KR20160084579A - 메모리 효과의 보상을 위한 전치 왜곡 시스템 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 메모리 효과의 보상을 위한 전치 왜곡 시스템에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 순수 아날로그 전치 왜곡기(APD)를 서로 다른 딜레이 라인(delay line)을 갖는 병렬 경로로 구현함으로써, 광대역 순시 대역폭(instantaneous bandwidth) 특성을 갖도록 구현된 메모리 효과의 보상을 위한 전치 왜곡 시스템에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 효과의 보상을 위한 전치 왜곡 시스템은, 메모리 효과를 보상하기 위한 전치 왜곡 시스템에 있어서, 입력 신호를 복수개의 신호로 분배하기 위한 제 1 전력 분배기; 상기 제 1 전력 분배기에 의해 분배된 신호를 입력받아 각각 상이한 지연을 갖는 지연 신호를 생성하기 위한 복수개의 신호 지연기; 상기 복수개의 신호 지연기에 의해 생성된 지연 신호를 각각 입력받아 왜곡 신호를 생성하기 위한 복수개의 순수 아날로그 신호 왜곡기(pure analog pre-distorter); 및 상기 복수개의 순수 아날로그 신호 왜곡기로부터 생성되는 복수개의 왜곡 신호를 결합시키는 제 1 전력 결합기; 등을 포함하여 구성될 수 있다.

Description

메모리 효과의 보상을 위한 전치 왜곡 시스템{Pre-distorting system for compensation of memory-effect}
본 발명은 메모리 효과의 보상을 위한 전치 왜곡 시스템에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 순수 아날로그 전치 왜곡기(APD)를 서로 다른 딜레이 라인(delay line)을 갖는 병렬 경로로 구현함으로써, 광대역 순시 대역폭(instantaneous bandwidth) 특성을 갖도록 구현된 메모리 효과의 보상을 위한 전치 왜곡 시스템에 관한 것이다.
전치 왜곡기(Pre-distorter)란 선형화기의 일종으로 이동통신 또는 위성통신 등에서 출력단 증폭기의 비선형성을 보상하기 위해 사용하는 소자이다. 전치 왜곡기(pre-distorter)는 비선형 증폭기(Amplifier)의 전단에 위치하여, 증폭기에서 발생하는 비선형성과 성질이 반대되는 비선형 신호를 발생시켜 최종 출력을 선형화하는데 사용된다.
통상의 전치 왜곡기는 이동통신 대형 기지국 등에 주로 사용되는 DPD(Digital Pre-distortion)와 소형 기지국 및 중계기 등에 사용되는 APD(Analog Pre-distortion) 및 위성통신 등에 많이 사용되는 순수 아날로그 소자들로 이루어진 pure analog pre-distorter 등으로 구분될 수 있다.
Digital Pre-distorter(DPD)의 경우 성능상 가장 뛰어난 특성을 보이나, 복잡도 및 그 자체의 전력 소모가 크다는 이유 등으로 인해 대형 기지국 외에는 적용이 어려우며, 특히 1㎓ 정도의 순시대역폭(instantaneous bnadwidth)을 갖는 5G 이동통신 등에서는 ADC/DAC 대역폭 제한 등의 이유로 인해 사용이 거의 불가능하다는 문제점이 있다.
Analog Pre-distroter(APD)는 미국의 scintera 라는 회사에서 개발한 제품으로, pre-distortion을 RF에서 구현하여 사용의 용이성을 매우 높였으나, DPD와 마찬가지로 디지털 영역에서의 신호처리를 위해 ADC/DAC를 사용할 수밖에 없어, 역시 5G 등과 같은 1㎓ 순시대역폭(instantaneous BW)을 갖는 신호에 대한 사용은 불가능하다.
Pure analog predistorter는 주로 위성 통신 등과 같이 선형성(linearity) 요구사양이 비교적 완화된 어플리케이션(application)에 사용된다.
딜레이 라인(Delay line), 가변 위상기(phase shifter), 감쇄기(attenuator), 비선형 콤포넌트(nonlinear component(다이오드 or 트랜지스터)) 등 모든 소자들이 순수 아날로그 RF 소자들로 구성되어 있어, 순시대역폭 1㎓ 이상의 조건에서 동작이 가능하다.
그러나 위성 통신용 모뎀과 달리 이동통신 환경에서는 보다 높은 선형화 특성이 요구되어 지는데, 특히, HPA의 메모리 효과(memory effect)에 대한 보상을 할 수 없기 때문에 이와 같은 이동통신에 직접적으로 적용하기 어렵다는 문제점이 있다.
다시 말해, 통상의 DPD 또는 APD의 경우 디지털 신호 처리 기법을 사용해 매우 정교하게 전치 왜곡(pre-distortion) 기능을 구현함으로써 좋은 성능을 내도록 하는 것이 가능하긴 하지만, 디지털 신호의 처리를 위한 ADC/DAC 구현에 따른 전력 소모 등의 문제에 있어 분명한 한계를 가진다. 반면, 순수 아날로그 전치왜곡기(pure analog predistor)의 경우, 순시 대역폭 조건 등은 충족되는데 반해 메모리 효과에 대한 보상이 구조적으로 이루어지지 않아, 이동통신 환경이 요구하는 성능에 미치지 못한다는 문제점이 있다.
이와 같은 문제점의 해결을 위해, 대한민국 등록특허 제 10-1124434호(발명의 명칭: 전력증폭기의 메모리 효과를 보상하기 위한 전치 왜곡 시스템 및 방법)에는, 전치 왜곡기의 비선형 경로에 트랜지스터와 신호 지연이 다른 전송선로를 연결함으로써 전력 증폭기의 메모리 효과를 보상할 수 있도록 하는 전치 왜곡 시스템 및 방법이 개시되어 있다.
하지만 5G와 같은 초광대역에서 동작하기 위해서는 메모리 효과에 대한 보다 정교한 제어가 가능할 수 있어야 하며, 이를 위해서는 순수 아날로그 방식을 이용한 보다 정교한 근사화 과정이 요구된다는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명에서는 선형 경로(linear path)와 비선형 경로(nonlinear path)로 구성된 순수 아날로그 전치 왜곡기(pure APD)를 서로 다른 딜레이 라인(delay line)을 갖는 병렬 경로(path)로 구현함으로써, 광대역 순시 대역폭(instantaneous bandwidth) 특성과 딜레이(delay)를 갖는 복수의 아날로그 전치 왜곡기(analog predistorter)를 통한 메모리 효과 보상 방식을 제안하고자 한다.
대한민국 등록특허공보 제 10-1124434호(발명의 명칭: 전력증폭기의 메모리 효과를 보상하기 위한 전치 왜곡 시스템 및 방법)
A Wideband Analog Predistortion Power Amplifier With Multi-Branch Nonlinear Path for Memory-Effect Compensation(IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS, VOL. 19, NO. 7, JULY 2009)
본 발명은 전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 순수 아날로그 전치 왜곡기(APD)를 서로 다른 딜레이 라인(delay line)을 갖는 병렬 경로로 구현함으로써, 광대역 순시 대역폭(instantaneous bandwidth) 특성을 갖도록 구현된 메모리 효과의 보상을 위한 전치 왜곡 시스템을 제공하는 것에 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 메모리 효과의 보상을 위한 전치 왜곡 시스템은, 메모리 효과를 보상하기 위한 전치 왜곡 시스템에 있어서, 입력 신호를 복수개의 신호로 분배하기 위한 제 1 전력 분배기; 상기 제 1 전력 분배기에 의해 분배된 신호를 입력받아 각각 상이한 지연을 갖는 지연 신호를 생성하기 위한 복수개의 신호 지연기; 상기 복수개의 신호 지연기에 의해 생성된 지연 신호를 각각 입력받아 왜곡 신호를 생성하기 위한 복수개의 순수 아날로그 신호 왜곡기(pure analog pre-distorter); 및 상기 복수개의 순수 아날로그 신호 왜곡기로부터 생성되는 복수개의 왜곡 신호를 결합시키는 제 1 전력 결합기; 등을 포함하여 구성될 수 있다.
여기서, 상기 순수 아날로그 신호 왜곡기는, 선형 경로(Linear path) 및 비선형 경로(Nonlinear path)로 구성되는 것이 바람직할 수 있다.
즉, 상기 순수 아날로그 신호 왜곡기는, 상기 신호 지연기로부터 입력되는 신호를 제 1 신호 및 제 2 신호의 2개 신호로 분배하기 위한 제 2 전력 분배기; 상기 제 2 전력 분배기에 의해 분배된 후 각각 상기 선형 경로 및 비선형 경로를 통해 전송된 신호를 결합하기 위한 제 2 전력 결합기; 상기 제 2 전력 결합기에 의해 결합된 신호의 크기를 조절하기 위한 감쇄기(attenuator); 및 상기 감쇄기에 의해 크기가 조절된 신호의 위상을 조절하기 위한 가변 위상기(phase shifter)를 포함하여 구성될 수 있다.
이때, 상기 비선형 경로는 비선형 소자 및 가변 위상기를 포함하여 구성될 수 있고, 상기 선형 경로는 가변 감쇄기 및 상기 비선형 경로를 통해 전송되는 신호에 대응되도록 입력 신호를 지연시키기 위한 딜레이(delay)부 등을 포함하여 구성될 수 있다.
상기한 바와 같은 본 발명에 의하면, 순수 아날로그 전치 왜곡기(Pure analog pre-distorter)를 메모리 효과(memory effect)의 보상이 가능한 구조로 구현함으로써 대역폭(bandwidth) 및 성능을 모두 만족시킬 수 있게 되었다는 등의 장점이 있다.
다시 말해, 본 발명에 따른 전치 왜곡 시스템을 적용하는 경우, 1㎓ 이상의 순시 대역폭(instantaneous bandwidth)을 가짐과 동시에 메모리 효과(memory effect)에 대한 보상 기능을 가질 수 있기 때문에, 5G 통신 환경을 위한 기지국 등에 GaN 소자로 이루어진 출력단 증폭기와 함께 사용이 가능할 수 있게 됨으로써, 이동 통신 규격에 적용 가능한 수준의 선형성 확보를 통해 광대역 신호를 사용할 수 있을 뿐만 아니라, 순수 아날로그 소자를 사용하므로 mm-wave path에 직접 구현이 가능하여 매우 다양한 분야에 응용 가능할 수 있다는 등의 다양한 효과를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 효과의 보상을 위한 전치 왜곡 시스템의 구성을 개념적으로 나타낸 설명도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 효과의 보상을 위한 전치 왜곡 시스템의 구성을 나타낸 블록도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 메모리 효과의 보상을 위한 전치 왜곡 시스템이 IF에 적용된 예를 개념적으로 나타낸 설명도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 메모리 효과의 보상을 위한 전치 왜곡 시스템이 RF에 적용된 예를 개념적으로 나타낸 설명도이다.
상술한 본 발명의 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 실시예를 통하여 보다 분명해질 것이다.
이하의 특정한 구조 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 개념에 따른 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본 명세서 또는 출원에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니된다.
본 발명의 개념에 따른 실시예는 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있으므로 특정 실시예들은 도면에 예시하고 본 명세서 또는 출원에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시예들을 특정한 개시 형태에 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1 및/또는 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소들로부터 구별하는 목적으로만, 예컨대 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채, 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소는 제1 구성 요소로도 명명될 수 있다.
어떠한 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떠한 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 또는 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하기 위한 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 인접하는"과 "~에 직접 인접하는" 등의 표현도 마찬가지로 해석되어야 한다.
본 명세서에서 사용하는 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서 "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써 본 발명을 상세히 설명하도록 한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 효과의 보상을 위한 전치 왜곡 시스템의 구성을 개념적으로 나타낸 설명도이고, 도 2는 이를 보다 구체적으로 도시한 블록 구성도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 효과의 보상을 위한 전치 왜곡 시스템은, 제 1 전력 분배기(210), 신호 지연기(220), 순수 아날로그 신호 왜곡기(230) 및 제 1 전력 결합기(240) 등을 포함하여 구성됨을 확인할 수 있다.
제 1 전력 분배기(210)는, 입력 신호를 복수개의 신호로 분배하는 기능을 수행한다. 이때, 분배되는 신호의 개수는 구비된 신호 지연기(220) 및 순수 아날로그 신호 왜곡기(230)의 개수와 대응되도록 구성되는 것이 바람직할 수 있다.
신호 지연기(220) 및 순수 아날로그 전치 왜곡기(230)의 개수가 증가될수록 메모리 효과에 대한 보상 기능은 증대되지만 그 효율성 등을 고려할 때 신호 지연기(220) 및 순수 아날로그 신호 왜곡기(230)와 이에 따른 제 1 전력 분배기(210)의 분배 신호 개수는 4개 정도로 구성되는 것이 바람직할 수 있다. 하지만 본 발명이 반드시 이에 한정되지 아니함은 당연하다.
신호 지연기(220)는, 제 1 전력 분배기(210)로부터 전달되는 분배 신호를 입력받아 각기 상이한 지연 신호를 생성하는 기능을 수행한다.
다시 말해, 제 1 전력 분배기(210)에 의해 생성된 분배 신호는 복수개의 신호 지연기(220)에 의해 각기 다른 지연을 갖는 지연 신호로 변환되어 순수 아날로그 신호 왜곡기(230) 측으로 전달된다.
복수개의 순수 아날로그 신호 왜곡기(230)는 신호 지연기(220)에 의해 생성된 복수개의 각기 다른 지연 신호를 각각 입력받아 왜곡 신호를 생성하는 기능을 수행한다.
순수 아날로그 신호 왜곡기(230)는, 도면에 도시된 바와 같이, 선형 경로(Linear path) 및 비선형 경로(Nonlinear path)를 포함하여 구성될 수 있는데, 도면을 참조하여 순수 아날로그 신호 왜곡기(230)의 구체적인 구성과 기능을 살펴보면 다음과 같다.
순수 아날로그 신호 왜곡기(230)는, 제 2 전력 분배기(231)를 통해 신호 지연기(220)로부터 입력되는 신호를 제 1 신호 및 제 2 신호의 2개 신호로 분배한 다음, 제 2 전력 분배기(231)에 의해 분배된 신호를 각각 선형 경로 측 및 비선형 경로 측으로 전달하게 된다.
이때, 선형 경로가 가변 감쇄기(232)나 딜레이부(233) 등을 포함하여 구성될 수 있고, 비선형 경로가 비선형 소자(234) 및 가변 위상기(235) 등을 포함하여 구성될 수 있음은 도면에 도시된 바와 같다.
즉, 제 2 전력 분배기에 의해 분배된 후 비선형 경로 측으로 전달됨으로써 비선형 소자(234) 및 가변 위상기(235) 등을 통과하는 신호에 대응되도록, 선형 경로 측으로 전달된 신호는 딜레이부(233)를 통해 적절한 수준으로 지연이 이루어지게 되는 것이다.
이후 제 2 전력 결합기(236)를 통해 각각 선형 경로 및 비선형 경로를 통해 전송된 신호의 결합이 이루어지며, 제 2 전력 결합기(236)에 의해 결합된 신호는 다시 신호의 크기를 조절하기 위한 감쇄기(attenuator, 237) 및 감쇄기(237)에 의해 크기가 조절된 신호의 위상을 조절하기 위한 가변 위상기(phase shifter, 238) 등을 거치며 왜곡 신호로 완성된다.
다시 말해, 각각의 순수 아날로그 신호 왜곡기(230)가 선형 경로 및 비선형 경로를 별도로 구비하기 때문에, 왜곡 신호의 1차 성분에 대한 제어가 가능해 보다 정교한 신호의 제어가 가능할 뿐만 아니라, 가변 감쇄기(237) 및 가변 위상기(238)를 각각의 순수 아날로그 신호 왜곡기(230) 마다 독립적으로 구비하도록 함으로써 신호 제어의 정밀성을 한층 향상시킬 수 있도록 하였다.
순수 아날로그 신호 왜곡기(230)에 의해 이상의 과정에 따라 생성된 각각의 왜곡 신호들은 다시 제 1 전력 결합기(240)에 의해 결합된 후 전력 증폭기(Amplifier)의 입력 신호 등으로 사용되게 된다.
즉, 이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 실시예에 따른 메모리 효과의 보상을 위한 전치 왜곡 시스템은, 병렬 연결된 복수개의 순수 아날로그 신호 왜곡기(230)에 각각 다른 지연을 갖는 복수개의 분배 신호를 입력하고, 이를 통해 생성된 복수개의 왜곡 신호를 제 1 전력 결합기(240)를 통해 결합하여 전력 증폭기의 입력 신호 등으로 사용할 수 있도록 함으로써, 메모리 효과(memory effect)의 보상에 따른 선형성 개선 등의 효과를 얻을 수 있도록 기능한다.
초고속 데이터 서비스(data service)를 위해 5G 이동통신을 기점으로 이동통신의 대역폭(signal bandwidth)이 기존과는 비교할 수 없이 넓어져 1㎓에 이를 것으로 전망되고, 또한, 친환경 기지국 및 백홀(backhaul) 구현 등을 위해 GaN 소자를 사용한 시스템이 주류를 이룰 것으로 예상된다.
그러나 GaN 소자의 경우 전력 소모 및 신뢰성 등이 기존 GaAs에 비해 우수한 반면 선형성이 열악하여 이동통신에 사용될 경우 이에 따르는 선형화기가 반드시 필요하지만 전술한 바와 같은 여러가지 한계, 또는 구조적 결함 등으로 인해 그 성능이 미치지 못하는 문제가 있다.
따라서, 이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 실시예에 따른 메모리 효과의 보상을 위한 전치 왜곡 시스템을 통해, 초 광대역 등의 대역폭 조건 및 메모리 효과 보상 조건 등의 충족이 가능한 시스템의 구현이 가능할 수 있도록 함으로써, 이동 통신 규격의 선형성을 확보하는 한편 광대역 신호의 사용이 가능함은 물론, 순수 아날로그 소자만을 사용함으로 인해 다양한 응용 분야에 적용 가능하다는 등의 다양한 장점을 제공할 수 있도록 하였다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 메모리 효과의 보상을 위한 전치 왜곡 시스템이 IF에 적용된 예를 개념적으로 나타낸 설명도이다.
이와 같이 본 발명의 실시예에 따른 전치 왜곡 시스템을 IF에 적용하는 경우 비교적 낮은 주파에서 소자의 구현이 가능할 수 있다는 등의 장점을 제공할 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 메모리 효과의 보상을 위한 전치 왜곡 시스템이 RF에 적용된 예를 개념적으로 나타낸 설명도이다.
이와 같이 본 발명의 전치 왜곡 시스템을 RF에 적용하는 경우 컨버터(converter)가 아닌 HPA에도 적용이 가능할 수 있을 뿐만 아니라, 작은 사이즈 구현도 가능할 수 있다는 등의 장점을 갖는다.
지금까지 설명한 바와 같은 본 발명의 실시예에 따른 메모리 효과의 보상을 위한 전치 왜곡 시스템은, 단일의 IC 소자 등으로 구현되는 것이 보다 바람직할 수 있을 것이나 본 발명이 반드시 이에 한정되지 아니함은 당연하다.
아울러, 시스템의 효율성 등을 고려할 때 신호 지연기(220) 및 순수 아날로그 신호 왜곡기(230)와 이에 대응되는 제 1 전력 분배기(210)의 분배 신호 개수가 4개 정도로 구성되는 것이 바람직할 수 있음에 대해서는 전술한 바 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명백할 것이다.
210: 제 1 전력 분배기
220: 신호 지연기
230: 순수 아날로그 전치 왜곡기
231: 제 2 전력 분배기
232, 237: 가변 감쇄기
233: 딜레이부
234: 비선형 소자
235, 238: 가변 위상기
236: 제 2 전력 결합기
240: 제 1 전력 결합기

Claims (5)

  1. 메모리 효과를 보상하기 위한 전치 왜곡 시스템에 있어서,
    입력 신호를 복수개의 신호로 분배하기 위한 제 1 전력 분배기;
    상기 제 1 전력 분배기에 의해 분배된 신호를 입력받아 각각 상이한 지연을 갖는 지연 신호를 생성하기 위한 복수개의 신호 지연기;
    상기 복수개의 신호 지연기에 의해 생성된 지연 신호를 각각 입력받아 왜곡 신호를 생성하기 위한 복수개의 순수 아날로그 신호 왜곡기(pure analog distorter); 및
    상기 복수개의 순수 아날로그 신호 왜곡기로부터 생성되는 복수개의 왜곡 신호를 결합시키는 제 1 전력 결합기;를 포함하는 메모리 효과의 보상을 위한 전치 왜곡 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 순수 아날로그 신호 왜곡기는, 선형 경로(Linear path) 및 비선형 경로(Nonlinear path)로 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 효과의 보상을 위한 전치 왜곡 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 순수 아날로그 신호 왜곡기는,
    상기 신호 지연기로부터 입력되는 신호를 제 1 신호 및 제 2 신호의 2개 신호로 분배하기 위한 제 2 전력 분배기;
    상기 제 2 전력 분배기에 의해 분배된 후 각각 상기 선형 경로 및 비선형 경로를 통해 전송된 신호를 결합하기 위한 제 2 전력 결합기;
    상기 제 2 전력 결합기에 의해 결합된 신호의 크기를 조절하기 위한 감쇄기(attenuator); 및
    상기 감쇄기에 의해 크기가 조절된 신호의 위상을 조절하기 위한 가변 위상기(phase shifter)를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 효과의 보상을 위한 전치 왜곡 시스템.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 비선형 경로는 비선형 소자 및 가변 위상기를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 효과의 보상을 위한 전치 왜곡 시스템.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 선형 경로는 가변 감쇄기 및 상기 비선형 경로를 통해 전송되는 신호에 대응되도록 입력 신호를 지연시키기 위한 딜레이(delay)부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 효과의 보상을 위한 전치 왜곡 시스템.

KR1020150000935A 2015-01-06 2015-01-06 메모리 효과의 보상을 위한 전치 왜곡 시스템 KR20160084579A (ko)

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