JP4259459B2 - 半導体ウェハの表面処理方法及びその装置 - Google Patents
半導体ウェハの表面処理方法及びその装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4259459B2 JP4259459B2 JP2004351349A JP2004351349A JP4259459B2 JP 4259459 B2 JP4259459 B2 JP 4259459B2 JP 2004351349 A JP2004351349 A JP 2004351349A JP 2004351349 A JP2004351349 A JP 2004351349A JP 4259459 B2 JP4259459 B2 JP 4259459B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- processing
- treatment
- surface treatment
- holding means
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Weting (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
また、スティックレスフォグを均一に半導体ウェハの処理面に供給するためには、スティックレスフォグ供給ノズルを揺動させたり、或いは半導体ウェハを回転させたりする必要があり、構造が複雑化するという問題がある。
請求項1に記載の半導体ウェハの表面処理方法は、非処理面を下側にして半導体ウェハを、上下方向に間隔をあけて複数段設けられている保持手段の各々の上に保持し、この非処理面と保持手段との間に保護気体を流し、半導体ウェハの処理面に沿って微粒子状の処理液(スティックレスフォグ)を流すことによって、一度に多数の半導体ウェハの表面処理を行うようにしたものであり、これにより、スティックレスフォグが非処理面へ進入するのを阻止することができると共に、保護材が処理面に付着して表面処理が阻害される等の不具合を防止することができる。また、設置スペースを増大することなく、多数の半導体ウェハを一括して表面処理することが可能となる。
また、設置スペースを増大することなく、複数の半導体ウェハを一括して表面処理をすることができる。また、中央部付近から外周に均等に保護気体を流すことができ、スティックレスフォグの非処理面への侵入を防止できる。
請求項4の該表面処理装置は、微粒子供給手段が、複数段の保持手段上に保持された各半導体ウェハに対応して形成された複数の放出口を有する分配プレートを備えていて、分配プレートに隣接して各放出口の下方にコマ部を設けたものであり、これにより、半導体ウェハを保持手段上に位置付けすることができると共に、保護気体を非処理面から半導体ウェハの内方側に逃がす案内をさせることによって、スティックレスフォグを確実に処理面全体に均一に供給することができる。
まず、チャックプレート31上に処理面10aを上向きにして半導体ウェハ10をセットしたキャリアCをチャンバ2に投入し、分配管41の開口41aに分配プレート42を嵌合してセットし、給気管51に保護気体である高圧窒素の供給源53を接続する。供給された窒素(実施例では、半導体ウェハ1枚当り1NL/min)は、給気管51から各連結管52、保持プレート32の連通路32aを通りチャックプレート31に設けたノズル孔31aから半導体ウェハ10の保護面である非処理面10bとチャックプレート31間に流入する。ノズル孔31aは半導体ウェハ10の非処理面10bに対して傾斜(実施例では60度)をもたせることで窒素の流線を非処理面10bに沿った流れとすることができる。これにより、半導体ウェハ10は、ベルヌーイ効果で図2に示すように一定の間隔Dを保ってチャックプレート31上に保持され、半導体ウェハ10の外周から均等に窒素が流出し、半導体ウェハ10の非処理面10bはスティックレスフォグを半導体ウェハ10の外周部から吸い込むことなく確実に保護される。
また、上述の実施形態では、窒化膜のエッチング例を示したが、酸化シリコンをエッチングして微細な構造体を形成する処理などのように、薬液を微細化して処理部に反応させる処理形態であれば、何れの処理形態でも本発明は適用可能なものである。
また、保護気体の一部を半導体ウェハ内側に向けて流れる構造とすることで、処理面へのスティックレスフォグの供給を効率良く行うことができ、処理速度、バラツキを向上することが可能となる。更に、スペースを必要とすることなく多数の半導体ウェハを一度に処理することが可能となる。
2 チャンバ(処理室)
3 保持手段
31 チャックプレート
31a ノズル孔
31b 傾斜面
32 保持プレート
33 連結ロッド
4 微粒子供給手段
41 分配管
42 分配プレート
42a 放出口
5 保護気体供給手段
51 給気管
52 連結管
6 スペーサ
7 コマ部
7a 垂直面
7b 傾斜面
8 エンドプレート
10 半導体ウェハ
10a 処理面
10b 非処理面(回路面)
10c オリフラ部
C キャリア
D 間隙
G ギャップ
Claims (5)
- 半導体ウェハの処理面に対して、処理液による表面処理を行う半導体ウェハの表面処理方法において、
前記処理面と反対側の非処理面を下側にして前記半導体ウェハを、上下方向に間隔をあけて複数段設けられている保持手段の各々の上に保持し、前記半導体ウェハの前記非処理面と前記保持手段との間にベルヌーイ効果を発生するように前記非処理面を保護する保護気体を流し、この状態で、前記半導体ウェハの前記処理面に沿って、微粒子状の処理液を流すことによって、一度に多数の前記半導体ウェハの前記処理面の表面処理を行うことを特徴とする半導体ウェハの表面処理方法。 - 半導体ウェハの処理面に対して、処理液による表面処理を行う半導体ウェハの表面処理装置であって、
表面処理を行う処理室と
前記処理室内で、前記処理面と反対側の非処理面を下側にして前記半導体ウェハを保持する保持手段と、
前記保持手段上に保持された前記半導体ウェハの前記非処理面と前記保持手段との間に保護気体を供給する保護気体供給手段と、
前記処理面に付着しない粒径に微粒子化した処理液を前記半導体ウェハの前記処理面に沿って供給する微粒子供給手段と、
を備える半導体ウェハの表面処理装置において、
前記保持手段が、上下方向に間隔をあけて棚状に複数段設けられていると共に、前記保持手段の各々には、略中央部付近に複数のノズル孔が形成されていて、前記ノズル孔の各々が前記保護気体供給手段に連通していることを特徴とする半導体ウェハの表面処理装置。 - 前記ノズル孔が前記半導体ウェハの前記非処理面に対して傾斜して形成されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体ウェハの表面処理装置。
- 前記微粒子供給手段が、複数段の前記保持手段上に保持された前記半導体ウェハの各々に対応して形成された複数の放出口を有する分配プレートを備えていて、前記分配プレートに隣接して、前記放出口の各々の下方に、前記半導体ウェハを位置付けし、かつ保護気体を前記非処理面から逃がす案内をするコマ部を配設したことを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体ウェハの表面処理装置。
- 前記コマ部の前記半導体ウェハ側の面が、垂直面と傾斜面とで構成されていて、前記垂直面が前記半導体ウェハのオリフラ部に当接することで、前記半導体ウェハの位置付けが行われることを特徴とする請求項4に記載の半導体ウェハの表面処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004351349A JP4259459B2 (ja) | 2004-12-03 | 2004-12-03 | 半導体ウェハの表面処理方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004351349A JP4259459B2 (ja) | 2004-12-03 | 2004-12-03 | 半導体ウェハの表面処理方法及びその装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006165110A JP2006165110A (ja) | 2006-06-22 |
JP4259459B2 true JP4259459B2 (ja) | 2009-04-30 |
Family
ID=36666797
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004351349A Expired - Fee Related JP4259459B2 (ja) | 2004-12-03 | 2004-12-03 | 半導体ウェハの表面処理方法及びその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4259459B2 (ja) |
-
2004
- 2004-12-03 JP JP2004351349A patent/JP4259459B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006165110A (ja) | 2006-06-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8048235B2 (en) | Gate valve cleaning method and substrate processing system | |
TWI548457B (zh) | 用於使用一或多個處理流體加工微電子工件之工具的屏障結構及噴嘴裝置 | |
KR102381781B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
US6598314B1 (en) | Method of drying wafers | |
KR20120016011A (ko) | 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체 | |
TW201207891A (en) | Methodologies for rinsing tool surfaces in tools used to process microelectronic workpieces | |
KR20150003429A (ko) | 기판 세정 장치의 챔버 배열 구조 | |
JP3088118B2 (ja) | 板状物処理装置および板状物処理方法ならびに半導体装置の製造方法 | |
JP4259459B2 (ja) | 半導体ウェハの表面処理方法及びその装置 | |
TWI713667B (zh) | 光阻製程工具以及用於清洗光阻製程工具的杯洗盤和方法 | |
JP6338275B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
US10103020B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2008098430A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
TWI673115B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
CN115565925A (zh) | 基板处理装置和防雾件的清洗方法 | |
KR101395248B1 (ko) | 노즐 유닛 | |
JP4337589B2 (ja) | 半導体ウェハの表面処理装置 | |
KR20090104573A (ko) | 박막증착장치 | |
JP2006073753A (ja) | 基板洗浄装置 | |
JP7191591B2 (ja) | 基板処理方法 | |
KR100864868B1 (ko) | 박막증착장치 | |
JP2007115795A (ja) | 基板裏面のドライ洗浄方法とその装置 | |
JP2015142086A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP5824225B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP3627651B2 (ja) | 半導体ウエハの表面処理方法及びその装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070115 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081107 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081118 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081216 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090120 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090202 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4259459 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140220 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |