JP4342366B2 - 配線基板の製造方法 - Google Patents
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第一主表面及び第二主表面が誘電体層にて形成されるように、複数の誘電体層とその間に配置した導体層とによって、誘電体層と導体層とが交互に積層され、前記導体層が前記誘電体層に形成したビアと導通している積層体と、その積層体の誘電体層の表面に位置して、前記誘電体層の前記ビアと導通し、半導体チップと接続する複数の金属端子パッドと、を備える配線基板の製造方法であって、支持基盤の上に下地誘電体シートを配置する工程と、分離可能な金属箔を含む金属箔密着体を前記下地誘電体シートの上に配置する工程と、前記金属箔密着体の上に、熱膨張係数が15ppm/℃以上40ppm/℃以下である前記誘電体層を用いる前記積層体を形成する工程と、前記下地誘電体シートと前記積層体との間に配置した前記金属箔密着体に含まれて分離可能な金属箔を剥離して前記金属箔が付着した状態で前記支持基盤から分離する工程と、前記積層体についている金属箔をエッチングする工程と、前記半導体チップを接続する前記積層体の前記金属端子パッド側に熱膨張係数が15ppm/℃以上25ppm/℃以下の補強枠を接着する工程と、を備える、配線基板の製造方法を主要な特徴とする。
図1(a)は、本発明の一実施形態を示す概略断面図である。誘電体層と導体層が交互に積層されて、積層体BUを構成している。その第一主表面MP1には半導体チップと接続するための、周知の半田で構成された突起状の金属端子(半田バンプ)FBが形成されている。また、第一主表面MP1には配線基板100を補強して平坦性を確保するための補強枠(スティフナー)STが接着されている。本発明の配線基板はコア基板を有さないので、補強枠を使用しないと曲がりやすく、半田バンプFBと半導体チップとの接続が難しくなる。
20 支持基盤
21 下地誘電体層
BU 積層体
MP1 第一主表面
MP2 第二主表面
M1 第一導体層(金属箔)
B1 第一誘電体層
PD1 金属端子パッド
ST 補強枠
FB 半田バンプ
Claims (5)
- 第一主表面及び第二主表面が誘電体層にて形成されるように、複数の誘電体層とその間に配置した導体層とによって、誘電体層と導体層とが交互に積層され、前記導体層が前記誘電体層に形成したビアと導通している積層体と、その積層体の誘電体層の表面に位置して、前記誘電体層の前記ビアと導通し、半導体チップと接続する複数の金属端子パッドと、を備える配線基板の製造方法であって、
支持基盤の上に下地誘電体シートを配置する工程と、
分離可能な金属箔を含む金属箔密着体を前記下地誘電体シートの上に配置する工程と、
前記金属箔密着体の上に、熱膨張係数が15ppm/℃以上40ppm/℃以下である前記誘電体層を用いる前記積層体を形成する工程と、
前記下地誘電体シートと前記積層体との間に配置した前記金属箔密着体に含まれて分離可能な金属箔を剥離して前記金属箔が付着した状態で前記支持基盤から分離する工程と、
前記積層体についている金属箔をエッチングする工程と、
前記半導体チップを接続する前記積層体の前記金属端子パッド側に熱膨張係数が15ppm/℃以上25ppm/℃以下の補強枠を接着する工程と、
を備える、配線基板の製造方法。 - 請求項1に記載の配線基板の製造方法であって、前記金属箔を剥離する工程には、前記積層体の周囲部を除去して前記金属箔密着体の端部を露出させる工程を備える、配線基板の製造方法。
- 前記金属箔密着体は前記下地誘電体シートの主表面に包含されるように配されることを特徴とする請求項2に記載の配線基板の製造方法。
- 全ての前記導体層の熱膨張係数が15ppm/℃以上25ppm/℃以下である請求項1ないし3のいずれか1項に記載の配線基板の製造方法。
- 前記第一主表面に最も近い導体層の配線密度が50%以上90%以下であり、かつ、前記第二主表面に最も近い導体層の配線密度が50%以上90%以下である請求項1ないし3のいずれか1項に記載の配線基板の製造方法。
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