報を記憶する半導体メモリとして揮発性半導体メモリを採用した場合には、上述したようなデータ化けの生じる可能性が高くなる。上記構成によれば、こうした半導体メモリの記憶内容に異常が生じることに起因する車両状態の誤判定を好適に抑制することができるようになる。

以下、この発明を車両に搭載される触媒装置の異常判定装置として具体化した実施形態について図１〜５を参照して説明する。
図１は、車両１０に搭載される内燃機関１１及び触媒装置１２、並びに同装置１２の異常を判定する判定装置を示している。同図１に示されるように、内燃機関１１の排気通路１３には、排気を浄化するための触媒装置１２が設けられている。判定装置は、この触媒装置１２に内蔵される触媒が排気の熱により劣化して排気浄化機能が低下したときに、触媒装置１２が異常であると判定する。

判定装置は、異常判定にかかる各種演算処理を実行するＣＰＵ３０、このＣＰＵ３０とバス３１を介して接続されるメモリ４０、並びに入出力回路３２を備えている。触媒装置１２には温度センサ５０が取り付けられており、同温度センサ５０により検出される触媒装置１２の温度（触媒床温ＣＴ）は入出力回路３２を介してＣＰＵ３０に取り込まれる。また、判定装置は触媒装置１２が異常であると判定したときに、その旨を報知する警告灯５１を備えている。この警告灯５１は入出力回路３２を介してＣＰＵ３０に接続されており、その点灯及び消灯動作はＣＰＵ３０を通じて制御される。

メモリ４０は、ＲＡＭ４１、スタンバイＲＡＭ（ＳＲＡＭ）４２、ＥＥＰＲＯＭ４３、ＲＯＭ４４によって構成されている。ＲＡＭ４１及びＳＲＡＭ４２はいずれもＤＲＡＭ等、揮発性半導体メモリからなり、特にＳＲＡＭ４２は、車両１０のバッテリによって給電されることにより、内燃機関１１の運転が停止された後においてもその記憶内容を保持している。一方、ＥＥＰＲＯＭ４３及びＲＯＭ４４は、バッテリの給電を行わなくてもその記憶内容を保持する不揮発性の半導体メモリである。ＲＯＭ４４には触媒装置１２の異常判定処理を実行するための各種プログラム及びそれに関する各種データが記憶されている。ＥＥＰＲＯＭ４３は所定の条件下でその記憶内容を書き換えることが可能であり、ＣＰＵ３０はＳＲＡＭ４２の記憶内容を所定の周期をもってＥＥＰＲＯＭ４３に複写することにより、同ＥＥＰＲＯＭ４３の記憶内容をバックアップしている。このバックアップ処理を通じて、例えばバッテリの給電が停止されてＳＲＡＭ４２の記憶内容が消失したり、或いは電気的ノイズ等により破損したりすることがあっても、ＥＥＰＲＯＭ４３の記憶内容をＳＲＡＭ４２に複写することにより、ＳＲＡＭ４２の記憶内容を復元することができる。

判定装置は、温度センサ５０により検出される触媒床温ＣＴ等に基づいて触媒装置１２の劣化度合を算出し、その劣化度合を示すデータ（劣化カウンタ値Ｋ）をＳＲＡＭ４２に逐次書き込むようにしている。そして、この劣化カウンタ値Ｋが所定の判定値Ｓ以上になったときに触媒装置１２が異常である旨判定するようにしている。また、判定装置は、いわゆるデータ化け等によってＳＲＡＭ４２の記憶内容が破損した場合に対処すべくＳＲＡＭ４２の異常診断を定期的に実行している。

以下、この異常診断処理について図２及び図３を参照して説明する。
図２はＣＰＵ３０がＳＲＡＭ４２に劣化カウンタ値Ｋを書き込む際の書き込み態様を模式的に示している。この劣化カウンタ値Ｋは触媒装置１２の劣化度合に応じて「０，１，２，・・・ｎ」の（ｎ＋１）段階に変化し、その時々の値がＳＲＡＭ４２に記憶される。この際、ＳＲＡＭ４２には、この劣化カウンタ値Ｋのミラーデータも同時に書き込まれる。具体的には、図２に示されるように、劣化カウンタ値Ｋが「ｊ」である場合、このデータはＳＲＡＭ４２の所定の記憶領域Ａに書き込まれるとともに、別の記憶領域Ｂにはこのミラーデータとして「ｎ−ｊ」が書き込まれる。そして、この劣化カウンタ値Ｋを示すデータとそのミラーデータとの整合性を評価することによりＳＲＡＭ４２の記憶内容についてその異常の有無が診断される。

図３は、ＳＲＡＭ４２の異常診断についてその具体的な処理の手順を示すフローチャートである。同図に示される一連の処理は所定の制御周期Ｔ１をもって繰り返し実行される。

この一連の処理では、まず、ＳＲＡＭ４２の記憶領域Ａに書き込まれているデータの値ａと記憶領域Ｂに書き込まれているデータの値ｂとが読み込まれる。そして、それら読み込まれたデータの値ａ，ｂが加算され、その加算値（ａ＋ｂ）と上記所定値ｎとの比較に基づいて異常診断が行われる（ステップＳ３１０）。即ち、この加算値と所定値ｎとが等しい場合には、ＳＲＡＭ４２に記憶されている劣化カウンタ値Ｋが正常な値である旨診断される。そして、この場合には、劣化カウンタ値Ｋの記憶状態が維持される（ステップＳ３２０）。

一方、上記加算値（ａ＋ｂ）が所定値ｎと等しくない場合には、データ化け等によってＳＲＡＭ４２の記憶内容に異常が生じている旨診断される。そして、この場合には、ＥＥＰＲＯＭ４３に記憶されているバックアップデータがＳＲＡＭ４２に複写され、ＳＲＡＭ４２の記憶内容が復元される（ステップＳ３３０）。このバックアップデータは劣化カウンタ値Ｋについての最新のデータではないものの、例えば、ＳＲＡＭ４２の記憶内容に異常が生じたときに劣化カウンタ値Ｋを初期値「０」に変更するようにした場合と比較して、劣化カウンタ値Ｋの信頼性を高めることができる。そのため、劣化カウンタ値Ｋに基づいて行われる触媒装置１２の異常判定についてもその信頼性を高めることができる。

図４は触媒装置１２の異常判定処理についてその具体的な処理の手順を示すフローチャートである。また、図５は劣化カウンタ値Ｋの推移等を示すタイミングチャートである。以下、これら図４及び図５を併せ参照し異常判定処理について説明する。

図４のフローチャートに示される一連の処理は所定の制御周期Ｔ２をもって繰り返し実行される。尚ここで、先に説明したＳＲＡＭ４２の記憶内容にかかる異常診断処理の制御周期Ｔ１は、この異常判定処理の制御周期Ｔ２よりも短く設定されている。従って、以下に説明する異常判定処理が実行された後、次に実行されるまでの間にＳＲＡＭ４２の記憶内容にかかる異常診断処理が少なくとも１回は実行されることになる。

この触媒装置１２の異常判定処理では、まず、所定の更新周期Ｔ３（＞制御周期Ｔ２）毎に劣化カウンタ値Ｋに更新量ΔＫが加算される（ステップＳ４１０〜Ｓ４４０）。具体的には、更新後の時間に相当するカウンタ値Ｃがインクリメントされ（ステップＳ４１０）、これが上記更新周期に相当する所定値ＣＫに達したか否かが判定される（ステップＳ４２０）。ここで、カウンタ値Ｃが所定値ＣＫと一致している場合には（ステップＳ４２０：ＹＥＳ）、カウンタ値Ｃが初期化される（ステップＳ４３０）。そして、次に以下の式（１）及び式（２）に基づいて劣化カウンタ値Ｋが新たな値に更新される（ステップＳ４４０）。

Ｋ（ｉ＋１）←Ｋ（ｉ）＋ΔＫ ・・・（１）
ΔＫ＝Ｆ［ＣＴ，Ｋ］ ・・・（２）

上式（１）において、「Ｋ（ｉ＋１）」は、今回の制御周期で更新される新たな劣化カウンタ値Ｋであり、「Ｋ（ｉ）」は、前回の制御周期における劣化カウンタ値Ｋを示している。ＳＲＡＭ４２には、劣化カウンタ値Ｋとして、その前回の制御周期における値Ｋ（ｉ）及び今回の制御周期において更新された値Ｋ（ｉ＋１）の双方が上述した手順に従って書き込まれる。尚、書き込み処理は先の異常診断処理（図３参照）におけるステップＳ３３０を通じて行われる。

また、上式（２）において、更新量ΔＫ、即ちＦ［ＣＴ，Ｋ］は触媒床温ＣＴ及び劣化カウンタ値Ｋ（＝Ｋ（ｉ））を独立変数とする関数である。この関数に基づいて設定される、触媒床温ＣＴ及び劣化カウンタ値Ｋと更新量ΔＫとの関係は実験等に予め基づいて求められ、演算用マップとしてＲＯＭ４４に記憶されている。因みに、触媒床温ＣＴが高いときほど、また劣化カウンタ値Ｋの値が小さいときほど、更新量ΔＫは大きな値に設定される。そして、このように劣化カウンタ値Ｋが更新されると、その劣化カウンタ値Ｋの前回の制御周期における値Ｋ（ｉ）、並びに今回の制御周期において更新された値Ｋ（ｉ＋１）の双方がＳＲＡＭ４２に記憶される。

このようにして、劣化カウンタ値Ｋを更新した後、或いはカウンタ値Ｃが所定値ＣＫと一致しておらず劣化カウンタ値Ｋの更新周期が到来していない場合には（ステップＳ４２０：ＮＯ）、次の処理（ステップＳ４５０）に移行する。

この処理では、劣化カウンタ値Ｋについて、前回の制御周期における値Ｋ（ｉ）並びに今回の制御周期で更新された値Ｋ（ｉ＋１）がそれぞれＳＲＡＭ４２から読み込まれる。そして、この劣化カウンタ値Ｋの変化量（＝Ｋ（ｉ＋１）−Ｋ（ｉ））が所定値α以上であるか否かが判定される。ここで、所定値αは上式（２）によって算出される更新量ΔＫの最小値よりも小さい値に設定されている。

そして、同変化量が所定値α以上である旨判定された場合（ステップＳ４５０：ＹＥＳ）、次に、前回の制御周期における劣化カウンタ値Ｋの値Ｋ（ｉ）が今回の制御周期で更新された劣化カウンタ値Ｋの値Ｋ（ｉ＋１）に置換され、それらが等しくなるように設定される（ステップＳ４７０）。このように前回の制御周期における劣化カウンタ値Ｋの値Ｋ（ｉ）を設定した後、この一連の処理は一旦終了される。

一方、前回の制御周期における劣化カウンタ値Ｋの値Ｋ（ｉ）と今回の制御周期で更新された劣化カウンタ値Ｋの値Ｋ（ｉ＋１）とが等しい場合等、変化量（＝Ｋ（ｉ＋１）−Ｋ（ｉ））が所定値α未満である場合には（ステップＳ４５０：ＮＯ）、触媒装置１２の異常判定が実行される。即ち、劣化カウンタ値Ｋ（＝Ｋ（ｉ＋１））が所定の判定値Ｓ以上であるか否かが判定される（ステップＳ４６０）。そして、劣化カウンタ値Ｋが判定値Ｓ以上である場合には（ステップＳ４６０：ＹＥＳ）、触媒装置１２に内蔵される触媒の熱劣化が進行しており、その排気浄化機能が低下しているため、同触媒装置１２が異常である旨を報知すべく警告灯５１が点灯される（ステップＳ４８０）。一方、劣化カウンタ値Ｋが判定値Ｓ未満である場合には（ステップＳ４６０）、触媒装置１２の排気浄化機能が正常であると判定され、この一連の処理は一旦終了される。

そして、上述した異常判定処理によれば、図５に示されるように、所定の更新周期Ｔ３毎に劣化カウンタ値Ｋが徐々に増大し（タイミングｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ６）、やがて判定値Ｓを上回るようになる（タイミングｔ３，ｔ６）。但し、このように劣化カウンタ値Ｋが判定値Ｓを上回るようになっても、即座に異常である旨判定されることはない。即ち、ＳＲＡＭ４２の記憶内容にかかる異常診断処理の制御周期Ｔ１が触媒装置１２の異常判定処理における制御周期Ｔ２よりも短く設定されているため、劣化カウンタ値Ｋが判定値Ｓ以上になったときから次の異常判定処理の制御周期が到来するまで（タイミングｔ３〜ｔ５）、異常である旨の判定が遅延される。そして、その後に異常判定がなされて警告灯５１が点灯される（タイミングｔ５）。

このように異常である旨の判定が遅延されるため、ＳＲＡＭ４２に記憶されている記憶内容に異常が生じることにより、劣化カウンタ値Ｋが触媒装置１２の劣化度合と関係なく判定値Ｓ以上にまで一時的に増大してしまうことがあっても、その場合には触媒装置１２が異常である旨判定される前にＳＲＡＭ４２の異常診断処理が実行される。これにより、ＳＲＡＭ４２の記憶内容はＥＥＰＲＯＭ４３の記憶内容に置換され、信頼性の高い劣化カウンタ値Ｋに戻される（タイミングｔ４）。従って、こうしたＳＲＡＭ４２の記憶内容に異常が生じて触媒装置１２が異常である旨誤判定されるのを極力抑制することができるようになる。

また、ＳＲＡＭ４２の記憶内容にかかる異常診断処理の制御周期Ｔ１を触媒装置１２の異常判定処理における制御周期Ｔ２よりも短く設定するようにしているため、異常判定処理では、劣化カウンタ値Ｋが変化した場合、次の制御周期まで異常判定を遅延させるようにするだけで上述した誤判定を抑制することができる。従って、ＳＲＡＭ４２の異常診断処理と触媒装置１２の異常判定処理とを独立した各別の処理として実行することができ、例えば、ＳＲＡＭ４２の異常診断処理が完了しているか否かを示すフラグを用いる等して同異常診断処理の状況を監視し、同異常診断が完了したことをもって異常判定を許可する、等の構成と比較して制御構造の簡素化を図ることができるようになる。

ここで、劣化カウンタ値Ｋが所定値α以上変化したことを条件に異常判定を遅延させるようにしているため、ＳＲＡＭ４２の記憶内容にデータ化けが生じた場合、これに適切に対処することができ、触媒装置１２の異常にかかる誤判定を極力抑制することができる。

また、ＳＲＡＭ４２は揮発性半導体メモリであるため、データ化け等、その記憶内容に異常が生じ易い。このため、こうした異常が発生した場合を想定して、ＳＲＡＭ４２の記憶内容をＥＥＰＲＯＭ４３に定期的にバックアップするようにし、ＳＲＡＭ４２の記憶内容に異常がある旨検出したときに、同ＳＲＡＭ４２の記憶内容を書き換えてこれをＥＥＰＲＯＭ４３に記憶されている記憶内容と置換するようにしている。このため、ＳＲＡＭ４２の記憶内容に異常が生じている場合であっても、ＥＥＰＲＯＭ４３にバックアップされている信頼性の高い劣化カウンタ値Ｋを用いてＳＲＡＭ４２の劣化カウンタ値Ｋを復元することができ、これに基づいて触媒装置１２の異常を判定することができるようになる。

尚、この実施形態は以下のようにその構成を変更することができる。
・ＳＲＡＭ４２の異常診断は、上述した態様に限られず、例えば、同一のデータを複数の記憶領域に書き込むようにし、それらが一致しているか否かの判定に基づいて異常を診断するようにしてもよい。

・上述した異常判定にかかる制御は、触媒装置１２の他、内燃機関やその周辺機器、或いはタイヤ等、車両の搭載機器や各種部材についての異常判定にも同様に適用することができる。また、異常判定に限らず、搭載機器や各種部材についてその適切な交換時期を判定する等、車両が特定の状態になることを判定する際に適用することができる。

・また、劣化カウンタ値Ｋ等の車両情報を記憶するとともに、その異常が診断される半導体メモリとして、バッテリにより給電されるＳＲＡＭを例示したが、同ＳＲＡＭ以外の書き換え可能なメモリを採用することができる。また、バックアップ用の半導体メモリとしてＥＥＰＲＯＭ４３を例示したが、これについてもフラッシュメモリ等、書き換え可能な別種のメモリを採用することができる。

・ＥＥＰＲＯＭ４３を用いたバックアップ処理を省略することもできる。
・所定値αを更新量ΔＫの最小値よりも小さい値に設定するようにしたが、その大きさは適宜変更することができる。例えば、所定値αを更新量ΔＫの最小値よりも大きい値に設定して、劣化カウンタ値Ｋが大きく変化したときにのみ異常判定の遅延が行われるようにしてもよい。また、図４に示されるフローチャートのステップＳ４５０において、今回の制御周期で更新される新たな劣化カウンタ値Ｋの値Ｋ（ｉ＋１）と、前回の制御周期における劣化カウンタ値Ｋの値Ｋ（ｉ）とが等しいことを条件に異常判定処理（ステップＳ４６０）を実行するようにしてもよい。

・上記実施の形態では、ＳＲＡＭ４２の記憶内容にかかる異常診断処理の制御周期Ｔ１を触媒装置１２の異常判定処理における制御周期Ｔ２よりも短く設定するようにした。これに代えて、例えば、ＳＲＡＭ４２の異常診断処理が完了しているか否かを示すフラグを用いる等して異常診断処理の状況を監視し、同異常診断が完了したことをもって異常判定を許可する、といった構成を採用することもできる。

本発明にかかる車両状態判定装置を具体化した一実施の形態の概略構成図。 ＳＲＡＭに劣化カウンタ値を書き込む際の書き込み態様の一例を模式的に示す略図。 ＳＲＡＭの異常診断の具体的な処理手順を示すフローチャート。 触媒装置の異常判定処理の具体的な処理手順を示すフローチャート。 劣化カウンタ値Ｋの推移の一例を示すタイミングチャート。

符号の説明

１０…車両、１１…内燃機関、１２…触媒装置、１３…排気通路、３０…ＣＰＵ、３１…バス、３２…入出力回路、４０…メモリ、４１…ＲＡＭ、４２…スタンバイＲＡＭ（ＳＲＡＭ）、４３…ＥＥＰＲＯＭ、４４…ＲＯＭ、５０…温度センサ、５１…警告灯、Ｋ…劣化カウンタ値。

Claims (6)

1. 半導体メモリに記憶される車両情報を所定周期毎に更新し、その更新された最新の車両情報に基づいて車両が特定の状態にあるか否かを判定する判定手段を備える車両状態判定装置において、
   前記半導体メモリの記憶内容についての破損異常を診断する診断手段と、
   前記半導体メモリの前記車両情報にかかる記憶内容が更新されたとき、その更新以後において前記診断手段による異常診断が開始されて同異常診断が完了するまでの期間にわたり前記判定手段による判定を遅延させる判定遅延手段とを備える
   ことを特徴とする車両状態判定装置。
2. 請求項１に記載の車両状態判定装置において、
   前記判定手段は所定周期をもって前記車両の状態判定を行うものであり、
   前記診断手段は前記判定手段の判定周期よりも短い周期をもって前記半導体メモリの記憶内容の破損異常を診断するものであり、
   前記判定遅延手段は前記半導体メモリの前記車両情報にかかる記憶内容が更新されたとき、前記判定手段による判定を１周期以上遅延させるものである
   ことを特徴とする車両状態判定装置。
3. 請求項１又は２に記載の車両状態判定装置において、
   前記判定遅延手段は前記半導体メモリの車両情報を示す記憶値の更新に際して同記憶値が所定値以上変化したことを条件に前記判定手段による判定を遅延させる
   ことを特徴とする車両状態判定装置。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の車両状態判定装置において、
   前記半導体メモリとは別のバックアップ用半導体メモリを有してこれに前記半導体メモリの記憶内容を定期的にバックアップするバックアップ手段を更に備え、
   前記診断手段は前記半導体メモリの記憶内容に破損異常がある旨診断したとき同半導体メモリの記憶内容を書き換えてこれを前記バックアップ用半導体メモリに記憶されている記憶内容と置換する
   ことを特徴とする車両状態判定装置。
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の車両状態判定装置において、
   前記半導体メモリは前記車両に搭載される触媒装置の劣化情報を前記車両情報として記憶するものであり、
   前記判定手段は前記半導体メモリに記憶される前記触媒装置の劣化情報に基づき前記車両においてその触媒装置が劣化した状態にあるか否かを判定する
   ことを特徴とする車両状態判定装置。
6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の車両状態判定装置において、
   前記半導体メモリは車両のバッテリによって給電されその記憶内容を保持する揮発性半導体メモリである
   ことを特徴とする車両状態判定装置。

Images