JP2003332852A - プリディストーション回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来のプリディストーション回路において
は、歪み発生回路で発生する相互変調歪みの低域側のＩ
Ｍ３Ｌと高域側のＩＭ３Ｕとのレベル差と、電力増幅器
１２１で発生する相互変調歪みの低域側のＩＭ３Ｌと高
域側のＩＭ３Ｕとのレベル差とが、互いに異なる場合に
は、充分に大きな歪み抑圧量を得ることが困難であっ
た。 【解決手段】 電力増幅器１２１の出力信号に基づき、
歪み発生回路１１２中のバリキャップダイオードを用い
て、歪み発生回路１１２の出力負荷インピーダンスを可
変させ、歪み発生回路での、ＩＭ３ＬとＩＭ３Ｕとのレ
ベル差と、電力増幅器でのレベル差とを互いに等しくし
て、歪み抑圧を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、主として携帯電話
等の移動体通信用基地局装置に用いられている電力増幅
器に関するものであり、電力増幅器の非線形歪みを抑圧
して、高効率動作を行うことが可能なプリディストーシ
ョン回路などに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、携帯電話等の移動体通信用基地局
装置では、高効率で低歪みな増幅器装置が要求されてい
る。そこで、高効率かつ低歪みな増幅器を構成するため
に、例えばプリディストーション方式のような歪み補償
型の電力増幅器が用いられている。

【０００３】図１３に従来のプリディストーション回路
の構造を示しており、従来のプリディストーション回路
の構成について説明する。

【０００４】図１３において、２０１は入力端子、２０
２は出力端子、２０３は電力分配器、２０４は遅延回
路、２０５は電力合成器、２０６は電力分配器、２０７
は遅延回路、２０８は電力合成器、２０９は入力回路、
２１０は歪み発生素子、２１１は出力回路、２１２は歪
み発生回路、２１３は可変位相器、２１４は可変減衰
器、２１５は可変位相器、２１６は可変減衰器、２１７
は方向性結合器、２１８は入力回路、２１９は電力増幅
素子、２２０は出力回路、２２１は電力増幅器、２２２
は方向性結合器、２２３はレベル検出器、２２４は制御
回路、２２５はレベル検出器、２２６は制御回路であ
る。

【０００５】次に、以上のように構成された従来のプリ
ディストーション回路の動作について説明する。

【０００６】入力端子２０１から入力された複数のキャ
リア周波数を持つ入力信号は、電力分配器２０３で２分
配される。電力分配器２０３によって２分配された一方
のキャリア信号は電力分配器２０６で２分配される。電
力分配器２０６によって２分配された一方のキャリア信
号は、歪み発生回路２１２の歪み発生素子２１０の非線
形により、キャリア信号とは他に歪み信号が発生され、
可変位相器２１３、可変減衰器２１４を通って位相およ
び振幅の調整を行い、電力合成器２０８に入力される。

【０００７】電力分配器２０６によって２分配されたも
う一方のキャリア信号は、遅延回路２０７を通って電力
合成器２０８に入力される。電力合成器２０８によって
合成された信号は可変位相器２１５、可変減衰器２１６
通って位相および振幅の調整を行い、方向性結合器２１
７によって２分配され、一方の信号は電力合成器２０５
に入力される。方向性結合器２１７によって２分配され
たもう一方の信号は、レベル検出器２２５を通って、制
御回路２２６に入力される。

【０００８】制御回路２２６は、その入力レベルに応じ
て制御電圧を発生させ、その制御電圧は可変位相器２１
３、可変減衰器２１４の制御端子に入力され、位相量と
減衰量を制御する。制御回路２２６は、遅延回路２０７
から出力されるキャリア信号と、可変減衰器２１４から
出力される信号のうちキャリア周波数成分の信号を等振
幅かつ逆位相となるように可変位相器２１３、可変減衰
器２１４を制御する。その結果、電力合成器２０８から
は、歪み発生手段で発生した歪み成分信号が出力され
る。

【０００９】電力分配器２０３によって２分配されたも
う一方のキャリア信号は、遅延回路２０４を通って電力
合成器２０５に入力される。電力合成器２０５によって
合成された、歪み成分とキャリア成分を含んだ信号は電
力増幅器２２１によって増幅され、出力端子２０２より
出力される。

【００１０】電力増幅器２２１と出力端子２０２との間
には方向性結合器２２２が挿入されており、電力増幅器
２２１から出力された信号の一部がレベル検出器２２３
を通って、制御回路２２４に与えられる。制御回路２２
４は、電力合成器２０５から出力される歪み信号が、電
力増幅器２２１においてキャリア信号を増幅する時に発
生する相互変調歪み（以下では、「歪み」と表現する）
と等振幅かつ逆位相となるように、可変位相器２１５、
可変減衰器２１６を制御する。

【００１１】このように、図１３に示すプリディストー
ション回路では、電力増幅器２２１で発生する歪み信号
と等振幅かつ逆位相の歪み信号成分をキャリア信号に付
加させて電力増幅器２２１に入力することによって、電
力増幅器２２１で発生させる歪み信号を低減するように
している。

【００１２】一般に、歪み発生回路２１２は、歪み発生
素子２１０、入力回路２０９、出力回路２１１によって
構成されている。歪み発生回路２１２を、図１４を用い
て詳しく説明する。

【００１３】図１４において、２３１は入力端子、２３
２は出力端子、２３３は入力整合回路、２３４は入力バ
イアス供給回路、２３５は出力バイアス供給回路、２３
６は出力整合回路、２３７、２３９、２４４、２４６、
２４７、２４８はキャパシタ、２３８、２４５は伝送線
路、２４０、２４２はインダクタ、２４１は入力バイア
ス供給端子、２４３は出力バイアス供給端子である。

【００１４】入力回路２０９は、入力整合回路２３３と
入力バイアス供給回路２３４によって構成されており、
出力回路２１１は、出力整合回路２３６と出力バイアス
供給回路２３５によって構成されている。

【００１５】入力整合回路２３３は、伝送線路２３８と
キャパシタ２３７、２４７によって構成され、出力整合
回路２３６は、伝送線路２４５とキャパシタ２４６、２
４８で構成されている。

【００１６】入力バイアス供給回路２３４、出力バイア
ス供給回路２３５は、インダクタ２４０、２４２とキャ
パシタ２３９、２４４とバイアス供給端子２４１、２４
３で構成されている。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】プリディストーション
回路の歪み抑圧量は、歪み発生回路と主増幅器との歪み
特性が、正確に逆特性（等振幅、逆位相）でなければそ
の効果は著しく減少することになる。

【００１８】しかしながら、Ｗ−ＣＤＭＡに代表される
近年のシステムにおいては、出力信号の平均電力のコン
トロール、包絡線の変動による瞬時電力の変化が存在
し、また、キャリア信号の周波数間隔の変化も存在す
る。

【００１９】電力増幅器２２１で発生する歪みには、キ
ャリア周波数に対して低周波側に発生する３次変調歪み
（ＩＭ３Ｌとする）と、高周波側に発生する３次変調歪
み（ＩＭ３Ｕとする）があり、このＩＭ３ＬとＩＭ３Ｕ
のレベル差が電力レベルに応じて変動する場合、また、
キャリア信号の周波数間隔が変化する場合において、歪
み発生回路２１２で発生するＩＭ３ＬとＩＭ３Ｕの両方
を、電力増幅器２２１で発生するＩＭ３ＬとＩＭ３Ｕと
等振幅かつ逆位相とすることは困難である。

【００２０】一般に、入力回路２０９、出力回路２１１
は、ある動作点（動作電力）、ある周波数間隔で調整さ
れており、キャパシタ２３７、２３９、２４４、２４
６、２４７、２４８、インダクタ２４０、２４２、伝送
線路２３８、２４５の数値は固定されている。つまり、
入出力回路における入出力負荷インピーダンスは固定さ
れている。

【００２１】したがって、その調整された動作点、周波
数間隔においては、歪み発生回路２１０と電力増幅器２
１５のＩＭ３ＬとＩＭ３Ｕを共に等振幅かつ逆位相とす
ることは可能であるが、動作点、周波数間隔が変化する
と、ＩＭ３ＬとＩＭ３Ｕのレベル差が電力増幅器２２１
と歪み発生回路２１２で異なってしまい、ＩＭ３Ｌ、Ｉ
Ｍ３Ｕの両方に対して充分な歪み抑圧量を得ることがで
きない。

【００２２】本発明では上記の課題を考慮し、歪み発生
回路および電力増幅器のＩＭ３ＬとＩＭ３Ｕのレベル差
が電力レベルに応じて変動する場合やキャリア信号の周
波数間隔が変化する場合においても、大きな歪み補償量
を得ることが可能なプリディストーション回路を提供す
ることを目的とする。

【００２３】

【課題を解決するための手段】第１の本発明（請求項１
に対応）は、キャリア信号を増幅する増幅部と、前記増
幅部にてキャリア信号を増幅する際に発生する歪み信号
と実質上同一の周波数の歪み信号を発生させる歪み生成
部とを備え、前記歪み生成部からの出力信号を前記増幅
部で増幅することによって前記キャリア信号を増幅の際
に発生する歪み信号を抑圧するプリディストーション回
路において、前記歪み生成部の負荷インピーダンスを変
える調整機構を備えるプリディストーション回路であ
る。

【００２４】第２の本発明（請求項２に対応）は、前記
歪み生成部の負荷インピーダンスを変える調整機構に代
えて、前記増幅部の負荷インピーダンスを変える調整機
構を備える第１記載のプリディストーション回路であ
る。

【００２５】第３の本発明（請求項３に対応）は、前記
負荷インピーダンスを変える調整機構は、前記増幅部の
出力信号のレベルをもとに調整する第１または２記載の
プリディストーション回路である。

【００２６】第４の本発明（請求項４に対応）は、前記
負荷インピーダンスを変える調整機構は、可変キャパシ
タを用いる第１、２または３の本発明のプリディストー
ション回路である。

【００２７】第５の本発明（請求項５に対応）は、前記
負荷インピーダンスを変える調整機構は、直列に接続さ
れた、可変キャパシタと伝送線路とを用いる第１、２ま
たは３の本発明のプリディストーション回路である。

【００２８】第６の本発明（請求項６に対応）は、前記
可変キャパシタはバリキャップダイオードである第４、
または５の本発明のプリディストーション回路である。

【００２９】第７の本発明（請求項７に対応）は、前記
負荷インピーダンスを変える調整機構は、可変インダク
タを用いる第１、２または３の本発明のプリディストー
ション回路である。

【００３０】第８の本発明（請求項８に対応）は、入力
信号を分配する第１の電力分配器と、前記第１の電力分
配器の分配された一方の出力信号の伝播時間を遅延させ
る第１の遅延回路と、前記第1の電力分配器に分配され
た他方の出力信号を分配する第２の電力分配器と、前記
第２の電力分配器に分配された一方の出力信号の伝播時
間を遅延させる第２の遅延回路と、前記第２の電力分配
器に分配された他方の出力信号を入力し、歪み信号を発
生する、第１の入力回路、第１の歪み発生素子および第
１の出力回路で構成された第１の歪み発生回路と、前記
第１の歪み発生回路からの出力信号の位相および振幅を
調整する第１の可変位相器および第１の可変減衰器と、
前記第１の可変減衰器または第１の可変位相器からの出
力信号と、前記第２の遅延回路からの出力信号とを合成
する第１の電力合成器と、前記第１の電力合成器からの
出力信号の位相および振幅を調整する第２の可変位相器
および第２の可変減衰器と、前記第２の可変減衰器また
は第２の可変位相器からの出力信号を分配する第３の電
力分配器と、前記第３の電力分配器からの一方の出力信
号と前記第１の遅延回路からの出力信号とを合成する第
２の電力合成器と、前記第３の電力分配器からの他方の
出力信号のレベルを検出する第１のレベル検出器と、前
記第１のレベル検出器の出力信号をもとに制御信号を生
成する第１の制御回路と、前記第２の電力合成器からの
出力信号を増幅する、第２の入力回路、第１の電力増幅
素子および第２の出力回路で構成された第１の電力増幅
器と、前記第１の電力増幅器の出力信号を分配する第４
の電力分配器と、前記第４の電力分配器の出力信号のレ
ベルを検出する第２のレベル検出器と、前記第２のレベ
ル検出器の出力信号をもとに制御信号を生成する第２の
制御回路とを備え、前記第１の制御回路からの制御信号
により、前記第１の可変位相器および前記第１の可変減
衰器を制御し、前記第２の制御回路からの制御信号によ
り、前記第２の可変位相器および前記第２の可変減衰器
を制御するとともに、さらに、前記第１の入力回路、前
記第１の出力回路、前記第２の入力回路および前記第２
の出力回路のうち少なくとも１つを制御するプリディス
トーション回路である。

【００３１】第９の本発明（請求項９に対応）は、前記
第１の歪み発生回路は、前記第１の歪み発生素子と、前
記第１の歪み発生素子の入力整合を行う第１の入力整合
回路と、前記第１の歪み発生素子の入力にバイアス電圧
を印加する第１の入力バイアス供給回路と、前記第１の
歪み発生素子の出力整合を行う第１の出力整合回路と、
前記第１の歪み発生素子の出力にバイアス電圧を印加す
る第１の出力バイアス供給回路とを有し、前記第１の入
力整合回路および前記第１の出力整合回路の少なくとも
１つは、負荷インピーダンスを変えることが可能な容量
可変キャパシタを用いている第８の本発明のプリディス
トーション回路である。

【００３２】第１０の本発明（請求項１０に対応）は、
前記第１の電力増幅器は、前記第１の電力増幅素子と、
前記第１の電力増幅素子の入力整合を行う第２の入力整
合回路と、前記第１の電力増幅素子の入力にバイアス電
圧を印加する第２の入力バイアス供給回路と、前記第１
の電力増幅素子の出力整合を行う第２の出力整合回路
と、前記第１の電力増幅素子の出力にバイアス電圧を印
加する第２の出力バイアス供給回路とを有し、前記第２
の入力整合回路および前記第２の出力整合回路の少なく
とも１つは、負荷インピーダンスを変えることが可能な
容量可変キャパシタを用いている第８の本発明のプリデ
ィストーション回路である。

【００３３】第１１の本発明（請求項１１に対応）は、
前記第１の歪み発生回路は、前記第１の歪み発生素子
と、前記第１の歪み発生素子の入力整合を行う第１の入
力整合回路と、前記第１の歪み発生素子の入力にバイア
ス電圧を印加する第１の入力バイアス供給回路と、前記
第１の歪み発生素子の出力整合を行う第１の出力整合回
路と、前記第１の歪み発生素子の出力にバイアス電圧を
印加する第１の出力バイアス供給回路とを有し、前記第
１の入力整合回路および前記第１の出力整合回路の少な
くとも１つは、負荷インピーダンスを変えることが可能
な、容量可変キャパシタと伝送線路とを直列に接続して
用いている第８の本発明のプリディストーション回路で
ある。

【００３４】第１２の本発明（請求項１２に対応）は、
前記第１の電力増幅器は、前記第１の電力増幅素子と、
前記第１の電力増幅素子の入力整合を行う第２の入力整
合回路と、前記第１の電力増幅素子の入力にバイアス電
圧を印加する第２の入力バイアス供給回路と、前記第１
の電力増幅素子の出力整合を行う第２の出力整合回路
と、前記第１の電力増幅素子の出力にバイアス電圧を印
加する第２の出力バイアス供給回路とを有し、前記第２
の入力整合回路および前記第２の出力整合回路の少なく
とも１つは、負荷インピーダンスを変えることが可能
な、容量可変キャパシタと伝送線路とを直列に接続して
用いている第８の本発明のプリディストーション回路で
ある。

【００３５】第１３の本発明（請求項１３に対応）は、
入力信号を分配する第５の電力分配器と、前記第５の電
力分配器の出力信号を分配する第６の電力分配器と、前
記第６の電力分配器の分配された一方の出力信号の伝播
時間を遅延させる第３の遅延回路と、前記第６の電力分
配器に分配された他方の出力信号を分配する第７の電力
分配器と、前記第７の電力分配器に分配された一方の出
力信号の伝播時間を遅延させる第４の遅延回路と、前記
第７の電力分配器に分配された他方の出力信号を入力す
ることで歪み信号を発生する、第３の入力回路、第２の
歪み発生素子および第３の出力回路で構成された第２の
歪み発生回路と、前記第２の歪み発生回路からの出力信
号の位相および振幅を調整する第３の可変位相器および
第３の可変減衰器と、前記第３の可変減衰器または第３
の可変位相器からの出力信号と前記第４の遅延回路から
の出力信号とを合成する第３の電力合成器と、前記第３
の電力合成器からの出力信号の位相および振幅を調整す
る第４の可変位相器および第４の可変減衰器と、前記第
４の可変減衰器または第５の可変位相器からの出力信号
を分配する第８の電力分配器と、前記第８の電力分配器
からの出力信号と前記第３の遅延回路からの出力信号と
を合成する第４の電力合成器と、前記第８の電力分配器
からの出力信号のレベルを検出する第３のレベル検出器
と、前記第３のレベル検出器の出力信号をもとに制御信
号を生成する第３の制御回路と、前記第４の電力合成器
からの出力信号を増幅する、第４の入力回路、第２の電
力増幅素子および第４の出力回路で構成された第２の電
力増幅器と、前記第２の電力増幅器の出力信号を分配す
る第９の電力分配器と、前記第９の電力分配器の出力信
号のレベルを検出する第４のレベル検出器と、前記第４
のレベル検出器の出力信号をもとに制御信号を生成する
第４の制御回路と、前記第５の電力分配器に分配された
他方の出力信号の包絡線成分を検波する第１の包絡線検
波器と、前記第１の包絡線検波器からの出力信号をもと
に制御信号を生成する第５の制御回路とを備え、前記第
３の制御回路からの制御信号により、前記第３の可変位
相器および前記第４の可変減衰器を制御し、前記第４の
制御回路からの制御信号により、前記第４の可変位相器
および前記第４の可変減衰器を制御し、前記第５の制御
回路からの制御信号により、前記第３の出力回路および
前記第４の出力回路のうち少なくとも１つを制御するプ
リディストーション回路である。

【００３６】第１４の本発明（請求項１４に対応）は、
前記第４の制御回路からの制御信号により、前記第３の
入力回路、前記第３の出力回路、前記第４の入力回路お
よび前記第４の出力回路のうち少なくとも１つを制御す
る第１３の本発明のプリディストーション回路である。

【００３７】第１５の本発明（請求項１５に対応）は、
前記第３の入力整合回路、前記第３の出力整合回路、前
記第４の入力整合回路および前記第４の出力整合回路の
うち少なくとも１つは、容量可変キャパシタを用いてい
る第１３または１４の本発明のプリディストーション回
路である。

【００３８】第１６の本発明（請求項１６に対応）は、
前記第３の入力整合回路、前記第３の出力整合回路、前
記第４の入力整合回路および前記第４の出力整合回路の
うち少なくとも１つは、負荷インピーダンスを変えるこ
とが可能な、容量可変キャパシタと伝送線路とを直列に
接続して用いている第１３または１４の本発明のプリデ
ィストーション回路である。

【００３９】第１７の本発明（請求項１７に対応）は、
前記第２の歪み発生回路は、前記第２の歪み発生素子
と、前記第２の歪み発生素子の入力整合を行う第３の入
力整合回路と、前記第２の歪み発生素子の入力にバイア
ス電圧を印加する第３の入力バイアス供給回路と、前記
第２の歪み発生素子の出力整合を行う第３の出力整合回
路と、前記第２の歪み発生素子の出力にバイアス電圧を
印加する第３の出力バイアス供給回路とを有し、前記第
３の出力バイアス供給回路は、負荷インピーダンスを変
えることが可能な容量可変キャパシタを用いている第１
３から１６のいずれかの本発明のプリディストーション
回路である。

【００４０】第１８の本発明（請求項１８に対応）は、
前記第２の電力増幅器は、前記第２の電力増幅素子と、
前記第２の電力増幅素子の入力整合を行う第４の入力整
合回路と、前記第２の電力増幅素子の入力にバイアス電
圧を印加する第４の入力バイアス供給回路と、前記第２
の電力増幅素子の出力整合を行う第４の出力整合回路
と、前記第２の電力増幅素子の出力にバイアス電圧を印
加する第４の出力バイアス供給回路とを有し、前記第４
の出力バイアス供給回路は、負荷インピーダンスを変え
ることが可能な容量可変キャパシタを用いている第１３
から１６のいずれかの本発明のプリディストーション回
路である。

【００４１】第１９の本発明（請求項１９に対応）は、
前記第３の出力バイアス供給回路と前記第４の出力バイ
アス供給回路のうち少なくとも１つ以上は、容量可変キ
ャパシタを用いている第１３から１６のいずれかの本発
明のプリディストーション回路である。

【００４２】第２０の本発明（請求項２０に対応）は、
前記第１の包絡線検波器で検波された包絡線成分の出力
負荷インピーダンスがショートになるように、前記第３
および前記第４の出力バイアス供給回路の容量可変キャ
パシタの少なくとも１つ以上を制御する第１７から１９
のいずれかの本発明のプリディストーション回路であ
る。

【００４３】第２１の本発明（請求項２１に対応）は、
前記容量可変キャパシタがバリキャップダイオードであ
る第１７から２０のいずれかの本発明のプリディストー
ション回路である。

【００４４】第２２の本発明（請求項２２に対応）は、
前記第１から前記第４の入力整合回路および前記第１か
ら前記第４の出力整合回路は、可変インダクタを用いて
いる第１３から１６のいずれかの本発明のプリディスト
ーション回路である。

【００４５】第２３の本発明（請求項２３に対応）は、
第１〜２２のいずれかの本発明のプリディストーション
回路を備えた移動体通信用基地局装置である。

【００４６】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。なお、本発明は下記の実施の形態
に限定されるものではない。

【００４７】（実施の形態１）以下、本発明の実施の形
態１におけるプリディストーション回路について、図1
〜図４を参照しながら説明する。図１は本発明の実施の
形態１におけるプリディストーション回路の構造図であ
る。

【００４８】図１において、１０１は入力端子、１０２
は出力端子、１０３は電力分配器、１０４は遅延回路、
１０５は電力合成器、１０６は電力分配器、１０７は遅
延回路、１０８は電力合成器、１０９は入力回路、１１
０は歪み発生素子、１１１は出力回路、１１２は歪み発
生回路、１１３は可変位相器、１１４は可変減衰器、１
１５は可変位相器、１１６は可変減衰器、１１７は方向
性結合器、１１８は入力回路、１１９は電力増幅素子、
１２０は出力回路、１２１は電力増幅器、１２２は方向
性結合器、１２３はレベル検出器、１２４は制御回路、
１２５はレベル検出器、１２６は制御回路である。

【００４９】また、電力分配器１０３の入力端をポート
ａ、電力合成器１０５の入力端をポートｂ、ポートｅ、
出力端をポートｆ、電力合成器１０８の入力端をポート
ｃ、ポートｄ、方向性結合器の出力端をポートｇとす
る。

【００５０】入力端子１０１は電力分配器１０３の入力
に接続され、電力分配器１０３の一方の出力は遅延回路
１０４を介して、電力合成器１０５の入力の一方に接続
されている。電力分配器１０３のもう一方の出力は、電
力分配器１０６の入力に接続され、電力分配器１０６の
一方の出力は歪み発生回路１１２、可変位相器１１３、
可変減衰器１１４を介して、電力合成器１０８の一方の
入力に接続されている。

【００５１】電力分配器１０６のもう一方の出力は、遅
延回路１０７を介して、電力合成器１０８のもう一方の
入力に接続されている。電力合成器１０８の出力は、可
変位相器１１５、可変減衰器１１６を介して、方向性結
合器１１７の入力に接続され、方向性結合器１１７の出
力の一方は、電力合成器１０５のもう一方の入力に接続
されている。電力合成器１０５の出力は、電力増幅器１
２１、方向性結合器１２２を介して、出力端子１０２に
接続されている。

【００５２】方向性結合器１１７のもう一方の出力は、
レベル検出器１２５、制御回路１２６を介して、可変位
相器１１３、可変減衰器１１４の制御端子に接続されて
いる。方向性結合器１２２のもう一方の出力は、レベル
検出器１２３、制御回路１２４を介して、可変位相器１
１５、可変減衰器１１６、出力回路１１１の制御端子に
接続されている。

【００５３】例えば、歪み発生素子１１０、電力増幅素
子１１９には、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）等のト
ランジスタを用いる。また例えば、遅延回路１０４、１
０７には、セミリジットケーブル等の同軸ケーブルを用
いる。また例えば、制御回路１２４、１２６は、記憶用
の装置としてＲＯＭ等のメモリを用いて構成されてい
る。

【００５４】また、歪み発生回路１１２は、入力回路１
０９、歪み発生素子１１０、出力回路１１１で構成され
ており、電力増幅器１２１は、入力回路１１８、電力増
幅素子１１９、出力回路１２０で構成されている。

【００５５】歪み発生回路１１２は、具体的には図２に
示す回路で構成されている。図２において、１３１は入
力端子、１３２は出力端子、１３３は入力整合回路、１
３４は入力バイアス供給回路、１３５は出力バイアス供
給回路、１３６は出力整合回路、１３７、１３９、１４
４、１４８、１４９、１５０はキャパシタ、１３８、１
４５は伝送線路、１４０、１４２はインダクタ、１４１
は入力バイアス供給端子、１４３は出力バイアス供給端
子、１４６はバリキャップダイオード、１４７はバリキ
ャップダイオード制御端子である。

【００５６】入力回路１０９は、入力整合回路１３３と
入力バイアス供給回路１３４によって構成されており、
出力回路１１１は、出力整合回路１３６と出力バイアス
供給回路１３５によって構成されている。入力整合回路
１３３は、伝送線路１３８とキャパシタ１３７、１４９
で構成されている。出力整合回路１３６は、伝送線路１
４５とバリキャップダイオード１４６とバリキャップダ
イオード制御端子１４７とキャパシタ１４８、１５０で
構成されている。

【００５７】入力バイアス供給回路１３４は、キャパシ
タ１３９、インダクタ１４０、入力バイアス供給端子１
４１で構成されており、出力バイアス供給回路１３５
は、インダクタ１４２、出力バイアス供給端子１４３、
キャパシタ１４４で構成されている。

【００５８】出力整合回路１３６において、印加電圧に
より容量値を可変できるバリキャップダイオード１４６
を用いることによって、出力回路の負荷インピーダンス
を変えることが可能となる。

【００５９】次に、以上のように構成されたプリディス
トーション回路の動作について説明する。

【００６０】入力端子１０１から入力された複数のキャ
リア周波数（周波数をｆ１、ｆ２とする）を持つ入力信
号は、電力分配器１０３で２分配される。電力分配器１
０３のポートａへの入力信号の周波数スペクトラムを図
３（ａ）に示す。電力分配器１０３で２分配された一方
の出力信号は、遅延回路１０４で遅延され、電力合成器
１０４のポートｂに入力される。この時のポートｂへの
入力信号の周波数スペクトラムを図３（ｂ）に示す。ポ
ートｂにおけるスペクトラムは、キャリア周波数成分の
み（ｆ１、ｆ２）である。

【００６１】電力分配器１０３で２分配されたもう一方
の信号は、電力分配器１０６で２分配される。電力分配
器１０６で２分配された一方の出力信号は、遅延回路１
０７で遅延され、電力合成器１０８のポートｃに入力さ
れる。この時のポートｃへの入力信号の周波数スペクト
ラムを図３（ｃ）に示す。ポートｃにおけるスペクトラ
ムは、ポートａ、ｂと同様にキャリア周波数成分のみ
（ｆ１、ｆ２）である。

【００６２】電力分配器１０６で２分配されたもう一方
の信号は、歪み発生回路１１２に入力される。歪み発生
回路１１２は、歪み発生素子１１０の非線形性のため
に、キャリア周波数（ｆ１、ｆ２）の他にキャリア周波
数の信号間の相互変調による歪み成分（ここではｆ３、
ｆ４とする）を含んだ信号を出力する。

【００６３】ここで、キャリア周波数（ｆ１、ｆ２）に
対して低周波側に発生する３次変調歪み（ＩＭ３Ｌ）を
ｆ３、高周波側に発生する３次変調歪み（ＩＭ３Ｕ）を
ｆ４とする。歪み発生回路１１２の出力信号は、可変位
相器１１３で位相を、可変減衰器１１４で振幅を調整さ
れ、電力合成器１０８のポートｄに入力される。この時
のポートｄへの入力信号の周波数スペクトラムを図３
（ｄ）に示す。ポートｄにおけるスペクトラムは、キャ
リア周波数成分（ｆ１、ｆ２）と歪み成分（ｆ３、ｆ
４）を含んでいる。

【００６４】この時、ポートｃにおける信号のキャリア
周波数成分（ｆ１、ｆ２）と、ポートｄにおける信号の
キャリア周波数成分（ｆ１、ｆ２）が、等振幅かつ逆位
相となるように可変位相器１１３、可変減衰器１１４が
調整される。結果として、キャリア周波数成分（ｆ１、
ｆ２）は抑圧され、電力合成器１０８の出力信号は、歪
み成分（ｆ３、ｆ４）のみとなる。その信号は、可変位
相器１１５で位相を、可変減衰器１１６で振幅を調整さ
れ、方向性結合器１１７で２分配される。方向性結合器
１１７で２分配された一方の信号は、電力合成器１０５
のポートｅに入力される。このときのポートｅへの入力
信号の周波数スペクトラムを図３（ｅ）に示す。

【００６５】方向性結合器１１７で２分配されたもう一
方の信号は、レベル検出器１２５でその信号レベルが検
出され、その出力信号が制御回路１２６に入力される。
制御回路１２６は、出力信号のレベルに応じて制御電圧
を発生し、その制御電圧によって、可変位相器１１３、
可変減衰器１１４の制御端子に入力され、可変位相器１
１３の位相量と可変減衰器１１４の減衰量を制御する。

【００６６】電力合成器１０５のポートｂ、ポートｅへ
の信号は、合成されポートｆより出力され、電力増幅器
１２１に入力される。このときのポートｆへの入力信号
の周波数スペクトラムを図３（ｆ）に示す。ポートｆに
おけるスペクトラムは、キャリア周波数成分（ｆ１、ｆ
２）と歪み成分（ｆ３、ｆ４）を含んでいる。

【００６７】電力増幅器１２１は、本来、複数のキャリ
ア周波数（ｆ１、ｆ２）を持つ信号が入力されると、電
力増幅素子１１９の非線形性により、キャリア周波数
（ｆ１、ｆ２）の他にキャリア周波数の信号間の相互変
調による歪み成分（ｆ３、ｆ４）を含んだ信号を出力す
る特性を有している。この時の出力信号の周波数スペク
トラムを図３（ｇ）に示す。

【００６８】ここで、図３（ｆ）に示す電力合成器１０
５のポートｆにおける歪み成分（ｆ３、ｆ４）と、図３
（ｇ）に示す歪み成分（ｆ３、ｆ４）のキャリア周波数
成分（ｆ１、ｆ２）に対する相対レベルを等しくし、位
相が逆位相となるように、可変位相器１１５、可変減衰
器１１６、出力回路１１１を制御することによって、電
力増幅器１２１においては、歪み成分が抑圧されて、キ
ャリア周波数成分のみが出力されることになる。

【００６９】電力増幅器１２１の出力信号は、方向性結
合器１２２で２分配されて、一方の信号は、出力端子１
０２に出力される。この出力端子１０２に出力される信
号の周波数スペクトラムを図３（ｈ）に示す。

【００７０】方向性結合器１２２のもう一方の出力信号
は、レベル検出器１２３でその信号レベルが検出され、
その出力信号が制御回路１２４に入力される。制御回路
１２４は、出力信号のレベルに応じて制御電圧を発生
し、その制御電圧によって、可変位相器１１５、可変減
衰器１１６、出力回路１１１のバリキャップダイオード
制御端子１４７に入力される。可変位相器１１５は位相
量、可変減衰器１１６は減衰量、出力回路１１１はバリ
キャップダイオード１４６の容量値を制御する。

【００７１】ここで、歪み発生回路１１２、電力増幅器
１２１において、ＩＭ３ＬとＩＭ３Ｕのレベルに差があ
る場合について、図４を用いて説明を行う。ある動作点
Ａにおいて、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、歪み発
生回路１１２のＩＭ３ＬおよびＩＭ３Ｕ、電力増幅器１
１３のＩＭ３ＬおよびＩＭ３Ｕ共にレベル差がない場合
は、可変位相器１１３、１１５、可変減衰器１１４、１
１６を制御することによって、ポートｇでＩＭ３Ｌ、Ｉ
Ｍ３Ｕ共に抑圧することは可能である。また、動作点Ｂ
において、図４（ｃ）、（ｄ）に示すように、歪み発生
回路１１２のＩＭ３ＬおよびＩＭ３Ｕ、電力増幅器１１
３のＩＭ３ＬおよびＩＭ３Ｕ共に同じレベル差（図4
（ｃ）、（ｄ）では３ｄＢ）である場合は、動作点Ａと
同様に、可変位相器１１３、１１５、可変減衰器１１
４、１１６を制御することによって、ポートｇでＩＭ３
Ｌ、ＩＭ３Ｕ共に抑圧することは可能である。しかし、
図４（ｅ）、（ｆ）に示すように、動作点Ｃでは、歪み
発生回路１１２のＩＭ３ＬおよびＩＭ３Ｕはレベル差が
１ｄＢであり、電力増幅器１１３のＩＭ３ＬおよびＩＭ
３Ｕ共には３ｄＢのレベル差がある場合は、ポートｇで
ＩＭ３Ｌ、ＩＭ３Ｕ両方を抑圧することは困難である。
このように、ＩＭ３ＬとＩＭ３Ｕのレベル差が、歪み発
生回路１１２と電力増幅器１２１で異なる場合は、ＩＭ
３Ｌ、ＩＭ３Ｕ共に充分に大きな歪み抑圧を行うことは
困難である。

【００７２】例えば、動作点Ａ、動作点Ｂ、動作点Ｃを
図４（ｈ）に示す。例えば、動作点Ａと動作点Ｃの変化
の幅を１０ｄＢとする。

【００７３】ここで、本実施の形態では、歪み発生回路
１１２の出力整合回路１３６に容量が可変できるバリキ
ャップダイオード１４６を用いることによって、歪み発
生回路１１２の出力負荷インピーダンスを変化させて、
ＩＭ３ＬとＩＭ３Ｕのレベル差を図４（ｇ）に示すよう
に３ｄＢとすることによって、電力増幅器１２１のＩＭ
３ＬとＩＭ３Ｕのレベル差と等しくし、ＩＭ３Ｌ、ＩＭ
３Ｕ両方において歪み抑圧を行うことが可能となる。

【００７４】この時、レベル検出器１２３で信号レベル
が検出され、その出力信号が制御回路１２４に入力され
るが、制御回路１２４は、出力信号のレベルに応じて制
御電圧を発生し、その制御電圧は、バリキャップダイオ
ード制御端子１４７に入力され、歪み発生回路１１２の
ＩＭ３ＬとＩＭ３Ｕのレベル差が、電力増幅器のそれと
等しくなるようにバリキャップダイオード１４６の容量
値を変化させる。また、制御電圧は、可変位相器１１
５、可変減衰器１１６に送られ、可変位相器１１５は位
相量、可変減衰器１１６は減衰量を制御する。

【００７５】このようにすることによって、歪み発生回
路１１２と電力増幅器１２１のＩＭ３ＬとＩＭ３Ｕのレ
ベル差が異なる場合においても、動作点の変化に応じ
て、電力増幅器１１５に入力される歪み成分信号の振幅
と位相が最適になるように制御することが可能となる。

【００７６】また、上記では、歪み発生回路１１２の出
力回路１１１の整合回路１３６に容量値を可変できるバ
リキャップダイオード１４６を用いて、出力回路１１１
の負荷インピーダンスを可変することができるとした
が、図５に示す回路を用いても良い。１５１はバリキャ
ップダイオード、１５２はバリキャップダイオード制御
端子、１５３、１５４はキャパシタであり、図２と同じ
構成要素には、同一の符号を付与している。入力回路１
０９の整合回路１３３にバリキャップダイオード１５１
を用いて、出力整合回路にキャパシタ１５３を用いて、
入力回路１０９の負荷インピーダンスを可変できるよう
にしている。この場合でも本実施の形態と同様の効果が
得られる。

【００７７】なお、本実施の形態では、歪み発生回路１
１２を図２に示す回路で構成したが、電力増幅器１２１
を図２に示す回路で構成しても良い。つまり、出力回路
１２０の出力整合回路１３６において、バリキャップダ
イオード１４６を用いることによって、電力増幅器１２
１の出力負荷インピーダンスを可変とすることができ
る。この場合は、制御回路１２４によって、出力回路１
２０のバリキャップダイオード１４６の容量値を制御す
る。

【００７８】また、電力増幅器１２１を図５に示す回路
で構成しても良い。つまり、入力回路１１８の入力整合
回路１３３において、バリキャップダイオード１５１を
用いることによって、電力増幅器１２１の入力負荷イン
ピーダンスを可変とすることができる。この場合は、制
御回路１２４によって、入力回路１１８のバリキャップ
ダイオード１５１の容量値を制御する。以上の場合で
も、本実施の形態と同様の効果が得られる。

【００７９】なお、本実施の形態では、歪み発生素子１
１０、電力増幅素子１１９を電界効果トランジスタ（Ｆ
ＥＴ）を用いて構成したが、これを両者ともバイポーラ
トランジスタを用いても良い。また、歪み発生素子１１
０には、ダイオードを用いても良い。以上の場合でも、
本実施の形態と同様の効果が得られる。

【００８０】なお、本実施の形態では、遅延回路１０
４、１０７として、セミリジットケーブル等の同軸ケー
ブルを用いて構成したが、これを遅延フィルタ、もしく
は例えばマイクロストリップ線路のような伝送線路を用
いても良い。また、例えば可変遅延フィルタのように遅
延時間の変えることが可能な遅延回路を用いても良い。
以上の場合でも、本実施の形態と同様の効果が得られ
る。

【００８１】なお、本実施の形態では、入力回路１０
９、１１８、出力回路１１１、１２０において、どれか
一つにおいてバリキャップダイオードを用いて、その負
荷インピーダンスを可変とすることができるとしている
が、入力回路１０９、１１８、出力回路１１１、１２０
の少なくとも一つ以上にバリキャップダイオードを用い
た場合でも、本実施の形態と同様な効果が得られる。

【００８２】なお、本実施の形態では、入出力回路の負
荷インピーダンスを変えるために、バリキャップダイオ
ードを用いて構成しているが、これを別の容量値を変え
ることが可能な容量可変キャパシタを用いても、本実施
の形態と同様の効果が得られる。

【００８３】なお、本実施の形態では、入出力回路の負
荷インピーダンスを変えるために、バリキャップダイオ
ードを用いて構成しているが、これをインダクタンス値
を変えることが可能な可変インダクタを用いても、本実
施の形態と同様の効果が得られる。

【００８４】（実施の形態２）以下、本発明の実施の形
態２におけるプリディストーション回路について、図６
〜図８を参照しながら説明する。図６において、実施の
形態１と同じ構成要素には、図２、図５と同一の符号を
付与している。本実施の形態の構造図は、実施の形態１
と同様、図１に示している。以下には、実施の形態１と
異なる箇所だけを説明する。

【００８５】本実施の形態では、図１に示すプリディス
トーション回路の歪み発生回路１１２として、図６に示
す回路構成のものを用いる。

【００８６】実施の形態１では、出力回路１１１の出力
整合回路１３６を伝送線路１４５とバリキャップダイオ
ード１４６とバリキャップダイオード制御端子１４７と
キャパシタ１４８、１５０で構成しているが、本実施の
形態では、出力整合回路１３６を伝送線路１４５、１６
０、バリキャップダイオード１４６、バリキャップダイ
オード制御端子１４７、キャパシタ１４８、１５０で構
成する。

【００８７】バリキャップダイオード１４６は、制御電
圧によってその容量値を制御しているが、そのインピー
ダンスは、容量性の領域しか制御することは出来ない。
このことを図７を用いて説明する。図７にスミスチャー
トを示しているが、その円の半分より下の領域（Ｘ）を
容量性といい、上の領域（Ｙ）を誘導性という。容量性
のバリキャップダイオードを用いると、そのインピーダ
ンスは容量性を示し、誘導性のインピーダンスにはなら
ない。

【００８８】例えば、バリキャップダイオードの容量値
が、点Ｅであるとする。ここで、その容量値を大きくし
ていくと、そのインピーダンス値は曲線Ｒ上を移動して
いき、Ｓ点に近づく。しかし、いくら容量値を大きな値
としても、そのインピーダンスは誘導性を示すことは無
い。つまり、スミスチャート上の上半分の領域（領域
Ｙ）になることはない。

【００８９】そこで、図６に示すように、伝送線路１６
０とバリキャップダイオード１４６を直列に接続した構
成とする。

【００９０】例えば、伝送線路１６０の長さをキャリア
周波数の４分の１波長とする。今、バリキャップダイオ
ードの容量値を図６のＥ点であるとすると、キャリア周
波数の４分の１波長の伝送線路とバリキャップダイオー
ドを直列に接続したときのインピーダンスは、Ｆ点にな
る。つまり、４分の１波長の伝送線路は、スミスチャー
トの中心点に対して対称の点に、インピーダンスを変換
することができる。

【００９１】本実施の形態では、図１に示すプリディス
トーション回路の歪み発生回路１１２を図６に示す回路
構成とすることによって、図６のｎ点から伝送線路１６
０、バリキャップダイオード１４６を見たインピーダン
スを、図７の誘導性の領域（領域Ｙ）においても制御す
ることが可能となる。

【００９２】また、上記では歪み発生回路１１２の出力
回路１１１の整合回路１３６を伝送線路１４５、１６
０、バリキャップダイオード１４６、バリキャップダイ
オード制御端子１４７、キャパシタ１４８、１５０を用
いて、出力回路１１１の負荷インピーダンスを可変する
ことができるとしたが、図８に示す回路を用いても良
い。１６１は伝送線路であり、図５と同じ構成要素に
は、同一の符号を付与している。入力回路１０９の整合
回路１３３に伝送線路１６１、バリキャップダイオード
１５１を直列に接続して用いることによって、図８のｍ
点から伝送線路１６１、バリキャップダイオード１５１
を見たインピーダンスを図７の誘導性の領域（領域Ｙ）
においても、可変できるようにしている。この場合でも
本実施の形態と同様の効果が得られる。

【００９３】なお、本実施の形態では、歪み発生回路１
１２を図６に示す回路で構成したが、電力増幅器１２１
を図６に示す回路で構成しても良い。つまり、出力回路
１２０の出力整合回路１３６において、伝送線路１６０
とバリキャップダイオード１４６を直列に接続すること
によって、電力増幅器１２１においても、ｎ点から伝送
線路１６０、バリキャップダイオード１４６を見たイン
ピーダンスを、誘導性の領域（領域Ｙ）においても可変
とすることができる。この場合は、制御回路１２４によ
って、出力回路１２０のバリキャップダイオード１４６
の容量値を制御する。また、電力増幅器１２１を図８に
示す回路で構成しても良い。つまり、入力回路１１８の
入力整合回路１３３において、伝送線路１６１とバリキ
ャップダイオード１５１を直列に接続することによっ
て、電力増幅器１２１のｍ点から伝送線路１６１、バリ
キャップダイオード１５１を見たインピーダンスを、誘
導性の領域（領域Ｙ）においても可変とすることができ
る。この場合は、制御回路１２４によって、入力回路１
１８のバリキャップダイオード１５１の容量値を制御す
る。以上の場合でも、本実施の形態と同様の効果が得ら
れる。

【００９４】なお、本実施の形態では、歪み発生素子１
１０、電力増幅素子１１９を電界効果トランジスタ（Ｆ
ＥＴ）を用いて構成したが、これを両者ともバイポーラ
トランジスタを用いても良い。また、歪み発生素子１１
０には、ダイオードを用いても良い。以上の場合でも、
本実施の形態と同様の効果が得られる。

【００９５】なお、本実施の形態では、遅延回路１０
４、１０７として、セミリジットケーブル等の同軸ケー
ブルを用いて構成したが、これを遅延フィルタ、もしく
は例えばマイクロストリップ線路のような伝送線路を用
いても良い。また、例えば可変遅延フィルタのように遅
延時間の変えることが可能な遅延回路を用いても良い。
以上の場合でも、本実施の形態と同様の効果が得られ
る。

【００９６】なお、本実施の形態では、入力回路１０
９、１１８、出力回路１１１、１２０において、どれか
一つにおいて伝送線路とバリキャップダイオードを直列
に接続してその負荷インピーダンスを可変とすることが
できるとしているが、入力回路１０９、１１８、出力回
路１１１、１２０の少なくとも一つ以上に伝送線路とバ
リキャップダイオードを直列に接続した場合でも、本実
施の形態と同様な効果が得られる。

【００９７】なお、本実施の形態では、入出力回路の負
荷インピーダンスを変えるために、バリキャップダイオ
ードを用いて構成しているが、これを別の容量値を変え
ることが可能な容量可変キャパシタを用いても、本実施
の形態と同様の効果が得られる。

【００９８】なお、本実施の形態では、入出力回路の負
荷インピーダンスを変えるために、バリキャップダイオ
ードを用いて構成しているが、これをインダクタンス値
を変えることが可能な可変インダクタを用いても、本実
施の形態と同様の効果が得られる。

【００９９】なお、本実施の形態では、伝送線路１６０
の長さをキャリア周波数の４分の１波長としたが、伝送
線路の長さはいくらでも良い。また、伝送線路１６１の
長さについても同様、キャリア周波数の４分の１波長で
なくても良い。以上の場合でも、本実施の形態と同様の
効果が得られる。

【０１００】（実施の形態３）以下、本発明の実施の形
態３におけるプリディストーション回路について、図９
を参照しながら説明する。図９は、本発明の実施の形態
３におけるプリディストーション回路の構造図である。
図９において、実施の形態１と同じ構成要素には、図１
と同一の符号を付与している。以下には、実施の形態１
と異なる箇所だけを説明する。

【０１０１】本実施の形態では、図９に示すプリディス
トーション回路の歪み発生回路１１２、電力増幅器１２
１として、図１０に示す回路構成のものを用いる。

【０１０２】実施の形態１、２では、入力端子１０１を
電力分配器１０３のポートａに接続していたが、その間
に方向性結合器１７０を接続しており、方向性結合器１
７０の出力の一方を電力分配器１０３のポートａに接続
している。また、方向性結合器１７０のもう一方の出力
には、包絡線検波器１７１が接続されており、その出力
は制御回路１７２に接続されている。制御回路１７２の
出力は、歪み発生回路１１２、電力増幅器１２１の出力
バイアス供給回路１３５のバリキャップダイオード１８
０のバリキャップダイオード制御端子１８１に接続され
ている。

【０１０３】実施の形態１、２では、入力整合回路１３
３、出力整合回路１３６をバリキャップダイオード１４
６、１５１を用いて構成しているが、本実施の形態で
は、出力バイアス供給回路１３５をインダクタ１４２、
キャパシタ１４４、１８２、バリキャップダイオード１
８０、バリキャップダイオード制御端子１８１で構成す
る。制御回路１７２は、記憶用の装置としてＲＯＭ等の
メモリを用いて構成されている。

【０１０４】電力増幅器１２１に用いられるトランジス
タは、飽和電力が大きくなる（トランジスタのサイズが
大きくなる）と、キャリア周波数の低周波側に発生する
歪み成分ＩＭ３Ｌのレベルと、高周波側に発生する歪み
成分ＩＭ３Ｕとのレベルに差が生じる。これは、キャリ
ア信号の周波数間隔（ここではΔｆ＝ｆ２−ｆ１とす
る）の出力負荷インピーダンスが大きく影響している。
このΔｆにおける出力負荷インピーダンスを図７のＳ点
（ここではショート点とする）に近付けることによっ
て、ＩＭ３ＬとＩＭ３Ｕのレベル差は小さくなるが、こ
のことを図１１、図１２を用いて説明する。ここで、Δ
ｆがΔｆ１の場合、Δｆ１における出力負荷インピーダ
ンスが図１１のＴ点の場合と、ショートに近付けたＵ点
の場合の電力増幅器１２１の出力信号の周波数スペクト
ラムを図１２（ａ）、（ｂ）に示す。例えば、図１２
（ａ）に示すように、Ｔ点の場合、ＩＭ３ＬとＩＭ３Ｕ
とのレベル差は１０ｄＢであるとすると、Ｕ点における
ＩＭ３ＬとＩＭ３Ｕとのレベル差は図１２（ｂ）に示す
ように例えば、３ｄＢとなる。

【０１０５】また、歪み発生回路１１２で用いるような
飽和電力の小さなトランジスタは、一般にＩＭ３ＬとＩ
Ｍ３Ｕのレベルの差は小さい。Δｆ１における出力負荷
インピーダンスを図１１のＴ点とＵ点としたときの歪み
発生回路１１２の出力される信号の周波数スペクトラム
を図１２（ｃ）、（ｄ）に示す。例えば、図１２（ｃ）
に示すように、Ｔ点の場合、ＩＭ３ＬとＩＭ３Ｕとのレ
ベル差は３ｄＢであるとすると、Ｕ点におけるＩＭ３Ｌ
とＩＭ３Ｕとのレベル差は図１２（ｄ）に示すように例
えば、０．５ｄＢとなる。また、Δｆ１における出力負
荷インピーダンスを、図７のＳ点にした場合の歪み発生
回路１１２、電力増幅器１２１の出力される信号スペク
トラムを図１２（ｅ）、（ｆ）に示す。

【０１０６】このように、Δｆにおける出力負荷インピ
ーダンスによって、ＩＭ３ＬとＩＭ３Ｕのレベル差が異
なる。

【０１０７】ここで、キャリア信号の周波数間隔Δｆを
Δｆ２とし、Δｆ２における出力負荷インピーダンスを
図７のＳ点であるとすると、このときの歪み発生回路１
１２、電力増幅器１２１の出力される信号スペクトラム
は図１２（ｅ）、（ｆ）に示す結果と同様、歪み発生器
１１２、電力増幅器１２１共にＩＭ３ＬとＩＭ３Ｕのレ
ベル差はゼロとなる。しかし、ΔｆがΔｆ１に変化した
場合は、歪み発生器１１２、電力増幅器１２１の出力負
荷インピーダンスはＳ点ではなくなり、例えば図１１の
Ｕ点になるとすると、その時の信号スペクトラムは図１
２（ｃ）、（ｄ）に示すようになる。歪み発生回路１１
２では、ＩＭ３ＬとＩＭ３Ｕとのレベル差は０．５ｄＢ
となり、電力増幅器１２１のＩＭ３ＬとＩＭ３Ｕとのレ
ベル差は３ｄＢとなるように、歪み発生回路１１２と電
力増幅器１２１で、レベル差が異なってしまう。

【０１０８】このように、キャリア信号の周波数間隔Δ
ｆが変化すると、歪み発生回路１１２と電力増幅器１２
１において、ＩＭ３ＬとＩＭ３Ｕのレベル差が異なり、
ＩＭ３Ｌ、ＩＭ３Ｕの両方において歪み抑圧を行う条件
（歪み成分を等振幅かつ逆位相）とすることが困難とな
る。

【０１０９】そこで、本実施の形態では、出力バイアス
供給回路１３５にバリキャップダイオード１８０を用い
ることによって、キャリア信号の周波数間隔Δｆが変化
した場合、Δｆにおける出力負荷インピーダンスを変化
させて、歪み発生回路１１２のＩＭ３ＬとＩＭ３Ｕとの
レベル差を、電力増幅器１２１のＩＭ３Ｌ、ＩＭ３Ｕの
レベル差と等しくすることが可能となる。例えば、Δｆ
１の場合、歪み発生回路１１２、電力増幅器１２１共に
出力負荷インピーダンスをＳ点とすることによって、Ｉ
Ｍ３ＬとＩＭ３Ｕとのレベル差をゼロにする。あるい
は、歪み発生回路１１２の出力負荷インピーダンスをＴ
点とし、電力増幅器１２１の出力負荷インピーダンスを
Ｕ点とすることによって、歪み発生回路１１２、電力増
幅器１２１共にＩＭ３ＬとＩＭ３Ｕのレベル差は３ｄＢ
となり、ＩＭ３ＬとＩＭ３Ｕの両方において、充分な歪
み抑圧量を得ることが可能となる。

【０１１０】入力端子１０１から入力された信号は、方
向性結合器１７０に入力され、一方の信号は電力分配器
１０３に入力される。方向性結合器１７０のもう一方の
出力信号は、包絡線検波器１７１で包絡線検波され、包
絡線成分のみが出力される。その出力信号は、制御回路
１７２に入力される。そして、入力された信号に応じ
て、Δｆの周波数が検出され、それに応じた制御信号が
発生し、歪み発生回路１１２、電力増幅器１２１の出力
バイアス供給回路１３５のバリキャップダイオード１８
０のバリキャップダイオード制御端子１８１に入力され
る。その制御電圧に応じて、バリキャップダイオード１
８０は、Δｆの周波数における出力負荷インピーダンス
がＳ点（ショート）になるようにその容量値を制御す
る。

【０１１１】このようにすることによって、キャリア信
号の周波数間隔（Δｆ）が変化した場合でも、歪み発生
回路１１２、電力増幅器１２１の歪み成分のＩＭ３Ｌと
ＩＭ３Ｕ共にそのレベルを揃えることが可能となり、充
分大きな歪み抑圧量を得ることが可能となる。

【０１１２】なお、本実施の形態では、制御回路１７２
で、キャリア信号の周波数間隔（Δｆ）の出力負荷イン
ピーダンスをショートになるように制御したが、これ
は、歪み発生回路１１２のＩＭ３ＬとＩＭ３Ｕのレベル
差と、電力増幅器１２１のＩＭ３ＬとＩＭ３Ｕのレベル
差が等しくなるように制御した場合でも、本実施の形態
と同様の効果が得られる。

【０１１３】なお、本実施の形態では、歪み発生回路１
１２と電力増幅器１２１の出力回路１１１、１２０の両
方の出力バイアス供給回路にバリキャップダイオードを
用いたが、これをどちらか１つ以上に使用した場合で
も、本実施の形態と同様の効果が得られる。

【０１１４】なお、本実施の形態では、制御回路１７２
で、歪み発生回路１１２の出力回路１１１と電力増幅器
１２１の出力回路１２０の出力バイアス供給回路のバリ
キャップダイオードを制御しているが、これをどちらか
１つ以上の出力回路を制御した場合でも、本実施の形態
と同様の効果が得られる。

【０１１５】なお、本実施の形態では、入力回路１０
９、１１８の入力整合回路１３３、出力回路１１１、１
２０の出力整合回路１３６において、バリキャップダイ
オードを用いて入出力負荷インピーダンスを変化させて
いないが、入力回路１０９、１１８、出力回路１１１、
１２０の整合回路に少なくとも一つ以上においてバリキ
ャップダイオードを用いた場合でも、本実施の形態と同
様な効果が得られる。

【０１１６】なお、本実施の形態では、歪み発生素子１
１０、電力増幅素子１１９を電界効果トランジスタ（Ｆ
ＥＴ）を用いて構成したが、これを両者ともバイポーラ
トランジスタを用いても良い。また、歪み発生素子１１
０には、ダイオードを用いても良い。以上の場合でも、
本実施の形態と同様の効果が得られる。

【０１１７】なお、本実施の形態では、遅延回路１０
４、１０７として、セミリジットケーブル等の同軸ケー
ブルを用いて構成したが、これを遅延フィルタ、もしく
は例えばマイクロストリップ線路のような伝送線路を用
いても良い。また、例えば可変遅延フィルタのように遅
延時間の変えることが可能な遅延回路を用いても良い。
以上の場合でも、本実施の形態と同様の効果が得られ
る。

【０１１８】なお、本実施の形態では、入出力回路の負
荷インピーダンスを変えるために、バリキャップダイオ
ードを用いて構成しているが、これを別の容量値を変え
ることが可能な容量可変キャパシタを用いても、本実施
の形態と同様の効果が得られる。

【０１１９】また、本発明において、位相量の制御と、
振幅の制御の順序は、上記実施の形態では、まず位相量
を制御し、その出力信号について振幅制御したが、この
逆でもかまわない。

【０１２０】なお、別の本発明は、上述した本発明のい
ずれかのプリディストーション回路を備えた移動体通信
用基地局装置である。

【０１２１】

【発明の効果】以上述べたところから明らかなように、
本発明は、広い動作電力範囲において、大きな歪み補償
量を得ることが可能なプリディストーション回路を提供
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１のプリディストーション
回路の構造図

【図２】本発明の実施の形態１の歪み発生回路の構造図

【図３】（ａ） ポートａにおける信号の周波数スペク
トラムの説明図 （ｂ） ポートｂにおける信号の周波数スペクトラムの
説明図 （ｃ） ポートｃにおける信号の周波数スペクトラムの
説明図 （ｄ） ポートｄにおける信号の周波数スペクトラムの
説明図 （ｅ） ポートｅにおける信号の周波数スペクトラムの
説明図 （ｆ） ポートｆにおける信号の周波数スペクトラムの
説明図 （ｇ） 電力増幅器単体の出力信号の周波数スペクトラ
ムの説明図 （ｈ） ポートｇにおける信号の周波数スペクトラムの
説明図

【図４】（ａ） Ａ点における歪み発生回路の出力信号
の周波数スペクトラムの説明図 （ｂ） Ａ点における電力増幅器の出力信号の周波数ス
ペクトラムの説明図 （ｃ） Ｂ点における歪み発生回路の出力信号の周波数
スペクトラムの説明図 （ｄ） Ｂ点における電力増幅器の出力信号の周波数ス
ペクトラムの説明図 （ｅ） Ｃ点における歪み発生回路の出力信号の周波数
スペクトラムの説明図 （ｆ） Ｃ点における電力増幅器の出力信号の周波数ス
ペクトラムの説明図 （ｇ） Ｃ点における負荷調整後の歪み発生回路の出力
信号の周波数スペクトラムの説明図 （ｈ） 動作点Ａ、Ｂ、Ｃの説明図

【図５】本発明の実施の形態１の歪み発生回路の構造図

【図６】本発明の実施の形態２の歪み発生回路の構造図

【図７】本発明の実施の形態２の負荷インピーダンスの
変化の様子を説明するスミスチャート図

【図８】本発明の実施の形態２の歪み発生回路の構造図

【図９】本発明の実施の形態３のプリディストーション
回路の構造図

【図１０】本発明の実施の形態３の歪み発生回路の構造
図

【図１１】本発明の実施の形態３の負荷インピーダンス
について説明するスミスチャート図

【図１２】（ａ） Ｔ点における電力増幅器の出力信号
の周波数スペクトラムの説明図 （ｂ） Ｕ点における電力増幅器の出力信号の周波数ス
ペクトラムの説明図 （ｃ） Ｔ点における歪み発生回路の出力信号の周波数
スペクトラムの説明図 （ｄ） Ｕ点における歪み発生回路の出力信号の周波数
スペクトラムの説明図 （ｅ） Ｓ点における電力増幅器の出力信号の周波数ス
ペクトラムの説明図 （ｆ） Ｓ点における歪み発生回路の出力信号の周波数
スペクトラムの説明図

【図１３】従来のプリディストーション回路の構造図

【図１４】従来の歪み発生回路の構造図

【符号の説明】

１０１、１３１、２０１、２３１ 入力端子 １０２、１３２、２０２、２３２ 出力端子 １０３、１０６、２０３、２０６ 電力分配器 １０４、１０７、２０４、２０７ 遅延回路 １０５、１０８、２０５、２０８ 電力合成器 １０９、１１８、２０９、２１８ 入力回路 １１０、２１０ 歪み発生素子 １１１、１２０、２１１、２２０ 出力回路 １１２、２１２ 歪み発生回路 １１３、１１５、２１３、２１５ 可変位相器 １１４、１１６、２１４、２１６ 可変減衰器 １１７、１２２、１７０、２１７、２２２ 方向性結合
器 １１９、２１９ 電力増幅素子 １２１、２２１ 電力増幅器 １２３、１２５、２２３、２２５ レベル検出器 １２４、１２６、１７２、２２４、２２６ 制御回路 １３３、２３３ 入力整合回路 １３４、２３４ 入力バイアス供給回路 １３５、２３５ 出力バイアス供給回路 １３６、２３６ 出力整合回路 １３７、１３９、１４４、１４８、１４９、１５０、１
５３、１５４、１８２、２３７、２３９、２４４、２４
６、２４７、２４８ キャパシタ １３８、１４５、１６０、１６１、２３８、２４５ 伝
送線路 １４０、１４２、２４０、２４２ インダクタ １４１、２４１ 入力バイアス供給端子 １４３、２４３ 出力バイアス供給端子 １４６、１５１、１８０ バリキャップダイオード １４７、１５２、１８１ バリキャップダイオード制御
端子 １７１ 包絡線検波器

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤原 誠司 神奈川県横浜市港北区綱島東四丁目３番１ 号 松下通信工業株式会社内 Ｆターム(参考） 5J090 AA01 AA41 CA21 FA01 FA20 GN03 GN05 HA09 HA21 HA29 HA30 HA33 KA12 KA15 KA16 KA23 KA29 KA55 KA68 SA13 TA01 TA03 TA05 5J500 AA01 AA41 AC21 AF01 AF20 AH09 AH21 AH29 AH30 AH33 AK12 AK15 AK16 AK23 AK29 AK55 AK68 AS13 AT01 AT03 AT05 5K060 BB07 CC04 CC13 DD04 HH06 HH09 KK06

Claims (23)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 キャリア信号を増幅する増幅部と、 前記増幅部にてキャリア信号を増幅する際に発生する歪
   み信号と実質上同一の周波数の歪み信号を発生させる歪
   み生成部とを備え、 前記歪み生成部からの出力信号を前記増幅部で増幅する
   ことによって、 前記キャリア信号を増幅する際に発生する歪み信号を抑
   圧するプリディストーション回路において、 前記歪み生成部の負荷インピーダンスを変える調整機構
   を備えるプリディストーション回路。
2. 【請求項２】 前記歪み生成部の負荷インピーダンスを
   変える調整機構に代えて、前記増幅部の負荷インピーダ
   ンスを変える調整機構を備える請求項１記載のプリディ
   ストーション回路。
3. 【請求項３】 前記負荷インピーダンスを変える調整機
   構は、前記増幅部の出力信号のレベルをもとに調整する
   請求項１または２記載のプリディストーション回路。
4. 【請求項４】 前記負荷インピーダンスを変える調整機
   構は、可変キャパシタを用いる請求項１、２または３記
   載のプリディストーション回路。
5. 【請求項５】 前記負荷インピーダンスを変える調整機
   構は、直列に接続された、可変キャパシタと伝送線路と
   を用いる請求項１、２または３記載のプリディストーシ
   ョン回路。
6. 【請求項６】 前記可変キャパシタはバリキャップダイ
   オードである請求項４、または５記載のプリディストー
   ション回路。
7. 【請求項７】 前記負荷インピーダンスを変える調整機
   構は、可変インダクタを用いる請求項１、２または３記
   載のプリディストーション回路。
8. 【請求項８】 入力信号を分配する第１の電力分配器
   と、 前記第１の電力分配器の分配された一方の出力信号の伝
   播時間を遅延させる第１の遅延回路と、 前記第1の電力分配器に分配された他方の出力信号を分
   配する第２の電力分配器と、 前記第２の電力分配器に分配された一方の出力信号の伝
   播時間を遅延させる第２の遅延回路と、 前記第２の電力分配器に分配された他方の出力信号を入
   力し、歪み信号を発生する、第１の入力回路、第１の歪
   み発生素子および第１の出力回路で構成された第１の歪
   み発生回路と、 前記第１の歪み発生回路からの出力信号の位相および振
   幅を調整する第１の可変位相器および第１の可変減衰器
   と、 前記第１の可変減衰器または第１の可変位相器からの出
   力信号と、前記第２の遅延回路からの出力信号とを合成
   する第１の電力合成器と、 前記第１の電力合成器からの出力信号の位相および振幅
   を調整する第２の可変位相器および第２の可変減衰器
   と、 前記第２の可変減衰器または第２の可変位相器からの出
   力信号を分配する第３の電力分配器と、 前記第３の電力分配器からの一方の出力信号と前記第１
   の遅延回路からの出力信号とを合成する第２の電力合成
   器と、 前記第３の電力分配器からの他方の出力信号のレベルを
   検出する第１のレベル検出器と、 前記第１のレベル検出器の出力信号をもとに制御信号を
   生成する第１の制御回路と、 前記第２の電力合成器からの出力信号を増幅する、第２
   の入力回路、第１の電力増幅素子および第２の出力回路
   で構成された第１の電力増幅器と、 前記第１の電力増幅器の出力信号を分配する第４の電力
   分配器と、 前記第４の電力分配器の出力信号のレベルを検出する第
   ２のレベル検出器と、 前記第２のレベル検出器の出力信号をもとに制御信号を
   生成する第２の制御回路とを備え、 前記第１の制御回路からの制御信号により、前記第１の
   可変位相器および前記第１の可変減衰器を制御し、 前記第２の制御回路からの制御信号により、前記第２の
   可変位相器および前記第２の可変減衰器を制御するとと
   もに、さらに、前記第１の入力回路、前記第１の出力回
   路、前記第２の入力回路および前記第２の出力回路のう
   ち少なくとも１つを制御するプリディストーション回
   路。
9. 【請求項９】 前記第１の歪み発生回路は、前記第１の
   歪み発生素子と、前記第１の歪み発生素子の入力整合を
   行う第１の入力整合回路と、前記第１の歪み発生素子の
   入力にバイアス電圧を印加する第１の入力バイアス供給
   回路と、前記第１の歪み発生素子の出力整合を行う第１
   の出力整合回路と、前記第１の歪み発生素子の出力にバ
   イアス電圧を印加する第１の出力バイアス供給回路とを
   有し、 前記第１の入力整合回路および前記第１の出力整合回路
   の少なくとも１つは、負荷インピーダンスを変えること
   が可能な容量可変キャパシタを用いている請求項８に記
   載のプリディストーション回路。
10. 【請求項１０】 前記第１の電力増幅器は、前記第１の
    電力増幅素子と、前記第１の電力増幅素子の入力整合を
    行う第２の入力整合回路と、前記第１の電力増幅素子の
    入力にバイアス電圧を印加する第２の入力バイアス供給
    回路と、前記第１の電力増幅素子の出力整合を行う第２
    の出力整合回路と、前記第１の電力増幅素子の出力にバ
    イアス電圧を印加する第２の出力バイアス供給回路とを
    有し、 前記第２の入力整合回路および前記第２の出力整合回路
    の少なくとも１つは、負荷インピーダンスを変えること
    が可能な容量可変キャパシタを用いている請求項８に記
    載のプリディストーション回路。
11. 【請求項１１】 前記第１の歪み発生回路は、前記第１
    の歪み発生素子と、前記第１の歪み発生素子の入力整合
    を行う第１の入力整合回路と、前記第１の歪み発生素子
    の入力にバイアス電圧を印加する第１の入力バイアス供
    給回路と、前記第１の歪み発生素子の出力整合を行う第
    １の出力整合回路と、前記第１の歪み発生素子の出力に
    バイアス電圧を印加する第１の出力バイアス供給回路と
    を有し、 前記第１の入力整合回路および前記第１の出力整合回路
    の少なくとも１つは、負荷インピーダンスを変えること
    が可能な、容量可変キャパシタと伝送線路とを直列に接
    続して用いている請求項８に記載のプリディストーショ
    ン回路。
12. 【請求項１２】 前記第１の電力増幅器は、前記第１の
    電力増幅素子と、前記第１の電力増幅素子の入力整合を
    行う第２の入力整合回路と、前記第１の電力増幅素子の
    入力にバイアス電圧を印加する第２の入力バイアス供給
    回路と、前記第１の電力増幅素子の出力整合を行う第２
    の出力整合回路と、前記第１の電力増幅素子の出力にバ
    イアス電圧を印加する第２の出力バイアス供給回路とを
    有し、 前記第２の入力整合回路および前記第２の出力整合回路
    の少なくとも１つは、負荷インピーダンスを変えること
    が可能な、容量可変キャパシタと伝送線路とを直列に接
    続して用いている請求項８に記載のプリディストーショ
    ン回路。
13. 【請求項１３】 入力信号を分配する第５の電力分配器
    と、 前記第５の電力分配器の出力信号を分配する第６の電力
    分配器と、 前記第６の電力分配器の分配された一方の出力信号の伝
    播時間を遅延させる第３の遅延回路と、 前記第６の電力分配器に分配された他方の出力信号を分
    配する第７の電力分配器と、 前記第７の電力分配器に分配された一方の出力信号の伝
    播時間を遅延させる第４の遅延回路と、 前記第７の電力分配器に分配された他方の出力信号を入
    力することで歪み信号を発生する、第３の入力回路、第
    ２の歪み発生素子および第３の出力回路で構成された第
    ２の歪み発生回路と、 前記第２の歪み発生回路からの出力信号の位相および振
    幅を調整する第３の可変位相器および第３の可変減衰器
    と、 前記第３の可変減衰器または第３の可変位相器からの出
    力信号と前記第４の遅延回路からの出力信号とを合成す
    る第３の電力合成器と、 前記第３の電力合成器からの出力信号の位相および振幅
    を調整する第４の可変位相器および第４の可変減衰器
    と、 前記第４の可変減衰器または第５の可変位相器からの出
    力信号を分配する第８の電力分配器と、 前記第８の電力分配器からの出力信号と前記第３の遅延
    回路からの出力信号とを合成する第４の電力合成器と、 前記第８の電力分配器からの出力信号のレベルを検出す
    る第３のレベル検出器と、 前記第３のレベル検出器の出力信号をもとに制御信号を
    生成する第３の制御回路と、 前記第４の電力合成器からの出力信号を増幅する、第４
    の入力回路、第２の電力増幅素子および第４の出力回路
    で構成された第２の電力増幅器と、 前記第２の電力増幅器の出力信号を分配する第９の電力
    分配器と、 前記第９の電力分配器の出力信号のレベルを検出する第
    ４のレベル検出器と、 前記第４のレベル検出器の出力信号をもとに制御信号を
    生成する第４の制御回路と、 前記第５の電力分配器に分配された他方の出力信号の包
    絡線成分を検波する第１の包絡線検波器と、 前記第１の包絡線検波器からの出力信号をもとに制御信
    号を生成する第５の制御回路とを備え、 前記第３の制御回路からの制御信号により、前記第３の
    可変位相器および前記第４の可変減衰器を制御し、 前記第４の制御回路からの制御信号により、前記第４の
    可変位相器および前記第４の可変減衰器を制御し、 前記第５の制御回路からの制御信号により、前記第３の
    出力回路および前記第４の出力回路のうち少なくとも１
    つを制御するプリディストーション回路。
14. 【請求項１４】 前記第４の制御回路からの制御信号に
    より、前記第３の入力回路、前記第３の出力回路、前記
    第４の入力回路および前記第４の出力回路のうち少なく
    とも１つを制御する請求項１３に記載のプリディストー
    ション回路。
15. 【請求項１５】 前記第３の入力整合回路、前記第３の
    出力整合回路、前記第４の入力整合回路および前記第４
    の出力整合回路のうち少なくとも１つは、容量可変キャ
    パシタを用いている請求項１３または１４に記載のプリ
    ディストーション回路。
16. 【請求項１６】 前記第３の入力整合回路、前記第３の
    出力整合回路、前記第４の入力整合回路および前記第４
    の出力整合回路のうち少なくとも１つは、負荷インピー
    ダンスを変えることが可能な、容量可変キャパシタと伝
    送線路とを直列に接続して用いている請求項１３または
    １４に記載のプリディストーション回路。
17. 【請求項１７】 前記第２の歪み発生回路は、前記第２
    の歪み発生素子と、前記第２の歪み発生素子の入力整合
    を行う第３の入力整合回路と、前記第２の歪み発生素子
    の入力にバイアス電圧を印加する第３の入力バイアス供
    給回路と、前記第２の歪み発生素子の出力整合を行う第
    ３の出力整合回路と、前記第２の歪み発生素子の出力に
    バイアス電圧を印加する第３の出力バイアス供給回路と
    を有し、 前記第３の出力バイアス供給回路は、負荷インピーダン
    スを変えることが可能な容量可変キャパシタを用いてい
    る請求項１３から１６のいずれかに記載のプリディスト
    ーション回路。
18. 【請求項１８】 前記第２の電力増幅器は、前記第２の
    電力増幅素子と、前記第２の電力増幅素子の入力整合を
    行う第４の入力整合回路と、前記第２の電力増幅素子の
    入力にバイアス電圧を印加する第４の入力バイアス供給
    回路と、前記第２の電力増幅素子の出力整合を行う第４
    の出力整合回路と、前記第２の電力増幅素子の出力にバ
    イアス電圧を印加する第４の出力バイアス供給回路とを
    有し、 前記第４の出力バイアス供給回路は、負荷インピーダン
    スを変えることが可能な容量可変キャパシタを用いてい
    る請求項１３から１６のいずれかに記載のプリディスト
    ーション回路。
19. 【請求項１９】 前記第３の出力バイアス供給回路と前
    記第４の出力バイアス供給回路のうち少なくとも１つ以
    上は、容量可変キャパシタを用いている請求項１３から
    １６のいずれかに記載のプリディストーション回路。
20. 【請求項２０】 前記第２の歪み発生回路の前記第３の
    出力回路および前記第２の電力増幅器の前記第４の出力
    回路の出力負荷インピーダンスにおいて、 前記第１の包絡線検波器で検波された包絡線成分の出力
    負荷インピーダンスがショートになるように、前記第３
    および前記第４の出力バイアス供給回路の容量可変キャ
    パシタの少なくとも１つ以上を制御する請求項１７から
    １９のいずれかに記載のプリディストーション回路。
21. 【請求項２１】 前記容量可変キャパシタがバリキャッ
    プダイオードである請求項９から１２、および、１７か
    ら２０のいずれかに記載のプリディストーション回路。
22. 【請求項２２】 前記第１から前記第４の入力整合回路
    および前記第１から前記第４の出力整合回路において、 前記可変キャパシタの代わりに可変インダクタを用いて
    いる請求項９から１６のいずれかに記載のプリディスト
    ーション回路。
23. 【請求項２３】 請求項１〜２２のいずれかに記載のプ
    リディストーション回路を備えた移動体通信用基地局装
    置。