JP4267028B2 - 冗長回路及び半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
複数の前記冗長記憶回路は、複数の前記冗長記憶回路のそれぞれにプログラムされるアドレスの大小に関する順序は、複数の前記冗長記憶回路の裁番の順序に対応しており、
前記順序に対応してアドレスが、順次、複数の前記冗長記憶回路に共通に入力され、
共通に入力されるアドレスと前記冗長記憶回路にプログラムされたアドレス情報とに関連して、一の冗長記憶回路から活性状態の冗長選択信号が出力される前に、前記一の冗長記憶回路に対応した、他の冗長記憶回路から活性状態の冗長選択信号が出力されることが正順とされる冗長回路であって、
前記一の冗長記憶回路からの冗長選択信号と、前記他の冗長記憶回路から活性状態の冗長選択信号がすでに出力されているか否かを示す情報とを入力し、前記一の冗長記憶回路から活性状態の冗長選択信号が出力されたとき、前記他の冗長記憶回路から活性状態の冗長選択信号が未だ出力されていない場合、逆順状態と判定し、判定結果を出力する判定回路を、少なくとも前記一の冗長記憶回路に対して備えている。
複数の前記冗長記憶回路は並置され、一側から昇順に裁番され、
裁番された番号に関して昇順に前記冗長記憶回路に対して、アドレスが昇順でプログラムされ、
アドレスが、昇順に、複数の前記冗長記憶回路に共通に入力され、
一の冗長記憶回路から活性状態の冗長選択信号が出力される前に、前記一の冗長記憶回路よりも、若番の他の冗長記憶回路から活性状態の冗長選択信号が出力されることが正順とされ、
前記一の冗長記憶回路からの冗長選択信号と、前記一の冗長記憶回路よりも若番の前記他の冗長記憶回路から活性状態の冗長選択信号がすでに出力されているか否かを示す情報とを入力し、前記一の冗長記憶回路から活性状態の冗長選択信号が出力されたとき、前記他の冗長記憶回路から未だ活性状態の冗長選択信号が出力されていない場合、逆順状態と判定する判定回路を、少なくとも前記一の冗長記憶回路に対して備えている。
前記第3の冗長記憶回路に対応する、前記別系統の第1の論理回路の出力を、別系統の第3の判定信号とし、
別系統の第iの判定信号と、前記第i+1(だたし、3≦i≦n−1)の冗長記憶回路に対応する第iの論理回路の出力との論理和演算をとる、別系統の第1乃至第n−3の論理回路を備え、
別系統の前記第1乃至第n−3の論理回路の出力は、それぞれ第4乃至第nの判定信号とされ、
前記第nの判定信号と前記置換判定イネーブル信号に基づき、セット、リセットされ、出力を置換判定結果とし、前記置換判定イネーブル信号が活性状態となる前に出力がリセットされ、前記置換判定イネーブル信号が活性状態であり、且つ、前記第nの判定信号が活性状態であるとき、出力が活性状態にセットされる、第2の置換判定ラッチ用のSRフリップフロップをさらに備えた構成としてもよい。
逆転の判定を制御する判定イネーブル信号と、前記第1乃至第nの回路からの出力信号に基づき、リセット、セットされる、第1乃至第nのSRフリップフロップを、前記第1乃至第nの回路にそれぞれ対応して備え、前記判定イネーブル信号が活性状態になる前に、前記第1乃至第nのSRフリップフロップの出力は活性状態にセットされ、
前記判定イネーブル信号が活性状態とされており、前記回路から活性状態の出力信号が出力されると、前記回路に対応する前記SRフリップフロップの出力はリセットされる。第2乃至第nの回路にそれぞれ対応して、前記回路からの出力信号と、前段の回路に対応する前記SRフリップフロップの出力とを第1、第2の入力信号として入力し、入力した前記第1、第2の入力信号がともに活性状態のとき、活性状態の判定信号を出力し、その他の場合、非活性状態の判定信号を出力する、第1乃至第n−1の論理回路を備え、前記第1乃至第n−1の論理回路からの判定信号を受け、前記判定信号がすべて非活性状態のとき、活性状態の信号を出力し、1つでも活性状態のとき、非活性状態の信号を出力する第nの論理回路と、前記第nの論理回路の出力と前記判定イネーブル信号に基づき、セット、リセットされ、出力を判定結果とし、前記判定イネーブル信号が活性状態になる前にリセットされ、前記判定イネーブル信号が活性状態であり、且つ、前記第nの論理回路の出力が非活性状態であるとき、出力が活性状態にセットされる、SRフリップフロップと、を備えている。
211、212、221、222、231、232、 NOR回路
31〜3n−1、321、331、332、341、342 AND回路
4 NOR回路
41、4n−2、441、442、4n1、4n2 OR回路
511、512、521、522 NAND回路
61、62 インバータ
7、71、72 SRフリップフロップ
Claims (11)
- 冗長アドレスによる置換対象のアドレス情報がプログラムされ、入力されたアドレスがプログラムされたアドレス情報と一致したとき、活性状態の冗長選択信号を出力する冗長記憶回路を複数備え、
複数の前記冗長記憶回路は、複数の前記冗長記憶回路のそれぞれにプログラムされるアドレスの大小に関する順序が複数の前記冗長記憶回路の裁番の順序に対応しており、
前記順序に対応してアドレスが、順次、複数の前記冗長記憶回路に共通に入力され、
共通に入力されるアドレスと前記冗長記憶回路にプログラムされたアドレス情報とに関連して、一の冗長記憶回路から活性状態の冗長選択信号が出力される前に、前記一の冗長記憶回路に対応した、他の冗長記憶回路から活性状態の冗長選択信号が出力されることが正順とされる冗長回路であって、
前記一の冗長記憶回路からの冗長選択信号と、前記他の冗長記憶回路から活性状態の冗長選択信号がすでに出力されているか否かを示す情報とを入力し、前記一の冗長記憶回路から活性状態の冗長選択信号が出力されたとき、前記他の冗長記憶回路から活性状態の冗長選択信号が未だ出力されていない場合、逆順状態と判定し、判定結果を出力する判定回路を、少なくとも前記一の冗長記憶回路に対して備えている、ことを特徴とする冗長回路。 - 冗長アドレスによる置換対象のアドレス情報がプログラムされ、入力されたアドレスがプログラムされたアドレス情報と一致したとき、活性状態の冗長選択信号を出力する冗長記憶回路を複数備え、
複数の前記冗長記憶回路は並置され、一側から昇順に裁番され、
裁番された番号に関して昇順に前記冗長記憶回路に対して、アドレスが昇順でプログラムされ、
アドレスが、昇順に、複数の前記冗長記憶回路に共通に入力され、
一の冗長記憶回路から活性状態の冗長選択信号が出力される前に、前記一の冗長記憶回路よりも、若番の他の冗長記憶回路から活性状態の冗長選択信号が出力されることが正順とされ、
前記一の冗長記憶回路からの冗長選択信号と、前記一の冗長記憶回路よりも若番の前記他の冗長記憶回路から活性状態の冗長選択信号がすでに出力されているか否かを示す情報とを入力し、前記一の冗長記憶回路から活性状態の冗長選択信号が出力されたとき、前記他の冗長記憶回路から未だ活性状態の冗長選択信号が出力されていない場合、逆順状態と判定する判定回路を、少なくとも前記一の冗長記憶回路に対して備えている、ことを特徴とする冗長回路。 - 前記判定回路は、置換判定テストを制御する制御信号と、前記他の冗長記憶回路からの冗長選択信号に基づき、セット、リセットされるSRフリップフロップを前記他の冗長記憶回路に対応して備え、
前記SRフリップフロップは、少なくとも、前記制御信号が活性化される前にセットされ、
前記制御信号が活性状態とされ、前記他の冗長記憶回路から活性状態の冗長選択信号が出力されると、前記SRフリップフロップの出力はリセットされ、
前記一の冗長記憶回路からの冗長選択信号と、前記他の冗長記憶回路に対応した前記SRフリップフロップの出力信号とを入力し、入力した2つの信号がともに活性状態のとき、逆順状態と判定して出力する論理回路を備えている、ことを特徴とする請求項1又は2記載の冗長回路。 - 最初に前記判定回路で検出された逆順状態を保持するラッチ回路を備えている、ことを特徴とする請求項1又は2記載の冗長回路。
- 冗長アドレスによる置換対象のアドレス情報がプログラムされ、入力されたアドレスがプログラムされたアドレス情報と一致したとき、活性状態の冗長選択信号を出力する、第1乃至第n(ただし、nは2以上の所定の整数)の冗長記憶回路と、
置換判定テストを制御する置換判定イネーブル信号と、前記第1乃至第nの冗長記憶回路からの冗長選択信号に基づき、リセット、セットされる、第1乃至第nのSRフリップフロップを、前記第1乃至第nの冗長記憶回路にそれぞれ対応して備え、
前記置換判定イネーブル信号が活性状態になる前に、前記第1乃至第nのSRフリップフロップの出力は活性状態にセットされ、
前記置換判定イネーブル信号が活性状態とされており、前記冗長記憶回路から活性状態の冗長選択信号が出力されると、前記冗長記憶回路に対応する前記SRフリップフロップの出力はリセットされ、
第2乃至第nの冗長記憶回路にそれぞれ対応して、前記冗長記憶回路からの冗長選択信号と、前段の冗長記憶回路に対応する前記SRフリップフロップの出力とを、第1、第2の入力信号として入力し、入力した前記第1、第2の入力信号がともに活性状態のとき、活性状態の判定信号を出力し、その他の場合、非活性状態の判定信号を出力する、第1乃至第n−1の論理回路を備え、
前記第1乃至第n−1の論理回路からの判定信号を受け、前記判定信号がすべて非活性状態のとき、活性状態の信号を出力し、1つでも活性状態のとき、非活性状態の信号を出力する第nの論理回路と、
前記第nの論理回路の出力と前記置換判定イネーブル信号に基づき、セット、リセットされ、出力を置換判定結果とし、前記置換判定イネーブル信号が活性状態になる前にリセットされ、前記置換判定イネーブル信号が活性状態であり、且つ、前記第nの論理回路の出力が非活性状態であるとき、出力が活性状態にセットされる、置換判定ラッチ用のSRフリップフロップと、
を備えている、ことを特徴とする冗長回路。 - 冗長アドレスによる置換対象のアドレス情報がプログラムされ、入力されたアドレスがプログラムされたアドレス情報と一致したとき、活性状態の冗長選択信号を出力する、第1乃至第n(ただし、nは2以上の所定の整数)の冗長記憶回路と、
置換判定テストを制御する置換判定イネーブル信号と、前記第1乃至第nの冗長記憶回路からの冗長選択信号に基づき、リセット、セットされる、第1乃至第nのSRフリップフロップを、前記第1乃至第nの冗長記憶回路にそれぞれ対応して備え、
前記置換判定イネーブル信号が非活性状態のとき、前記第1乃至第nのSRフリップフロップの出力は活性状態にセットされ、
前記置換判定イネーブル信号が活性状態とされており、前記冗長記憶回路から活性状態の冗長選択信号が出力されると、前記冗長記憶回路に対応する前記SRフリップフロップの出力はリセットされ、
第2乃至第nの冗長記憶回路にそれぞれ対応して、前記冗長記憶回路からの冗長選択信号と、前段の冗長記憶回路に対応する前記SRフリップフロップの出力とを第1、第2の入力信号として入力し、入力した前記第1、第2の入力信号がともに活性状態のとき、活性状態の判定信号を出力し、その他の場合、非活性状態の判定信号を出力する、第1乃至第n−1の論理回路を備え、
前記第2の冗長記憶回路に対応する前記第1の論理回路の出力を第2の判定信号とし、
第iの判定信号と、前記第i+1(だたし、2≦i≦n−1)の冗長記憶回路に対応する第iの論理回路の出力との論理和演算をとる、第1乃至第n−2の論理回路を備え、
前記第1乃至第n−2の論理回路の出力は、それぞれ第3乃至第nの判定信号とされ、
前記第nの判定信号と前記置換判定イネーブル信号に基づき、セット、リセットされ、出力を置換判定結果とし、前記置換判定イネーブル信号が活性状態となる前に出力がリセットされ、前記置換判定イネーブル信号が活性状態であり、且つ、前記第nの判定信号が活性状態であるとき、出力が活性状態にセットされる、置換判定ラッチ用のSRフリップフロップを備えている、ことを特徴とする冗長回路。 - 第j(だたし、3≦j≦n)の冗長記憶回路に対して、前記第jの冗長記憶回路の冗長選択信号と、前記第j−2の冗長記憶回路に対応するSRフリップフロップの出力とを入力し、第1、第2の入力信号として入力し、入力した前記第1、第2の入力信号がともに活性状態の判定信号を出力し、その他の場合、非活性状態の判定信号を出力する、別系統の第1乃至第n−1の論理回路を備え、
前記第3の冗長記憶回路に対応する、前記別系統の第1の論理回路の出力を、別系統の第3の判定信号とし、
別系統の第iの判定信号と、前記第i+1(だたし、3≦i≦n−1)の冗長記憶回路に対応する第iの論理回路の出力との論理和演算をとる、別系統の第1乃至第n−3の論理回路を備え、
別系統の前記第1乃至第n−3の論理回路の出力は、それぞれ第4乃至第nの判定信号とされ、
前記第nの判定信号と前記置換判定イネーブル信号に基づき、セット、リセットされ、出力を置換判定結果とし、前記置換判定イネーブル信号が活性状態となる前に出力がリセットされ、前記置換判定イネーブル信号が活性状態であり、且つ、前記第nの判定信号が活性状態であるとき、出力が活性状態にセットされる、第2の置換判定ラッチ用のSRフリップフロップをさらに備えている、ことを特徴とする請求項6記載の冗長回路。 - 前記冗長記憶回路は、ヒューズの溶断の有無により2値のビット情報を記録するヒューズROMを含む、ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一に記載の冗長回路。
- 前記冗長記憶回路は、冗長置換を行うか否かを制御する冗長イネーブル信号を入力し、前記冗長イネーブル信号が活性状態であり、入力されたアドレスがプログラムされたアドレス情報と一致した場合、前記冗長選択信号を活性化する、ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一に記載の冗長回路。
- 請求項1乃至9のいずれか一に記載の前記冗長回路を備えた半導体記憶装置。
- 前記冗長記憶回路にプログラムされるアドレスは、置換対象のロウアドレス又はカラムアドレスである、ことを特徴とする請求項10記載の半導体記憶装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006335802A JP4267028B2 (ja) | 2006-12-13 | 2006-12-13 | 冗長回路及び半導体記憶装置 |
| US12/000,373 US8015457B2 (en) | 2006-12-13 | 2007-12-12 | Redundancy circuit and semiconductor memory device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006335802A JP4267028B2 (ja) | 2006-12-13 | 2006-12-13 | 冗長回路及び半導体記憶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008146793A JP2008146793A (ja) | 2008-06-26 |
| JP4267028B2 true JP4267028B2 (ja) | 2009-05-27 |
Family
ID=39526989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006335802A Active JP4267028B2 (ja) | 2006-12-13 | 2006-12-13 | 冗長回路及び半導体記憶装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8015457B2 (ja) |
| JP (1) | JP4267028B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101046726B1 (ko) * | 2009-05-19 | 2011-07-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 퓨즈회로 및 퓨즈상태 모니터링 방법 |
| KR20130123933A (ko) * | 2012-05-04 | 2013-11-13 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전기적 퓨즈 럽쳐 회로 |
| JP6360610B1 (ja) | 2017-11-22 | 2018-07-18 | 力晶科技股▲ふん▼有限公司 | Sram装置のための冗長回路、sram装置、及び半導体装置 |
| KR102777472B1 (ko) * | 2018-11-15 | 2025-03-10 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체장치 및 반도체시스템 |
| US11144214B2 (en) | 2019-07-25 | 2021-10-12 | Micron Technology, Inc. | Memory authentication |
| US12086024B2 (en) * | 2021-04-15 | 2024-09-10 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Method and apparatus for repairing fail location |
| WO2023058189A1 (ja) * | 2021-10-07 | 2023-04-13 | 日立Astemo株式会社 | 通信用半導体装置 |
| KR20240109358A (ko) | 2023-01-04 | 2024-07-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 장치의 동작 방법 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4877358A (ja) | 1972-01-22 | 1973-10-17 | ||
| JPS61202244A (ja) | 1985-03-06 | 1986-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | プログラム故障検出装置 |
| JPS6349933A (ja) | 1986-08-20 | 1988-03-02 | Nec Corp | 論理多重化システムボリユ−ムを用いた世代指定システム立上げ方式 |
| JPH0279135A (ja) | 1988-09-16 | 1990-03-19 | Nec Corp | プログラム走行監視方式 |
| JPH02281344A (ja) | 1989-04-21 | 1990-11-19 | Nec Corp | プログラム走行監視方式 |
| JPH0816434A (ja) | 1994-06-29 | 1996-01-19 | Mitsubishi Denki Semiconductor Software Kk | 暴走検出回路 |
| JP3862330B2 (ja) * | 1996-05-22 | 2006-12-27 | 富士通株式会社 | 半導体記憶装置 |
| JP2850953B2 (ja) * | 1996-07-30 | 1999-01-27 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| JPH11149786A (ja) * | 1997-11-18 | 1999-06-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性半導体メモリ |
| JP2003263900A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
| JP2004103081A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
| JP4152241B2 (ja) | 2003-02-14 | 2008-09-17 | エルピーダメモリ株式会社 | 冗長制御回路、及びそれを用いた半導体装置 |
| JP4257282B2 (ja) | 2004-10-07 | 2009-04-22 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体記憶装置 |
| US7548842B2 (en) * | 2005-06-02 | 2009-06-16 | Eve S.A. | Scalable system for simulation and emulation of electronic circuits using asymmetrical evaluation and canvassing instruction processors |
-
2006
- 2006-12-13 JP JP2006335802A patent/JP4267028B2/ja active Active
-
2007
- 2007-12-12 US US12/000,373 patent/US8015457B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2008146793A (ja) | 2008-06-26 |
| US20080144410A1 (en) | 2008-06-19 |
| US8015457B2 (en) | 2011-09-06 |
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|
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|
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|
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|
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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