JP4760103B2 - 車両情報のバックアップ装置 - Google Patents

Description

この発明は、書き換え可能な揮発性半導体メモリ及び書き換え可能な不揮発性半導体メモリを備え、揮発性半導体メモリに記憶されている車両情報に関する特定データを不揮発性半導体メモリに複写して、その特定データをバックアップする車両情報のバックアップ装置に関する。

周知のように、車両に電子制御ユニットを搭載し、同電子制御ユニットによって車両制御を実行することが多用されている。この電子制御ユニットは車両の走行状態や操作状態を検出するための各種センサ類の検出信号を取り込むとともに各種の演算を行い、その演算結果に基づいて車両制御を実行することにより、車両を現況に即したかたちで制御する。

電子制御ユニットは、例えば車両の総走行時間や車両状態に関する各種学習結果等、車両情報に関するデータを更新し続けており、車両制御の実行に際して同データを参照している。このデータは、電子制御ユニットに設けられた揮発性半導体メモリに一時的に記憶されている。

ここで揮発性半導体メモリは電力供給が停止されると記憶データが消失するといった特性を有している。上記データは、適宜更新されるデータであることから、一旦消失してしまうとこれを復元することができない。そこで従来、特許文献１に記載されるように、揮発性半導体メモリのデータをバックアップする装置が提案されている。この装置では、電力供給が停止されても記憶データが保持される不揮発性の半導体メモリ（具体的にはＥＥＰＲＯＭ）に揮発性半導体メモリ（具体的にはＳＲＡＭ）内のデータを複写することによって、同データをバックアップするようにしている。
特開２００１−７３８６４号公報

上述のようにデータをバックアップする際、そのバックアップ周期を長くしすぎると、揮発性半導体メモリに記憶されている最新のデータと不揮発性半導体メモリに複写されているバックアップデータとの差が大きくなることがある。このため、バックアップデータを最新のデータに近づけるためには、このバックアップ周期を極力短く設定するのが好ましい。

しかしながら、不揮発性半導体メモリにおけるデータの書き換え回数には限界があり、バックアップ周期を短くすると、不揮発性半導体メモリのデータ書き換え頻度が高くなって、データ書き換え回数がその上限に達するまでの期間が短くなる。その結果、不揮発性半導体メモリの使用可能な期間が短くなり、ひいては電子制御ユニットの耐用年数が短くなるおそれがある。

本発明は、そうした実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、データ書き換え回数を抑えつつ、揮発性半導体メモリに記憶される最新のデータに極力近いデータを不揮発性半導体メモリにバックアップすることのできる車両情報のバックアップ装置を提供することにある。

以下、上記目的を達成するための手段及びその作用効果について説明する。
請求項１に記載の発明は、書き換え可能な揮発性半導体メモリ及び書き換え可能な不揮発性半導体メモリを備え、前記揮発性半導体メモリに記憶されている車両情報に関する特定データを前記不揮発性半導体メモリに複写して、該特定データをバックアップする車両情報のバックアップ装置において、前記特定データの複写後に前記揮発性半導体メモリに記憶されている特定データが前記不揮発性半導体メモリにバックアップされている前記特定データから所定値以上変化したことを条件として前記特定データを前記不揮発性半導体メモリに複写する車両情報のバックアップ装置であって、前記揮発性半導体メモリの前記特定データが初期値であるときには、前記特定データが前記揮発性半導体メモリから前記不揮発性半導体メモリに複写されるのを禁止することをその要旨とする。

上記構成によれば、特定データが所定量変化する毎に不揮発性半導体メモリに複写されてバックアップされるようになる。そのため、例えば所定時間毎にバックアップを行う構成と比較してバックアップを特定データの変化に即した適切な時期に行うことができるようになる。したがって、特定データの信頼性を高めるために、バックアップ周期を不必要に短く設定する必要がなくなる。その結果、不揮発性半導体メモリのデータ書き換え回数を抑えつつ、不揮発性半導体メモリにバックアップされるデータの信頼性を高めることができるようになる。

請求項２に記載の発明は、書き換え可能な揮発性半導体メモリ及び書き換え可能な不揮発性半導体メモリを備え、前記揮発性半導体メモリに記憶されている車両情報に関する特定データを前記不揮発性半導体メモリに複写して、該特定データをバックアップする車両情報のバックアップ装置において、前記特定データを複写した後の車両走行距離が所定値以上であることを条件として前記特定データを前記不揮発性半導体メモリに複写する車両情報のバックアップ装置であって、前記揮発性半導体メモリの前記特定データが初期値であるときには、前記特定データが前記揮発性半導体メモリから前記不揮発性半導体メモリに複写されるのを禁止することをその要旨とする。

上記構成によれば、車両走行距離に応じて変化する傾向のある特定データが、車両が所定距離を走行する毎に不揮発性半導体メモリに複写されてバックアップされる。そのため、例えば所定時間毎にバックアップを行う構成と比較してバックアップを特定データの変化に即した適切な時期に行うことができるようになる。したがって、特定データの信頼性を高めるために、バックアップ周期を不必要に短く設定する必要がなくなる。その結果、不揮発性半導体メモリのデータ書き換え回数を抑えつつ、不揮発性半導体メモリにバックアップされるデータの信頼性を高めることができるようになる。

請求項３に記載の発明は、書き換え可能な揮発性半導体メモリ及び書き換え可能な不揮発性半導体メモリを備え、前記揮発性半導体メモリに記憶されている車両情報に関する特定データを前記不揮発性半導体メモリに複写して、該特定データをバックアップする車両情報のバックアップ装置において、前記車両は駆動源として内燃機関を搭載するものであり、前記特定データを複写した後の機関燃料噴射量積算値が所定値以上であることを条件として前記特定データを前記不揮発性半導体メモリに複写する車両情報のバックアップ装置であって、前記揮発性半導体メモリの前記特定データが初期値であるときには、前記特定データが前記揮発性半導体メモリから前記不揮発性半導体メモリに複写されるのを禁止することをその要旨とする。

また、請求項４に記載の発明は、書き換え可能な揮発性半導体メモリ及び書き換え可能な不揮発性半導体メモリを備え、前記揮発性半導体メモリに記憶されている車両情報に関する特定データを前記不揮発性半導体メモリに複写して、該特定データをバックアップする車両情報のバックアップ装置において、前記車両は駆動源として内燃機関を搭載するものであり、前記特定データを複写した後の機関回転速度積算値が所定値以上であることを条件として前記特定データを前記不揮発性半導体メモリに複写する車両情報のバックアップ装置であって、前記揮発性半導体メモリの前記特定データが初期値であるときには、前記特定データが前記揮発性半導体メモリから前記不揮発性半導体メモリに複写されるのを禁止することをその要旨とする。

また、請求項５に記載の発明は、書き換え可能な揮発性半導体メモリ及び書き換え可能な不揮発性半導体メモリを備え、前記揮発性半導体メモリに記憶されている車両情報に関する特定データを前記不揮発性半導体メモリに複写して、該特定データをバックアップする車両情報のバックアップ装置において、前記車両は駆動源として内燃機関を搭載するものであり、前記特定データを複写した後の吸入空気量積算値が所定値以上であることを条件として前記特定データを前記不揮発性半導体メモリに複写する車両情報のバックアップ装置であって、前記揮発性半導体メモリの前記特定データが初期値であるときには、前記特定データが前記揮発性半導体メモリから前記不揮発性半導体メモリに複写されるのを禁止することをその要旨とする。

駆動源として内燃機関を搭載する車両にあっては、燃料噴射による機関燃焼によって得られる駆動力によって車両が走行する。したがって、車両情報は、特定データを複写した後における機関燃料噴射量積算値や、機関回転速度積算値、或いは吸入空気量積算値に応じて変化する可能性が高い。請求項３〜５に記載の各構成によれば、そうした機関燃料噴射量積算値や、機関回転速度積算値、或いは吸入空気量積算値が所定値に達する毎に、車両情報に関する特定データが不揮発性半導体メモリに複写されてバックアップされる。したがって、特定データの信頼性を高めるために、バックアップ周期を不必要に短く設定する必要がなくなる。その結果、不揮発性半導体メモリのデータ書き換え回数を抑えつつ、不揮発性半導体メモリにバックアップされるデータの信頼性を高めることができるようになる。

ところで、揮発性半導体メモリに記憶される前記特定データが初期化された場合、これを不揮発性半導体メモリのバックアップデータを用いて復元するよりも前に、その初期化された揮発性半導体メモリの特定データを不揮発性半導体メモリに複写すると、各メモリの特定データが共に初期値となり、該特定データが消失してしまうこととなる。
この点、請求項１〜５に記載の各構成によれば、揮発性半導体メモリに記憶される特定データが初期値であるときには、同特定データが揮発性半導体メモリから不揮発性半導体メモリに複写されるのを禁止するようにしているため、このような特定データの消失を好適に防止することができるようになる。

また、請求項６に記載の発明は、請求項１〜５のいずれか一項に記載のバックアップ装置において、前記揮発性半導体メモリの前記特定データが初期化されたときから前記不揮発性半導体メモリに記憶されるデータが前記揮発性半導体メモリに複写されるまでの期間、前記特定データが前記揮発性半導体メモリから前記不揮発性半導体メモリに複写されるのを禁止することをその要旨とする。

こうした請求項６に記載の構成によっても、揮発性半導体メモリに記憶される特定データが初期値であるときには、同特定データが揮発性半導体メモリから不揮発性半導体メモリに複写されるのを禁止するようにしているため、上述したような特定データの消失を好適に防止することができるようになる。

請求項７に記載の発明は、請求項１〜６のいずれか一項に記載のバックアップ装置において、前記特定データは前記車両に搭載される排気浄化触媒の劣化度合を示すものであることをその要旨とする。

同構成によれば、排気浄化触媒の劣化度合にかかるデータを適切に保持してその信頼性を高めることができ、同データに基づいて排気浄化触媒の劣化度合を正確に判定することが可能になる。

なお、請求項１〜７における特定データとしては、例えば車両の総走行距離を示すデータや、排気浄化触媒の劣化履歴を示すデータ、総燃料噴射量を示すデータ、総機関回転数を示すデータ、車両状態に関する各種学習結果を示すデータ等々を挙げることができる。

以下、本発明にかかる車両情報のバックアップ装置を具体化した一実施の形態について説明する。
先ず、本実施の形態にかかるバックアップ装置の概略構成について説明する。

図１に示すように、車両１０には電子制御ユニット２０が設けられている。この電子制御ユニット２０は、例えば駆動源として車両１０に搭載された内燃機関１１の燃料噴射量の調節制御など、車両制御にかかる各種制御を実行する。内燃機関１１の排気通路１２には、排気を浄化するための排気浄化触媒１３、及び同排気浄化触媒１３の温度を検出するための温度センサ１４が設けられている。車両１０には、その走行距離を検出するための走行距離センサ１５が設けられている。温度センサ１４や走行距離センサ１５の検出信号は電子制御ユニット２０に取り込まれている。

電子制御ユニット２０は、ＲＯＭ２１、ＣＰＵ２２、ＲＡＭ２３、スタンバイＲＡＭ（以下、ＳＲＡＭ）２４、ＥＥＰＲＯＭ２５等を備えている。それらＲＯＭ２１、ＣＰＵ２２、ＲＡＭ２３、ＳＲＡＭ２４及びＥＥＰＲＯＭ２５は、バス２６を介して互いに接続されている。この電子制御ユニット２０にはメインリレー１６を介してバッテリ１７が接続されている。メインスイッチ１８がオン操作されることによって上記メインリレー１６がオン操作されて、バッテリ１７から電子制御ユニット２０に電力が供給される。

ＲＯＭ２１は各種制御プログラムや、それら各種制御プログラムを実行する際に参照されるマップ等が記憶された読み出し専用の半導体メモリである。ＣＰＵ２２はＲＯＭ２１に記憶された各種制御プログラムやマップに基づいて演算処理を実行する。ＲＡＭ２３、ＳＲＡＭ２４及びＥＥＰＲＯＭ２５は書き込み可能な半導体メモリである。これらＲＡＭ２３、ＳＲＡＭ２４及びＥＥＰＲＯＭ２５には、ＣＰＵ２２での演算結果や各種のセンサから入力されたデータ等が記憶されている。

なお、ＲＡＭ２３及びＳＲＡＭ２４は揮発性の半導体メモリであり、ＥＥＰＲＯＭ２５は不揮発性の半導体メモリである。ただし、ＳＲＡＭ２４には上記バッテリ１７が常時接続されて、同バッテリ１７から電力が常時供給されている。これにより、ＳＲＡＭ２４に記憶されたデータはメインスイッチ１８がオフ操作されて機関運転が停止されたときにも保持されるようになっている。

このＳＲＡＭ２４には、長期にわたって更新され続ける車両情報に関するデータ（以下、特定データ）が記憶されている。この特定データとしては、例えば総走行距離を示すデータや、排気浄化触媒１３の劣化履歴を示すデータ、総燃料噴射量を示すデータ、総機関回転速度を示すデータ、車両状態に関する各種学習結果を示すデータ等が挙げられる。

ちなみに、上記排気浄化触媒１３の劣化履歴を示すデータとしては、同排気浄化触媒１３の劣化度合を示すデータ（劣化学習値ΣＲ）が記憶されている。この劣化学習値ΣＲとしては、排気浄化触媒１３の温度に基づいて劣化値Ｒが算出されるとともに同劣化値Ｒが積算された値が算出される。なお、排気浄化触媒１３はその温度が高いときほど熱劣化の進行速度が早いため、上記劣化値Ｒとしては、同温度が高いほど大きい値が算出される。

電子制御ユニット２０は、劣化学習値ΣＲに基づいて排気浄化触媒１３の熱劣化についての判定（劣化異常判定）を行う。具体的には、劣化学習値ΣＲが所定の判定値Ｌｒよりも大きい場合に、排気浄化触媒１３の熱劣化が進んでいるとして、同排気浄化触媒１３が異常であると判定する。

また、電子制御ユニット２０は、車両１０からバッテリ１７が取り外される等してＳＲＡＭ２４に電力が供給されなくなったときや、ＳＲＡＭ２４の記憶データに異常が発生したときに、同ＳＲＡＭ２４の記憶データを初期値に書き換える処理（初期化処理）を実行する。

この初期化処理が実行されると、ＳＲＡＭ２４に記憶されている特定データも初期値に書き換えられてしまうために、同特定データが失われてしまう。そのため電子制御ユニット２０は、ＳＲＡＭ２４に記憶されている特定データを適宜のタイミングでＥＥＰＲＯＭ２５に複写してバックアップする処理（バックアップ処理）を実行している。

さらに、電子制御ユニット２０は、初期化処理の実行に併せて、バックアップ処理を通じてバックアップされている特定データ（バックアップデータ）を用いてＳＲＡＭ２４の特定データを復元する処理（データ復元処理）を実行する。このデータ復元処理は、具体的には、初期化処理が実行された履歴が有り、且つ初期化処理の実行後においてＳＲＡＭ２４へのバックアップデータの複写が実行されていないことを条件として同バックアップデータをＳＲＡＭ２４に複写するといったように実行される。すなわちデータ復元処理では、初期化処理が実行されたときにＳＲＡＭ２４へのバックアップデータの複写が一回のみ実行されてＳＲＡＭ２４の特定データが復元される。

ここで、ＳＲＡＭ２４に記憶されている最新の特定データ（最新データ）とバックアップデータとの差を小さくして、同バックアップデータの信頼性を高くするためには、バックアップ処理の実行周期は短いほうがよい。ただし、ＥＥＰＲＯＭ２５の使用可能期間、ひいては電子制御ユニット２０の耐用年数を確保するために、バックアップ周期をあまり短くすることもできない。こうした実情をふまえ、本実施の形態では、バックアップ処理を以下のように実行するようにしている。

図２のフローチャートは、上記バックアップ処理の具体的な処理手順を示している。このフローチャートに示される一連の処理は、所定周期毎の処理として、電子制御ユニット２０により実行される。

図２に示すように、この処理では、以下の（イ）及び（ロ）の少なくとも一方が満たされ、且つ以下の（ハ）が満たされることを条件として（ステップＳ１００：ＹＥＳ且つＳ１０２：ＹＥＳ）、ＳＲＡＭ２４に記憶されている特定データがＥＥＰＲＯＭ２５に複写される（ステップＳ１０４）。
（イ）前回ＳＲＡＭ２４の特定データをＥＥＰＲＯＭ２５に複写した後に、劣化学習値ΣＲが所定値α以上増加したこと。
（ロ）前回ＳＲＡＭ２４の特定データをＥＥＰＲＯＭ２５に複写した後の車両１０の走行距離が所定値β（例えば５０ｋｍ）以上であること。
（ハ）劣化学習値ΣＲが初期値「０」でないこと。

なお、上記各所定値α，βとしては、ＥＥＰＲＯＭ２５に特定データを複写する間隔の長期化を回避しつつ、最新データとバックアップデータとが乖離することについてもこれを適正に回避することの可能な値が実験結果などを通じてそれぞれ求められ、設定されている。

一方、上記（イ）及び（ロ）が共に満たされない場合（ステップＳ１００：ＮＯ）、或いは上記（ハ）が満たされない場合には（ステップＳ１０２：ＮＯ）、ＥＥＰＲＯＭ２５への特定データの複写が実行されない。

以下、こうしたバックアップ処理を実行することによる作用について、図３及び図４を参照しつつ説明する。
なお、図３及び図４は共にバックアップ処理の処理態様の一例を示すタイミングチャートであり、特に図４は、図３の時刻ｔ５付近を拡大して示すタイミングチャートである。

先ず図３の時刻ｔ３以前に示すように、内燃機関１１の低負荷運転時には、その高負荷運転時と比較して排気温度が低く排気浄化触媒１３の温度も低いことから、同排気浄化触媒１３の熱劣化の進行が遅く、劣化学習値ΣＲの増加も遅い。そのため、特定データ（ここでは、劣化学習値ΣＲ）をＥＥＰＲＯＭ２５に複写する間隔を長くしても、その最新データとバックアップデータとの差はさほど大きくならず、同バックアップデータの信頼性は高い。

この場合には、上記（ロ）が満たされたこと、すなわち前回ＳＲＡＭ２４の特定データをＥＥＰＲＯＭ２５に複写した後の車両走行距離が所定値βに達したことをもって、特定データのＥＥＰＲＯＭ２５への複写が実行される（時刻ｔ１，ｔ２，ｔ３）。これにより車両走行距離に応じて増加する劣化学習値ΣＲが、車両１０が所定距離を走行する毎にＥＥＰＲＯＭ２５に複写されてバックアップされるようになる。

一方、時刻ｔ３〜ｔ４に示すように、内燃機関１１が高負荷で運転されるときには、排気温度が高いために排気浄化触媒１３の熱劣化の進行が速く、劣化学習値ΣＲの増加も速い。そのため、劣化学習値ΣＲをＥＥＰＲＯＭ２５に複写する間隔を長くすると、その最新データとバックアップデータとの差が大きくなって、同バックアップデータの信頼性が低くなってしまう。

こうした場合には、上記（イ）が満たされたこと（時刻ｔ４）、すなわち前回ＳＲＡＭ２４の特定データをＥＥＰＲＯＭ２５に複写した後における劣化学習値ΣＲの増加量が所定値αに達したことをもって、ＥＥＰＲＯＭ２５への特定データの複写が実行される。これにより、劣化学習値ΣＲの増加が速く、最新データとバックアップデータとの差が大きくなるおそれのあるときには、上記（ロ）が満たされるようになるのを待つことなく、同差が過度に大きくなる前に、劣化学習値ΣＲを含む特定データがＥＥＰＲＯＭ２５に複写されるようになる。

このように、上記（イ）及び（ロ）のいずれが満たされる場合にせよ、メインスイッチ１８のオン操作によって電子制御ユニット２０が作動する毎または所定時間作動する毎に特定データのバックアップを行う構成と比較して、劣化学習値ΣＲのバックアップ時期を該劣化学習値ΣＲの変化に即した適切な時期に設定することができるようになる。したがって、特定データの信頼性を高めるために、バックアップ周期を不必要に短く設定する必要がなくなる。その結果、ＥＥＰＲＯＭ２５のデータ書き換え回数を抑えつつ、ＥＥＰＲＯＭ２５にバックアップされるデータの信頼性を高めることができるようになる。

また時刻ｔ５に示すように、前述した初期化処理を通じてＳＲＡＭ２４の記憶データが初期値に書き換えられると、ＳＲＡＭ２４に記憶されている劣化学習値ΣＲを含む特定データが一時的に初期値になるものの、直後のデータ復元処理を通じてＳＲＡＭ２４にバックアップデータが複写されて同特定データは復元される。このバックアップデータは劣化学習値ΣＲについての最新のデータではないものの、例えば、ＳＲＡＭ２４の記憶データに異常が発生したときに劣化学習値ΣＲを初期値「０」に変更するようにした場合と比較して、劣化学習値ΣＲを適切に保持してその信頼性を高めることができる。そのため、劣化学習値ΣＲに基づく劣化異常判定において排気浄化触媒１３の劣化を正確に判定することができるようになる。

ただし、ＳＲＡＭ２４の記憶データが初期値に書き換えられてから同ＳＲＡＭ２４の特定データが復元されるまでの間（図４の時刻ｔ５１〜ｔ５２）、ＳＲＡＭ２４の特定データは初期値のままであるために、このとき特定データがＥＥＰＲＯＭ２５に複写されると、バックアップデータについてもこれが初期値となって該特定データが消失してしまう。

この点、本実施の形態では、上記（イ）及び（ロ）のいずれかが満たされる場合であっても、ＳＲＡＭ２４に記憶されている劣化学習値ΣＲが初期値であるときには、同劣化学習値ΣＲが未だ復元されていないとして、劣化学習値ΣＲを含む特定データのＥＥＰＲＯＭ２５への複写が禁止される。これにより、特定データの消失を好適に防止することができるようになり、同特定データを好適にバックアップすることができるようになる。

なお、その後における前記データ復元処理を通じてバックアップデータがＳＲＡＭ２４に複写されて、同ＳＲＡＭ２４に記憶されている劣化学習値ΣＲが初期値でなくなると、特定データのＥＥＰＲＯＭ２５への複写が許可されるようになる。

以上説明したように、本実施の形態によれば、以下に記載する効果が得られるようになる。
（１）前記（イ）及び（ロ）の少なくとも一方が満たされることを条件としてＳＲＡＭ２４に記憶されている特定データをＥＥＰＲＯＭ２５に複写するようにした。そのため、（イ）及び（ロ）のいずれが満たされる場合にせよ、電子制御ユニット２０が作動する毎または所定時間作動する毎に特定データのバックアップを行う構成と比較して、劣化学習値ΣＲのバックアップ時期を該劣化学習値ΣＲの変化に即した適切な時期に設定することができるようになる。したがって、劣化学習値ΣＲの信頼性を高めるために、バックアップ周期を不必要に短く設定する必要がなくなる。その結果、ＥＥＰＲＯＭ２５のデータ書き換え回数を抑えつつ、ＥＥＰＲＯＭ２５にバックアップされるデータの信頼性を高めることができるようになる。

（２）ＳＲＡＭ２４に記憶されている劣化学習値ΣＲが初期値であるときにＥＥＰＲＯＭ２５への特定データの複写を禁止するようにしたために、劣化学習値ΣＲの消失を好適に防止することができる。

（３）劣化学習値ΣＲを適切に保持してその信頼性を高めることができ、劣化学習値ΣＲに基づく劣化異常判定において排気浄化触媒１３の劣化を正確に判定することができるようになる。

なお、上記実施の形態は、以下のように変更して実施してもよい。
・ＳＲＡＭ２４に記憶されている特定データの上記ＥＥＰＲＯＭ２５への複写を、劣化学習値ΣＲが初期値であるときに禁止することに代えて、ＳＲＡＭ２４の記憶データが初期化されたときからバックアップデータがＳＲＡＭ２４に複写されるまでの期間において禁止するようにしてもよい。この場合、上記（ハ）として、「ＳＲＡＭ２４の記憶データの初期化が実行されていない或いは同初期化が実行された後にバックアップデータがＳＲＡＭ２４に複写されたこと」といった条件を設定すればよい。また、上記（ハ）を用いる処理（図２のステップＳ１０２の処理）を省略することも可能である。

・前記（ロ）として、「前回ＳＲＡＭ２４の特定データをＥＥＰＲＯＭ２５に複写した後の機関燃料噴射量の積算値が所定値以上であること」といった条件ａを設定してもよい。また、内燃機関１１の出力軸の回転速度（機関回転速度ＮＥ）を所定周期で検出する回転速度センサを設け、「前回特定データを複写した後における機関回転速度ＮＥの積算値が所定値以上であること」といった条件ｂを前記（ロ）として設定することも可能である。更に、単位期間あたりの内燃機関１１の吸入空気量ＧＡを所定周期で検出する吸入空気量センサを設け、前記（ロ）として、「前回特定データを複写した後における吸入空気量ＧＡの積算値が所定値以上であること」といった条件ｃを設定してもよい。

これら構成によれば、燃料噴射量や機関回転速度、吸入空気量といった排気浄化触媒１３を通過する排気の熱量と相関の高い値、言い換えれば、劣化学習値ΣＲと相関の高い値を積算した値が所定値に達する毎に、特定データがＥＥＰＲＯＭ２５に複写されてバックアップされるようになる。そのため、電子制御ユニットが作動する毎または所定時間作動する毎に特定データのバックアップを行う構成と比較して、劣化学習値ΣＲのバックアップ時期を該劣化学習値ΣＲの変化に即した適切な時期に設定することができるようになる。

・前記（イ）は、「前回ＳＲＡＭ２４の特定データをＥＥＰＲＯＭ２５に複写した後に、劣化学習値ΣＲ以外の他の特定データが所定値以上増加したこと」が判断されるように、任意に変更可能である。同構成にあっては、例えば排気浄化触媒１３のＰＭ付着量や機関バルブへのデポジット付着量等、車両搭載機器や各種部材の劣化についてのデータを上記（イ）における特定データとして用いることにより、同特定データのバックアップ時期を該特定データの変化に即した適切な時期に設定することができるようになる。

ここで、駆動源として内燃機関１１を搭載する車両１０にあっては、燃料噴射による機関燃焼によって得られる駆動力によって車両１０が走行する。したがって、劣化学習値ΣＲ以外の他の特定データについても、これを複写した後における機関燃料噴射量積算値や、機関回転速度積算値、或いは吸入空気量積算値に応じて変化する可能性が高い。そのため、上記構成にあって、前記条件ａや条件ｂ、或いは条件ｃを前記（ロ）として設定することにより、そうした特定データのバックアップ時期を該特定データの変化に即した適切な時期に設定することができるようになる。

・前記（イ）を、「前回ＳＲＡＭ２４の特定データをＥＥＰＲＯＭ２５に複写した後に、特定データが所定値以上減少したこと」が判断されるように変更してもよい。同構成によっても、特定データを、所定量変化する毎にＥＥＰＲＯＭ２５に複写してバックアップすることができ、そのバックアップを特定データの変化に即した適切な時期に行うことができる。

・バックアップ処理のステップＳ１００の処理から前記（イ）及び（ロ）のいずれかを省略してもよい。具体的には、ステップＳ１００の処理において、（イ）が満たされるか否かのみを判断するようにしてもよいし、（ロ）が満たされるか否かのみを判断するようにしてもよい。

・本実施の形態にかかるバックアップ装置は、ＥＥＰＲＯＭ２５に代えて、フラッシュメモリなどの他の不揮発性半導体メモリが設けられる電子ユニットにも適用することができる。また、ＳＲＡＭ２４に代えて、ＤＲＡＭ等の他の揮発性半導体メモリが設けられる電子ユニットにも、本実施の形態にかかるバックアップ装置は適用可能である。

本発明にかかる車両情報のバックアップ装置を具体化した一実施の形態の概略構成図。 バックアップ処理の具体的な処理手順を示すフローチャート。 バックアップ処理の処理態様の一例を示すタイミングチャート。 図３の一部を拡大して示すタイミングチャート。

符号の説明

１０…車両、１１…内燃機関、１２…排気通路、１３…排気浄化触媒、１４…温度センサ、１５…走行距離センサ、１６…メインリレー、１７…バッテリ、１８…メインスイッチ、２０…電子制御ユニット、２１…ＲＯＭ、２２…ＣＰＵ、２３…ＲＡＭ、２４…スタンバイＲＡＭ（ＳＲＡＭ）、２５…ＥＥＰＲＯＭ、２６…バス。

Claims (7)

1. 書き換え可能な揮発性半導体メモリ及び書き換え可能な不揮発性半導体メモリを備え、前記揮発性半導体メモリに記憶されている車両情報に関する特定データを前記不揮発性半導体メモリに複写して、該特定データをバックアップする車両情報のバックアップ装置において、
   前記特定データの複写後に前記揮発性半導体メモリに記憶されている特定データが前記不揮発性半導体メモリにバックアップされている前記特定データから所定値以上変化したことを条件として前記特定データを前記不揮発性半導体メモリに複写する車両情報のバックアップ装置であって、
   前記揮発性半導体メモリの前記特定データが初期値であるときには、前記特定データが前記揮発性半導体メモリから前記不揮発性半導体メモリに複写されるのを禁止する
   ことを特徴とする車両情報のバックアップ装置。
2. 書き換え可能な揮発性半導体メモリ及び書き換え可能な不揮発性半導体メモリを備え、前記揮発性半導体メモリに記憶されている車両情報に関する特定データを前記不揮発性半導体メモリに複写して、該特定データをバックアップする車両情報のバックアップ装置において、
   前記特定データを複写した後の車両走行距離が所定値以上であることを条件として前記特定データを前記不揮発性半導体メモリに複写する車両情報のバックアップ装置であって、
   前記揮発性半導体メモリの前記特定データが初期値であるときには、前記特定データが前記揮発性半導体メモリから前記不揮発性半導体メモリに複写されるのを禁止する
   ことを特徴とする車両情報のバックアップ装置。
3. 書き換え可能な揮発性半導体メモリ及び書き換え可能な不揮発性半導体メモリを備え、前記揮発性半導体メモリに記憶されている車両情報に関する特定データを前記不揮発性半導体メモリに複写して、該特定データをバックアップする車両情報のバックアップ装置において、
   前記車両は駆動源として内燃機関を搭載するものであり、
   前記特定データを複写した後の機関燃料噴射量積算値が所定値以上であることを条件として前記特定データを前記不揮発性半導体メモリに複写する車両情報のバックアップ装置であって、
   前記揮発性半導体メモリの前記特定データが初期値であるときには、前記特定データが前記揮発性半導体メモリから前記不揮発性半導体メモリに複写されるのを禁止する
   ことを特徴とする車両情報のバックアップ装置。
4. 書き換え可能な揮発性半導体メモリ及び書き換え可能な不揮発性半導体メモリを備え、前記揮発性半導体メモリに記憶されている車両情報に関する特定データを前記不揮発性半導体メモリに複写して、該特定データをバックアップする車両情報のバックアップ装置において、
   前記車両は駆動源として内燃機関を搭載するものであり、
   前記特定データを複写した後の機関回転速度積算値が所定値以上であることを条件として前記特定データを前記不揮発性半導体メモリに複写する車両情報のバックアップ装置であって、
   前記揮発性半導体メモリの前記特定データが初期値であるときには、前記特定データが前記揮発性半導体メモリから前記不揮発性半導体メモリに複写されるのを禁止する
   ことを特徴とする車両情報のバックアップ装置。
5. 書き換え可能な揮発性半導体メモリ及び書き換え可能な不揮発性半導体メモリを備え、前記揮発性半導体メモリに記憶されている車両情報に関する特定データを前記不揮発性半導体メモリに複写して、該特定データをバックアップする車両情報のバックアップ装置において、
   前記車両は駆動源として内燃機関を搭載するものであり、
   前記特定データを複写した後の吸入空気量積算値が所定値以上であることを条件として前記特定データを前記不揮発性半導体メモリに複写する車両情報のバックアップ装置であって、
   前記揮発性半導体メモリの前記特定データが初期値であるときには、前記特定データが前記揮発性半導体メモリから前記不揮発性半導体メモリに複写されるのを禁止する
   ことを特徴とする車両情報のバックアップ装置。
6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載のバックアップ装置において、
   前記揮発性半導体メモリの前記特定データが初期化されたときから前記不揮発性半導体メモリに記憶されるデータが前記揮発性半導体メモリに複写されるまでの期間、前記特定データが前記揮発性半導体メモリから前記不揮発性半導体メモリに複写されるのを禁止する
   ことを特徴とする車両情報のバックアップ装置。
7. 請求項１〜６のいずれか一項に記載のバックアップ装置において、
   前記特定データは前記車両に搭載される排気浄化触媒の劣化度合を示すものである
   ことを特徴とする車両情報のバックアップ装置。

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