JP4344961B2 - ２−（４−シアノフェニル）ピリジン誘導体の製造方法 - Google Patents
２−（４−シアノフェニル）ピリジン誘導体の製造方法 Download PDFInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電気光学的液晶表示材料として有用な、２−（４−シアノフェニル）ピリジン誘導体である液晶性化合物の新規製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、各種測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子手帳、プリンター、パソコン、テレビ等に用いられるようになっている。液晶表示方式としては、その代表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲスト・ホスト）型あるいは高速応答が可能なＦＬＣ（強誘電性液晶）等を挙げることができるが現在のところＴＮ型及びＳＴＮ型が主流である。また駆動方式としても従来のスタティック駆動からマルチプレックス駆動が一般的になり、単純マトリックス駆動からさらにアクティブマトリックス駆動が実用化されている。
【０００３】
これら表示方式や駆動方式の発展に伴い液晶材料においてもよりすぐれた特性が要求されるようになっており、これまでに極めて多種の液晶化合物が合成されている。
【０００４】
ところで上記TN型及びＳＴＮ型液晶表示方式は電界応答型であり、液晶材料としては通常誘電率異方性が正のいわゆるｐ型液晶が用いられる。ｐ型液晶としては既に多くの化合物が開発されているが、そのなかで最もよく用いられているものは４−シアノベンゼンの誘導体である。
【０００５】
この４−シアノベンゼン誘導体の中で例えば式（Ａ）
【０００６】
【化７】
【０００７】
（式中、Ｒ’はアルキル基を表す。）で表される２−（４−シアノフェニル）ピリジン誘導体が報告（M.F.Grebyonkin et. al., Mol. Cryst. Liq. Cryst., 129, 245(1985)に記載）されており、これは低粘性で液晶性に優れ、かつ閾値電圧の低減効果にも優れるといった特徴を有する有用な化合物である。
【０００８】
しかしながら、この（Ａ）の化合物は２−（４−シアノフェニル）ピリジン誘導体としては最も簡単な構造を有するにもかかわらず、その製造は決して容易ではなかった。その公知の製造方法を以下に示す。（製法Ａ）
【０００９】
【化８】
【００１０】
以上からわかるように、製法Ａは出発原料の４−ブロモアセトフェノンから６工程、また第３工程で用いるエナミンも別途調製が必要であるなど、工程数が極めて多い。そのためその製造には長い日数を必要とし、非常にコストがかかるのが避けられない。また、製法Ａではその最終工程で毒物のシアン化合物を使用しなければならないこと、第３工程で使用するエナミンの臭気が非常に強いこと、第４工程で急激な分解の危険性があるピリリウムの過塩素酸塩を単離しなければならない等、各工程における問題点も多い。従って、より短工程で、簡便かつ安全な製造法が必要とされている。
【００１１】
フェニルピリジン類の製造方法としてはフェニルリチウム反応剤を用いる方法（製法Ｂ）も知られている。
【００１２】
【化９】
【００１３】
ここでＱはフェニルリチウム反応剤に対し不活性な基を表す。この製法Ｂでは極めて短工程でフェニルピリジン骨格を形成することができる。しかしながら、反応の収率は高々２０％程度と非常に低い。また、この後工程でフェニルリチウム反応剤に対し不活性な基Ｑをシアノ基に変換しなければならないが、決して容易ではない。そのため、この製法Ｂは（Ａ）のような２−（４−シアノフェニル）ピリジン誘導体の製造方法としてはあまり適したものとは言えなかった。
【００１４】
以上から、２−（４−シアノフェニル）ピリジン誘導体のより簡便で安全な製造方法が望まれている。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする課題は、液晶材料として有用な２−（４−シアノフェニル）ピリジン誘導体の簡便かつ安全な製造方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題を解決するために、
１．一般式（ＩＩ）
【００１７】
【化１０】
【００１８】
（式中、Ｒは炭素原子数１〜７のアルコキシル基により置換されていてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基、アルケニル基、アルコキシル基又はアルケニルオキシ基を表し、ｍは０又は１を表し、ｍ＝１の場合に環Ａはトランス−１，４−シクロへキシレン基又はフッ素原子により置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表し、Ｘa及びＸbはそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表し、Ｒa〜Ｒdはそれぞれ独立的に水素原子又は炭素原子数１〜５のアルキル基を表す。）で表されるオキサゾリン誘導体を、酸性脱水剤と反応させることを特徴とする一般式（Ｉ）
【００１９】
【化１１】
【００２０】
（式中、Ｒ、ｍ、環Ａ、Ｘa及びＸbは一般式（ＩＩ）におけると同じ意味を表す。）で表される２−（４−シアノフェニル）ピリジン誘導体の製造方法。
２．酸性脱水剤がオキシ塩化リンであることを特徴とする上記１記載の製造方法。
３．一般式（ＩＩ）のオキサゾリン誘導体が、一般式（ＩＩＩ）
【００２１】
【化１２】
【００２２】
（式中、Ｘa、Ｘb及びＲa〜Ｒdは一般式（ＩＩ）におけると同じ意味を表し、Ｙは臭素、ヨウ素、塩素のハロゲン原子を表す。）で表される化合物に、一般式(ＩＶ)
【００２３】
【化１３】
【００２４】
（式中、Ｒ、ｍ及び環Ａは一般式（ＩＩ）におけると同じ意味を表し、ＺaはＭｇＢｒ、ＭｇＩ、ＭｇＣｌ又はＬｉ等の金属原子又は金属原子を含む基を表す。）で表される有機金属反応剤を、遷移金属触媒存在下に反応させて得られることを特徴とする上記１又は２記載の製造方法。
４．一般式（ＩＩ）の化合物を得るための反応で用いる遷移金属触媒がニッケル錯体であることを特徴とする上記３記載の製造方法。
５．一般式（ＩＩＩ）で表される化合物が、一般式（Ｖ）
【００２５】
【化１４】
【００２６】
（式中、Ｙ及びＹ’はそれぞれ独立的に臭素、ヨウ素、塩素のハロゲン原子を表す。）で表される２，５−ジハロゲノピリジンに、一般式(ＶＩ)
【００２７】
【化１５】
【００２８】
（式中、Ｘa、Ｘb及びＲa〜Ｒdは一般式（ＩＩ）におけると同じ意味を表し、ＺbはＭｇＢｒ、ＭｇＩ、ＭｇＣｌ又はＬｉ等の金属原子又は金属原子を含む基を表す。）で表される有機金属反応剤を、遷移金属触媒存在下に反応させて得られることを特徴とする上記３又は４記載の製造方法。
６．一般式（ＩＩＩ）の化合物を得るための反応で用いる遷移金属触媒がパラジウム(0)錯体であることを特徴とする上記５記載の製造方法。
を前記課題を解決するための手段として見出した。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の一例について説明する。
上記課題を解決するために、本発明は対応するオキサゾリン誘導体を酸性脱水剤と反応させることを特徴とする一般式（Ｉ）
【００３０】
【化１６】
【００３１】
で表される２−（４−シアノフェニル）ピリジン誘導体の新規製造法を提供する。
一般式（Ｉ）において、Ｒは炭素原子数１〜７のアルコキシル基により置換されていてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基、アルケニル基、アルコキシル基又はアルケニルオキシ基を表すが、炭素原子数１〜１２のアルキル基又はアルコキシル基が好ましく、炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基が特に好ましい。ｍは０又は１を表すが、ｍ＝０が好ましく、ｍ＝１の場合に環Ａはトランス−１，４−シクロへキシレン基又はフッ素原子により置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表すが、トランス−１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基が好ましい。Ｘa及びＸbはそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表すが、少なくとも一方は水素原子であることが好ましい。
【００３２】
本発明の製造方法の第１は一般式（ＩＩ）
【００３３】
【化１７】
【００３４】
（式中、Ｒは炭素原子数１〜７のアルコキシル基により置換されていてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基、アルケニル基、アルコキシル基又はアルケニルオキシ基を表し、ｍは０又は１を表し、ｍ＝１の場合に環Ａはトランス−１，４−シクロへキシレン基又はフッ素原子により置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表し、Ｘa及びＸbはそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表し、Ｒa〜Ｒdはそれぞれ独立的に水素原子又は炭素原子数１〜５のアルキル基を表す。）で表される２−フェニル−１，３−オキサゾリン誘導体を酸性脱水剤と反応させることを特徴とするものである。
【００３５】
一般式（ＩＩ）においてＲa〜Ｒdは水素原子又は低級アルキル基であれば特に制限はないが、１，３−オキサゾリン環の形成における原料のアミノアルコールの入手し易さの点から、Ｒa及びＲbはメチル基が好ましく、Ｒc及びＲdは水素原子が好ましい。酸性脱水剤としてはオキシ塩化リン、五塩化リン、三塩化リン等のリン系化合物、あるいは塩化チオニル、塩化スルフリル等のイオウ系化合物が使用できるが、特にオキシ塩化リンが好ましい。
【００３６】
溶媒としては、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ヘキサメチルリン酸トリアミド（ＨＭＰＡ）等の非プロトン性極性溶媒、あるいはトリエチルアミン、ピリジン等のアミン類を用いることができ、これらは単独で用いてもあるいはその複数を混合して用いてもよいが、ピリジン等のアミン類が特に好ましい。
【００３７】
反応は０℃付近から溶媒の沸点までの広い温度範囲で実施が可能ではあるが、反応を迅速に進行させるためには室温以上、特に加熱下で実施することが好ましい。反応終了後は水中に注ぎ、析出した結晶を濾取し、水洗を繰り返した後、減圧下乾燥させ、必要に応じカラムクロマトグラフィー、再結晶等により精製することにより目的物を得ることができる。
【００３８】
ここで一般式（ＩＩ）のオキサゾリン誘導体は、一般式（ＩＩＩ）
【００３９】
【化１８】
【００４０】
（式中、Ｘa、Ｘb及びＲa〜Ｒdは一般式（ＩＩ）におけると同じ意味を表し、Ｙは臭素、ヨウ素、塩素のハロゲン原子を表すが、臭素原子が好ましい。）で表される化合物に、一般式(ＩＶ)
【００４１】
【化１９】
【００４２】
（式中、Ｒ、ｍ及び環Ａは一般式（ＩＩ）におけると同じ意味を表し、ＺaはＭｇＢｒ、ＭｇＩ、ＭｇＣｌ又はＬｉ等の金属原子又は金属原子を含む基を表すが、ＭｇＢｒが好ましい。）で表される有機金属反応剤を、遷移金属触媒存在下に反応させることにより得ることができる。
【００４３】
本発明はその製造方法の第２として、（ＩＩＩ）の化合物と（ＩＶ）の化合物を遷移金属触媒（好ましくはニッケル錯体）存在下にカップリング反応させることにより、一般式（ＩＩ）のオキサゾリン誘導体を得て、これを酸性脱水剤と反応させることを特徴とする一般式（Ｉ）の化合物の製造方法を提供する。
【００４４】
カップリングに際して、用いる遷移金属触媒としてはジクロロビス（ジフェニルホスフィノエタン）ニッケル(II)等のニッケル(II)錯体又はテトラキス（トリフェニルホスフィン）ニッケル(0)等のニッケル(0)錯体が特に好ましい。
【００４５】
反応は溶媒中で行われるが、溶媒としてはヘキサン、トルエン等の炭化水素類、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサン、ジメトキシエタン等のエーテル類、エタノール、イソプロパノール、メチルセルソルブ等のアルコール類、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ヘキサメチルリン酸トリアミド（ＨＭＰＡ）等の非プロトン性極性溶媒、あるいはトリエチルアミン、ピリジン等のアミン類を用いることができ、これらは単独で用いてもあるいはその複数を混合して用いてもよいが、ＴＨＦ等のエーテル類及びＤＭＦ等の非プロトン性極性溶媒が好ましく、特にＺがＭｇＢｒ、ＭｇＩ、ＭｇＣｌあるいはＬｉの場合にはエーテル類が好ましい。
【００４６】
反応は−８０℃付近から２００℃付近までの広い温度範囲で進行するが、通常は氷冷下から溶媒の沸点までの加熱下に実施することが好ましく、室温付近あるいは１００℃までの加熱下で実施することが好ましい。反応終了後は必要に応じて中和して有機溶媒を加え、水洗を繰り返した後、溶媒を留去することにより目的物を得る。また、必要に応じカラムクロマトグラフィーや再結晶により精製することもできる。
【００４７】
ここで、一般式（ＩＩＩ）のオキサゾリン誘導体は、
【００４８】
【化２０】
【００４９】
（式中、Ｙ及びＹ’はそれぞれ独立的に臭素、ヨウ素、塩素のハロゲン原子を表すが、ともに臭素原子であることが好ましい。）で表される２，５−ジハロゲノピリジンに、一般式(ＶＩ)
【００５０】
【化２１】
【００５１】
（式中、Ｘa、Ｘb及びＲa〜Ｒdは一般式（ＩＩ）におけると同じ意味を表し、ＺbはＭｇＢｒ、ＭｇＩ、ＭｇＣｌ又はＬｉ等の金属原子又は金属原子を含む基を表すが、ＭｇＢｒが好ましい。）で表される有機金属反応剤を、遷移金属触媒存在下に反応させることにより得ることができる。
【００５２】
この場合の遷移金属触媒としては塩化パラジウム(II)等のパラジウム(II)塩、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム(II)等のパラジウム(II)錯体、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム(0)等のパラジウム(0)錯体が好ましく、パラジウム(0)錯体が特に好ましい。反応は溶媒中で行われるが、溶媒としてはヘキサン、トルエン等の炭化水素類、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサン、ジメトキシエタン等のエーテル類が好ましく、特にエーテル類が好ましい。反応は、氷点下から溶媒の還流温度まで広い温度範囲で進行するが、特に氷冷下から４０℃以下で行うことが好ましい。
【００５３】
本発明はその製造方法の第３として、（Ｖ）の２，５−ジハロゲノピリジン化合物と（ＶＩ）の化合物を遷移金属触媒（好ましくはパラジウム錯体）の存在下に反応させて（ＩＩＩ）の化合物を得て、これに（ＩＶ)で表される有機金属反応剤を遷移金属触媒（好ましくはニッケル錯体）存在下に反応させて一般式（ＩＩ）で表されるオキサゾリン誘導体を得て、さらにこれを酸性脱水剤と反応させることを特徴とする一般式（Ｉ）の化合物の製造方法を提供するものである。
【００５４】
本発明の第３の製造方法における一方の原料中間体であるオキサゾリン誘導体（ＶＩ）は対応するカルボン酸から容易に製造することができる。
即ち、一般式（ＶＩＩ）
【００５５】
【化２２】
【００５６】
（式中、Ｘa及びＸbは一般式（ＩＩ）におけると同じ意味を表し、Ｈａｌは臭素、ヨウ素又は塩素のハロゲン原子を表す。）で表される４−ハロ安息香酸誘導体を酸クロリドとした後、一般式（ＶＩＩＩ）
【００５７】
【化２３】
【００５８】
（式中、Ｒa〜Ｒdは一般式（ＩＩ）におけると同じ意味を表す。）で表されるアミノアルコールと反応させてアミドとし、これを脱水剤存在下に閉環させることにより一般式（ＩＸ）
【００５９】
【化２４】
【００６０】
（式中、Ｘa、Ｘb及びＲa〜Ｒdは一般式（ＩＩ）におけると同じ意味を表し、Ｈａｌは一般式（ＶＩＩ）におけると同じ意味を表す。）の化合物を得て、これをマグネシウムと反応させることにより一般式（ＶＩ）においてＺbがＭｇＢｒ、ＭｇＩ、ＭｇＣｌを表すグリニヤール反応剤を、金属リチウムあるいはアルキルリチウムと反応させることにより一般式（ＶＩ）においてＺbがＬｉを表すリチウム反応剤をそれぞれ得ることができる。
【００６１】
一方、一般式（Ｖ）の２，５−ジハロゲノピリジンはＹ及びＹ’がともに臭素原子である化合物が市販されており、容易に入手することができる。
また、一般式（ＩＶ）の化合物は市販のハロゲン化アルキル、ハロゲン化アリール等の公知の化合物から容易に製造することができる。
【００６２】
以上から明らかなように、本発明においてはオキサゾリン環をカップリング反応に際してのカルボキシル基の保護基として利用しているが、このオキサゾリン環を直接シアノ基に変換することにより脱保護とシアノ化を同時に実現できたことになり、製造工程の短縮化の達成が可能となったものである。
【００６３】
前記のように一般式（Ｉ）は多種類の化合物を包含しており、本発明の製造方法はこれらすべてについて使用が可能であるが、特に以下の（Ｉａａ）〜（Ｉｄｂ）の製造法として好ましいものである。
（以下、式中Ｒは一般式（ＩＩ）におけると同じ意味を表す。）
【００６４】
【化２５】
【００６５】
【実施例】
以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に説明する。しかし、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００６６】
なお、相転移温度の測定は温度調節ステージを備えた偏光顕微鏡および示差走査熱量計（ＤＳＣ）を併用して行った。また化合物の構造は核磁気共鳴スペクトル（1Ｈ−ＮＭＲ，13Ｃ−ＮＭＲ，19Ｆ−ＮＭＲ）、赤外共鳴スペクトル（ＩＲ）、質量スペクトル（ＭＳ）等により確認した。
（実施例１） ２−（４−シアノフェニル）−５−エチルピリジンの合成
（１） ４，４−ジメチル−２−（４−ブロモフェニル）−２−オキサゾリンの合成
【００６７】
【化２６】
【００６８】
４−ブロモ安息香酸１５０ｇに１，２−ジクロロエタン４５０ｍｌ、ピリジン３ｇ、塩化チオニル１３４ｇを加え６時間加熱還流させた。溶媒及び過剰の塩化チオニルを留去し、ジクロロメタン３００ｍｌを加え、氷冷下、１０℃を越えない速度で２−アミノ−２−メチル−３−プロパノール１４６ｇのジクロロメタン３００ｍｌ溶液を滴下し、室温でさらに２時間撹拌した。析出した結晶を濾過し、ジクロロメタン１５０ｍｌで洗浄し、濾液を集め、溶媒を留去し、ジクロロメタン４５０ｍｌを加えた。この溶液に、塩化チオニル１０７ｇを氷零下、１０℃を越えない速度で滴下し、室温でさらに２時間撹拌した。溶媒を留去し、ジクロロメタン４５０ｍｌを加え、９００ｍｌの２０％水酸化ナトリウム水溶液に滴下し、１時間撹拌した。有機層を分離し、無水炭酸カリウムで乾燥した。溶媒を留去し、減圧下に蒸留（１１０〜１２５℃／０．７ｍｍＨｇ）して精製し、４，４−ジメチル−２−（４−ブロモフェニル）−２−オキサゾリン１６０ｇを得た。（２） ２−［４−［５−ブロモ（２−ピリジル）］フェニル］−４，４−ジメチル−１，３−オキサゾリンの合成
【００６９】
【化２７】
【００７０】
マグネシウム１３．０ｇをＴＨＦ２６ｍｌに懸濁させ、上記（１）で得た４，４−ジメチル−２−（４−ブロモフェニル）−２−オキサゾリン１２３ｇのＴＨＦ４９０ｍｌ溶液をＴＨＦが穏やかに還流する速さで滴下し、さらに１時間撹拌した。過剰のマグネシウムを濾別し、２，５−ジブロモピリジン１００ｇ及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)４．９ｇのＴＨＦ４００ｍｌ溶液に氷冷下、１０℃以下を保つ速度で滴下した。室温に戻し、さらに１５時間撹拌し、１０％塩化アンモニウム水溶液１ｌを加え、トルエン１０００ｍｌで抽出し、飽和食塩水で洗浄し、無水炭酸カリウムで乾燥した。溶媒を留去し、アルミナカラムクロマトグラフィー（溶媒：トルエン）で精製し、２−［４−（５−ブロモピリジン−２−イル）フェニル］−４，４−ジメチル−１，３−オキサゾリン１１５ｇを得た。
（３） ２−［４−（５−エチルピリジン−２−イル）フェニル］−４，４−ジメチル−１，３−オキサゾリンの合成
【００７１】
【化２８】
【００７２】
上記（２）で得た２−［４−（５−ブロモピリジン−２−イル）フェニル］−４，４−ジメチル−１，３−オキサゾリン１１５ｇ及びジクロロ［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル(II)０．９ｇをＴＨＦ４６０ｍｌに溶解し、臭化エチルマグネシウム（マグネシウム１１．３ｇ及びブロモエタン４６．０ｇから調製した）のＴＨＦ溶液を室温で滴下した。さらに１時間撹拌し、１０％塩化アンモニウム水溶液４５０ｍｌをゆっくり加え、トルエン４５０ｍｌで抽出し、飽和食塩水で洗浄し、無水炭酸カリウムで乾燥した。溶媒を留去し、２−［４−（５−エチルピリジン−２−イル）フェニル］−４，４−ジメチル−１，３−オキサゾリン９５ｇを得た。
（４） ２−（４−シアノフェニル）−５−エチルピリジンの合成
【００７３】
【化２９】
【００７４】
上記（３）で得た２−［４−（５−エチルピリジン−２−イル）フェニル］−４，４−ジメチル−１，３−オキサゾリン９５ｇをピリジン２９０ｍｌに溶解し、オキシ塩化リン６８ｇを滴下した後、１時間加熱還流させた。室温まで放冷し、水６００ｍｌに注ぎ、析出した結晶を濾過し、水で洗滌した。減圧下で乾燥した後、アルミナカラムクロマトグラフィー（溶媒：トルエン）で精製し、さらにメタノールから再結晶して２−（４−シアノフェニル)−５−エチルピリジン４０ｇを得た。
【００７５】
同様にして以下の化合物を合成する。
２−（４−シアノフェニル）−５−プロピルピリジン
２−（４−シアノフェニル）−５−ブチルピリジン
２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピリジン
２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−エチルピリジン
２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−プロピルピリジン
２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−ブチルピリジン
２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−ペンチルピリジン
２−（４−シアノフェニル）−５−（４−エチルシクロヘキシル）ピリジン
２−（４−シアノフェニル）−５−（４−プロピルシクロヘキシル）ピリジン
２−（４−シアノフェニル）−５−（４−ブチルシクロヘキシル）ピリジン
２−（４−シアノフェニル）−５−（４−ペンチルシクロヘキシル）ピリジン
２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（４−エチルシクロヘキシル）ピリジン
２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（４−プロピルシクロヘキシル）ピリジン
２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（４−ブチルシクロヘキシル）ピリジン
２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（４−ペンチルシクロヘキシル）ピリジン
２−（４−シアノフェニル）−５−（４−エチルフェニル）ピリジン
２−（４−シアノフェニル）−５−（４−プロピルフェニル）ピリジン
２−（４−シアノフェニル）−５−（４−ブチルフェニル）ピリジン
２−（４−シアノフェニル）−５−（４−ペンチルフェニル）ピリジン
２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（４−エチルシクロヘキシル）ピリジン
２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（４−プロピルシクロヘキシル）ピリジン
２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（４−ブチルシクロヘキシル）ピリジン
２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（４−ペンチルシクロヘキシル）ピリジン
２−（４−シアノフェニル）−５−（２−フルオロ−４−エチルフェニル）ピリジン
２−（４−シアノフェニル）−５−（２−フルオロ−４−プロピルフェニル）ピリジン
２−（４−シアノフェニル）−５−（２−フルオロ−４−ブチルフェニル）ピリジン
２−（４−シアノフェニル）−５−（２−フルオロ−４−ペンチルフェニル）ピリジン
２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（２−フルオロ−４−エチルフェニル）ピリジン
２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（２−フルオロ−４−プロピルフェニル）ピリジン
２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（２−フルオロ−４−ブチルフェニル）ピリジン
２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（２−フルオロ−４−ペンチルフェニル）ピリジン
【００７６】
【発明の効果】
本発明の製造方法を用いることにより、ｐ型液晶材料として液晶性と閾値電圧の低減に有用な２−（４−シアノフェニル）ピリジン誘導体である各種液晶化合物を、従来知られていた製造方法と比較して（ｉ）入手可能な原料あるいは中間体から、（ｉｉ）短工程で簡便かつ安価に、（ｉｉｉ）さらに安全に製造することができる。従って本発明の製造方法は工業的に極めて有用である。
【発明の属する技術分野】
本発明は電気光学的液晶表示材料として有用な、２−（４−シアノフェニル）ピリジン誘導体である液晶性化合物の新規製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、各種測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子手帳、プリンター、パソコン、テレビ等に用いられるようになっている。液晶表示方式としては、その代表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲスト・ホスト）型あるいは高速応答が可能なＦＬＣ（強誘電性液晶）等を挙げることができるが現在のところＴＮ型及びＳＴＮ型が主流である。また駆動方式としても従来のスタティック駆動からマルチプレックス駆動が一般的になり、単純マトリックス駆動からさらにアクティブマトリックス駆動が実用化されている。
【０００３】
これら表示方式や駆動方式の発展に伴い液晶材料においてもよりすぐれた特性が要求されるようになっており、これまでに極めて多種の液晶化合物が合成されている。
【０００４】
ところで上記TN型及びＳＴＮ型液晶表示方式は電界応答型であり、液晶材料としては通常誘電率異方性が正のいわゆるｐ型液晶が用いられる。ｐ型液晶としては既に多くの化合物が開発されているが、そのなかで最もよく用いられているものは４−シアノベンゼンの誘導体である。
【０００５】
この４−シアノベンゼン誘導体の中で例えば式（Ａ）
【０００６】
【化７】
（式中、Ｒ’はアルキル基を表す。）で表される２−（４−シアノフェニル）ピリジン誘導体が報告（M.F.Grebyonkin et. al., Mol. Cryst. Liq. Cryst., 129, 245(1985)に記載）されており、これは低粘性で液晶性に優れ、かつ閾値電圧の低減効果にも優れるといった特徴を有する有用な化合物である。
【０００８】
しかしながら、この（Ａ）の化合物は２−（４−シアノフェニル）ピリジン誘導体としては最も簡単な構造を有するにもかかわらず、その製造は決して容易ではなかった。その公知の製造方法を以下に示す。（製法Ａ）
【０００９】
【化８】
以上からわかるように、製法Ａは出発原料の４−ブロモアセトフェノンから６工程、また第３工程で用いるエナミンも別途調製が必要であるなど、工程数が極めて多い。そのためその製造には長い日数を必要とし、非常にコストがかかるのが避けられない。また、製法Ａではその最終工程で毒物のシアン化合物を使用しなければならないこと、第３工程で使用するエナミンの臭気が非常に強いこと、第４工程で急激な分解の危険性があるピリリウムの過塩素酸塩を単離しなければならない等、各工程における問題点も多い。従って、より短工程で、簡便かつ安全な製造法が必要とされている。
【００１１】
フェニルピリジン類の製造方法としてはフェニルリチウム反応剤を用いる方法（製法Ｂ）も知られている。
【００１２】
【化９】
ここでＱはフェニルリチウム反応剤に対し不活性な基を表す。この製法Ｂでは極めて短工程でフェニルピリジン骨格を形成することができる。しかしながら、反応の収率は高々２０％程度と非常に低い。また、この後工程でフェニルリチウム反応剤に対し不活性な基Ｑをシアノ基に変換しなければならないが、決して容易ではない。そのため、この製法Ｂは（Ａ）のような２−（４−シアノフェニル）ピリジン誘導体の製造方法としてはあまり適したものとは言えなかった。
【００１４】
以上から、２−（４−シアノフェニル）ピリジン誘導体のより簡便で安全な製造方法が望まれている。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする課題は、液晶材料として有用な２−（４−シアノフェニル）ピリジン誘導体の簡便かつ安全な製造方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題を解決するために、
１．一般式（ＩＩ）
【００１７】
【化１０】
（式中、Ｒは炭素原子数１〜７のアルコキシル基により置換されていてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基、アルケニル基、アルコキシル基又はアルケニルオキシ基を表し、ｍは０又は１を表し、ｍ＝１の場合に環Ａはトランス−１，４−シクロへキシレン基又はフッ素原子により置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表し、Ｘa及びＸbはそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表し、Ｒa〜Ｒdはそれぞれ独立的に水素原子又は炭素原子数１〜５のアルキル基を表す。）で表されるオキサゾリン誘導体を、酸性脱水剤と反応させることを特徴とする一般式（Ｉ）
【００１９】
【化１１】
（式中、Ｒ、ｍ、環Ａ、Ｘa及びＸbは一般式（ＩＩ）におけると同じ意味を表す。）で表される２−（４−シアノフェニル）ピリジン誘導体の製造方法。
２．酸性脱水剤がオキシ塩化リンであることを特徴とする上記１記載の製造方法。
３．一般式（ＩＩ）のオキサゾリン誘導体が、一般式（ＩＩＩ）
【００２１】
【化１２】
（式中、Ｘa、Ｘb及びＲa〜Ｒdは一般式（ＩＩ）におけると同じ意味を表し、Ｙは臭素、ヨウ素、塩素のハロゲン原子を表す。）で表される化合物に、一般式(ＩＶ)
【００２３】
【化１３】
（式中、Ｒ、ｍ及び環Ａは一般式（ＩＩ）におけると同じ意味を表し、ＺaはＭｇＢｒ、ＭｇＩ、ＭｇＣｌ又はＬｉ等の金属原子又は金属原子を含む基を表す。）で表される有機金属反応剤を、遷移金属触媒存在下に反応させて得られることを特徴とする上記１又は２記載の製造方法。
４．一般式（ＩＩ）の化合物を得るための反応で用いる遷移金属触媒がニッケル錯体であることを特徴とする上記３記載の製造方法。
５．一般式（ＩＩＩ）で表される化合物が、一般式（Ｖ）
【００２５】
【化１４】
（式中、Ｙ及びＹ’はそれぞれ独立的に臭素、ヨウ素、塩素のハロゲン原子を表す。）で表される２，５−ジハロゲノピリジンに、一般式(ＶＩ)
【００２７】
【化１５】
（式中、Ｘa、Ｘb及びＲa〜Ｒdは一般式（ＩＩ）におけると同じ意味を表し、ＺbはＭｇＢｒ、ＭｇＩ、ＭｇＣｌ又はＬｉ等の金属原子又は金属原子を含む基を表す。）で表される有機金属反応剤を、遷移金属触媒存在下に反応させて得られることを特徴とする上記３又は４記載の製造方法。
６．一般式（ＩＩＩ）の化合物を得るための反応で用いる遷移金属触媒がパラジウム(0)錯体であることを特徴とする上記５記載の製造方法。
を前記課題を解決するための手段として見出した。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の一例について説明する。
上記課題を解決するために、本発明は対応するオキサゾリン誘導体を酸性脱水剤と反応させることを特徴とする一般式（Ｉ）
【００３０】
【化１６】
で表される２−（４−シアノフェニル）ピリジン誘導体の新規製造法を提供する。
一般式（Ｉ）において、Ｒは炭素原子数１〜７のアルコキシル基により置換されていてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基、アルケニル基、アルコキシル基又はアルケニルオキシ基を表すが、炭素原子数１〜１２のアルキル基又はアルコキシル基が好ましく、炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基が特に好ましい。ｍは０又は１を表すが、ｍ＝０が好ましく、ｍ＝１の場合に環Ａはトランス−１，４−シクロへキシレン基又はフッ素原子により置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表すが、トランス−１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基が好ましい。Ｘa及びＸbはそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表すが、少なくとも一方は水素原子であることが好ましい。
【００３２】
本発明の製造方法の第１は一般式（ＩＩ）
【００３３】
【化１７】
（式中、Ｒは炭素原子数１〜７のアルコキシル基により置換されていてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基、アルケニル基、アルコキシル基又はアルケニルオキシ基を表し、ｍは０又は１を表し、ｍ＝１の場合に環Ａはトランス−１，４−シクロへキシレン基又はフッ素原子により置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表し、Ｘa及びＸbはそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表し、Ｒa〜Ｒdはそれぞれ独立的に水素原子又は炭素原子数１〜５のアルキル基を表す。）で表される２−フェニル−１，３−オキサゾリン誘導体を酸性脱水剤と反応させることを特徴とするものである。
【００３５】
一般式（ＩＩ）においてＲa〜Ｒdは水素原子又は低級アルキル基であれば特に制限はないが、１，３−オキサゾリン環の形成における原料のアミノアルコールの入手し易さの点から、Ｒa及びＲbはメチル基が好ましく、Ｒc及びＲdは水素原子が好ましい。酸性脱水剤としてはオキシ塩化リン、五塩化リン、三塩化リン等のリン系化合物、あるいは塩化チオニル、塩化スルフリル等のイオウ系化合物が使用できるが、特にオキシ塩化リンが好ましい。
【００３６】
溶媒としては、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ヘキサメチルリン酸トリアミド（ＨＭＰＡ）等の非プロトン性極性溶媒、あるいはトリエチルアミン、ピリジン等のアミン類を用いることができ、これらは単独で用いてもあるいはその複数を混合して用いてもよいが、ピリジン等のアミン類が特に好ましい。
【００３７】
反応は０℃付近から溶媒の沸点までの広い温度範囲で実施が可能ではあるが、反応を迅速に進行させるためには室温以上、特に加熱下で実施することが好ましい。反応終了後は水中に注ぎ、析出した結晶を濾取し、水洗を繰り返した後、減圧下乾燥させ、必要に応じカラムクロマトグラフィー、再結晶等により精製することにより目的物を得ることができる。
【００３８】
ここで一般式（ＩＩ）のオキサゾリン誘導体は、一般式（ＩＩＩ）
【００３９】
【化１８】
（式中、Ｘa、Ｘb及びＲa〜Ｒdは一般式（ＩＩ）におけると同じ意味を表し、Ｙは臭素、ヨウ素、塩素のハロゲン原子を表すが、臭素原子が好ましい。）で表される化合物に、一般式(ＩＶ)
【００４１】
【化１９】
（式中、Ｒ、ｍ及び環Ａは一般式（ＩＩ）におけると同じ意味を表し、ＺaはＭｇＢｒ、ＭｇＩ、ＭｇＣｌ又はＬｉ等の金属原子又は金属原子を含む基を表すが、ＭｇＢｒが好ましい。）で表される有機金属反応剤を、遷移金属触媒存在下に反応させることにより得ることができる。
【００４３】
本発明はその製造方法の第２として、（ＩＩＩ）の化合物と（ＩＶ）の化合物を遷移金属触媒（好ましくはニッケル錯体）存在下にカップリング反応させることにより、一般式（ＩＩ）のオキサゾリン誘導体を得て、これを酸性脱水剤と反応させることを特徴とする一般式（Ｉ）の化合物の製造方法を提供する。
【００４４】
カップリングに際して、用いる遷移金属触媒としてはジクロロビス（ジフェニルホスフィノエタン）ニッケル(II)等のニッケル(II)錯体又はテトラキス（トリフェニルホスフィン）ニッケル(0)等のニッケル(0)錯体が特に好ましい。
【００４５】
反応は溶媒中で行われるが、溶媒としてはヘキサン、トルエン等の炭化水素類、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサン、ジメトキシエタン等のエーテル類、エタノール、イソプロパノール、メチルセルソルブ等のアルコール類、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ヘキサメチルリン酸トリアミド（ＨＭＰＡ）等の非プロトン性極性溶媒、あるいはトリエチルアミン、ピリジン等のアミン類を用いることができ、これらは単独で用いてもあるいはその複数を混合して用いてもよいが、ＴＨＦ等のエーテル類及びＤＭＦ等の非プロトン性極性溶媒が好ましく、特にＺがＭｇＢｒ、ＭｇＩ、ＭｇＣｌあるいはＬｉの場合にはエーテル類が好ましい。
【００４６】
反応は−８０℃付近から２００℃付近までの広い温度範囲で進行するが、通常は氷冷下から溶媒の沸点までの加熱下に実施することが好ましく、室温付近あるいは１００℃までの加熱下で実施することが好ましい。反応終了後は必要に応じて中和して有機溶媒を加え、水洗を繰り返した後、溶媒を留去することにより目的物を得る。また、必要に応じカラムクロマトグラフィーや再結晶により精製することもできる。
【００４７】
ここで、一般式（ＩＩＩ）のオキサゾリン誘導体は、
【００４８】
【化２０】
（式中、Ｙ及びＹ’はそれぞれ独立的に臭素、ヨウ素、塩素のハロゲン原子を表すが、ともに臭素原子であることが好ましい。）で表される２，５−ジハロゲノピリジンに、一般式(ＶＩ)
【００５０】
【化２１】
（式中、Ｘa、Ｘb及びＲa〜Ｒdは一般式（ＩＩ）におけると同じ意味を表し、ＺbはＭｇＢｒ、ＭｇＩ、ＭｇＣｌ又はＬｉ等の金属原子又は金属原子を含む基を表すが、ＭｇＢｒが好ましい。）で表される有機金属反応剤を、遷移金属触媒存在下に反応させることにより得ることができる。
【００５２】
この場合の遷移金属触媒としては塩化パラジウム(II)等のパラジウム(II)塩、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム(II)等のパラジウム(II)錯体、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム(0)等のパラジウム(0)錯体が好ましく、パラジウム(0)錯体が特に好ましい。反応は溶媒中で行われるが、溶媒としてはヘキサン、トルエン等の炭化水素類、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサン、ジメトキシエタン等のエーテル類が好ましく、特にエーテル類が好ましい。反応は、氷点下から溶媒の還流温度まで広い温度範囲で進行するが、特に氷冷下から４０℃以下で行うことが好ましい。
【００５３】
本発明はその製造方法の第３として、（Ｖ）の２，５−ジハロゲノピリジン化合物と（ＶＩ）の化合物を遷移金属触媒（好ましくはパラジウム錯体）の存在下に反応させて（ＩＩＩ）の化合物を得て、これに（ＩＶ)で表される有機金属反応剤を遷移金属触媒（好ましくはニッケル錯体）存在下に反応させて一般式（ＩＩ）で表されるオキサゾリン誘導体を得て、さらにこれを酸性脱水剤と反応させることを特徴とする一般式（Ｉ）の化合物の製造方法を提供するものである。
【００５４】
本発明の第３の製造方法における一方の原料中間体であるオキサゾリン誘導体（ＶＩ）は対応するカルボン酸から容易に製造することができる。
即ち、一般式（ＶＩＩ）
【００５５】
【化２２】
（式中、Ｘa及びＸbは一般式（ＩＩ）におけると同じ意味を表し、Ｈａｌは臭素、ヨウ素又は塩素のハロゲン原子を表す。）で表される４−ハロ安息香酸誘導体を酸クロリドとした後、一般式（ＶＩＩＩ）
【００５７】
【化２３】
（式中、Ｒa〜Ｒdは一般式（ＩＩ）におけると同じ意味を表す。）で表されるアミノアルコールと反応させてアミドとし、これを脱水剤存在下に閉環させることにより一般式（ＩＸ）
【００５９】
【化２４】
（式中、Ｘa、Ｘb及びＲa〜Ｒdは一般式（ＩＩ）におけると同じ意味を表し、Ｈａｌは一般式（ＶＩＩ）におけると同じ意味を表す。）の化合物を得て、これをマグネシウムと反応させることにより一般式（ＶＩ）においてＺbがＭｇＢｒ、ＭｇＩ、ＭｇＣｌを表すグリニヤール反応剤を、金属リチウムあるいはアルキルリチウムと反応させることにより一般式（ＶＩ）においてＺbがＬｉを表すリチウム反応剤をそれぞれ得ることができる。
【００６１】
一方、一般式（Ｖ）の２，５−ジハロゲノピリジンはＹ及びＹ’がともに臭素原子である化合物が市販されており、容易に入手することができる。
また、一般式（ＩＶ）の化合物は市販のハロゲン化アルキル、ハロゲン化アリール等の公知の化合物から容易に製造することができる。
【００６２】
以上から明らかなように、本発明においてはオキサゾリン環をカップリング反応に際してのカルボキシル基の保護基として利用しているが、このオキサゾリン環を直接シアノ基に変換することにより脱保護とシアノ化を同時に実現できたことになり、製造工程の短縮化の達成が可能となったものである。
【００６３】
前記のように一般式（Ｉ）は多種類の化合物を包含しており、本発明の製造方法はこれらすべてについて使用が可能であるが、特に以下の（Ｉａａ）〜（Ｉｄｂ）の製造法として好ましいものである。
（以下、式中Ｒは一般式（ＩＩ）におけると同じ意味を表す。）
【００６４】
【化２５】
【実施例】
以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に説明する。しかし、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００６６】
なお、相転移温度の測定は温度調節ステージを備えた偏光顕微鏡および示差走査熱量計（ＤＳＣ）を併用して行った。また化合物の構造は核磁気共鳴スペクトル（1Ｈ−ＮＭＲ，13Ｃ−ＮＭＲ，19Ｆ−ＮＭＲ）、赤外共鳴スペクトル（ＩＲ）、質量スペクトル（ＭＳ）等により確認した。
（実施例１） ２−（４−シアノフェニル）−５−エチルピリジンの合成
（１） ４，４−ジメチル−２−（４−ブロモフェニル）−２−オキサゾリンの合成
【００６７】
【化２６】
４−ブロモ安息香酸１５０ｇに１，２−ジクロロエタン４５０ｍｌ、ピリジン３ｇ、塩化チオニル１３４ｇを加え６時間加熱還流させた。溶媒及び過剰の塩化チオニルを留去し、ジクロロメタン３００ｍｌを加え、氷冷下、１０℃を越えない速度で２−アミノ−２−メチル−３−プロパノール１４６ｇのジクロロメタン３００ｍｌ溶液を滴下し、室温でさらに２時間撹拌した。析出した結晶を濾過し、ジクロロメタン１５０ｍｌで洗浄し、濾液を集め、溶媒を留去し、ジクロロメタン４５０ｍｌを加えた。この溶液に、塩化チオニル１０７ｇを氷零下、１０℃を越えない速度で滴下し、室温でさらに２時間撹拌した。溶媒を留去し、ジクロロメタン４５０ｍｌを加え、９００ｍｌの２０％水酸化ナトリウム水溶液に滴下し、１時間撹拌した。有機層を分離し、無水炭酸カリウムで乾燥した。溶媒を留去し、減圧下に蒸留（１１０〜１２５℃／０．７ｍｍＨｇ）して精製し、４，４−ジメチル−２−（４−ブロモフェニル）−２−オキサゾリン１６０ｇを得た。（２） ２−［４−［５−ブロモ（２−ピリジル）］フェニル］−４，４−ジメチル−１，３−オキサゾリンの合成
【００６９】
【化２７】
マグネシウム１３．０ｇをＴＨＦ２６ｍｌに懸濁させ、上記（１）で得た４，４−ジメチル−２−（４−ブロモフェニル）−２−オキサゾリン１２３ｇのＴＨＦ４９０ｍｌ溶液をＴＨＦが穏やかに還流する速さで滴下し、さらに１時間撹拌した。過剰のマグネシウムを濾別し、２，５−ジブロモピリジン１００ｇ及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)４．９ｇのＴＨＦ４００ｍｌ溶液に氷冷下、１０℃以下を保つ速度で滴下した。室温に戻し、さらに１５時間撹拌し、１０％塩化アンモニウム水溶液１ｌを加え、トルエン１０００ｍｌで抽出し、飽和食塩水で洗浄し、無水炭酸カリウムで乾燥した。溶媒を留去し、アルミナカラムクロマトグラフィー（溶媒：トルエン）で精製し、２−［４−（５−ブロモピリジン−２−イル）フェニル］−４，４−ジメチル−１，３−オキサゾリン１１５ｇを得た。
（３） ２−［４−（５−エチルピリジン−２−イル）フェニル］−４，４−ジメチル−１，３−オキサゾリンの合成
【００７１】
【化２８】
上記（２）で得た２−［４−（５−ブロモピリジン−２−イル）フェニル］−４，４−ジメチル−１，３−オキサゾリン１１５ｇ及びジクロロ［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル(II)０．９ｇをＴＨＦ４６０ｍｌに溶解し、臭化エチルマグネシウム（マグネシウム１１．３ｇ及びブロモエタン４６．０ｇから調製した）のＴＨＦ溶液を室温で滴下した。さらに１時間撹拌し、１０％塩化アンモニウム水溶液４５０ｍｌをゆっくり加え、トルエン４５０ｍｌで抽出し、飽和食塩水で洗浄し、無水炭酸カリウムで乾燥した。溶媒を留去し、２−［４−（５−エチルピリジン−２−イル）フェニル］−４，４−ジメチル−１，３−オキサゾリン９５ｇを得た。
（４） ２−（４−シアノフェニル）−５−エチルピリジンの合成
【００７３】
【化２９】
上記（３）で得た２−［４−（５−エチルピリジン−２−イル）フェニル］−４，４−ジメチル−１，３−オキサゾリン９５ｇをピリジン２９０ｍｌに溶解し、オキシ塩化リン６８ｇを滴下した後、１時間加熱還流させた。室温まで放冷し、水６００ｍｌに注ぎ、析出した結晶を濾過し、水で洗滌した。減圧下で乾燥した後、アルミナカラムクロマトグラフィー（溶媒：トルエン）で精製し、さらにメタノールから再結晶して２−（４−シアノフェニル)−５−エチルピリジン４０ｇを得た。
【００７５】
同様にして以下の化合物を合成する。
２−（４−シアノフェニル）−５−プロピルピリジン
２−（４−シアノフェニル）−５−ブチルピリジン
２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピリジン
２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−エチルピリジン
２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−プロピルピリジン
２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−ブチルピリジン
２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−ペンチルピリジン
２−（４−シアノフェニル）−５−（４−エチルシクロヘキシル）ピリジン
２−（４−シアノフェニル）−５−（４−プロピルシクロヘキシル）ピリジン
２−（４−シアノフェニル）−５−（４−ブチルシクロヘキシル）ピリジン
２−（４−シアノフェニル）−５−（４−ペンチルシクロヘキシル）ピリジン
２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（４−エチルシクロヘキシル）ピリジン
２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（４−プロピルシクロヘキシル）ピリジン
２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（４−ブチルシクロヘキシル）ピリジン
２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（４−ペンチルシクロヘキシル）ピリジン
２−（４−シアノフェニル）−５−（４−エチルフェニル）ピリジン
２−（４−シアノフェニル）−５−（４−プロピルフェニル）ピリジン
２−（４−シアノフェニル）−５−（４−ブチルフェニル）ピリジン
２−（４−シアノフェニル）−５−（４−ペンチルフェニル）ピリジン
２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（４−エチルシクロヘキシル）ピリジン
２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（４−プロピルシクロヘキシル）ピリジン
２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（４−ブチルシクロヘキシル）ピリジン
２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（４−ペンチルシクロヘキシル）ピリジン
２−（４−シアノフェニル）−５−（２−フルオロ−４−エチルフェニル）ピリジン
２−（４−シアノフェニル）−５−（２−フルオロ−４−プロピルフェニル）ピリジン
２−（４−シアノフェニル）−５−（２−フルオロ−４−ブチルフェニル）ピリジン
２−（４−シアノフェニル）−５−（２−フルオロ−４−ペンチルフェニル）ピリジン
２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（２−フルオロ−４−エチルフェニル）ピリジン
２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（２−フルオロ−４−プロピルフェニル）ピリジン
２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（２−フルオロ−４−ブチルフェニル）ピリジン
２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（２−フルオロ−４−ペンチルフェニル）ピリジン
【００７６】
【発明の効果】
本発明の製造方法を用いることにより、ｐ型液晶材料として液晶性と閾値電圧の低減に有用な２−（４−シアノフェニル）ピリジン誘導体である各種液晶化合物を、従来知られていた製造方法と比較して（ｉ）入手可能な原料あるいは中間体から、（ｉｉ）短工程で簡便かつ安価に、（ｉｉｉ）さらに安全に製造することができる。従って本発明の製造方法は工業的に極めて有用である。
Claims (6)
- 一般式（ＩＩＩ）
- 酸性脱水剤がオキシ塩化リンであることを特徴とする請求項１記載の製造方法。
- 一般式（ＩＩ）で表されるオキサゾリン誘導体を、酸性脱水剤と反応させる際の溶媒が非プロトン性溶媒あるいはアミン類を単独で用いても混合して用いても良いことを特徴とする請求項１又は２記載の製造方法。
- 一般式（ＩＩ）の化合物を得るための反応で用いる遷移金属触媒がニッケル錯体であることを特徴とする請求項１、２又は３のいずれかに記載の製造方法。
- 一般式（ＩＩＩ）で表される化合物が、一般式（Ｖ）
- 一般式（ＩＩＩ）の化合物を得るための反応で用いる遷移金属触媒がパラジウム(0)錯体であることを特徴とする請求項１、２、３、４又は５のいずれかに記載の製造方法。
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