JP4312777B2 - サイドローブが除去された共焦点自己干渉顕微鏡 - Google Patents

サイドローブが除去された共焦点自己干渉顕微鏡 Download PDF

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Description

本発明は、サイドローブが除去された共焦点自己干渉顕微鏡に関し、より詳しくは、既存の共焦点自己干渉顕微鏡で発生する点拡がり関数でのサイドローブを除去し、測定される映像の歪みを減少する共焦点自己干渉顕微鏡に関する。
共焦点顕微鏡(confocal microscopy)は、試料から対物レンズを介して、映像検出装置に至るビームの経路上にピン穴(pin hole)を設け、試料の特定の断面を通過するビームを検出して、試料の平面映像のみならず、深さに対する情報を得ることができ、3次元映像が得られる顕微鏡である。共焦点顕微鏡は、生医学分野の研究のみならず、半導体部品、微細加工物、材料などの構造の研究に広く利用されている(例えば、特許文献1参照)。
共焦点顕微鏡は、微細構造の研究に使用される電子顕微鏡(Electron microscopy)や原子間力顕微鏡(Atomic Force microscopy)に比べ、より多いメリットを有する。即ち、電子顕微鏡は、真空状態を維持しなければならないことと、試片の前処理過程が必要であり、全数検査には適していないことなどの不都合を有する。また、原子間力顕微鏡は、試料の表面にダメージを与えることと、測定時間が長いため、さらに全数検査に適していないこと等の不都合を有する。これに対して、共焦点顕微鏡は、非接触で常温大気中で測定が可能であり、実時間測定が可能であるため、このような電子顕微鏡及び原子間力顕微鏡に代替することができるものとして期待された。
特開平3‐91709号公報
ところが、共焦点顕微鏡は、根本的に光を利用するため、光学的回折現象によって分解能の限界が決まるという不都合がある。既存の光学顕微鏡は、分解能の限界が数百nmオーダーであったことを、共焦点注射顕微鏡を用いて、140nmのオーダー(例えば、キーエンス(Keyence)社のVK−9500)まで低くすることに成功したが、未だ、100nm以下の分解能を獲得してはいない。かかる理由から、半導体、フラット・ディスプレイ(Flat Panel Display、FPD)など検査において、電子顕微鏡及び原子間力顕微鏡が使用されている。
このような共焦点顕微鏡の限界を克服するため、共焦点自己干渉顕微鏡が提案されている。共焦点自己干渉顕微鏡は、反射ビームに対して試料の平面座標に対して干渉パターンを発生させ、顕微鏡の横方向分解能を向上することができる。図1は、既存の共焦点自己干渉顕微鏡の構成を示す。同図に示されているように、既存の共焦点自己干渉顕微鏡500は、一般の共焦点顕微鏡が有する光源20、ビーム拡張部25、ビームスプリッタ30、集光装置(凸レンズ又は凹面鏡)40、試片45、望遠鏡光学系50、結像レンズ65、ピン穴開口70、映像検出装置75に加えて、偏光板511、512及び複屈折波長板516を有する自己干渉光学系510を更に含む。光源20から放出されたビームは、ビーム拡張部25で平行光となり、ビームスプリッタ30で反射される。ビームスプリッタ30で反射されたビームは、集光装置40を通過して試片45上の物体表面に焦点が合わせられて照明を行う。物体の表面から反射又は蛍光されたビームは、集光装置40で平行光となり、ビームスプリッタ30を透過した後、望遠鏡光学系50、自己干渉光学系510、結像レンズ65、針穴開口70を通過し、映像検出装置75により測定される。
図2は、既存の共焦点自己干渉顕微鏡500の自己干渉光学系510におけるビームの経路を説明するための概念図である。自己干渉光学系510は、互いに垂直な偏光軸を有する2つの偏光板511、512と、2つの偏光板511、512の間に位置する1つの複屈折波長板516とを有する。偏光板511は、複屈折波長板516に入射するビームが、正常ビームと異常ビームが1:1となるように、正常ビームの偏光方向(図2で水平方向(両矢印))、又は、異常ビームの偏光方向(図2で垂直方向(二重丸印))から45゜傾いた偏光軸を有する。偏光板511を通過し、水平偏光ビーム(両矢印)と垂直偏光ビーム(二重丸印)とが1:1で構成されたビームは、複屈折波長板516において、正常ビームである水平偏光ビーム(図2で点線)と、異常ビームである垂直偏光ビーム(図2で実線)とに分離され、両ビームは、互いに異なる経路を進行し、位相差が生ずることになる。このような位相差は、自己干渉光学系510において、入射するビームの入射角により変わる。入射角により変わる位相差により、正常ビームと異常ビームとの間で干渉が生じることになり、このような干渉効果を用いる上記光学系を、自己干渉光学系という。
自己干渉光学系を用いた共焦点顕微鏡の点広がり関数(Point Spread Function、PSF)は、一般の共焦点顕微鏡の点広がり関数に、自己干渉光学系による干渉効果を乗じた関数である。図3は、試片45上で共焦点自己干渉顕微鏡の点広がり関数(実線)を示す。同図に示されているように、一般の共焦点顕微鏡の点広がり関数(点線)に干渉効果が乗じられ、共焦点自己干渉顕微鏡の主ビームのサイズが小くなり、分解能が向上することが見られる。図4〜図6は、一般の共焦点顕微鏡の点拡がり関数(図4)、図1による共焦点自己干渉顕微鏡の点拡がり関数(図5)及び、図1の自己干渉光学系510に対して垂直に自己干渉系を更に設けた共焦点自己干渉顕微鏡の点拡がり関数(図6)を示す。図3及び図4〜図6から見られるように、共焦点自己干渉顕微鏡を用いることで、分解能が向上されることが分かる。
しかし、既存の共焦点自己干渉顕微鏡は、次のような2つの問題点を有している。
その一つは、サイドローブ(side lobe)による映像の歪み現象である。共焦点自己干渉顕微鏡の点拡がり関数は、共焦点顕微鏡の点拡がり関数と自己干渉パターンとの積で表れる。共焦点自己干渉顕微鏡の点拡がり関数の主ビームの幅を減らすためには、自己干渉パターンの空間周波数を増加しなければならないが(又は、周期を減少しなければならないが)、このような場合、サイドローブのサイズが大きくなる。このような現象は、図7(一方向に自己干渉現象がある場合)及び、図8(二方向に自己干渉現象がある場合)から分かる。図7は、図5の場合の共焦点自己干渉顕微鏡よりも分解能を向上した場合であり、図8は、図6の場合の共焦点自己干渉顕微鏡よりも分解能を向上した場合である。図5〜図6と図7及び図8とを比較すると、分解能を向上するほど、サイドローブが大きくなることが分かる。共焦点自己干渉顕微鏡が得る映像は、共焦点自己干渉顕微鏡の点拡がり関数と対象物体の情報がコンボルージョン(convolution)されて得られるが、このような共焦点自己干渉顕微鏡のサイドローブは、映像の歪みを引起こす。
もう一つは、複屈折波長板を通過した主ビームの間の出射位置の差による干渉模様の生成である。複屈折波長板を通過して分離された2つのビームの出射位置は、図2から見られるように、互いに異なることになり、位置の差は、ビームの入射角により変わる。このように、2つのビームの入射位置の差によって、光測定器上に干渉模様が生成される。
本発明は、前述した既存の共焦点自己干渉顕微鏡の限界を克服し、主ビームのサイズを減らすことなくサイドローブを除去することを可能にし、数十nmのサイズを有する物体を歪むことなく観察することができる共焦点自己干渉顕微鏡を提供することを目的にする。
前述した目的を達成するために、本発明による共焦点自己干渉顕微鏡は、光源を有する照明装置と、試片と、前記試片の映像を測定する映像検出装置と、凸レンズ又は凹面鏡を有し、前記照明装置からの照明ビームを平面波に変換するビーム拡張装置と、前記ビーム拡張装置からの前記照明ビームを前記試片に誘導し、前記試片からの反射又は蛍光ビームを前記映像検出装置に誘導するビームスプリッタと、前記試片と前記ビームスプリッタとの間に位置し、凸レンズ又は凹面鏡を有し、前記ビームスプリッタを通過した前記照明装置からの前記照明ビームを集光して、前記試片に照射し、前記試片からの前記反射又は蛍光ビームを平面波に変換する集光装置と、
前記ビームスプリッタと上記映像検出装置との間に位置し、前記集光装置及び前記ビームスプリッタを通過した前記試片からの上記反射又は蛍光ビームを偏光する第1の偏光板;前記第1の偏光板を通過したビームを、偏光方向により2つのビームに分離する第1の複屈折波長板;前記第1の複屈折波長板で分離された2つのビームを偏光する第2の偏光板;前記第2の偏光板を通過した2つのビームを、偏光方向により4つのビームに分離する第2の複屈折波長板;前記第2の複屈折波長板で分離された4つのビームを偏光する第3の偏光板;を有する自己干渉光学系と、前記自己干渉光学系と前記映像検出装置との間に位置し、前記自己干渉光学系を通過したビームの通過領域を制限する絞りと、前記絞りと前記映像検出装置との間に位置し、凸レンズ又は凹面鏡を有し、前記絞りを通過したビームを集光する結像レンズと、前記結像レンズと前記映像検出装置との間で、前記結像レンズの焦点面に位置するピン穴開口とを有するとともに、
前記第1及び第2の複屈折波長板の光軸は、同一の平面に存在し、前記第1及び第2の複屈折波長板の光軸は、前記自己干渉光学系の光軸から所定の角度で傾き、前記第1及び第2の複屈折波長板の自己干渉の周期は、互いに異なることを特徴とする。
また、上記自己干渉光学系は、更に、第3の偏光板を通過した4つのビームを、偏光方向により8つのビームに分離する第3の複屈折波長板と、第3の複屈折波長板で分離された8つのビームを偏光する第4の偏光板と、第4の偏光板を通過した8つのビームを、偏光方向により16個のビームに分離する第4の複屈折波長板と、第4の複屈折波長板で分離された16個のビームを偏光する第5の偏光板とを含み、上記第3及び第4の複屈折波長板の光軸は、同一の平面に存在し、上記第3及び第4の複屈折波長板の光軸が存在する平面は、上記第1及び第2の複屈折波長板の光軸が存在する平面と垂直であり、上記第3及び第4の複屈折波長板の光軸は、前記自己干渉光学系の光軸から所定の角度で傾き、そして、第3及び第4の複屈折波長板の自己干渉の周期は、互いに異なることを特徴とする。
また、第1、第3及び、第5の偏光板の偏光軸の方向は、第1及び第2の複屈折波長板の光軸方向から45゜傾き、第2及び第4の偏光板の偏光軸の方向は、第1、第3及び、第5偏光板の偏光軸の方向から垂直であることが望ましい。
また、第1の複屈折波長板及び第3の複屈折波長板の自己干渉の周期は同一であり、第2の複屈折波長板及び第4の複屈折波長板の自己干渉の周期は同一であり、前者の自己干渉の周期は、後者の自己干渉の周期の1/2倍、又は2倍であることが望ましい。
前述した本発明による共焦点自己干渉顕微鏡は、更に、ビームスプリッタと第1の偏光板との間に、2つの凸レンズ又は凹面鏡を有し、反射又は蛍光ビームの経路を伸ばす望遠鏡光学系を含む。
また、本発明による共焦点自己干渉顕微鏡は、更に、ビームスプリッタと集光装置との間に、ガルバノメータを有し、照明ビームの進行角度を変更することができるビーム偏向装置を含む。
そして、本発明による共焦点自己干渉顕微鏡は、更に、第3の偏光板又は第5の偏光板と絞りとの間に、2つの凸レンズ又は凹面鏡を有し、第3の偏光板又は第5の偏光板を通過したビームを、絞りに再結像する中継光学系を含む。
本発明は、100nm以上の分解能であった既存の共焦点自己干渉顕微鏡の点拡がり関数のサイドローブを効率良く除去し、サイドローブによる映像の歪みのない、数十nmの分解能を有する共焦点自己干渉顕微鏡を提供する。
また、本発明による共焦点自己干渉顕微鏡は、数十nmの構造を有する物体を観測することができ、非接触で常温大気中で測定が可能であり、実時間測定が可能であるため、100nm以下で既存に使用されていた電子顕微鏡及び原子間力顕微鏡に代替することができる。それで、100nm以下の構造を有する物体に対し、より簡易で迅速な観測ができ、観測対象に対する全数検査が可能である。
以下、添付の図面を参照して、本発明の好適な実施例を説明する。
図9は、本発明の第1の実施例による共焦点自己干渉顕微鏡100の構成を示す。
同図に示されているように、本発明の第1の実施例による共焦点自己干渉顕微鏡100は、照明装置20、ビーム拡張部25、ビームスプリッタ30、集光装置40、試片45、望遠鏡光学系50、絞り60、結像レンズ65、ピン穴開口70、映像検出装置75、偏光板111、112、113及び複屈折波長板116、117を有する自己干渉光学系110から構成される。
照明装置20は、試片45を照明するための光源を含む。光源は、多様な波長で光を放出する通常の照明や、特定の波長で光を放出するレーザーなどが使用される。
ビーム拡張部25は、照明装置20の点光源から放出される円形波を平面波に変換させ、凸レンズ又は凹面鏡が使用される。
ビーム拡張部25で平面波に変換された照明ビームは、ビームスプリッタ30に進行する。ビームスプリッタ30は、入射したビームの一部は透過し、他の一部は反射させるものであり、キューブ型ビームスプリッタ、半メッキビームスプリッタ、又は色選別ビームスプリッタなどが使用される。ビームスプリッタ30に入射した照明ビームの一部は透過し、他の一部は反射し、入射した照明ビームは2つのビームに分離され、この中、1つのビームが試片45を照明するため進行する。
ビームスプリッタ30により反射された照明ビームは、集光装置40に進行する。集光装置40は、集光装置40に入射した平行波が試片45に焦点が結ばれるようにするもので、凸レンズ又は凹面鏡が使用される。また、集光装置は、後述する試片45からの反射又は蛍光ビームを平面波に変換させるために使用される。
照明ビームは、集光装置40により試片45に焦点が結び、試片45を照明する。試片は、照明を受けると、照明ビームを反射するか、又は、照明ビームよりも低い周波数のビームを放出(蛍光)する。
試片45からの反射又は蛍光ビームは、集光装置40で平面波に変換され、ビームスプリッタ30で2つのビームに分離される。この中、1つのビームは更に照明装置20に進行し、他の1つのビームは、映像検出装置75に向かって進行する。
映像検出装置75に向かって進行する反射・蛍光ビームは、望遠鏡光学系50を通過する。望遠鏡光学系50は、2つの凸レンズ又は凹面鏡で構成される。望遠鏡光学系50は、進行するビームの経路を伸ばし、進行するビームの断面を拡大又は縮小するために使用される。このような望遠鏡光学系50は、設計上の目的により、選択的に追加される。
望遠鏡光学系50を通過したビームは、自己干渉光学系110に進行する。自己干渉光学系110は、第1、第2、第3の偏光板111、112、113と、第1及び第2の複屈折波長板116、117とから構成される。
自己干渉光学系110の詳細な構造は、図10に示す。同図に示されているように、ビームの進行方向はz軸として示され、ビームの進行方向に垂直な面は、x−y平面として示される。第1の実施例において、複屈折波長板116、117の光軸は同一の平面上にあり、この平面は、図10において、x−z平面として示される。しかし、複屈折波長板116、117は、互いにy軸に沿って回転した程度が異なるか、厚さが異なるため、入射角の変化による干渉模様の周期を異ならせる。又は、複屈折常数が互いに異なる複屈折波長板116、117を使用することもできる。偏光板111、112、113は、x−y平面上に位置し、偏光軸の方向は、x軸から所定の角度で傾く。望ましくは、複屈折波長板116、117に、水平偏光ビーム(図10で、両矢印)と垂直偏光ビーム(図10で、二重丸印)とが1:1で入射するように、偏光軸の方向はx軸から45゜傾くことが望ましい。第1及び第3の偏光板111、113の偏光軸が、x軸から+45゜傾き、第2の偏光板112は、x軸から−45゜傾いた場合を例として、第1の実施例を説明する。
x−z平面上にあり、入射角が’θ’である(z軸から傾いた角度がθである)ビームに対して考える。ビームは、第1の偏光板111を通過し、偏光方向がx軸から+45゜傾いた(水平偏光と垂直偏光とが1:1である)偏光ビームで進行する。このビームは、第1の複屈折波長板116を通過し、水平偏光ビームと垂直偏光ビームとが互いに異なる経路を進行し、2つのビームの間に位相差が生じることになる。位相差は、入射角(θ)に比例し、比例常数を複屈折波長板常数(c)という。正常ビームである水平偏光ビーム(ビーム1)の電気場を’E1'とし、異常ビームである垂直偏光ビーム(ビーム2)の電気場を’E2’とするとき、式1が成立する。
上記2つのビーム(ビーム1及びビーム2)は、第2の偏光板112を通過し、x軸から−45゜傾いて、垂直偏光と水平偏光とが同一の状態となる。2つのビーム(ビーム1及びビーム2)は、複屈折波長板常数がc 'である第2の複屈折波長板117に進行し、ビーム(ビーム1)は、2つのビーム(ビーム1a及びビーム1b)に、ビーム(ビーム2)は、2つのビーム(ビーム2a及びビーム2b)に、各々分離される。この際、各ビームの電気場は、式2を満たす。
これらのビーム(ビーム1a及びビーム1b、ビーム2a及びビーム2b)は、第3の偏光板113を通過し、最後に得られる総電気場は、式3の通りである。
式3において、E(θ)は、一般の共焦点顕微鏡における電気場の分布を意味する。例えば、満たされた円形のビームが進行する場合、E(θ)は、1次ベッセル関数(J(αθ)、αは、常数である)に比例する形態を有する。cos(cθ/2)exp(icθ/2)項は、第1の複屈折波長板116による干渉の効果を表す。即ち、E(cθ/2)exp(icθ/2)項は、1つの複屈折波長板を用いた従来技術による共焦点自己干渉顕微鏡の電気場分布を示す。cos(cθ/2)exp(icθ/2)項は、第2の複屈折波長板117による干渉の効果を示す。結局、式3の電気場は、一般の共焦点顕微鏡の電気場に、第1の複屈折波長板116及び第2の複屈折波長板117による干渉が乗じられた数値である。
式3では、x−z平面における入射角に対する効果だけが記述されている。自己干渉光学系110のy−z平面における入射角(θ')に対しては、自己干渉光学系110の複屈折波長板116、117は影響しない。それで、入射ビームのx軸方向に入射角がθであり、y軸方向に入射角がθ'であるとき、自己干渉光学系110を通過したビームの電気場は、式4の通りである。
式4の電気場(Etot)から、本発明の第1の実施例による共焦点自己干渉顕微鏡の点拡がり関数は、式5の通りである。
このように得られた2つの自己干渉効果は、点拡がり関数で発生するサイドローブを除去することに用いられる。図11、図12は、このようなサイドローブの除去効果を示すグラフである。図11、図12において、横軸は、入射角(θ)を試片45上の長さに変換したものであり、縦軸は、光度を示す。図11は、1つの干渉のみを有する既存の共焦点自己干渉顕微鏡において、干渉の周期が100nmである場合(図7参照)である。図11において、主ビーム(中心は、0nm)の線幅(分解能)は、数十nmのサイズを有するが、主ビームの両側(±100nm)にサイドローブが大きく発達されていることが見られる。このような大きなサイドローブによって実際に使用される既存の共焦点自己干渉顕微鏡は、分解能を100nm以下に制限することができない。図12は、本発明の共焦点自己干渉顕微鏡において、干渉の周期が各々、100nm及び200nmである場合である。200nm周期の第2の干渉により、主ビームの中心部(0nm)では、補強干渉が起こって光度が減らないが、サイドローブの中心部(±100nm)では、相殺干渉が起こって光度が減ることが見られる。図12から分かるように、第1の複屈折波長板で生じられたサイドローブを除去するためには、第2の複屈折波長板の複屈折常数が、第1の複屈折波長板の複屈折常数の1/2倍となり、第2の複屈折波長板の干渉の周期は、第1の複屈折波長板の干渉の周期の2倍であることが望ましい。前述したように、本発明による共焦点自己干渉顕微鏡は、サイドローブによる映像の歪みを減らしながら、数十nmの分解能で観測することができる。
自己干渉光学系110を通過したビームは、絞り60を通過する。自己干渉光学系110を通過しながら、特に入射角(θ)が大きい場合に、ビームはx軸方向に分離され、このような経路の差により、干渉模様が生成される。このような場合に絞り60は、外角の入射角が大きいビームの通過を制限する役目を果たす。絞り60の開口面が狭いほど、干渉模様が減って、向上した映像を観測することができるが、映像検出装置75に進行する光量が減るという不都合があるので、絞り60の開口を適切に調節する。
絞り60を通過したビームは、結像レンズ65に進行し、凸レンズ又は凹面鏡で構成された結像レンズ65は、入射した平行波を針穴開口70に焦点を合わせる。針穴開口70は、狭い開口面に焦点が合わせられたビームのみを通過させる。試片45のz軸方向の深さにより焦点の位置が変わるので、針穴開口70を通過したビームは、試片45の同じ深さを有するところで反射/蛍光されたビームであり、針穴開口70をz軸に沿って移動させると、試片の3次元映像を得ることができる。
最後に、映像検出装置75は、上記試片45の反射・蛍光映像を検出する。映像検出装置75は、光電検出器、CCDなどが使用される。
図13は、本発明の第2の実施例による共焦点自己干渉顕微鏡200の構成を示す。
図13において、本発明の第1の実施例による共焦点自己干渉顕微鏡200は、照明装置20、ビーム拡張部25、ビームスプリッタ30、集光装置40、試片45、望遠鏡光学系50、絞り60、結像レンズ65、ピン穴開口70、映像検出装置75、偏光板211、212、213、214、215及び複屈折波長板216、217、218、219を有する自己干渉光学系210から構成される。本実施例による共焦点自己干渉顕微鏡200は、図9に示される第1の実施例による共焦点自己干渉顕微鏡100と自己干渉光学系とを除くと、同一である。第1の実施例に重複する構成についての説明は省略し、以下では、自己干渉光学系210について詳細に説明する。
自己干渉光学系210の第1及び第2の複屈折波長板216、217と、第1、第2、第3の偏光板211、212、213とは、第1の実施例で記述した自己干渉光学系110の第1及び第2の複屈折波長板116、117と、第1、第2、第3の偏光板111、112、113と同一である。即ち、望ましくは、第1及び第2の複屈折波長板116、117の光軸は、xz平面内にあり、第1及び第3の偏光板111、113の偏光軸の方向は、x軸から+45゜傾いており、第2の偏光板112の偏光軸の方向は、x軸から−45゜傾いている。それで、自己干渉光学系に、z軸からx軸方向に入射角(θ)、y軸方向に入射角(他')で入射するビームは、第3の偏光板113でy軸方向には影響を受けず、x軸方向には4つのビーム(図7参照)に分離されて行き、各ビームの電気場は、式2に示されていることになる。
自己干渉光学系210の第3及び第4の複屈折波長板218、219の光軸は、第1及び第2の複屈折波長板216、217の光軸から垂直方向、即ち、yz平面内にある。第4の偏光板214の偏光軸の方向は、第2の偏光板212の偏光軸の方向と同様に、x軸から−45゜傾いており、第5の偏光板215の偏光軸の方向は、第1及び第3の偏光板211、213の偏光軸の方向と同様に、x軸から+45゜傾いている。
第3の偏光板213を通過した各ビームは、x軸及びy軸方向への入射角(θ、θ')を有し、第3の複屈折波長板218に進行する。第3の複屈折波長板218の光軸は、yz平面内にあるため、第3の複屈折波長板218に進行した各ビームは、y軸方向に2つの経路に分離され、x軸方向には影響を受けない。上記分離された2つのビームは、第4の偏光板214を通過し、同じ偏光方向を有した後、第4の複屈折波長板219に進行する。第4の複屈折波長板219の光軸もyz平面内にあるため、第4の複屈折波長板219に進行した各々のビームは、y軸方向に2つの経路に分離され、x軸方向には影響を受けない。上記分離されたビームらは、第5の偏光板215を通過し、いずれも、同じ偏光方向を有することになる。前述したように、第3の偏光板213を通過した各ビームは、y軸方向に4つのビームに分離され、結局、自己干渉光学系210に入射角(θ、θ')で進入したビームは、x軸方向に4つ、y軸方向に4つの総て16個のビームに分離される。第3の複屈折波長板218の複屈折常数をc'、第4の複屈折波長板219の複屈折常数をc'とするとき、 自己干渉光学系210を通過したビームの総電気場は、式6のように示される。
式6から、第1の実施例の自己干渉光学系110によると、x軸方向にのみ自己干渉を行うことにより、x軸にのみサイドローブが除去され、分解能が向上したことに対して、第2の実施例の自己干渉光学系210によると、x軸方向及びy軸方向共に対して自己干渉を行い、x軸及びy軸共に対してサイドローブが除去され、分解能が向上することが分かる。x軸及びy軸に対し同一の分解能を有するのが望ましいので、第1の複屈折波長板216の複屈折常数(c)と第3の複屈折波長板218の複屈折常数(c)とは同一であり、第2の複屈折波長板217の複屈折常数(c)と第4の複屈折波長板219の複屈折常数(c)とは同一であることが望ましい。また、第1の実施例で記述したように、第2及び第4の複屈折波長板217、219の複屈折定数(c及びc)は、第1及び第3の複屈折波長板216、218の複屈折定数(c及びc)の1/2倍となり、第2及び第4の複屈折波長板217、219による干渉の周期は、第1及び第3の複屈折波長板216、218による干渉の周期の2倍となることが望ましい。
このような自己干渉効果は、点拡がり関数で発生するサイドローブを除去することに使用される。図14、15は、本発明の第2の実施例による共焦点自己干渉顕微鏡の点拡がり関数の分布を示す。図14は、既存の共焦点自己干渉顕微鏡の点拡がり関数の分布を示す(図8参照)。図14において、複屈折干渉の周期は、x軸方向とy軸方向で共に、100nmであり、主ビーム(x=0、y=0)からx軸方向、y軸方向、及び対角線方向にサイドローブが発達されていることが見られる。図15は、本発明の第2の実施例による共焦点自己干渉顕微鏡の点拡がり関数の分布を示す。図15において、複屈折干渉の周期は、x軸方向とy軸方向で、100nm及び200nmである。図15の点拡がり関数を、図14の点拡がり関数と比較して見ると、サイドローブが格段に減少したことが見られる。
第1の実施例による共焦点自己干渉顕微鏡は,x軸方向にのみ、分解能の向上及びサイドローブ除去の効果があり、y軸方向には、一般の共焦点顕微鏡の分解能と同様な1軸共焦点自己干渉顕微鏡である。これに対し、第2の実施例による共焦点自己干渉顕微鏡は、x軸及びy軸の2軸方向共に対し、分解能の向上及びサイドローブ除去の効果がある。
図16〜18及び図19〜21は、本発明の第2の実施例による共焦点自己干渉顕微鏡により観測される映像が向上することを示す。
図16は、周期が200nm、線幅が100nmである物体の形状を示す。現在使用されている共焦点自己干渉顕微鏡は、サイドローブの影響のため、100nm以下の分解能を有していなく、従って、図16に示される物体の形状が区別されない。図17は、サイドローブの影響にも拘わらず、100nm以下の分解能を持たせた従来技術の方式の共焦点自己干渉顕微鏡で図16の物体を観測した結果である。この際、映像は、図16の物体の形状に、従来技術の方式の共焦点自己干渉顕微鏡の点拡がり関数がコンボルージョンされた映像として獲得される。上記共焦点自己干渉顕微鏡は、図16の構造を区別できる分解能を有しているが、従来技術の方式の共焦点自己干渉顕微鏡が有する点拡がり関数のサイドローブの問題点により、図16の物体の形状が区別されない。図18は、100nm以下の分解能を有する本発明の第2の実施例による共焦点自己干渉顕微鏡で図16の物体を観測した結果である。この際、映像は、図16の物体の形状に、本発明の第2の実施例による共焦点自己干渉顕微鏡の点拡がり関数がコンボルージョンされた映像として獲得される。本発明の第2の実施例による共焦点自己干渉顕微鏡の点拡がり関数は、サイドローブが格段に除去されているので、図18から、本発明の第2の実施例による共焦点自己干渉顕微鏡は、物体の本来形状を歪むことなく、詳しく観測することができることが分かる。
図19は、半導体回路の表面の本来形状を示す。図19において、半導体回路の表面の導線の線幅は、約数十nmである。図20は、従来技術の方式の共焦点自己干渉顕微鏡で半導体回路の表面を観測した結果であり、図21は、本発明による共焦点自己干渉顕微鏡で半導体回路の表面を観測した結果である。従来技術の方式の共焦点自己干渉顕微鏡では、サイドローブによる歪みのため、半導体回路の表面の明らかな映像を得ることができないが、本発明による共焦点自己干渉顕微鏡では、映像の歪みのない、本来形状に近い映像を得られることが、図21から分かる。
図22は、本発明の第3の実施例による共焦点自己干渉顕微鏡300の構成を示す。
図22において、本発明の第3の実施例による共焦点自己干渉顕微鏡300は、照明装置20、ビーム拡張部25、ビームスプリッタ30、集光装置40、試片45、望遠鏡光学系50、中継光学系55、絞り60、結像レンズ65、ピン穴開口70、映像検出装置75、偏光板111、112113及び複屈折波長板116、117を有する自己干渉光学系110から構成される。本実施例による共焦点自己干渉顕微鏡300は、第1の実施例による共焦点自己干渉顕微鏡100に、自己干渉光学系110と絞り60との間に、中継光学系55がさらに含めた構造である。第1の実施例に重複する構成についての説明は省略し、以下では、中継光学系55について説明する。
中継光学系55は、2つの凸面鏡又は凹レンズで構成される。自己干渉光学系110を通過したビーム(平面波)は、前段の凸面鏡又は凹レンズでビームが集中され、焦点の以後に設けられた後段の凸面鏡又は凹レンズで、再度平面波に変換され、絞り60に進行する。
第1の実施例において、自己干渉光学系110を通過したビームのうち、x軸に沿って出射位置が大いに異なるビームを制限するため、絞り60を使用した。しかし、入射角の変化により出射位置が多く変わることになり、絞り60を用いる場合、光量の損失が大きくなる。また、角度により絞り60を通過するビームの領域が異なることになり、分解能の分析が難しく、従って、共焦点自己干渉顕微鏡の設計に困難さがある。
前述した不都合を克服するため、第3の実施例では、中継光学系55を提供する。2つの凸レンズ又は凹面鏡を用いて、自己干渉光学系110を通過したビームが、絞り60の中心を通過するようにする。中継光学系55により、絞り60による光量損失が減少し、入射角に拘ることなく、同じ領域を絞り60で通過させるようにして、分解能の分析が容易になる。
本実施例において、第1の実施例の構成に、中継光学系55を追加した構成を説明したが、第2の実施例の構成に中継光学系55を追加する構成も当然に導出される。
図23は、本発明の第4の実施例による共焦点自己干渉顕微鏡400の構成を示す。
図23において、本発明の第4の実施例による共焦点自己干渉顕微鏡400は、照明装置20、ビーム拡張部25、ビームスプリッタ30、ビーム偏向装置35、集光装置40、試片45、望遠鏡光学系50、絞り60、結像レンズ65、ピン穴開口70、映像検出装置75、偏光板111、112、113及び複屈折波長板116、117を有する自己干渉光学系110から構成される。本実施例による共焦点自己干渉顕微鏡400は、第1の実施例による共焦点自己干渉顕微鏡100に、ビームスプリッタ30と集光装置40との間に、ビーム偏向装置35が更に含めた構造である。第1の実施例に重複する構成についての説明は省略し、以下では、ビーム偏向装置35について説明する。
ビーム偏向装置35は、少なくとも1つのガルバノメータ(galvanometer)ミラーを含む。ガルバノメータの軸上にミラーを装着し、ガルバノメータへの入力電流又は電圧を調節してミラーの傾斜を調節し、これにより、ビームの経路を変化させる。ガルバノメータミラーを用いる場合、変化された照明ビームの経路により、照明ビームが試片45に焦点が結ばれる位置を、試片を移動することなく、調整することができる。ガルバノメータミラーは、物体のx軸又はy軸方向にのみ焦点が結ばれる位置を調整するように、1つが装着されるか、試片の全体表面で焦点が結ぶ位置を調整するように、2つが装着される。
本実施例において、第1の実施例の構成に、ビーム偏向装置35を追加した構成を説明したが、第2の実施例及び第3の実施例の構成に、ビーム偏向装置35を追加する構成も、当然に導出される。
本発明の要旨と範囲から逸脱することなく、様々な修正や変形をすることが当業者にとって可能である。従って、添付の特許請求の範囲は、本発明の要旨に属するこのような修正や変形を含む。
本発明にかかる共焦点自己干渉顕微鏡は、生医学分野の研究のみならず、半導体部品、微細加工物、材料などの構造の研究・検査その他に広く利用できる。
既存の共焦点自己干渉顕微鏡の構成図である。 既存の共焦点自己干渉顕微鏡の自己干渉光学系における光経路を示す概念図である。 既存の共焦点自己干渉顕微鏡における点拡がり関数を説明するための概念図である。 一般の共焦点顕微鏡における点拡がり関数(PSF)の分布図である。 1軸自己干渉を用いた既存の共焦点自己干渉顕微鏡を用いた既存の共焦点自己干渉顕微鏡における点拡がり関数(PSF)の分布図である。 2軸自己干渉を用いた既存の共焦点自己干渉顕微鏡における点拡がり関数(PSF)の分布図である。 図5〜図6における共焦点自己干渉顕微鏡に比べて、自己干渉周波数が高い場合における、1軸自己干渉を用いた既存の共焦点自己干渉顕微鏡における点拡がり関数の分布図である。 図5〜図6における共焦点自己干渉顕微鏡に比べて、自己干渉周波数が高い場合における、2軸自己干渉を用いた既存の共焦点自己干渉顕微鏡における点拡がり関数の分布図である。 本発明の第1の実施例による共焦点自己干渉顕微鏡の構成図である。 本発明の第1の実施例による共焦点自己干渉顕微鏡の自己干渉光学系における光経路を示す概念図である。 既存の共焦点自己干渉顕微鏡における点拡がり関数の断面図である。 本発明の第1の実施例による共焦点自己干渉顕微鏡における点拡がり関数の断面図である。 本発明の第2の実施例による共焦点自己干渉顕微鏡の構成図である。 既存の共焦点自己干渉顕微鏡における点拡張関数の分布図である。 本発明の第2の実施例による共焦点自己干渉顕微鏡における点拡張関数の分布図である。 周期が200nm、線幅が100nmである物体の形状を示す平面図である。 図16の物体を既存の共焦点自己干渉顕微鏡で観測した映像を示す平面図である。 図16の物体を本発明の第2の実施例による共焦点自己干渉顕微鏡で観測した映像を示す平面図である。 半導体回路の形状を示す平面図である。 図19の回路を既存の共焦点自己干渉顕微鏡で観測した映像を示す平面図である。 図19の回路を本発明の第2の実施例による共焦点自己干渉顕微鏡で観測した映像を示す平面図である。 本発明の第3の実施例の構成図である。 本発明の第4の実施例の構成図である。
符号の説明
20 照明装置
25 ビーム拡張部
30 ビームスプリッタ
35 ビーム偏光装置
40 集光装置
45 試片
50 望遠鏡光学系
55 中継光学系
60 絞り
65 結像レンズ
70 ピン穴開口
75 映像検出装置
100、200、300、400 共焦点自己干渉顕微鏡
110、210 自己干渉光学系
111、112、113 偏光板
116、117 複屈折波長板

Claims (10)

  1. 光源を有する照明装置と、
    試片と、
    前記試片の映像を測定する映像検出装置と、
    凸レンズ又は凹面鏡を有し、前記照明装置からの照明ビームを平面波に変換するビーム拡張装置と、
    前記ビーム拡張装置からの前記照明ビームを前記試片に誘導し、前記試片からの反射又は蛍光ビームを前記映像検出装置に誘導するビームスプリッタと、
    前記試片と前記ビームスプリッタとの間に位置し、凸レンズ又は凹面鏡を有し、前記ビームスプリッタを通過した前記照明装置からの前記照明ビームを集光して、前記試片に照射し、前記試片からの前記反射又は蛍光ビームを平面波に変換する集光装置と、
    前記ビームスプリッタと上記映像検出装置との間に位置し、前記集光装置及び前記ビームスプリッタを通過した前記試片からの上記反射又は蛍光ビームを偏光する第1の偏光板;前記第1の偏光板を通過したビームを、偏光方向により2つのビームに分離する第1の複屈折波長板;前記第1の複屈折波長板で分離された2つのビームを偏光する第2の偏光板;前記第2の偏光板を通過した2つのビームを、偏光方向により4つのビームに分離する第2の複屈折波長板;前記第2の複屈折波長板で分離された4つのビームを偏光する第3の偏光板;を有する自己干渉光学系と、
    前記自己干渉光学系と前記映像検出装置との間に位置し、前記自己干渉光学系を通過したビームの通過領域を制限する絞りと、
    前記絞りと前記映像検出装置との間に位置し、凸レンズ又は凹面鏡を有し、前記絞りを通過したビームを集光する結像レンズと、
    前記結像レンズと前記映像検出装置との間で、前記結像レンズの焦点面に位置するピン穴開口とを有するとともに、
    前記第1及び第2の複屈折波長板の光軸は、同一の平面に存在し、前記第1及び第2の複屈折波長板の光軸は、前記自己干渉光学系の光軸から所定の角度で傾き、
    前記第1及び第2の複屈折波長板の自己干渉の周期は、互いに異なることを特徴とする共焦点自己干渉顕微鏡。
  2. 前記第1及び第3の偏光板の偏光軸の方向は、前記第1及び第2の複屈折波長板の光軸から45゜傾き、前記第2の偏光板の偏光軸の方向は、前記第1及び第3の偏光板の偏光軸の方向から垂直であることを特徴とする請求項1に記載の共焦点自己干渉顕微鏡。
  3. 前記第1の複屈折波長板の自己干渉の周期は、前記第2の複屈折波長板の自己干渉の周期の1/2倍、又は2倍であることを特徴とする請求項1に記載の共焦点自己干渉顕微鏡。
  4. 前記自己干渉光学系は、更に、
    前記第3の偏光板を通過した4つのビームを、偏光方向により8つのビームに分離する第3の複屈折波長板と、
    前記第3の複屈折波長板で分離された8つのビームを偏光する第4の偏光板と、
    前記第4の偏光板を通過した8つのビームを、偏光方向により16個のビームに分離する第4の複屈折波長板と、
    前記第4の複屈折波長板で分離された16個のビームを偏光する第5の偏光板とを有するとともに、
    前記第3及び第4の複屈折波長板の光軸は、同一の平面に存在し、前記第3及び第4の複屈折波長板の光軸が存在する平面は、前記第1及び第 2の複屈折波長板の光軸が存在する平面と垂直であり、前記第3及び第4の複屈折波長板の光軸は、前記自己干渉光学系の光軸から所定の角度で傾き、
    前記第3及び第4の複屈折波長板の自己干渉の周期は、互いに異なることを特徴とする請求項1に記載の共焦点自己干渉顕微鏡。
  5. 前記第1、第3及び、第5の偏光板の偏光軸の方向は、前記第1及び第2の複屈折波長板の光軸から45゜傾き、前記第2及び第4の偏光板の偏光軸の方向は、前記第1、第3及び、第5の偏光板の偏光軸の方向から垂直であることを特徴とする請求項4に記載の共焦点自己干渉顕微鏡。
  6. 前記第1の複屈折波長板の自己干渉の周期と上記第3の複屈折波長板の自己干渉の周期とは、同一であり、前記第2の複屈折波長板の自己干渉の周期と前記第4の複屈折波長板の自己干渉の周期とは、同一であることを特徴とする請求項4に記載の共焦点自己干渉顕微鏡。
  7. 前記第1及び第3の複屈折波長板の自己干渉の周期は、前記第2及び第4の複屈折波長板の自己干渉の周期の1/2倍、又は2倍であることを特徴とする請求項6に記載の共焦点自己干渉顕微鏡。
  8. 更に、前記ビームスプリッタと前記自己干渉光学系との間に位置し、2つの凸レンズ又は凹面鏡を有し、前記反射又は蛍光ビームを誘導する望遠鏡光学系を含むことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の共焦点自己干渉顕微鏡。
  9. 更に、前記ビームスプリッタと前記集光装置との間に位置し、ガルバノメータを有し、前記照明ビームの進行角度を変更するビーム偏向装置を含むことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の共焦点自己干渉顕微鏡。
  10. 更に、前記自己干渉光学系と上記絞りとの間に位置し、2つの凸レンズ又は凹面鏡を有し、前記自己干渉光学系を通過したビームを前記絞りに再結像する中継光学系を含むことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の共焦点自己干渉顕微鏡。
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