KR100801578B1 - 전력증폭기의 혼변조 신호발생기 및 이를 구비한 전치왜곡선형화 장치 - Google Patents

전력증폭기의 혼변조 신호발생기 및 이를 구비한 전치왜곡선형화 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100801578B1
KR100801578B1 KR1020060123895A KR20060123895A KR100801578B1 KR 100801578 B1 KR100801578 B1 KR 100801578B1 KR 1020060123895 A KR1020060123895 A KR 1020060123895A KR 20060123895 A KR20060123895 A KR 20060123895A KR 100801578 B1 KR100801578 B1 KR 100801578B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
signal
intermodulation
signals
port
intermodulation signal
Prior art date
Application number
KR1020060123895A
Other languages
English (en)
Inventor
김상원
Original Assignee
한국전자통신연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전자통신연구원 filed Critical 한국전자통신연구원
Priority to KR1020060123895A priority Critical patent/KR100801578B1/ko
Priority to PCT/KR2007/005148 priority patent/WO2008069436A1/en
Priority to US12/442,739 priority patent/US8023908B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100801578B1 publication Critical patent/KR100801578B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H03F1/3241—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using predistortion circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H03F1/3241—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using predistortion circuits
    • H03F1/3276—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using predistortion circuits using the nonlinearity inherent to components, e.g. a diode
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/192—A hybrid coupler being used at the input of an amplifier circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/211—Indexing scheme relating to amplifiers the input of an amplifier can be attenuated by a continuously controlled transistor attenuator
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

본 발명은 전력증폭기의 혼변조 신호발생기 및 이를 구비한 전치왜곡 선형화 장치에 관한 것으로, 제1 포트로 들어온 고주파 입력 신호를 제2 포트로 출력시키고, 제2 포트로 들어온 혼변조 신호를 제3 포트로 출력시키는 써큘레이터와, 상기 써큘레이터의 제2 포트를 통해 입력되는 신호의 위상을 바꾸어 분배하거나 조합하는 방향성 결합기와, 상기 방향성 결합기로부터 분배된 신호를 제공받아 혼변조 신호를 발생하는 대칭형의 제1 및 제2 쇼트키 다이오드와, 제1 및 제2 바이어스 전압의 조정에 따라 상기 제1 및 제2 쇼트키 다이오드로부터 발생된 혼변조 신호 성분의 위상을 제어하는 대칭형의 제1 및 제2 위상조정부와, 제3 및 제4 바이어스 전압의 조정에 따라 상기 제1 및 제2 쇼트키 다이오드로부터 발생된 혼변조 신호 성분의 크기 성분을 제어하는 대칭형의 제1 및 제2 크기조정부를 포함함으로써, 보다 높은 성능을 요하는 소형화된 통신시스템의 전력증폭기에 적용할 수 있는 효과가 있다.
전력증폭기, 혼변조 신호발생기, 전치왜곡 선형화 장치, 쇼트키 다이오드, 개별차수

Description

전력증폭기의 혼변조 신호발생기 및 이를 구비한 전치왜곡 선형화 장치{INTERMODULATION SIGNAL GENERATOR OF POWER AMPLIFIER AND PRE-DISTORTION LINEARIZER WITH THE SAME}
도 1은 종래의 3차 혼변조 신호발생기를 설명하기 위한 회로 구성도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전력증폭기의 혼변조 신호발생기를 설명하기 위한 회로 구성도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 적용된 서로 다른 특성을 갖는 제1 및 제2 쇼트키 다이오드에 의해 발생된 혼변조 신호 성분을 나타낸 그래프.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 전력증폭기의 혼변조 신호발생기에 의해 발생된 3차 및 5차 혼변조 신호 성분을 나타낸 그래프.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 전력증폭기의 혼변조 신호발생기에 의해 발생된 3차 및 5차 혼변조 신호 중 주 반송파 신호를 제거하기 위한 회로 구성도.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 전력증폭기의 혼변조 신호발생기에 의해 발생된 3차 및 5차 혼변조 신호 중 주 반송파 신호를 제거한 3차 및 5차 혼변조 신호 성분을 나타낸 그래프.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 전력증폭기의 혼변조 신호발생기를 구비한 전치왜곡 선형화 장치를 설명하기 위한 회로 구성도.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 혼변조 신호발생기 및 전치왜곡 선형화 장치를 이용한 30W급 AB 클래스 전력증폭기의 선형화 전/후의 실험결과를 나타낸 그래프.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 전력증폭기의 혼변조 신호발생기의 ADS(Advanced Design System) 시뮬레이션 회로 구성도.
도 10은 도 9의 ADS 시뮬레이션에 의해 발생된 3차 및 5차 혼변조 신호 성분을 나타낸 그래프.
*** 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 ***
100 : 혼변조 신호발생기, 110 : 써큘레이터,
120 : 90도 방향성 결합기, 130a,130b : 제1,2 LC회로,
140a,140b : 제1,2 쇼트키 다이오드,
150a,150b : 제1,2 위상조정부, 160a,160b : 제1,2 크기조정부
본 발명은 전치왜곡 선형 전력증폭기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 비선형 소자인 쇼트키 다이오드(Schottky Diode)를 이용하여 3차 및 5차 혼변조 신호를 발생하는 혼변조 신호발생기 및 이를 구비한 전치왜곡 선형화 장치에 관한 것이다.
최근 사용되고 있는 이동통신 시스템은 주파수 자원의 효율적 사용을 위해 코드분할 다중접속(Code Division Multiple Access, CDMA), 직교 진폭 변 조(Quadrature Amplitude Modulation, QAM), 직교 위상 편이 변조(Quardrature Phase Shift Keying, QPSK) 등과 같은 변조 방법들을 사용하고 있다.
이러한 종래의 변조 방법들은 고주파(RF) 신호의 최대전력 대 평균 전력의 비가 크고, 포락선 변동이 심하여 전력증폭기의 선형성이 요구된다. 그러나, 전력증폭기는 최대 출력의 추출과 효율의 극대화를 위해 비선형 특성이 강한 포화 영역 근처에서 동작되기 때문에 증폭기의 이득과 위상의 왜곡을 초래한다.
따라서, 전력증폭기의 비선형 특성을 보상하기 위한 별도의 선형화기가 필요하게 된다. 이러한 비선형 특성을 극복하기 위해 기존에 제안되어 실시되고 있는 선형화 방식 및 이에 따른 선형화 방법으로는 피드포워드(Feed-Forward) 방식에 따른 선형화기와 전치왜곡(Pre-Distortion) 방식의 선형화기가 있다.
상기 피드포워드 선형화 방식에 의한 전력증폭기의 경우, 인가되는 신호를 주경로(Main Path)와 보조경로(Sub Path)로 분가한 후, 주경로 상의 반송파 신호(혹은 톤신호 및 그에 상응하는 신호들)는 전력증폭기로서의 메인증폭기(Main Amp)를 통해 일정 레벨로 증폭 처리하여 출력한다.
상기 메인증폭기의 혼변조 신호들은 상쇄 3dB 하이브리드 결합기(Hybrid Coupler)를 통해 선별 출력되고, 이는 다시 감쇄기(Attenutor)를 통하여 일정 레벨로 감쇄된다. 상기 감쇄된 신호는 상기 보조 경로로 나뉘어진 후 제1 지연루프(1st Delay Loop)를 통하여 지연된 신호와 상기 상쇄 3dB 하이브리드 결합기를 통해 혼변조 신호의 상쇄에 따른 합성 처리가 이루어진다.
상기 상쇄 3dB 하이브리드 결합기를 통해 합성 처리된 결과의 신호는 다시 에러증폭기(Error Amp)를 에러 보정 및 증폭된다. 그리고, 상기 에러 보정 및 증폭된 신호는 상기 주경로 상에서 증폭 처리된 후 제2 지연루프(2st Delay Loop)를 통해 소정 지연된 신호와 출력단(Output)을 통해 합성된 후 출력된다. 상기 합성을 통해 혼변조 왜곡 신호들이 상쇄된 상태로 출력된다.
한편, 상기 전치왜곡 선형화 방식에 의한 전력증폭기의 경우, 인가되는 반송파 신호를 소정 전치왜곡부(Pre-Distorter)를 통해 미리 전치왜곡 처리한다. 그리고, 상기 전치왜곡 처리된 신호를 일정 레벨로 메인증폭기를 통해 증폭한 후 출력한다. 즉, 미리 전치왜곡 신호를 발생하여 이를 인가되는 신호에서 전치왜곡 신호 부분과 상쇄 처리한 후, 그 나머지 부분을 증폭하여 출력하는 방식으로, 일반적으로 광 대역폭과 넓은 동작범위, 소형 및 경량의 낮은 가격으로 구현할 수 있다는 장점이 있다.
통상의 전치왜곡부는 별도의 3차와 5차 혼변조 신호발생기로 구성된다.
도 1은 종래의 3차 혼변조 신호발생기를 설명하기 위한 회로 구성도로서, 고주파 입/출력신호 단자(RFin/RFout) 사이에 90도 하이브리드 결합기(90deg Hybrid Coupler) 즉, 90도 방향성 결합기(1), 커패시터(C), 인덕터(L), 다이오드(D) 및 저항(R) 등으로 구성되어 있다.
그러나, 이와 같은 종래의 3차 혼변조 신호발생기의 구조는 동일한 구조로 3차 및 5차 혼변조 신호 성분만을 추출해 내기 힘들며, 5차 혼변조 신호의 발생을 위해서 3차 혼변조 신호발생기와 다른 구조의 별도의 5차 혼변조 신호 발생기가 필 요하게 되거나 복잡한 추가 회로가 요구된다.
또한, 한 종류의 다이오드(D)에서 발생한 혼변조 신호 성분을 이용하기 때문에 원하는 3차 및 5차만의 혼변조 신호를 발생시키기 어려운 문제점이 있다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 서로 다른 특성을 갖는 두 개의 쇼트키 다이오드를 이용하여 3차 및 5차 혼변조 신호를 발생할 수 있도록 한 전력증폭기의 혼변조 신호발생기를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은, 광 대역폭과 넓은 동작범위, 소형 및 경량으로 구현할 수 있는 장점에도 불구하고, 선형성 개선 정도가 타 선형화 방식에 대비하여 상대적으로 부족하였던 전치왜곡 선형화 방식을 개선함으로써, 보다 높은 성능을 요하는 소형화된 통신시스템의 전력증폭기에 적용할 수 있는 혼변조 신호발생기를 구비한 전치왜곡 선형화 장치를 제공하는데 있다.
전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제1 측면은, 제1 포트로 들어온 고주파 입력 신호를 제2 포트로 출력시키고, 제2 포트로 들어온 혼변조 신호를 제3 포트로 출력시키는 써큘레이터; 상기 써큘레이터의 제2 포트를 통해 입력되는 신호의 위상을 바꾸어 분배하거나 조합하는 방향성 결합기; 상기 방향성 결합기로부터 분배된 신호를 제공받아 혼변조 신호를 발생하는 대칭형의 제1 및 제2 쇼트키 다이오드; 제1 및 제2 바이어스 전압의 조정에 따라 상기 제1 및 제2 쇼트키 다이오드 로부터 발생된 혼변조 신호 성분의 위상을 제어하는 대칭형의 제1 및 제2 위상조정부; 및 제3 및 제4 바이어스 전압의 조정에 따라 상기 제1 및 제2 쇼트키 다이오드로부터 발생된 혼변조 신호 성분의 크기 성분을 제어하는 대칭형의 제1 및 제2 크기조정부를 포함하는 전력증폭기의 혼변조 신호발생기를 제공하는 것이다.
여기서, 상기 방향성 결합기는 90도 하이브리드 결합기임이 바람직하다.
바람직하게는, 상기 제1 및 제2 쇼트키 다이오드는 서로 다른 특성을 갖으며, 각각 성질이 다른 혼변조 신호 성분을 발생한다.
바람직하게는, 상기 제1 및 제2 위상조정부는 버렉터 다이오드(Varactor Diode)로 이루어진다.
바람직하게는, 상기 제1 및 제2 크기조정부는 핀 다이오드(Pin Diode)로 이루어진다.
바람직하게는, 입력되는 RF 신호의 위상을 바꾸어 분배하거나 조합하는 제1 방향성 결합기; 상기 제1 방향성 결합기로부터 분배된 신호 중 하나의 신호를 제공받아 주 반송파 신호를 제거하기 위한 가변감쇄기 및 위상기; 상기 써큘레이터의 제3 포트로부터 출력된 혼변조 신호를 소정 시간동안 지연하기 위한 지연선로; 및 상기 가변감쇄기 및 위상기로부터 출력된 신호와 상기 지연선로로부터 출력된 혼변조 신호를 조합하여 출력하는 제2 방향성 결합기를 더 포함한다.
바람직하게는, 상기 제1 및 제2 방향성 결합기는 90도 하이브리드 결합기이다.
본 발명의 제2 측면은, 입력되는 RF 신호를 분배하여 주경로와 보조경로로 출력하는 제1 분배기; 상기 제1 분배기로부터 보조경로로 분배된 RF 신호를 일정레벨로 제어하여 출력하는 자동레벨제어기; 상기 자동레벨제어기로부터 출력된 신호를 4개로 전력 분배하여 출력하는 제2 내지 제4 분배기; 상기 제3 및 제4 분배기로부터 각각 분배된 제1 및 제3 신호 중 주 반송파 신호를 제거하는 제1 및 제3 가변감쇄기 및 위상기; 상기 제1 및 제3 가변감쇄기 및 위상기로부터 각각 출력된 신호를 소정시간동안 지연하는 제1 및 제3 지연선로; 상기 제3 및 제4 분배기로부터 각각 분배된 제2 및 제4 신호를 일정 정도로 증폭하는 제1 및 제3 에러증폭기; 상기 제1 및 제3 에러증폭기로부터 각각 증폭된 신호를 격리시키는 제1 및 제2 격리기; 상기 제1 및 제2 격리기로부터 각각 격리된 신호를 입력으로 3차 및 5차 혼변조 신호를 발생하는 3차 및 5차 혼변조 신호발생기; 상기 제1 지연선로로부터 지연된 신호와 상기 3차 혼변조 신호발생기로부터 발생된 3차 혼변조 신호를 결합하는 제1 결합기; 상기 제3 지연선로로부터 지연된 신호와 상기 5차 혼변조 신호발생기로부터 발생된 5차 혼변조 신호를 결합하는 제2 결합기; 상기 제1 및 제2 결합기로부터 각각 결합된 신호를 소정시간동안 지연하는 제2 및 제4 지연선로; 상기 제2 및 제4 지연선로로부터 각각 지연된 신호 중 주 반송파 신호를 제거하는 제2 및 제4 가변감쇄기 및 위상기; 상기 제2 및 제4 가변감쇄기 및 위상기로부터 각각 출력된 신호를 일정 정도로 증폭하는 제2 및 제4 에러증폭기; 상기 제2 및 제4 에러증폭기로부터 증폭된 신호를 결합하는 제3 결합기; 상기 제1 분배기로부터 주경로로 분배된 RF 신호를 소정시간동안 지연하는 제5 지연선로; 및 상기 제3 결합기로부터 결합된 신호와 상기 제5 지연선로로부터 지연된 신호를 결합하여 메인증폭기로 출력하는 제4 결합기를 포함하는 전치왜곡 선형화 장치를 제공하는 것이다.
즉, 고주파(RF) 입력신호를 본 발명의 일 실시예에 따른 3차 및 5차 혼변조 신호를 발생하는 혼변조 신호발생기에 의하여 추출하고, 상기 추출한 혼변조 신호를 전력증폭기의 입력에 인가하여 얻어지는 3차 및 5차 혼변조 신호의 억압특성에 따라, 전력증폭기의 비선형 특성을 보상함으로써, 높은 선형성을 갖는 전치왜곡 선형 전력증폭기를 제공할 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전력증폭기의 혼변조 신호발생기를 설명하기 위한 회로 구성도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전력증폭기의 혼변조 신호발생기(100)는, 반사 특성을 개선하기 위한 써큘레이터(Circulator)(110)와 90도 하이브리드 결합기(90deg Hybrid Coupler) 즉, 90도 방향성 결합기(120), 혼변조 신호를 발생하고 차수별로 조정하기 위한 대칭형의 여러 종류의 다이오드와 바이어스 라인 즉, 제1 및 제2 LC회로(130a)(130b), 제1 및 제2 쇼트키 다이오드(Schottky Diode)(140a)(140b), 제1 및 제2 위상조정부(150a)(150b) 및 제1 및 제2 크기조정 부(160a)(160b)를 포함하여 이루어진다.
여기서, 써큘레이터(110)는 고주파(RF) 입/출력 신호단자(RFin/RFout) 사이에 연결되어 있으며, 제1 포트(P1)로 들어온 신호를 제2 포트(P2)로 출력시키고, 제2 포트(P2)로 들어온 신호를 제3 포트(P3)로 출력시키는 기능을 수행한다.
이때, 제1 포트(P1)는 고주파 입력신호 단자(RFin)에 연결되어 있고, 제2 포트(P2)는 90도 방향성 결합기(120)의 입력단자(121)에 연결되어 있으며, 제3 포트(P3)는 고주파 출력신호 단자(RFout)에 연결되어 있다.
90도 방향성 결합기(120)는 입력되는 신호의 위상을 90도로 바꾸어 분배하거나 조합하는 기능을 수행한다.
이러한 90도 방향성 결합기(120)는 4개의 단자 즉, 입력단자(Input Port)(121), 격리단자(Isolated Port)(122), 결합단자(Coupled Port)(123) 및 통과단자(Through Port)(124)를 구비하고, 입력단자(121)는 대각선으로 통과단자(124)에 연결되어 있으며, 격리단자(122)는 대각선으로 결합단자(123)에 연결되어 있다.
상기와 같은 90도 방향성 결합기(120)의 동작을 설명하면, 먼저 써큘레이터(110)의 제2 포트(P2)로부터 출력된 신호가 입력단자(121)에 입력될 경우, 결합단자(123)와 통과단자(124)로 분리된다.
상기 분리된 신호는 다시 결합단자(123)와 통과단자(124)에서 각각 반사된다. 상기 각각 반사된 신호들은 격리단자(122)에서 벡터 합성되어 출력된다.
그런데 이때, 격리단자(122)는 50오옴(Ω)의 임피던스 저항기(125)를 통해 접지(GND)에 접속되어 있으므로, 결합단자(123)에서 반사된 신호는 단락된 격리단자(122)의 단자 임피던스에 의해 전반사 된다. 상기 전반사된 신호는 입력단자(121)로 다시 출력된다.
또한, 결합단자(123)와 통과단자(124)에는 각각 일측이 접지(GND)에 접속된 제1 및 제2 LC회로(130a)(130b)가 접속되어 있다.
그리고, 제1 LC회로(130a)는 결합단자(123)와 접지(GND) 사이에 제1 바이패스 캐패시터(C1) 및 제1 인덕터(L1)가 직렬로 연결되어 있으며, 제2 LC회로(130b)는 통과단자(124)와 접지(GND) 사이에 제2 바이패스 캐패시터(C2) 및 제2 인덕터(L2)가 직렬로 연결되어 있다.
제1 및 제2 쇼트키 다이오드(140a)(140b)는 비선형 소자로서 서로 다른 특성을 갖으며, 각각 성질이 다른 혼변조 신호 성분을 발생하는 기능을 수행한다.
이러한 제1 및 제2 쇼트키 다이오드(140a)(140b)의 일단은 접지(GND)에 각각 연결되어 있으며, 타단은 제1 및 제2 바이패스 캐패시터(C1)(C2)와 제1 및 제2 인덕터(L1)(L2) 사이에 각각 연결되어 있다.
제1 및 제2 위상조정부(150a)(150b)는 제1 및 제2 바이어스 제어전압(Vcc1)(Vcc2)의 조정에 따라 제1 및 제2 쇼트키 다이오드(140a)(140b)로부터 발생된 혼변조 신호 성분의 위상을 제어하는 기능을 수행한다.
이러한 제1 위상조정부(150a)는 제1 버렉터 다이오드(Varactor Diode)(151a)와 제3 인덕터(L3)가 직렬로 연결되어 있고, 제3 인덕터(L3)의 일단은 제1 바이어스 제어전압(Vcc1) 단자에 연결되어 있으며, 타단은 제1 버렉터 다이오드(151a)의 일단에 연결되어 있다. 그리고, 제1 버렉터 다이오드(151a)의 타단은 접지(GND)와 제1 쇼트키 다이오드(140a)의 타단에 각각 연결되어 있다.
제2 위상조정부(150b)는 제2 버렉터 다이오드(151b)와 제4 인덕터(L4)가 직렬로 연결되어 있고, 제4 인덕터(L4)의 일단은 제2 바이어스 제어전압(Vcc2) 단자에 연결되어 있으며, 타단은 제2 버렉터 다이오드(151b)의 일단에 연결되어 있다. 그리고, 제2 버렉터 다이오드(151b)의 타단은 접지(GND)와 제2 쇼트키 다이오드(140b)의 타단에 각각 연결되어 있다.
그리고, 제1 및 제2 크기조정부(160a)(160b)는 제3 및 제4 바이어스 제어전압(Vcc3)(Vcc4)의 조정에 따라 제1 및 제2 쇼트키 다이오드(140a)(140b)로부터 발생된 혼변조 신호 성분의 크기 성분을 제어하는 기능을 수행한다.
이러한 제1 크기조정부(160a)는 제1 핀 다이오드(Pin Diode)(165a), 제5 인덕터(L5) 및 제3 바이패스 캐패시터(C3)로 구성되어 있다.
여기서, 제1 핀 다이오드(165a)의 일단은 제1 쇼트키 다이오드(140a)의 타단에 연결되어 있고, 타단은 제3 바이패스 캐패시터(C3)를 통해 접지(GND)에 연결되어 있으며, 제5 인덕터(L5)의 일단은 제3 바이어스 제어전압(Vcc3) 단자에 연결되어 있으며, 타단은 제1 핀 다이오드(165a)의 타단에 연결되어 있다.
제2 크기조정부(160b)는 제2 핀 다이오드(165b), 제6 인덕터(L6) 및 제4 바이패스 캐패시터(C4)로 구성되어 있다.
여기서, 제2 핀 다이오드(165b)의 일단은 제2 쇼트키 다이오드(140b)의 타단에 연결되어 있고, 타단은 제4 바이패스 캐패시터(C4)를 통해 접지(GND)에 연결되 어 있으며, 제6 인덕터(L6)의 일단은 제4 바이어스 제어전압(Vcc4) 단자에 연결되어 있으며, 타단은 제2 핀 다이오드(165b)의 타단에 연결되어 있다.
즉, 바이어스 제어전압(Vcc1～Vcc4)의 전압을 각각 조절하여 3차 혼변조 성분이 우세한 경우와 5차 혼변조 성분이 우세한 경우의 전압 포인트를 찾게 되면, 각각의 전압 조정만으로 동일한 구조에서 3차 및 5차 혼변조 신호 발생기로 사용할 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 혼변조 신호 발생기(100)는 동일한 하드웨어 구조로 버렉터 다이오드와 핀 다이오드에 인가되는 전압을 적절히 제어(Control)하여 서로 다른 두 개의 쇼트키 다이오드의 비선형 특성의 합성으로 3차 혼변조 신호 성분과 5차 혼변조 신호 성분을 얻게 만들어 준다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 적용된 서로 다른 특성을 갖는 제1 및 제2 쇼트키 다이오드에 의해 발생된 혼변조 신호 성분을 나타낸 그래프로서, 도 3의 (a)는 제1 쇼트키 다이오드(140a)(HSMS-2852)에 의한 혼변조 신호 발생을 나타낸 것이며, 도 3의 (b)는 제2 쇼트키 다이오드(140b)(HSMS-282c)에 의한 혼변조 신호 발생을 나타낸 것이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 입력된 RF 신호는 서로 다른 두 종류의 쇼트키 다이오드(140a)(140b)로부터 각각 성질이 다른 혼변조 신호 성분이 발생되게 된다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 전력증폭기의 혼변조 신호발생기에 의해 발생된 3차 및 5차 혼변조 신호 성분을 나타낸 그래프로서, 도 4의 (a)는 본 발명에 따른 혼변조 신호발생기(100)의 구조에서 적절한 전압 조정으로 인한 3차 혼변 조 신호 발생을 보여주고 있으며, 도 4의 (b)는 본 발명에 따른 혼변조 신호발생기(100)의 구조에서 적절한 전압 조정으로 5차 혼변조 신호 발생을 보여주고 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 혼변조 신호발생기(100)는 원하는 3차 및 5차 혼변조 신호 성분이외에 주 반송파(Main Carrier) 신호도 포함되어 있으므로, 후술하는 도 5에 도시된 주 반송파 제거 회로에 의해서 후술하는 도 6의 (a)와 같이 3차 혼변조 신호 성분을 얻게 되고, 마찬가지로 도 6의 (b)와 같이 5차 혼변조 신호 성분을 얻을 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 전력증폭기의 혼변조 신호발생기에 의해 발생된 3차 및 5차 혼변조 신호 중 주 반송파 신호를 제거하기 위한 회로 구성도이다.
도 5를 참조하면, 고주파 입력신호 단자(RFin)와 혼변조 신호발생기(100)의 사이에 연결되어 입력되는 RF 신호의 위상을 바꾸어 분배하거나 조합하는 제1 방향성 결합기(200)와, 제1 방향성 결합기(200)로부터 분배된 신호 중 하나의 신호를 제공받아 주 반송파(Main Carrier) 신호를 제거하기 위한 가변감쇄기 및 위상기(300)와, 혼변조 신호발생기(100)로부터 출력된 혼변조 신호를 소정 시간동안 지연하기 위한 지연선로(400)와, 가변감쇄기 및 위상기(300)로부터 출력된 신호와 지연선로(400)로부터 출력된 혼변조 신호를 조합하여 고주파 출력신호 단자(RFout)로 출력하는 제2 방향성 결합기(500)로 구성되어 있다.
여기서, 제1 및 제2 방향성 결합기(200)(500)는 예컨대, 90도 하이브리드 결 합기로 구현됨이 바람직하다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 전력증폭기의 혼변조 신호발생기에 의해 발생된 3차 및 5차 혼변조 신호 중 주 반송파 신호를 제거한 3차 및 5차 혼변조 신호 성분을 나타낸 그래프로서, 도 6의 (a)는 도 5의 주 반송파 제거 회로를 이용하여 본 발명에 따른 혼변조 신호발생기(100)에 의해 발생된 3차 혼변조 신호에서 주 반송파 신호를 제거한 것을 도시하고 있으며, 도 6의 (b)는 도 5의 주 반송파 제거 회로를 이용하여 본 발명에 따른 혼변조 신호발생기(100)에 의해 발생된 5차 혼변조 신호에서 주 반송파 신호를 제거한 것을 도시하고 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 전력증폭기의 혼변조 신호발생기를 구비한 전치왜곡 선형화 장치를 설명하기 위한 회로 구성도이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전력증폭기의 혼변조 신호발생기를 구비한 전치왜곡 선형화 장치는, 입력되는 RF 신호를 분배하여 주경로와 보조경로로 출력하는 제1 분배기(600)와, 제1 분배기(600)로부터 보조경로로 분배된 RF 신호를 일정레벨로 제어하여 출력하는 자동레벨제어기(Automatic Level Control, ALC)(601)와, 자동레벨제어기(601)로부터 출력된 신호를 4개로 전력 분배하여 출력하는 제2 내지 제4 분배기(602 내지 604)와, 제3 분배기(603)로부터 분배된 제1 신호 중 주 반송파 신호를 제거하는 제1 가변감쇄기 및 위상기(605)와, 제1 가변감쇄기 및 위상기(605)로부터 출력된 신호를 소정 시간동안 지연하는 제1 지연선로(606)와, 제3 분배기(603)로부터 분배된 제2 신호를 일정 정도로 증폭하는 제1 에러증폭기(607)와, 제1 에러증폭기(607)로부터 증폭된 신호를 격리시키는 제1 격 리기(Isolator)(608)와, 제1 격리기(608)로부터 격리된 신호를 입력으로 3차 혼변조 신호를 발생하는 혼변조 신호발생기(100)와, 제1 지연선로(606)로부터 지연된 신호와 혼변조 신호발생기(100)로부터 발생된 3차 혼변조 신호를 결합하는 제1 결합기(609)와, 제1 결합기(609)로부터 결합된 신호를 소정 시간동안 지연하는 제2 지연선로(610)와, 제2 지연선로(610)로부터 지연된 신호 중 주 반송파 신호를 제거하는 제2 가변감쇄기 및 위상기(611)와, 제2 가변감쇄기 및 위상기(611)로부터 출력된 신호를 일정 정도로 증폭하는 제2 에러증폭기(612)와,
제4 분배기(604)로부터 분배된 제3 신호 중 주 반송파 신호를 제거하는 제3 가변감쇄기 및 위상기(613)와, 제3 가변감쇄기 및 위상기(613)로부터 출력된 신호를 소정 시간동안 지연하는 제3 지연선로(614)와, 제4 분배기(604)로부터 분배된 제4 신호를 일정 정도로 증폭하는 제3 에러증폭기(615)와, 제3 에러증폭기(615)로부터 증폭된 신호를 격리시키는 제2 격리기(616)와, 제2 격리기(616)로부터 격리된 신호를 입력으로 5차 혼변조 신호를 발생하는 혼변조 신호발생기(100)와, 제3 지연선로(614)로부터 지연된 신호와 혼변조 신호발생기(100)로부터 발생된 5차 혼변조 신호를 결합하는 제2 결합기(617)와, 제2 결합기(617)로부터 결합된 신호를 소정 시간동안 지연하는 제4 지연선로(618)와, 제4 지연선로(618)로부터 지연된 신호 중 주 반송파 신호를 제거하는 제4 가변감쇄기 및 위상기(619)와, 제4 가변감쇄기 및 위상기(619)로부터 출력된 신호를 일정 정도로 증폭하는 제4 에러증폭기(620)와,
제2 및 제4 에러증폭기(612)(620)로부터 증폭된 신호를 결합하는 제3 결합기(621)와, 제1 분배기(600)로부터 주경로로 분배된 RF 신호를 소정의 시간동안 지 연하는 제5 지연선로(622)와, 제3 결합기(621)로부터 결합된 신호와 제5 지연선로(622)로부터 지연된 신호를 결합하여 메인증폭기(Main Amp)(700)로 출력하는 제4 결합기(624)로 구성되어 있다.
여기서, 제5 지연선로(622)는 주경로상의 RF 입력신호를 지연하여 보조경로상의 RF 신호가 제4 결합기(624)에 입력되는 시점이 동일하도록 보상한다.
상기와 같이 구성된 전치왜곡 선형화 장치의 동작 원리는, 입력 RF 신호는 제1 분배기(600)에 의하여 주경로와 혼변조 신호발생을 위한 보조경로로 분배되어 출력된다. 주경로에는 전체 혼변조 발생을 위한 장치들의 지연 시간을 보상하기 위한 제5 지연선로(622)가 필요하다.
보조경로로 입력된 신호는 자동레벨제어기(601)에 의해 전체 입력신호 레벨과 상관없이 항상 일정한 출력을 내보내어 3차 및 5차 혼변조 신호발생기(100)에 적절한 입력 레벨로 고정시킨다. 자동레벨제어기(601)의 출력은 다시 제2 내지 제4 분배기(602 내지 604)에 의해 동일한 위상과 크기로 분배되어 각각 3차 및 5차 혼변조 신호발생기(100)에 입력되고, 발생된 3차 및 5차 혼변조 신호는 각각의 혼변조 신호의 크기와 위상이 제어된 후 제4 결합기(624)에 의해 합쳐진 후 다시 전력 증폭기 즉, 메인증폭기(700)의 입력 단에서 결합되어 인가된다. 전력 증폭기의 비선형 특성과 역의 특성을 갖는 3차 및 5차 혼변조 신호는 포화영역에서의 비선형 전력 증폭기의 선형화를 이루게 된다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 혼변조 신호발생기 및 전치왜곡 선형화 장치를 이용한 30W급 AB 클래스 전력증폭기의 선형화 전/후의 실험결과를 나타낸 그래프로서, 코드분할 다중접속(Code Division Multiple Access, CDMA) 신호 입력의 경우 1840MHz에서 1870MHz에서 10dB의 선형화 결과를 얻었다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 전력증폭기의 혼변조 신호발생기의 ADS(Advanced Design System) 시뮬레이션 회로 구성도이고, 도 10은 도 9의 ADS 시뮬레이션에 의해 발생된 3차 및 5차 혼변조 신호 성분을 나타낸 그래프로서, 도 10의 (a)에 도시된 바와 같이, 버렉터 다이오드와 핀 다이오드의 전압 조절만으로 원하는 3차 혼변조 신호가 발생됨을 확인하였다. 마찬가지로, 도 10의 (b)에서도 전압 조절만으로 원하는 5차 혼변조 신호가 발생됨을 확인하였다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 전치왜곡 방식을 사용하는 선형증폭기에서 증폭기의 비선형 특성에 대해 정확하게 역의 특성을 갖는 왜곡 특성을 구할 수 있으면 양호한 선형화 특성을 구현할 수 있는 선형 증폭기를 구성할 수 있다.
상기와 같은 전력 증폭기의 혼변조 왜곡 전달 특성은 각 차수별로 다르고, 또한 입력신호의 전력 레벨에 따라 다르다. 따라서, 이에 근거하여 전치왜곡 방식을 사용하는 선형증폭기에서 혼변조 신호들을 각각의 차수별로 발생시키고, 그 진폭과 위상을 독립적으로 조정하는 전치왜곡기를 구현하면 선형화 특성을 개선시킬 수 있다.
전술한 본 발명에 따른 전력증폭기의 혼변조 신호발생기 및 이를 구비한 전치왜곡 선형화 장치에 대한 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명에 속한 다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 전력증폭기의 혼변조 신호발생기 및 이를 구비한 전치왜곡 선형화 장치에 따르면, 첫째, 개선된 혼변조 신호발생기에 의해 3차 및 5차 혼변조 신호를 추출하고, 추출한 혼변조 신호들을 전력증폭기의 입력에 인가함으로써, 최대 출력의 추출과 효율의 극대화를 위해 비선형 특성의 강한 포화 영역에서 동작하는 전력증폭기의 동작에 기인하는 비선형 특성을 보상하여 높은 선형성을 제공할 수 있는 이점이 있다.
둘째, 개선된 혼변조 신호발생기에 의해 3차 및 5차 혼변조 신호를 개별적으로 발생시켜 각각의 신호 레벨을 제어함으로써, 보다 높은 선형성을 제공할 수 있는 이점이 있다.
셋째, 서로 다른 특성을 갖는 두 개의 쇼트키 다이오드의 비선형 특성의 합성으로 인한 깨끗한 3차만의 혼변조 신호 혹은 5차만의 혼변조 신호를 얻을 수 있으며, 3차와 5차 혼변조 신호에 맞게 설정된 각각의 혼변조 신호 발생기는 자동레벨제어기에 의한 일정한 입력 신호 레벨로 안정된 3차와 5차 혼변조 신호 성분이 생성될 수 있는 이점이 있다.
넷째, 광대역의 넓은 동작범위, 소형 및 경량으로 구현할 수 있는 장점에도 불구하고, 선형성 개선 정도가 타 선형 전력증폭기에 대비하여 상대적으로 부족하였던 전치왜곡 선형화 방식을 개선함으로써, 보다 높은 선형 능력을 요하는 소형화된 통신시스템에 적용할 수 있는 전력증폭기를 제공할 수 있는 이점이 있다.

Claims (13)

  1. 제1 포트로 들어온 고주파 입력 신호를 제2 포트로 출력시키고, 제2 포트로 들어온 혼변조 신호를 제3 포트로 출력시키는 써큘레이터;
    상기 써큘레이터의 제2 포트를 통해 입력되는 신호의 위상을 바꾸어 분배하거나 조합하는 방향성 결합기;
    상기 방향성 결합기로부터 분배된 신호를 제공받아 혼변조 신호를 발생하는 대칭형의 제1 및 제2 쇼트키 다이오드;
    제1 및 제2 바이어스 전압의 조정에 따라 상기 제1 및 제2 쇼트키 다이오드로부터 발생된 혼변조 신호 성분의 위상을 제어하는 대칭형의 제1 및 제2 위상조정부; 및
    제3 및 제4 바이어스 전압의 조정에 따라 상기 제1 및 제2 쇼트키 다이오드로부터 발생된 혼변조 신호 성분의 크기 성분을 제어하는 대칭형의 제1 및 제2 크기조정부를 포함하는 전력증폭기의 혼변조 신호발생기.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 방향성 결합기는 90도 하이브리드 결합기인 것을 특징으로 하는 전력증폭기의 혼변조 신호발생기.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 쇼트키 다이오드는 서로 다른 특성을 갖으며, 각각 성질이 다른 혼변조 신호 성분을 발생하는 것을 특징으로 하는 전력증 폭기의 혼변조 신호발생기.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 위상조정부는 버렉터 다이오드(Varactor Diode)로 이루어진 것을 특징으로 하는 전력증폭기의 혼변조 신호발생기.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 크기조정부는 핀 다이오드(Pin Diode)로 이루어진 것을 특징으로 하는 전력증폭기의 혼변조 신호발생기.
  6. 제 1 항에 있어서,
    입력되는 RF 신호의 위상을 바꾸어 분배하거나 조합하는 제1 방향성 결합기;
    상기 제1 방향성 결합기로부터 분배된 신호 중 하나의 신호를 제공받아 주 반송파 신호를 제거하기 위한 가변감쇄기 및 위상기;
    상기 써큘레이터의 제3 포트로부터 출력된 혼변조 신호를 소정 시간동안 지연하기 위한 지연선로; 및
    상기 가변감쇄기 및 위상기로부터 출력된 신호와 상기 지연선로로부터 출력된 혼변조 신호를 조합하여 출력하는 제2 방향성 결합기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전력증폭기의 혼변조 신호발생기.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 방향성 결합기는 90도 하이브리드 결합기인 것을 특징으로 하는 전력증폭기의 혼변조 신호발생기.
  8. 입력되는 RF 신호를 분배하여 주경로와 보조경로로 출력하는 제1 분배기;
    상기 제1 분배기로부터 보조경로로 분배된 RF 신호를 일정레벨로 제어하여 출력하는 자동레벨제어기;
    상기 자동레벨제어기로부터 출력된 신호를 4개로 전력 분배하여 출력하는 제2 내지 제4 분배기;
    상기 제3 및 제4 분배기로부터 각각 분배된 제1 및 제3 신호 중 주 반송파 신호를 제거하는 제1 및 제3 가변감쇄기 및 위상기;
    상기 제1 및 제3 가변감쇄기 및 위상기로부터 각각 출력된 신호를 소정시간동안 지연하는 제1 및 제3 지연선로;
    상기 제3 및 제4 분배기로부터 각각 분배된 제2 및 제4 신호를 일정 정도로 증폭하는 제1 및 제3 에러증폭기;
    상기 제1 및 제3 에러증폭기로부터 각각 증폭된 신호를 격리시키는 제1 및 제2 격리기;
    상기 제1 및 제2 격리기로부터 각각 격리된 신호를 입력으로 3차 및 5차 혼변조 신호를 발생하는 3차 및 5차 혼변조 신호발생기;
    상기 제1 지연선로로부터 지연된 신호와 상기 3차 혼변조 신호발생기로부터 발생된 3차 혼변조 신호를 결합하는 제1 결합기;
    상기 제3 지연선로로부터 지연된 신호와 상기 5차 혼변조 신호발생기로부터 발생된 5차 혼변조 신호를 결합하는 제2 결합기;
    상기 제1 및 제2 결합기로부터 각각 결합된 신호를 소정시간동안 지연하는 제2 및 제4 지연선로;
    상기 제2 및 제4 지연선로로부터 각각 지연된 신호 중 주 반송파 신호를 제거하는 제2 및 제4 가변감쇄기 및 위상기;
    상기 제2 및 제4 가변감쇄기 및 위상기로부터 각각 출력된 신호를 일정 정도로 증폭하는 제2 및 제4 에러증폭기;
    상기 제2 및 제4 에러증폭기로부터 증폭된 신호를 결합하는 제3 결합기;
    상기 제1 분배기로부터 주경로로 분배된 RF 신호를 소정시간동안 지연하는 제5 지연선로; 및
    상기 제3 결합기로부터 결합된 신호와 상기 제5 지연선로로부터 지연된 신호를 결합하여 메인증폭기로 출력하는 제4 결합기를 포함하는 전치왜곡 선형화 장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 3차 및 5차 혼변조 신호발생기는,
    제1 포트로 들어온 고주파 입력 신호를 제2 포트로 출력시키고, 제2 포트로 들어온 혼변조 신호를 제3 포트로 출력시키는 써큘레이터;
    상기 써큘레이터의 제2 포트를 통해 입력되는 신호의 위상을 바꾸어 분배하거나 조합하는 방향성 결합기;
    상기 방향성 결합기로부터 분배된 신호를 제공받아 혼변조 신호를 발생하는 대칭형의 제1 및 제2 쇼트키 다이오드;
    제1 및 제2 바이어스 전압의 조정에 따라 상기 제1 및 제2 쇼트키 다이오드 로부터 발생된 혼변조 신호 성분의 위상을 제어하는 대칭형의 제1 및 제2 위상조정부; 및
    제3 및 제4 바이어스 전압의 조정에 따라 상기 제1 및 제2 쇼트키 다이오드로부터 발생된 혼변조 신호 성분의 크기 성분을 제어하는 대칭형의 제1 및 제2 크기조정부를 포함하는 전치왜곡 선형화 장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 방향성 결합기는 90도 하이브리드 결합기인 것을 특징으로 하는 전치왜곡 선형화 장치.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 쇼트키 다이오드는 서로 다른 특성을 갖으며, 각각 성질이 다른 혼변조 신호 성분을 발생하는 것을 특징으로 하는 전치왜곡 선형화 장치.
  12. 제 9 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 위상조정부는 버렉터 다이오드(Varactor Diode)로 이루어진 것을 특징으로 하는 전치왜곡 선형화 장치.
  13. 제 9 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 크기조정부는 핀 다이오드(Pin Diode)로 이루어진 것을 특징으로 하는 전치왜곡 선형화 장치.
KR1020060123895A 2006-12-07 2006-12-07 전력증폭기의 혼변조 신호발생기 및 이를 구비한 전치왜곡선형화 장치 KR100801578B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060123895A KR100801578B1 (ko) 2006-12-07 2006-12-07 전력증폭기의 혼변조 신호발생기 및 이를 구비한 전치왜곡선형화 장치
PCT/KR2007/005148 WO2008069436A1 (en) 2006-12-07 2007-10-19 Intermodulation signal generator of power amplifier and pre-distortion linearizer having the same
US12/442,739 US8023908B2 (en) 2006-12-07 2007-10-19 Intermodulation signal generator of power amplifier and pre-distortion linearizer having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060123895A KR100801578B1 (ko) 2006-12-07 2006-12-07 전력증폭기의 혼변조 신호발생기 및 이를 구비한 전치왜곡선형화 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100801578B1 true KR100801578B1 (ko) 2008-02-11

Family

ID=39342569

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060123895A KR100801578B1 (ko) 2006-12-07 2006-12-07 전력증폭기의 혼변조 신호발생기 및 이를 구비한 전치왜곡선형화 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8023908B2 (ko)
KR (1) KR100801578B1 (ko)
WO (1) WO2008069436A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113346848A (zh) * 2021-06-18 2021-09-03 中国电子科技集团公司第二十四研究所 一种基于hbt工艺的高三阶交调点中功率射频放大电路

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130241656A1 (en) 2012-03-19 2013-09-19 Auriga Measurement Systems, LLC Power Amplification System Using Doherty Amplifier with Linearization Circuit and Related Techniques
US10116528B2 (en) * 2015-10-02 2018-10-30 Keysight Technologies Singapore (Holdings) Ptd Ltd Direct network traffic monitoring within VM platforms in virtual processing environments
CN107276541B (zh) * 2017-06-14 2020-06-30 电子科技大学 可变矢量混合叠加式预失真线性化方法
TWI660333B (zh) * 2018-03-23 2019-05-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其關機控制方法
CN113659938B (zh) * 2021-08-24 2023-05-12 电子科技大学 一种模拟预失真器
WO2024068001A1 (en) * 2022-09-30 2024-04-04 Huawei Technologies Co., Ltd. Power splitter and a power amplifier

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990060622A (ko) * 1997-12-31 1999-07-26 윤종용 혼변조신호의 개별차수 조정 전치왜곡 선형화장치 및 방법
US6340917B1 (en) 1999-03-18 2002-01-22 Alcatel Broad frequency band linearization device
KR20020041951A (ko) * 2000-11-29 2002-06-05 김철동 주파수 혼합기의 비선형성 보상 장치 및 그 방법
KR20040106018A (ko) * 2003-06-10 2004-12-17 삼성전자주식회사 전력 증폭기를 위한 아날로그 적응 전치왜곡 장치
KR20050079713A (ko) * 2004-02-06 2005-08-11 김종헌 전력 증폭기의 전치왜곡장치

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2120965A1 (en) * 1993-04-14 1994-10-15 Katsumi Uesaka Distortion generating circuit
RU2142670C1 (ru) * 1995-11-16 1999-12-10 Самсунг Электроникс Ко., Лтд. Устройство линейного усиления мощности
FR2773422B1 (fr) * 1998-01-06 2000-02-04 Alsthom Cge Alcatel Dispositif de controle en amplitude et en phase d'un signal radiofrequence
FR2796505B1 (fr) 1999-07-16 2001-10-26 Thomson Csf Lineariseur pour amplificateur hyperfrequence
US6466084B1 (en) * 2000-01-24 2002-10-15 General Instrument Corporation Circuit for reducing third order intermodulation distortion for a broadband RF amplifier
KR100358976B1 (ko) 2001-02-20 2002-11-01 엔알디테크 주식회사 Ａｓｋ 송수신기
KR20020068735A (ko) 2001-02-22 2002-08-28 세원텔레텍 주식회사 전력증폭기의 선형화 장치 및 방법 그리고 그에 따른선형전력증폭기
US7266307B2 (en) 2002-02-01 2007-09-04 Isaac Shpantzer Method and apparatus for pulse generation and adaptive pulse generation for optical communications
KR100570510B1 (ko) 2004-07-26 2006-04-12 주식회사 에이텔시스텍 휴대인터넷 시간분할이중방식 안테나단의 누설신호로 인한3차왜곡 억제방법 및 그 안테나단
JP5060532B2 (ja) * 2008-09-10 2012-10-31 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ べき級数型プリディストータ、べき級数型プリディストータの制御方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990060622A (ko) * 1997-12-31 1999-07-26 윤종용 혼변조신호의 개별차수 조정 전치왜곡 선형화장치 및 방법
US6340917B1 (en) 1999-03-18 2002-01-22 Alcatel Broad frequency band linearization device
KR20020041951A (ko) * 2000-11-29 2002-06-05 김철동 주파수 혼합기의 비선형성 보상 장치 및 그 방법
KR20040106018A (ko) * 2003-06-10 2004-12-17 삼성전자주식회사 전력 증폭기를 위한 아날로그 적응 전치왜곡 장치
KR20050079713A (ko) * 2004-02-06 2005-08-11 김종헌 전력 증폭기의 전치왜곡장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113346848A (zh) * 2021-06-18 2021-09-03 中国电子科技集团公司第二十四研究所 一种基于hbt工艺的高三阶交调点中功率射频放大电路

Also Published As

Publication number Publication date
US8023908B2 (en) 2011-09-20
WO2008069436A1 (en) 2008-06-12
US20100001801A1 (en) 2010-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8154339B2 (en) V-band high-power transmitter with integrated power combiner
US7170344B2 (en) Multi-band predistorter using power series representation
KR100806427B1 (ko) 무선 주파수 신호를 발생시키는 방법 및 장치
EP1187314B1 (en) Adaptive power amplifier system and method
KR100801578B1 (ko) 전력증폭기의 혼변조 신호발생기 및 이를 구비한 전치왜곡선형화 장치
KR20010089465A (ko) 인터모드-보완 전치왜곡 경로를 갖는 병렬 알 에프 전력증폭기를 사용하는 알 에프 전력 증폭기 선형화 장치
EP3046253B1 (en) Doherty amplifier and transmission apparatus
KR100342783B1 (ko) 전치왜곡 선형화장치
WO2013015778A1 (en) Actively tuned circuit having parallel carrier and peaking paths
JPWO2015071931A1 (ja) 電力増幅器及び電力増幅方法
US9461596B1 (en) Doherty power amplifier with integrated pre-distortion
KR20080065042A (ko) 도허티 전력 증폭기를 위한 디지털 전치 왜곡 선형화기
KR100309720B1 (ko) 지연보상을 위한 증폭기를 가지는 피드포워드 방식의 선형 전력증폭기
KR100371531B1 (ko) 에러 피드백을 이용한 피드포워드 선형 전력 증폭기
KR101131910B1 (ko) 이동통신시스템의 출력단
KR101106955B1 (ko) 이동통신시스템의 출력단
KR101199005B1 (ko) 피드포워드 고주파 전력 증폭기
JP2003332852A (ja) プリディストーション回路
JP4299213B2 (ja) 歪み発生回路および歪み補償装置
KR100943049B1 (ko) 선형 ｒｆ 평형 전력 증폭기
KR20160084579A (ko) 메모리 효과의 보상을 위한 전치 왜곡 시스템
KR100375315B1 (ko) 왜곡을 감소시키는 믹서
KR100321872B1 (ko) 독립적으로 변조간 왜곡을 제거하는 다중 선형 증폭장치
KR101190558B1 (ko) Ａｐｄ 동기 결합을 이용한 이동통신 시스템의 출력단
JP2003258562A (ja) 歪み補償付き増幅回路

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110104

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20111208

Year of fee payment: 20