KR20240011046A - 기판 검사 방법 - Google Patents

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KR20240011046A
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송기욱
오승렬
전충삼
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Abstract

본 발명의 기술적 사상은, 기판에 광을 조사하는 단계; 상기 기판으로부터 반사된 반사광으로부터 파장에 따른 광량을 나타내는 스펙트럼을 추출하는 단계; 추출된 상기 스펙트럼을 기판 전체, 샷(shot), 칩(chip) 및 블록(block) 각각의 단위로 분석하는 단계; 분석된 상기 스펙트럼을 이용하여 파장 구간별 반사도를 나타내는 스펙트럼 분포도를 생성하는 단계; 및 상기 스펙트럼 분포도에 기초하여 상기 기판 내의 취약점을 추출하는 단계를 포함하는 기판 검사 방법을 제공한다.

Description

기판 검사 방법 {Substrate Inspection Method}
본 발명의 기술적 사상은 기판 검사 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 스펙트럼을 이용하여 기판 전체, 샷, 칩 및 블록 단위의 취약점을 추출하는 기판 검사 방법에 관한 것이다.
반도체 소자는 기판을 이용하여 제조되며, 수백 개의 제조 공정을 거치면서 제조된다. 따라서, 기판 상에 여러 반도체 소자 제조 공정을 수행한 후에, 제조 공정의 결과물을 빠른 시간 안에 검사 또는 계측할 필요가 있다.
반도체 제조 공정의 고집적화가 이루어짐에 따라 반도체 미세 패턴이나 복잡한 구조들에 대한 3차원 프로파일 측정 기술이 개발되고 있다. 최근 메모리 및 로직 제품의 경우 20nm 이하의 선폭을 가지는 미세 공정 기술을 이용하여 기판이 제작되고 있으며, 기판 수율 및 품질 향상을 위하여 고속 미세 패턴 공정을 모니터링하는 기술이 요구되고 있다.
본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는, 기판 상의 취약점을 고속으로 정밀하게 측정하고, 추출할 수 있는 SMI 기반 기판 검사 방법을 제공하는 데에 있다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 기술적 사상은, 기판에 광을 조사하는 단계; 상기 기판으로부터 반사된 반사광으로부터 파장에 따른 광량을 나타내는 스펙트럼을 추출하는 단계; 추출된 상기 스펙트럼을 기판 전체, 샷(shot), 칩(chip) 및 블록(block) 각각의 단위로 분석하는 단계; 분석된 상기 스펙트럼을 이용하여 파장 구간별 반사도를 나타내는 스펙트럼 분포도를 생성하는 단계; 및 상기 스펙트럼 분포도에 기초하여 상기 기판 내의 취약점을 추출하는 단계를 포함하는 기판 검사 방법을 제공한다.
또한, 본 발명의 기술적 사상은, 상기 과제를 해결하기 위하여, 기판에 광을 조사하는 단계; 상기 기판으로부터 반사된 반사광으로부터 파장에 따른 광량을 나타내는 스펙트럼을 추출하는 단계; 추출된 상기 스펙트럼을 기판 전체, 샷(shot), 칩(chip) 및 블록(block) 중 어느 하나 이상의 단위로 스펙트럼 분포도를 생성하는 단계; 상기 스펙트럼 분포도에 기초하여 상기 기판 내의 취약점을 추출하는 단계; 및 상기 취약점을 정밀 검사하는 단계를 포함하는 기판 검사 방법을 제공한다.
또한, 본 발명의 기술적 사상은, 상기 과제를 해결하기 위하여, 경사 광학계 및 수직 광학계를 이용하여 기판에 대한 스펙트럼을 획득하는 단계; 상기 스펙트럼을 기판 전체, 샷, 칩 및 블록 단위로 각각 분석하는 단계; 분석된 상기 스펙트럼을 이용하여 상기 기판 내의 취약점을 추출하는 단계; 상기 취약점에 기초하여 상기 기판의 정밀 검사를 수행하는 단계를 포함하는 기판 검사 방법을 제공한다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 기판 검사 방법은, 기판 전체, 샷, 칩 및 블록 각각에 대한 취약점을 분석함으로써, 기판의 미소한 검사 영역들을 신속하게 추출하여 불량 검사를 수행할 수 있다.
또한, 본 발명의 기술적 사상에 의한 기판 검사 방법은 제조 공정마다 검사 단계를 실시간으로 진행함으로써, 공정 이상 유무를 즉시 확인 가능하고, 제조 공정 설비에 적절한 피드백을 함으로써 반도체 제품 제조 공정시 최적 공정 조건을 도출할 수 있다. 이를 통해, 반도체 제품의 제조 수율과 생산성 향상에 기여하고, 반도체 제품의 비용 절감에도 기여할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 검사 시스템을 나타내는 블록 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 검사 방법에 이용되는 광학 검사 장치의 개략적인 구성을 나타내는 구성도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 2의 광학 검사 장치에 의한 기판 상의 측정 영역을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 측정 영역의 파장별 이미지 및 각 픽셀에서의 스펙트럼 데이터를 나타내는 개념도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 검사 방법을 구체적으로 나타내는 흐름도이다.
도 6는 본 발명의 일 실시예에 따른 아웃라이어를 추출하는 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 7는 본 발명의 일 실시예에 따른 취약점을 추출하는 구체적인 방법을나타내는 흐름도이다.
도 8는 기판 검사 방법에 의한 취약점을 기반으로 검사 대상을 선정하는 방식을 개략적으로 도시한 사진이다.
도 9은 예시적인 실시예들에 따른 기판 검사 방법에 의한 실험예를 개략적으로 도시한 그래프이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 도면 상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 사용하고, 이들에 대한 중복된 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 검사 시스템을 나타내는 블록 구성도이다.
도 1을 참고하면, 기판 검사 시스템(1)은 기판 검사 장치(100), 서버(40), 데이터베이스(45) 및 RID(Review Inspection Device) 조사 장치(60)를 포함할 수 있다. 기판 검사 장치(100)는 제1 광학 검사 장치(10) 및 제2 광학 검사 장치(20)를 포함할 수 있다. 제1 광학 검사 장치(10)는 수직 광학계(Vop)(Vertical)를 포함할 수 있고, 제2 광학 검사 장치(20)는 경사 광학계(Top)(Oblique)를 포함할 수 있다.
기판 검사 장치(100)는 SMI(Spectral Microscopic Inspection)를 기반으로 하는 장치일 수 있다. 기판 검사 장치(100)는 도 2에서 구체적으로 기술한다. 기판 검사 장치(100)는 기판을 검사한 스펙트럼 데이터를 서버(40)로 전송할 수 있다.
서버(40)는 기판 검사 장치(100)로부터 스펙트럼 데이터를 수신하고, 데이터베이스(45)에 저장할 수 있다. 서버(40)는 하나 이상의 마이크로프로세서 또는 다른 제어 디바이스의 제어 하에서, 다양한 기능들을 수행할 수 있는 다양한 집적 회로 구성요소들, 소프트웨어 요소들, 메모리 요소들, 프로세싱 요소들, 로직 요소들, 룩업 테이블들을 포함할 수 있다.
서버(40)의 소프트웨어 요소들은, 예컨대, C, C++, C#, 자바, 자바스크립트, 자바스크립트 객체 표기(Javascript Object Notation)(JSON), VBScript, 매크로미디어 콜드 퓨전(Macromedia Cold Fusion), 코볼, 활성 서버 페이지들, 펄(Perl), 어셈블리, PHP, awk, 파이썬(Python), 비주얼 베이직, SQL 저장 절차들, PL/SQL, 임의의 유닉스 셸 스크립트, 및/또는 XML(extensible markup language)과 같은 임의의 프로그래밍 또는 스크립팅 언어로 구현될 수 있고, 서버(40)의 다양한 알고리즘들은 데이터 구조들, 객체들, 프로세스들, 루틴들, 또는 다른 프로그래밍 요소들의 임의의 조합으로 구현될 수 있다.
서버(40)는 스펙트럼 데이터를 이용하여 각종 연산을 수행할 수 있다. 예를 들어, 서버(40)는 파이썬 프로그램을 이용하여 최소 공분산 결정(Minimum Covariance Determine, MCD) 알고리즘을 수행할 수 있다. 서버(40)는 스펙트럼 데이터를 이용해 기판 상 취약점을 추출할 수 있다.
RID 조사 장치(60)는 전자빔(electron beam, E-BEAM)을 이용하는 검사장치를 포함할 수 있다. RID 조사 장치(60)는 주사 전자 현미경(scanning electron microscope; SEM), 투과 전자 현미경(transmission electron microscope; TEM), 전자빔 검사 장치(electron beam inspection apparatus)을 포함할 수 있다. RID 조사 장치(60)는 서버(40)로부터 기판의 취약점을 수신하고, 취약점에 대하여 전자빔을 이용하여 정밀 검사를 수행할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 SMI 기반 검사 장치를 개략적으로 보여주는 구조도이다.
도 2을 참조하면, 본 실시예의 SMI(Spectral Microscopic Inspection) 기반 검사 장치(100)는 영상 타원편광법(Imaging Ellipsometry: IE)을 기반으로 하는 검사 장치일 수 있다. 여기서, IE는 분광 영상 타원편광법(Spectroscopic Imaging Ellipsometry: SIE)를 포함할 수 있다. 타원편광법은 입사된 광이 시료에서 반사될 때 변하는 편광 상태를 분석하여 시료 위의 단층 박막이나 다층 박막의 광학적 미세 구조를 측정하는 방법으로, 광의 반사를 이용하므로 진공과 같은 특정 측정 조건은 필요하지 않을 수 있다.
한편, 분광 기능이 추가된 분광 타원편광법은 여러 파장에서 측정된 많은 양의 정보를 바탕으로 검사 대상을 측정하고 분석하므로, 분석의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 이러한 타원편광법 또는 분광 타원편광법에 기반하여, CCD 카메라 등과 같은 검출기를 통해 2차원 영상을 획득하여 검사 대상을 측정하고 분석하는 방법을 영상 타원편광법(IE) 또는 분광 영상 타원편광법(SIE)이라 한다.
한편, 본 실시예의 SMI 기반 검사 장치(100)에서, SMI은 Spectral Microscopic Inspection의 약자로, 앞서 분광 영상 타원편광법(SIE)과 관련하여 분광에 관련된 Spectral, 영상에 관련된 Microscopic, 그리고 검사에 관련된 Inspection을 합친 조합어이다. 이하 'SMI 기반 검사 장치'를 간단히 '검사 장치'라 한다.
본 실시예의 검사 장치(100)는 수직 광학계(Vop), 경사 광학계(Top), 및 스테이지(155)를 포함할 수 있다. 도 2에서, 수직 광학계(Vop)와 경사 광학계(Top)를 점선으로 구별하여 표현하고 있는데, 광원(110)과 모노크로메이터(120, monochromator)는 수직 광학계(Vop)와 경사 광학계(Top)에 공통적으로 포함될 수 있다. 그에 따라, 광원(110)과 모노크로메이터(120)는 점선으로 구별하지 않고 있다.
수직 광학계(Vop)는 광원(110), 모노크로메이터(120), 제1 콜리메이터(130-1, collimator), 제1 편광기(140-1), 빔 스플리터(150, beam splitter), 대물렌즈(160), 제1 분석기(170-1, analyzer), 제1 결상 렌즈부(180-1), 및 제1 검출기(190-1)를 포함할 수 있다.
한편, 광학 검사 장치에서 광학계는 조명 광학계와 결상 광학계로 구별되는데, 일반적으로, 조명 광학계는 광원(110)에서부터 기판(W)까지의 경로 상의 광학계를 의미하고, 결상 광학계는 기판(W)에서부터 검출기까지의 경로 상의 광학계를 의미할 수 있다.
예컨대, 수직 광학계(Vop)에서, 조명 광학계는 제1 콜리메이터(130-1), 제1 편광기(140-1), 및 빔 스플리터(150)를 포함하고, 결상 광학계는 대물렌즈(160), 제1 분석기(170-1), 및 제1 결상 렌즈부(180-1)를 포함할 수 있다. 또한, 경사 광학계(Top)에서, 조명 광학계는 제2 콜리메이터(130-2), 및 제2 편광기(140-2)를 포함하고, 결상 광학계는 제2 분석기(170-2), 및 제2 결상 렌즈부(180-2)를 포함할 수 있다.
광원(110)은 광대역(broadband)의 광을 생성하여 출력하는 광대역 광원 또는 다파장(multi-wavelength) 광원일 수 있다. 광원(110)의 광대역 광은 복수의 파장 대역의 광을 포함한 다색광일 수 있다. 예컨대, 본 실시예의 검사 장치(100)에서, 광원(110)은 150 ~ 2100nm의 파장 범위의 광을 생성하여 출력할 수 있다. 물론, 광원(110)에서 생성된 광의 파장 범위가 상기 범위에 한정되는 것은 아니다. 광원(110)은 연속 스펙트럼 광을 생성하는 할로겐 램프 광원 또는 LED 광원일 수 있다. 그러나 광원(110)의 종류가 그에 한정되는 것은 아니다. 본 실시예의 검사 장치(100)에서, 광원(110)이 광대역 광원으로 구현됨으로써, 다양한 스펙트럼의 구성이 가능하다.
모노크로메이터(120)는 광원(110)의 광대역 광을 단색광(monochromatic light)으로 변환하여 출력할 수 있다. 여기서, 단색광은 파장의 폭이 매우 짧은 광을 의미할 수 있다. 예컨대, 단색광은 수 ㎚ 정도의 파장 폭을 갖는 광일 수 있다. 모노크로메이터(120)는 소정의 파장 범위에서 설정된 파장 폭을 가지고 스위핑(sweeping) 하면서 복수의 단색광들을 출력시킬 수 있다. 모노크로메이터(120)는 입사된 광을 파장별로 분광시킬 수 있는 격자 또는 프리즘을 포함할 수 있다.
제1 콜리메이터(130-1)는 모노크로메이터(120)로부터 입사된 단색광을 평행광으로 만들어 출력할 수 있다. 한편, 광원(110)으로 모노크로메이터(120)로의 광은 제1 광섬유(F1)를 통해 전달되고, 모노크로메이터(120)에서 제1 콜리메이터(130-1)로의 광은 제2 광섬유(F2)를 통해 전달될 수 있다. 물론, 광의 전달이 광섬유에 한정되는 것은 아니다.
제1 편광기(140-1)는 제1 콜리메이터(130-1)로부터의 광을 편광(polarization)시켜 출력할 수 있다. 편광은 예컨대, 선형 편광(linear polarization), 원형 편광(circular polarization), 타원 편광(elliptical polarization) 중 적어도 하나일 수 있다. 여기서, 선형 편광은 입사된 광에서 p 편광성분(또는 수평성분), 또는 s 편광성분(또는 수직 성분)만을 통과시켜 선형 편광된 광으로 변환시키는 것을 의미할 수 있다.한편, 원형 편광이나 타원 편광은 선형 편광된 광에 위상차를 줌으로써, 직선 편광 광을 원형 편광 광이나 타원 편광 광으로 변환시키거나, 또는 반대로 원형 편광 광이나 타원 편광 광을 직선 편광 광으로 변환시키는 것을 의미할 수 있다. 그에 따라, 원형 편광이나 타원 편광을 수행하는 편광기는 위상 지연자(phase retarder)라고 불리기도 한다.
빔 스플리터(150)는 제1 편광기(140-1)로부터의 광을 기판(W)으로 입사시키고, 기판(W)으로부터 반사된 반사광을 제1 검출기(190-1) 방향으로 출사시킬 수 있다. 예컨대, 빔 스플리터(150)는 제1 편광기(140-1)로부터의 광을 투과 또는 반사시켜 기판(W)으로 입사시키고, 기판(W)으로부터 반사광을 반사 또는 투과시켜 제1 검출기(190-1) 방향으로 출사시킬 수 있다.
대물렌즈(160)는 빔 스플리터(150)로부터 광을 기판(W)으로 집광하여 입사시킬 수 있다. 또한, 대물렌즈(160)는 기판(W)으로부터 반사된 반사광을 빔 스플리터(150)로 입사시킬 수 있다.
제1 분석기(170-1)는 빔 스플리터(150)의 후단에 배치되며, 기판(W)에서 반사되어 편광 방향이 변한 반사광을 선택적으로 통과시킬 수 있다. 예컨대, 제1 분석기(170-1)는 입사된 광 중에서 특정 편광 성분만을 통과시키고 나머지 성분들은 차단할 수 있다. 실시예에 따라, 제1 분석기(170-1)는 제1 결상 렌즈부(180-1)의 후단에 배치될 수도 있다. 여기서, 전단 및 후단은 광이 진행하는 방향에 대하여 해당 구성 요소들과의 상대적인 위치를 의미할 수 있다. 렌즈를 예를 들어 설명하면, 해당 구성 요소보다 광이 렌즈를 먼저 통과하면, 렌즈는 해당 구성 요소의 전단에 배치된 것으로 볼 수 있고, 반대로, 해당 구성 요소를 광이 먼저 통과한 후 렌즈를 통과하면 렌즈는 해당 구성 요소의 후단에 배치된 것으로 볼 수 있다.
제1 결상 렌즈부(180-1)는 결상을 위한 적어도 1개의 렌즈를 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 결상 렌즈부(180-1)는 결상 튜브 렌즈를 포함할 수 있다. 제1 결상 렌즈부(180-1)는 기판(W)에서 반사된 광을 제1 검출기(190-1)로 입사시켜, 제1 검출기(190-1)에 기판(W)이 결상되도록 할 수 있다. 물론, 기판(W) 전체가 결상되는 것이 아니라 기판(W)에서 FOV(Field Of View)에 해당하는 부분만 제1 결상 렌즈부(180-1)를 통해 제1 검출기(190-1)에 결상될 수 있다.
제1 검출기(190-1)는 기판(W)에 대한 2D 이미지를 생성할 수 있다. 예컨대, 제1 검출기(190-1)는 기판(W)으로부터 반사된 광을 제1 결상 렌즈부(180-1)를 통해 수광하여, 결상 면에 기판(W)이 결상되도록 할 수 있다. 기판(W)에 대한 2D 이미지는, 기판(W) 전체가 아니라 제1 검출기(190-1)의 FOV에 대응하는 2D 이미지임은 전술한 바와 같다. 제1 검출기(190-1)는 예컨대, CCD(Charge Coupled Device) 카메라일 수 있다. 그러나 제1 검출기(190-1)가 CCD 카메라에 한정되는 것은 아니다.
한편, 제1 검출기(190-1)는 복수의 파장 대역들에 대응하여 기판(W)에 대한 2D 이미지들을 복수 개 생성할 수 있다. 좀더 구체적으로 설명하면, 본 실시예의 검사 장치(100)에서, 광원(110)이 광대역 광을 생성하여 출력하고, 모노크로메이터(120)가 광대역 광을 복수의 파장 대역들로 나누어 차례로 기판(W)으로 입력되도록 할 수 있다. 그에 따라, 제1 검출기(190-1)는 파장 대역들에 대응하여 기판(W)에 대한 복수 개의 2D 이미지들을 생성할 수 있다.
본 실시예의 검사 장치(100)에서, 제1 검출기(190-1)는 고해상도를 갖는 검출기일 수 있다. 예컨대, 제1 검출기(190-1)는 500㎚ 이하의 픽셀 사이즈를 가지며, 400*400㎛2 이상의 FOV를 가질 수 있다. 물론, 제1 검출기(190-1)의 픽셀 사이즈와 FOV가 전술한 수치에 한정되는 것은 아니다. 제1 검출기(190-1)는 미세 픽셀 사이즈에 기인하여 매우 높은 해상도를 가질 수 있다. 예컨대, 제1 검출기(190-1)는 500㎚ 이하의 해상도를 가질 수 있다.
본 실시예의 검사 장치(100)에서, 제1 검출기(190-1)가 수직 광학계(Vop)를 기반으로 고해상도로 구현됨에 따라, 기판(W) 내의 검사 영역의 미세화 및 고밀도화에 기여할 수 있고, 그에 따라, 기판(W)에 대한 동시 측정 및/또는 측정 스루풋(throughput)이 향상될 수 있다. 또한, 제1 검출기(190-1)는 스팟(spot) 사이즈가 매우 작거나 거의 없는 것으로 볼 수 있으므로, 스팟 사이즈와 측정 영역의 사이즈 간의 미스 매칭으로 발생하는 신호 왜곡 및 그에 따른 측정 정합성의 감소를 해결할 수 있다.
한편, 경사 광학계(Top)는 광원(110), 모노크로메이터(120), 제2 콜리메이터(130-2), 제2 편광기(140-2), 제2 분석기(170-2), 제2 결상 렌즈부(180-2), 및 제2 검출기(190-2)를 포함할 수 있다.
전술한 바와 같이, 광원(110)과 모노크로메이터(120)는 수직 광학계(Vop)와 경사 광학계(Top)가 함께 공유하며, 또한, 그 기능 역시 수직 광학계(Vop)와 경사 광학계(Top)에서 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서, 그들에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
제2 콜리메이터(130-2), 제2 편광기(140-2), 및 제2 분석기(170-2)는 배치 위치만 다르고, 제1 콜리메이터(130-1), 제1 편광기(140-1), 및 제1 분석기(170-1)와 실질적으로 동일한 기능을 수행할 수 있다. 예컨대, 도 2에 도시된 바와 같이, 제2 콜리메이터(130-2), 및 제2 편광기(140-2)는 모노크로메이터(120)로부터 출력된 단색광이 기판(W)으로 경사 입사되는 경로 상에 배치될 수 있다. 제2 분석기(170-2)는 기판(W)에서 반사된 광이 경사 출사하는 경로 상에 배치될 수 있다.
여기서, 경사는 기판(W)의 상면에 대해 정의되거나 또는 상면의 법선에 대하여 정의될 수 있다. 제2 콜리메이터(130-2)는 모노크로메이터(120)로부터 입사된 단색광을 평행광으로 만들어 출력하고, 제2 편광기(140-2)는 제2 콜리메이터(130-2)로부터의 광을 편광시켜 출력하며, 및 제2 분석기(170-2)는 기판(W)에서 반사되어 편광 방향이 변한 반사광을 선택적으로 통과시킬 수 있다.
제2 결상 렌즈부(180-2)는 결상을 위한 적어도 1개의 렌즈를 포함할 수 있다. 예컨대, 제2 결상 렌즈부(180-2)는 결상 튜브 렌즈를 포함할 수 있다. 제2 결상 렌즈부(180-2)는 기판(W)이 제2 검출기(190-2)에 결상되도록 할 수 있다. 물론, 기판(W) 전체가 결상되는 것이 아니라 기판(W)에서 FOV(Field Of View)에 해당하는 부분만 제2 결상 렌즈부(180-2)를 통해 제2 검출기(190-2)에 결상될 수 있다.
제2 검출기(190-2)는 기판(W)에 대한 2D 이미지를 생성할 수 있다. 예컨대, 제2 검출기(190-2)는 기판(W)으로부터 반사된 광을 제2 결상 렌즈부(180-2)를 통해 수광하여, 결상 면에 기판(W)이 결상되도록 할 수 있다. 제2 검출기(190-2)는 제1 검출기(190-1)와 마찬가지로 복수의 파장 대역들에 대응하여 기판(W)에 대한 2D 이미지들을 복수 개 생성할 수 있다. 제2 검출기(190-2) 역시 CCD 카메라일 수 있다. 그러나 제2 검출기(190-2)가 CCD 카메라에 한정되는 것은 아니다.
본 실시예의 검사 장치(100)에서, 제2 검출기(190-2)는 고해상도의 대면적 검출기일 수 있다. 예컨대, 제2 검출기(190-2)는 10㎛ 이하의 픽셀 사이즈를 가지며, 9*9㎜2 정도까지의 FOV를 가질 수 있다. 그에 따라, 제2 검출기(190-2)는 높은 해상도를 가지고 넓은 FOV에 대응하는 기판(W)의 부분을 한 번의 촬상으로 측정할 수 있다. 예컨대, 제2 검출기(190-2)는 5 ~ 10㎛의 해상도 및 8*5㎜2의 FOV를 가지고 기판(W)에 대한 2D 영상을 획득할 수 있다. 따라서, 제2 검출기(190-2)는 넓은 FOV에 기반하여 기판(W)을 면 단위로 고속으로 측정할 수 있다.
참고로, 제1 검출기(190-1)와 제2 검출기(190-2)의 해상도와 FOV를 대충 비교하면, 제1 검출기(190-1)는 제2 검출기(190-2)보다 해상도가 10배 이상 높을 수 있다. 또한, 제2 검출기(190-2)는 제1 검출기(190-1)보다 FOV가 100배 이상 클 수 있다. 물론, 제1 검출기(190-1)와 제2 검출기(190-2) 간의 해상도와 FOV의 상대적인 크기가 상기 수치에 한정되는 것은 아니다.
본 실시예의 검사 장치(100)에서, 제2 검출기(190-2)가 경사 광학계(Top)를 기반으로 대면적의 FOV를 갖도록 구현됨에 따라, 기판(W)의 FOV에 대응하는 부분에 포함된 측정 영역들을 한 번에 동시에 측정할 수 있다. 그에 따라, 기판(W)의 측정 영역들에 대한 측정 속도를 대폭 향상시킬 수 있다.
스테이지(155) 상에는 기판(W)이 배치될 수 있다. 스테이지(155)는 x 방향, y 방향, 및 z 방향의 직선 이동을 통해 기판(W)을 이동시킬 수 있다. 그에 따라, 스테이지(155)는 x-y-z 스테이지라고 부르기도 한다. 한편, 실시예에 따라, 스테이지(155)는 직선 및/또는 회전 이동을 통해 기판(W)을 이동시킬 수도 있다.
여기서, 기판(W)은, 웨이퍼, 반도체 패키지, 반도체 칩, 디스플레이 패널 등의 검사의 대상이 되는 다양한 소자들일 수 있다. 예컨대, 본 실시예의 검사 장치(100)에서, 기판(W)은 다수의 반도체 칩들을 포함하는 웨이퍼일 수 있다. 또한, 기판(W)인 웨이퍼에는 리소그라피(lithography) 공정 제어를 위한 다수의 측정 영역들이 형성될 수 있다. 예컨대, 다수의 측정 영역들은 오버레이 키(overlay key), 포커스 키(focus key), 도우즈 키(dose key), CD 키 등을 포함할 수 있다.
한편, 도시하지 않았지만, 수직 광학계(Vop)와 경사 광학계(Top) 각각은 전술한 구성 요소들 이외에 광학 요소들을 더 포함할 수 있다. 예컨대, 수직 광학계(Vop)의 경우, 조명 광학계 부분에 셔터(shutter), ND(neutral density) 필터, 적어도 하나의 반사 미러, 포커스 렌즈 등을 더 포함할 수 있다. 또한, 경사 광학계(Top)는 조명 광학계 부분에 셔터, 및 ND 필터를 포함하고, 조명 광학계 부분에 적어도 하나의 폴딩(folding) 미러를 포함할 수 있다.
본 실시예의 검사 장치(100)는, 고해상 SMI 모드의 수직 광학계(Vop)와 대면적 SMI 모드의 경사 광학계(Top)를 포함할 수 있다. 그에 따라, 본 실시예의 검사 장치(100)는 수직 광학계(Vop)에 기초하여 기판(W) 내의 측정 영역들의 미세화 및 고밀도화에 기여할 수 있고, 또한, 측정 영역들에 대한 동시 측정 및/또는 측정 스루풋을 향상시킬 수 있다.
본 실시예의 검사 장치(100)는 경사 광학계(Top)에 기초하여, 고해상도로 대면적 FOV를 가지고 기판(W)을 측정함으로써, 기판(W)을 면 단위로 고속으로 측정할 수 있다. 또한, 스크라이브 레인(scribe lane) 내에 있는 측정 영역들, 예컨대 오버레이 키만 아니라 셀들 내에 패턴들 간의 오버레이를 모두 측정함으로써, 공정 변동(variation)에 따른 샷 내의 오버레이 로컬러티(locality)를 획득할 수 있고, 또한, 평균 효과로 인해 노이즈를 제거하여 정확한 데이터를 확보할 수 있다.
본 실시예의 검사 장치(100)는 고해상도에 기초하여, 스팟 사이즈를 최소화할 수 있고, 그에 따라, 스팟 사이즈와 측정 영역의 사이즈 간의 미스 매칭으로 발생하는 신호 왜곡, 및 그에 따른 측정 정합성 감소의 문제를 해결할 수 있다.
본 실시예의 검사 장치(100)는 고해상 SMI 모드의 수직 광학계(Vop)와 대면적 SMI 모드의 경사 광학계(Top)를 통해 기판(W)에 형성된 측정 영역들을 고해상도로 정밀하게, 그리고 대면적으로 고속으로 측정 및 검사함으로써, 반도체 공정, 예컨대, 리소그라피 공정에서의 에러를 검출할 수 있다. 또한, 본 실시예의 검사 장치(100)는 측정을 통해 얻은 측정 영역들에 대한 데이터를 피드백하여 리소그라피 공정에서의 기준 데이터로 활용하거나 기준 데이터의 캘리브레이션에 이용하도록 할 수 있다. 또한, 이와 같이 획득된 기준 데이터를 이용하여 리소그라피 공정을 효율적으로 제어하도록 할 수 있다. 그러나 리소그래피 공정에 한정되는 것이 아니라 반도체 소자 제조에 필요한 다양한 공정에 활용될 수 있다.
도 3a 내지 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 2의 광학 검사 장치에 의한 기판 상의 검사 영역을 나타내는 도면이다.
도 3a는 도 2의 기판 검사 장치(100)의 피검사체의 일 예로서, 기판(W)을 도시한다. 도 3a를 참고하면, 기판(W)은 복수 개의 칩들(C)을 포함하는 웨이퍼이고, 검사 대상인 검사 영역(A)은 적어도 하나 이상의 칩(C)을 포함할 수 있다. 이와 달리, 검사 영역은 단일 칩(C)에 대응되는 영역일 수 있다. 기판(W)은 웨이퍼로 지칭될 수 있다.
도 3b는 기판(W) 상의 검사 영역(A)을 웨이퍼(Wafer), 샷(Shot), 칩(Chip), 뱅크(Bank), 유닛 블록(Unit Block) 및 셀(Cell) 단위로 나타낸 도면이다. 도 3b를 참고하면, 가장 왼쪽 상단에 웨이퍼가 도시되고 있는데, 웨이퍼의 내부에는 직선을 통해 나누어진 다수의 샷이 표시되어 있다. 여기서, 샷은 리소그라피 공정에서 한 번의 노광을 통해 마스크 상의 패턴들을 웨이퍼 상에 전사시키는 과정 또는 그에 대응하는 웨이퍼 상의 영역을 의미할 수 있다.
상단 왼쪽에서 두 번째에 샷이 확대되어 보이고 있는데, 하나의 샷에는 다수의 칩이 포함될 수 있다. 예컨대, 하나의 샷에 18개의 칩이 포함될 수 있다. 그러나, 샷에 포함되는 칩의 개수가 18개에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 칩의 종류에 따라, 샷에는 하나 또는 다양한 개수의 칩이 포함될 수 있다.
하단 오른쪽에서 두번째에 뱅크가 확대되어 보이고 있는데, 여기서, 뱅크는 다수의 유닛 블록이 모인 집합체일 수 있다. 뱅크들 사이에도 스크라이브 레인이 존재할 수 있다. 참고로, 스크라이브 레인은 보통 소잉을 위한 영역을 의미하나, 여기서는 셀들이 배치된 뱅크 부분 이외의 영역을 의미할 수 있다. 하단 가장 왼쪽에서 유닛 블록이 확대되어 보이고 있는데, 여기서, 유닛 블록은 셀이 모인 집합체일 수 있다.
여기서, 기판 검사 장치(100)는 웨이퍼 전체, 샷, 칩, 블록 단위로써 전체를 커버하여 기판 검사를 수행할 수 있다. 예를 들어, 기판 검사 장치(100)의 수직 광학계(Vop)는 고해상 SMI 모드로 블록 단위의 스펙트럼을 획득할 수 있다. 또한, 기판 검사 장치(100)의 경사 광학계(Top)는 웨이퍼 전체, 샷 및 칩 중 어느 하나의 단위로 기판의 스펙트럼을 획득할 수 있다.
기판 검사 장치(100)는 스펙트럼을 분석하여, 웨이퍼 전체, 샷, 칩 및 블록 각각의 단위별 취약점을 추출할 수 있다. 수직 광학계(Vop) 및 경사 광학계(Top)를 이용하여 기판의 취약점을 신속하게 검사할 수 있다. 이를 통해, 취약점에 기반하여 기판에 대한 정밀 검사를 수행함으로써, 기판 불량을 개선할 수 있다. 기판의 불량을 방지함으로써, 반도체 소자의 수율을 향상시킬 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 측정 영역의 파장별 이미지 및 각 픽셀에서의 스펙트럼 데이터를 나타내는 개념도이다.
도 4를 참고하면, 기판 검사 장치(100)는 기판(W)에 대하여 파장별로 다수의 이미지을 획득할 수 있다. 본 발명은 스펙트럼 데이터를 이용하여 파장별로 광량(Intensity)을 추출할 수 있다. 여기서, 스펙트럼 데이터(SPD)는 도 4에 도시한 바와 같이 공간 좌표, 즉 공간 X 및 공간 Y와, 파장 에 따른 복수개의 파장별 이미지(IMG1, IMG2, IMG3, IMG4, IMG5)로 구성될 수 있다. 도 4에서는 5개의 파장별 이미지(IMG1, IMG2, IMG3, IMG4, IMG5)만을 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 검사 방법을 구체적으로 나타내는 흐름도이다. 도 2의 기판 검사 장치(100)를 함께 참조하여 설명한다.
도 5를 참고하면, 일 실시예에 따른 기판 검사 방법은, 먼저, 기판(W)에 광을 조사할 수 있다(P110). 일 실시예에 따른 기판 검사 방법은, 제조 공정이 완료될 때마다 기판(W)에 광을 조사하여 기판 검사가 수행될 수 있다. 구체적으로, 기판(W)에 선행 제조 공정을 수행한 뒤, 선행 제조 공정이 수행된 상기 기판(W)에 대해 표면 검사를 수행할 수 있다. 선행 제조 공정이 수행된 상기 기판(W)에는 칩 영역이 형성되어 있을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 선행 제조 공정은 증착 공정, 패턴 형성 공정, 식각 공정, 세정 공정 등 반도체 소자의 제조에 필요한 모든 공정일 수 있다.
여기서, 기판 검사 방법은 SMI 기반 검사를 포함할 수 있다. 기판 검사 방법은 검사 장치(100)에서, 고해상 SMI 모드 및 대면적 SMI 모드 모두 수행될 수 있다. 여기서, 고해상 SMI 모드는 수직 광학계(Vop)에 해당하고, 수직 광학계(Vop)의 제1 검출기(190-1)는 500㎚ 이하의 픽셀 사이즈를 가지며, 400*400㎛2 이상의 FOV를 가질 수 있다. 또한, 대면적 SMI 모드는 경사 광학계(Top)에 해당하고, 경사 광학계(Top)의 제2 검출기(190-2)는 10㎛ 이하의 픽셀 사이즈를 가지며, 9*9㎜2 이하의 2 FOV를 가질 수 있다.
광을 조사한 후 기판 검사 장치(100)를 이용하여 기판(W)으로부터 반사된 반사광으로부터 파장에 따른 광량을 나타내는 스펙트럼을 추출할 수 있다. 예시적인 실시예들에서, 스펙트럼을 추출하는 방식은 기판 검사 장치(100)를 이용하여 파장별로 2D 이미지를 획득하는 것을 의미할 수 있다. 예시적인 실시예들에서, 스펙트럼을 추출하는 방식은 스펙트럼 간의 거리, 스펙트럼의 파장 구간 별 평균 반사도 및 퓨리에 변환 정보 중 적어도 어느 하나를 이용하여 스펙트럼을 추출하는 것일 수 있다.
예시적인 실시예들에서, 스펙트럼을 추출하는 방식은 단파장, 중파장 및 장파장 각각의 파장 구간별로 상기 스펙트럼을 추출하는 것을 의미할 수 있다. 여기서, 단파장은 약 380nm 내지 약 500nm 범위의 파장일 수 있다. 중파장은 약 500nm 내지 약 600nm 범위의 파장일 수 있다. 장파장은 약 600nm 내지 약 780nm 범위의 파장일 수 있다.
스펙트럼을 추출한 후, 추출된 스펙트럼을 기판(W) 전체, 샷, 칩 및 블록 각각의 단위로 분석할 수 있다(P130). 예시적인 실시예들에서, 추출된 스펙트럼을 기판(W) 전체의 단위로 분석하는 방식은 추출된 스펙트럼을 샷 단위별 평균값을 구하는 것을 의미할 수 있다. 예시적인 실시예들에서, 추출된 스펙트럼을 샷 단위로 분석하는 방식은 추출된 스펙트럼을 칩 단위별 평균값을 구하는 것을 의미할 수 있다. 예시적인 실시예들에서, 추출된 스펙트럼을 블록의 단위로 분석하는 방식은 추출된 스펙트럼을 셀 단위별 평균값을 구하는 것을 의미할 수 있다.
스펙트럼을 분석한 후, 분석된 스펙트럼을 이용하여 파장 구간별 반사도를 나타내는 스펙트럼 분포도를 생성할 수 있다(P140). 스펙트럼 분포도는 각각의 파장별 광량(intensity)에 대한 카운트 횟수를 나타내는 그래프일 수 있다. 또한, 스펙트럼 분포도는 가우시안 분포를 나타낼 수 있다.
스펙트럼 분포도를 생성 후, 스펙트럼 분포도에 기초하여 기판(W) 내의 취약점을 추출할 수 있다(P150).
도 6는 본 발명의 일 실시예에 따른 아웃라이어를 추출하는 방법을 나타내는 흐름도이다. 여기서, 취약점을 추출하는 방식은 스펙트럼 분포도 내의 아웃라이어(outlier)를 추출하는 단계를 포함할 수 있다.
도 6을 참조하면, 구체적으로, 스펙트럼 분포도를 생성하는 단계(P210) 후, 기판 검사 방법은 각각의 광량에 대한 로버스트 거리(Robust distance)를 계산할 수 있다(P220). 로버스트 거리는 최소 공분산 결정 방법(Minimum Covariance Determine method, MCD)를 이용하여 계산할 수 있다. 로버스트 거리는 다변량의 데이터에서 가우시안 분포의 형태를 고려한 거리를 의미할 수 있다.
로버스트 거리를 계산한 후, 로버스트 거리에 기초하여 아웃라이어(outlier)를 추출할 수 있다(P230). 아웃라이어를 추출하는 방법은 로버스트 거리가 기 설정된 임계값 이상인 경우 아웃라이어로 선정하는 방식에 의할 수 있다. 아웃라이어는 스펙트럼 분포도에서 정규 분포에서 벗어난 이상점을 의미할 수 있다. 예시적인 실시예들에서, 이상점은 파장에 따른 광량(intensity)이 표준값에 비해 매우 작거나 큰 값을 의미할 수 있다.
예시적인 실시예들에서, 아웃라이어는 전체 스펙트럼 분포도에 대하여 약 3 퍼센트 내지 약 17 퍼센트 범위 내에서 추출될 수 있다. 예시적인 실시예들에서, 아웃라이어는 전체 스펙트럼 분포도에 대하여 약 5 퍼센트 내지 약 15 퍼센트 범위 내에서 추출될 수 있다. 예시적인 실시예들에서, 아웃라이어는 전체 스펙트럼 분포도에 대하여 약 7 퍼센트 내지 약 10 퍼센트 범위 내에서 추출될 수 있다. 예시적인 실시예들에서, 이상적인 아웃라이어 추출 범위는 10퍼센트일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 7는 본 발명의 일 실시예에 따른 아웃라이어를 추출하는 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 7을 참고하면, 기판 검사 방법은 아웃라이어를 표지한 취약점 맵을 생성할 수 있다(P310). 아웃라이어는 파장에 따른 광량이 정규 분포를 벗어난 이상점을 나타내는 바, 기판 내의 취약점(weak point)을 포함할 수 있다. 취약점 맵은 웨이퍼 전체, 샷, 칩 및 블록 중 어느 하나의 단위 크기로 생성될 수 있다.
취약점 맵을 생성한 이 후, 취약점 맵을 중첩하여 중첩 맵(composite map)을 생성할 수 있다(P320). 중첩 맵은 웨이퍼 전체, 샷, 칩 및 블록 중 어느 하나의 크기 단위로 생성될 수 있다. 중첩 맵 상에서, 취약점 맵에 표지된 아웃라이어가 중첩되는 부분은 어둡거나 붉게 표지될 수 있다. 예를 들어, 10개의 취약점이 중첩되는 부분보다 30개의 취약점이 중첩되는 부분이 더 어둡거나 붉게 표지될 수 있다.
중첩 맵을 생성한 이 후, 중첩 맵에 기초하여 취약점을 추출할 수 있다(P330). 취약점은 이상점(예를 들어, 아웃라이어)이 중첩된 부분을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에서, 전체 취약점 맵의 중첩 개수의 30 퍼센트 이상이 중첩되는 지점을 취약점으로 추출할 수 있다. 예시적인 실시예들에서, 전체 취약점 맵의 중첩 개수의 40 퍼센트 이상이 중첩되는 지점을 취약점으로 추출할 수 있다. 예시적인 실시예들에서, 전체 취약점 맵의 중첩 개수의 50퍼센트 이상이 중첩되는 지점을 취약점으로 추출할 수 있다.
그 다음으로, 취약점에 기초하여 기판의 정밀 검사를 수행할 수 있다. 여기서, 정밀 검사는 취약점이 표지된 부분에 대하여 전자빔(E-BEAM) 장치 또는 CD SEM(Critical Dimension Scanning Electron Microscope)을 이용하여 기판상 실제 결함을 찾는 검사일 수 있다.
기판 검사 방법에 의해 획득한 취약점은 실제 기판의 불량과 일치하는 것을 확인할 수 있었다. 본 발명에 의해 기판의 취약점을 획득 후 기판에 대한 정밀 검사(예를 들어, 전자빔 장치를 이용한 기판 검사)를 수행함으로써, 기판의 불량에 대한 검출력을 향상시킬 수 있다. 또한, 정밀 검사 이전에 불량이 있을 가능성이 높은 취약점을 미리 획득 후 정밀 검사를 수행함으로써 기판 검사 시간을 단축시킬 수 있다. 기판 검사를 통한 기판 불량을 검출하고, 보완함으로써, 반도체 소자 제조 공정의 수율을 제고할 수 있다.
도 8는 기판 검사 방법에 의한 취약점을 기반으로 검사 대상을 선정하는 방식을 개략적으로 도시한 사진이다. 도 9은 예시적인 실시예들에 따른 기판 검사 방법에 의한 실험예를 개략적으로 도시한 그래프이다.
도 8및 도 9을 참고하면, 도 8의 (a)는 기존의 칩에 대한 불량 검사 영역(910)을 나타낸다. 도 8의 (b)는 칩에 대하여 기판 검사 방법으로 검사한 결과로서 취약점(Weak Point, WP)을 표지한 중첩맵을 나타낸다. 도 8의 (c)는 도 8의 (b)에 기초하여 칩에 대한 개선된 불량 검사 영역(910, 920)을 나타낸다. 개선된 불량 검사 영역은 기존의 불량 검사 영역(910)에 더하여 세개의 영역(920)이 추가되었다. 추가된 세개의 영역은 중첩맵에 표지된 취약점들을 포함하는 영역이다. 불량 검사 영역에 대한 검사 결과는 도 9의 그래프에서 기술한다.
도 9의 그래프에 있어서, 실선은 종래의 기판 검사 결과(Conventional inspect result)를 나타내고, 일점 쇄선은 개선된 기판 검사 결과(Improved inspect result)를 나타낸다. 또한, 종래의 기판 검사 결과는 도 8의 (a)를 대상으로 실시한 검사이며, 개선된 기판 검사 결과는 도 8의 (c)를 대상으로 실시한 검사이다. 여기서, 기판 검사는 정밀 검사를 포함하고, CD-SEM(Critical dimension Scanning Electron Microscope) 장치를 이용하여 수행되었다.
도 9의 그래프를 참고하면, 가로축은 각각 다른 기판을 나타내고, 세로축은 각각의 기판에 대한 검사 결과 나타난 결함의 개수를 나타낸다. 종래의 기판 검사 결과와 개선된 기판 검사 결과를 비교하면, 종래에 비해 검출된 결함의 개수가 1.5배 내지 3.4배 향상된 것을 알 수 있었다. 즉, 예측한 취약점에 기반하여 기판 검사를 수행한 결과 결함 검출력이 향상되었다.
100: 기판 검사 장치, 10: 제1 광학 검사 장치 20: 제2 광학 검사 장치 40: 서버 45: 데이터베이스 60: GBC 조사 장치 110, 110-1, 110-2: 광원, 120, 120-1, 120-2: 모노크로메이터, 130-1, 130-2: 콜리메이터, 140-1, 140-2: 편광기, 150: 빔 스플리터, 155: 스테이지, 160: 대물렌즈, 170-1, 170-2: 분석기, 180-1, 180-2: 결상 렌즈부, 190-1,190-2: 검출기, W: 기판

Claims (10)

  1. 기판에 광을 조사하는 단계;
    상기 기판으로부터 반사된 반사광으로부터 파장에 따른 광량을 나타내는 스펙트럼을 추출하는 단계;
    추출된 상기 스펙트럼을 기판 전체, 샷(shot), 칩(chip) 및 블록(block) 각각의 단위로 분석하는 단계;
    분석된 상기 스펙트럼을 이용하여 파장 구간별 반사도를 나타내는 스펙트럼 분포도를 생성하는 단계; 및
    상기 스펙트럼 분포도에 기초하여 상기 기판 내의 취약점을 추출하는 단계를 포함하는 기판 검사 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 스펙트럼을 추출하는 단계는,
    단파장, 중파장 및 장파장 각각의 파장 구간별로 상기 스펙트럼을 추출하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    추출된 상기 스펙트럼을 상기 기판 전체의 단위로 분석하는 단계는,
    추출된 상기 스펙트럼을 샷 단위별 평균값을 구하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    추출된 상기 스펙트럼을 상기 샷의 단위로 분석하는 단계는,
    추출된 상기 스펙트럼을 칩 단위별 평균값을 구하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    추출된 상기 스펙트럼을 상기 블록의 단위로 분석하는 단계는,
    추출된 상기 스펙트럼을 셀 단위별 평균값을 구하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 스펙트럼 분포도에 기초하여 상기 기판 내의 취약점을 추출하는 단계는,
    상기 스펙트럼 분포도 내의 아웃라이어(outlier)를 추출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 아웃라이어를 추출하는 단계는,
    상기 스펙트럼 분포도 내에서 최소 공분산 결정(minimum covariance determinant) 방법을 이용하여 상기 아웃라이어를 추출하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 아웃라이어를 추출하는 단계는,
    상기 스펙트럼 분포도 내에서 광량 각각에 대한 로버스트 거리(Robust distance) 를 계산하고, 상기 로버스트 거리가 기 설정된 임계값 이상인 경우 아웃라이어로 선정하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 기판 내의 취약점을 추출하는 단계는,
    상기 아웃라이어를 기판 전체, 샷, 칩 및 블록 중 어느 하나의 내부에 대응되는 지점에 표지한 취약점 맵을 생성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 취약점 맵을 중첩하여 중첩 맵을 생성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 방법.
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