CN109022900B - 一种综合性能优异的铜合金及其应用 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种综合性能优异的铜合金，该铜合金的重量百分比组成包括：Ni：0.4wt%～2.0wt%，Sn：0.2wt%～2.5wt%，P：0.02wt%～0.25wt%，Si：0.001wt%～0.5wt%，余量为Cu和不可避免的杂质。该铜合金的屈服强度≥550MPa，导电率≥38%IACS，弯曲加工性能：GW方向的值R/t≤1，BW方向的值R/t≤2，在150℃下保温1000小时，应力残留率≥75%，耐应力松弛性能优异。本发明合金可以根据不同的应用需求加工成板带材、棒材、线材等，广泛应用于电气、汽车、通信器件等连接器、端子或开关部件。

Description

一种综合性能优异的铜合金及其应用

技术领域

本发明涉及铜合金技术领域，具体涉及一种综合性能优异的铜合金及其应用。

背景技术

具有高强度及良好导电性的铜及铜合金材料一直以来都是连接器、端子及开关的理想原材料。近年来，随着消费电子、汽车电子部件向着小型化、轻量化及高集成化发展，对原材料的综合性能提出了更高的要求。

由于连接器小型化后，连接器的截面积减少，为了补偿截面积减少所引起的接触压力和导电能力的降低，要求制作连接器的金属材料具有更高的强度和电导率。伴随着连接器、端子的小型化，接点部分的弯曲加工曲率半径变小，要求材料具有比以往更严格的弯曲加工性能。但是，导电性能、弯曲加工性能与强度之间存在着此消彼长的关系，要同时提高这几种性能非常不易。

目前连接器、端子常用的铜合金材料包括黄铜、磷青铜、铜镍硅及铍青铜。其中黄铜虽然成本较低，但在强度、导电性方面都难以满足高需求的领域。锡磷青铜是目前连接器、端子领域广泛使用的铜合金，其具有较高强度，但导电率仅有18％IACS，无法满足当前高性能连接器对高导电工况的应用需求。同时考虑到锡价格较高，因此在部分领域锡磷青铜的应用受到一定的限制。铍青铜中含有的铍有毒，且铍青铜价格昂贵，一般仅应用于某些对弹性和强度要求较高的领域。铜镍硅合金作为一种时效析出强化型合金，以替代铍青铜而开发，其成本大幅度高于磷青铜，通常应用于高端连接器领域。

以C19025合金为代表的Cu-Ni-Sn合金是目前常用的兼具性能及成本优势的合金，但当合金屈服强度≥550MPa时，弯曲加工性能显著下降，无法满足小型化应用需求。

鉴于现有材料的上述不足，本发明以Cu-Ni-Sn为基体，通过成分调整、析出相及织构控制等，获得一种屈服强度≥550MPa、导电率≥38％IACS、包括耐应力松弛性能、弯曲加工性能等在内的综合性能优异的铜合金材料。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：针对现有技术的不足，提供一种综合性能优异的铜合金及其应用，该铜合金的屈服强度≥550MPa，导电率≥38％IACS，弯曲加工性能：GW方向的值R/t≤1，BW方向的值R/t≤2，在150℃下保温1000小时，应力残留率≥75％，耐应力松弛性能优异。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为：一种综合性能优异的铜合金，该铜合金的重量百分比组成包括：Ni：0.4wt％～2.0wt％，Sn：0.2wt％～2.5wt％，P：0.02wt％～0.25wt％，Si：0.001wt％～0.5wt％，余量为Cu和不可避免的杂质。

本发明合金添加Ni元素。Ni能与Cu无限固溶，固溶于铜基体中可提高合金的强度。Ni对铜合金的导电性影响比Sn、Si、P元素小。同时Ni可以与Si、P元素通过形变热处理工艺形成镍磷金属间化合物和镍硅金属间化合物形式的析出相。Ni、Si、P元素脱溶的同时提高了合金的强度和导电性。但P、Si元素无法实现完全时效析出，铜基体中过量的P、Si易导致合金的导电性下降，因此，在保证合金强度和导电性的前提下，为确保Ni略微过量，本发明将Ni元素的含量控制在0.4wt％～2.0wt％。

本发明合金添加Sn元素。Sn在铜合金中以固溶体的方式存在，Sn元素的Zn当量系数为2，对晶体造成的晶格畸变程度较大，使合金在后续加工过程中具有较好的加工硬化效果。加工硬化会增加变形合金中的储能，在时效过程中有利于形成更多的化合物析出的形核点，从而达到改善化合物均匀分布的效果。同时Sn元素可以增加合金的热稳定性，与上述加工硬化联合作用可提高合金的耐应力松弛性能。Sn元素还能提高合金的耐腐蚀性能，从而提高制成的连接器在潮湿、腐蚀介质中使用的可靠性。但Sn的引入对合金导电性产生不利影响。因此，本发明将Sn元素的含量控制在0.2wt％～2.5wt％。

本发明合金添加P元素。P元素是铜合金良好的除气剂、脱氧剂。P元素能少量固溶于Cu基体中，起到固溶强化的作用。P还能够与Ni元素形成复杂的镍磷金属间化合物，如Ni₃P、Ni₅P₂、Ni₁₂P₅。镍磷金属间化合物具有良好的强化效果，可提高合金的强度。此外，由于Ni、P元素的析出，合金仍可保持良好的导电性。但P元素过多时容易出现热轧开裂、导电性降低、铸造难度增大等问题。本发明将P元素的含量控制在0.02wt％～0.25wt％。

本发明合金添加Si元素。Si元素在黄铜中的锌当量系数为10，具有较好的固溶强化、加工硬化效果。同时Ni和Si在适当的热处理工艺下，以镍硅金属间化合物(Ni₂Si)的形式析出，具有良好的强化效果，提高合金的强度。此外，由于Ni和Si从铜基体中析出，合金仍可保持良好的导电性。实际上Ni和Si无法实现完全时效析出，基体中过量的Si易导致合金的导电性下降。因此，本发明将Si元素的含量控制在0.001wt％～0.5wt％。

作为优选，该铜合金的带材的晶体取向满足：Brass取向{011}<211>偏离角度小于15°的面积占比为5％～37％，S型取向{123}<634>偏离角度小于15°的面积占比为5％～30％。

铜合金板带常见的织构为：立方织构{001}<100>、铜型{112}<111>、高斯{110}<001>、Brass型{011}<211>、S型{123}<634>、R型{124}<211>，本发明铜合金板带主要的织构取向有铜型{112}<111>、立方型{001}<100>、铜型{112}<111>、Brass型{011}<211>、S型{123}<634>、R型{124}<211>取向。但若这些织构的构成比例发生变化，则铜合金板带的强度、弯曲加工等性能也随之发生变化，因此，本发明通过对特定织构比例进行控制，实现材料的不同性能。

本发明铜合金的带材的织构通过EBSD分析进行测试。EBSD为ElectronBackscatteRed Diffraction(电子背散射衍射)的缩写，是利用在扫描电子显微镜(SEM)内向倾斜样品表面照射电子束时产生的衍射菊池线反射电子衍射的晶向分析技术。本发明铜合金带材Brass取向{011}<211>、S型取向{123}<634>的测定是在偏离角度小于15°的条件下进行。本申请发明人经过大量试验发现，相同状态的铜合金的织构及织构比例不尽相同，而织构及织构比例的不同对最终性能特别对强度、弯曲加工性能的影响也不尽相同。本发明合金通过控制Brass织构、S织构并限定其比例，从而实现高强度与良好折弯性能的平衡。试验发现，在合金加工过程中，一定比例的Brass取向{011}<211>、S型取向{123}<634>的转向更有利于促进位错的增殖和原子的错乱排布，有利于提升合金的强度。转向过程同时促进了晶体储能和晶格缺陷的增加，有利于后续时效处理中镍磷金属间化合物和镍硅金属间化合物的弥散析出，也有利于提高材料的强度。控制Brass取向{011}<211>、S型取向{123}<634>转向是控制合金再结晶行为的关键，而再结晶的过程是控制晶粒大小及化合物析出、分布的过程，通过对合金晶粒、析出物的控制可实现材料弯曲性能的提升。本申请发明人发现，当Brass取向{011}<211>偏离角度小于15°的面积占比满足5％～37％、S型取向{123}<634>偏离角度小于15°的面积占比满足5％～30％时，合金的强度、弯曲加工性能均提高，达到优异的综合性能，而小于或者超出该范围时，难以实现各性能的均衡，无法满足小型化应用对高强度、良好弯曲加工性能及综合性能的高需要。

作为优选，Ni、P、Si的重量百分比满足：3≤Ni/(P+Si)≤20，且Si与P的重量百分比满足：0.1≤Si/P≤10。

单独采用镍磷金属间化合物进行强化时，合金易实现高导电，但随着P元素添加量的增加，合金强度改善效果并不明显。单独采用镍硅金属间化合物进行强化时，合金易实现高强度，但随着Si元素添加量的增加，导电性能恶化。本发明通过控制Ni、Si、P元素的含量及配比，从而控制镍磷金属间化合物、镍硅金属间化合物的比例，通过两者的协同作用实现在提高合金强度的同时仍保持合金较高的导电性。

本发明合金中镍磷金属间化合物、镍硅金属间化合物同时存在，但镍磷金属间化合物和镍硅金属间化合物析出温度存在差异，镍磷金属间化合物先于镍硅金属间化合物析出。先析出的镍磷金属间化合物占据了具有高储能及空位的析出点，从而抑制了镍硅金属间化合物析出偏聚，有效促使了镍硅金属间化合物的弥散分布，从而增加了合金的强度。本申请发明人发现，同时具有两种析出化合物的合金比单一化合物的合金在后续加工过程中具有更好的加工硬化效果。这是由于两种析出相协同作用，相互促进弥散分布。弥散分布的析出相可在后续冷变形过程中在位错绕过析出相粒子时留下更多的位错环，从而促使合金具有更好的加工硬化效果。在获得同样的强度时，本发明合金可用更小的加工率来实现，有利于提升合金的弯曲加工性能。而更好的加工硬化效果，在多级时效过程中，能够促进时效前合金中储能及位错密度的增加，更有利于Ni、Si、P等元素在多级时效时的析出、脱溶，从而提高合金的导电性。本申请发明人发现，Ni、P、Si的重量百分比满足3≤Ni/(P+Si)≤20、且Si与P的重量百分比满足0.1≤Si/P≤10时，镍磷金属间化合物及镍硅金属间化合物之间的发挥的协同作用效果最佳，获得的铜合金的综合性能最好。当Ni/(P+Si)﹤3时，P或Si析出不充分，在基体中残留的P或Si会严重影响合金的导电性；而当Ni/(P+Si)﹥20时，NiP、NiSi化合物过少，合金强度提升不明显。同时当Si/P之间的比例不满足0.1≤Si/P≤10时，P和Si之间的协同作用大幅下降。其中Si/P元素重量比﹤0.1时，合金具有高的导电性，但强度偏低；反之当Si/P元素重量比﹥10时，合金具有高的强度，但导电性偏低，不能在合金配比上综合实现强度、导电性、折弯等性能的均衡。

作为优选，该铜合金的微观组织中含有镍磷金属间化合物和镍硅金属间化合物，其中，镍磷金属间化合物和镍硅金属间化合物的平均粒径均为5nm～50nm。

本发明合金中的Ni、Si、P可形成镍磷金属间化合物和镍硅金属间化合物。镍磷金属间化合物和镍硅金属间化合物的析出可显著提高合金的屈服强度，且化合物越细小弥散，合金的强度越高。若析出相粗大，则易出现弱界面，且粗大的化合物粒子会成为破坏的起点，大幅增加合金带材在弯曲加工过程中开裂的风险。而细小且弥散的化合物粒子同时可以获得充分的钉扎固定效果，可抑制位错的滑移，使合金获得良好的耐应力松弛性能。因此，本发明将镍磷金属间化合物、镍硅金属间化合物的平均粒径分别控制在5nm～50nm。

作为优选，该铜合金的重量百分比组成中还包括0.01wt％～0.5wt％的Mg和/或0.1wt％～2.0wt％的Zn。

Mg具有脱氧、脱硫以及提高合金耐应力松弛性能的效果。Mg元素的锌当量系数为2，同时对合金的导电性能的影响较小，在一定程度上可提高合金的的加工硬化效果。在合金时效析出时，加工硬化效果的提升，Mg有利于提升材料中的储能，提高化合物析出时的形核点。但如果Mg含量过大，易导致合金的铸造性能及弯曲加工性能下降，因此本发明将Mg含量控制在0.01wt％～0.5wt％。

Zn在铜基体中有较大固溶度，固溶于铜基体中时可以提高合金的强度，促进冷加工过程中的加工硬化效果。此外Zn还可以改善合金的铸造性能、焊接性能及提高镀层的耐剥离性能。若Zn含量过低，固溶强化效果不明显，而若Zn含量过高，则会降低合金的导电率、弯曲加工性和耐应力腐蚀开裂性能。因此，本发明将Zn含量控制在0.01wt％～2.0wt％。

作为优选，该铜合金的重量百分比组成中还包括0.1wt％～2.0wt％的Co。

Co可与P、Si形成钴磷金属间化合物、钴硅金属间化合物，通过析出强化相提升合金强度的同时对导电率的影响较小。通过固溶时效工艺，以化合物形式析出，弥散分布在基体上，在进一步提高合金强度的同时而不降低导电率。但Co含量超过2.0wt％时，难以实现合金化。而Co含量低于0.1wt％时，无法形成数量足够的析出相改善材料性能，因此，本发明将Co含量控制在0.1wt％～2.0wt％。

作为优选，该铜合金的重量百分比组成中还包括总量为0.001wt％～1.0wt％的选自Fe、Al、Zr、Cr、Mn、B和RE中的至少一种元素。

Fe元素能细化铜合金晶粒，提高铜合金的高温强度，促进时效处理析出相的均匀分布，具有一定的析出强化效果。

Al在合金熔炼过程中可以起到脱氧作用，同时Ni、Al元素可通过固溶、时效工艺形成复杂的Ni-Al化合物。Ni-Al化合物能够起到时效强化的作用。

Zr、Cr可以提高合金的软化温度和高温强度，提升合金的高温稳定性和抗应力松弛性能。

Mn在合金熔炼过程中可以起到脱氧作用，提高合金的纯度，还可以改善合金的热加工性能，提高合金的基本力学性能，降低合金的弹性模量。

B可以细化合金晶粒，提高合金的抗应力松弛性能，改善合金的冷热加工性能。

Re在熔炼时可以除杂、除氧，提高金属的纯度，在熔炼时可以作为结晶的核心，减少铸锭中的柱状晶比例，从而改善材料的热加工性能。

Fe、Al、Zr、Cr、Mn、B和RE中的至少一种元素的总量过多会降低合金的导电率并影响弯曲加工性能，因此这些元素的总添加量应控制在0.001wt％～1.0wt％。

作为优选，该铜合金的带材的屈服强度≥550MPa，导电率≥38％IACS。

作为优选，该铜合金的带材的90°弯曲加工性能为：GW方向的值R/t≤1，BW方向的值R/t≤2；该铜合金的带材在150℃下保温1000小时，应力残留率≥75％。

本发明合金可以根据不同的应用需求，加工成板带材、棒材、线材等，应用于电气、汽车、通信器件等连接器、端子或开关部件。

本发明合金可以根据不同的应用需求加工成板带材、棒材、线材等。以板带材为例，制备过程包括下述步骤：

配料→半熔铸→热轧→淬火→铣面→一次冷轧→一级时效→二次冷轧→二级时效→三次冷轧→低温退火。

具体实施工艺如下：

1)配料：按配比取各组分。

2)熔炼：在1100℃～1250℃将铜合金原料熔化，然后通过半连续铸造，将其制成铸块。

3)热轧：合金的热轧开坯温度控制在700℃～900℃，保温时间3h～6h。合金终轧轧制压下率控制在85％以上。本发明合金可利于热轧加热保温过程进行固溶，固溶时间为1min～5h，温度为700℃～900℃。

热轧工艺保证铸锭中存在的粗大析出相再次固溶到基体，同时达到均匀化的目的，为了尽量减少热轧后相粒子的析出，终轧温度控制在600℃以上。为减少Ni、Si、P元素在固溶工序的溶解不充分，应提高基体的过饱和度，固溶温度控制在600℃～900℃之间，温度过高易出现组织过烧现象。其中固溶处理是一种用于在基质中再次形成溶质元素固溶体并且进行再结晶的热处理。固溶处理后沿着轧制方向立方型取向{001}<100>比例增加，铜型取向{112}<111>、Brass取向{011}<211>、S型取向{123}<634>、R型取向{124}<211>占比降低。这种转变有利于提高合金的塑形，便于后期的冷加工。固溶处理在700℃～850℃温度下优选进行1min～5h，更优选进行10min～50min。如果固溶处理温度太低，则再结晶不完全，不利于沿轧制方向立方型取向{001}<100>、铜型取向{112}<111>、Brass取向{011}<211>、S型取向{123}<634>、R型取向{124}<211>的控制，不利于后续加工。溶质元素的再溶解到固溶体中也不充分。另一方面，如果固溶处理温度太高，则晶粒变得粗大，冷热加工性能均恶化。

4)淬火：合金热轧后快速进行淬火处理。控制热轧结束后的温度高于Ni、Si、P元素的固溶温度，进行快速在线淬火，达到固溶的目的。

5)铣面：用于去除热轧后合金表面的氧化皮，在热轧板上、下铣面0.5mm～1.0mm。

6)一次冷轧：冷轧总压下率控制在80％以上。以利于后期时效过程化合物的均匀、充分析出，同时利于控制合金再结晶软化过程的晶粒组织均匀性。

7)一级时效处理：时效温度控制在300℃～600℃。保温时间控制在3h～12h。

合金实现析出强化的关键工艺，一级时效处理主要达到第二相析出和组织软化的目的。相对于冷轧态，时效后合金沿着轧制方向Brass取向{011}<211>、S型取向{123}<634>、R取向{124}<211>、铜型取向{112}<111>分布比例较小，合金的具有较好的塑性。时效温度控制在300℃～600℃，保持时间3h～12h，更优选是，温度控制在350℃～550℃，保持时间4h～10h，这样Ni与Si、P形成化合物，在铜母相中以微小形状弥散析出，可以兼具有高的强度和优异的弯曲加工性，如果时效温度过高、时间长，析出物粗大化，得不到最佳的强度与晶粒度的搭配；反之，如果温度低、时间短，析出不能充分进行，影响成品的强度、折弯性能。

8)二次冷轧：控制二次冷轧的变形量≥40％。

二次冷轧：对热处理后的铜合金材料进行冷轧，随着冷轧的进行，沿着轧制方向铜型取向{112}<111>、Brass取向{011}<211>、S型取向{123}<634>、R取向{124}<211>均逐渐增加。晶体的转动促进位错的增值和原子的错乱排布。材料中增加的储能和晶格缺陷促进后续的时效处理中析出物的继续脱溶及均匀微细的分布，提高材料的导电率、屈服强度和弯曲加工性。因此，二次冷轧的变形量控制在40％以上，变形量过小，析出相的均匀分散度较差、析出量较小，同时不利于后期时效组织完全再结晶的完成，对最终带材的弯曲加工性能不利。

9)二级时效处理：时效温度控制在300℃～600℃。保温时间控制在3h～12h。

二级时效处理主要达到第二相析出和组织软化的目的。相对于冷轧态，时效后合金沿着轧制方向Brass取向{011}<211>、S型取向{123}<634>、R取向{124}<211>、铜型取向{112}<111>分布比例较小，合金具有较好的塑性。时效温度控制在300℃～600℃，保持时间3h～12h，更优选是，温度控制在350℃～550℃，保持时间4h～10h，这样Ni与Si、P形成化合物，在铜基体中以微小形状弥散析出，可以兼具有高的强度和优异的弯曲加工性，如果时效温度过高、时间长，析出物粗大化，得不到最佳的强度与晶粒度的搭配；反之，如果温度低、时间短，析出不能充分进行，弯曲加工性能、强度得不到有效提升。

10)三次冷轧：成前冷轧加工率不应超过60％。根据应用工况性能进行选择。

对时效后的合金施加冷变形有利于带材强度的进一步提高，但变形量不宜过大，过大易导致易形成明显的各向异性，不利于BW方向带材的弯曲加工性能，同时影响合金晶粒的控制。随着加工率的增加，沿着轧制方向铜型取向{112}<111>、Brass取向{011}<211>、S型取向{123}<634>、R取向{124}<211>分布比例增大，其中尤以Brass取向{011}<211>、S型取向{123}<634>的增加趋势明显。晶面晶向的这种转动造成晶体的变形协调性变差，合金的折弯性能恶化。其中BW方向恶化更加明显。因此，变形量控制在60％以下。

11)低温退火：低温退火温度控制在200℃～350℃。

低温退火可消除残余应力，有利于耐应力松弛能力的提高。应力的消除可减少后续应用时板材在温度、应力作用下的形变。合金在低温时效时存在一定的化合物析出效果，化合物的析出能对位错进行钉扎，改善合金的耐应力松弛性能。根据应用需求选择不同的退火温度，供选择的温度控制在200℃-350℃之间。温度过高，合金发生软化。温度低于上述值时去残余应力去除不充分。

12)对得到的产品进行清洗、分条、包装。

与现有技术相比，本发明的优点在于：

(1)本发明合金在Cu-Ni-Sn基础上，通过成分调整并控制Ni、Si、P之间成分配比，生成镍磷金属间化合物和镍硅金属间化合物析出相并在基体中弥散析出，调整特定织构比例，在保持材料导电性的同时提升材料的强度和折弯性能；

(2)本发明合金通过调整Ni、Si、P之间成分配比使其满足：3≤Ni/(P+Si)≤20，0.1≤Si/P≤10，充分实现了镍磷金属间化合物和镍硅金属间化合物的相互协同作用，在不降低材料导电性的同时提升材料的强度；

(3)本发明对合金Brass取向和S型取向的织构取向比例进行了限定，其中Brass取向{011}<211>偏离角度小于15°的面积占比为5％～37％，S型取向{123}<634>偏离角度小于15°的面积占比为5％～30％，使合金在具有较高屈服强度的状态下仍具有良好的弯曲加工性能，满足小型化应用的需求；

(4)本发明通过控制镍磷金属间化合物和镍硅金属间化合物的弥散分布，控制镍磷金属间化合物和镍硅金属间化合物的平均粒径5nm～50nm，提升合金的屈服强度及弯曲加工性能；

(5)本发明合金经时效和冷轧变形后可以实现屈服强度550MPa以上，导电率38％IACS以上；该铜合金的带材的90°弯曲加工性能为：GW方向的值R/t≤1，BW方向的值R/t≤2；该铜合金的带材在150℃下保温1000小时，应力残留率≥75％，耐应力松弛性能优异；

(6)本发明合金可以根据不同的应用需求加工成板带材、棒材、线材等，广泛应用于电气、汽车、通信器件等连接器、端子或开关部件。

具体实施方式

以下结合实施例对本发明作进一步详细描述。

按表1各实施例成分所示的铜合金配料，采用半连续铸造在1120℃～1200℃下进行熔炼，制造规格为440mm×250mm的铸锭。将上述铸锭在850℃下保温5小时之后，进行热轧使其板厚达到16.5mm。然后，由于表面除垢所以要实施铣面，热轧板上、下铣面0.5mm～1.0mm后使热轧板厚度达到15mm；之后，通过一次冷轧得到厚度为2mm的板；接着将一次冷轧后的板加热至400℃，保温8h，进行第一次时效。接着将一次时效后的板进行第二次冷轧，冷轧至0.33mm，然后在360℃中保温8h进行二次时效处理。最后进行精轧，轧制目标板厚0.2mm。在精轧后，在240℃中保温4h进行低温退火，得到带材样品。

对于制备得到的20个实施例合金和7个对比例合金的带材样品，分别测试力学性能、导电率、耐应力松弛性能、折弯性能、晶体取向及析出物平均粒径。

室温拉伸试验按照《GB/T 228.1-2010金属材料拉伸试验第1部分：室温试验方法》在电子万能力学性能试验机上进行，采用宽度为12.5mm的带头试样，拉伸速度为5mm/min。

导电率测试按照《GB/T 3048.2-2007电线电缆电性能试验方法第2部分：金属材料电阻率试验》，本检测仪器为ZFD微电脑电桥直流电阻测试仪，样品宽度为20mm，长度为500mm。

耐应力松弛性能测试按照《JCBA T309：2004铜及铜合金薄板条弯曲应力松弛试验方法》，沿平行于轧制方向取样，样品宽度10mm，长度100mm，初始加载应力值为0.2％屈服强度的80％，测试温度为150℃，时间为1000h。

折弯性能测试按照《GBT 232-2010金属材料弯曲试验方法》在折弯测试机上进行，样品宽度为5mm，长度50mm。

织构测试按照《GBT 30703-2014微束分析电子背散射衍射取向分析方法导则》在Pegasus XM2EBSD设备上进行测试，样品宽度10mm，长度10mm。

测试析出物大小时将合金制备成直径3mm的薄片，通过离子减薄处理，在透射电镜(使用设备为FEI TF20，倍率：15000)上观察样品的组织，根据观察结果计算合金析出的金属间化合物的平均粒径。

各实施例及对比例的成分及性能结果见表1所示。

根据实施例可以发现，本发明实施例铜合金的均实现了屈服强度≥550MPa，导电率≥38％IACS，弯曲加工性能优异即GW方向的值R/t≤1，BW方向的值R/t≤2。

通过对比例1～4可知，当Ni、Si、P比值不同时满足3≤Ni/(Si+P)≤20，0.1≤Si/P≤10，无法获得满足我们所需求材料的性能。通过对比例5、6可知，当Brass取向{011}<211>偏离角度小于15°的面积占比不满足5％～37％时、S型取向{123}<634>偏离角度小于15°的面积占比不满足5％～30％，材料弯曲加工性能明显变差。通过对比例7、8可知，当材料析出物平均粒径大小不满足5nm～50nm，合金的弯曲加工性能和抗应力松弛性能明显下降，无法满足所需要的材料性能。

Claims (7)

1.一种综合性能优异的铜合金，其特征在于，该铜合金的重量百分比组成包括：

Ni：0.4wt％～2.0wt％，

Sn：0.2wt％～2.5wt％，

P：0.02wt％～0.25wt％，

Si：0.001wt％～0.5wt％，

余量为Cu和不可避免的杂质；

Ni、P、Si的重量百分比满足：3≤Ni/(P+Si)≤20，且Si与P的重量百分比满足：0.1≤Si/P≤10；该铜合金的微观组织中含有镍磷金属间化合物和镍硅金属间化合物，其中，镍磷金属间化合物和镍硅金属间化合物的平均粒径均为5nm～50nm；该铜合金的带材的屈服强度≥550MPa，导电率≥38％IACS。

2.根据权利要求1所述的一种综合性能优异的铜合金，其特征在于，该铜合金的带材的晶体取向满足：Brass取向{011}<211>偏离角度小于15°的面积占比为5％～37％，S型取向{123}<634>偏离角度小于15°的面积占比为5％～30％。

3.根据权利要求1所述的一种综合性能优异的铜合金，其特征在于，该铜合金的重量百分比组成中还包括0.01wt％～0.5wt％的Mg和/或0.1wt％～2.0wt％的Zn。

4.根据权利要求1所述的一种综合性能优异的铜合金，其特征在于，该铜合金的重量百分比组成中还包括0.1wt％～2.0wt％的Co。

5.根据权利要求1所述的一种综合性能优异的铜合金，其特征在于，该铜合金的重量百分比组成中还包括总量为0.001wt％～1.0wt％的选自Fe、Al、Zr、Cr、Mn、B和RE中的至少一种元素。

6.根据权利要求1所述的一种综合性能优异的铜合金，其特征在于，该铜合金的带材的90°弯曲加工性能为：GW方向的值R/t≤1，BW方向的值R/t≤2；该铜合金的带材在150℃下保温1000小时，应力残留率≥75％。

7.权利要求1-6中任一项所述的综合性能优异的铜合金在连接器、端子或开关部件中的应用。