JP2006291829A - 車両状態判定装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この装置は、SRAMに記憶される劣化カウンタ値Kを逐次更新し(タイミングt1,t2,t3,t6)、同劣化カウンタ値Kに基づいて触媒装置が異常であるか否かを判定する異常判定処理を実行する。また、この装置はSRAMの記憶内容についてその異常を診断する。SRAMに記憶されている劣化カウンタ値Kが変化したとき(タイミングt3)、SRAMの記憶内容についての診断が完了するまでの間(タイミングt3〜t4)、異常判定処理による触媒装置についての判定を遅延させる。
【選択図】 図5
Description
先ず、請求項1に記載の発明は、半導体メモリに記憶される車両情報を逐次更新し、その車両情報に基づいて車両が特定の状態にあるか否かを判定する判定手段を備える車両状態判定装置において、前記半導体メモリの記憶内容についてその異常を診断する診断手段と、前記半導体メモリの前記車両情報にかかる記憶内容が変化したとき、前記診断手段による異常診断が完了するまで前記判定手段による判定を遅延させる判定遅延手段とを備えることをその要旨とする。
前記判定遅延手段は前記半導体メモリの車両情報を示す記憶値が所定値以上変化したことを条件に前記判定手段による判定を遅延させることをその要旨とする。
また、請求項6に記載の発明は、請求項1〜5のいずれか一項に記載の車両状態判定装置において、前記半導体メモリは車両のバッテリによって給電されその記憶内容を保持する揮発性半導体メモリであることをその要旨とする。
図1は、車両10に搭載される内燃機関11及び触媒装置12、並びに同装置12の異常を判定する判定装置を示している。同図1に示されるように、内燃機関11の排気通路13には、排気を浄化するための触媒装置12が設けられている。判定装置は、この触媒装置12に内蔵される触媒が排気の熱により劣化して排気浄化機能が低下したときに、触媒装置12が異常であると判定する。
図2はCPU30がSRAM42に劣化カウンタ値Kを書き込む際の書き込み態様を模式的に示している。この劣化カウンタ値Kは触媒装置12の劣化度合に応じて「0,1,2,・・・n」の(n+1)段階に変化し、その時々の値がSRAM42に記憶される。この際、SRAM42には、この劣化カウンタ値Kのミラーデータも同時に書き込まれる。具体的には、図2に示されるように、劣化カウンタ値Kが「j」である場合、このデータはSRAM42の所定の記憶領域Aに書き込まれるとともに、別の記憶領域Bにはこのミラーデータとして「n−j」が書き込まれる。そして、この劣化カウンタ値Kを示すデータとそのミラーデータとの整合性を評価することによりSRAM42の記憶内容についてその異常の有無が診断される。
K(i+1)←K(i)+ΔK ・・・(1)
ΔK=F[CT,K] ・・・(2)
上式(1)において、「K(i+1)」は、今回の制御周期で更新される新たな劣化カウンタ値Kであり、「K(i)」は、前回の制御周期における劣化カウンタ値Kを示している。SRAM42には、劣化カウンタ値Kとして、その前回の制御周期における値K(i)及び今回の制御周期において更新された値K(i+1)の双方が上述した手順に従って書き込まれる。尚、書き込み処理は先の異常診断処理(図3参照)におけるステップS330を通じて行われる。
・SRAM42の異常診断は、上述した態様に限られず、例えば、同一のデータを複数の記憶領域に書き込むようにし、それらが一致しているか否かの判定に基づいて異常を診断するようにしてもよい。
・所定値αを更新量ΔKの最小値よりも小さい値に設定するようにしたが、その大きさは適宜変更することができる。例えば、所定値αを更新量ΔKの最小値よりも大きい値に設定して、劣化カウンタ値Kが大きく変化したときにのみ異常判定の遅延が行われるようにしてもよい。また、図4に示されるフローチャートのステップS450において、今回の制御周期で更新される新たな劣化カウンタ値Kの値K(i+1)と、前回の制御周期における劣化カウンタ値Kの値K(i)とが等しいことを条件に異常判定処理(ステップS460)を実行するようにしてもよい。
Claims (6)
- 半導体メモリに記憶される車両情報を逐次更新し、その車両情報に基づいて車両が特定の状態にあるか否かを判定する判定手段を備える車両状態判定装置において、
前記半導体メモリの記憶内容についてその異常を診断する診断手段と、
前記半導体メモリの前記車両情報にかかる記憶内容が変化したとき、前記診断手段による異常診断が完了するまで前記判定手段による判定を遅延させる判定遅延手段とを備える
ことを特徴とする車両状態判定装置。 - 請求項1に記載の車両状態判定装置において、
前記判定手段は所定周期をもって前記車両の状態判定を行うものであり、
前記診断手段は前記判定手段の判定周期よりも短い周期をもって前記半導体メモリの記憶内容の異常を診断するものであり、
前記判定遅延手段は前記半導体メモリに記憶される車両情報が変化したとき、前記判定手段による判定を1周期以上遅延させるものである
ことを特徴とする車両状態判定装置。 - 請求項1又は2に記載の車両状態判定装置において、
前記判定遅延手段は前記半導体メモリの車両情報を示す記憶値が所定値以上変化したことを条件に前記判定手段による判定を遅延させる
ことを特徴とする車両状態判定装置。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の車両状態判定装置において、
前記半導体メモリとは別のバックアップ用半導体メモリを有してこれに前記半導体メモリの記憶内容を定期的にバックアップするバックアップ手段を更に備え、
前記異常検出手段は前記半導体メモリの記憶内容に異常がある旨診断したとき同半導体メモリの記憶内容を書き換えてこれを前記バックアップ用半導体メモリに記憶されている記憶内容と置換する
ことを特徴とする車両状態判定装置。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の車両状態判定装置において、
前記半導体メモリは前記車両に搭載される触媒装置の劣化情報を前記車両情報として記憶するものであり、
前記判定手段は前記半導体メモリに記憶される前記触媒装置の劣化情報に基づき前記車両においてその触媒装置が劣化した状態にあるか否かを判定する
ことを特徴とする車両状態判定装置。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載の車両状態判定装置において、
前記半導体メモリは車両のバッテリによって給電されその記憶内容を保持する揮発性半導体メモリである
ことを特徴とする車両状態判定装置。
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