JP4357544B2 - 13族窒化物蛍光体およびその製造方法 - Google Patents
13族窒化物蛍光体およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4357544B2 JP4357544B2 JP2007128971A JP2007128971A JP4357544B2 JP 4357544 B2 JP4357544 B2 JP 4357544B2 JP 2007128971 A JP2007128971 A JP 2007128971A JP 2007128971 A JP2007128971 A JP 2007128971A JP 4357544 B2 JP4357544 B2 JP 4357544B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- nitride
- crystal
- fine particle
- silica gel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/62—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing gallium, indium or thallium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
Description
本発明の蛍光体の製造方法によれば、ジアミン化合物における窒素元素の一方を13族窒化物微粒子結晶の表面に結合させ、もう一方の窒素元素をシリカゲル固体層のマトリックスに結合させることにより、13族窒化物微粒子結晶とシリカゲル固体層のマトリックスとを強く結合させることができる。修飾有機分子を適当に選択することにより、より簡易的な方法である液相合成によって、シリカゲル固体層のマトリックスに均一に分散させることができるジアミン化合物が結合した13族窒化物微粒子結晶を作製することができる。
図1(a)は、本発明の13族窒化物蛍光体の模式的な斜視図であり、図1(b)は、図1(a)における13族窒化物蛍光体を拡大して示す模式図である。以下、図1(a)および(b)に基づいて本発明における13族窒化物蛍光体の構造を説明する。
本発明の13族窒化物微粒子結晶11は、半導体の微粒子であり、13族元素(B、Al、Ga、In、Tl)の少なくとも1種以上を有し、該13族元素と窒素元素との結合を有する化合物の微粒子である。13族窒化物微粒子結晶11は、蛍光体微粒子として用いることができ、発光波長のピーク波長より短波長のピーク波長を有する光で励起され、190〜1800nmのピーク波長の光を発光する物質である。具体的に13族窒化物微粒子結晶11は、バンドギャップの観点から、窒化ガリウム(GaN)、窒化インジウム(InN)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化インジウム・ガリウム(InGaN)、窒化インジウムアルミニウム(InAlN)、窒化ガリウムアルミニウム(GaAlN)または窒化インジウムアルミニウムガリウム(InAlGaN)であることが好ましい。
ここで
y:ボーア半径、
ε:誘電率、
h:プランク定数、
m:有効質量、
e:電荷素量
である。
図2は、本発明における13族窒化物蛍光体の製造工程のフローチャートを示したものである。以下、図2に記載した各工程に基づいて本発明における製造工程を説明する。
少なくともジアミン化合物と、13族元素含有化合物と、窒素元素含有化合物とを混合した混合溶液、または少なくともジアミン化合物と、13族元素窒素元素含有化合物とを混合した混合溶液の作製を行なう。
攪拌した該混合溶液に対して、不活性ガス雰囲気中で、合成温度180〜500℃、さらに望ましくは280〜400℃で、6〜72時間、さらに好ましくは12〜48時間、攪拌しながら、加熱を行なう。該加熱により、化学反応が起こり、13族窒化物微粒子結晶の形成と、ジアミン化合物および修飾有機分子で被覆された13族窒化物微粒子結晶の形成が同時に進行する。
次に、任意的な混合溶液の冷却を経て、加熱後の混合溶液とメタノールとを混合したメタノール溶液を作製し、該メタノール溶液中にジアミン化合物および修飾有機分子で被覆されている13族窒化物微粒子結晶を抽出する。
次に、上述の方法により合成した13族窒化物微粒子結晶をシリカゲル固体層のマトリックス中に分散させる工程について説明する。
以下、本実施例において、仮に「A/B」と表記した場合に示す意味は、Bで被覆されたAとする。
<混合溶液の作製工程>
まず、トリス(ジメチルアミノ)インジウムダイマーを作製した。リチウムジメチルアミド0.03モルと三塩化インジウム0.01モルとを、n−ヘキサンの炭化水素溶媒に添加し、20℃で50時間、攪拌しながら化学反応を行なった。該化学反応が終了した後、副生成物である塩化リチウムを取り除き、トリス(ジメチルアミノ)インジウムダイマーを取り出した。この化学反応を化学式(1)で示す。
2InCl3 + 6LiN(CH3)2 → [In(N(CH3)2)3]2 化学式(1)
同様の方法により、トリス(ジメチルアミノ)ガリウムダイマーを作製した。この化学反応を化学式(2)で示す。
2GaCl3 + 6LiN(CH3)2 → [Ga(N(CH3)2)3]2 化学式(2)
次に上述の方法により作製したトリス(ジメチルアミノ)インジウムダイマー0.005モルとトリス(ジメチルアミノ)ガリウムダイマー0.005モルとを、炭化水素溶媒としてのn−ヘキサンに添加し、20℃で、50時間、攪拌しながら化学反応を行なった。該化学反応が終了した後、ヘキサ(ジメチルアミノ)インジウム・ガリウムを取り出した。この化学反応を化学式(3)で示す。
→ [((CH3)2N)2In−(μ−N(CH3)2)2−Ga(N(CH3)2)2]
化学式(3)
なお、化学式(3)の生成物中、μ−N(CH3)2は、分子中InとGaとをつなぐ配位子であることを示す。
≪混合溶液の加熱≫
上述の混合溶液について、窒素ガス雰囲気下で、合成温度280℃、合成時間12時間で加熱を行ない、化学反応を行なった。該加熱中は、該混合溶液を攪拌子で攪拌しつづけた。
0.2[((CH3)2N)2In−(μ−N(CH3)2)2−Ga(N(CH3)2)2] +
0.3[Ga(N(CH3)2)3]2 → In0.2Ga0.8N 化学式(4)
≪混合溶液の冷却≫
加熱後の混合溶液を室温程度まで空冷し、該混合溶液とメタノール200mlとを混合したメタノール溶液を作製し、該メタノール溶液中に、ジアミン化合物および修飾有機分子が結合している13族窒化物微粒子結晶を抽出した。
まず、テトラメトキシシラン0.5モルとジメチルホルムアミド0.5モルとを混合したシリカゲル前駆体を作製した。そして、さらに水5モル、メタノール1.1モルおよびアンモニア0.0002モルを該シリカゲル前駆体に滴下し、室温で1時間、反応させた。このシリカゲル前駆体に、13族窒化物微粒子結晶が分散している上述のメタノール溶液1mlを混合することにより、In0.2Ga0.8N/nH2N(CH2)6NH2,nN(C8H17)3/−SiO−SiOCHn−(ジアミン化合物および修飾有機分子で被覆された13族窒化物微粒子結晶がシリカゲル固体層のマトリックス中に分散してなる13族窒化物蛍光体、nは任意の整数)を形成した。
ジアミン化合物として、ヘキサメチレンジアミン1.2gを用いること以外は、実施例1と同様の製造方法によって、励起光を吸収して青色光を発する13族窒化物蛍光体を得ることができた。得られた13族窒化物蛍光体は、特に外部量子効率の高い405nmの励起光を効率よく吸収できた。また、該励起光を吸収したとき13族窒化物微粒子結晶が発光した蛍光は、発光ピーク波長が460nmだった。
ヘキサ(ジメチルアミノ)インジウム・ガリウム0.001モルと、トリス(ジメチルアミノ)ガリウムダイマー0.0015モルと、ジアミン化合物としてのヘキサメチレンジアミン0.6gと、修飾有機分子としてのトリオクチルアミン15gとを、炭化水素溶媒としてのベンゼン100mlに混合した第1混合溶液を作製した。該第1混合溶液を十分に攪拌した後、第1混合溶液について、窒素ガス雰囲気下で、合成温度280℃、合成時間12時間で加熱を行ない、化学反応を行なった。該加熱中は、該第1混合溶液を攪拌子で攪拌しつづけた。
In0.2Ga0.8N + [Ga(N(CH3)2)]2 → In0.2Ga0.8N/GaN
化学式(5)
この反応によって、第1混合溶液の加熱によって形成された結晶を半導体コアとして、添加したトリス(ジメチルアミノ)ガリウムダイマーを材料にして、半導体シェルが成長し、半導体コア/半導体シェル構造の13族窒化物微粒子結晶が形成された。
三塩化ガリウム(GaCl3)0.08モルと三塩化インジウム(InCl3)0.02モルと窒化リチウム0.1モルとを、ベンゼン200mlに混合した混合溶液を作製した。該混合溶液を合成温度280℃で、3時間加熱することで反応を行ない、In0.2Ga0.8Nからなる半導体結晶の合成を行なった。この加熱後の混合溶液を室温にまで冷却した。
Claims (3)
- 13族元素を有する13族窒化物微粒子結晶が、シリカゲル固体層のマトリックスに分散された13族窒化物蛍光体であって、
前記13族窒化物微粒子結晶の表面および前記シリカゲル固体層にジアミン化合物が結合し、
前記13族窒化物微粒子結晶の表面にさらに修飾有機分子としてアミンが結合している13族窒化物蛍光体。 - 前記13族元素が、Inおよび/もしくはGaである請求項1に記載の13族窒化物蛍光体。
- 13族元素を有する13族窒化物微粒子結晶が、シリカゲル固体層のマトリックスに分散された13族窒化物蛍光体の製造方法であって、
ジアミン化合物と、13族元素含有化合物と、窒素元素含有化合物と、修飾有機分子としてアミンとを混合した混合溶液、またはジアミン化合物と、13族元素窒素元素含有化合物と、修飾有機分子としてアミンとを混合した混合溶液の作製工程と、
前記混合溶液を加熱して、ジアミン化合物が結合した13族窒化物微粒子結晶を作製する工程と、
前記13族窒化物微粒子結晶をシリカゲル固体層のマトリックスに分散させる工程とを備える
13族窒化物蛍光体の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007128971A JP4357544B2 (ja) | 2007-05-15 | 2007-05-15 | 13族窒化物蛍光体およびその製造方法 |
KR1020080044350A KR101012246B1 (ko) | 2007-05-15 | 2008-05-14 | 13족 질화물 인광체 및 그의 제조 방법 |
US12/120,613 US8123979B2 (en) | 2007-05-15 | 2008-05-14 | Group 13 nitride phosphor and method of preparing the same |
CN2008100992641A CN101307227B (zh) | 2007-05-15 | 2008-05-15 | 第13族氮化物荧光体及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007128971A JP4357544B2 (ja) | 2007-05-15 | 2007-05-15 | 13族窒化物蛍光体およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008285510A JP2008285510A (ja) | 2008-11-27 |
JP4357544B2 true JP4357544B2 (ja) | 2009-11-04 |
Family
ID=40026578
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007128971A Expired - Fee Related JP4357544B2 (ja) | 2007-05-15 | 2007-05-15 | 13族窒化物蛍光体およびその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8123979B2 (ja) |
JP (1) | JP4357544B2 (ja) |
KR (1) | KR101012246B1 (ja) |
CN (1) | CN101307227B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011074221A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Sharp Corp | 半導体ナノ粒子蛍光体 |
WO2014091855A1 (ja) * | 2012-12-10 | 2014-06-19 | シャープ株式会社 | 樹脂組成物および該樹脂組成物を波長変換部に用いた発光装置 |
US10021761B2 (en) * | 2016-10-21 | 2018-07-10 | AhuraTech LLC | System and method for producing light in a liquid media |
WO2018154868A1 (ja) * | 2017-02-27 | 2018-08-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 波長変換部材 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AUPP004497A0 (en) | 1997-10-28 | 1997-11-20 | University Of Melbourne, The | Stabilized particles |
DE60042738D1 (de) * | 1999-05-07 | 2009-09-24 | Life Technologies Corp | Verfahren zum nachweis von analyten mit hilfe von halbleiternanokrystallen |
JP3835135B2 (ja) | 2000-07-27 | 2006-10-18 | 三菱化学株式会社 | アミノ基を結合してなる半導体超微粒子 |
US8025816B2 (en) | 2002-06-19 | 2011-09-27 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Semiconductor superfine particle phosphor and light emitting device |
CN1215972C (zh) * | 2003-01-16 | 2005-08-24 | 山东大学 | 一种在水热条件下多步原位反应合成氮化物微晶和体块晶体的方法 |
JP2005105244A (ja) | 2003-01-24 | 2005-04-21 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 半導体超微粒子及び蛍光体 |
JP2006083219A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Sharp Corp | 蛍光体およびこれを用いた発光装置 |
US20060240227A1 (en) * | 2004-09-23 | 2006-10-26 | Zhijun Zhang | Nanocrystal coated surfaces |
WO2006118543A1 (en) * | 2005-05-04 | 2006-11-09 | Agency For Science, Technology And Research | Novel water-soluble nanocrystals comprising a low molecular weight coating reagent, and methods of preparing the same |
JP2006328234A (ja) | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Sharp Corp | 蛍光体の製造方法 |
JP4528947B2 (ja) | 2005-06-02 | 2010-08-25 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 無機マトリックス中に半導体ナノ粒子を分散した蛍光体 |
JP4587390B2 (ja) | 2005-09-13 | 2010-11-24 | シャープ株式会社 | 半導体粒子蛍光体、およびその製造方法 |
JP4761357B2 (ja) | 2005-09-13 | 2011-08-31 | シャープ株式会社 | 半導体粒子蛍光体およびその製造方法 |
JP4318710B2 (ja) * | 2006-10-12 | 2009-08-26 | シャープ株式会社 | ナノ結晶粒子蛍光体と被覆ナノ結晶粒子蛍光体、ならびに被覆ナノ結晶粒子蛍光体の製造方法 |
-
2007
- 2007-05-15 JP JP2007128971A patent/JP4357544B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-05-14 KR KR1020080044350A patent/KR101012246B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-05-14 US US12/120,613 patent/US8123979B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-05-15 CN CN2008100992641A patent/CN101307227B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080101697A (ko) | 2008-11-21 |
KR101012246B1 (ko) | 2011-02-08 |
JP2008285510A (ja) | 2008-11-27 |
US20080283801A1 (en) | 2008-11-20 |
US8123979B2 (en) | 2012-02-28 |
CN101307227B (zh) | 2011-11-09 |
CN101307227A (zh) | 2008-11-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4318710B2 (ja) | ナノ結晶粒子蛍光体と被覆ナノ結晶粒子蛍光体、ならびに被覆ナノ結晶粒子蛍光体の製造方法 | |
JP4936338B2 (ja) | 半導体ナノ粒子蛍光体 | |
JP5158375B2 (ja) | 半導体ナノ粒子蛍光体 | |
JP5744468B2 (ja) | 半導体ナノ粒子蛍光体 | |
JP4761357B2 (ja) | 半導体粒子蛍光体およびその製造方法 | |
JP4896126B2 (ja) | 13族窒化物半導体粒子蛍光体およびその製造方法 | |
CN112375567B (zh) | 基于原位氨基硅烷和溴离子钝化制备铯铅溴钙钛矿量子点的方法 | |
JP4357544B2 (ja) | 13族窒化物蛍光体およびその製造方法 | |
JP4587390B2 (ja) | 半導体粒子蛍光体、およびその製造方法 | |
JPWO2007125812A1 (ja) | 無機ナノ粒子、その製造方法、及び無機ナノ粒子を結合させた生体物質標識剤 | |
US20110076483A1 (en) | Semiconductor phosphor nanoparticle including semiconductor crystal particle made of 13th family-15th family semiconductor | |
WO2014091855A1 (ja) | 樹脂組成物および該樹脂組成物を波長変換部に用いた発光装置 | |
Li et al. | Light-emitting boron nitride nanoparticles encapsulated in zeolite ZSM-5 | |
JP5263806B2 (ja) | 蛍光体およびその製造方法 | |
JP4502758B2 (ja) | 蛍光体およびその製造方法 | |
KR20170018153A (ko) | 단일 또는 다중 코어쉘 구조의 나이트라이드계 나노융합 구상체 | |
Chakraborty et al. | A Brief Review on Optical Properties of Boron Carbon Oxy-Nitride: A Phosphor for Future Era |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090501 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090526 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090701 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090728 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090804 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4357544 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130814 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |