JP4299213B2 - 歪み発生回路および歪み補償装置 - Google Patents

歪み発生回路および歪み補償装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4299213B2
JP4299213B2 JP2004258898A JP2004258898A JP4299213B2 JP 4299213 B2 JP4299213 B2 JP 4299213B2 JP 2004258898 A JP2004258898 A JP 2004258898A JP 2004258898 A JP2004258898 A JP 2004258898A JP 4299213 B2 JP4299213 B2 JP 4299213B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
distortion
signal
phase
circuit
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004258898A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006074699A (ja
Inventor
弘志 丸山
隆司 岩崎
二良 小川
秀規 鈴江
幸夫 池田
和久 山内
一二三 能登
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SPC Electronics Corp
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
SPC Electronics Corp
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SPC Electronics Corp, Mitsubishi Electric Corp filed Critical SPC Electronics Corp
Priority to JP2004258898A priority Critical patent/JP4299213B2/ja
Publication of JP2006074699A publication Critical patent/JP2006074699A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4299213B2 publication Critical patent/JP4299213B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)
  • Waveguide Connection Structure (AREA)

Description

本発明は、歪みを発生させる電子回路の前段に設けられる歪み補償装置およびその構成回路に関する。
入力信号に対して出力信号の波形が非線形に歪むと、例えばデータ化け、映像歪み等の障害が発生する場合がある。このことから、歪み成分を抽出して元の波形に戻すための、歪み補償装置が従来より用いられている。歪み補償装置については、例えば技術文献IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest,WE5A-5,pp537-540,June 2004,「High efficiency Feed-forward amplifier RF linearizer and the modified Doherty amplifier」に記載されているものが知られている。この技術文献に記載されている歪み補償装置の構成例を図8に示す。
図8に示される歪み補償装置100では、入力端子11に入力された信号が、方向性結合器13により2経路に分岐される。一方の経路(例えば図上段の経路:これを第1経路とする)に分岐された信号は、第1遅延線路14を経て、第1合成部19に導かれる。
他方の経路(図下段:これを第2経路とする)に分岐された信号は、例えば可変減衰器と可変移相器により構成される第1ベクトル調整器101に入力された後、方向性結合器103でさらに2経路に分岐される。
一方の経路(第3経路とする)に分岐された信号は、第2ベクトル調整器104に入力され、さらに、その後段の歪み発生増幅器105に入力され、ここで増幅された後、第2合成部107に導かれる。方向性結合器103で他方の経路(これを第4経路とする)に分岐された信号は、第2遅延線路106で遅延された後、第2合成部107に導かれ、この第2合成部107において、第3経路を伝送した信号と合成される。
第2遅延線路106は、第2合成部107にそれぞれ入力される、第3経路と第4経路とを伝送した両信号の遅延量が等しくなるように、第4経路を伝送する信号を遅延させるものである。遅延量は、第2ベクトル調整器104の遅延量と歪み発生増幅器105の遅延量との和となる。第2ベクトル調整器104は、第2合成部107で合成される両信号の振幅が等しく、位相がちょうど反転するように、第3経路を伝送する信号の振幅および位相をベクトル調整するものである。この第2ベクトル調整器104で、両信号の振幅が等しく、位相がちょうど反転するように調整すれば、歪み発生増幅器105の歪み成分のみが第2合成部107の出力信号となり、これが第1合成部19に導かれる。
第1合成部19は、第1遅延線路14で遅延された第1経路の信号と、第2合成部107から出力された信号とを合成し、この合成信号を出力端子20から外部に出力する。第1遅延線路14における第1経路の信号の遅延量は、第1合成部19に入力される両信号の位相を同じにするための遅延量である。
第1合成部19から出力される信号の信号成分と歪み成分の振幅比および位相差は、第1ベクトル調整器101の振幅及び位相を調整することによって、所定の値に設定することができる。
このような歪み補償装置100は、例えば通信機器における高出力増幅器の前段に設けられる。そして、歪み補償装置100の出力端子20から出力され、高出力増幅器に入力される入力信号の歪み成分が、当該高出力増幅器の歪み成分とその振幅が等しく、且つ、位相がちょうど反転するように、第1ベクトル調整器101の振幅および位相を設定することによって、高出力増幅器の歪み成分を補償している。
従来の歪み補償装置100では、第3経路に設けられる歪み発生増幅器105で発生する歪み成分よりも大きな歪み成分を発生させることができない。そのため、その後段の高出力増幅器で生じる歪みが相対的に大きい場合、その歪み成分を充分補償することができない場合がある。また、歪み補償装置100の構成を、よりコンパクト化させたいという要請もある。
本発明は、このような背景のもとに創案されたもので、上述したような従来の歪み発生増幅器よりも大きな歪み成分を簡易な構成により発生させることができる歪み補償装置及びその構成部品(回路)を提供することを、その課題とする。
本発明は、上記の課題を解決することができる歪み補償装置に含まれる特徴的な歪み発生回路を提供する。
この歪み発生回路は、入力された高周波信号を複数の経路に分配する分配回路と、各経路を伝送する分配信号に歪み成分を発生させる歪み発生手段と、各経路において歪み成分が重畳された信号の位相を調整する位相調整手段と、位相が調整された各経路の信号を合成する合成回路とを備えており、最大で経路数倍の歪み成分を前記高周波信号に重畳できるように構成されているものである。
前記分配回路は、前記高周波信号を、例えば、第1経路および第2経路に分配する。このように2分配する構成を採用する場合、前記歪み発生手段は、前記第1経路を伝送する分配信号の歪み成分を発生させる第1歪み発生器と、前記第2経路を伝送する分配信号の歪み成分を発生させる第2歪み発生器とを含んで構成する。また、前記位相調整手段は、前記第1経路と前記第2経路の少なくとも一方に設けられた移相器であって、この移相器により、前記合成回路に入力される前記第1歪み発生器の出力信号と前記第2歪み発生器の出力信号の位相差を、両出力信号の歪み成分を増加させるように調整するように構成する。この場合、移相器は、1つのみであっても良いが、経路毎に設けても良い。後者の構成を採用する歪み発生回路は、例えば、前記第1経路に設けられた第1移相器と、前記第2経路に設けられた第2移相器とから成る。前記第1移相器は、前記第1経路を伝送する信号の位相を進めるものであり、前記第2移相器は、前記第2経路を伝送する信号の位相を遅らせるものとする。より具体的には、前記第1移相器は、前記第1経路を伝送する信号を例えば、略90度進め、前記第2移相器は、前記第2経路を伝送する信号を例えば略90度遅らせ、これにより、前記合成回路に入力された時点の前記第1経路を伝送する信号と前記第2経路を伝送する信号との位相差を略180度に近づけるようにする。
前記第1歪み発生器は、例えば、信号の伝送線路に直列に挿入接続された単向性素子を具備し、前記第2歪み発生器は、例えば、信号の伝送線路に並列に挿入接続された単向性素子を具備し、それぞれ、単向性素子に発生した歪み成分を当該信号に重畳させるように構成される。
前記合成回路は、例えば、前記第1歪み発生器の出力信号に含まれる歪み成分と前記第2歪み発生器の出力信号に含まれる歪み成分とを同相で合成する回路を含むようにする。
あるいは、前記合成回路は、前記第1歪み発生器の出力信号に含まれる歪み成分と前記第2歪み発生器の出力信号に含まれる歪み成分とを同相で合成すると共に、前記第1歪み発生器の出力信号に含まれる信号成分と前記第2歪み発生器の出力信号に含まれる信号成分とを逆相で合成する第1回路と、前記第1歪み発生器の出力信号に含まれる歪み成分と前記第2歪み発生器の出力信号に含まれる歪み成分とを逆相で合成すると共に、前記第1歪み発生器の出力信号に含まれる信号成分と前記第2歪み発生器の出力信号に含まれる信号成分とを同相で合成する第2回路とを有するハイブリッド型の合成回路とする。
上記の課題を解決する本発明の歪み補償装置は、歪みを発生させる電子回路の前段に設けられる歪み補償装置であって、高周波信号を入力する入力端子と、この入力端子に入力された遅延前の高周波信号の信号成分を遅延させる遅延手段と、前記入力された高周波信号を分岐抽出するとともに、分岐抽出された高周波信号の振幅及び位相を調整する調整手段と、この調整手段でその振幅及び位相が調整された高周波信号に対して歪み成分を発生させる歪み発生回路と、この歪み発生回路の出力信号と前記遅延手段により遅延された高周波信号とを合成する信号合成回路と、この信号合成回路の出力信号を前記電子回路に出力する出力端子とを有しており、前記遅延手段は、前記歪み発生回路の出力信号と同じタイミングで前記信号合成回路に入力されるように前記入力された高周波信号を遅延させるものであり、前記歪み発生回路は、請求項1乃至7のいずれかに記載された歪み発生回路であり、前記調整手段は、前記信号合成回路から前記電子回路に出力される出力信号の歪み成分が当該電子回路の歪み成分と振幅が等しく、位相が反転するように、前記分岐抽出された高周波信号の振幅及び位相を調整するものである。
本発明の他の歪み補償装置は、歪みを発生させる電子回路の前段に設けられる歪み補償装置であって、高周波信号を入力する入力端子と、入力された高周波信号に歪みを発生させる請求項7記載の歪み発生回路と、この歪み発生回路の前記第1回路から出力される第1信号の位相を調整するための第1の調整手段と、前記歪み発生回路の前記第2回路から出力される第2信号の位相を調整するための第2の調整手段と、前記第1の調整手段によりその位相が調整された第1信号と前記第2の調整手段によりその位相が調整された第2信号とを合成する信号合成回路とを備え、前記第1の調整手段及び前記第2の調整手段の一方は、前記信号合成回路で合成され、前記電子回路に出力される信号の歪み成分が当該電子回路において発生する歪み成分と逆相となるように位相調整するように構成されているものである。
本発明によれば、従来よりも大きな歪み成分を簡易な構成により発生させることができる歪み補償装置およびその構成回路を提供することができる。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。
<歪み補償装置>
まず、図1を参照して、本発明が適用される歪み補償装置の全体構成例を説明する。
本発明が適用される歪み補償装置1は、入力端子11に入力された信号が、方向性結合器13で2分配される。一方の経路に分配された信号は、遅延線路14を介して、信号合成回路の一例となる合成部19に入力される。方向性結合器13で他方の経路に分配された信号は、ベクトル調整器15に入力された後、端子16を介して歪み発生回路17に入力される。この歪み発生回路17の出力信号は、端子18を介して合成部19に入力され、この合成部19で、遅延線路14を伝送してきた信号と合成されて、出力端子20から後段の電子回路に出力される。合成部19には、方向性結合器あるいはサーキュレータを用いることができる。
遅延線路14による、方向性結合器13から分配された一方の線路の信号に与える遅延量(時間)は、他方の線路に分配されてベクトル調整器15および歪み発生回路17を通過する信号の伝送時間分の遅延量である。この遅延線路14により、2つの経路を伝送してきて合成部19に入力される両信号の入力タイミングが同じになる。
<歪み発生回路>
歪み発生回路17は、例えば、図2のように構成される。すなわち、歪み発生回路17は、高周波信号を入力する入力端子16、分配回路の一例となる電力分配器51、第1移相器52、第1歪み発生器53、第2移相器54、第2歪み発生器55、合成回路の一例となる電力合成器56、及び、出力端子18を含む。電力分配器51および電力合成器56には、例えば、ウィルキンソン型電力分配器を用いることができる。
電力分配器51は、入力端子16に入力された信号を2つの経路に分配する。一方の経路、例えば図2上段の第1経路に分岐された信号は、第1移相器52および第1歪み発生器53を伝送して電力合成器56に導かれる。他方の経路、例えば図2下段の第2経路に分岐された信号は、第2移相器54および第2歪み発生器55を伝送して電力合成器56に導かれる。電力合成器56は、第1経路および第2経路を伝送してきたこれらの両信号を合成し、合成信号を出力端子18に出力する。
第1移相器52は、第1歪み発生器53を介して電力合成器56に導かれる信号の位相を変化させるものであり、第2移相器54は、第2歪み発生器55を介して電力合成器56に導かれる信号の位相を変化させる。
電力合成器56に導かれる両信号の位相差は、第1移相器52および第2移相器54により、略180度となるように設定される。
ここで、第1歪み発生器53および第2歪み発生器55について説明する。
第1歪み発生器53は、例えば図3のように構成される。すなわち、第1歪み発生器53は、RF(RFは高周波の意、以下同じ)入力端子61、入力側直流阻止コンデンサ62、バイアス端子63、バイアス印加用抵抗64、信号および低周波(差周波)短絡用コンデンサ65、4分の1波長線路66、直列ダイオード67、バイアス印加用線路68、出力側直流阻止コンデンサ69およびRF出力端子70を含む。
RF入力端子61に入力された信号(電力分配器51から第1移相器52に入力され、この第1移相器52を伝送した高周波信号)は、入力側直流阻止コンデンサ62を経て、第1ノードP1に導かれる。入力側直流阻止コンデンサ62は、高周波信号から直流成分を阻止するものであり、第1ノードP1において、バイアス印加用抵抗64、直列ダイオード67のアノードおよび4分の1波長線路66と接続されている。バイアス印加用抵抗64は、バイアス電圧が印加されるバイアス端子63と接続されている。4分の1波長線路66は、使用周波数の波長の4分の1の長さをもつ線路であり、信号および低周波短絡用コンデンサ65を介して接地されている。直列ダイオード67のカソードは、第2ノードP2において、バイアス印加用線路68および出力側直流阻止コンデンサ69と接続されている。信号および低周波短絡用コンデンサ65は接地されており、出力側直流阻止コンデンサ69は、RF出力端子70と接続されている。このRF出力端子70に導かれる信号のうち、歪み成分の位相は、直列ダイオード67の出力信号に対してほぼ逆相となる。RF出力端子70から出力される信号は、図2に示した電力合成器56に入力される。
第2歪み発生器55は、例えば、図4のように構成される。すなわち、第2歪み発生器55は、RF入力端子81、入力側直流阻止コンデンサ82、バイアス端子83、バイアス印加用抵抗84、信号および低周波(差周波)短絡用コンデンサ85、4分の1波長線路86、並列ダイオード87、出力側直流阻止コンデンサ88およびRF出力端子89を含む。
RF入力端子81に入力された信号(電力分配器51から第2移相器54に入力され、この第2移相器54を伝送した高周波信号)は、入力側直流阻止コンデンサ82を経て、第1ノードQ1に導かれる。入力側直流阻止コンデンサ82は、第1ノードQ1においてバイアス印加用抵抗84および4分の1波長線路86と接続されている。バイアス印加用抵抗84は、バイアス端子83と接続されている。4分の1波長線路86は、使用周波数の波長の4分の1の長さをもつ線路であり、信号および低周波短絡用コンデンサ85を介して接地されている。第1ノードQ1において接続された入力側直流阻止コンデンサ82、バイアス印加用抵抗84および4分の1波長線路86は、第2ノードQ2において並列ダイオード87のアノードおよび出力側直流阻止コンデンサ88と接続されている。この並列ダイオード87のカソードは接地されており、出力側直流阻止コンデンサ88は、RF出力端子89と接続されている。このRF出力端子89に導かれる信号のうち、歪み成分の位相は、並列ダイオード87の出力信号に対してほぼ同相となる。RF出力端子89から出力される信号は、図2に示した電力合成器56に入力される。
以上の説明から明らかなように、図2に示した歪み発生回路17において、図3に例示される構成の第1歪み発生器53により発生される歪み成分の位相は、ダイオード67の出力信号に対してほぼ逆相となり、また、図4に例示される構成の第2歪み発生器55により発生される歪み成分の位相は、ダイオード87の出力信号に対してほぼ同相となる。さらに、第1移相器52および第2移相器54は、第1移相器52から第1歪み発生器53を介して電力合成器56に入力される信号と、第2移相器54から第2歪み発生器55を介して電力合成器56に入力される信号との位相差が略180度となるように設定されている。よって、電力合成器56では、第1歪み発生器53により発生される歪み成分と第2歪み発生器55により発生される歪み成分とが合成され、合成された歪み成分のみが出力端子18から出力されるようになっている。
すなわち、図2のように構成される歪み発生回路17およびこの歪み発生回路17を有する図1の歪み補償装置1によれば、従来の歪み補償装置100の歪み発生増幅器105によりも、発生する歪み成分の約2倍の歪み成分を発生させることができる。
なお、合成部19で合成され、出力端子20から出力される信号の信号成分と歪み成分の振幅比および位相差は、ベクトル調整器15の振幅及び位相を調整することによって、任意の値に設定することができる。このような歪み補償装置1を、例えば高出力増幅器の前段に配備し、歪み補償装置1の出力端子20から高出力増幅器に入力される入力信号の歪み成分が、当該高出力増幅器の歪み成分と振幅が等しく、位相がちょうど反転するように、ベクトル調整器15の振幅および位相を設定することにより、当該高出力増幅器の歪み成分を効果的に補償することができる。
以上の実施形態では、電力分配器51および電力合成器56は、ウィルキンソン型電力分配器を使用するものとして説明したが、これに限られず、ブランチライン型、4分の1波長分布結合型、ラットレース型、位相反転型等のハイブリッド回路を使用してもよい。この場合には、第1移相器52は、第1歪み発生器53により発生される歪み成分のみが歪み発生回路17の出力信号となるように設定し、他方、第2移相器54は、第2歪み発生器55により発生される歪み成分のみが歪み発生回路17の出力信号となるように設定する。
<他の実施形態>
図5は、本発明が適用される他の歪み補償装置の他の構成例を示す図である。図5に示される歪み補償装置2は、図1に示した歪み補償装置1の歪み発生回路17に代えて、後述する歪み発生回路34を設けたものである。
歪み発生回路34は、例えば図6に示す構成のものである。すなわち、入力端子31、アイソレーション端子33、第1ハイブリッド回路91、第1移相器92、第1歪み発生器53、第2移相器93、第2歪み発生器55、第2ハイブリッド回路94、アイソレーション端子35、および、出力端子36を含んでいる。
電力分配器51の代わりに2入力2出力型の第1ハイブリッド回路91、電力合成器56の代わりに2入力2出力型の第2ハイブリッド回路94が使用されている点で、図2に示した歪み発生回路17と異なる構成となっている。第1ハイブリッド回路91および第2ハイブリッド回路94には、例えば90度ハイブリッド回路または180度ハイブリッド回路(例えばブランチライン型、4分の1波長分布結合型、ラットレース型、位相反転型)等を用いることができる。
第1ハイブリッド回路91は、入力端子31およびアイソレーション端子33の他に、図示しない結合端子(結合回路)と伝送端子(伝送回路)とを有している。第1ハイブリッド回路91のアイソレーション端子33には、入力側の整合をとるための終端器32が接続されている。第1ハイブリッド回路91の結合端子または伝送端子から第1移相器92に分配された信号は、第1歪み発生器53に入力される。また、第2移相器93に分配された信号は、第2歪み発生器55に入力される。第1歪み発生器53の出力信号は、第2歪み発生器55の出力信号と第2ハイブリッド回路94で合成され、アイソレーション端子35および出力端子36に出力される。
第1移相器92および第2移相器93は、第1移相器92から第1歪み発生器53を介して第2ハイブリッド回路94に至る通過位相量と、第2移相器93から第2歪み発生器55を介して第2ハイブリッド回路94に至る通過位相量が等しくなるように設定する。第2ハイブリッド回路94は、アイソレーション端子35および出力端子36の他に、図示しない結合端子と伝送端子とを有している。
第1歪み発生器53の出力は、結合端子または伝送端子から第2ハイブリッド回路94に導かれ、他方、第2歪み発生器55の出力は、伝送端子または結合端子から第2ハイブリッド回路94に導かれる。
アイソレーション端子35からは、第1歪み発生器53により発生される歪み成分と第2歪み発生器55により発生される歪み成分とがほぼ同相で合成され、且つ、第1歪み発生器53の出力信号の信号成分と第2歪み発生器55の出力信号の信号成分とがほぼ逆相で合成された信号が出力される。結局、アイソレーション端子35からは、主に歪み成分が出力されることとなり、この歪み成分が合成部19に導かれるようになっている。
一方、出力端子36からは、第1歪み発生器53により発生される歪み成分と第2歪み発生器55により発生される歪み成分とがほぼ逆相で合成され、且つ、第1歪み発生器53の出力信号の信号成分と第2歪み発生器55の出力信号の信号成分とがほぼ同相で合成された信号が出力される。結局、出力端子36からは、主に、信号成分が出力される。なお、この出力端子36は、終端器37と接続されている。
以上のように、図5のように構成される歪み補償装置2によれば、図1に示した歪み補償装置1と同様に、従来の歪み補償装置100の歪み発生増幅器105の約2倍の歪み成分を発生させることができる。
なお、合成部19で合成され、出力端子20に導かれる信号の信号成分と歪み成分の振幅比および位相差は、ベクトル調整器15の振幅及び位相を調整することによって、所定の値に設定することができる点、このような歪み補償装置2を高出力増幅器の前段に配置し、歪み補償装置2の出力端子20から高出力増幅器に入力される入力信号の歪み成分が、高出力増幅器の歪み成分と振幅が等しく、位相がちょうど反転するように、ベクトル調整器15の振幅および位相を設定することにより、当該高出力増幅器の歪み成分を補償することができる点は、図1に示した構成の歪み補償装置1と同様である。
また、歪み発生回路34は、第1移相器92および第2移相器93を有することを前提として説明したが、直列ダイオード67を含む第1歪み発生器53の回路構成および並列ダイオード87を含む第2歪み発生器55の回路構成、インピーダンス整合回路の定数、バイアス条件等を変更することによって、第1移相器92および第2移相器93を省略した場合であっても、ほぼ同様な動作を実現することができる。
また、第1移相器92および第2移相器93に加えて、可変減衰器、利得可変増幅器等を備える構成とし、歪み成分、信号成分をより高精度に抽出するようなものとすることもできる。さらに、第1および第2ハイブリッド回路91,94は、必ずしも2入力型2出力型のものでなくても良い。
<他の実施形態>
図7は、本発明が適用される他の歪み補償装置の構成例を示す図である。図7に示される歪み補償装置3は、図5に示した歪み補償装置2において使用した歪み発生回路34を有するものであるが、回路接続構成において、その歪み補償装置2とは異なっている。
この実施形態による歪み補償装置3は、入力端子41、終端器42、歪み発生回路34、第3移相器43、第4移相器44、信号合成回路の一例となる電力合成器45、出力端子46を含んでいる。
入力端子41は、歪み発生回路34の入力端子31と接続されており、終端器42は歪み発生回路34の入力側のアイソレーション端子33と接続されている。
歪み発生回路34の出力側のアイソレーション端子35には第3移相器43が接続されており、歪み発生回路34の出力端子36には第4移相器44が接続されている。この第3移相器43および第4移相器44は、電力合成器45と接続されている。
歪み補償装置3では、入力端子41に入力された信号は、歪み発生回路34の入力端子31を介して歪み発生回路34に入力される。上述したように、歪み発生回路34で発生した歪み成分は、主にアイソレーション端子35から出力され、第3移相器43を介して電力合成器45に導かれる。また、歪み発生回路34の信号成分は、主に歪み発生回路34の出力端子36から出力され、第4移相器44を介して電力合成器45に導かれる。
電力合成器45は、これらの信号を合成して、出力端子46に信号成分および歪み成分を出力する。
第3移相器43および第4移相器44は、電力合成器45で合成され、出力端子46から出力される信号の歪み成分が、後段の高出力増幅器の歪み成分と逆位相となるように設定される。これによって、その高出力増幅器の歪みを補償することができる。
なお、歪み補償装置3が発生する歪み成分と高出力増幅器が発生する歪み成分の振幅を等しくするためには、歪み補償装置3と高出力増幅器の間に利得調整手段または減衰調整手段を設け、歪み補償装置3が高出力増幅器の電力レベルを調整するようにする。
この実施形態の歪み補償装置3によれば、既に説明した歪み補償装置1、2と同様、従来の歪み補償装置100の歪み発生増幅器105により発生する歪み成分の約2倍の歪み成分を発生させることができる。また、歪み補償装置3は、従来の歪み補償装置100が合計4つの電力分配器および電力合成器を必要とするのに対し、合計3つの電力分配器及び電力合成器により構成することができるので、ほぼ同じ補償能力をもたせるときの歪み補償装置の構成をより簡略化することができる。
なお、以上の説明では、入力された高周波信号を2つの経路に分配して、少なくとも一方の経路の信号に歪み成分を重畳させ、当該信号の振幅および位相を調整した後に、信号合成回路で合成する場合の例を示したが、高周波信号を分配するための経路は3経路以上であっても良い。また、第3移相器43および第4移相器44を用いた場合の例を示したが、少なくとも一方の移相器を用いるようにすれば良い。また、信号に歪み成分を発生させる単向性素子の例としてダイオードを用いた場合の例を示したが、サイリスタ、トランジスタその他の歪み成分を発生させる半導体素子ないし半導体回路を用いることもできる。
本発明の実施形態の歪み補償装置の構成を示す図。 本発明の実施形態の歪み補償装置の歪み発生回路の構成図。 歪み発生回路を構成する第1歪み発生器の構成図。 歪み発生回路を構成する第2歪み発生器の構成図。 本発明の他の実施形態の歪み補償装置の構成図。 本発明の他の実施形態の歪み補償装置の歪み発生回路の構成図。 本発明の他の実施形態の歪み補償装置の構成図。 従来の歪み補償装置の構成図。
符号の説明
1,2,3,100 歪み補償装置
11,41 入力端子
12,21,32,37,42,102,108 終端器
13,103 方向性結合器
14,106 遅延線路
15,101,104 ベクトル調整器
16 歪み発生回路17の入力端子
17,34 歪み発生回路
18 歪み発生回路17の出力端子
19,107 合成部
20,46 出力端子
31 ハイブリッド回路の入力端子
33,35 ハイブリッド回路のアイソレーション端子
36 ハイブリッド回路の出力端子
43,44,52,54,92,93 移相器
45,56 電力合成器
51 電力分配器
53 第1歪み発生器
55 第2歪み発生器
61,81 RF入力端子
62,65,69,82,85,88 コンデンサ
63,83 バイアス端子
64,84 抵抗器
66,86 4分の1波長線路
67 直列ダイオード
68 バイアス印加用線路
70,89 RF出力端子
87 並列ダイオード
91,94 ハイブリッド回路
105 歪み発生増幅器
P1,Q1 第1ノード
P2,Q2 第2ノード

Claims (9)

  1. 入力された高周波信号を複数の経路に分配する分配回路と、
    各経路を分配時の周波数で伝送する分配信号に歪み成分を発生させる歪み発生手段と、
    前記分配信号の位相を調整する位相調整手段と、
    位相が調整された各経路の信号を合成する合成回路とを備えており、
    最大で経路数倍の歪み成分を前記高周波信号に重畳できるように構成されている、
    歪み発生回路。
  2. 前記分配回路は、前記高周波信号を第1経路および第2経路に分配するものであり、
    前記歪み発生手段は、前記第1経路を伝送する分配信号の歪み成分を発生させる第1歪み発生器と、前記第2経路を伝送する分配信号の歪み成分を発生させる第2歪み発生器とを含むものであり、
    前記位相調整手段は、前記第1経路と前記第2経路の少なくとも一方に設けられた移相器であって、前記合成回路に入力される前記第1歪み発生器の出力信号と前記第2歪み発生器の出力信号の位相差を、この移相器により両出力信号の歪み成分を増加させるように調整するものである、請求項1記載の歪み発生回路。
  3. 前記位相調整手段は、前記第1経路に設けられた第1移相器と、前記第2経路に設けられた第2移相器とから成り、
    前記第1移相器は、前記第1経路を伝送する信号の位相を進めるものであり、
    前記第2移相器は、前記第2経路を伝送する信号の位相を遅らせるものである、
    請求項2記載の歪み発生回路。
  4. 前記第1移相器は、前記第1経路を伝送する信号の位相を進めるものであり、前記第2移相器は、前記第2経路を伝送する信号の位相を遅らせるものであり、これにより、前記合成回路に入力された時点の前記第1経路を伝送する信号と前記第2経路を伝送する信号との位相差を略180度に近づける、
    請求項3記載の歪み発生回路。
  5. 前記第1歪み発生器は、信号の伝送線路に直列に挿入接続された単向性素子を具備し、
    前記第2歪み発生器は、信号の伝送線路に並列に挿入接続された単向性素子を具備し、それぞれ、単向性素子に発生した歪み成分を当該信号に重畳させるように構成されている、
    請求項2記載の歪み発生回路。
  6. 前記合成回路は、
    前記第1歪み発生器の出力信号に含まれる歪み成分と前記第2歪み発生器の出力信号に含まれる歪み成分とを同相で合成する回路を含む、
    請求項2記載の歪み発生回路。
  7. 前記合成回路は、
    前記第1歪み発生器の出力信号に含まれる歪み成分と前記第2歪み発生器の出力信号に含まれる歪み成分とを同相で合成すると共に、前記第1歪み発生器の出力信号に含まれる信号成分と前記第2歪み発生器の出力信号に含まれる信号成分とを逆相で合成する第1回路と、
    前記第1歪み発生器の出力信号に含まれる歪み成分と前記第2歪み発生器の出力信号に含まれる歪み成分とを逆相で合成すると共に、前記第1歪み発生器の出力信号に含まれる信号成分と前記第2歪み発生器の出力信号に含まれる信号成分とを同相で合成する第2回路とを有するハイブリッド型の合成回路である、
    請求項6記載の歪み発生回路。
  8. 歪みを発生させる電子回路の前段に設けられる歪み補償装置であって、
    高周波信号を入力する入力端子と、
    この入力端子に入力された高周波信号の信号成分を遅延させる遅延手段と、
    前記入力端子に入力された遅延前の高周波信号を分岐抽出するとともに、分岐抽出された高周波信号の振幅及び位相を調整する調整手段と、
    この調整手段でその振幅及び位相が調整された高周波信号に対して歪み成分を発生させる歪み発生回路と、
    この歪み発生回路の出力信号と前記遅延手段により遅延された高周波信号とを合成する信号合成回路と、
    この信号合成回路の出力信号を前記電子回路に出力する出力端子とを有しており、
    前記遅延手段は、前記歪み発生回路の出力信号と同じタイミングで前記信号合成回路に入力されるように前記入力された高周波信号を遅延させるものであり、
    前記歪み発生回路は、請求項1乃至7のいずれかに記載された歪み発生回路であり、
    前記調整手段は、前記信号合成回路から前記電子回路に出力される出力信号の歪み成分が当該電子回路の歪み成分と振幅が等しく、位相が反転するように、前記分岐抽出された高周波信号の振幅及び位相を調整するものである、
    歪み補償装置。
  9. 歪みを発生させる電子回路の前段に設けられる歪み補償装置であって、
    高周波信号を入力する入力端子と、
    入力された高周波信号に歪みを発生させる請求項7記載の歪み発生回路と、
    この歪み発生回路の前記第1回路から出力される第1信号の位相を調整するための第1の調整手段と、
    前記歪み発生回路の前記第2回路から出力される第2信号の位相を調整するための第2の調整手段と、
    前記第1の調整手段によりその位相が調整された第1信号と前記第2の調整手段によりその位相が調整された第2信号とを合成する信号合成回路とを備え、
    前記第1の調整手段及び前記第2の調整手段の一方は、前記信号合成回路で合成され、前記電子回路に出力される信号の歪み成分が当該電子回路において発生する歪み成分と逆相となるように位相調整するように構成されている、
    歪み補償装置。
JP2004258898A 2004-09-06 2004-09-06 歪み発生回路および歪み補償装置 Expired - Fee Related JP4299213B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004258898A JP4299213B2 (ja) 2004-09-06 2004-09-06 歪み発生回路および歪み補償装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004258898A JP4299213B2 (ja) 2004-09-06 2004-09-06 歪み発生回路および歪み補償装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006074699A JP2006074699A (ja) 2006-03-16
JP4299213B2 true JP4299213B2 (ja) 2009-07-22

Family

ID=36154779

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004258898A Expired - Fee Related JP4299213B2 (ja) 2004-09-06 2004-09-06 歪み発生回路および歪み補償装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4299213B2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2556607A1 (en) * 2010-04-08 2013-02-13 Oclaro Technology Limited Apparatus for power equalisation and phase correction
JP2018085635A (ja) * 2016-11-24 2018-05-31 株式会社村田製作所 電力増幅器
KR102083801B1 (ko) * 2018-02-14 2020-03-03 퍼스트통신 주식회사 스트레치 라인 콤바이너
CN111817009B (zh) * 2020-07-28 2022-01-11 武汉虹信科技发展有限责任公司 双频馈电网络及天线

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006074699A (ja) 2006-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8154339B2 (en) V-band high-power transmitter with integrated power combiner
JPH0722856A (ja) 増幅器
JP2001502493A (ja) 多段高効率線形電力増幅器およびその方法
KR100342783B1 (ko) 전치왜곡 선형화장치
KR100801578B1 (ko) 전력증폭기의 혼변조 신호발생기 및 이를 구비한 전치왜곡선형화 장치
US6285252B1 (en) Apparatus and method for broadband feedforward predistortion
US6194942B1 (en) Predistortion circuit for linearization of signals
JP4299213B2 (ja) 歪み発生回路および歪み補償装置
US10097139B2 (en) Methods for multi-path amplifiers and multi-path amplifier
US20030117217A1 (en) Distortion-compensated amplifying circuit
US7962107B2 (en) Transmission device
KR100371531B1 (ko) 에러 피드백을 이용한 피드포워드 선형 전력 증폭기
JP6448881B1 (ja) 歪補償装置
KR101131910B1 (ko) 이동통신시스템의 출력단
KR20060032270A (ko) 능동 위상 보상기를 이용한 도허티 증폭기
Lehmann et al. Reconfigurable PA networks using switchable directional couplers as RF switch
EP1394954A2 (en) Transmitter
KR20160084579A (ko) 메모리 효과의 보상을 위한 전치 왜곡 시스템
WO2021260828A1 (ja) ドハティ増幅器
JP5235771B2 (ja) 電力増幅器
JP4546052B2 (ja) Am−pm歪補償回路および方法
KR20040003532A (ko) 리니어 전력 증폭기에서의 위상, 크기 에러 추출장치
JP2007536832A (ja) 直交結合増幅器による信号の増幅
JP3978919B2 (ja) リミッタ回路
JPH06104658A (ja) 非線形補償回路

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070322

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080409

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080415

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080613

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080930

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081028

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090414

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090416

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120424

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees