JP4300388B2 - 基材冷却装置及び基材冷却方法 - Google Patents
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Description
本発明は、基材処理装置の中でウェハ状基材を冷却するための装置及び方法に関する。より詳細には、本発明は、処理装置のダイレクトパスにない位置での搬送により基材を冷却することに関する。
【0001】
(発明の背景)
半導体ウェハ又は他の基材は、非常に高い処理温度にさらされる。例えば、化学的気相成長法(CVD)においては、その温度は1200℃に達する。典型的なサイクルにおいて、ウェハは、ロボット化されたウェハハンドラにより室温下にあるカセットから反応チャンバに移送され、反応チャンバで高温処理され、その後ウェハハンドラにより高温の前記チャンバから処理後ウェハとして同じカセット又は別のカセットに返送される。高温のCVD処理に起因して、最も一般的に使用されるカセット材料の材料特性を超えるウェハ温度となるので、処理チャンバからカセットへの直接の移送は不可能である。その結果、ウェハのカセットへの移送は、ウェハ温度がカセット材料の温度特性以下に下がるまで引き延ばされなければならない。170℃のウェハを扱い得るカセットは入手可能であるが、それはかなり高価である。デルリン(商品名)で製造されたより安価に入手可能な一般的なカセットは、100℃より低い温度での扱いのみが可能である。他の一般的に入手可能なユニットは、約60℃での扱いが可能であるに過ぎない。したがって、ウェハの温度をそのレベルに急速に低下させることが望ましい。
【0002】
ウェハのハンドリング及び処理は、包囲され注意深くコントロールされた環境下において行なわれるので、サイクル中に、ウェハの冷却を生じさせるのは本質的に3つの位置又は地点に過ぎない。ウェハは、ウェハハンドリング装置において、又は装置内のオフラインのいずれかの地点において、処理チャンバ内でサセプタに支持されその上で冷却される。サセプタ上でのウェハの冷却は、処理チャンバがその後に他のウェハ処理を行なうことができず、システムのウェハ生産量を減少させるので、コスト効率がよくない。このアプローチは、チャンバを再加熱するための遅延とコストを不可避的に生じるので、あまり魅力的ではない。ウェハを熱い内に取り出してウェハハンドリング装置上で冷却する方がよいが、次に処理されるべきウェハをロードすることによる遅延が生産量を帳消しにするので、やはりコスト効率がよくない。そのような障害はウェハ1個当たりのコストを上昇させ、その結果、これらのアプローチはエンドユーザにとって経済的に魅力的でない。半導体ウェハの処理設備はコスト高であるので、生産量が増加するように、高価な設備の連続使用を可能にすることは、競争原理の観点からも極めて重要である。同時に、採用されるウェハ冷却技術は、厳格な清浄性への要求に不利な影響を与えないように、CVD処理装置の環境に適合するものでなければならない。また、その技術に要するコストは、ウェハ単位のコストの実質的な低減が行なわれるように、十分に抑制されたものでなければならない。
【0003】
したがって、本発明の目的は、一般的に入手可能な低コストのカセットの使用が可能な温度に迅速にウェハ状の基材を冷却するための改良された装置を提供することにある。
【0004】
(発明の概要)
本発明によれば、ウェハ入/出ストレージ領域とウェハ処理チャンバとの間に位置するウェハハンドリングチャンバ内において取替又は冷却ステーションが設けられる。冷却ステーションは、ウェハハンドリング装置が利用され得てウェハが冷却されている間において別のウェハをストレージ部から処理チャンバへと移送し、ウェハが処理されている間において冷却されたウェハをストレージ部へと移送するように位置している。
【0005】
装置及び方法の好適な実施形態において、処理されたウェハは、処理チャンバから高温で引き出され、ウェハハンドラによって冷却ステーション内に配置される。ここでウェハには、ウェハハンドリングチャンバ内で利用されるガスと適合性又は同一性を有するガスが噴射される。好適には、ガスは上部シャワーヘッドと下部シャワーヘッドとによってウェハの両側平面上に噴射される。このウェハが冷却されている間に、ウェハハンドラは、第2のウェハを処理チャンバ内に移送するように動作する。
【0006】
望ましくは、第2の冷却ステーションがウェハハンドリングチャンバにおける第1の冷却ステーションとは反対側に設けられ、第2のウェハはウェハストレージ領域から第2の冷却ステーションへと移動し得る。このように、第1のウェハが処理チャンバから第1の冷却ステーションへと移送されるとすぐに、ウェハハンドラは第2の冷却ステーションへと直接的に移動し、第2のウェハを処理チャンバ内へと移動させ得る。このような構成において、第2の冷却ステーションは、実際上ステージング領域としての役目を果たし、これにより、第2のウェハを処理チャンバ内に移動させるための時間は、ウェハハンドラが第2のウェハをウェハストレージ領域から処理チャンバへと移動させねばならないような場合よりも低減される。また、ウェハを各ステーションにおいて同時に冷却する必要がある場合には、ウェハは、ストレージ領域から処理チャンバへと直接的に移送され得る。
【0007】
本発明の好適な実施形態において、ウェハハンドラは、ウェハを処理チャンバ内へ移動させ処理チャンバ外に移動させるのに特に適したベルヌーイ棒を備え、さらに、ウェハを共通のウェハ用カセット内へ及びウェハ用カセット外に移動させるのに特に適したパドルを備える。ウェハの上部表面に接さず、移動するにつれ冷えることから、高温用の棒を用いることができれば有利である。さらに、標準のカセット内におけるウェハ間において適合できることから、ウェハをカセットと冷却ステーションとの間に移送するためのパドルを用いることが望ましい。
【0008】
冷却ステーションにおいてウェハの表面に対してガスを放出する装置の別の利点は、冷却ガスをウェハ上に到達させる速度によって、冷却速度を容易に制御し得ることである。従って、フローレートは全サイクル時間を最小化するように調整され得る。システム全体としては、ウェハ処理時間をかなり低減させ、従って、ウェハ毎のコストが低減される。さらに、この利点はCVD装置において必要とされるようなクリーンな環境に対して悪影響を与えることなく得ることができるものである。
【0009】
(好適な実施形態の詳細な説明)
図1及び図2を参照すれば、そこには、化学気相成長装置の一部が示され、ハンドリングチャンバ22内の中央部に配置された自動化又はロボット化ウェハハンドラ20が含まれている。チャンバ上部壁22aは、図2に図示されているが、前記チャンバ内の内部部品を図示するため、図1には示されていない。前記ハンドリングチャンバは、ロード/アンロードポート42によって、ロード/アンロードチャンバ120に接続される。図1は、分離したロードチャンバ及び分離したアンロードチャンバを図示している。多くのシステムは、単一のチャンバを使用し、そこからウェハが処理のために引き出され、処理後戻される。いずれも収納エリアとして言及され得る。ハンドリングチャンバ22は、更に、図1に示されるように、処理ポート44によって、前記ハンドリングチャンバの側壁22bを介して処理チャンバ122に接続される。ゲート又はバルブが、前記ロード/アンロードポート及び前記処理ポートのために設けられるのが一般的だが、これらは簡単のために図示しない。
【0010】
本発明によれば、処理チャンバ122近傍のウェハハンドリングチャンバ22の一部にウェハ冷却ステーション46が設けられる。更に、第2冷却ステーション48は、前記処理チャンバにつながる壁近傍のウェハハンドリングチャンバの他側面に配置される。各々の冷却ステーションは、一つのウェハを水平位置で受け取ることができる大きさとされ、前記ハンドリングチャンバの前記エリアに開口しており、そこでは、ウェハが前記ハンドラーによって前記冷却ステーションの内外へ移動可能となるようにウェハハンドラーが配設されている。
【0011】
各冷却ステーションは、図1及び図2に示すように、下部シャワーヘッド部材52の上方に離隔配置された上部シャワーヘッド部材50を有している。図3を参照すれば、前記上部シャワーヘッド部材は、ディスク状のベース53を有し、該ベースは中央に配置されたガスインレット54を備え、該ガスインレットがインレット導管55に接続され、順次、適宜のガス源(図示せず)に接続されている。ディスク状のシャワーヘッド56は、適宜の固定具(図示せず)で前記ベースに締め付け固定される。Oリング57は、前記ベースと前記ヘッドとの間に適合し、平らな環状のマニホールド空間を形成する。第2のOリング59は、ベルトリング周囲のこれらの部品の間に適応する。前記シャワーヘッドには複数のガスアウトレット孔が形成され、一つ孔58aはその中央に形成され、他の3つの孔58bは、前記中央の孔の周囲を囲むように放射状に等間隔で形成されている。
【0012】
図4を参照すれば、下部シャワーヘッド部材52は、前記上部シャワーヘッド部材と同様な構造を有していることが示されている。これは、下部シャワーヘッドベース60を備えており、該ベース60は中央にガスインレット62が配置され、該ガスインレットが導管64に接続され、該導管が前記上部シャワーヘッド部材と同じガス源(図示せず)に接続されている。ディスク状の下部シャワーヘッド66は、適宜の固定具(図示せず)によって前記下部シャワーヘッドベースに締め付け固定されており、前記下部シャワーヘッドベースとシャワーヘッドとの間に形成された平らなディスク状のガスマニホールドをシールするために、その2つの部材の間にOリングが挟持されている。前記ハンドリングチャンバに開口している3つのガスアウトレット孔70は、前記下部シャワーヘッドベースのガスインレット62から放射状且つ円環状に等間隔で配置された下部シャワーヘッドに形成されている。孔の輪は、孔70が孔58bから放射状のオフセット配置となるように上部シャワーヘッド部材50のための直径より小さい直径上にある。また、これら2つの部材の孔70及び58bは、これらの孔が約60度間隔となるように、円環状にオフセット配置される。
【0013】
加えて、図4及び図1、図2に示されているように、前記冷却ステーション内に設置されるウェハ68を支持するために、3本の石英ピン74が設けられる。各ピンは、略筒状ベース74aを有し、該ベースは下段棚22c内のソケットに適合し、該下段棚と係合する大径の筒状部74b及び上部先端部74cとともに冷却ステーションフロアを形成する。前記先端部は、好ましくは、ウェハと最小の接触を得るように丸み形状又は半円球状を有している。前記棚は、前記ハンドラー20のウェハ持ち上げ部材が前記冷却ステーションと適切に一直線状に並ぶように、前記ハンドリングチャンバの底壁22dから上方へ離隔配置されている。
【0014】
また、前記冷却ステーションコントロールシステムの一部として図1に示されているように、センサー76が前記ハンドリングチャンバのフロア22dに載置される。該センサーは、前記冷却ステーション内のウェハの存在又は不在を感知できるように、前記冷却ステーション内のウェハ68の端が該センサー上を延びる範囲の下方に配置される。
【0015】
図5は、この冷却ステーションを示しており、上部シャワーヘッド部材50は、前記ハンドリングチャンバの上部壁22a近傍に配置され、下部シャワーヘッド部材52が棚22cに支持されていることが分かる。ウェハ68は、ウェハを支持するピン74上において、2つのシャワーヘッド部材の間に配設されている。図から分かるように、2つのシャワーヘッド部材は、センサー76上に延びないように且つハンドラー20の回転を妨げないように、ウェハよりも小さい直径とされる。矢印によって示されているように、冷却ガスは、ウェハの上面に向けて下方に吹き出されるとともに、ウェハの下面に向けて上方へ吹き出される。
【0016】
図6a、6b及び6cを参照すれば、ウェハハンドラ20の一形態が概略的に図示されている。種々のシステムが、半導体処理システムの分野でハンドリングウェハのために知られている。ピックアップ装置の一形態は、ベルヌーイ棒(ベルヌーイワンド)として公知であり、それは、ベルヌーイ棒からウェハへ向けて下方へのガス噴射を用い、そのガスは、ウェハとベルヌーイ棒との間に低圧の領域を生み出すために径方向外側へ流れ、それによってウェハを持ち上げる。このベルヌーイ棒は、おそらく1または2以上の小さいエッジロケータを除き、ウェハとの接触を避けるという利点を有する。ベルヌーイ棒の1形態は、ここに参照したグッドウイン等の米国特許第5080549号明細書に示されている。
【0017】
ウェハピックアップ棒の他の形態は、吸引力を利用したもので、ウェハとの密接な接触がなければならない。コレンティ等による米国特許第4566726号明細書は、ベルヌーイと吸引ピックアップ装置との結合を開示している。
【0018】
ウェハピックアップ装置の第3の形態は、簡単なパドルであり、これは、ウェハを下方から持ち上げ、支持する。このようなパドルは、メイドン等による米国特許第4951601号明細書に図示されている。この特許もまた、ウェハを処理システム内で搬送するための典型的な移動装置を図示している。前記ウェハハンドラーは、線形伸縮及び一軸線回りの回転が可能である。
【0019】
ローレンツ等による米国特許第5135349号明細書は、共通の回転ベース上に載置された2つのパドル型ピックアップを用いた自動ハンドリングシステムを開示している。双方のピックアップは、処理システム内におけるウェハのハンドリング速度を上げるために互いから離れるように直線状に延びるように調節されている。これらのパドルは、各パドルのエンドエフェクタ部に形成された複数の孔を介して発生された減圧で増強される。前記減圧は、前記パドル内の溝に沿って伝えられる。
【0020】
これら種々のウェハハンドリング装置のいくつかは、本発明における冷却ステーションコンセプトによって修正することができ、即ち使用に適合したものとすることができるが、図6a、6b及び6cは、ベルヌーイ棒及びパドルの双方を提供する望ましいハンドラを開示している。そのような配置の完全な説明は、1997年1月16日に出願された米国特許第08/784711号明細書に開示されており、参考とすることでここに組み入れられている。図は、ウェハハンドリングアッセンブリ20におけるピックアップアーム24,26の典型的な一連の動きを示している。上述したように、ハンドリングチャンバは、一方端でロード/アンロードチャンバ120に、他方端で処理チャンバ122に取り付けられている。ハンドリングチャンバの両側におけるポート42,44は、負荷及び除荷処理チャンバ120,122における同サイズのポートにそれぞれ位置合わせされている。カートリッジ即ちカセット124は、ロード/アンロードチャンバ120内に配置され、特定のウェハをポート42に位置合わせすることができるように垂直方向に調整可能とされている。制御コンピュータ(図示せず)は、ピックアップアーム24,26がガイドウェイ36に沿って移動するように、モータ及びプーリ(図示せず)に指令を与える。
【0021】
図6aに示されるように、最初の動作において、ピックアップアーム26は、矢示126で示されるように、左方向のチャンバ120に向けて移動する。パドル39は、ポート42を通過してカセット124におけるウェハの下に延びる。既に述べたように、カセットは垂直に移動可能となっており、或いは、パドル39はウェハの下にそれと接触することなく延びるように独立して垂直に移動可能となっており、その結果、ウェハをカセットからリフトする相対的垂直動作を受ける。
【0022】
図6bにおいて、矢示128は、ワンド30の真下にウェハ68を配置するような位置へのピックアップアーム126の動きを示している。その後、エクステンションホース72を経てワンドへのガス流れが生じ、パドル39からワンド30へのウェハ68の移動が可能になる。
【0023】
ウェハ68がベルヌーイ棒30によりリフトされた後、図6cに矢示130で示されるように、ピックアップアーム24はチャンバ122に向けて右側に移動し、ワンド30及びウェハ68が処理チャンバ122に挿入される。示された配置では、処理チャンバ122はCVDに適しており、ウェハ68が載置される回転可能なサセプタ132を有している。エクステンションホース72及びベルヌーイ棒30を通過するガス流れを止めることにより、ウェハ68はサセプタ132上に落下する。
【0024】
パドル及びベルヌーイ棒を利用する有利な点は、パドルが、標準のカセットにおけるウェハ間に適合してウェハをその中に移動又は挿入するために、十分薄い側面を有しているということである。ベルヌーイ棒は、パドルよりもいくらか厚く、通常は特別に設計されたカセットを必要とし、それが装置の費用に加算される。しかし、ベルヌーイ棒は、高温に容易に耐えることができ、ウェハの位置決め、配置に役立つ1以上のつめの近傍における一方の縁部に沿う以外はウェハに物理的に接触しないので、処理チャンバにウェハを出し入れするのに特に適切である。
【0025】
ウェハハンドラの上記内容は、ウェハストレージエリアと処理チャンバとの間における単に直線的な動作を示すものである。しかし、適当なモータ及び駆動装置(図示せず)により、ウェハハンドラの全体を垂直軸に関していずれの方向にも回転させることができ、直線動作と共に回転を与える。直線駆動装置の詳細は、前で参照した係属中の特許出願に開示されている。また、回転装置に関する詳細は、直線のものに関する更なる詳細と共に、カリフォルニアのメンロパーク(Menlo Park)におけるサイベックシステムズインコーポレイテッド(Cybeq Systems Inc.)から利用可能である。他の適当な駆動配置は、この特有の技術における当業者にとって明らかであり、上述の特許に記載されている。
【0026】
回転するウェハハンドラと共に、ピックアップアーム24,26は、ガイドウェイ36において同じ伸縮方向に移動するように取り付けられている。そのような選択的な配置は、図9a、9b及び9cに示されている。図9aにおいては、パドルピックアップアーム26が、図6aのようにウェハを持ち上げるために左へ移動した様子が示されている。しかし、アーム24は、図9a及び9bにおいて、ハンドラの右側に位置するキャリア34と共に示されている。図9bにおいて、ウェハを移動可能にするため、パドル39及びウェハ68がワンド30の下となるように、アーム26が縮む。そして、ハンドラが処理チャンバに位置合わせされるように回転可能となる。図9cは、キャリア41を越えて移動するキャリア34と共に回転させられるハンドラ、及び、ウェハを処理チャンバに供給するアーム24を示している。
【0027】
ベルヌーイ棒がウェハを、それがまだ高温であっても処理チャンバから持ち上げて運ぶことができるので、上述したウェハハンドラ20は、本発明の冷却ステーションに特に有益である。しかし、ウェハは、ロード/アンロードチャンバ120に直接移動させるには、あまりに高温である。その代わりに、ウェハハンドラは短い距離を回転させられて、ベルヌーイ棒が冷却ステーションの一つに位置合わせされる。そしてベルヌーイ棒は延びて、高温のウェハを冷却ステーション46におけるピン74の上に配置する。
【0028】
第1のウェハが冷却されている間、第2のウェハを処理チャンバに配置することが可能である。この第2のウェハは、パドルによってカセット124から取り出し可能であり、ベルヌーイ棒に移送されるか、或いは、第2のウェハは、第1のウェハが処理される間、第2の冷却ステーション48に位置させることが可能である。その場合、ワンドを第2の冷却ステーション48に位置合わせして第2のウェハを取り出すために、ハンドラを、第1の冷却ステーション46から短い距離(約100゜)だけ回転させなければならないだけであり、その後、第2のウェハを処理チャンバに挿入可能となる位置に(約50゜)逆回転させる。その状況における第2の冷却ステーション48はステージングエリア(staging area)としての役目を果たす。第2のウェハが処理チャンバに配置された後、第1のウェハは第1の冷却ステーションから移動させてストレージエリア120に戻すことができ、その時までには十分に冷却されたとみなされる。処理済みのウェハをストレージエリアに配置したすぐ後に、第3のウェハをカセット124から取り出して冷却/ステージングステーションの1つに移動させることができ、処理チャンバに配置される順番を待つ。前述から、ウェハの取り扱いに大きな自由度が与えられていることを正しく認識することができ、本装置により用いられる処理の温度及び回数、並びに、ウェハを標準のカセットに戻す前に特定のウェハを所望の温度まで冷却するのに要する時間に適合するように、ウェハを種々のシーケンスで移動させることができる。
【0029】
本発明の最初の実験的利用から得られる冷却のより正しい理解を得るため、図7及び図8を参照する。図7のグラフの上側のラインは、チャンバを通過するわずかなパージガス流れ以外にウェハ表面を覆う強制的なガス流れを生じさせることなく、単に対流によって冷却したウェハの従来技術に係る冷却曲線を示している。 示されるように、最初600℃をわずかに越えるウェハは、約12、13秒後に400℃の温度まで冷却される。しかし、最初のスタート時点から約80秒まで温度は200℃に降下しない。更に、略120秒後でさえ、温度はまだ約160℃であり、この温度では依然として高価なカセットを使用する必要がある。
【0030】
図7の下側のカーブは、高温のウェハをリフトしてハンドリングチャンバに移動させるためにベルヌーイ棒が利用され、ベルヌーイ棒からのガス流れによりウェハが冷却された状況を示している。これは、ベルヌーイ棒によりウェハをハンドリングするための従来の先行技術である。示されるように、約12秒後に温度は約300℃まで急激に低下しており、感知できる程度のガス流れなしに単に対流によって冷却されるウェハよりもはるかに速い。更に、約20秒後に温度は200℃まで低下し、40秒後に100℃まで低下する。そして、所望の約60℃以下となるのに更に約60秒を要し、この温度で、普通に利用できる比較的低コストのカセットに受け入れられる。 ウェハがベルヌーイ棒で冷却される間は、それも処理チャンバも別のウェハに利用することができないのはもちろんである。更に、いくらかのハンドリング時間を削減するためにウェハをワンドからパドルに移動させることができるとしても、その結果、ベルヌーイ棒により放出される冷却ガスをもはや受けることができず、より多くの時間が必要になる。
【0031】
前述のものとは対照的に、本発明に係る冷却ステーションから得られる大幅に改善された状態が図8に示されている。図には、ベルヌーイ棒を使用することにより900℃付近の温度のチャンバから熱いウェハが移動している状態が示されている。ベルヌーイ棒がハンドリングチャンバに引き込まれ、棒を冷却ステーションに位置合わせするためにウェハハンドラが回転し、冷却ステーション内の熱いウェハの位置へ棒が延長する時間までに、温度は約400℃まで下降する。これには、図示された例ではおおよそ9秒要し、この時までにウェハの温度は900℃から400℃に下降し、図7における棒のガス冷却とは相反している。図8のグラフに示された上記の点から連続する上側の線は、図7に関して前述されたように、ウェハがベルヌーイ棒に単に放置された場合の冷却を示す。図8の下側の曲線は冷却ステーション内に配置されたウェハの温度の低下を示す。図示されたように、冷却ステーション内では3秒程度で200℃から100℃までウェハの温度が減少する。更に、それから5秒或いは8秒で約100℃以下に温度は低下し、これは処理チャンバ内のベルヌーイ棒によりウェハが配置された時から17秒或いは18秒程度である。更に、最初から約24秒後に60℃レベルまでウェハの温度は下降する。これは、最初から100秒以上経過後もベルヌーイ棒に維持されそのレベルまで下降せず、パドル上に存在しさえすればもはや下降しない温度とは対照的である。故に、ウェハが低コストのカセット上に配置される前に充分にウェハを冷却するのに要する時間が、劇的に減少したことを理解することができる。
【0032】
更に、上述のように、ウェハハンドラは、冷却ステーションの中に第一のウェハが配置されるのと同時に第二のウェハをチャンバの中に配置できるようになる。これは図8に示された例では、処理チャンバ内にウェハが移動された時より約9秒後である。仮に第一のウェハが処理されている間に、ステージング領域として第二の冷却ステーションの中に第二のウェハが配置されれば、処理チャンバ内で第二のウェハを移動し配置するようにベルヌーイ棒を放置しておくために、ウェハハンドラは第二の冷却ステーションと位置あわせされるために回転するだけでよい。第一のウェハが充分に冷却された後、パドルが冷却された水を排出するために冷却ステーションと位置合わせされるように、ウェハハンドラは回転されることができる。その後、パドル26がカセットと位置あわせされ、パドルがカセット内に冷却されたウェハを配置するのに利用される為に、ウェハハンドラは回転され得る。
【0033】
熱いウェハをピックアップし、それを冷却ステーションに移動し、第二のウェハをステージングステーションからピックアップしそれを処理チャンバ内に配置し、棒を引き込み、処理チャンバゲートを閉じる時間は約33秒である。従来のシステムでそのシーケンスに必要とされていた時間は、冷却時間を含めないで前記の約2倍である。更に、従来のシステムにおいてはウェハを冷却し低コストのカセットに配置できるための時間は更に約45秒要する。
【0034】
冷却ステーションの構成及び作用に関するより詳細な部分は、本発明のより良い理解及び認識の助けとなる。システムの実施形態では、シャワーヘッド上部の中心穴58aの直径は約0.016インチであり、その周りの3つの穴の直径はそれぞれ約0.026インチである。シャワーヘッド下部の3つの穴70の直径は約0.028インチである。これらの穴は、それぞれのシャワーヘッドから20psiの圧力で窒素を毎分約20リットルを流量で供給するために設計されている。故に、ウェハの上面及び底面に毎分約20リットルの流量でガスが供給される。
【0035】
中心より外側に向かって配置されたシャワーヘッド内の排出穴は、約120度間隔を置いている。好ましくは、あるシャワーヘッドの排出口は他の排出口に関してずらして配置されているので、全体として、約60度毎にガスの排出が行われる。上部の穴は、下部リングより大きな直径を備えるリング状に存在する。故に、前記穴も放射状に間隔を置かれている。該配置により、より均一なガス流を提供する。
【0036】
使用される冷却ガスは、好都合にベルヌーイ棒に利用されるガスと同一であり、典型的には窒素或いは水素である。故に、前記ガスは同一の発生源から発生する。更に、ウェハを超えてガス流れを冷却した後に、単に前記ガスはハンドリングチャンバに流れ、ベルヌーイ棒を利用するハンドリングチャンバ結合物内で通常使用されるものと同一のシステムによりハンドリングチャンバから引き込められる。
【0037】
有利であるのは、冷却時間は単にガス流量率により制御されることである。本目的は、前述されたように、ロボットパドルがウェハをピックアップし、ストレージ領域内の低コストカセットに移動する前に約60℃以下のウェハの温度を得ることである。個々のシャワーヘッドより毎分20リットルの流量で8インチのウェハを冷却するのに要する時間は、実験システムでは約20秒であった。両方のシャワーヘッドより毎分約40リットルと流量を二倍にすることにより約12秒まで冷却時間を低下させた。上部シャワーヘッドのみを通して冷却ガスを流すことにより、約35秒でウェハを所望のレベルに冷却した。
【0038】
3つの支持ピンの上端により確定される平面と、上部のシャワーヘッドとの間の距離は、棒がパドルよりもわずかに厚いため、前記平面と下部ヘッドの間の距離よりわずかに大きいものとされることができる。もちろん、所定の状況に適応させるために、間隔及びガス流れは変化され得る。ある実施形態では、前記シャワーヘッドの間の間隔は約1.125インチであり、ウェハから下部シャワーヘッドまでの間隔は約0.2インチ程度である。
【0039】
前記記載に基づき、本発明にかかる基材冷却システムは、第1の基材が冷却されている間にも第2の基材と併せて処理チャンバを利用できるように配置することができるという主目的を備えているので、種々の基材ハンドリングシステムを特定の過程サイクルに適応させるように変化させることができるという卓越した柔軟性を備える。ウェハハンドラの特定の型について記載してきたが、種々のウェハハンドラを利用することができる。同様に、特定の冷却ステーションについて記載してきたが、他の種々の冷却ステーションを利用することができる。ガスはウェハを冷却するために利用されるが、おそらく他の冷却機構も利用可能である。本発明は単一の冷却ステーションについて有用であるが、2つの冷却ステーションも付加的な柔軟性を提供し、そして所望の付加冷却ステーションを提供することも可能である。単一の処理チャンバについて記載及び図示をしてきたが、ウェハハンドラの周囲に集められ得る付加処理チャンバ内で、いわゆるクラスタシステムを利用することも可能である。本発明の構成には、少なくとも2つの付加チャンバを提供することができる。本発明のほかの実施形態も考慮されることが可能であるので、本発明の適用範囲は記載のものに限定されないことが意図されている。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は、ウェハハンドラステーション及びCVD装置の近傍部を示す斜視図である。
【図2】 図2は、ウェハハンドリングチャンバ及びウェハ入出チャンバの断面図である。
【図3】 図3は、本発明の冷却ステーションの上部シャワーヘッドを示す分解斜視図である。
【図4】 図4は、本発明の冷却ステーションの上部シャワーヘッドを示す分解斜視図である。
【図5】 図5は、本発明の冷却ステーションの作動状態を示す断面図である。
【図6】 図6a、6b及び6cは、本発明の冷却ステーションに使用され得るウェハハンドラーの一形態を示す断面図である。
【図7】 図7は、従来の冷却により、冷却用ガスを用いるピックアップ棒(ピックアップワンド)によって支持されている間における冷却によって、ウェハが冷却された時の割合を示すグラフである。
【図8】 図8は、本発明の冷却ステーションにおける冷却に比較して従来のピックアップ棒上でのウェハの冷却時間を示すグラフである。
【図9】 図9a、9b及び9cは、図6のウェハハンドラーの種々の形態を示す側断面図である。
Claims (7)
- 高温処理後に基材を冷却する装置であって、
基材ハンドリングチャンバを有し、該チャンバは、基材がストレージ領域へ搬入され該ストレージ領域から該ハンドリングチャンバへ移動され得るポートと、前記基材が前記ハンドリングチャンバから高温処理チャンバ内へ移動され又は該高温処理チャンバ外へ移動され得るポートとを有し、
前記ハンドリングチャンバ内で基材を前記ストレージ領域へ搬入し該ストレージ領域から前記処理チャンバ内へ移送し該処理チャンバの外へ移送するための自動基材ハンドラと、
処理された基材が前記ハンドラにより移動され得、これにより前記ストレージ領域に戻される前に冷却される、前記ハンドリングチャンバ内に設けられた冷却ステーションであって、前記ハンドリングチャンバのセクションに前記ハンドラの移動経路から外れて位置し、第1の基材が前記冷却ステーション内で冷却される間に第2の基材を前記ハンドラによって前記ストレージ領域から引き出し、前記処理チャンバ内に配置させることを可能にする冷却ステーションとを有し、
前記冷却ステーションは互いに間隔を開けて設けられた上部及び下部ガスシャワーヘッドを有しており、該シャワーヘッド間に該シャワーヘッドと間隔をおいて基材を支持する支持体を備え、冷却ガスが前記シャワーヘッドにおける開口を通って基材の上面及び下面に到達し該基材を冷却し得るように前記シャワーヘッドのそれぞれが冷却ガス源に接続されるように構成されている
装置。 - 基材が第2の冷却ステーション内に存在する間に、ウェハハンドラが基材を移動させることを可能にするように、前記ハンドラによってアクセス可能であり、前記ハンドラの移動経路から外れて位置する第2の冷却ステーションを前記ハンドリングチャンバ内に備えている請求項1に記載の装置。
- 前記冷却ステーションは、前記処理チャンバに通じるポートの両側に1つずつ位置している請求項2に記載の装置。
- 前記冷却ステーションは、約100°離れて位置し、ウェハハンドラは、該冷却ステーションの1つと位置合わせするために前記処理チャンバのポートから約50°回転すればよいようにされている請求項3に記載の装置。
- ウェハハンドラは、ウェハを前記ストレージ領域から引き出すパドルを有し、基材を前記パドルから持ち上げるベルヌーイ棒を有し、該棒は、基材が前記パドルから前記ベルヌーイ棒へと或いは前記ベルヌーイ棒から前記パドルへと移送され得るように移動可能に構成されており、前記パドルは、共通して利用可能なカセットにストアされた基材間に適合し得る寸法とされており、
前記処理チャンバのポート及び前記冷却ステーションは、前記ベルヌーイ棒によって基材が前記処理チャンバ内へ及び該処理チャンバの外に移動され得るように且つ前記冷却ステーション内へ及び該冷却ステーションの外に移動され得るように構成されている請求項1に記載の装置。 - 前記第2の冷却ステーションが、
互いに間隔をおいて互いに向き合うように設けられ、ヘッドから噴射された流体が互いに対する方向に噴射される第1及び第2のシャワーヘッドと、
前記シャワーヘッド間に前記基材を支持し、前記シャワーヘッドからの流体を前記基材の両側平面上に噴射させるように構成された支持体と
を備える請求項2に記載の装置。 - 高温処理に供される基材を冷却する方法であって、
基材を高温処理チャンバ内に及び高温処理チャンバの外に移送することが可能な基材ハンドラを提供する工程と、
熱せられた基材を前記処理チャンバから前記基材ハンドラを用いて引き出し、該熱せられた基材を該ハンドラに対して開かれた冷却ステーションへと移送する工程と、
対向する2つのシャワーヘッドの間において、前記熱せられた基材を支持体上に位置させる工程と、
前記シャワーヘッドから冷却材を前記基材の両側の面に噴射する工程と、
前記基材を冷却ステーションにおいて冷却する間に、前記ハンドラを用いて第2の基材を前記処理チャンバ内に挿入する工程と
を包含する方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US5226397P | 1997-07-11 | 1997-07-11 | |
US60/052,263 | 1997-07-11 | ||
PCT/US1998/014297 WO1999003138A1 (en) | 1997-07-11 | 1998-07-09 | Substrate cooling system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001510279A JP2001510279A (ja) | 2001-07-31 |
JP4300388B2 true JP4300388B2 (ja) | 2009-07-22 |
Family
ID=21976454
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000502530A Expired - Lifetime JP4300388B2 (ja) | 1997-07-11 | 1998-07-09 | 基材冷却装置及び基材冷却方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6073366A (ja) |
JP (1) | JP4300388B2 (ja) |
WO (1) | WO1999003138A1 (ja) |
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1998
- 1998-07-06 US US09/110,544 patent/US6073366A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-07-09 WO PCT/US1998/014297 patent/WO1999003138A1/en active Application Filing
- 1998-07-09 JP JP2000502530A patent/JP4300388B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-05-30 US US09/583,059 patent/US6408537B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-04-24 US US10/131,999 patent/US6578287B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20020112368A1 (en) | 2002-08-22 |
US6408537B1 (en) | 2002-06-25 |
US6578287B2 (en) | 2003-06-17 |
WO1999003138A1 (en) | 1999-01-21 |
JP2001510279A (ja) | 2001-07-31 |
US6073366A (en) | 2000-06-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050601 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071128 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080228 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080306 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080528 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080819 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080826 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081021 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090318 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090407 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120501 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120501 Year of fee payment: 3 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120501 Year of fee payment: 3 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D04 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130501 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
EXPY | Cancellation because of completion of term |