JP4275697B2 - 電子機器用銅合金およびリードフレーム材 - Google Patents
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ここで、プレス加工により作製されたリードフレーム等には、残留応力が発生する。この残留応力を除去するために、通常、プレス加工後のリードフレーム等には400℃から450℃での熱処理が施されているが、この熱処理の際に結晶組織が再結晶化することにより銅合金の強度が低下することが知られている。そこで、リードフレーム等に用いられる電子機器用銅合金には、前述の熱処理で強度が低下することがないように耐熱性が要求される。
しかしながら、従来の電子機器用銅合金では、500℃の高温領域での耐熱性が不十分であり、熱処理を行った際に強度が低下してしまうおそれがあった。そこで、耐熱性を従来よりも向上させた電子機器用銅合金が望まれていた。
これらの元素は、電子機器用銅合金の特性を向上させる効果を有しており、用途にあわせて選択的に含有させることで特性を向上させることが可能となる。
この場合、耐熱性を備えるとともに、高強度、高導電率の電子機器用銅合金を提供することができ、リードフレーム材の薄肉化を図ることができる。
本実施形態である電子機器用銅合金は、Ni;0.5〜3重量%およびSi;0.1〜0.9重量%を含み、かつ、Sn;0.1〜0.9重量%、Zn;0.1〜3重量%、Fe;0.007〜0.25重量%、P;0.001〜0.2重量%およびMg;0.001〜0.2重量%のうち少なくとも1種以上を有し、残部がCuと不可避不純物からなる組成を有している。
また、析出物粒子は主にNi2Si金属間化合物で構成されており、その構成比率からNi/Si(重量比)は、2〜8の範囲内とすることが好ましい。
図1および図2において、矢印で示す粒子が析出物である。矢印Aで示される粒子が直径20〜40nmのものであり、矢印Bで示される粒子が直径20nm未満、矢印Cで示される粒子が直径40nmを超えるものである。
同様に、図2に示す写真(観察倍率5万倍)の視野面積は、約2.37μm2である。よって、この写真内でカウントされた析出物粒子の個数を2.37で除することで1μm2あたりの析出物の個数が算出される。
なお、透過型電子顕微鏡観察は局所的な観察となるため、このような観察を複数回行うことが好ましい。
また、直径20〜40nmの析出物が最も多く存在し、耐熱性向上に大きく寄与しない20nm未満の微細な析出物粒子および40nmを超える粗大な析出物粒子の数が少ないので、500℃といった高温領域での再結晶化を効果的に抑制でき、強度低下を確実に防止することができる。
例えば、Ni、Si、Sn、Zn、Fe、PbおよびMg以外の元素については、不可避不純物として含有されていてもよい。不可避不純物としては総量で2.0重量%以下に抑えることが好ましい。また、Cuは95重量%以上含まれていることが好ましい。
まず、溶解炉にて原料を溶解した後に鋳造を行い、表1に示す組成の鋳塊を得た。この鋳塊に熱間圧延を施し、表面酸化層を除去した後に4つに分割し、分割後のサンプルにそれぞれ冷間圧延および焼鈍を行い、試験片となる銅合金薄板を作製した。すなわち、組成を同じくする鋳塊を用いて熱間圧延後の冷間圧延条件および焼鈍条件を変化させ、析出状態を調整した試験片を作製した。
本発明例では、直径10〜50nmの析出物粒子が1μm2あたり34個観察され、直径30nmの析出物粒子が最も多く観察されている。
一方、比較例1では、直径10〜50nmの析出物粒子が1μm2あたり27個観察されているが、直径5nmの微細な析出物粒子が最も多く観察されている。
また、比較例2では、直径10〜50nmの析出物粒子が1μm2あたり18個観察され、直径5nmの微細な析出物粒子が最も多く観察されている。また、直径20〜40nmの析出物粒子が他のサンプルに比べて最も少ない。
同様に、比較例3では、直径10〜50nmの析出物粒子が1μm2あたり19個観察され、直径5nmの微細な析出物粒子が最も多く観察されている。
一方、比較例1〜3においては、熱処理時間2分経過時に既に保持率が95%未満であり、耐熱性が不十分である。特に、直径20〜40nmの析出物粒子が他のサンプルに比べて最も少ない比較例2においては、2分経過後に90%まで低下している。
Claims (4)
- Ni;0.5〜3重量%およびSi;0.1〜0.9重量%、かつ、Mg;0.001〜0.2重量%を含み、透過型電子顕微鏡観察において、Ni 2 Si金属間化合物を主とする析出物粒子が銅の母相中に分散しており、直径10〜50nmの析出物粒子が1μm2あたり20個以上観察されるとともに、直径20〜40nmの析出物粒子が、直径20nm未満および直径40nmを超える析出物粒子よりも数多く観察されることを特徴とする電子機器用銅合金。
- 請求項1に記載の電子機器用銅合金において、
Sn;0.1〜0.9重量%、Zn;0.1〜3重量%、Fe;0.007〜0.25重量%、P;0.001〜0.2重量%のうち少なくとも1種以上を有することを特徴とする電子機器用銅合金。 - 請求項1または請求項2に記載の電子機器用銅合金において、
引張強度が600MPa以上、かつ、導電率が45%IACS以上であることを特徴とする電子機器用銅合金。 - 半導体装置に用いられるリードフレーム材であって、
請求項1から請求項3のいずれかに記載の電子機器用銅合金からなることを特徴とするリードフレーム材。
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