JP4302882B2 - 安定化粒子、その製造方法、およびその用途 - Google Patents
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Description
【０００１】
技術分野
本発明は一般的に安定化粒子およびその製造方法に関するものである。より特定すると、本発明は、絶縁、半導体および／または金属コーティングによって安定化されたナノパーティクルのような約０．１ミクロンまたは１００ｎｍ未満のサイズを持つ粒子に関するものである。
【０００２】
発明の背景
ナノサイズの金属粒子は、非線形光学スイッチおよび高密度情報蓄積から、免疫ラベリングおよび濃縮分散液における追跡拡散研究にわたる、広い多様性の潜在的用途を持つ。ナノパーティクルは特有の光学的、電気的および磁気的な特性を持つ。ナノパーティクルは典型的に光学的に透明である。大規模な製造における主要な難点は、金属コロイドが複雑な二層構造を持ち、その安定性は電子的な平衡およびイオン／ポリマー吸着の両方によって制御されていることである。
【０００３】
半導体材料もまた、主に導電および価電子帯の間の分離で生じるそれらの特殊な電子的な特性により、技術的な面で極めて高い重要性を持つ。半導体材料がナノパーティクルサイズの範囲で調製される場合、その電子密度状態は組織的な方法によって変化し、その金属の光学的および電子的特性に強く影響を与える。半導体ナノパーティクルの表面は、半導体物理学の観点からかなり不完全であり、そのためバルク固体のエネルギーギャップ範囲内のエネルギー準位は、原子位置の再構築によって発生する。
【０００４】
少なくともナノサイズを持つ粒子の調製は、粒子の凝集を防ぐために用いられるリガンドまたは安定剤を慎重に選択することによって、大きく促進されうる。例えば、高分子の安定剤は水溶液において非常に有効な分散剤であり、一方で長鎖の界面活性剤または化学特異的なリガンドは有機溶媒において広く使用されうる。あるいは、安定化は、ミセルまたはミクロエマルジョンにおいて粒子を仕分けすることによって達成され、ただしマトリックスと粒子の還元反応を阻止する必要のある場合には、ガラスまたはゾルゲルにおける非可動化はより好ましい技術である。ごく最近、ラングミュア−ブロジェット（ＬＢ）膜が粒子安定剤として使用されており、界面活性剤で安定化した金属粒子の電気積層が、規則的な二次元結晶を形成するために使用されている。これらの様々な技術は、純金属粒子の合成だけでなく、半導体粒子、ナノサイズの合金、混合金属粒子、および被膜された粒子、同様に非球形で幾何学的な形の粒子（例えば、ロッド状または平板状）にも使用される。
【０００５】
しかしながら、使用された安定剤の多くは粒子の固体状態の特性に影響を及ぼす。この問題を回避するために、粒子の凝集を防ぐような安定剤を見出すことが望ましい。加えて、安定剤は化学的に不活性で光学的に透明であることが好ましい。例えばペイントおよび磁性流体から高品質の紙用塗料までの広範囲な工業的コロイド製品において使用されているシリカ、被膜材料によって、これらの条件は満たされうる。
【０００６】
有機分子よりむしろ安定剤としてのシリカの用途は数々の利点を持つ。化学的または電子的なプロセス中に粒子の凝集を防ぐことに加えて、シリカシェルは、基礎になる粒子の構造に順応できるような破壊された（無定型の）構造によりパッシバント（ｐａｓｓｉｖａｎｔ）として作用することが予想される。
【０００７】
しかしながら、いくつかの粒子、例えば金は、溶液中でそれらが不動態の酸化皮膜を形成しないためにシリカに対して非常に低い親和性しか持たない。さらにその上、このような金属の表面上には、通常飽和したカルボン酸または他の有機アニオンが吸着し、凝集に対して粒子を安定化している。これらの安定剤もまた、金属表面のガラス非親和性に寄与している。
【０００８】
それらの特性、特に蛍光性のような光学的特性に実質的に影響を与えることなく、粒子およびそれらの表面に安定性を与えるために、シリカのような安定した物質で粒子を被膜する方法が必要である。
発明の概要
従って、本発明の目的は、当分野の上記必要性を解決することである。
【０００９】
本発明の一つの観点において、絶縁、半導体、および／または金属コーティングで粒子を安定化する方法を提供する。該方法は：（ｉ）粒子のソースとコーティングのソースとを混合し、粒子−コーティング混合物を提供し；（ii）該粒子−コーティング混合物に構造式（Ｉ）
【００１０】
【化５】
【００１１】
（ただし、Ａは、粒子または粒子上に形成されたコーティングに結合する第一官能基であり、チオール、アミン、ホスフィン、リン酸、ホウ酸、テトラアルキルアンモニウム、カルボキシル、ケイ酸、シロキシル、セレン酸、ヒ酸、およびアルミン酸よりなる群より選択され、Ｂは、コーティング層の核形成のために核粒子の表面を活性化する官能基であり、チオール、アミン、ホスフィン、カルボキシル、ケイ酸、シロキシル、シラン、セレン酸、ヒ酸、およびアルミン酸からなる群より選択され、Ｘは、任意の連結基である。）
で示される二官能リガンドを添加する。
【００１２】
それに代わる実施形態において、はじめに粒子のソースは二官能リガンドと混合され、粒子−リガンド混合物を提供し；（ii）粒子−リガンド混合物をコーティングのソースに添加し；（iii）該二官能リガンドとコーティングを該粒子上に積層する。
【００１３】
本発明のその他の観点において、該粒子は前記方法のいずれかによって調製され安定化された粒子が提供される。
【００１４】
本発明のさらにその他の観点において、前記コーティングは二官能リガンドを介して前記粒子に結合され絶縁、半導体、および／または金属コーティングによって安定化された粒子が提供される。
【００１５】
本発明のさらにその他の観点において、検体に特異的に結合し、検出できるシグナルを提供できるようなリガンドと共にサンプルをインキュベーションしてなる検体を含むことが推測されるサンプルにおいて、検体の存在を検出するための方法が提供され、ただし該リガンドはここで開示された被膜粒子からなる。
【００１６】
本発明のさらなる観点において、全体または部分的に上述の安定化粒子よりなる顔料またはペイント着色剤が提供される。
【００１７】
当業者であればここで開示された観点において、本発明のこれらおよびその他の実施形態は想到するであろう。
発明の詳細な説明
本発明の方法の実施は、特に指示がない限り、当業界の技術範囲内の合成有機化学の通常の技術を用いる。このような技術は引用文献によって完全に説明される。例えば、カーク オスマーズ科学技術百科（Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ’ｓ Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）；ハウスの現代合成反応（Ｈｏｕｓｅ’ｓ Ｍｏｄｅｒｎ Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｒｅａｃｔｉｏｎ）、およびＣ．Ｓ．マーベル（Ｃ．Ｓ．Ｍａｒｖｅｌ）とＧ．Ｓ．ハイアー（Ｇ．Ｓ．Ｈｉｅｒｓ）のテキストの、有機合成（ＯＲＧＡＮＩＣ ＳＹＮＴＨＥＳＩＳ，Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ Ｖｏｌｕｍｅ１）である。
【００１８】
本明細書中および添付の請求項で使用されているように、単数形の“ａ”、“ａｎ”、および“ｔｈｅ”は、明確な記述がない限り、複数の言及を含む。従って、例えば“官能基”という言及は、このような基の一つ以上を含み、“コーティング層”という言及はこのような層の一つ以上を同様に含む。
Ａ．定義
本発明の説明において、以下の言葉が使用され、以下に示すように定義される。
【００１９】
ここで用いられる“アルキル”という言葉は、炭素原子１〜２４の分岐または非分岐の飽和炭化水素基であり、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、オクチル、デシル、テトラデシル、ヘキサデシル、エイコシル、テトラコシル等であり、同様にシクロアルキル基であり、例えばシクロペンチル、シクロヘキシル等である。“低級アルキル”という言葉は、炭素原子１〜６，好ましくは１〜４のアルキル基のことである。
【００２０】
ここで用いられる“アルケニル”という言葉は、少なくとも一つの炭素−炭素二重結合を含む炭素原子２〜２４の分岐または非分岐の炭化水素基であり、例えば、エテニル、ｎ−プロペニル、イソプロペニル、ｎ−ブテニル、イソブテニル、ｔ−ブテニル、オクテニル、デセニル、テトラデセニル、ヘキサデセニル、エイコセニル、テトラコセニル等である。ここで好ましいアルケニル基は、２〜１２の炭素原子および２〜３の炭素−炭素二重結合を含む。“低級アルケニル”という言葉は、炭素原子２〜６のアルケニル基であり、好ましくは２〜４の炭素原子、一つの−Ｃ＝Ｃ−結合を持つ。
【００２１】
ここで使用される“アルキニル”という言葉は、少なくとも一つの−Ｃ≡Ｃ−結合を含む炭素原子２〜２４の分岐または非分岐の炭化水素基であり、例えばエチニル、ｎ−プロピニル、イソプロピニル、ｎ−ブチニル、イソブチニル、ｔ−ブチニル、オクチニル、デシニル等である。ここで好ましいアルキニル基は、２〜１２の炭素原子を含む。“低級アルキニル”という言葉は、炭素原子２〜６のアルキニル基、好ましくは炭素原子２〜４および一つの−Ｃ≡Ｃ−を含むものである。
【００２２】
ここで使用される“ハロゲン”という言葉は、フッ素、塩素、臭素、およびヨウ素を意味する。
【００２３】
例えば“ＣｄＳ＠ＳｉＯ2”のように記載された被膜粒子は、ＳｉＯ2を含むコーティングからなるＣｄＳを含む核粒子を意味する。
【００２４】
ここで使用される“二官能リガンド”という言葉は、その最も広い意味において、粒子と結合できる第一官能基およびコーティングに結合できる第二官能基を含む任意の単一または複数鋸歯状のリガンドである。好ましくは、該第一官能基は粒子に結合し、該第二官能基は一つまたはそれ以上の結合部位を介してコーティングと結合する。
【００２５】
“任意の”または“任意に”は、実質的に説明された現象または状況が生じるかもしれないし、または生じないかもしれない、という意味であり、その説明は、前記現象または状況が生じる場合、および生じない場合を含む。例えば、“任意に置換された低級アルキル”という表現は、低級アルキル基は置換されていてもされていなくてもよいという意味であり、その記述は非置換の低級アルキルおよび置換基を有する低級アルキルの両方を含む。
【００２６】
安定化粒子および安定化粒子を調整する方法は、ここで提供される。粒子の安定化は、絶縁、半導体、金属またはそれらの組み合わせである粒子上にコーティングを提供することによって達成される。該コーティングは、第一官能基および第二官能基を含む二官能リガンドを介して粒子に結合する。
該粒子は、好ましくは約０．１ミクロン、すなわち１００ナノメーター未満のサイズを持つナノパーティクルである。好ましくは、該粒子は４０ｎｍ未満の直径を持つ。より大きい粒子はコーティングプロセス中に沈殿する問題を生じることがある。該粒子は、形状において一般的な球状から楕円を通して、円柱またはロッド状に変えることができる。非球状の粒子において有効な直径は、（ａｂｃ）1/3であり、ここでａ、ｂおよびｃは粒子の座標軸である。従って、ａ＝ｂ＜＜ｃであるロッド状粒子の場合、ロッドの長さ（ｃ）は１００ｎｍを超過し、そのときの（ａｂｃ）1/3は１００ｎｍ未満である。好ましくは、（ａｂｃ）1/3は２０ｎｍ未満で、光学的に透明になる。粒子サイズの分布（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ）が存在し、本明細書中において、我々は数値の平均値で直径を言及している。比較的狭い幅の分布が好ましく、望ましくない光散乱または沈殿の原因となる大きい粒子が低い比率であるためである。該粒子は金属、例えば、銅、銀、金、プラチナ等、または金属化合物もしくは合金であり、例えば金属硫化物、金属ヒ化物、金属セレン化物、金属テルル化物、金属酸化物、金属ハライド、またはそれらの混合物である。好ましい粒子は、半導体ナノパーティクルである。半導体ナノパーティクルの例は、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ケイ素（Ｓｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、セレニウム（Ｓｅ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等である。これらの半導体ナノパーティクルは、電磁スペクトルの可視範囲において、強い蛍光を示すことが知られている。例えばポリ（ピロール）のようないくつかの有機ポリマーもまた、導電性蛍光粒子およびナノパーティクルとしての析出物を形成する。このようなポリマーナノパーティクルもまたここで開示した方法を用いて安定化することができる。
【００２７】
粒子のソースは、それ自体粒子、粒子を含む化合物、または結合すると粒子を形成する二つまたはそれ以上の化合物でありうる。例えば、Ｃｄ（ＮＯ3）2およびＮａ2Ｓは結合して半導体ＣｄＳを形成する。金属核の場合、粒子のソースは、通常、還元されて望ましいサイズおよび形状を持つ金属粒子を形成することのできる金属塩であり、例えば、ＡｕＣｌ4 -は金粒子のソースであり、ＡｇＮＯ3は銀粒子のソースである。被膜される粒子は、すでに核／シェル構造または核被膜構造をもちうる。それゆえにこの場合、該粒子は複数のコーティング層を持ちうる。
粒子はコーティング層で被膜される。好ましくは、コーティング厚さは１０〜３０ｎｍである。コーティング厚さが１０ｎｍ未満の場合、被膜粒子はいくらかコロイド的な不安定さを示す。コーティング厚さが３０ｎｍを著しく超過する場合、被膜粒子は好ましくない光散乱を起こす。好ましくは、被膜粒子もまたナノパーティクルである。そのコーティングは二官能リガンドを介して粒子と結合する。該二官能リガンドは式：
【００２８】
【化６】
【００２９】
（ただし、Ａ、ＢおよびＸは、上記で定義したとおりである。）
で示される。
【００３０】
第一官能基のＡは、化学的本体または基であり、これは特異的に粒子に結合することができ、それゆえに表面状態および表面トラップエネルギーを変化させ、光励起されたナノパーティクルにおいて表面の蛍光および非放射性の減退経路を制御し、または影響を与えている。該第一官能基は、単一鋸歯状または複数鋸歯状であり、これは粒子への結合を増強しうる。選択された第一官能基は、被膜された粒子のタイプに依存しうることが理解される。該第一官能基の構造はまた、粒子の表面に結合したときに変化しうる。例えば、第一官能基が−ＮＨ2の場合、次にＮだけが粒子表面に結合する。−ＳＨの場合、Ｓだけが粒子表面に結合する。該第一官能基は、ここで開示された方法に従って被膜された粒子に結合するように選択され、それによって一つ以上ののコーティング層を含む粒子を提供する。
【００３１】
第二官能基は、コーティング層の核形成のために核粒子の表面を活性化する能力を持つ化学的本体または基である。該第二官能基はまた、コーティング層において蛍光を活性化させうる。選択された第二官能基は、積層されるコーティングのタイプに依存する。例えば、シラン第二官能基活性化剤は通常、ｐＨ２以上の水中で負電荷を持つ。ＮＲ4 +（ただしＲはメチルまたはエチルのようなアルキル基である）のような陽イオンの第二官能基は、ＡｕＣｌ4 -、ＰｔＣｌ6 2-、またはＳＮＯ3 2-のような陰イオンのコーティング種類の積層に対してより有効である。いくつかの場合において、導電性ポリマーのような有機コーティングを表面に塗布することは有効であり、活性化した核粒子からの電子移送を補助する。この場合、第二官能基は、ポリマーコーティングのアルキル鎖と結合できる不飽和エチレンまたはアリル基でありうる。その活性化している基は次に、ポリマーコーティングの主鎖またはペンダント基の任意の官能基に結合するために活用される。このようなコーティング活性化剤からなる二官能リガンドは、活性化された核粒子を、プラスチックのような有機膜に埋められる導電性層で被膜させることができる。
【００３２】
適切なスペーサーは、これらに限定されないが、アルキル、アルケニルまたはアルキニルスペーサーのような直鎖、分岐または環状の炭化水素を含み、任意にフッ素、塩素、臭素、またはヨウ素のよなハライド基で置換されうる。好ましくは、該スペーサーはアルキルまたはフッ化アルキル鎖である。
【００３３】
二官能リガンドの特異的な例は、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（ＳＨ（ＣＨ2）3（Ｓｉ（ＯＭｅ）3））（“ＭＰＳ”）、１，３−プロパンジチオール（（ＨＳ（ＣＨ2）3ＳＨ）2）、３−アミノプロパンチオール（（ＨＳ（ＣＨ2）3ＮＨ2））（“ＡＰＴ”）および３−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＮＨ2（ＣＨ2）3Ｓｉ（ＯＭｅ）3）（“ＡＰＳ”）である。一つの好ましい実施形態において、該二官能リガンドは、ＭＰＳ、ＡＰＴ、またはＡＰＳである。これらのリガンドは、メルカプトまたはチオールおよびアミノ基は、第一官能基として機能し、トリメトキシシラン基は第二官能基として機能している。他の好ましい実施形態において、第二官能基は、（Ｓｉ（ＯＥｔ）3）のような他のアルコキシシラン基、またはＳｉ（ＯＰｒ）3のような任意の水溶性官能基でありうる。言い換えれば、第二官能基は、構造式（Ｓｉ（ＯＲ）3）（ただし、Ｒはアルキル基であり、好ましくは低級アルキル基である）を持つ水溶性官能基である。一方で本発明の明細書中で、Ｒがメチル基の例が説明されているが、他のアルキル、特に低級アルキル基も適切なコーティングを提供するのに用いられ得る。プロピル基はスペーサーとして作用する。活性化剤がＨＳ（ＣＨ2）3ＳＨの場合、その核粒子はＳＨ基で活性化され、その表面はまたＣｄ2+およびＡｇ+を含むほとんどの金属イオンに強く結合する基で被膜される。この表面は次にＣｄＳ、ＣｄＳｅまたはＺｎＳｅのような金属硫化物コーティング、もしくはＡｇまたはＡｕのような金属コーティングそれ自身の核形成のために適している。
【００３４】
該コーティングが該核粒子と同じ材料から選択されることが適している。適切な絶縁、半導体、および／または金属コーティングは、シリカ、Ｓｅ、ポリ（ピロール）のような有機導電性ポリマー、チタニア（ＴｉＯ2）、ジルコニア（ＺｒＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、二酸化錫（ＳｎＯ2）または酸化マグネシウム（ＭｇＯ）のような金属酸化物、ＣｄＳおよびＺｎＳのような金属硫化物、ＣｄＳｅおよびＺｎＳｅのような金属セレン化物、ＣｄＴｅおよびＺｎＴｅのような金属テルル化物、ヨウ化銀（ＡｇＩ）および臭化銀（ＡｇＢｒ）のような金属ハライド、プラチナ、パラジウム、イリジウムまたは合金のような触媒的に活性な金属およびそれらの混合物、ビスマスのような非一般的な光学特性を持つ金属、または銅、銀または金のような金属それ自身を含む。シリカは多様な溶媒に溶解できる能力、および凝集に対する耐性のために好ましいコーティングである。該コーティングは、好ましくは均一かつ微孔性であり、これにより例えば光化学的な分解から粒子を保護する。しかしながら、“コーティング”という言葉は、ここでは広義で用いられており、部分的および全体の被膜両方、同様にコーティングの複数層に言及している。全体のコーティングが望ましいが、実験上の制限の結果または必要な効果は不完全なコーティングで達成されるために、それは可能ではない。
【００３５】
コーティングのソースは、コーティングそれ自身、コーティングを含む化合物、または結合したときにコーティングを形成する二つもしくはそれ以上の化合物のいずれかであり得る。該コーティングがシリカの場合、ケイ酸ナトリウムは好ましいソースである。活性化した粒子に最適な割合でＣｄ2+およびＨ2Ｓｅを添加して、ＣｄＳｅで粒子を被膜させる。代わりに、ＡｕＣｌ4 -の遅い還元によって、上述したメルカプト−活性化表面上で金で粒子を被膜するのに使用しうる。
【００３６】
金属酸化物または水酸化物コーティングにおいて、ｐＨの制御はコーティング状態を最適化するために行われる。シリカによるコーティングの場合、最適には積層は約ｐＨ９〜１２で起こる。そのときシラン活性化剤リガンドは負電荷であり、これは陽イオン種の積層で有利である。しかしながら、非常に高いｐＨは、コーティングが完了できないほど迅速な金属水酸化物または酸化物の沈殿をしばしば引き起こす。例えば、シラン−活性化核粒子上のアルミナまたはチタニアの積層の場合、低いｐＨは、溶液中でのシラン基および金属陽イオン間の接触を弱めることで、加水分解を遅くし、純粋なコーティング粒子の核形成を少なくする。最適ｐＨは、活性化された表面上への積層を最大化する一方で、分離したコーティング粒子形成を最小化するようなものである。Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2およびＳｎＯ2のような金属酸化物コーティングにおいて、シラン基は使用するのに最も簡単で安価な活性化剤であるが、しかし例えばコーティング活性化剤としてＴｉ、Ａｌ、またはＳｎアルコキシド基を含む特別に合成された活性化剤は、より効果的である。
【００３７】
シリカのＭＰＳへの結合を含む表面反応は図１に説明されている。
【００３８】
ここで開示され請求されている方法のはじめの二つの段階は、（ｉ）粒子のソースと、コーティングのソースとの反応、および（ii）式Ａ−Ｘ−Ｂ（ただし、Ａ、ＸおよびＢは上述したとおりである。）の二官能リガンドの添加を含む。代わりに、粒子のソースははじめに二官能リガンドと反応し、続いてコーティングを添加する。これらはじめの二つの段階は、任意の溶媒中で実施され、好ましくは水および／またはエタノールのようなアルコールである。粒子サイズは、試薬の添加によって影響されうる。各試薬は、一般的に、例えば磁気撹拌のような任意の適切な周知の技術によって添加される。粒子、二官能リガンドおよびコーティングが混合された後、該二官能リガンドおよびコーティングは該粒子上に積層される。積層段階の継続期間は、約６時間〜約７日であり、コーティングが改変された粒子表面上に積層されていることを確かめる。
【００３９】
被膜粒子は次にアルコール、例えばエタノールのような適切な溶媒に移送され、そのために存在しうる任意の過度に溶解したコーティングが被膜粒子上に析出して、それによりその上のコーティングの厚さが増す。
【００４０】
他の実施形態において、ストーバー（Ｓｔｏｂｅｒ）等（１９６８）、Ｊ．コロイドインターフェースサイエンス（Ｊ．Ｃｏｌｌｏｉｄ ＩｎｔｅｒｆａｃｅＳｃｉ．）２６：６２において説明されている方法が、コーティングがシリカの場合にさらなるコーティングの成長のために使用されうる。簡単にいえば、この技術はテトラエトキシシラン（“ＴＥＳ”）の塩基触媒加水分解、およびシリカモノマーの存在する被膜粒子上での濃縮／重合を用いている。
【００４１】
本発明のコーティング中の粒子の安定化は、蛍光のようなそれらの比類のない特性を保存している。加えて、該コーティングは粒子の光化学的な分解を防ぎ、これは高温または光学的応用において有利である。該コーティングはまた、これらの粒子がガラス、ポリマーおよび溶媒を含む広範囲の基質で分散することができる。
【００４２】
ここで開示し請求している被膜粒子は、様々な目的で使用される検出ラベルとしての有用性を見出している。例えば、リガンドの一部として被膜粒子が存在することにより、特異的に検体に結合し、検知できるシグナルを供給できるリガンドと共にサンプルをインキュベーションした検体を含むことを推測されるサンプルにおいて、検体の存在を測定する方法を提供している。該リガンドは、特異的に検体と結合できる任意の分子である。このように該リガンドは、抗原またはエピトープ特異的モノクローナルもしくはポリクローナル抗体、ポリまたはオリゴヌクレオチド検体の核酸配列と相補的な核酸配列を含むポリまたはオリゴヌクレオチド、例えば細胞表面受容体分子のような細胞受容体分子に特異的に結合できる受容体アゴニストまたはアンタゴニスト、細胞質受容体分子、核受容体分子等であり得る。該被膜粒子は、当業界で周知の技術を用いてリガンドに結合されうる。
【００４３】
被膜粒子−リガンド組成物は、サンプルに添加され、被膜粒子−リガンドが検体に結合し被膜粒子−リガンド：検体複合体を形成するのに十分な時間、それらと共にインキュベーションされる。該被膜粒子−リガンド組成物の量と、該被膜粒子−リガンド組成物が該検体に結合するのに必要とされる時間は、当業界の任意の方法手順を用いて決定されうる。該被膜粒子−リガンド：検体複合体は、濾過、遠心分離等の方法を用いて結合していない被膜粒子−リガンド組成物から分離される。該被膜粒子−リガンド：検体複合体の存在は、蛍光、発光、吸収、回折、または散乱方法を用いて検出されうる。検出された被膜粒子−リガンド：検体複合体の量は、検体を既知の濃度で含むサンプルを用いて調製された標準曲線と比較することにより定量される。
【００４４】
これらの安定化粒子の可能な追加の応用は、顔料、ペイント、ファブリックス、蛍光および電子のような光学の分野において存在する。
【００４５】
以下は、本発明を実施するための具体的な実施形態の例である。これら実施例は、説明の目的ためだけに提供されるものであり、本発明の範囲を限定するためのものではない。
【００４６】
使用された条件（例えば、量、温度等）に関して、正確さを確実にする努力はなされたが、いくつかの実験的な誤差および偏差はもちろん許容されるべきである。
全般の実験
テトラエトキシシラン（“ＴＥＳ”）、ケイ酸ナトリウム（Ｎａ2Ｏ（ＳｉＯ2）3-5（２７質量％ＳｉＯ2））はアルドリッチ社（Ａｌｄｒｉｃｈ）より購入した。Ｃｄ（ＮＯ3）2（メルク）、Ｎａ2Ｓ（シグマ）および３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（ＭＰＳ）を使用した。テクニカルグレードのエタノール（Ｐａｎｒｅａｃ）および蒸留水が全ての調製において使用された。
【００４７】
電子顕微鏡（“ＴＥＭ”）は、フィリップスＣＭ２０ミクロスコープを２００ｋＶで稼働して実施された。サンプルは、炭素被膜銅グリッドのトップ上に蒸発させてそれらを液滴にすることで調製された。ＵＶ−可視スペクトルは、１−ｃｍパスレングス石英キュベットでＨＰ８４５３ダイオードアレイスペクトルフォトメーター（ＨＰ８４５３ ｄｉｏｄｅ ａｒｒａｙ ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ）を用いて測定された。
【００４８】
実施例１
シリカで被膜されたＣｄＳ粒子の調製および特性決定
ＣｄＳ＠ＳｉＯ2コロイド調製の一般的な方法は、下記の段階を含む。
【００４９】
蒸留水４５ｍｌ、Ｃｄ（ＮＯ3）2１０-2Ｍ２．０ｍｌ、Ｎａ2Ｓ８×１０-3２．５ｍｌ、および１質量％クエン酸ナトリウム溶液０．２５ｍｌを、激しい撹拌下および窒素雰囲気下で添加した。最終的なＣｄＳ粒子の濃度は０．４ｍＭであった。
【００５０】
ＣｄＳ溶液５０ｍｌを、新しく調製したＭＰＳ（１ｍＭ）水溶液０．５ｍｌに激しい磁気撹拌下で添加した。ケイ酸ナトリウム（０．５４質量％溶液２．０ｍｌ、ｐＨ１０．５）を添加し、再び激しく撹拌した。生じた分散液（ｐＨ＞８．５）は、粒子サイズ５〜１０ｎｍであり、これを５日間置き、それにより改変されたＣｄＳ粒子表面上にシリカをゆっくり重合させる、または形成された。シリカ被膜ＣｄＳ粒子の分散液は、エタノール中に移相され、それにより超過して溶解したケイ酸塩が析出し（主に存在する核上に）、シェル厚さを増加させた。
【００５１】
ストーバー等のスプラ（ｓｐｒａ）で説明されている方法は、次にさらなる成長のために使用された。この方法はＴＥＳの塩基触媒加水分解、および存在する核上での連続したシリカモノマーの濃縮／重合を含む。
Ａ．クエン酸塩を用いた安定化
クエン酸鉄は、多様な無機コロイドの保護剤として使用された。異なるクエン酸／Ｃｄ2+濃度比が試験され、最適値０．４５が見出され、これは残りの全ての実験で使用された。この方法で得られたＣｄＳ粒子の平均粒子サイズは、７ｎｍであった。
【００５２】
ＣｄＳは溶存酸素が存在する場合の光の影響で分解されうる。酸素の作用は、粒子表面での全体のアニオン対の形成を通して生じる硫化物ラジカルの酸化：
【００５３】
【化７】
【００５４】
（ただし、下付ｓは表面原子を示す。）
からなる。
【００５５】
このプロセスは過量の硫化物イオンを添加することにより阻害されるが、それに代わるよりわかりやすい方法は、窒素雰囲気下で反応させることである。酸素がない状態で合成が起こる場合、調製されたコロイドは数週間光分解に対して安定であり、さらに予防しなくてもその上で改変のために実施されることができる。
Ｂ．ＭＰＳの役割
粒子表面におけるケイ酸部位の接着は、シランカップリング剤が溶液中に存在する場合にのみ効果的になされうる。このようなカップリング剤は、コロイド表面をガラス親和性にしてケイ酸積層を促進させるための表面プライマーとして作用する。
【００５６】
ＣｄＳの粒子の場合、ケイ酸イオンが粒子表面に接近できる位置からシラン基を溶液方向にしたままで、表面Ｃｄ部位と直接結合できるメルカプト基を有するためにＭＰＳが選択された。これらのケイ酸イオンは粒子が凝集しないでエタノールへの移送を可能とするはじめのシリカシェルを形成している。非常に薄いシリカシェルは光分解を防ぐのには不十分であり、これは主にそれらを通してＯ2分子を散乱させるのに十分大きい孔の存在による。
Ｃ．エタノールへの移送
溶媒交換プロセスは二つの重要な役割を担う：一つは、溶液中にまだ存在する全てのケイ酸部位（モノマーまたはオリゴマー）を、突然の溶解性の減少により沈殿させることを行い、もう一つは、所望される場合、より厚いシェルの成長のために必要とされる。適切なエタノール：水の容積比（シリカ粒子の自発的な核形成が最小化される一方で、核上での最大ケイ酸積層が達成されるような比）は、約４：１〜約５：１であることが見出された。
Ｄ．電子顕微鏡トランスミッション
図３は、次に説明する方法で調整された粒子のＴＥＭ下での外観である。ＣｄＳよりわずかに高いＳｉＯ2の電子吸収により、シリカシェルにより包囲された核を均質に示すのに十分なコントラストを提供している。図３に示すように、ＣｄＳ粒子の結晶特性が、無定型シリカシェルの対比によって観察された。核なしおよび複数核シリカ粒子の両方は、エタノールへの移送中もなお形成された。そのシェルは、より厚く形成され、その粒子表面はアンモニアおよびＴＥＳの添加によりよりなめらかであり、ＣｄＳ核がそれらの中心に位置する単分散シリカ球体を生じた。
Ｅ．光分解に対する安定化
シリカ被膜粒子は被膜していない粒子に比べて、光分解に対して遙かに安定であり、それによりサンプルはそれらの吸収スペクトルのわずかな変化しか起こさずに数週間光の中で保存することができた。例として、図５は、シリカ被膜粒子と比較したクエン酸安定化粒子のスペクトルの時間経過を示す。この効果は、モノマー添加を介してエタノール中で成長したシリカシェルの小さい孔サイズに関連しており、これによりＯ2分子が粒子表面に達するのを非常に困難にしている。このような保護は、実践的な用途を持つ安定なナノ構造の材料の調製において大きな重要性を持つ。
Ｆ．シリカ被膜ＣｄＳの光学的特性
球状粒子の分散液の光学的特性は、Ｍｉｅ理論（Ｍ．ケルカー（Ｍ．Ｋｅｒｋｅｒ）の、光の散乱および他の電子磁気的放散（Ｔｈｅ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ ｏｆ Ｌｉｇｈｔ ａｎｄ Ｏｔｈｅｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）（アカデミックプレス、ニューヨーク、１９６９年））によって予測される。この理論に従って、定められた波長における分散液の吸光係数は、その波長における粒子の複素誘電率、および溶媒の反射指数に依存する。粒子サイズは、金属および半導体粒子にとって特別な重要性をもつパラメータであり、これは定量的なサイズ効果を示す。
【００５７】
Ｍｉｅ理論を核−シェル粒子に適用する場合、核およびシェル材料両方の誘電性のデータを考慮する必要がある。シリカにとって、実際の誘電率要素だけが考慮され、反射指数の平方（１：４５６）が使用される。裸のＣｄＳ球状粒子のスペクトルは、６ｎｍの直径、および５ｎｍ厚さのシリカシェルによって包囲された同じ粒子の直径で計算される。これらのスペクトルは、図５において、小さいＣｄＳ粒子をエタノールに移送し、連続してＴＥＳで成長させることによって得られたサンプルの実測スペクトルとを比較したものである。両方のプロット間での一致はかなり良好であり、シリカ被膜粒子において、主に吸収初期より低い波長で増加した吸光がみられ、さらにシリカ積層により顕著に変化することはなく、ここで開示されたように実施された場合にシリカ積層が顕著な融合または凝集に至ることもないという、ＣｄＳ粒子の光学的特性を示している。これはまた、図２で示された結果によっても確かめられる。
Ｇ．電子発光
図６において、ＣｄＳ＠ＳｉＯ2粒子の発光スペクトルが示されている。吸光波長は４００ｎｍである。５８０ｎｍの最大強度で、強く、広いピークが観察された。これは、ＣｄＳ−シリカ界面の表面状態でトラップされた電荷担体の組み替えに起因する。表面状態の密度はＭＰＳの吸着により劇的に増強されて、人の目で簡単に視ることのできる強い蛍光を生じる。これらの被膜粒子は、ロータリーエバポレーションによって濃縮することができ、より粘性の溶液を形成し、または必要であればポリビニルアルコール、ポリビニル酢酸またはポリアクリル酸を添加することでより粘性のものを形成することができる。しかしながらこれは積層条件にのみ影響を与え、決定的ではない。
【００５８】
コロイドフィルムは、マイクロピペットを介したスピンコータ（１０００ｒｐｍ）上で、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）ガラス（１ｃｍ×１ｃｍ）にこのような粘性ポリマー調製物を塗布することによって調製される。ディップコーティング、スクリーン印刷、またはスプレーコーティング等の他のコーティング方法も用いられ得る。該フィルムは１００℃未満のオーブンで被膜粒子を乾燥することでより厚く形成され、次に２回目または複数のコーティングを塗布する。最適の量およびスピン速度は、塗布するコロイド溶液の正確な粘度による。
【００５９】
電子発光は、ｐＨ１３の過硫酸カリウム溶液（１Ｍ）中で、ＣｄＳ＠ＳｉＯ2粒子の薄膜で被膜したＩＴＯ電極を分極させることによって行われる。その溶液もまたＡｇ／ＡｇＣｌ基準電極およびプラチナフラッグ対電極を含む。ＩＴＯ電極のポテンシャルがよりマイナスに形成されるため、光は図７に示すように電極から観察される。ポテンシャルがよりマイナスに形成されるので、その強度は増加する。その強度は複雑な方法で加電圧、電極抵抗および溶液組成に依存している。これらのスペクトルは、粒子を凝集から保護している一方で、被膜が電荷移動および電子発光プロセスを粒子表面で進行させうることを示している。そのシリカコーティングは、粒子膜の粒子サイズおよび蛍光特性を最適な色および効果を生じるように調節し、次に粒子特性に影響を与えないで被膜する。小さいサイズを維持することによって、粒子膜からの光散乱および関連する強度ロスも最小化できる。
【００６０】
実施例２
シリカで被膜したＳｅ粒子の調製および特性決定
被膜した半導体ナノパーティクルを、セレニウム（Ｓｅ）をＣｄＳと置き換える以外は実施例１の方法に従って調製した。Ｓｅ＠ＳｉＯ2ナノパーティクルはＣｄＳ＠ＳｉＯ2粒子で決定したものと同様の特性を有していた。
【００６１】
実施例３
シリカで被膜したＳｉ粒子の調製および特性決定
被膜した半導体ナノパーティクルを、ケイ素（Ｓｉ）をＣｄＳと置き換える以外は実施例１の方法に従って調製した。Ｓｉ＠ＳｉＯ2ナノパーティクルはＣｄＳ＠ＳｉＯ2粒子で決定したものと同様の特性を有していた。
【００６２】
実施例４
シリカで被膜したＣｄＳｅ粒子の調製および特性決定
被膜した半導体ナノパーティクルを、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）をＣｄＳと置き換える以外は実施例１の方法に従って調製した。ＣｄＳｅ＠ＳｉＯ2ナノパーティクルはＣｄＳ＠ＳｉＯ2粒子で決定したものと同様の特性を有していた。
【００６３】
実施例５
シリカで被膜したＣｄＴｅ粒子の調製および特性決定
被膜した半導体ナノパーティクルを、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）をＣｄＳと置き換える以外は実施例１の方法に従って調製した。ＣｄＴｅ＠ＳｉＯ2ナノパーティクルはＣｄＳ＠ＳｉＯ2粒子で決定したものと同様の特性を有していた。
【００６４】
実施例６
シリカで被膜したＺｎＳ粒子の調製および特性決定
被膜した半導体ナノパーティクルを、硫化亜鉛（ＺｎＳ）をＣｄＳと置き換える以外は実施例１の方法に従って調製した。ＺｎＳ＠ＳｉＯ2ナノパーティクルはＣｄＳ＠ＳｉＯ2粒子で決定したものと同様の特性を有していた。
【００６５】
実施例７
シリカで被膜したＺｎＳｅ粒子の調製および特性決定
被膜した半導体ナノパーティクルを、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）をＣｄＳと置き換える以外は実施例１の方法に従って調製した。ＺｎＳｅ＠ＳｉＯ2ナノパーティクルはＣｄＳ＠ＳｉＯ2粒子で決定したものと同様の特性を有していた。
【００６６】
実施例８
シリカで被膜したＺｎＯ粒子の調製および特性決定
被膜した半導体ナノパーティクルを、酸化亜鉛（ＺｎＯ）をＣｄＳと置き換える以外は実施例１の方法に従って調製した。ＺｎＯ＠ＳｉＯ2ナノパーティクルはＣｄＳ＠ＳｉＯ2粒子で決定したものと同様の特性を有していた。
【００６７】
実施例９
シリカで被膜したＡｇＩ粒子の調製および特性決定
ヨウ化カリウム（８×１０-4Ｍ）およびクエン酸ナトリウム（１ｍＭ）を含む溶液１００ｍｌを調製し、マグネチックスターラーを用いて迅速に撹拌した。０．０１ＭのＡｇＮＯ3溶液５ｍｌをピペットで添加した。この溶液は透明から透明な黄色に変化し、小さいＡｇＩの結晶の形成を示していた。５分以内に、ＡＰＳ（１ｍＭ、０．５ｍｌ）を添加した。２０分後、活性ケイ酸イオンを添加し、前述のように調製した。シリカの薄いシェルが２４時間後に積層された。
【００６８】
実施例１０
シリカで被膜したＡｕ粒子の調製および特性決定
直径が４０〜８０ｎｍの金粒子を、Ｔｕｒｋｅｖｉｃｈ方法（Ｅｎｕｓｔｕｍ Ｂ．Ｖ．；Ｔｕｒｋｅｖｉｃｈ、Ｊ Ｊ． Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９６３年８５ ３３１７）により調製されたシード粒子から成長させた。
シード金溶液：
０．５ｍＭのＨＡｕＣｌ4１００ｍｌを沸騰状態で緩やかに撹拌しながら加熱した。０．５ｍＭのクエン酸トリナトリウム５ｍｌの沸騰溶液をＨＡｕＣｌ4溶液に迅速に撹拌しながら添加した。生じた溶液を次に撹拌しながら約１５分沸騰させた。最後に、その溶液を冷却した。
大きい粒子
２５ｎＭ、１５ｎｍの金コロイドおよび１．５ｍｌＮＨ2ＯＨ・ＨＣｌを含む溶液５０ｍｌを調製した。１ＭのＫＯＨ３滴を１ｍＮのＨＡｕＣｌ4７０ｍｌに添加し、ｐＨ約３〜４になった。ＨＡｕＣｌ4溶液５０ｍｌをＡｕコロイド溶液に撹拌しながら滴下した（２秒ごとに約１滴の速度で）。
【００６９】
新しい粒子の容積は、初期および最後の金イオン濃度ならびに初期の粒子サイズから計算した。このような粒子は、大きく、角がありロッド状の粒子も含んでいるが、適度に球状であった。それらは透過光のなかで紫色だが、黄色光を強く散乱した。それらは静置すれば数時間以上で溶液から析出した。その表面は吸着されたクエン酸および吸着されたヒドロキシアミンの両方を持ち、これらはＡＰＳで置き換えられた。コーティングは実施例１の方法によって行われた。
【００７０】
実施例１１
ＳＮＯ2コーティングを持つＡｕ粒子の調製
ＡＰＳはまた、他の酸化コーティングの積層を増強する。特に導体または半導体層で重要であり、これにより核と外部との電子輸送を行わせる。０．０４５ＭのＮａ2ＳＮＯ3・３Ｈ2Ｏ１０ｍｌに、１Ｍの硝酸３滴を添加することによって酸性化しｐＨを１０．５にした。１ｍＭのＡＰＳ２５μｌを、０．５ｍＭ、１５ｎｍのＡｕコロイド５ｍｌに撹拌しながら滴下して加えた。１５分後、錫酸塩溶液１ｍｌをＡｕコロイド溶液に撹拌しながら添加した。１週間後に溶液中の色変化が現れた。
【００７１】
コーティングが生じると、ルビーレッド色の金溶液の色が、紫−深紅色二変化した。この方法で得られたコーティングは、約５〜１０ｎｍ厚さであり、経過時間、経過ｐＨおよび錫酸イオン濃度に依存する。それはまた金コロイド濃度および撹拌速度に依存する。
【００７２】
従って、安定化ナノパーティクルおよび安定化ナノパーティクルの調整方法が開示された。本発明の好ましい実施形態がいくらか詳細に説明されているが、添付された請求項によって定義された発明の真意および範囲から逸脱することなく、明らかな応用がなされうることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】 二官能リガンドの３−メルカプトプロピルトリメトキシシランを用いて、核粒子上にシリカをコーティングすることからなる表面反応を説明した図である。
【図２】 安定剤としてケイ酸ナトリウムを用いて、水中で調製されたＣｄＳナノパーティクルのＵＶ−可視スペクトルの図であり、ここで実線はナノパーティクル形成前の添加、破線はナノパーティクル形成後の添加を表したものである。
【図３】 図３Ａは、水中で調製された、ケイ酸安定化ＣｄＳ粒子の電子顕微鏡写真である。図３Ｂは、エタノールへ移送し瞬時にシリカの積層を形成することによって調製された、ケイ酸安定化ＣｄＳ＠ＳｉＯ2の電子顕微鏡写真である。顕微鏡のスケールは、示したとおりである。
【図４】 図４Ａおよび４Ｂは、それぞれＣｄＳナノパーティクルおよびＣｄ＠ＳｉＯ2ナノパーティクルの光学的浸食を説明したＵＶ−可視スペクトルであり、ＵＶへの露光が０時間（実線）、２４時間（破線）または４８時間（点線）後である。
【図５】 図５Ａは、Ｍｉｅ理論を用いて計算されたＣｄＳ＠ＳｉＯ2ナノパーティクルのＵＶ−可視スペクトルであり、ここで破線と実線はそれぞれ、水中で調製された後、およびエタノールへ移送された後のナノパーティクルのスペクトルである。図５Ｂは、水中で調製された（実線）およびエタノールへ移送された後の（破線）ＣｄＳ＠ＳｉＯ2の、実験的に測定されたＵＶ−可視スペクトルである。
【図６】 図６は、二官能リガンドとして３−メルカプトプロピルトリメトキシシランを用いて調製されたＣｄＳ＠ＳｉＯ2の発光スペクトルである。
【図７】 図７は、二官能リガンドとして３−メルカプトプロピルトリメトキシシランを用いて調製されたＣｄＳ＠ＳｉＯ2から観測された電子蛍光スペクトルである。
技術分野
本発明は一般的に安定化粒子およびその製造方法に関するものである。より特定すると、本発明は、絶縁、半導体および／または金属コーティングによって安定化されたナノパーティクルのような約０．１ミクロンまたは１００ｎｍ未満のサイズを持つ粒子に関するものである。
【０００２】
発明の背景
ナノサイズの金属粒子は、非線形光学スイッチおよび高密度情報蓄積から、免疫ラベリングおよび濃縮分散液における追跡拡散研究にわたる、広い多様性の潜在的用途を持つ。ナノパーティクルは特有の光学的、電気的および磁気的な特性を持つ。ナノパーティクルは典型的に光学的に透明である。大規模な製造における主要な難点は、金属コロイドが複雑な二層構造を持ち、その安定性は電子的な平衡およびイオン／ポリマー吸着の両方によって制御されていることである。
【０００３】
半導体材料もまた、主に導電および価電子帯の間の分離で生じるそれらの特殊な電子的な特性により、技術的な面で極めて高い重要性を持つ。半導体材料がナノパーティクルサイズの範囲で調製される場合、その電子密度状態は組織的な方法によって変化し、その金属の光学的および電子的特性に強く影響を与える。半導体ナノパーティクルの表面は、半導体物理学の観点からかなり不完全であり、そのためバルク固体のエネルギーギャップ範囲内のエネルギー準位は、原子位置の再構築によって発生する。
【０００４】
少なくともナノサイズを持つ粒子の調製は、粒子の凝集を防ぐために用いられるリガンドまたは安定剤を慎重に選択することによって、大きく促進されうる。例えば、高分子の安定剤は水溶液において非常に有効な分散剤であり、一方で長鎖の界面活性剤または化学特異的なリガンドは有機溶媒において広く使用されうる。あるいは、安定化は、ミセルまたはミクロエマルジョンにおいて粒子を仕分けすることによって達成され、ただしマトリックスと粒子の還元反応を阻止する必要のある場合には、ガラスまたはゾルゲルにおける非可動化はより好ましい技術である。ごく最近、ラングミュア−ブロジェット（ＬＢ）膜が粒子安定剤として使用されており、界面活性剤で安定化した金属粒子の電気積層が、規則的な二次元結晶を形成するために使用されている。これらの様々な技術は、純金属粒子の合成だけでなく、半導体粒子、ナノサイズの合金、混合金属粒子、および被膜された粒子、同様に非球形で幾何学的な形の粒子（例えば、ロッド状または平板状）にも使用される。
【０００５】
しかしながら、使用された安定剤の多くは粒子の固体状態の特性に影響を及ぼす。この問題を回避するために、粒子の凝集を防ぐような安定剤を見出すことが望ましい。加えて、安定剤は化学的に不活性で光学的に透明であることが好ましい。例えばペイントおよび磁性流体から高品質の紙用塗料までの広範囲な工業的コロイド製品において使用されているシリカ、被膜材料によって、これらの条件は満たされうる。
【０００６】
有機分子よりむしろ安定剤としてのシリカの用途は数々の利点を持つ。化学的または電子的なプロセス中に粒子の凝集を防ぐことに加えて、シリカシェルは、基礎になる粒子の構造に順応できるような破壊された（無定型の）構造によりパッシバント（ｐａｓｓｉｖａｎｔ）として作用することが予想される。
【０００７】
しかしながら、いくつかの粒子、例えば金は、溶液中でそれらが不動態の酸化皮膜を形成しないためにシリカに対して非常に低い親和性しか持たない。さらにその上、このような金属の表面上には、通常飽和したカルボン酸または他の有機アニオンが吸着し、凝集に対して粒子を安定化している。これらの安定剤もまた、金属表面のガラス非親和性に寄与している。
【０００８】
それらの特性、特に蛍光性のような光学的特性に実質的に影響を与えることなく、粒子およびそれらの表面に安定性を与えるために、シリカのような安定した物質で粒子を被膜する方法が必要である。
発明の概要
従って、本発明の目的は、当分野の上記必要性を解決することである。
【０００９】
本発明の一つの観点において、絶縁、半導体、および／または金属コーティングで粒子を安定化する方法を提供する。該方法は：（ｉ）粒子のソースとコーティングのソースとを混合し、粒子−コーティング混合物を提供し；（ii）該粒子−コーティング混合物に構造式（Ｉ）
【００１０】
【化５】
（ただし、Ａは、粒子または粒子上に形成されたコーティングに結合する第一官能基であり、チオール、アミン、ホスフィン、リン酸、ホウ酸、テトラアルキルアンモニウム、カルボキシル、ケイ酸、シロキシル、セレン酸、ヒ酸、およびアルミン酸よりなる群より選択され、Ｂは、コーティング層の核形成のために核粒子の表面を活性化する官能基であり、チオール、アミン、ホスフィン、カルボキシル、ケイ酸、シロキシル、シラン、セレン酸、ヒ酸、およびアルミン酸からなる群より選択され、Ｘは、任意の連結基である。）
で示される二官能リガンドを添加する。
【００１２】
それに代わる実施形態において、はじめに粒子のソースは二官能リガンドと混合され、粒子−リガンド混合物を提供し；（ii）粒子−リガンド混合物をコーティングのソースに添加し；（iii）該二官能リガンドとコーティングを該粒子上に積層する。
【００１３】
本発明のその他の観点において、該粒子は前記方法のいずれかによって調製され安定化された粒子が提供される。
【００１４】
本発明のさらにその他の観点において、前記コーティングは二官能リガンドを介して前記粒子に結合され絶縁、半導体、および／または金属コーティングによって安定化された粒子が提供される。
【００１５】
本発明のさらにその他の観点において、検体に特異的に結合し、検出できるシグナルを提供できるようなリガンドと共にサンプルをインキュベーションしてなる検体を含むことが推測されるサンプルにおいて、検体の存在を検出するための方法が提供され、ただし該リガンドはここで開示された被膜粒子からなる。
【００１６】
本発明のさらなる観点において、全体または部分的に上述の安定化粒子よりなる顔料またはペイント着色剤が提供される。
【００１７】
当業者であればここで開示された観点において、本発明のこれらおよびその他の実施形態は想到するであろう。
発明の詳細な説明
本発明の方法の実施は、特に指示がない限り、当業界の技術範囲内の合成有機化学の通常の技術を用いる。このような技術は引用文献によって完全に説明される。例えば、カーク オスマーズ科学技術百科（Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ’ｓ Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）；ハウスの現代合成反応（Ｈｏｕｓｅ’ｓ Ｍｏｄｅｒｎ Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｒｅａｃｔｉｏｎ）、およびＣ．Ｓ．マーベル（Ｃ．Ｓ．Ｍａｒｖｅｌ）とＧ．Ｓ．ハイアー（Ｇ．Ｓ．Ｈｉｅｒｓ）のテキストの、有機合成（ＯＲＧＡＮＩＣ ＳＹＮＴＨＥＳＩＳ，Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ Ｖｏｌｕｍｅ１）である。
【００１８】
本明細書中および添付の請求項で使用されているように、単数形の“ａ”、“ａｎ”、および“ｔｈｅ”は、明確な記述がない限り、複数の言及を含む。従って、例えば“官能基”という言及は、このような基の一つ以上を含み、“コーティング層”という言及はこのような層の一つ以上を同様に含む。
Ａ．定義
本発明の説明において、以下の言葉が使用され、以下に示すように定義される。
【００１９】
ここで用いられる“アルキル”という言葉は、炭素原子１〜２４の分岐または非分岐の飽和炭化水素基であり、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、オクチル、デシル、テトラデシル、ヘキサデシル、エイコシル、テトラコシル等であり、同様にシクロアルキル基であり、例えばシクロペンチル、シクロヘキシル等である。“低級アルキル”という言葉は、炭素原子１〜６，好ましくは１〜４のアルキル基のことである。
【００２０】
ここで用いられる“アルケニル”という言葉は、少なくとも一つの炭素−炭素二重結合を含む炭素原子２〜２４の分岐または非分岐の炭化水素基であり、例えば、エテニル、ｎ−プロペニル、イソプロペニル、ｎ−ブテニル、イソブテニル、ｔ−ブテニル、オクテニル、デセニル、テトラデセニル、ヘキサデセニル、エイコセニル、テトラコセニル等である。ここで好ましいアルケニル基は、２〜１２の炭素原子および２〜３の炭素−炭素二重結合を含む。“低級アルケニル”という言葉は、炭素原子２〜６のアルケニル基であり、好ましくは２〜４の炭素原子、一つの−Ｃ＝Ｃ−結合を持つ。
【００２１】
ここで使用される“アルキニル”という言葉は、少なくとも一つの−Ｃ≡Ｃ−結合を含む炭素原子２〜２４の分岐または非分岐の炭化水素基であり、例えばエチニル、ｎ−プロピニル、イソプロピニル、ｎ−ブチニル、イソブチニル、ｔ−ブチニル、オクチニル、デシニル等である。ここで好ましいアルキニル基は、２〜１２の炭素原子を含む。“低級アルキニル”という言葉は、炭素原子２〜６のアルキニル基、好ましくは炭素原子２〜４および一つの−Ｃ≡Ｃ−を含むものである。
【００２２】
ここで使用される“ハロゲン”という言葉は、フッ素、塩素、臭素、およびヨウ素を意味する。
【００２３】
例えば“ＣｄＳ＠ＳｉＯ2”のように記載された被膜粒子は、ＳｉＯ2を含むコーティングからなるＣｄＳを含む核粒子を意味する。
【００２４】
ここで使用される“二官能リガンド”という言葉は、その最も広い意味において、粒子と結合できる第一官能基およびコーティングに結合できる第二官能基を含む任意の単一または複数鋸歯状のリガンドである。好ましくは、該第一官能基は粒子に結合し、該第二官能基は一つまたはそれ以上の結合部位を介してコーティングと結合する。
【００２５】
“任意の”または“任意に”は、実質的に説明された現象または状況が生じるかもしれないし、または生じないかもしれない、という意味であり、その説明は、前記現象または状況が生じる場合、および生じない場合を含む。例えば、“任意に置換された低級アルキル”という表現は、低級アルキル基は置換されていてもされていなくてもよいという意味であり、その記述は非置換の低級アルキルおよび置換基を有する低級アルキルの両方を含む。
【００２６】
安定化粒子および安定化粒子を調整する方法は、ここで提供される。粒子の安定化は、絶縁、半導体、金属またはそれらの組み合わせである粒子上にコーティングを提供することによって達成される。該コーティングは、第一官能基および第二官能基を含む二官能リガンドを介して粒子に結合する。
該粒子は、好ましくは約０．１ミクロン、すなわち１００ナノメーター未満のサイズを持つナノパーティクルである。好ましくは、該粒子は４０ｎｍ未満の直径を持つ。より大きい粒子はコーティングプロセス中に沈殿する問題を生じることがある。該粒子は、形状において一般的な球状から楕円を通して、円柱またはロッド状に変えることができる。非球状の粒子において有効な直径は、（ａｂｃ）1/3であり、ここでａ、ｂおよびｃは粒子の座標軸である。従って、ａ＝ｂ＜＜ｃであるロッド状粒子の場合、ロッドの長さ（ｃ）は１００ｎｍを超過し、そのときの（ａｂｃ）1/3は１００ｎｍ未満である。好ましくは、（ａｂｃ）1/3は２０ｎｍ未満で、光学的に透明になる。粒子サイズの分布（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ）が存在し、本明細書中において、我々は数値の平均値で直径を言及している。比較的狭い幅の分布が好ましく、望ましくない光散乱または沈殿の原因となる大きい粒子が低い比率であるためである。該粒子は金属、例えば、銅、銀、金、プラチナ等、または金属化合物もしくは合金であり、例えば金属硫化物、金属ヒ化物、金属セレン化物、金属テルル化物、金属酸化物、金属ハライド、またはそれらの混合物である。好ましい粒子は、半導体ナノパーティクルである。半導体ナノパーティクルの例は、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ケイ素（Ｓｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、セレニウム（Ｓｅ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等である。これらの半導体ナノパーティクルは、電磁スペクトルの可視範囲において、強い蛍光を示すことが知られている。例えばポリ（ピロール）のようないくつかの有機ポリマーもまた、導電性蛍光粒子およびナノパーティクルとしての析出物を形成する。このようなポリマーナノパーティクルもまたここで開示した方法を用いて安定化することができる。
【００２７】
粒子のソースは、それ自体粒子、粒子を含む化合物、または結合すると粒子を形成する二つまたはそれ以上の化合物でありうる。例えば、Ｃｄ（ＮＯ3）2およびＮａ2Ｓは結合して半導体ＣｄＳを形成する。金属核の場合、粒子のソースは、通常、還元されて望ましいサイズおよび形状を持つ金属粒子を形成することのできる金属塩であり、例えば、ＡｕＣｌ4 -は金粒子のソースであり、ＡｇＮＯ3は銀粒子のソースである。被膜される粒子は、すでに核／シェル構造または核被膜構造をもちうる。それゆえにこの場合、該粒子は複数のコーティング層を持ちうる。
粒子はコーティング層で被膜される。好ましくは、コーティング厚さは１０〜３０ｎｍである。コーティング厚さが１０ｎｍ未満の場合、被膜粒子はいくらかコロイド的な不安定さを示す。コーティング厚さが３０ｎｍを著しく超過する場合、被膜粒子は好ましくない光散乱を起こす。好ましくは、被膜粒子もまたナノパーティクルである。そのコーティングは二官能リガンドを介して粒子と結合する。該二官能リガンドは式：
【００２８】
【化６】
（ただし、Ａ、ＢおよびＸは、上記で定義したとおりである。）
で示される。
【００３０】
第一官能基のＡは、化学的本体または基であり、これは特異的に粒子に結合することができ、それゆえに表面状態および表面トラップエネルギーを変化させ、光励起されたナノパーティクルにおいて表面の蛍光および非放射性の減退経路を制御し、または影響を与えている。該第一官能基は、単一鋸歯状または複数鋸歯状であり、これは粒子への結合を増強しうる。選択された第一官能基は、被膜された粒子のタイプに依存しうることが理解される。該第一官能基の構造はまた、粒子の表面に結合したときに変化しうる。例えば、第一官能基が−ＮＨ2の場合、次にＮだけが粒子表面に結合する。−ＳＨの場合、Ｓだけが粒子表面に結合する。該第一官能基は、ここで開示された方法に従って被膜された粒子に結合するように選択され、それによって一つ以上ののコーティング層を含む粒子を提供する。
【００３１】
第二官能基は、コーティング層の核形成のために核粒子の表面を活性化する能力を持つ化学的本体または基である。該第二官能基はまた、コーティング層において蛍光を活性化させうる。選択された第二官能基は、積層されるコーティングのタイプに依存する。例えば、シラン第二官能基活性化剤は通常、ｐＨ２以上の水中で負電荷を持つ。ＮＲ4 +（ただしＲはメチルまたはエチルのようなアルキル基である）のような陽イオンの第二官能基は、ＡｕＣｌ4 -、ＰｔＣｌ6 2-、またはＳＮＯ3 2-のような陰イオンのコーティング種類の積層に対してより有効である。いくつかの場合において、導電性ポリマーのような有機コーティングを表面に塗布することは有効であり、活性化した核粒子からの電子移送を補助する。この場合、第二官能基は、ポリマーコーティングのアルキル鎖と結合できる不飽和エチレンまたはアリル基でありうる。その活性化している基は次に、ポリマーコーティングの主鎖またはペンダント基の任意の官能基に結合するために活用される。このようなコーティング活性化剤からなる二官能リガンドは、活性化された核粒子を、プラスチックのような有機膜に埋められる導電性層で被膜させることができる。
【００３２】
適切なスペーサーは、これらに限定されないが、アルキル、アルケニルまたはアルキニルスペーサーのような直鎖、分岐または環状の炭化水素を含み、任意にフッ素、塩素、臭素、またはヨウ素のよなハライド基で置換されうる。好ましくは、該スペーサーはアルキルまたはフッ化アルキル鎖である。
【００３３】
二官能リガンドの特異的な例は、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（ＳＨ（ＣＨ2）3（Ｓｉ（ＯＭｅ）3））（“ＭＰＳ”）、１，３−プロパンジチオール（（ＨＳ（ＣＨ2）3ＳＨ）2）、３−アミノプロパンチオール（（ＨＳ（ＣＨ2）3ＮＨ2））（“ＡＰＴ”）および３−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＮＨ2（ＣＨ2）3Ｓｉ（ＯＭｅ）3）（“ＡＰＳ”）である。一つの好ましい実施形態において、該二官能リガンドは、ＭＰＳ、ＡＰＴ、またはＡＰＳである。これらのリガンドは、メルカプトまたはチオールおよびアミノ基は、第一官能基として機能し、トリメトキシシラン基は第二官能基として機能している。他の好ましい実施形態において、第二官能基は、（Ｓｉ（ＯＥｔ）3）のような他のアルコキシシラン基、またはＳｉ（ＯＰｒ）3のような任意の水溶性官能基でありうる。言い換えれば、第二官能基は、構造式（Ｓｉ（ＯＲ）3）（ただし、Ｒはアルキル基であり、好ましくは低級アルキル基である）を持つ水溶性官能基である。一方で本発明の明細書中で、Ｒがメチル基の例が説明されているが、他のアルキル、特に低級アルキル基も適切なコーティングを提供するのに用いられ得る。プロピル基はスペーサーとして作用する。活性化剤がＨＳ（ＣＨ2）3ＳＨの場合、その核粒子はＳＨ基で活性化され、その表面はまたＣｄ2+およびＡｇ+を含むほとんどの金属イオンに強く結合する基で被膜される。この表面は次にＣｄＳ、ＣｄＳｅまたはＺｎＳｅのような金属硫化物コーティング、もしくはＡｇまたはＡｕのような金属コーティングそれ自身の核形成のために適している。
【００３４】
該コーティングが該核粒子と同じ材料から選択されることが適している。適切な絶縁、半導体、および／または金属コーティングは、シリカ、Ｓｅ、ポリ（ピロール）のような有機導電性ポリマー、チタニア（ＴｉＯ2）、ジルコニア（ＺｒＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、二酸化錫（ＳｎＯ2）または酸化マグネシウム（ＭｇＯ）のような金属酸化物、ＣｄＳおよびＺｎＳのような金属硫化物、ＣｄＳｅおよびＺｎＳｅのような金属セレン化物、ＣｄＴｅおよびＺｎＴｅのような金属テルル化物、ヨウ化銀（ＡｇＩ）および臭化銀（ＡｇＢｒ）のような金属ハライド、プラチナ、パラジウム、イリジウムまたは合金のような触媒的に活性な金属およびそれらの混合物、ビスマスのような非一般的な光学特性を持つ金属、または銅、銀または金のような金属それ自身を含む。シリカは多様な溶媒に溶解できる能力、および凝集に対する耐性のために好ましいコーティングである。該コーティングは、好ましくは均一かつ微孔性であり、これにより例えば光化学的な分解から粒子を保護する。しかしながら、“コーティング”という言葉は、ここでは広義で用いられており、部分的および全体の被膜両方、同様にコーティングの複数層に言及している。全体のコーティングが望ましいが、実験上の制限の結果または必要な効果は不完全なコーティングで達成されるために、それは可能ではない。
【００３５】
コーティングのソースは、コーティングそれ自身、コーティングを含む化合物、または結合したときにコーティングを形成する二つもしくはそれ以上の化合物のいずれかであり得る。該コーティングがシリカの場合、ケイ酸ナトリウムは好ましいソースである。活性化した粒子に最適な割合でＣｄ2+およびＨ2Ｓｅを添加して、ＣｄＳｅで粒子を被膜させる。代わりに、ＡｕＣｌ4 -の遅い還元によって、上述したメルカプト−活性化表面上で金で粒子を被膜するのに使用しうる。
【００３６】
金属酸化物または水酸化物コーティングにおいて、ｐＨの制御はコーティング状態を最適化するために行われる。シリカによるコーティングの場合、最適には積層は約ｐＨ９〜１２で起こる。そのときシラン活性化剤リガンドは負電荷であり、これは陽イオン種の積層で有利である。しかしながら、非常に高いｐＨは、コーティングが完了できないほど迅速な金属水酸化物または酸化物の沈殿をしばしば引き起こす。例えば、シラン−活性化核粒子上のアルミナまたはチタニアの積層の場合、低いｐＨは、溶液中でのシラン基および金属陽イオン間の接触を弱めることで、加水分解を遅くし、純粋なコーティング粒子の核形成を少なくする。最適ｐＨは、活性化された表面上への積層を最大化する一方で、分離したコーティング粒子形成を最小化するようなものである。Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2およびＳｎＯ2のような金属酸化物コーティングにおいて、シラン基は使用するのに最も簡単で安価な活性化剤であるが、しかし例えばコーティング活性化剤としてＴｉ、Ａｌ、またはＳｎアルコキシド基を含む特別に合成された活性化剤は、より効果的である。
【００３７】
シリカのＭＰＳへの結合を含む表面反応は図１に説明されている。
【００３８】
ここで開示され請求されている方法のはじめの二つの段階は、（ｉ）粒子のソースと、コーティングのソースとの反応、および（ii）式Ａ−Ｘ−Ｂ（ただし、Ａ、ＸおよびＢは上述したとおりである。）の二官能リガンドの添加を含む。代わりに、粒子のソースははじめに二官能リガンドと反応し、続いてコーティングを添加する。これらはじめの二つの段階は、任意の溶媒中で実施され、好ましくは水および／またはエタノールのようなアルコールである。粒子サイズは、試薬の添加によって影響されうる。各試薬は、一般的に、例えば磁気撹拌のような任意の適切な周知の技術によって添加される。粒子、二官能リガンドおよびコーティングが混合された後、該二官能リガンドおよびコーティングは該粒子上に積層される。積層段階の継続期間は、約６時間〜約７日であり、コーティングが改変された粒子表面上に積層されていることを確かめる。
【００３９】
被膜粒子は次にアルコール、例えばエタノールのような適切な溶媒に移送され、そのために存在しうる任意の過度に溶解したコーティングが被膜粒子上に析出して、それによりその上のコーティングの厚さが増す。
【００４０】
他の実施形態において、ストーバー（Ｓｔｏｂｅｒ）等（１９６８）、Ｊ．コロイドインターフェースサイエンス（Ｊ．Ｃｏｌｌｏｉｄ ＩｎｔｅｒｆａｃｅＳｃｉ．）２６：６２において説明されている方法が、コーティングがシリカの場合にさらなるコーティングの成長のために使用されうる。簡単にいえば、この技術はテトラエトキシシラン（“ＴＥＳ”）の塩基触媒加水分解、およびシリカモノマーの存在する被膜粒子上での濃縮／重合を用いている。
【００４１】
本発明のコーティング中の粒子の安定化は、蛍光のようなそれらの比類のない特性を保存している。加えて、該コーティングは粒子の光化学的な分解を防ぎ、これは高温または光学的応用において有利である。該コーティングはまた、これらの粒子がガラス、ポリマーおよび溶媒を含む広範囲の基質で分散することができる。
【００４２】
ここで開示し請求している被膜粒子は、様々な目的で使用される検出ラベルとしての有用性を見出している。例えば、リガンドの一部として被膜粒子が存在することにより、特異的に検体に結合し、検知できるシグナルを供給できるリガンドと共にサンプルをインキュベーションした検体を含むことを推測されるサンプルにおいて、検体の存在を測定する方法を提供している。該リガンドは、特異的に検体と結合できる任意の分子である。このように該リガンドは、抗原またはエピトープ特異的モノクローナルもしくはポリクローナル抗体、ポリまたはオリゴヌクレオチド検体の核酸配列と相補的な核酸配列を含むポリまたはオリゴヌクレオチド、例えば細胞表面受容体分子のような細胞受容体分子に特異的に結合できる受容体アゴニストまたはアンタゴニスト、細胞質受容体分子、核受容体分子等であり得る。該被膜粒子は、当業界で周知の技術を用いてリガンドに結合されうる。
【００４３】
被膜粒子−リガンド組成物は、サンプルに添加され、被膜粒子−リガンドが検体に結合し被膜粒子−リガンド：検体複合体を形成するのに十分な時間、それらと共にインキュベーションされる。該被膜粒子−リガンド組成物の量と、該被膜粒子−リガンド組成物が該検体に結合するのに必要とされる時間は、当業界の任意の方法手順を用いて決定されうる。該被膜粒子−リガンド：検体複合体は、濾過、遠心分離等の方法を用いて結合していない被膜粒子−リガンド組成物から分離される。該被膜粒子−リガンド：検体複合体の存在は、蛍光、発光、吸収、回折、または散乱方法を用いて検出されうる。検出された被膜粒子−リガンド：検体複合体の量は、検体を既知の濃度で含むサンプルを用いて調製された標準曲線と比較することにより定量される。
【００４４】
これらの安定化粒子の可能な追加の応用は、顔料、ペイント、ファブリックス、蛍光および電子のような光学の分野において存在する。
【００４５】
以下は、本発明を実施するための具体的な実施形態の例である。これら実施例は、説明の目的ためだけに提供されるものであり、本発明の範囲を限定するためのものではない。
【００４６】
使用された条件（例えば、量、温度等）に関して、正確さを確実にする努力はなされたが、いくつかの実験的な誤差および偏差はもちろん許容されるべきである。
全般の実験
テトラエトキシシラン（“ＴＥＳ”）、ケイ酸ナトリウム（Ｎａ2Ｏ（ＳｉＯ2）3-5（２７質量％ＳｉＯ2））はアルドリッチ社（Ａｌｄｒｉｃｈ）より購入した。Ｃｄ（ＮＯ3）2（メルク）、Ｎａ2Ｓ（シグマ）および３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（ＭＰＳ）を使用した。テクニカルグレードのエタノール（Ｐａｎｒｅａｃ）および蒸留水が全ての調製において使用された。
【００４７】
電子顕微鏡（“ＴＥＭ”）は、フィリップスＣＭ２０ミクロスコープを２００ｋＶで稼働して実施された。サンプルは、炭素被膜銅グリッドのトップ上に蒸発させてそれらを液滴にすることで調製された。ＵＶ−可視スペクトルは、１−ｃｍパスレングス石英キュベットでＨＰ８４５３ダイオードアレイスペクトルフォトメーター（ＨＰ８４５３ ｄｉｏｄｅ ａｒｒａｙ ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ）を用いて測定された。
【００４８】
実施例１
シリカで被膜されたＣｄＳ粒子の調製および特性決定
ＣｄＳ＠ＳｉＯ2コロイド調製の一般的な方法は、下記の段階を含む。
【００４９】
蒸留水４５ｍｌ、Ｃｄ（ＮＯ3）2１０-2Ｍ２．０ｍｌ、Ｎａ2Ｓ８×１０-3２．５ｍｌ、および１質量％クエン酸ナトリウム溶液０．２５ｍｌを、激しい撹拌下および窒素雰囲気下で添加した。最終的なＣｄＳ粒子の濃度は０．４ｍＭであった。
【００５０】
ＣｄＳ溶液５０ｍｌを、新しく調製したＭＰＳ（１ｍＭ）水溶液０．５ｍｌに激しい磁気撹拌下で添加した。ケイ酸ナトリウム（０．５４質量％溶液２．０ｍｌ、ｐＨ１０．５）を添加し、再び激しく撹拌した。生じた分散液（ｐＨ＞８．５）は、粒子サイズ５〜１０ｎｍであり、これを５日間置き、それにより改変されたＣｄＳ粒子表面上にシリカをゆっくり重合させる、または形成された。シリカ被膜ＣｄＳ粒子の分散液は、エタノール中に移相され、それにより超過して溶解したケイ酸塩が析出し（主に存在する核上に）、シェル厚さを増加させた。
【００５１】
ストーバー等のスプラ（ｓｐｒａ）で説明されている方法は、次にさらなる成長のために使用された。この方法はＴＥＳの塩基触媒加水分解、および存在する核上での連続したシリカモノマーの濃縮／重合を含む。
Ａ．クエン酸塩を用いた安定化
クエン酸鉄は、多様な無機コロイドの保護剤として使用された。異なるクエン酸／Ｃｄ2+濃度比が試験され、最適値０．４５が見出され、これは残りの全ての実験で使用された。この方法で得られたＣｄＳ粒子の平均粒子サイズは、７ｎｍであった。
【００５２】
ＣｄＳは溶存酸素が存在する場合の光の影響で分解されうる。酸素の作用は、粒子表面での全体のアニオン対の形成を通して生じる硫化物ラジカルの酸化：
【００５３】
【化７】
（ただし、下付ｓは表面原子を示す。）
からなる。
【００５５】
このプロセスは過量の硫化物イオンを添加することにより阻害されるが、それに代わるよりわかりやすい方法は、窒素雰囲気下で反応させることである。酸素がない状態で合成が起こる場合、調製されたコロイドは数週間光分解に対して安定であり、さらに予防しなくてもその上で改変のために実施されることができる。
Ｂ．ＭＰＳの役割
粒子表面におけるケイ酸部位の接着は、シランカップリング剤が溶液中に存在する場合にのみ効果的になされうる。このようなカップリング剤は、コロイド表面をガラス親和性にしてケイ酸積層を促進させるための表面プライマーとして作用する。
【００５６】
ＣｄＳの粒子の場合、ケイ酸イオンが粒子表面に接近できる位置からシラン基を溶液方向にしたままで、表面Ｃｄ部位と直接結合できるメルカプト基を有するためにＭＰＳが選択された。これらのケイ酸イオンは粒子が凝集しないでエタノールへの移送を可能とするはじめのシリカシェルを形成している。非常に薄いシリカシェルは光分解を防ぐのには不十分であり、これは主にそれらを通してＯ2分子を散乱させるのに十分大きい孔の存在による。
Ｃ．エタノールへの移送
溶媒交換プロセスは二つの重要な役割を担う：一つは、溶液中にまだ存在する全てのケイ酸部位（モノマーまたはオリゴマー）を、突然の溶解性の減少により沈殿させることを行い、もう一つは、所望される場合、より厚いシェルの成長のために必要とされる。適切なエタノール：水の容積比（シリカ粒子の自発的な核形成が最小化される一方で、核上での最大ケイ酸積層が達成されるような比）は、約４：１〜約５：１であることが見出された。
Ｄ．電子顕微鏡トランスミッション
図３は、次に説明する方法で調整された粒子のＴＥＭ下での外観である。ＣｄＳよりわずかに高いＳｉＯ2の電子吸収により、シリカシェルにより包囲された核を均質に示すのに十分なコントラストを提供している。図３に示すように、ＣｄＳ粒子の結晶特性が、無定型シリカシェルの対比によって観察された。核なしおよび複数核シリカ粒子の両方は、エタノールへの移送中もなお形成された。そのシェルは、より厚く形成され、その粒子表面はアンモニアおよびＴＥＳの添加によりよりなめらかであり、ＣｄＳ核がそれらの中心に位置する単分散シリカ球体を生じた。
Ｅ．光分解に対する安定化
シリカ被膜粒子は被膜していない粒子に比べて、光分解に対して遙かに安定であり、それによりサンプルはそれらの吸収スペクトルのわずかな変化しか起こさずに数週間光の中で保存することができた。例として、図５は、シリカ被膜粒子と比較したクエン酸安定化粒子のスペクトルの時間経過を示す。この効果は、モノマー添加を介してエタノール中で成長したシリカシェルの小さい孔サイズに関連しており、これによりＯ2分子が粒子表面に達するのを非常に困難にしている。このような保護は、実践的な用途を持つ安定なナノ構造の材料の調製において大きな重要性を持つ。
Ｆ．シリカ被膜ＣｄＳの光学的特性
球状粒子の分散液の光学的特性は、Ｍｉｅ理論（Ｍ．ケルカー（Ｍ．Ｋｅｒｋｅｒ）の、光の散乱および他の電子磁気的放散（Ｔｈｅ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ ｏｆ Ｌｉｇｈｔ ａｎｄ Ｏｔｈｅｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）（アカデミックプレス、ニューヨーク、１９６９年））によって予測される。この理論に従って、定められた波長における分散液の吸光係数は、その波長における粒子の複素誘電率、および溶媒の反射指数に依存する。粒子サイズは、金属および半導体粒子にとって特別な重要性をもつパラメータであり、これは定量的なサイズ効果を示す。
【００５７】
Ｍｉｅ理論を核−シェル粒子に適用する場合、核およびシェル材料両方の誘電性のデータを考慮する必要がある。シリカにとって、実際の誘電率要素だけが考慮され、反射指数の平方（１：４５６）が使用される。裸のＣｄＳ球状粒子のスペクトルは、６ｎｍの直径、および５ｎｍ厚さのシリカシェルによって包囲された同じ粒子の直径で計算される。これらのスペクトルは、図５において、小さいＣｄＳ粒子をエタノールに移送し、連続してＴＥＳで成長させることによって得られたサンプルの実測スペクトルとを比較したものである。両方のプロット間での一致はかなり良好であり、シリカ被膜粒子において、主に吸収初期より低い波長で増加した吸光がみられ、さらにシリカ積層により顕著に変化することはなく、ここで開示されたように実施された場合にシリカ積層が顕著な融合または凝集に至ることもないという、ＣｄＳ粒子の光学的特性を示している。これはまた、図２で示された結果によっても確かめられる。
Ｇ．電子発光
図６において、ＣｄＳ＠ＳｉＯ2粒子の発光スペクトルが示されている。吸光波長は４００ｎｍである。５８０ｎｍの最大強度で、強く、広いピークが観察された。これは、ＣｄＳ−シリカ界面の表面状態でトラップされた電荷担体の組み替えに起因する。表面状態の密度はＭＰＳの吸着により劇的に増強されて、人の目で簡単に視ることのできる強い蛍光を生じる。これらの被膜粒子は、ロータリーエバポレーションによって濃縮することができ、より粘性の溶液を形成し、または必要であればポリビニルアルコール、ポリビニル酢酸またはポリアクリル酸を添加することでより粘性のものを形成することができる。しかしながらこれは積層条件にのみ影響を与え、決定的ではない。
【００５８】
コロイドフィルムは、マイクロピペットを介したスピンコータ（１０００ｒｐｍ）上で、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）ガラス（１ｃｍ×１ｃｍ）にこのような粘性ポリマー調製物を塗布することによって調製される。ディップコーティング、スクリーン印刷、またはスプレーコーティング等の他のコーティング方法も用いられ得る。該フィルムは１００℃未満のオーブンで被膜粒子を乾燥することでより厚く形成され、次に２回目または複数のコーティングを塗布する。最適の量およびスピン速度は、塗布するコロイド溶液の正確な粘度による。
【００５９】
電子発光は、ｐＨ１３の過硫酸カリウム溶液（１Ｍ）中で、ＣｄＳ＠ＳｉＯ2粒子の薄膜で被膜したＩＴＯ電極を分極させることによって行われる。その溶液もまたＡｇ／ＡｇＣｌ基準電極およびプラチナフラッグ対電極を含む。ＩＴＯ電極のポテンシャルがよりマイナスに形成されるため、光は図７に示すように電極から観察される。ポテンシャルがよりマイナスに形成されるので、その強度は増加する。その強度は複雑な方法で加電圧、電極抵抗および溶液組成に依存している。これらのスペクトルは、粒子を凝集から保護している一方で、被膜が電荷移動および電子発光プロセスを粒子表面で進行させうることを示している。そのシリカコーティングは、粒子膜の粒子サイズおよび蛍光特性を最適な色および効果を生じるように調節し、次に粒子特性に影響を与えないで被膜する。小さいサイズを維持することによって、粒子膜からの光散乱および関連する強度ロスも最小化できる。
【００６０】
実施例２
シリカで被膜したＳｅ粒子の調製および特性決定
被膜した半導体ナノパーティクルを、セレニウム（Ｓｅ）をＣｄＳと置き換える以外は実施例１の方法に従って調製した。Ｓｅ＠ＳｉＯ2ナノパーティクルはＣｄＳ＠ＳｉＯ2粒子で決定したものと同様の特性を有していた。
【００６１】
実施例３
シリカで被膜したＳｉ粒子の調製および特性決定
被膜した半導体ナノパーティクルを、ケイ素（Ｓｉ）をＣｄＳと置き換える以外は実施例１の方法に従って調製した。Ｓｉ＠ＳｉＯ2ナノパーティクルはＣｄＳ＠ＳｉＯ2粒子で決定したものと同様の特性を有していた。
【００６２】
実施例４
シリカで被膜したＣｄＳｅ粒子の調製および特性決定
被膜した半導体ナノパーティクルを、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）をＣｄＳと置き換える以外は実施例１の方法に従って調製した。ＣｄＳｅ＠ＳｉＯ2ナノパーティクルはＣｄＳ＠ＳｉＯ2粒子で決定したものと同様の特性を有していた。
【００６３】
実施例５
シリカで被膜したＣｄＴｅ粒子の調製および特性決定
被膜した半導体ナノパーティクルを、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）をＣｄＳと置き換える以外は実施例１の方法に従って調製した。ＣｄＴｅ＠ＳｉＯ2ナノパーティクルはＣｄＳ＠ＳｉＯ2粒子で決定したものと同様の特性を有していた。
【００６４】
実施例６
シリカで被膜したＺｎＳ粒子の調製および特性決定
被膜した半導体ナノパーティクルを、硫化亜鉛（ＺｎＳ）をＣｄＳと置き換える以外は実施例１の方法に従って調製した。ＺｎＳ＠ＳｉＯ2ナノパーティクルはＣｄＳ＠ＳｉＯ2粒子で決定したものと同様の特性を有していた。
【００６５】
実施例７
シリカで被膜したＺｎＳｅ粒子の調製および特性決定
被膜した半導体ナノパーティクルを、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）をＣｄＳと置き換える以外は実施例１の方法に従って調製した。ＺｎＳｅ＠ＳｉＯ2ナノパーティクルはＣｄＳ＠ＳｉＯ2粒子で決定したものと同様の特性を有していた。
【００６６】
実施例８
シリカで被膜したＺｎＯ粒子の調製および特性決定
被膜した半導体ナノパーティクルを、酸化亜鉛（ＺｎＯ）をＣｄＳと置き換える以外は実施例１の方法に従って調製した。ＺｎＯ＠ＳｉＯ2ナノパーティクルはＣｄＳ＠ＳｉＯ2粒子で決定したものと同様の特性を有していた。
【００６７】
実施例９
シリカで被膜したＡｇＩ粒子の調製および特性決定
ヨウ化カリウム（８×１０-4Ｍ）およびクエン酸ナトリウム（１ｍＭ）を含む溶液１００ｍｌを調製し、マグネチックスターラーを用いて迅速に撹拌した。０．０１ＭのＡｇＮＯ3溶液５ｍｌをピペットで添加した。この溶液は透明から透明な黄色に変化し、小さいＡｇＩの結晶の形成を示していた。５分以内に、ＡＰＳ（１ｍＭ、０．５ｍｌ）を添加した。２０分後、活性ケイ酸イオンを添加し、前述のように調製した。シリカの薄いシェルが２４時間後に積層された。
【００６８】
実施例１０
シリカで被膜したＡｕ粒子の調製および特性決定
直径が４０〜８０ｎｍの金粒子を、Ｔｕｒｋｅｖｉｃｈ方法（Ｅｎｕｓｔｕｍ Ｂ．Ｖ．；Ｔｕｒｋｅｖｉｃｈ、Ｊ Ｊ． Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９６３年８５ ３３１７）により調製されたシード粒子から成長させた。
シード金溶液：
０．５ｍＭのＨＡｕＣｌ4１００ｍｌを沸騰状態で緩やかに撹拌しながら加熱した。０．５ｍＭのクエン酸トリナトリウム５ｍｌの沸騰溶液をＨＡｕＣｌ4溶液に迅速に撹拌しながら添加した。生じた溶液を次に撹拌しながら約１５分沸騰させた。最後に、その溶液を冷却した。
大きい粒子
２５ｎＭ、１５ｎｍの金コロイドおよび１．５ｍｌＮＨ2ＯＨ・ＨＣｌを含む溶液５０ｍｌを調製した。１ＭのＫＯＨ３滴を１ｍＮのＨＡｕＣｌ4７０ｍｌに添加し、ｐＨ約３〜４になった。ＨＡｕＣｌ4溶液５０ｍｌをＡｕコロイド溶液に撹拌しながら滴下した（２秒ごとに約１滴の速度で）。
【００６９】
新しい粒子の容積は、初期および最後の金イオン濃度ならびに初期の粒子サイズから計算した。このような粒子は、大きく、角がありロッド状の粒子も含んでいるが、適度に球状であった。それらは透過光のなかで紫色だが、黄色光を強く散乱した。それらは静置すれば数時間以上で溶液から析出した。その表面は吸着されたクエン酸および吸着されたヒドロキシアミンの両方を持ち、これらはＡＰＳで置き換えられた。コーティングは実施例１の方法によって行われた。
【００７０】
実施例１１
ＳＮＯ2コーティングを持つＡｕ粒子の調製
ＡＰＳはまた、他の酸化コーティングの積層を増強する。特に導体または半導体層で重要であり、これにより核と外部との電子輸送を行わせる。０．０４５ＭのＮａ2ＳＮＯ3・３Ｈ2Ｏ１０ｍｌに、１Ｍの硝酸３滴を添加することによって酸性化しｐＨを１０．５にした。１ｍＭのＡＰＳ２５μｌを、０．５ｍＭ、１５ｎｍのＡｕコロイド５ｍｌに撹拌しながら滴下して加えた。１５分後、錫酸塩溶液１ｍｌをＡｕコロイド溶液に撹拌しながら添加した。１週間後に溶液中の色変化が現れた。
【００７１】
コーティングが生じると、ルビーレッド色の金溶液の色が、紫−深紅色二変化した。この方法で得られたコーティングは、約５〜１０ｎｍ厚さであり、経過時間、経過ｐＨおよび錫酸イオン濃度に依存する。それはまた金コロイド濃度および撹拌速度に依存する。
【００７２】
従って、安定化ナノパーティクルおよび安定化ナノパーティクルの調整方法が開示された。本発明の好ましい実施形態がいくらか詳細に説明されているが、添付された請求項によって定義された発明の真意および範囲から逸脱することなく、明らかな応用がなされうることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】 二官能リガンドの３−メルカプトプロピルトリメトキシシランを用いて、核粒子上にシリカをコーティングすることからなる表面反応を説明した図である。
【図２】 安定剤としてケイ酸ナトリウムを用いて、水中で調製されたＣｄＳナノパーティクルのＵＶ−可視スペクトルの図であり、ここで実線はナノパーティクル形成前の添加、破線はナノパーティクル形成後の添加を表したものである。
【図３】 図３Ａは、水中で調製された、ケイ酸安定化ＣｄＳ粒子の電子顕微鏡写真である。図３Ｂは、エタノールへ移送し瞬時にシリカの積層を形成することによって調製された、ケイ酸安定化ＣｄＳ＠ＳｉＯ2の電子顕微鏡写真である。顕微鏡のスケールは、示したとおりである。
【図４】 図４Ａおよび４Ｂは、それぞれＣｄＳナノパーティクルおよびＣｄ＠ＳｉＯ2ナノパーティクルの光学的浸食を説明したＵＶ−可視スペクトルであり、ＵＶへの露光が０時間（実線）、２４時間（破線）または４８時間（点線）後である。
【図５】 図５Ａは、Ｍｉｅ理論を用いて計算されたＣｄＳ＠ＳｉＯ2ナノパーティクルのＵＶ−可視スペクトルであり、ここで破線と実線はそれぞれ、水中で調製された後、およびエタノールへ移送された後のナノパーティクルのスペクトルである。図５Ｂは、水中で調製された（実線）およびエタノールへ移送された後の（破線）ＣｄＳ＠ＳｉＯ2の、実験的に測定されたＵＶ−可視スペクトルである。
【図６】 図６は、二官能リガンドとして３−メルカプトプロピルトリメトキシシランを用いて調製されたＣｄＳ＠ＳｉＯ2の発光スペクトルである。
【図７】 図７は、二官能リガンドとして３−メルカプトプロピルトリメトキシシランを用いて調製されたＣｄＳ＠ＳｉＯ2から観測された電子蛍光スペクトルである。
Claims (56)
- （ｉ）粒子のソースとコーティングのソースを混合し、粒子−コーティング混合物を提供し、
（ii）該粒子−コーティング混合物に、構造式（Ｉ）：
の二官能リガンドを添加し、および
（iii）該二官能リガンドおよびコーティングを粒子上に積層させる
ことを含む、被膜粒子を調製する方法。 - （ｉ）粒子のソースと、構造式（Ｉ）：
の二官能リガンドとを混合し、粒子−リガンド混合物を提供し、
（ii）粒子−リガンド混合物にコーティングのソースを添加し：および
（iii）該二官能リガンドおよびコーティングを粒子上に積層させる
ことを含む、被膜粒子を調製する方法。 - 該粒子はナノパーティクルである、請求項１または２に記載の方法。
- 該ナノパーティクルは金属または金属化合物からなる、請求項３に記載の方法。
- 該ナノパーティクルは、銅、銀、金およびプラチナからなる群より選択される金属からなる、請求項４に記載の方法。
- 該ナノパーティクルは、金属硫化物、金属ヒ化物、金属セレン化物、金属テルル化物、金属酸化物、金属ハライドおよびそれらの混合物からなる群より選択される金属化合物からなる、請求項４に記載の方法。
- 該ナノパーティクルは半導体ナノパーティクルである、請求項３に記載の方法。
- 該半導体ナノパーティクルは、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ケイ素（Ｓｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、セレニウム（Ｓｅ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、または酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる、請求項７に記載の方法。
- Ａは、チオール、アミン、ホスフィン、リン酸、ホウ酸、テトラアルキルアンモニウム、カルボキシル、ケイ酸、シロキシル、セレン酸、ヒ酸、およびアルミン酸よりなる群より選択される、請求項１または２に記載の方法。
- Ｂは、チオール、アミン、ホスフィン、カルボキシル、ケイ酸、シロキシル、シラン、セレン酸、ヒ酸、およびアルミン酸よりなる群より選択される、請求項１または２に記載の方法。
- Ｘは存在し、フッ素、塩素、臭素、またはヨウ素で任意に置換されている、アルキル、アルケニルおよびアルキニルからなる群より選択される、直鎖、分岐または環状の炭化水素である、請求項１または２に記載の方法。
- 該二官能リガンドは、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（ＳＨ（ＣＨ2）3（Ｓｉ（ＯＭｅ）3））（ＭＰＳ）、１，３−プロパンジチオール（（ＨＳ（ＣＨ2）3ＳＨ））、３−アミノプロパンチオール（（ＨＳ（ＣＨ2）3ＮＨ2））（ＡＰＴ）および３−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＮＨ2（ＣＨ2）3Ｓｉ（ＯＭｅ）3）（ＡＰＳ）からなる群より選択される、請求項１または２に記載の方法。
- 該コーティングのソースは、シリカ（ＳｉＯ2）、Ｓｅ、有機導電性ポリマー、金属、金属酸化物、金属硫化物、金属セレン化物、金属テルル化物、および金属ハライドからなる群より選択される、請求項１または２に記載の方法。
- 該コーティングのソースはシリカである、請求項１３に記載の方法。
- 該コーティングのソースは、チタニア（ＴｉＯ2）、ジルコニア（ＺｒＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、二酸化錫（ＳｎＯ2）または酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる群より選択される金属酸化物である、請求項１３に記載の方法。
- 該コーティングのソースは、ＣｄＳまたはＺｎＳから選択される金属硫化物である、請求項１３に記載の方法。
- 該コーティングのソースは、ＣｄＳｅまたはＺｎＳｅである金属セレン化物から選択される、請求項１３に記載の方法。
- 該コーティングのソースは、ＣｄＴｅまたはＺｎＴｅである金属テルル化物から選択される、請求項１３に記載の方法。
- 該コーティングのソースは、ヨウ化銀（ＡｇＩ）または臭化銀（ＡｇＢｒ）から選択される金属ハライドである、請求項１３に記載の方法。
- 該コーティングのソースは、プラチナ、パラジウム、イリジウム、ビスマス、銅、銀、金および合金、ならびにそれらの混合物からなる群より選択される金属である、請求項１３に記載の方法。
- 請求項１〜２０のいずれか一項に記載の方法により調整された被膜粒子。
- 前記コーティングは、構造式（Ｉ）：
の二官能リガンドを介して、前記粒子に結合する、コーティングによって安定化された粒子。 - 該粒子はナノパーティクルである、請求項２２に記載の粒子。
- 該ナノパーティクルは金属または金属化合物からなる、請求項２３に記載の粒子。
- 該ナノパーティクルは、銅、銀、金およびプラチナからなる群より選択される金属からなる、請求項２４に記載の粒子。
- 該ナノパーティクルは、金属硫化物、金属ヒ化物、金属セレン化物、金属テルル化物、金属酸化物、金属ハライドおよびそれらの混合物からなる群より選択される金属化合物からなる、請求項２４に記載の粒子。
- 該ナノパーティクルは半導体ナノパーティクルである、請求項２３に記載の粒子。
- 該半導体ナノパーティクルは、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ケイ素（Ｓｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、セレニウム（Ｓｅ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、または酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる、請求項２７に記載の粒子。
- Ａは、チオール、アミン、ホスフィン、リン酸、ホウ酸、テトラアルキルアンモニウム、カルボキシル、ケイ酸、シロキシル、セレン酸、ヒ酸、およびアルミン酸よりなる群より選択される、請求項２２に記載の粒子。
- Ｂは、チオール、アミン、ホスフィン、カルボキシル、ケイ酸、シロキシル、シラン、セレン酸、ヒ酸、およびアルミン酸よりなる群より選択される、請求項２２に記載の粒子。
- Ｘは存在し、フッ素、塩素、臭素、またはヨウ素で任意に置換されている、アルキル、アルケニルおよびアルキニルからなる群より選択される、直鎖、分岐または環状の炭化水素である、請求項２２に記載の方法。
- 該二官能リガンドは、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（ＳＨ（ＣＨ2）3（Ｓｉ（ＯＭｅ）3））（ＭＰＳ）、１，３−プロパンジチオール（（ＨＳ（ＣＨ2）3ＳＨ））、３−アミノプロパンチオール（（ＨＳ（ＣＨ2）3ＮＨ2））（ＡＰＴ）および３−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＮＨ2（ＣＨ2）3Ｓｉ（ＯＭｅ）3）（ＡＰＳ）からなる群より選択される、請求項２２に記載の粒子。
- 該コーティングは、シリカ（ＳｉＯ2）、Ｓｅ、有機導電性ポリマー、金属、金属酸化物、金属硫化物、金属セレン化物、金属テルル化物、および金属ハライドからなる群より選択される、請求項２２に記載の粒子。
- 該コーティングはシリカである、請求項２２に記載の粒子。
- 該コーティングは、チタニア（ＴｉＯ2）、ジルコニア（ＺｒＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、二酸化錫（ＳｎＯ2）または酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる群より選択される金属酸化物である、請求項３３に記載の粒子。
- 該コーティングは、ＣｄＳまたはＺｎＳから選択される金属硫化物である、請求項３３に記載の粒子。
- 該コーティングは、ＣｄＳｅまたはＺｎＳｅから選択される金属セレン化物である、請求項３３に記載の粒子。
- 該コーティングは、ＣｄＴｅまたはＺｎＴｅから選択される金属テルル化物である、請求項３３に記載の粒子。
- 該コーティングのソースは、ヨウ化銀（ＡｇＩ）または臭化銀（ＡｇＢｒ）からなる群より選択される金属ハライドである、請求項３３に記載の粒子。
- 該コーティングのソースは、プラチナ、パラジウム、イリジウム、ビスマス、銅、銀、金および合金、ならびにそれらの混合物からなる群より選択される金属である、請求項３３に記載の粒子。
- 検体を含むと推測されるサンプル中に検体の存在を検出する方法であって、
（ａ）被膜粒子−リガンド組成物を提供し、該リガンドは被膜粒子に結合し、さらに該被膜粒子−リガンド組成物は該検体に特異的に結合することができ、かつ検出できるシグナルを提供することができるものであり；
（ｂ）該被膜粒子−リガンド組成物と該サンプルをインキュベーションし、被膜粒子−リガンド：検体複合体を形成し；および
（ｃ）該サンプル中の該検体の存在を示すものとして、該被膜粒子−リガンド：検体複合体を検出することを含み、
該被膜粒子は、構造式（Ｉ）：
の二官能リガンドを介して前記粒子に結合されたコーティングを含む、方法。 - 該粒子はナノパーティクルである、請求項４１に記載の方法。
- 該ナノパーティクルは半導体ナノパーティクルである、請求項４２に記載の方法。
- 該半導体ナノパーティクルは、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ケイ素（Ｓｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、セレニウム（Ｓｅ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、または酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる、請求項４３に記載の方法。
- 該二官能リガンドは、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（ＳＨ（ＣＨ2）3（Ｓｉ（ＯＭｅ）3））（ＭＰＳ）、１，３−プロパンジチオール（（ＨＳ（ＣＨ2）3ＳＨ））、３−アミノプロパンチオール（（ＨＳ（ＣＨ2）3ＮＨ2））（ＡＰＴ）および３−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＮＨ2（ＣＨ2）3Ｓｉ（ＯＭｅ）3）（ＡＰＳ）からなる群より選択される、請求項４４に記載の方法。
- 該コーティングは、シリカ（ＳｉＯ2）、Ｓｅ、有機導電性ポリマー、金属、金属酸化物、金属硫化物、金属セレン化物、金属テルル化物、および金属ハライドからなる群より選択される、請求項４５に記載の方法。
- 該コーティングはシリカである、請求項４６に記載の方法。
- 該粒子は６０ｎｍ未満である、請求項３に記載の方法。
- 該粒子は４０ｎｍ未満である、請求項３に記載の方法。
- 該コーティングは３０ｎｍ未満の厚さを持つ、請求項３に記載の方法。
- 該粒子のサイズは６０ｎｍ未満である、請求項２３に記載の粒子。
- 該粒子のサイズは４０ｎｍ未満である、請求項２３に記載の粒子。
- 該コーティングは３０ｎｍ未満の厚さを持つ、請求項２３に記載の粒子。
- 該粒子のサイズは６０ｎｍ未満である、請求項４１に記載の方法。
- 該粒子のサイズは４０ｎｍ未満である、請求項４１に記載の方法。
- 該コーティングは３０ｎｍ未満の厚さを持つ、請求項４１に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AUPP0044A AUPP004497A0 (en) | 1997-10-28 | 1997-10-28 | Stabilized particles |
| AU0044 | 1997-10-28 | ||
| PCT/AU1998/000896 WO1999021934A1 (en) | 1997-10-28 | 1998-10-28 | Stabilized particles and methods of preparation and use thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001520937A JP2001520937A (ja) | 2001-11-06 |
| JP4302882B2 true JP4302882B2 (ja) | 2009-07-29 |
Family
ID=3804321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000518029A Expired - Fee Related JP4302882B2 (ja) | 1997-10-28 | 1998-10-28 | 安定化粒子、その製造方法、およびその用途 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6548168B1 (ja) |
| EP (1) | EP1034234B1 (ja) |
| JP (1) | JP4302882B2 (ja) |
| AT (1) | ATE245181T1 (ja) |
| AU (1) | AUPP004497A0 (ja) |
| DE (1) | DE69816474T2 (ja) |
| WO (1) | WO1999021934A1 (ja) |
Families Citing this family (156)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1818417B1 (en) | 1996-07-29 | 2014-02-12 | Nanosphere, Inc. | Nanoparticles having oligonucleotides attached thereto and uses therefor |
| US6506564B1 (en) | 1996-07-29 | 2003-01-14 | Nanosphere, Inc. | Nanoparticles having oligonucleotides attached thereto and uses therefor |
| US6361944B1 (en) | 1996-07-29 | 2002-03-26 | Nanosphere, Inc. | Nanoparticles having oligonucleotides attached thereto and uses therefor |
| US7098320B1 (en) | 1996-07-29 | 2006-08-29 | Nanosphere, Inc. | Nanoparticles having oligonucleotides attached thereto and uses therefor |
| US6750016B2 (en) | 1996-07-29 | 2004-06-15 | Nanosphere, Inc. | Nanoparticles having oligonucleotides attached thereto and uses therefor |
| US6984491B2 (en) | 1996-07-29 | 2006-01-10 | Nanosphere, Inc. | Nanoparticles having oligonucleotides attached thereto and uses therefor |
| US6582921B2 (en) | 1996-07-29 | 2003-06-24 | Nanosphere, Inc. | Nanoparticles having oligonucleotides attached thereto and uses thereof |
| US6344272B1 (en) * | 1997-03-12 | 2002-02-05 | Wm. Marsh Rice University | Metal nanoshells |
| US6974669B2 (en) | 2000-03-28 | 2005-12-13 | Nanosphere, Inc. | Bio-barcodes based on oligonucleotide-modified nanoparticles |
| US6607829B1 (en) | 1997-11-13 | 2003-08-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Tellurium-containing nanocrystalline materials |
| US6207392B1 (en) | 1997-11-25 | 2001-03-27 | The Regents Of The University Of California | Semiconductor nanocrystal probes for biological applications and process for making and using such probes |
| JP4630459B2 (ja) * | 1998-09-24 | 2011-02-09 | インディアナ・ユニバーシティ・リサーチ・アンド・テクノロジー・コーポレーション | 水溶性発光量子ドットおよびその生体分子コンジュゲート |
| EP2295954B1 (en) * | 1999-10-06 | 2016-04-27 | Becton Dickinson and Company | Surface-enhanced spectroscopy-active composite nanoparticles |
| US7192778B2 (en) | 1999-10-06 | 2007-03-20 | Natan Michael J | Surface enhanced spectroscopy-active composite nanoparticles |
| US8497131B2 (en) | 1999-10-06 | 2013-07-30 | Becton, Dickinson And Company | Surface enhanced spectroscopy-active composite nanoparticles comprising Raman-active reporter molecules |
| WO2001051665A2 (en) | 2000-01-13 | 2001-07-19 | Nanosphere Inc. | Nanoparticles having oligonucleotides attached thereto and uses therefor |
| WO2002079764A1 (en) | 2001-01-26 | 2002-10-10 | Nanoplex Technologies, Inc. | Surface-enhanced spectroscopy-active sandwich nanoparticles |
| GB0006050D0 (en) | 2000-03-14 | 2000-05-03 | Johnson Matthey Plc | Liquid gold compositions |
| JP4537528B2 (ja) * | 2000-03-29 | 2010-09-01 | 株式会社東芝 | 光記録媒体 |
| AU2001276870B2 (en) | 2000-07-11 | 2006-07-20 | Northwestern University | Method of detection by enhancement of silver staining |
| US6773926B1 (en) * | 2000-09-25 | 2004-08-10 | California Institute Of Technology | Nanoparticle-based sensors for detecting analytes in fluids |
| JP3544353B2 (ja) * | 2000-11-27 | 2004-07-21 | 独立行政法人 科学技術振興機構 | 金属カルコゲナイド超微粒子の作製方法 |
| US7252699B2 (en) * | 2000-12-15 | 2007-08-07 | The Arizona Board Of Regents | Method for patterning metal using nanoparticle containing precursors |
| US20020110180A1 (en) * | 2001-02-09 | 2002-08-15 | Barney Alfred A. | Temperature-sensing composition |
| WO2002083774A2 (en) * | 2001-04-11 | 2002-10-24 | Rutgers, The State University Of New Jersey | Hybrid nanostructured materials based on ii-vi semiconductors |
| WO2003025539A2 (en) * | 2001-09-17 | 2003-03-27 | Massachusetts Institute Of Technology | Semiconductor nanocrystal composite |
| JP3613792B2 (ja) * | 2001-10-01 | 2005-01-26 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 固体自発光表示装置及びその製造方法 |
| DE10154988A1 (de) * | 2001-11-08 | 2003-05-28 | Karlsruhe Forschzent | Verwendung von oxidischen Nanoteilchen |
| AU2002367817B2 (en) | 2001-11-09 | 2008-05-29 | Nanosphere, Inc. | Bioconjugate-nanoparticle probes |
| EP2261173A1 (en) * | 2001-11-20 | 2010-12-15 | Wm. Marsh Rice University | Coated fullerene interconnect device |
| US6846345B1 (en) * | 2001-12-10 | 2005-01-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Synthesis of metal nanoparticle compositions from metallic and ethynyl compounds |
| US8043868B2 (en) * | 2001-12-21 | 2011-10-25 | Imec | Method and apparatus for detecting an analyte |
| JP4096330B2 (ja) * | 2002-02-27 | 2008-06-04 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体及びそれを構成要素とする構造体並びにこれらの調製方法 |
| DE10212121A1 (de) | 2002-03-15 | 2003-09-25 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von nano-Zinkoxid-Dispersionen stabilisiert durch hydroxylgruppenhaltige anorganische Polymere |
| DE10219120A1 (de) * | 2002-04-29 | 2003-11-20 | Infineon Technologies Ag | Oberflächenfunktionalisierte anorganische Halbleiterpartikel als elektrische Halbleiter für mikroelektronische Anwendungen |
| DE10225324A1 (de) * | 2002-06-06 | 2003-12-18 | Itn Nanovation Gmbh | Antimikrobielle Beschichtung |
| JP4366502B2 (ja) * | 2002-06-19 | 2009-11-18 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 半導体超微粒子蛍光体および発光デバイス |
| ATE488625T1 (de) * | 2002-08-13 | 2010-12-15 | Massachusetts Inst Technology | Halbleiter-nanokristallheterostrukturen |
| EP1576655B1 (en) | 2002-08-15 | 2014-05-21 | Moungi G. Bawendi | Stabilized semiconductor nanocrystals |
| US7253014B2 (en) * | 2002-11-19 | 2007-08-07 | William Marsh Rice University | Fabrication of light emitting film coated fullerenes and their application for in-vivo light emission |
| AU2003304249A1 (en) | 2002-11-19 | 2005-01-13 | William Marsh Rice University | Method for creating a functional interface between a nanoparticle, nanotube or nanowire, and a biological molecule or system |
| FR2847812B1 (fr) * | 2002-11-28 | 2006-04-14 | Louis Dubertret | Composition cosmetique comprenant des nanoparticules fluorescentes comme pigments |
| AU2003297714A1 (en) * | 2002-12-09 | 2004-06-30 | Gregory D. Cooper | Programmable photolithographic mask based on nano-sized semiconductor particles |
| US7181266B2 (en) * | 2003-03-04 | 2007-02-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Materials and methods for near-infrared and infrared lymph node mapping |
| US20050020922A1 (en) * | 2003-03-04 | 2005-01-27 | Frangioni John V. | Materials and methods for near-infrared and infrared intravascular imaging |
| KR100619379B1 (ko) * | 2003-06-27 | 2006-09-05 | 삼성전자주식회사 | 발광소자용 양자점 실리케이트 박막의 제조방법 |
| US7081295B2 (en) | 2003-08-18 | 2006-07-25 | Eastman Kodak Company | Method of manufacturing a polymethylmethacrylate core shell nanocomposite optical plastic article |
| US7091271B2 (en) * | 2003-08-18 | 2006-08-15 | Eastman Kodak Company | Core shell nanocomposite optical plastic article |
| DE10343728A1 (de) * | 2003-09-22 | 2005-04-21 | Degussa | Zinkoxidpulver |
| ATE414115T1 (de) * | 2003-10-14 | 2008-11-15 | Murata Manufacturing Co | Verfahren zur herstellung von harzbeschichtetem metallpulver, harzbeschichtetes metallpulver und schaltungsbildender toner |
| KR100621463B1 (ko) * | 2003-11-06 | 2006-09-13 | 제일모직주식회사 | 절연 전도성 미립자 및 이를 함유하는 이방 전도성 필름 |
| WO2005060610A2 (en) * | 2003-12-11 | 2005-07-07 | The Trustees Of Columbia University In The City Ofnew York | Nano-sized particles, processes of making, compositions and uses thereof |
| JP3867232B2 (ja) * | 2004-03-25 | 2007-01-10 | 株式会社 東北テクノアーチ | 触媒ナノ粒子 |
| US7968273B2 (en) | 2004-06-08 | 2011-06-28 | Nanosys, Inc. | Methods and devices for forming nanostructure monolayers and devices including such monolayers |
| TW201341440A (zh) * | 2004-06-08 | 2013-10-16 | Sandisk Corp | 奈米結構之沉積後包封：併入該包封體之組成物、裝置及系統 |
| US7776758B2 (en) | 2004-06-08 | 2010-08-17 | Nanosys, Inc. | Methods and devices for forming nanostructure monolayers and devices including such monolayers |
| US8563133B2 (en) | 2004-06-08 | 2013-10-22 | Sandisk Corporation | Compositions and methods for modulation of nanostructure energy levels |
| WO2005123875A1 (ja) * | 2004-06-16 | 2005-12-29 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | 発光材料、発光体、および発光方法 |
| US20050287680A1 (en) * | 2004-06-25 | 2005-12-29 | Srivatsa Venkatasubbarao | Multianalyte assay method |
| JP4663261B2 (ja) * | 2004-07-05 | 2011-04-06 | 富士フイルム株式会社 | ブラックマトリックス、転写材料、微粒子分散組成物、カラーフィルター、表示装置、及びブラックマトリックスの製造方法 |
| US7229690B2 (en) | 2004-07-26 | 2007-06-12 | Massachusetts Institute Of Technology | Microspheres including nanoparticles |
| US7405002B2 (en) * | 2004-08-04 | 2008-07-29 | Agency For Science, Technology And Research | Coated water-soluble nanoparticles comprising semiconductor core and silica coating |
| DE502005008114D1 (de) * | 2004-09-15 | 2009-10-22 | Air Prod & Chem | Silikat-beschichtung |
| US7534489B2 (en) * | 2004-09-24 | 2009-05-19 | Agency For Science, Technology And Research | Coated composites of magnetic material and quantum dots |
| US20060124888A1 (en) * | 2004-12-09 | 2006-06-15 | Morrison William H Jr | Method for treating photoactive semiconductors for improved stability and resistance to dopant leaching |
| US7855021B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-12-21 | Brookhaven Science Associates, Llc | Electrocatalysts having platium monolayers on palladium, palladium alloy, and gold alloy core-shell nanoparticles, and uses thereof |
| US9005331B2 (en) | 2004-12-22 | 2015-04-14 | Brookhaven Science Associates, Llc | Platinum-coated non-noble metal-noble metal core-shell electrocatalysts |
| US7691780B2 (en) * | 2004-12-22 | 2010-04-06 | Brookhaven Science Associates, Llc | Platinum- and platinum alloy-coated palladium and palladium alloy particles and uses thereof |
| US20060148103A1 (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Yin-Peng Chen | Highly sensitive biological assays |
| JP4928775B2 (ja) * | 2005-01-06 | 2012-05-09 | 株式会社日立ソリューションズ | 半導体ナノ粒子表面修飾方法 |
| US20100116664A1 (en) | 2005-03-08 | 2010-05-13 | Ignatius Michael J | Monitoring and manipulating cellular transmembrane potentials using nanostructures |
| US20060216508A1 (en) * | 2005-03-24 | 2006-09-28 | 3M Innovative Properties Company | Polymer nanocomposite having surface modified nanoparticles and methods of preparing same |
| US7172811B2 (en) * | 2005-03-24 | 2007-02-06 | 3M Innovative Properties Company | Methods of preparing polymer nanocomposite having surface modified nanoparticles |
| US7405001B2 (en) * | 2005-03-24 | 2008-07-29 | 3M Innovative Properties Company | Surface modified nanoparticle and method of preparing same |
| US8718437B2 (en) | 2006-03-07 | 2014-05-06 | Qd Vision, Inc. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
| US8845927B2 (en) | 2006-06-02 | 2014-09-30 | Qd Vision, Inc. | Functionalized nanoparticles and method |
| US9297092B2 (en) | 2005-06-05 | 2016-03-29 | Qd Vision, Inc. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
| JP2009504423A (ja) * | 2005-08-11 | 2009-02-05 | イノヴァライト インコーポレイテッド | 安定にパッシベートされたｉｖ族半導体ナノ粒子、並びにその製造方法及びその組成物 |
| KR101159853B1 (ko) * | 2005-09-12 | 2012-06-25 | 삼성전기주식회사 | 다층구조 나노결정의 제조방법 및 그에 의해 수득된 나노결정 |
| US9550162B2 (en) * | 2005-09-19 | 2017-01-24 | Intematix Corporation | Printing liquid solution arrays for inorganic combinatorial libraries |
| US7385003B1 (en) | 2005-10-03 | 2008-06-10 | Sandia Corporation | In-situ formation of nanoparticles within a silicon-based matrix |
| US20070098640A1 (en) * | 2005-11-02 | 2007-05-03 | General Electric Company | Nanoparticle-based imaging agents for X-ray/computed tomography |
| KR100745744B1 (ko) * | 2005-11-11 | 2007-08-02 | 삼성전기주식회사 | 나노 입자 코팅 방법 |
| DE102005056622A1 (de) * | 2005-11-25 | 2007-05-31 | Merck Patent Gmbh | Nanopartikel |
| FR2894581B1 (fr) * | 2005-12-08 | 2008-02-22 | Centre Nat Rech Scient | Nanoparticules d'un compose a transition de spin |
| US8409863B2 (en) | 2005-12-14 | 2013-04-02 | Becton, Dickinson And Company | Nanoparticulate chemical sensors using SERS |
| US7394094B2 (en) | 2005-12-29 | 2008-07-01 | Massachusetts Institute Of Technology | Semiconductor nanocrystal heterostructures |
| US7723100B2 (en) | 2006-01-13 | 2010-05-25 | Becton, Dickinson And Company | Polymer coated SERS nanotag |
| US8849087B2 (en) * | 2006-03-07 | 2014-09-30 | Qd Vision, Inc. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
| US9874674B2 (en) | 2006-03-07 | 2018-01-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
| US20090311556A1 (en) * | 2006-04-17 | 2009-12-17 | Rensselaer Polytechnic Institute | SYNTHESIS, FUNCTIONALIZATION AND ASSEMBLY OF MONODISPERSE HIGH-COERCIVITY SILICA-CAPPED FePt NANOMAGNETS OF TUNABLE SIZE, COMPOSITION AND THERMAL STABILITY FROM IMCROEMULSIONS |
| WO2007124445A2 (en) * | 2006-04-21 | 2007-11-01 | Innovalight, Inc. | Organosilane-stabilized nanoparticles of si or ge in an oxide matrix |
| US7807265B2 (en) * | 2006-05-12 | 2010-10-05 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Partially passivated quantum dots, process for making, and sensors therefrom |
| US9212056B2 (en) | 2006-06-02 | 2015-12-15 | Qd Vision, Inc. | Nanoparticle including multi-functional ligand and method |
| JP5311340B2 (ja) * | 2006-06-08 | 2013-10-09 | 国立大学法人徳島大学 | 新規なナノシリカ粒子の製造方法と用途 |
| DE102006051893A1 (de) * | 2006-10-31 | 2008-05-08 | Eckart Gmbh & Co. Kg | Metalleffektpigmente für den Einsatz in der kathodischen Elektrotauchlackierung, Verfahren zu deren Herstellung und Verwendung derselben sowie Elektrotauchlack |
| US20090297626A1 (en) * | 2006-11-03 | 2009-12-03 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Methods for preparing metal oxides |
| WO2008066138A1 (fr) * | 2006-12-01 | 2008-06-05 | National University Corporation Shimane University | Agent de marquage fluorescent et procédé de marquage fluorescent |
| US20080191193A1 (en) * | 2007-01-22 | 2008-08-14 | Xuegeng Li | In situ modification of group iv nanoparticles using gas phase nanoparticle reactors |
| AU2008228813C1 (en) | 2007-03-20 | 2015-01-22 | Becton, Dickinson And Company | Assays using surface-enhanced raman spectroscopy (SERS)-active particles |
| US20080292530A1 (en) * | 2007-05-11 | 2008-11-27 | The Government Of Us, As Represented By The Secretary Of The Navy | Calcination of carbon nanotube compositions |
| JP4357544B2 (ja) | 2007-05-15 | 2009-11-04 | シャープ株式会社 | １３族窒化物蛍光体およびその製造方法 |
| US20090117161A1 (en) * | 2007-06-05 | 2009-05-07 | Giapis Konstantinos P | Semiconductor-based core-shell particles for blocking electromagnetic radiation |
| DE102007032189A1 (de) * | 2007-06-22 | 2008-12-24 | Merck Patent Gmbh | Härtungskatalysator |
| US8471170B2 (en) | 2007-07-10 | 2013-06-25 | Innovalight, Inc. | Methods and apparatus for the production of group IV nanoparticles in a flow-through plasma reactor |
| US8968438B2 (en) * | 2007-07-10 | 2015-03-03 | Innovalight, Inc. | Methods and apparatus for the in situ collection of nucleated particles |
| JP2009078946A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Fujifilm Corp | コア−シェル型金属酸化物粒子及びその製造方法 |
| CN101959973A (zh) * | 2007-10-16 | 2011-01-26 | Nxp股份有限公司 | 包含核与壳的粒子及其应用 |
| EP2233437A4 (en) * | 2007-12-06 | 2016-07-27 | Univ Tokushima | NANOFUNCTIONAL SILICA PARTICLES AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| US7704866B2 (en) | 2008-03-18 | 2010-04-27 | Innovalight, Inc. | Methods for forming composite nanoparticle-metal metallization contacts on a substrate |
| US8361834B2 (en) | 2008-03-18 | 2013-01-29 | Innovalight, Inc. | Methods of forming a low resistance silicon-metal contact |
| JP5427879B2 (ja) * | 2008-03-24 | 2014-02-26 | ユニベルシダデ フェデラル デ フェルナンブーコ − ウエフェペエ | 蛍光ナノ粒子複合体自体、そのような複合体を調製する方法、及び生体分子に親和性を有する迅速な診断システムにおける使用 |
| WO2009120716A1 (en) * | 2008-03-24 | 2009-10-01 | Rutgers, The State University Of New Jersey | Compositions and methods for generating white light |
| US20090253072A1 (en) * | 2008-04-01 | 2009-10-08 | Petruska Melissa A | Nanoparticle reversible contrast enhancement material and method |
| US7923368B2 (en) | 2008-04-25 | 2011-04-12 | Innovalight, Inc. | Junction formation on wafer substrates using group IV nanoparticles |
| US9207385B2 (en) | 2008-05-06 | 2015-12-08 | Qd Vision, Inc. | Lighting systems and devices including same |
| WO2009137053A1 (en) | 2008-05-06 | 2009-11-12 | Qd Vision, Inc. | Optical components, systems including an optical component, and devices |
| EP2297762B1 (en) | 2008-05-06 | 2017-03-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Solid state lighting devices including quantum confined semiconductor nanoparticles |
| KR101421619B1 (ko) * | 2008-05-30 | 2014-07-22 | 삼성전자 주식회사 | 나노결정-금속산화물-폴리머 복합체 및 그의 제조방법 |
| CN102119331A (zh) | 2008-06-05 | 2011-07-06 | 生命科技公司 | 细胞跨膜电位的激活和监测 |
| EP2303771B1 (en) * | 2008-06-30 | 2018-05-30 | Life Technologies Corporation | Methods for isolating and purifying nanoparticles from a complex medium |
| WO2010003059A2 (en) * | 2008-07-02 | 2010-01-07 | Life Technologies Corporation | Stable indium-containing semiconductor nanocrystals |
| RU2381304C1 (ru) * | 2008-08-21 | 2010-02-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт прикладной акустики" | Способ синтеза полупроводниковых квантовых точек |
| US20100119608A1 (en) * | 2008-11-11 | 2010-05-13 | Jinhyuk Fred Chung | Synthesis of pH-sensitive, Acid-Stable Metal-Binding Nanoparticles |
| WO2010057114A2 (en) | 2008-11-14 | 2010-05-20 | Dune Sciences Inc. | Functionalized nanoparticles and methods of forming and using same |
| US20100124571A1 (en) * | 2008-11-20 | 2010-05-20 | Nanomedicine Research Co., Ltd. | Use of pH-sensitive, Acid-Stable Metal-Binding Nanoparticles |
| JP5253137B2 (ja) * | 2008-12-24 | 2013-07-31 | キヤノン株式会社 | 標的物質検出素子および標的物質検出素子の製造方法 |
| US20100224821A1 (en) * | 2009-03-04 | 2010-09-09 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Nanostructure having metal nanoparticles and a method of assembly thereof |
| US9285610B2 (en) | 2009-03-04 | 2016-03-15 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Nanostructure having metal nanoparticles and a method of assembly thereof |
| US20110076798A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-03-31 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Dichalcogenide ink containing selenium and methods of making and using same |
| JP4970530B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2012-07-11 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 太陽電池用ペースト組成物およびその製造方法ならびに太陽電池 |
| JP5608735B2 (ja) * | 2010-04-02 | 2014-10-15 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 太陽電池用ペースト組成物およびその製造方法ならびに太陽電池 |
| US8025726B1 (en) * | 2010-04-08 | 2011-09-27 | Nalco Company | Sulfur containing silica particle |
| EP2565251B1 (en) * | 2010-04-30 | 2014-09-17 | Ocean's King Lighting Science&Technology Co., Ltd. | A rare earth-aluminium/gallate based fluorescent material and manufacturing method thereof |
| JP5649723B2 (ja) * | 2010-05-25 | 2015-01-07 | オーシャンズ キング ライティング サイエンスアンドテクノロジー カンパニー リミテッド | 金属ナノ粒子を被覆するアルミン酸塩基蛍光粉及びその調製方法 |
| JP2012209148A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Sony Corp | 導電性粒子、導電性ペースト、及び、回路基板 |
| WO2012134629A1 (en) | 2011-04-01 | 2012-10-04 | Qd Vision, Inc. | Quantum dots, method, and devices |
| PE20141988A1 (es) * | 2011-04-12 | 2014-12-24 | Basf Se | Particulas funcionalizadas hidrofobicas |
| US9024050B2 (en) | 2011-04-12 | 2015-05-05 | Basf Se | Hydrophobic, functionalized particles |
| US9605304B2 (en) | 2011-07-20 | 2017-03-28 | The Hong Kong Polytechnic University | Ultra-stable oligonucleotide-gold and-silver nanoparticle conjugates and method of their preparation |
| CN102382640B (zh) * | 2011-08-30 | 2014-05-14 | 济南大学 | 高荧光亮度的量子点复合颗粒和免疫学检测探针及复合颗粒的制备方法 |
| US20170260395A1 (en) * | 2016-03-08 | 2017-09-14 | The Sweet Living Group, LLC | Additive for incorporating ultraviolet radiation protection into a polymer |
| CN102516995B (zh) * | 2011-11-22 | 2013-12-18 | 武汉因诺维生物科技有限公司 | 一种油相中制备水相CdS量子点的方法 |
| CN104169393B (zh) * | 2012-07-31 | 2016-01-13 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 锡酸盐荧光材料及其制备方法 |
| CN102816563B (zh) * | 2012-08-29 | 2014-07-09 | 上海交通大学 | 一种折射率可调的二氧化硅包覆量子点的纳米复合发光材料的制法和用途 |
| MX2015005353A (es) * | 2012-10-31 | 2015-09-23 | Nanotech Innovations Corp | Recubrimiento aislante termico de nanotecnologia y usos del mismo. |
| TW201438247A (zh) * | 2013-03-06 | 2014-10-01 | Sk Innovation Co Ltd | 具有一致圖案排列之奈米粒子的單電子電晶體及其製造方法 |
| DE102013108664A1 (de) | 2013-08-09 | 2015-02-12 | Leibniz-Institut Für Neue Materialien Gemeinnützige Gmbh | Oberflächenmodifizierte Metallkolloide und ihre Herstellung |
| ES2819077T3 (es) | 2013-08-09 | 2021-04-14 | Leibniz Institut Fuer Neue Mat Gemeinnuetzige Gmbh | Formación de coloides metálicos modificados en superficie |
| CN104845608B (zh) * | 2015-04-08 | 2017-03-01 | 济南大学 | 一种自组装形成的CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料及其制备方法 |
| DE102015209594A1 (de) * | 2015-05-26 | 2016-12-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Widerstandsbelag für einen Glimmschutz einer elektrischen Maschine |
| US10208226B2 (en) * | 2015-07-23 | 2019-02-19 | The Boeing Company | Composites transmissive to visual and infrared radiation and compositions and methods for making the composites |
| TWI631336B (zh) * | 2016-06-20 | 2018-08-01 | 明志科技大學 | Magnetic metal two-dimensional nano tablet and manufacturing method thereof |
| CN107928097A (zh) * | 2017-12-18 | 2018-04-20 | 贵州大学 | 一种充电式防水电动试管刷 |
| US11320738B2 (en) * | 2018-06-27 | 2022-05-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Pattern formation method and material for manufacturing semiconductor devices |
| EP3888788A1 (de) * | 2020-04-01 | 2021-10-06 | Venator Germany GmbH | Photokatalytisch aktives partikelförmiges material auf basis von zns, verfahren zu dessen herstellung und dessen verwendung |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5428785A (en) * | 1977-08-08 | 1979-03-03 | Dainippon Toryo Co Ltd | Pigment coated fluorescent body and method of producing the same |
| US4994429A (en) * | 1986-12-29 | 1991-02-19 | Aluminum Company Of America | Active material useful as adsorbent comprising metal oxide/hydroxide particles reacted with phosphorus-containing organic acid group of organic compound having unreacted acid group |
| JPS63248437A (ja) * | 1986-12-29 | 1988-10-14 | アルミナム カンパニー オブ アメリカ | 吸着剤として有用な活性物質およびその製造方法 |
| WO1990015666A1 (en) | 1989-06-16 | 1990-12-27 | Omni Quest Corporation | Coated magnetic particles for use in separations |
| US5034297A (en) * | 1989-10-10 | 1991-07-23 | Eastman Kodak Company | Bound metal alkoxide coated toner particles |
| EP0506880A1 (en) * | 1989-12-22 | 1992-10-07 | Molecular Bioquest, Inc. | Organo-metallic coated particles for use in separations |
| US5248772A (en) * | 1992-01-29 | 1993-09-28 | Coulter Corporation | Formation of colloidal metal dispersions using aminodextrans as reductants and protective agents |
| JPH08500700A (ja) | 1992-06-08 | 1996-01-23 | バイオクエスト インコーポレイテッド | 分離、磁気分子スイッチ、および医療用途の無機リポソームとして使用する粒径を制御した無機粒子の製造 |
| DE19500634C1 (de) * | 1995-01-11 | 1996-08-29 | Fraunhofer Ges Forschung | Fluoreszierende Materialien |
| US5609907A (en) * | 1995-02-09 | 1997-03-11 | The Penn State Research Foundation | Self-assembled metal colloid monolayers |
| JPH08297295A (ja) * | 1995-04-26 | 1996-11-12 | Ube Nitto Kasei Co Ltd | 導電性微粒子およびその製造方法 |
| GB9616978D0 (en) * | 1996-08-13 | 1996-09-25 | Tioxide Specialties Ltd | Zinc oxide dispersions |
-
1997
- 1997-10-28 AU AUPP0044A patent/AUPP004497A0/en not_active Abandoned
-
1998
- 1998-10-28 EP EP98952407A patent/EP1034234B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-28 DE DE69816474T patent/DE69816474T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-28 WO PCT/AU1998/000896 patent/WO1999021934A1/en active IP Right Grant
- 1998-10-28 US US09/530,161 patent/US6548168B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-10-28 JP JP2000518029A patent/JP4302882B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-10-28 AT AT98952407T patent/ATE245181T1/de not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ATE245181T1 (de) | 2003-08-15 |
| EP1034234A1 (en) | 2000-09-13 |
| EP1034234A4 (en) | 2001-01-31 |
| EP1034234B1 (en) | 2003-07-16 |
| WO1999021934A1 (en) | 1999-05-06 |
| JP2001520937A (ja) | 2001-11-06 |
| DE69816474D1 (de) | 2003-08-21 |
| DE69816474T2 (de) | 2004-06-09 |
| AUPP004497A0 (en) | 1997-11-20 |
| US6548168B1 (en) | 2003-04-15 |
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|
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|
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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