JP2856362B2 - フルオロフェニルピリミジン化合物 - Google Patents
フルオロフェニルピリミジン化合物Info
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- C09K19/3463—Pyrimidine with a carbon chain containing at least one asymmetric carbon atom, i.e. optically active pyrimidines
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- C07D239/00—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazine or hydrogenated 1,3-diazine rings
- C07D239/02—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazine or hydrogenated 1,3-diazine rings not condensed with other rings
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は下記式Ｉのフルオロフェニルピリミジン化合
物に関する： ただしこの式において Q1及びQ2はそれぞれ互いに独立にCO又はCH2を表わ
し、 ｎは０又は１であり、 A1及びA2はそれぞれ互いに独立に1,4−フェニレン又
は単結合を表わし、 R1及びR2はそれぞれ互いに独立に非置換の、又はCNに
より、或いは少なくとも１個のハロゲンにより置換され
た18個までの炭素原子を有するアルキル基又はアルケニ
ル基を表わし、その際１つ以上のCH2−基は、−Ｏ−、
−CO−Ｏ−、−Ｏ−CO−及び−Ｃ≡Ｃ−よりなる群から
選ばれた基によって置き換えられていることができる
が、ただし２個の酸素原子が隣り合うことはなく、 そしてこの式においてｎ＝１のときはR1及びR2の基の
一方は下記式II の基であることもでき、その際R3は非置換の、又はCNに
より、或いは少なくとも１個のハロゲンにより置換され
た18個までの炭素原子を有するアルキル基、アルケニル
基又はアルコキシ基を表わし、そしてｍは１又は２であ
る。
物に関する： ただしこの式において Q1及びQ2はそれぞれ互いに独立にCO又はCH2を表わ
し、 ｎは０又は１であり、 A1及びA2はそれぞれ互いに独立に1,4−フェニレン又
は単結合を表わし、 R1及びR2はそれぞれ互いに独立に非置換の、又はCNに
より、或いは少なくとも１個のハロゲンにより置換され
た18個までの炭素原子を有するアルキル基又はアルケニ
ル基を表わし、その際１つ以上のCH2−基は、−Ｏ−、
−CO−Ｏ−、−Ｏ−CO−及び−Ｃ≡Ｃ−よりなる群から
選ばれた基によって置き換えられていることができる
が、ただし２個の酸素原子が隣り合うことはなく、 そしてこの式においてｎ＝１のときはR1及びR2の基の
一方は下記式II の基であることもでき、その際R3は非置換の、又はCNに
より、或いは少なくとも１個のハロゲンにより置換され
た18個までの炭素原子を有するアルキル基、アルケニル
基又はアルコキシ基を表わし、そしてｍは１又は２であ
る。
強誘電性を有するキラル傾斜スメクチック液晶相はそ
れぞれの基礎混合物に適当なキラル性添加剤を含む１種
以上の傾斜スメクチック相を加えることによって作るこ
とができる〔L.A.Beresnev等：“Mol.Cryst.Liq.Crys
t."89,327（1982）、H.R.Brand等：“J.Physique"44，
（lett.）,L 771（1983）〕。このような相はClark及び
Lagerwallによって記述されたSSFLC技術の原理〔N.A.Cl
ark及びS.T.Lagerwall:“Appl.Phys.Lett."36,899（198
0）、米国特許第4,367,924号公報〕による、キラル傾斜
相の強誘電特性に基づく高速度スイッチングディスプレ
ー用の誘導体として使用することができる。この相にお
いては細長い分子がいくつもの層に配列されていてそれ
らの分子はその層の法線に対してある傾斜角度を有して
いる。１つの層から次の層へ進むときにその傾斜方向は
各層に垂直な軸に対して僅かな角度づつ変化し、従って
ある螺旋構造が形成される。SSFLC技術の原理に基づく
ディスプレーでは各スメクチック層はそのセルの各板に
対して垂直に配列される。それらの分子の傾斜方向の螺
旋状配列はそれらの板の非常に小さな間隔（約１〜２μ
ｍ）によって抑制される。これによって各分子の長手軸
はそのセルの板に対して平行な面内に強制的に配置さ
れ、それにより２つの際立った傾斜配向が生ずる。適当
な交流電場を印加することによってその自発分極を有す
る液晶相中でこれら両方の状態の間の切り換えスイッチ
ングが繰りかえされる。このスイッチング過程はネマチ
ック液晶に基づく従来のツイストセル（TN−LCD）にお
けるよりも本質的に迅速である。
れぞれの基礎混合物に適当なキラル性添加剤を含む１種
以上の傾斜スメクチック相を加えることによって作るこ
とができる〔L.A.Beresnev等：“Mol.Cryst.Liq.Crys
t."89,327（1982）、H.R.Brand等：“J.Physique"44，
（lett.）,L 771（1983）〕。このような相はClark及び
Lagerwallによって記述されたSSFLC技術の原理〔N.A.Cl
ark及びS.T.Lagerwall:“Appl.Phys.Lett."36,899（198
0）、米国特許第4,367,924号公報〕による、キラル傾斜
相の強誘電特性に基づく高速度スイッチングディスプレ
ー用の誘導体として使用することができる。この相にお
いては細長い分子がいくつもの層に配列されていてそれ
らの分子はその層の法線に対してある傾斜角度を有して
いる。１つの層から次の層へ進むときにその傾斜方向は
各層に垂直な軸に対して僅かな角度づつ変化し、従って
ある螺旋構造が形成される。SSFLC技術の原理に基づく
ディスプレーでは各スメクチック層はそのセルの各板に
対して垂直に配列される。それらの分子の傾斜方向の螺
旋状配列はそれらの板の非常に小さな間隔（約１〜２μ
ｍ）によって抑制される。これによって各分子の長手軸
はそのセルの板に対して平行な面内に強制的に配置さ
れ、それにより２つの際立った傾斜配向が生ずる。適当
な交流電場を印加することによってその自発分極を有す
る液晶相中でこれら両方の状態の間の切り換えスイッチ
ングが繰りかえされる。このスイッチング過程はネマチ
ック液晶に基づく従来のツイストセル（TN−LCD）にお
けるよりも本質的に迅速である。
キラル傾斜スメクチック相（例えばSC ＊、更にはまた
SH ＊、SI ＊、SJ ＊、SK ＊、SG ＊、SF ＊）を有する通常入
手可能な物質の、多くの用途に対する大きな欠点の一つ
はそれらの化学的、熱的及び光学的安定性が低いことで
ある。定常入手できるキラル傾斜スメクチック混合物に
基づく種々のディスプレーのもう一つの欠点は、その自
発分極の値があまりに低く、そのためにそれらのディス
プレーのスイッチング時間挙動に不都合な影響がもたら
されること、及び／又はそれらの相のピッチ及び／又は
傾斜及び／又は粘度がディスプレー技術の種々の要求を
満たさないということである。加えて、その強誘電性の
温度範囲が余りにも小さ過ぎ、しかも主として過度に高
い温度のところにある。
SH ＊、SI ＊、SJ ＊、SK ＊、SG ＊、SF ＊）を有する通常入
手可能な物質の、多くの用途に対する大きな欠点の一つ
はそれらの化学的、熱的及び光学的安定性が低いことで
ある。定常入手できるキラル傾斜スメクチック混合物に
基づく種々のディスプレーのもう一つの欠点は、その自
発分極の値があまりに低く、そのためにそれらのディス
プレーのスイッチング時間挙動に不都合な影響がもたら
されること、及び／又はそれらの相のピッチ及び／又は
傾斜及び／又は粘度がディスプレー技術の種々の要求を
満たさないということである。加えて、その強誘電性の
温度範囲が余りにも小さ過ぎ、しかも主として過度に高
い温度のところにある。
本発明者等は式Ｉの化合物をキラル傾斜スメクチック
混合物の成分として用いることにより上述の各欠点を著
しく少なくできることを見出した。従って式Ｉの化合物
はキラル傾斜スメクチック液晶相の成分として極めて適
している。中でもそれらは化学的に特に安定であって有
利な強誘電性相範囲、中でも広いSC ＊相の範囲、結晶化
を起こすことなく０℃以下の温度に至るまでの著しい過
冷却の可能性及びそのような相について高い自発分極の
値を有するキラル傾斜スメクチック液晶相に使用するこ
とができる。ＰはnC/cm2で表わした自発分極の値であ
る。しかしながら式Ｉの種々の化合物はエレクトロクリ
ニック効果用の液晶相としても適している。
混合物の成分として用いることにより上述の各欠点を著
しく少なくできることを見出した。従って式Ｉの化合物
はキラル傾斜スメクチック液晶相の成分として極めて適
している。中でもそれらは化学的に特に安定であって有
利な強誘電性相範囲、中でも広いSC ＊相の範囲、結晶化
を起こすことなく０℃以下の温度に至るまでの著しい過
冷却の可能性及びそのような相について高い自発分極の
値を有するキラル傾斜スメクチック液晶相に使用するこ
とができる。ＰはnC/cm2で表わした自発分極の値であ
る。しかしながら式Ｉの種々の化合物はエレクトロクリ
ニック効果用の液晶相としても適している。
式Ｉの各種化合物は誘電率の中性の異方性を有し（Δ
ε＝−0.2ないし＋0.5）、従って広い範囲の用途を有し
ている。各置換基の選択に依存してこれらの化合物は液
晶スメクチック相の大部分を構成する基礎物質として使
用することができる。しかしながらまた式Ｉの化合物を
他の化合物群よりなる液晶基礎物質に加えて、例えばそ
のような誘電体の誘電的及び／又は光学的異方性及び／
又は粘度及び／又は自発分極値及び／又は相の範囲及び
／又は傾斜角度及び／又はピッチを変化させることもで
きる。
ε＝−0.2ないし＋0.5）、従って広い範囲の用途を有し
ている。各置換基の選択に依存してこれらの化合物は液
晶スメクチック相の大部分を構成する基礎物質として使
用することができる。しかしながらまた式Ｉの化合物を
他の化合物群よりなる液晶基礎物質に加えて、例えばそ
のような誘電体の誘電的及び／又は光学的異方性及び／
又は粘度及び／又は自発分極値及び／又は相の範囲及び
／又は傾斜角度及び／又はピッチを変化させることもで
きる。
ドイツ特許第3315295号には本願において特許請求す
る式Ｉの化合物を部分的に包括するネマチックフルオロ
フェニルピリジン化合物についての非常に広い一般式が
あげられている。しかしながらこのドイツ特許第331529
5号はこの型のSC−化合物についてはなんらの言及も存
在せず、そしてスメクチック相の抑圧を対象としてい
る。そこでは本願において特許請求する式の個々の化合
物はなんらあげられていない。
る式Ｉの化合物を部分的に包括するネマチックフルオロ
フェニルピリジン化合物についての非常に広い一般式が
あげられている。しかしながらこのドイツ特許第331529
5号はこの型のSC−化合物についてはなんらの言及も存
在せず、そしてスメクチック相の抑圧を対象としてい
る。そこでは本願において特許請求する式の個々の化合
物はなんらあげられていない。
強誘電性混合物のキラル性ドープ物質がヨーロッパ特
許第EP−Ａ−0278665号に特許請求されているが、その
広い範囲を包括する一般式は本発明に従う化合物をも包
含する。しかしながらこれにあげられている化合物にお
いてはそのフェニル環のハロゲンラテラル置換基はピリ
ジン環に対して常にメタ位置に存在している。これらは
また正のΔε値を有し、従って強誘電性混合物用として
はあまり適していない。
許第EP−Ａ−0278665号に特許請求されているが、その
広い範囲を包括する一般式は本発明に従う化合物をも包
含する。しかしながらこれにあげられている化合物にお
いてはそのフェニル環のハロゲンラテラル置換基はピリ
ジン環に対して常にメタ位置に存在している。これらは
また正のΔε値を有し、従って強誘電性混合物用として
はあまり適していない。
日本特許第63−253075号公報には下記式 の類似の化合物が記述されているけれども、これらは比
較的高い相転位点を有する。
較的高い相転位点を有する。
従って当業者は従来技術からは本願において特許請求
する化合物の合成の可能性を単純な態様において類推す
ることも、また本発明に従うそれらの化合物が主として
広くかつ好都合な範囲のSC−相を有し、そして旋回粘度
についての好ましい値によって優れていることを認識す
ることも不可能であった。
する化合物の合成の可能性を単純な態様において類推す
ることも、また本発明に従うそれらの化合物が主として
広くかつ好都合な範囲のSC−相を有し、そして旋回粘度
についての好ましい値によって優れていることを認識す
ることも不可能であった。
それ故本発明は式Ｉのフルオロフェニルピリミジン化
合物、特に下記式I1、I2及びI3 においてｍ及びＯがそれぞれ１ないし18の数を意味する
化合物を対象とする。
合物、特に下記式I1、I2及びI3 においてｍ及びＯがそれぞれ１ないし18の数を意味する
化合物を対象とする。
本発明は特に基R1及びR2の一方が下記式III のキラル基であるような式Ｉ＊の光学活性のフルオロフ
ェニルピリミジン化合物を対象とするものであり、その
際R4は下記式 （CH2）ｒ−Q3−CoH2o+1 の基を意味し、ここで Q3は−Ｏ−、−Ｏ−CO−又は単結合を表わし、 ｒは０、１又は２の数であり、そして ｏは１ないし７の数であり、 ＹはCN、ハロゲン又はCH3を意味し、 Ｚは単結合又は−（CH2）ｐ−を意味するが、その際１
つのCH2−基は−Ｏ−、−Ｏ−CO−又は−CO−Ｏ−によ
って置き換えられていることができ、またｐは１、２、
３、４、５又は６であり、そして R0はＨ又はCH3を意味し、但しR0はＹと異なるものとす
る。
ェニルピリミジン化合物を対象とするものであり、その
際R4は下記式 （CH2）ｒ−Q3−CoH2o+1 の基を意味し、ここで Q3は−Ｏ−、−Ｏ−CO−又は単結合を表わし、 ｒは０、１又は２の数であり、そして ｏは１ないし７の数であり、 ＹはCN、ハロゲン又はCH3を意味し、 Ｚは単結合又は−（CH2）ｐ−を意味するが、その際１
つのCH2−基は−Ｏ−、−Ｏ−CO−又は−CO−Ｏ−によ
って置き換えられていることができ、またｐは１、２、
３、４、５又は６であり、そして R0はＨ又はCH3を意味し、但しR0はＹと異なるものとす
る。
本発明は更に式Ｉの化合物を少なくとも１つ以上含む
強誘電性液晶相及びこのような液晶相を含む種々の液晶
ディスプレー成分、特に強誘電性電気光学的ディスプレ
ー成分にも関する。
強誘電性液晶相及びこのような液晶相を含む種々の液晶
ディスプレー成分、特に強誘電性電気光学的ディスプレ
ー成分にも関する。
本発明に従うこれらの相は好ましくは式Ｉの化合物を
２種以上、そして特に３種以上含む。特に好ましいもの
は、そのアキラル性基礎混合物が式Ｉの化合物に加え
て、負の誘電的異方性又は値の小さな正の誘電的異方性
を有する少なくとも１種の他の成分を含むような、本発
明に従うキラル傾斜スメクチック液晶相である。このア
キラル性基礎混合物の上記他の成分はその基礎混合物の
１ないし50％、好ましくは10ないし25％を構成すること
ができる。小さな値の正の、又は負の誘電的異方性を有
する適当な他の成分は式IVの化合物であってそれらは下
記IV aないしIV iの下位従属式の各種化合物を包含す
る： これらの式においてR4及びR5はそれぞれ３ないし12個
の炭素原子を含む、好ましくは直鎖状のアルキル、アル
コキシ、アルカノイロキシ又はアルコキシカルボニルで
ある。Ｘは好ましくは酸素である。式IV a、IV b、IV
d、IV e、IV f及びIV gの化合物において１個の1,4−フ
ェニレン基はハロゲン又はCN、特に好ましくは弗素によ
ってラテラル置換されていてもよい。
２種以上、そして特に３種以上含む。特に好ましいもの
は、そのアキラル性基礎混合物が式Ｉの化合物に加え
て、負の誘電的異方性又は値の小さな正の誘電的異方性
を有する少なくとも１種の他の成分を含むような、本発
明に従うキラル傾斜スメクチック液晶相である。このア
キラル性基礎混合物の上記他の成分はその基礎混合物の
１ないし50％、好ましくは10ないし25％を構成すること
ができる。小さな値の正の、又は負の誘電的異方性を有
する適当な他の成分は式IVの化合物であってそれらは下
記IV aないしIV iの下位従属式の各種化合物を包含す
る： これらの式においてR4及びR5はそれぞれ３ないし12個
の炭素原子を含む、好ましくは直鎖状のアルキル、アル
コキシ、アルカノイロキシ又はアルコキシカルボニルで
ある。Ｘは好ましくは酸素である。式IV a、IV b、IV
d、IV e、IV f及びIV gの化合物において１個の1,4−フ
ェニレン基はハロゲン又はCN、特に好ましくは弗素によ
ってラテラル置換されていてもよい。
特に好ましいものは式IV a、IV b、IV d及びIV fにお
いてR4及びR5がそれぞれ５ないし10個の炭素原子を含む
直鎖状のアルキル又はアルコキシであるような化合物で
ある。
いてR4及びR5がそれぞれ５ないし10個の炭素原子を含む
直鎖状のアルキル又はアルコキシであるような化合物で
ある。
特に好ましい個別の化合物を下記表Ｉにあげる： 下位従属式IV c、IV h及びIV iの化合物は融点を低下
させるための添加剤として適しており、そして通常はそ
の基礎混合物に５％を越えない量、好ましくは１ないし
３％の量で添加される。下位従属式IV c、IV h及びIV i
の化合物におけるR4及びR5は２ないし７個、好ましくは
３ないし５個の炭素原子を含む、好ましくは直鎖状のア
ルキルである。本発明に従う各相の融点を低下させるの
に適したもう一つの化合物群は下記式 においてR4及びR5が式IV c、IV h及びIV iについてあげ
た好ましい意味を有する化合物の群である。
させるための添加剤として適しており、そして通常はそ
の基礎混合物に５％を越えない量、好ましくは１ないし
３％の量で添加される。下位従属式IV c、IV h及びIV i
の化合物におけるR4及びR5は２ないし７個、好ましくは
３ないし５個の炭素原子を含む、好ましくは直鎖状のア
ルキルである。本発明に従う各相の融点を低下させるの
に適したもう一つの化合物群は下記式 においてR4及びR5が式IV c、IV h及びIV iについてあげ
た好ましい意味を有する化合物の群である。
負の誘電的異方性を有する他の適当な化合物は下記
Ａ、Ｂ又はＣの構造要素 を含む化合物である。
Ａ、Ｂ又はＣの構造要素 を含む化合物である。
この型の好ましい化合物は下記式Va、Vb及びVc のものである。
これらの式においてＲ′及びＲ″はそれぞれ２ないし
10個の炭素原子を含む、好ましくは直鎖状のアルキル基
又はアルコキシ基である。Q1及びQ2はそれぞれ1,4−フ
ェニレン、trans−1,4−シクロヘキシレン、4,4′−ビ
フェニリル、４−（trans−４−シクロヘキシル）フェ
ニル、又はtrans,trans−4,4′−ビシクロヘキシルであ
るか、又はQ1及びQ2の一方は単結合であってもよい。
10個の炭素原子を含む、好ましくは直鎖状のアルキル基
又はアルコキシ基である。Q1及びQ2はそれぞれ1,4−フ
ェニレン、trans−1,4−シクロヘキシレン、4,4′−ビ
フェニリル、４−（trans−４−シクロヘキシル）フェ
ニル、又はtrans,trans−4,4′−ビシクロヘキシルであ
るか、又はQ1及びQ2の一方は単結合であってもよい。
R3及びR4はそれぞれ1,4−フェニレン、4,4′−ビフェ
ニリル又はtrans−1,4−シクロヘキシレンである。Q3及
びQ4の基は一方はまた、CH基の少なくとも１つがＮで置
き換えられている。1,4−フェニレンであることもでき
る。Ｒ″′は の構造の非対称炭素原子を含む光学活性基である。式Vc
の特に好ましい化合物は下記式Vc′ においてＡが1,4−フェニレンであるか、又はtrans−1,
4−シクロヘキシレンであり、そしてｎが０又は１であ
るような化合物である。
ニリル又はtrans−1,4−シクロヘキシレンである。Q3及
びQ4の基は一方はまた、CH基の少なくとも１つがＮで置
き換えられている。1,4−フェニレンであることもでき
る。Ｒ″′は の構造の非対称炭素原子を含む光学活性基である。式Vc
の特に好ましい化合物は下記式Vc′ においてＡが1,4−フェニレンであるか、又はtrans−1,
4−シクロヘキシレンであり、そしてｎが０又は１であ
るような化合物である。
特に好ましいものは式I1の少なくとも１つのアキラル
性フルオロフェニルピリミジン、広いSc相を有する基礎
物質として式Vc′においてＲ″′が18個までの炭素原子
を含むアルキル基又はアルコキシ基であるような少なく
とも１つのアキラル性フェニルピリミジンと、光学活性
のドープ物質として式Ｉ＊の少なくとも１つのキラル性
フルオロフェニルピリミジンを含む強誘電性の各種液晶
相である。式I1、Vc′及びＩ＊の上述の化合物に加え
て、下記式Vdの少なくとも１つのフェニルピリジン化合
物及び／又は下記式Veの１つの2,3−ジフルオロフェニ
ルピリミジン化合物及び／又は下記式Vfの１つのフェニ
ルピリミジン化合物を含む強誘電性液晶相が更に好まし
い： 下記式 I4 において ｍおよびｎがそれぞれ互いに独立に１ないし18の数で
あり Q4が−Ｏ−又は単結合を表わし、そして Q5が−CO−、 又は単結合を表わす アキラル性のフルオロフェニルピリミジン化合物がスメ
クチックな基礎物質の成分として特に適している。
性フルオロフェニルピリミジン、広いSc相を有する基礎
物質として式Vc′においてＲ″′が18個までの炭素原子
を含むアルキル基又はアルコキシ基であるような少なく
とも１つのアキラル性フェニルピリミジンと、光学活性
のドープ物質として式Ｉ＊の少なくとも１つのキラル性
フルオロフェニルピリミジンを含む強誘電性の各種液晶
相である。式I1、Vc′及びＩ＊の上述の化合物に加え
て、下記式Vdの少なくとも１つのフェニルピリジン化合
物及び／又は下記式Veの１つの2,3−ジフルオロフェニ
ルピリミジン化合物及び／又は下記式Vfの１つのフェニ
ルピリミジン化合物を含む強誘電性液晶相が更に好まし
い： 下記式 I4 において ｍおよびｎがそれぞれ互いに独立に１ないし18の数で
あり Q4が−Ｏ−又は単結合を表わし、そして Q5が−CO−、 又は単結合を表わす アキラル性のフルオロフェニルピリミジン化合物がスメ
クチックな基礎物質の成分として特に適している。
これら式I4の化合物は下記にあげる式IaないしIfのア
キラル性の好ましい２核性及び３核性の化合物を包含す
る： 前記式I2及びI3の化合物は下にあげるIgないしIjの式
のアキラル性の好ましい化合物を包含する： これらの中では下位従属式Ia及びIbの化合物が特に好
ましい。
キラル性の好ましい２核性及び３核性の化合物を包含す
る： 前記式I2及びI3の化合物は下にあげるIgないしIjの式
のアキラル性の好ましい化合物を包含する： これらの中では下位従属式Ia及びIbの化合物が特に好
ましい。
ｍは好ましくは５ないし14、特に６ないし12の数であ
り、ｎは好ましくは３ないし12の数である。CmH2m+1及
びCnH2n+1の基は好ましくは直鎖基である。この型の比
較的短い基を有する式Ｉの化合物も種々のマネチック相
の成分として適している。
り、ｎは好ましくは３ないし12の数である。CmH2m+1及
びCnH2n+1の基は好ましくは直鎖基である。この型の比
較的短い基を有する式Ｉの化合物も種々のマネチック相
の成分として適している。
R1及びR2の基が式IIIの基である式Ｉ＊のキラルフル
オロピリミジン化合物はスメクチックな基礎材料中に強
誘電性をもたらすためのドープ物質として極めて適して
いる。それらは特に高い自発分極の値によって際立って
いる。
オロピリミジン化合物はスメクチックな基礎材料中に強
誘電性をもたらすためのドープ物質として極めて適して
いる。それらは特に高い自発分極の値によって際立って
いる。
更にまたそれらはこれらの基礎材料のスメクチック相
を不安定化しない。式IIIの基を以下においてＲ＊と表
わすことにする。
を不安定化しない。式IIIの基を以下においてＲ＊と表
わすことにする。
従って式Ｉ＊の各キラル化合物は２環を含む下記下位
従属式IkないしIpの化合物及び式IqないしIwの３環を含
む化合物を包含するが、これらの式においてｍ及びｎは
式IaないしIhの化合物についてあげた好ましい意味を有
する。
従属式IkないしIpの化合物及び式IqないしIwの３環を含
む化合物を包含するが、これらの式においてｍ及びｎは
式IaないしIhの化合物についてあげた好ましい意味を有
する。
特に好ましいものは下位従属式Ik及びIoの化合物であ
る。
る。
これらのうちではＲ＊が下記式III a の基を表わし、但しこの式においてｏ及びQ3は前述した
意味を有し、ｒは１又は２の数を、そしてｐは０又は１
の数を表わすような式Ｉのキラル化合物が特に好まし
い。
意味を有し、ｒは１又は２の数を、そしてｐは０又は１
の数を表わすような式Ｉのキラル化合物が特に好まし
い。
従って式III aのキラル基は下記式III a1ないしIII a
6のキラル性のモノフルオロアルキル、モノフルオロオ
キサアルキル及アルカノイロキシモノフルオロアルキル
基、Rf ＊を包含する： 上記式III a1ないしIII a6のキラルモノフルオロ基Rf
＊のうちでは式III a1、III a3及びIII a5の基が特に好
ましく、中でもｒが２であるものが好ましい。
6のキラル性のモノフルオロアルキル、モノフルオロオ
キサアルキル及アルカノイロキシモノフルオロアルキル
基、Rf ＊を包含する： 上記式III a1ないしIII a6のキラルモノフルオロ基Rf
＊のうちでは式III a1、III a3及びIII a5の基が特に好
ましく、中でもｒが２であるものが好ましい。
更に、式ＩにおいてＲ＊が下記式III b においてｏ及びQ3が前述した意味を有し、ｒが１又は２
であり、そしてｐが０又は１である基を表わすようなキ
ラル化合物が好ましい。
であり、そしてｐが０又は１である基を表わすようなキ
ラル化合物が好ましい。
式Ｉの各化合物は文献において記述されているような
公知の方法により製造される〔例えばSruttgartのGeorg
−Thieme Verlag刊行のHouben−Wey1:“Methoden der O
rganischen Chemie"のような標準的著作にあげられてい
るもの〕。
公知の方法により製造される〔例えばSruttgartのGeorg
−Thieme Verlag刊行のHouben−Wey1:“Methoden der O
rganischen Chemie"のような標準的著作にあげられてい
るもの〕。
各出発物質は所望の場合にはその場で形成させること
ができ、それによりそれらを反応混合物から分離するこ
となく直ちに更に反応させて式Ｉの化合物にすることが
できる。
ができ、それによりそれらを反応混合物から分離するこ
となく直ちに更に反応させて式Ｉの化合物にすることが
できる。
本発明に従う各化合物は下記の反応式に従って簡単に
製造することができる： ベンジル基は水素化分解的に分解除去し、次いでその
ヒドロキシル基をあらためて公知の方法でエーテル化す
るか又はエステル化することができる。
製造することができる： ベンジル基は水素化分解的に分解除去し、次いでその
ヒドロキシル基をあらためて公知の方法でエーテル化す
るか又はエステル化することができる。
すなわち式I2においてｒが２である化合物を製造する
ために、光学活性のりんご酸から下記の反応式Ｉにより
適当な種々の前段階物を製造することができる。
ために、光学活性のりんご酸から下記の反応式Ｉにより
適当な種々の前段階物を製造することができる。
この段階まではその合成はMori等〔K.Mori、T.Takiga
wa及びT.Matuo:“Tetrahedron"35,933−944（1979）〕
によって記述されている。
wa及びT.Matuo:“Tetrahedron"35,933−944（1979）〕
によって記述されている。
次に後になってMeyers及びLawsonはこの方法で得られ
たアセトン化物の化学的純度が約90％に過ぎないことを
見いだしている〔A.I.Meyers及びJ.P.Lawson:“THL"23,
4883−4886（1982）〕。
たアセトン化物の化学的純度が約90％に過ぎないことを
見いだしている〔A.I.Meyers及びJ.P.Lawson:“THL"23,
4883−4886（1982）〕。
このことはさておいても、このアセトン化物の遊離ア
ルコール基は通常の方法によってエーテル化することが
できる〔例えばC.A.Brown及びD.Barton:“Synthesis"
（1974）434又はB.R.Jursic:“Tetrahedron"44,6677−6
680（1988）〕。
ルコール基は通常の方法によってエーテル化することが
できる〔例えばC.A.Brown及びD.Barton:“Synthesis"
（1974）434又はB.R.Jursic:“Tetrahedron"44,6677−6
680（1988）〕。
そのベンジルエーテル〔K.Isaac及びP.Kocienski:
“J.Chem.Soc.,Chem.Commun."（1982）460−462〕は中
でも保護基として適しており、と言うのはこのものは後
で容易に加水分解的に分解分離することができるからで
ある。標準条件のもとでそのイソプロピリデンケタール
のエーテル化の後で1,2−ジオールに加水分解され、そ
してこのものは次にDi Fabio及びMisitiの反応条件に従
って対応するエポキシド化合物に変えられる〔R.Di Fab
io及びD.Misiti:“Gazetta Chimica Italiana118,209−
210（1988）〕。
“J.Chem.Soc.,Chem.Commun."（1982）460−462〕は中
でも保護基として適しており、と言うのはこのものは後
で容易に加水分解的に分解分離することができるからで
ある。標準条件のもとでそのイソプロピリデンケタール
のエーテル化の後で1,2−ジオールに加水分解され、そ
してこのものは次にDi Fabio及びMisitiの反応条件に従
って対応するエポキシド化合物に変えられる〔R.Di Fab
io及びD.Misiti:“Gazetta Chimica Italiana118,209−
210（1988）〕。
このアセトン化物をHBr/酢酸で処理し、そしてそのよ
うにして得られたブロモオキシアルキルアセテートをＫ
−ペンタノレートと反応させることにより、同様に所望
のエポキシド化合物はU.Schmidt等の報告〔U.Schmidt、
J.Tabiersky、F.Bartowiak及びJ.Wild:“Angew.Chem."9
2,201−201（1980）〕に従い、下記反応式IIにより与え
られる。
うにして得られたブロモオキシアルキルアセテートをＫ
−ペンタノレートと反応させることにより、同様に所望
のエポキシド化合物はU.Schmidt等の報告〔U.Schmidt、
J.Tabiersky、F.Bartowiak及びJ.Wild:“Angew.Chem."9
2,201−201（1980）〕に従い、下記反応式IIにより与え
られる。
このエポキシド化合物の上記式II aに従う有機金属化
合物との反応、好ましくはグリニヤ化合物との反応によ
ってそのエポキシドの、より少なく置換されている炭素
原子のところでの開環のもとに高い選択性において対応
するアルコールが生ずるが、このアルコールはDASTによ
って標準条件のもとで弗素化される。水素化分解によっ
てそのキラル性アルコールが生じ、このものはフェノー
ル又は５−ヒドロキシピリミジン化合物によりエーテル
化される。
合物との反応、好ましくはグリニヤ化合物との反応によ
ってそのエポキシドの、より少なく置換されている炭素
原子のところでの開環のもとに高い選択性において対応
するアルコールが生ずるが、このアルコールはDASTによ
って標準条件のもとで弗素化される。水素化分解によっ
てそのキラル性アルコールが生じ、このものはフェノー
ル又は５−ヒドロキシピリミジン化合物によりエーテル
化される。
このエポキシドをピリジン/HFで開環したとき〔N.Mon
gelli、F.Animati等：“Synthesis"310（1988）〕は対
応するフルオロフルコールが得られ、このものは次に対
応するトシル化物に変えることができる。このようなト
シル化物は特に下記反応式III又はIVに従いフェノール
類及び５−ヒドロキシピリミジン類をアルキル化するの
に適している。
gelli、F.Animati等：“Synthesis"310（1988）〕は対
応するフルオロフルコールが得られ、このものは次に対
応するトシル化物に変えることができる。このようなト
シル化物は特に下記反応式III又はIVに従いフェノール
類及び５−ヒドロキシピリミジン類をアルキル化するの
に適している。
上記の各反応式が示すように、このエポキシド化合物
は直接フェノール類と反応させることができる。このエ
ポキシド化合物は、より少なく置換されている炭素原子
のところで高い選択性で開環してキラル性の第２級アル
コールを形成し、このものは次にDASTにより本発明に従
う化合物に変えられるが、これはインバーションによっ
て行われる。アルコール化合物のDASTとの通常的反応に
ついてはM.Hudlicky:“Organic Reactions"35,513−637
（1987）を参照されたい。
は直接フェノール類と反応させることができる。このエ
ポキシド化合物は、より少なく置換されている炭素原子
のところで高い選択性で開環してキラル性の第２級アル
コールを形成し、このものは次にDASTにより本発明に従
う化合物に変えられるが、これはインバーションによっ
て行われる。アルコール化合物のDASTとの通常的反応に
ついてはM.Hudlicky:“Organic Reactions"35,513−637
（1987）を参照されたい。
Q3が−Ｏ−CO−である本発明に従う化合物は対応する
ベンジルエーテル化合物から水素化分解及び引き続くエ
ステル化によって作ることができる。この製造は下記の
合成反応式Ｖによって示される。
ベンジルエーテル化合物から水素化分解及び引き続くエ
ステル化によって作ることができる。この製造は下記の
合成反応式Ｖによって示される。
Q3が−Ｏ−CO−である化合物は更にまた対応するフル
オロアルコール化合物を酸化し、次いで下記反応式VIに
従いメソ相形成性フェノール化合物によりエステル化す
ることによっても得られる： この酸化反応の間にラセミ化が生じたときは光学活性
フルオロ酸類はHelmchenのラセミ分割〔“Angew.Chem.
“91,65（1979）〕によって得ることができる。
オロアルコール化合物を酸化し、次いで下記反応式VIに
従いメソ相形成性フェノール化合物によりエステル化す
ることによっても得られる： この酸化反応の間にラセミ化が生じたときは光学活性
フルオロ酸類はHelmchenのラセミ分割〔“Angew.Chem.
“91,65（1979）〕によって得ることができる。
例えば２−フルオロトルニトリルのようなCH−アジド
化合物もエポキシド化合物を適当な塩基の存在のもとに
開環させて光学活性の第２級アルコールを形成させ、こ
のものを次にDASTによりインバージョンのもとに弗素化
させる。好ましい反応経路を下記反応式VIIにあげる。
化合物もエポキシド化合物を適当な塩基の存在のもとに
開環させて光学活性の第２級アルコールを形成させ、こ
のものを次にDASTによりインバージョンのもとに弗素化
させる。好ましい反応経路を下記反応式VIIにあげる。
式Ｉにおいてｒが１である化合物は下記式 の公知のエポキシド化合物又はこれらから通常の方法で
得ることのできる下記式 のフルオロアルコール化合物を用いて同様に製造するこ
とができる。
得ることのできる下記式 のフルオロアルコール化合物を用いて同様に製造するこ
とができる。
式Ｉの化合物はまた、例えば逆ツイストを防ぐための
ネマチック液晶相の成分としても適している。
ネマチック液晶相の成分としても適している。
本発明に従うこれらの液晶相は式Ｉの少なくとも１種
の化合物を含む２ないし25個、好ましくは３ないし15個
の成分より構成される。その他の成分は好ましくはネマ
チックな、又はネマチック性の物質、特にアゾキシベン
ゼン類、ベンジリデンアニリン類、ビフェニル類、ター
フェニル類、フェニル又はシクロヘキシルベンゾエート
類、フェニル又はシクロヘキシルシクロヘキサンカルボ
キシレート類、フェニルシクロヘキサン類、シクロヘキ
シルビフェニル類、シクロヘキシルシクロヘキサン類、
シクロヘキシルナフタレン類、1,4−ビスシクロヘキシ
ルベンゼン類、4,4′−ビスシクロヘキシルビフェニル
類、フェニル又はシクロヘキシルピリミジン類、フェニ
ル又はシクロヘキシルピリダジン類及びそれらのＮ−オ
キシド類、フェニル又はシクロヘキシルジオキサン類、
フェニル−1,3−又はシクロヘキシル−1,3−ジチアン
類、1,2−ジフエニルエタン類、1,2−ジシクロヘキシル
エタン類、１−フェニル−２−シクロヘキシルエタン
類、光学的にハロゲン化されたスチルベン類、ベンジル
フェニルエーテル類、トラン類及び置換された桂皮酸類
よりなる群からの公知の物質により選ばれる。
の化合物を含む２ないし25個、好ましくは３ないし15個
の成分より構成される。その他の成分は好ましくはネマ
チックな、又はネマチック性の物質、特にアゾキシベン
ゼン類、ベンジリデンアニリン類、ビフェニル類、ター
フェニル類、フェニル又はシクロヘキシルベンゾエート
類、フェニル又はシクロヘキシルシクロヘキサンカルボ
キシレート類、フェニルシクロヘキサン類、シクロヘキ
シルビフェニル類、シクロヘキシルシクロヘキサン類、
シクロヘキシルナフタレン類、1,4−ビスシクロヘキシ
ルベンゼン類、4,4′−ビスシクロヘキシルビフェニル
類、フェニル又はシクロヘキシルピリミジン類、フェニ
ル又はシクロヘキシルピリダジン類及びそれらのＮ−オ
キシド類、フェニル又はシクロヘキシルジオキサン類、
フェニル−1,3−又はシクロヘキシル−1,3−ジチアン
類、1,2−ジフエニルエタン類、1,2−ジシクロヘキシル
エタン類、１−フェニル−２−シクロヘキシルエタン
類、光学的にハロゲン化されたスチルベン類、ベンジル
フェニルエーテル類、トラン類及び置換された桂皮酸類
よりなる群からの公知の物質により選ばれる。
そのような液晶相の成分として適している最も重要な
化合物は下記式Ｉ′ Ｒ′−Ｌ−Ｇ−Ｅ−Ｒ″ Ｉ′ によって特徴づけることができ、この式においてＬ及び
Ｅはそれぞれ1,4−ジ置換されたベンゼン環及びシクロ
ヘキサン環、4,4′−ジ置換されたビフェニル、フェニ
ルシクロヘキサン及びシクロヘキシルシクロヘキサン
系、2,5−ジ置換されたピリミジン環及び1,3−ジオキサ
ン環、2,6−ジ置換されたナフタレン、ジ及びテトラヒ
ドロナフタレン、キナゾリン及びテトラヒドロキナゾリ
ンよりなる群からなる炭素環式又はヘテロ環式の環系を
表わし、Ｇは −CH＝CH− −CO−Ｓ− −CH2
−CH2− −CH−CY− −CH＝Ｎ− −CH2
−Ｏ− −Ｃ≡Ｃ− −Ｎ（Ｏ）＝Ｎ− −CH2
−Ｓ− −CO−Ｏ− −CH＝Ｎ（Ｏ）− −COO
−PHe−COO− 又はＣ−Ｃ端結合を表わし、Ｙはハロゲン、好ましくは
塩素又は−CNを表わし、そしてＲ′及びＲ″は18個ま
で、好ましくは８個までの炭素原子を含むアルキル、ア
ルコキシ、アルカノイロキシ、アルコキシカルボニル又
はアルコキシカルボニロキシであるが、但しこれらの基
の一方はCN、NC、NO2、CF3、Ｆ、Cl又はBrであってもよ
い。
化合物は下記式Ｉ′ Ｒ′−Ｌ−Ｇ−Ｅ−Ｒ″ Ｉ′ によって特徴づけることができ、この式においてＬ及び
Ｅはそれぞれ1,4−ジ置換されたベンゼン環及びシクロ
ヘキサン環、4,4′−ジ置換されたビフェニル、フェニ
ルシクロヘキサン及びシクロヘキシルシクロヘキサン
系、2,5−ジ置換されたピリミジン環及び1,3−ジオキサ
ン環、2,6−ジ置換されたナフタレン、ジ及びテトラヒ
ドロナフタレン、キナゾリン及びテトラヒドロキナゾリ
ンよりなる群からなる炭素環式又はヘテロ環式の環系を
表わし、Ｇは −CH＝CH− −CO−Ｓ− −CH2
−CH2− −CH−CY− −CH＝Ｎ− −CH2
−Ｏ− −Ｃ≡Ｃ− −Ｎ（Ｏ）＝Ｎ− −CH2
−Ｓ− −CO−Ｏ− −CH＝Ｎ（Ｏ）− −COO
−PHe−COO− 又はＣ−Ｃ端結合を表わし、Ｙはハロゲン、好ましくは
塩素又は−CNを表わし、そしてＲ′及びＲ″は18個ま
で、好ましくは８個までの炭素原子を含むアルキル、ア
ルコキシ、アルカノイロキシ、アルコキシカルボニル又
はアルコキシカルボニロキシであるが、但しこれらの基
の一方はCN、NC、NO2、CF3、Ｆ、Cl又はBrであってもよ
い。
これらの化合物の殆どのものにおいてＲ′とＲ″とは
互いに異なっているが、これらの基の一方は通常はアル
キル基又はアルコキシ基である。しかしながらまたそれ
らの置換基の他の変形態様も使用することができる。こ
れらの物質或いはまたそれらの混合物の多くのものは市
販において入手することができる。これらの物質は全て
文献において公知の方法により得ることができる。
互いに異なっているが、これらの基の一方は通常はアル
キル基又はアルコキシ基である。しかしながらまたそれ
らの置換基の他の変形態様も使用することができる。こ
れらの物質或いはまたそれらの混合物の多くのものは市
販において入手することができる。これらの物質は全て
文献において公知の方法により得ることができる。
本発明に従う各種相は式Ｉの１種以上の化合物の約0.
1ないし99％、なかでも10ないし95％を含む。更にま
た、本発明に従う液晶相は式Ｉの１種以上の化合物を0.
1〜40％、なかでも0.5〜30％含むものが好ましい。
1ないし99％、なかでも10ないし95％を含む。更にま
た、本発明に従う液晶相は式Ｉの１種以上の化合物を0.
1〜40％、なかでも0.5〜30％含むものが好ましい。
本発明に従う各種相の製造は通常の方法で行われる。
一般に各成分を互いに、好都合には高められた温度にお
いて溶解させる。
一般に各成分を互いに、好都合には高められた温度にお
いて溶解させる。
適当な添加物によって本発明に従う各液晶相はこれま
で公知となっている全ての種類の液晶ディスプレー要素
において使用し得るように改質することができる。
で公知となっている全ての種類の液晶ディスプレー要素
において使用し得るように改質することができる。
このような添加物は当業者に公知であって文献におい
て詳細に記述されている。例えば導電性塩類、なかでも
エチル−ジメチル−ドデシル−アンモニウム−４−ヘキ
シルオキシベンゾエート、テトラブチルアンモニウム−
テトラフェニルボロネート又はクラウンエーテル類の錯
塩〔例えばI.Haller等：“Mol.Cryst.Liq.Cryst."第24
巻、249−258頁（1973）参照〕を伝導度の改善のため
に、多色性染料を着色したゲスト／ホスト系の製造のた
めに、或いは種々の物質を誘電的異方性、粘度及び／又
はネマチツク相の配向の変化のために添加することがで
きる。
て詳細に記述されている。例えば導電性塩類、なかでも
エチル−ジメチル−ドデシル−アンモニウム−４−ヘキ
シルオキシベンゾエート、テトラブチルアンモニウム−
テトラフェニルボロネート又はクラウンエーテル類の錯
塩〔例えばI.Haller等：“Mol.Cryst.Liq.Cryst."第24
巻、249−258頁（1973）参照〕を伝導度の改善のため
に、多色性染料を着色したゲスト／ホスト系の製造のた
めに、或いは種々の物質を誘電的異方性、粘度及び／又
はネマチツク相の配向の変化のために添加することがで
きる。
このような物質は、例えばドイツ特許公開第2209127
号、同2240864号、同2321632号、同2338281号、同24500
88号、同2637430号、同2853728号及び同2902177号の各
公報に記述されている。
号、同2240864号、同2321632号、同2338281号、同24500
88号、同2637430号、同2853728号及び同2902177号の各
公報に記述されている。
以下にあげる例はなんら制限をもたらすことなく本発
明を説明するものである。これらにおいてm.p.は融点
を、そしてc.p.は透明点を表わす。以上及び以下の記述
において％のデータは重量％の値であり、全ての温度は
℃の値である。「標準的に後処理する」とは、水を加
え、塩化メチレンで抽出し、分離し、有機相を乾燥さ
せ、蒸発濃縮し、そしてその生成物を結晶化及び／又は
クロマトグラフィーにより精製することを意味する。
明を説明するものである。これらにおいてm.p.は融点
を、そしてc.p.は透明点を表わす。以上及び以下の記述
において％のデータは重量％の値であり、全ての温度は
℃の値である。「標準的に後処理する」とは、水を加
え、塩化メチレンで抽出し、分離し、有機相を乾燥さ
せ、蒸発濃縮し、そしてその生成物を結晶化及び／又は
クロマトグラフィーにより精製することを意味する。
また C:結晶 N:ネマチック S:スメクチック I:等方性 をそれぞれ表わす。
これらの記号の間にあげられている数字はそれぞれの
℃で表わした相転移温度を示す。なお、下記の略記号を
用いる： DAST:ジエチルアミノ硫黄トリフルオライド DMF:ジメチルホルムアミド ｎ−BuLi:n−ブチルリチウム 例１ 0.15モルのPOCl3に0.185モルのDMFを冷却しながら加
える。15分後に50mlのDMF中の0.1モルのベンジロキシア
セトアルデヒドジエチルアセタールの溶液を加え、そし
てこの混合物を次に50℃に加熱する。12時間後にこの反
応混合物を室温まで冷却し、そして0.1モルの４−ヘプ
チロキシ−２−フルオロベンズアミジン塩酸塩を加え
る。この条件のもとで温度は約40℃に上昇する。この反
応混合物を30分間撹拌し、次いで110mlのトリエチルア
ミンを加える。この条件のもとで温度は約70℃に上昇
し、そして反応混合物は粘稠になる。撹拌しやすさを改
善するためにこの混合物はDMFで稀釈してもよい。次に
トリエチルアミンを蒸留除去し、残渣を約100℃まで冷
却し、次いで500mlの水を加え、そしてこの混合物を濃
塩酸で酸性化する。この条件のもとで生じた沈殿を吸引
濾過分離し、充分に水で洗浄して真空中で乾燥させる。
このようにして得られたベンジロキシ化合物をTHF中に
取り入れて加圧することなくPd触媒（Pd/C5％、E101R
W）を用いて室温において水素化する。触媒を分離した
後でその溶液を真空中で蒸発濃縮し、ヒドロキシピリミ
ジンをメチルエチルケトン中に取り入れて還流のもとに
当量の乾燥炭酸カリウム及びブロモノナンの存在のもと
に12時間煮沸する。標準的に後処理することにより、下
記の相転位点を有する２−（４−ヘプチロキシ−２−フ
ルオロフェニル）−５−ノニルオキシピリミジンが得ら
れる:C39Sc60N73.1;Δε＝−0.1 同様にして下記の式I4の各化合物が作られる： 式I2の化合物は同様にして２−（４′−アルキル−２
−フルオロ−４−ビフェニル）−５−ヒドロキシピリミ
ジン化合物（例１に従い４′−アルキロキシ−２−フル
オロ−４−ビフェニリルカルバミド化合物から作られ
る）から得られる。
℃で表わした相転移温度を示す。なお、下記の略記号を
用いる： DAST:ジエチルアミノ硫黄トリフルオライド DMF:ジメチルホルムアミド ｎ−BuLi:n−ブチルリチウム 例１ 0.15モルのPOCl3に0.185モルのDMFを冷却しながら加
える。15分後に50mlのDMF中の0.1モルのベンジロキシア
セトアルデヒドジエチルアセタールの溶液を加え、そし
てこの混合物を次に50℃に加熱する。12時間後にこの反
応混合物を室温まで冷却し、そして0.1モルの４−ヘプ
チロキシ−２−フルオロベンズアミジン塩酸塩を加え
る。この条件のもとで温度は約40℃に上昇する。この反
応混合物を30分間撹拌し、次いで110mlのトリエチルア
ミンを加える。この条件のもとで温度は約70℃に上昇
し、そして反応混合物は粘稠になる。撹拌しやすさを改
善するためにこの混合物はDMFで稀釈してもよい。次に
トリエチルアミンを蒸留除去し、残渣を約100℃まで冷
却し、次いで500mlの水を加え、そしてこの混合物を濃
塩酸で酸性化する。この条件のもとで生じた沈殿を吸引
濾過分離し、充分に水で洗浄して真空中で乾燥させる。
このようにして得られたベンジロキシ化合物をTHF中に
取り入れて加圧することなくPd触媒（Pd/C5％、E101R
W）を用いて室温において水素化する。触媒を分離した
後でその溶液を真空中で蒸発濃縮し、ヒドロキシピリミ
ジンをメチルエチルケトン中に取り入れて還流のもとに
当量の乾燥炭酸カリウム及びブロモノナンの存在のもと
に12時間煮沸する。標準的に後処理することにより、下
記の相転位点を有する２−（４−ヘプチロキシ−２−フ
ルオロフェニル）−５−ノニルオキシピリミジンが得ら
れる:C39Sc60N73.1;Δε＝−0.1 同様にして下記の式I4の各化合物が作られる： 式I2の化合物は同様にして２−（４′−アルキル−２
−フルオロ−４−ビフェニル）−５−ヒドロキシピリミ
ジン化合物（例１に従い４′−アルキロキシ−２−フル
オロ−４−ビフェニリルカルバミド化合物から作られ
る）から得られる。
I3の化合物は同様にして２−（４′−アルコキシ−
２′−フルオロ−４−ビフェニリル）−５−ヒドロキシ
ピリミジン化合物（例１に従い４′−アルコキシ−２′
−フルオロ−４−ビフェニリルカルバミド化合物から作
られる）から得られる。
２′−フルオロ−４−ビフェニリル）−５−ヒドロキシ
ピリミジン化合物（例１に従い４′−アルコキシ−２′
−フルオロ−４−ビフェニリルカルバミド化合物から作
られる）から得られる。
例２ 0.1モルの２−（４−ヘプチロキシ−２−フルオロフ
ェニル）−５−ヒドロキシピリミジン（例１に従い４−
ヘプチロキシ−２−フルオロベンズアミジンから作られ
る）を0.12モルのピリジンと共にトルエンに溶解し、そ
して次に0.1モルの塩化ノナノイルを室温において加え
る。次に撹拌を12時間行い、そして標準的に後処理す
る。２−（４−ヘプチロキシ−２−フルオロフェニル）
−５−ノナノイロキシピリミジンが得られる。C65I;Δ
ε＝−0.2 式Ｉの下記のエステル化合物が同様にして得られる： 例３ 塩化メチレン中の0.1モルの５−ヘプチロキシ−２−
［４−（２−ヒドロキシ−５−オキサオクチロキシ）−
２フルオロフェニル］ピリミジン〔これはマレイン酸か
ら得られる光学活性の1,2−エポキシ−５−オキサオク
タンを乾燥炭酸カリウムと溶剤としてのメチルエチルケ
トンとの存在のもとに５−ヘプチロキシ−２−（４−ヒ
ドロキシ−２−フルオロフェニル）ピリミジンとともに
加熱することによって作られる〕の溶液を−40℃に冷却
し、そしてこれに0.11モルのDASTを湿分の排除のもとに
滴加する。次にこの反応混合物をゆっくりと室温まで加
熱しながら12時間撹拌する。次いで加水分解を氷冷のも
とに実施し、そしてその反応混合物を希水酸化ナトリウ
ム溶液で洗浄し、そして水で数回洗浄する。硫酸マグネ
シウムの上で乾燥した後に溶媒をロータリーエバポレー
ターで除去し、そしてその粗生成物をクロマトグラフィ
ー及び結晶化により精製する。光学活性の５−ヘプチロ
キシ−２−［４−（２−フルオロ−５−オキサオクチロ
キシ）−２−フルオロフェニル］ピリミジンが得られ
る。
ェニル）−５−ヒドロキシピリミジン（例１に従い４−
ヘプチロキシ−２−フルオロベンズアミジンから作られ
る）を0.12モルのピリジンと共にトルエンに溶解し、そ
して次に0.1モルの塩化ノナノイルを室温において加え
る。次に撹拌を12時間行い、そして標準的に後処理す
る。２−（４−ヘプチロキシ−２−フルオロフェニル）
−５−ノナノイロキシピリミジンが得られる。C65I;Δ
ε＝−0.2 式Ｉの下記のエステル化合物が同様にして得られる： 例３ 塩化メチレン中の0.1モルの５−ヘプチロキシ−２−
［４−（２−ヒドロキシ−５−オキサオクチロキシ）−
２フルオロフェニル］ピリミジン〔これはマレイン酸か
ら得られる光学活性の1,2−エポキシ−５−オキサオク
タンを乾燥炭酸カリウムと溶剤としてのメチルエチルケ
トンとの存在のもとに５−ヘプチロキシ−２−（４−ヒ
ドロキシ−２−フルオロフェニル）ピリミジンとともに
加熱することによって作られる〕の溶液を−40℃に冷却
し、そしてこれに0.11モルのDASTを湿分の排除のもとに
滴加する。次にこの反応混合物をゆっくりと室温まで加
熱しながら12時間撹拌する。次いで加水分解を氷冷のも
とに実施し、そしてその反応混合物を希水酸化ナトリウ
ム溶液で洗浄し、そして水で数回洗浄する。硫酸マグネ
シウムの上で乾燥した後に溶媒をロータリーエバポレー
ターで除去し、そしてその粗生成物をクロマトグラフィ
ー及び結晶化により精製する。光学活性の５−ヘプチロ
キシ−２−［４−（２−フルオロ−５−オキサオクチロ
キシ）−２−フルオロフェニル］ピリミジンが得られ
る。
同様にして式I1の下記の化合物が作られる。
例４ 例３と同様にして0.1モルの２−（４−オクチロキシ
−２−フルオロフェニル）−５−ヒドロキシピリミジン
（これは例１に従い作られる）及び0.1モルの光学活性
の1,2−エポキシ−５−オクタンから２−（４−オクチ
ロキシ−２−フルオロフェニル）−５−（２−フルオロ
−５−オキシオクチロキシ）ピリミジンが得られる。
−２−フルオロフェニル）−５−ヒドロキシピリミジン
（これは例１に従い作られる）及び0.1モルの光学活性
の1,2−エポキシ−５−オクタンから２−（４−オクチ
ロキシ−２−フルオロフェニル）−５−（２−フルオロ
−５−オキシオクチロキシ）ピリミジンが得られる。
同様にして式IIの下記の化合物が得られる： 例５ THF中に溶解した0.17モルのジエチルアゾジカルボキ
シレート（DEAD）を400mlのTHF中の0.15モルの２−（４
−デシロキシ−２−フルオロフェニル）−５−ヒドロキ
シピリミジン（これは例１に従い作られる）、0.17モル
のエチルＬ（−）−ラクテート及び0.15モルのトリフェ
ニルホスフィンの溶液に加える。この過程のおいて反応
温度50℃を超えないようにしなければならない。撹拌を
50℃において１時間行い、次いで室温において１時間行
う。次に溶媒を溜去し、残渣を熱トルエン中に溶解し、
そしてこの溶液をゆっくりと冷却させる。沈殿したトリ
フェニルホスフィンオキサイドを吸引濾過分離し、濾液
を濃縮してその残渣をクロマトグラフィーにより精製す
る。エチル２−［２−（４−デシロキシ−２−フルオロ
フェニル）ピリミジン−５−オキシ］プロピオネートが
得られる。
シレート（DEAD）を400mlのTHF中の0.15モルの２−（４
−デシロキシ−２−フルオロフェニル）−５−ヒドロキ
シピリミジン（これは例１に従い作られる）、0.17モル
のエチルＬ（−）−ラクテート及び0.15モルのトリフェ
ニルホスフィンの溶液に加える。この過程のおいて反応
温度50℃を超えないようにしなければならない。撹拌を
50℃において１時間行い、次いで室温において１時間行
う。次に溶媒を溜去し、残渣を熱トルエン中に溶解し、
そしてこの溶液をゆっくりと冷却させる。沈殿したトリ
フェニルホスフィンオキサイドを吸引濾過分離し、濾液
を濃縮してその残渣をクロマトグラフィーにより精製す
る。エチル２−［２−（４−デシロキシ−２−フルオロ
フェニル）ピリミジン−５−オキシ］プロピオネートが
得られる。
例６ ジエチルアゾジカルボキシレート（DEAD）／トリフェ
ニルホスフィンと２−（４−オクチロキシ−２−フルオ
ロフェニル）−５−ヒドロキシピリミジン（これは例１
に従い作られる）とによって光学活性の乳酸ベンジルを
エーテル化し、次いでそのベンジル基を水素化分解によ
り分解除去する。そのようにして得られた酸を通常のよ
うにニトリル（塩化オキザリル、アンモニア、塩化チオ
ニル）に変える。光学活性の２−（４−オクチロキシ−
２−フルオロフェニル）−５−（１−シアノエトキシ）
ピリミジンが得られる。
ニルホスフィンと２−（４−オクチロキシ−２−フルオ
ロフェニル）−５−ヒドロキシピリミジン（これは例１
に従い作られる）とによって光学活性の乳酸ベンジルを
エーテル化し、次いでそのベンジル基を水素化分解によ
り分解除去する。そのようにして得られた酸を通常のよ
うにニトリル（塩化オキザリル、アンモニア、塩化チオ
ニル）に変える。光学活性の２−（４−オクチロキシ−
２−フルオロフェニル）−５−（１−シアノエトキシ）
ピリミジンが得られる。
例７ 塩化メチレン中の0.1モルのDCCの溶液を、250mlの塩
化メチレンの中の0.1モルの２−（４−オクチル−２−
フルオロフェニル）−５−ヒドロキシピリミジン（これ
は例１に従い作られる）、0.1モルの光学活性の２−ク
ロロ−３−メチル乳酸（バリンから作られる）及び触媒
量の４−（N,N−ジメチルアミノ）ピリジンの混合物に
０℃において加える。次にこの溶液を室温において12時
間放置し、沈殿を吸引濾過分離し、濾液を標準的に後処
理して２−（４−オクチル−２−フルオロフェニル）−
５−ピリミジニル−２−クロロ−３−メチルブチレート
が得られる。
化メチレンの中の0.1モルの２−（４−オクチル−２−
フルオロフェニル）−５−ヒドロキシピリミジン（これ
は例１に従い作られる）、0.1モルの光学活性の２−ク
ロロ−３−メチル乳酸（バリンから作られる）及び触媒
量の４−（N,N−ジメチルアミノ）ピリジンの混合物に
０℃において加える。次にこの溶液を室温において12時
間放置し、沈殿を吸引濾過分離し、濾液を標準的に後処
理して２−（４−オクチル−２−フルオロフェニル）−
５−ピリミジニル−２−クロロ−３−メチルブチレート
が得られる。
以下にあげる諸例は強誘電性液晶媒質に関する。
例Ａ （２−ヘキシロキシフェニル）−５−ヘプチル ピリミジン 5.8％ （２−オクチロキシフェニル）−５−ヘプチル ピリミジン 5.8％ （２−デシロキシフェニル）−５−ヘプチル ピリミジン 5.8％ （２−ｐ−オクチロキシフェニル）−５−オクチル ピリミジン 1.1％ （２−ｐ−ノニロキシフェニル）−５−オクチル ピリミジン 1.1％ （２−ｐ−デシロキシフェニル）−５−オクチル ピリミジン 1.1％ ２−（４−デシロキシ−２−フルオロフェニル）− ５−ドデシロキシピリミジン 7.0％ ２−（４−ペプチロキシ−２−フルオロフェニル） −５−ドデシロキシピリミジン 14.1％ ２−（４−デシロキシ−２−フルオロフェニル）− ５−ウンデシロキシピリミジン 14.1％ ２−（４−オクチロキシ−2,3−ジフルオロ フェニル）−５−ノニルピリミジン 5.0％ ２−（４−ヘプチロキシ−2,3−ジフルオロ フェニル）−５−ノニルピリミジン 5.0％ ２−（４−ノニロキシ−2,3−ジフルオロ フェニル）−５−ノニルピリミジン 5.0％ ２−（４−ヘキシロキシフェニル−）−５−ヘキシ ロキシピリミジン 18.0％ 及び 光学活性の２−［４−（２−フルオロ オクチロキシ）−2,3−ジフルオロフェニル］− ５−ヘプチルピリミジン 10％ よりなる液晶媒質を調製する。
この媒質は下記の物理的性質を有する： 相転位点:c＜−20SC ＊59Ch72I 自発分極：（20℃）−13.1nC/cm2 スイッチング時間（20℃）:125μｓ 例Ｂ ２−（ｐ−ヘキシロキシフェニル）−５−ヘプチル ピリミジン 5.8％ ２−（ｐ−オクチロキシフェニル）−５−ヘプチル ピリミジン 5.8％ ２−（ｐ−デシロキシフェニル）−５−ヘプチル ピリミジン 5.8％ ２−（ｐ−オクチロキシフェニル）−５−オクチル ピリミジン 1.1％ ２−（ｐ−ノニロキシフェニル）−５−オクチル ピリミジン 1.1％ ２−（ｐ−デシロキシフェニル）−５−オクチル ピリミジン 2.2％ ２−（４−デシロキシ−２−フルオロフェニル）− ５−ドデシロキシピリミジン 5.0％ ２−（４−ヘプチロキシ−２−フルオロフェニル） −５−ドデシロキシピリミジン 10.1％ ２−（４−デシロキシ−２−フルオロフェニル）− ５−ウンデシロキシピリミジン 10.1％ ２−（４−オクチロキシ−2,3−ジフルオロ フェニル）−５−ヘプチルピリミジン 10 ％ ２−（４−オクチロキシ−2,3−ジフルオロ フェニル）−５−ノニルピリミジン ５ ％ ２−（４−ヘプチロキシ−2,3−ジフルオロ フェニル）−５−ノニルピリミジン ５ ％ ２−（４−ノニロキシ−2,3−ジフルオロ フェニル）−５−ノニルピリミジン ５ ％ ２−（４−ヘキシロキシフェニル）−５−ヘキシ ロキシピリミジン 18 ％ 及び 光学活性の２−［４−（２−フルオロ オクチロキシ）−２−フルオロフェニル］− ５−ヘプチロキシピリミジン 10 ％ よりなる液晶媒質を調製する。
この媒質は60℃以上のSC ＊相範囲及び高い自発分極を
有する。
有する。
例Ｃ ２−（ｐ−ヘキシロキシフェニル）−５−ヘプチル ピリミジン 5.8％ ２−（ｐ−オクチロキシフェニル）−５−ヘプチル ピリミジン 5.8％ ２−（ｐ−デシロキシフェニル）−５−ヘプチル ピリミジン 5.8％ ２−（ｐ−オクチロキシフェニル）−５−オクチル ピリミジン 1.1％ ２−（ｐ−ノニロキシフェニル）−５−オクチル ピリミジン 1.1％ ２−（ｐ−デシロキシフェニル）−５−オクチル ピリミジン 2.2％ ２−（４−デシロキシ−２−フルオロフェニル）− ５−ドデシロキシピリミジン 5.0％ ２−（４−ヘプチロキシ−２−フルオロフェニル） −５−ドデシロキシピリミジン 10.1％ ２−（４−デシロキシ−２−フルオロフェニル）− ５−ウンデシロキシピリミジン 10.1％ ２−（４−オクチロキシ−2,3−ジフルオロ フェニル）−５−ヘプチルピリミジン 10 ％ ２−（４−オクチロキシ−2,3−ジフルオロ フェニル）−５−ノニルピリミジン ５ ％ ２−（４−ヘプチロキシ−2,3−ジフルオロ フェニル）−５−ノニルピリミジン ５ ％ ２−（４−ノニロキシ−2,3−ジフルオロ フェニル）−５−ノニルピリミジン ５ ％ ２−（ｐ−ヘキシロキシフェニル）−５−ヘキシ ロキシピリミジン 18 ％ 及び 光学活性の２−（４−オクチロキシ−２−フルオロ フェニル）−５−（１−シアノエトキシ）ピリミジ ン 10 ％ よりなる液晶媒質を調製する。
この媒質は50℃以上のSC ＊相範囲及び高い自発分極を
有する。
有する。
例Ｄ ２−（ｐ−ヘキシロキシフェニル）−５−ヘプチル ピリミジン 5.8％ ２−（ｐ−オクチロキシフェニル）−５−ヘプチル ピリミジン 5.8％ ２−（ｐ−デシロキシフェニル）−５−ヘプチル ピリミジン 5.8％ ２−（ｐ−オクチロキシフェニル）−５−オクチル ピリミジン 1.1％ ２−（ｐ−ノニロキシフェニル）−５−オクチル ピリミジン 1.1％ ２−（ｐ−デシロキシフェニル）−５−オクチル ピリミジン 2.2％ ２−（４−デシロキシ−２−フルオロフェニル）− ５−ドデシロキシピリミジン 5.0％ ２−（４−ヘプチロキシ−２−フルオロフェニル） −５−ドデシロキシピリミジン 10.1％ ２−（４−デシロキシ−２−フルオロフェニル）− ５−ウンデンロキシピリミジン 10.1％ ２−（４−オクチロキシ−２−フルオロ フェニル）−５−ドデシロキシピリミジン ５ ％ ２−（４−オクチロキシ−2,3−ジフルオロ フェニル）−５−ヘプチルピリミジン 10 ％ ２−（４−オクチロキシ−2,3−ジフルオロ フェニル）−５−ノニルピリミジン ５ ％ ２−（４−ヘプチロキシ−2,3−ジフルオロ フェニル）−５−ノニルピリミジン ５ ％ ２−（ｐ−ヘキシロキシフェニル）−５−ヘキシ ロキシピリミジン 18 ％ 及び 光学活性の２−［４−（２−フルオロ オクチロキシ）−２−フルオロフェニル］− ５−ヘプチロキシピリミジン 10 ％ よりなる液晶媒質を調製する。
この媒質は広いSC ＊相範囲及び高い自発分極を有す
る。
る。
例Ｅ ２−（ｐ−ヘキシロキシフェニル）−５−ヘプチル ピリミジン 5.8％ ２−（ｐ−オクチロキシフェニル）−５−ヘプチル ピリミジン 5.8％ ２−（ｐ−デシロキシフェニル）−５−ヘプチル ピリミジン 5.8％ ２−（ｐ−オクチロキシフェニル）−５−オクチル ピリミジン 1.1％ ２−（ｐ−ノニロキシフェニル）−５−オクチル ピリミジン 1.1％ ２−（ｐ−デシロキシフェニル）−５−オクチル ピリミジン 2.2％ ２−（４−デシロキシ−２−フルオロフェニル）− ５−ドデシロキシピリミジン 5.0％ ２−（４−ヘプチロキシ−２−フルオロフェニル） −５−ドデシロキシピリミジン 10.1％ ２−（４−デシロキシ−２−フルオロフェニル）− ５−ウンデシロキシピリミジン 10.1％ ２−（４−オクチロキシ−２−フルオロ フェニル）−５−ドデシロキシピリミジン ５ ％ ２−（４−オクチロキシ−2,3−ジフルオロ フェニル）−５−ヘプチルピリミジン 10 ％ ２−（４−オクチロキシ−2,3−ジフルオロ フェニル）−５−ノニルピリミジン ５ ％ ２−（４−ノニロキシ−2,3−ジフルオロ フェニル）−５−ノニルピリミジン ５ ％ ２−（ｐ−ヘキシロキシフェニル）−５−ヘキシ ロキシピリミジン 18 ％ 光学活性の２−［４−（２−フルオロ オクチロキシ）−２−フルオロフェニル］− ５−ヘプチロキシピリミジン 18 ％ 及び 光学活性の２−［４−（２−フルオロ オクチロキシ）−2,3−ジフルオロフェニル］− ５−ヘプチルピリミジン ２ ％ よりなる液晶媒質を調製する。
この媒質は広いSC ＊相範囲及び高い自発分極を有す
る。
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ペーチュ，アイケ ドイツ連邦共和国 デー―6109 ミュー ルタール ６ アム ブーフヴァルト ４ (72)発明者 ゲールハール，トーマス ドイツ連邦共和国 デー―6500 マイン ツ トラヤーンシュトラーセ 12 (72)発明者 ヒチヒ，ライハルト ドイツ連邦共和国 デー―6101 モーダ オタール １ アム キルヒベルク 11 (72)発明者 クラウゼ，ヨーアヒム ドイツ連邦共和国 デー―6110 ディー ブルク ザームエル―モルゼシュトラー セ 14 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C07D 239/34 C09K 19/34 C09K 19/42 G02F 1/13 500 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ) ＷＰＩＤＳ（ＳＴＮ)
Claims (6)
- 【請求項１】下記式Ｉのフルオロフェニルピリミジン化
合物： ［この式において Q1及びQ2はそれぞれ互いに独立にCO又はCH2を表わし、 ｎは０又は１であり、 A1及びA2はそれぞれ互いに独立に1,4−フェニレン又は
単結合を表わし、 R1及びR2はそれぞれ互いに独立に非置換の、又はCNによ
り、或いは少なくとも１個のハロゲンにより置換された
18個までの炭素原子を有するアルキル基又はアルケニル
基を表わし、その際１つ以上のCH2−基は、−Ｏ−、−C
O−Ｏ−、−Ｏ−CO−及び−Ｃ≡Ｃ−よりなる群から選
ばれた基によって置き換えられていることができるが、
ただし２個の酸素原子が隣り合うことはなく、 そしてこの式においてｎ＝１のときにはR1及びR2の基の
一方は下記式II の基であることもでき、その際R3は非置換の、又はCNに
より、或いは少なくとも１個のハロゲンにより置換され
た18個までの炭素原子を有するアルキル基、アルケニル
基又はアルコキシ基を表わし、そしてｍは１又は２であ
る； ただし、以下の化合物： は除かれる］。 - 【請求項２】式Ｉにおいて基R1及びR2の少なくとも一方
が下記式III の基であり、その際 R4は下記式 （CH2）ｒ−Q3−CoH2o+1 の基を意味し、ここで ｒは０、１又は２の数であり、そして ｏは１ないし７の数であり、 Q3は−Ｏ−、−Ｏ−CO−又は単結合を表わし、 ＹはCN、ハロゲン又はCH3を意味し、 Ｚは単結合又は−（CH2）ｐ−を意味するが、その際１
つのCH2基は−Ｏ−、−Ｏ−CO−又は−CO−Ｏ−によっ
て置き換えられていてもよく、またｐは１、２、３、
４、５又は６であり、そして R0はＨ又はＹがCH3でないという条件でCH3であるフルオ
ロフェニルピリミジン。 - 【請求項３】基R1及びR2の少なくとも一方が下記式III
a の基を表わし、但しこの式においてｏ及びQ3は前述した
意味を有し、ｒが１又は２、そしてｐが０又は１であ
る、請求の範囲２のフルオロフェニルピリミジン。 - 【請求項４】少なくとも２つの液晶成分を含む液晶媒質
において、少なくとも１つの成分が式Ｉの化合物である
ことを特徴とする、液晶媒質。 - 【請求項５】請求の範囲４の液晶媒質を含むことを特徴
とする、液晶ディスプレー構成部分。 - 【請求項６】誘電体として請求の範囲４の液晶媒質を含
むことを特徴とする、電気光学的ディスプレー構成部
分。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3919104A DE3919104A1 (de) | 1989-06-10 | 1989-06-10 | Fluorphenylpyrimidine |
| DE3919104.4 | 1989-06-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04501426A JPH04501426A (ja) | 1992-03-12 |
| JP2856362B2 true JP2856362B2 (ja) | 1999-02-10 |
Family
ID=6382567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2507943A Expired - Lifetime JP2856362B2 (ja) | 1989-06-10 | 1990-05-25 | フルオロフェニルピリミジン化合物 |
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| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0428665B1 (ja) |
| JP (1) | JP2856362B2 (ja) |
| DE (2) | DE3919104A1 (ja) |
| WO (1) | WO1990015116A1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| DE4108448A1 (de) * | 1991-03-13 | 1992-09-17 | Merck Patent Gmbh | Elektrooptisches system |
| DE4118279C2 (de) * | 1991-06-04 | 2002-05-08 | Clariant Gmbh | 2-(2-Fluorphenyl)-pyrimidine |
| DE59209008D1 (de) * | 1991-08-17 | 1997-12-11 | Hoechst Ag | 2-Fluorpyrazine, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung in flüssigkristallinen Mischungen |
| GB9506309D0 (en) * | 1995-03-28 | 1995-05-17 | Secr Defence | Pyrimidine compounds |
| GB2316077B (en) * | 1995-03-28 | 1999-09-08 | Secr Defence | Pyrimidine Compounds |
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Family Cites Families (3)
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|---|---|---|---|---|
| DE3315295A1 (de) * | 1983-04-27 | 1984-10-31 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Fluorhaltige pyrimidinderivate |
| DE3518734A1 (de) * | 1985-05-24 | 1986-11-27 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Smektische fluessigkristalline phasen |
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-
1990
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- 1990-05-25 WO PCT/EP1990/000846 patent/WO1990015116A1/de active IP Right Grant
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- 1990-05-25 JP JP2507943A patent/JP2856362B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0428665A1 (de) | 1991-05-29 |
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