JP4255148B2 - パージガス導入機構および成膜装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はパージガス導入機構および成膜装置に関し、特に、メタルＣＶＤ等の成膜処理が行われる装置に適した基板支持機構の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、基板の表面に銅（Ｃｕ）を成膜する銅ＣＶＤ装置では基板支持機構における基板固定装置として静電チャックが用いられたものがある。このようなＣＶＤ装置では成膜時には静電チャックの上面（基板チャック面）に基板が配置されているため、当該上面に膜が付着して汚染されるということはない。成膜時、基板の上方から導入された原料ガスが基板の表面上に堆積し、ＣＶＤ成膜が行われる。成膜の間、基板は静電チャックの吸着作用によって固定されている。一方、静電チャック上に基板が配置されていない時、例えば基板搬送時では、静電チャックの基板搭載面である上面は露出した状態にある。このような基板支持機構において一枚一枚基板が搬送され（枚葉式で）、銅ＣＶＤ成膜が行われる。通常、従来の銅ＣＶＤ装置では基板支持機構の静電チャック面に基板が固定されＣＶＤ成膜が行われる時、基板の周縁全周で下方から上方に向かってパージガス（アルゴンまたはヘリウム）を噴き出すように構成しており、これによって原料ガスが基板の側面部および裏面に回り込み、当該部分に膜が堆積するのを防止するように構成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
前述した従来の銅ＣＶＤ装置では、基板搬送時等のごとく基板支持機構の静電チャック上に基板が搭載されていない時、当該基板搭載面が汚染されるという問題が起きる。すなわち、静電チャックの基板搭載面が露出される時、成膜中に処理チャンバ内に残留する未反応の原料ガスが反応して静電チャックの基板搭載面に銅膜を形成する。この銅膜は枚葉式にて基板の成膜処理が進行するに従って徐々に付着するもので、やがては静電チャックの吸着力を減衰させる。このため、基板を固定するための吸着能力を消失させてしまうという問題が起きる。また静電チャックの基板搭載面に銅膜があると、基板搭載時基板の裏面に銅膜が付着するため、基板を汚染するという問題も起きる。このような問題は、成膜能力を向上するには障害になるので、解消されなければならない。
【０００４】
上記問題は銅ＣＶＤ装置だけの問題ではなく、一般的に金属（メタル）等のように導電膜の成膜にＣＶＤを利用するときに生じる問題である。
【０００５】
他方、基板上に絶縁膜を堆積させる場合には上記吸着能力の低下という問題はさほど大きな問題とはならない。しかしながら、成膜中に膜が基板搭載面に付着することにより静電チャックの基板チャック面が汚染されるという問題が同様に生じる。従ってかかる静電チャックのチャック面の汚染は防止されなければならない。
【０００６】
また基板支持機構が静電チャックを備えない構成を有する場合であっても、例えばメカニカルチャックを備えた基板支持機構の場合にも上記汚染の問題は生じる。すなわち例えばポリシリコンやタングステンシリコンのＣＶＤ成膜を行う場合にも前述した同様な問題が起きる。
【０００７】
本発明の目的は、上記問題を解決することにあり、静電チャックを備える場合には吸着力低減と汚染を防止し、機械的チャックを備える場合には汚染を防止することができるパージガス導入機構および成膜装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段および作用】
本発明に係るパージガス導入機構および成膜装置は、上記目的を達成するために次のように構成される。
第１のパージガス導入機構（請求項１に対応）は、
基板載置部と、
基板載置部の側面周囲から下側にかけて設けられたカバー部材と、
カバー部材に形成され、かつ基板の周縁部に対してパージガスを噴出する第１噴射口を有する第１ガス通路と、
カバー部材に形成され、かつ基板載置部の載置面に沿ってパージガスを噴出する第２噴射口を有する第２ガス通路と、
を備えることで特徴づけられる。
第２のパージガス導入機構（請求項２に対応）は、上記の構成において、パージガス供給源から供給されたガスを、第１噴射口および第１ガス通路に通じる第１導入口と、第２噴射口および第２ガス通路に通じる第２導入口のいずれか切り替えて供給するための切替部を有することで特徴づけられる。
第３のパージガス導入機構（請求項３に対応）は、
基板載置部と、
基板載置部の側面周囲から下側にかけて設けられ、可動部（ホルダカバー６２に対応）と固定部（リング部材６３に対応）からなるカバー部材と、
可動部と固定部の間に構成されるとともに、パージガスを噴出するガス噴射口を有するガス通路と、
を具備し、
ガス噴射口は、可動部が下限位置にあるとき、基板の周辺部に対してパージガスを噴出するように構成され、
可動部が上限位置にあるとき、基板載置部の載置面に沿ってパージガスを噴出するように構成されていることで特徴づけられる。
成膜装置（請求項４に対応）は、
処理チャンバと、
処理チャンバに設けられた原料ガス導入部と、
上記の第１から第３のパージガス導入機構と、
を具備することで特徴づけられる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の好適な実施形態を添付図面に従って説明する。
【００１０】
図１〜図３は本発明の第１の実施形態を示す。この実施形態による基板支持機構のパージガス導入機構は異なる２系統のパージガス導入経路が形成された構成である。図１は全体的な構成を示す縦断面図、図２は成膜時のパージガスの流れ状態を示す部分断面図であり、図３は基板支持機構に基板が搭載されていない時のパージガスの流れ状態を示す部分断面図である。
【００１１】
図１を参照して第１実施形態の構成を説明する。処理チャンバ１１は例えば銅等の金属（メタル）の膜をＣＶＤ法により基板１２の表面上に堆積させる成膜処理を行うチャンバである。処理チャンバ１１の例えば円筒形の側壁部には、基板１２を搬入または搬出するためのゲートバルブ１３が設けられている。開閉自在なゲートバルブ１３を通して、基板１２は１枚ごと図示しない搬送ロボットによって処理チャンバ１１内に搬入されまたは処理チャンバ１１から搬出される。さらに処理チャンバ１１の側壁部にはガス排出口１４が形成されている。ガス排出口１４は図示しない排気機構に接続されている。ガス排出口１４を通して残留ガス等が外部へ排出される。図１で矢印１５は排出されるガスの流れを示している。処理チャンバ１１の上壁部には原料ガス導入部１６が設けられる。原料ガス導入部１６はパイプ部１６ａを介して原料ガス供給源１７と接続されている。原料ガス導入部１６の下面は多数の孔が形成され、原料ガス導入部１６に供給された原料ガスはこれらの孔を通して拡散し、基板１２の前面空間に導入される。この原料ガス導入部１６はシャワーヘッド形式の導入部である。
【００１２】
処理チャンバ１１内において底壁部側には基板支持機構１８が設けられる。基板支持機構１８は成膜時に基板を保持する基板ホルダである。基板支持機構１８は、ヒータ１９を内蔵したブロック２０と、ブロック２０の上に設けられた静電チャック２１と、これらのブロック２０と静電チャック２１の周囲に設けられたホルダカバー２２とから構成される。ブロック２０と静電チャック２１は共にその平面形状が円形をなし、静電チャック２１の上面である基板搭載面（静電チャック面）は円形であって好ましくは基板１２の直径よりも若干小さい直径を有している。ホルダカバー２２は全体としてリング状形態を有し、ブロック２０と静電チャック２１の各々の周囲側面部を覆うと共に静電チャック２１の上面の周囲を覆うような形態を有している。基板支持機構１８において、ブロック２０の下側はその中心部付近で支持筒体２３が設けられている。支持筒体２３は処理チャンバ１１の底壁部に形成された孔を通して処理チャンバ１１の下側へ延設される。支持筒体２３と処理チャンバ１１の底壁部との間にはシール機構２４が設けられている。シール機構２４によって処理チャンバ１１内の気密性が保持される。このシール機構２４は同時にまた基板支持機構１８自体を矢印２５のごとく移動させることを可能にする機能も有している。基板支持機構１８は図示しない上下動駆動機構によって上記矢印２５に示すごとく昇降自在に設けられている。なおブロック２０内のヒータ１９にはヒータ用電源・コントローラ２６から必要な電力が供給される。さらに静電チャック２１の電極には静電チャック用電源・コントローラ２７から必要とされる電圧が供給される。ヒータ用電源・コントローラ２６からの配置線および静電チャック用電源・コントローラ２７からの配線は上記支持筒体２３の内部空間を利用して配置される。
【００１３】
ブロック２０および静電チャック２１の周囲に設けられたホルダカバー２２は例えばブロック２０に固定される。ホルダカバー２２の下側は図示されるごとく内外二重構造となったフレキシブル管２８，２９が設けられ、フレキシブル管２８，２９の下端は処理チャンバ１１の底壁部に固定されている。フレキシブル管２８，２９は各々その軸方向に伸縮自在であり、基板支持機構１８の上下動に対応して伸縮することができる。フレキシブル管２８，２９が設けられることによって基板支持機構１８の下側空間は内外二重の２つのスペース３０，３１に分けられる。一方、上記ホルダカバー２２には、その径方向において内側に位置する第１パージガス通路３２と外側に位置する第２パージガス通路３３が形成されている。第１パージガス通路３２と第２パージガス通路３３は共に孔状の形態を有する通路であり、ホルダカバー２２の円周方向に複数のパージガス通路として形成されている。第１パージガス通路３２と第２パージガス通路３３の個数は任意であり、好ましくは円周方向に均等の間隔で配置され、基板２１の表面または静電チャック面で所望のパージガス噴出を行うことができるように設定される。上記において、第１パージガス通路３２におけるガス噴出口に通じる通路部分は垂直方向に形成され、第２パージガス通路３３におけるガス噴出口に通じる通路部分は水平方向（静電チャック面に平行）に形成されている。
【００１４】
上記構成において、内側に位置するスペース３０は第１パージガス通路３２に対応し、スペース３０に導入されたパージガスは第１パージガス通路３２に流れるようにつながっている。また外側に位置するスペース３１は第２パージガス通路３３に対応しており、スペース３１に導入されたパージガスは第２パージガス通路を流れるようにつながっている。
【００１５】
次に、処理チャンバ１１の底壁部には２つのパージガス導入口３４，３５が設けられる。パージガス導入口３４は上記内側のスペース３０に通じるように設けられ、一方、パージガス導入口３５は外側のスペース３１に通じるように設けられている。
【００１６】
処理チャンバ１１の下側にはパージガス供給源３６と切替部３７が設けられている。パージガス供給源３６は、アルゴンまたはヘリウム等の不活性ガスをパージガスとして供給する装置である。切替部３７は、パージガス供給源３６から供給されたパージガスを、外部から与えられる制御信号に基づいて、パージガス導入口３４またはパージガス導入口３５のいずれかに選択的に切替えて供給するための装置である。基板１２の成膜を行う時にはパージガスは切替部３７によってパージガス導入口３４の方へ供給され、基板搬送時等の基板が静電チャック２１に搭載されていない時にはパージガスは切替部３７によってパージガス導入口３５の方へ供給されるように構成される。
【００１７】
次に上記基板支持機構１８の動作をパージガス導入という観点から説明する。上下動自在に設けられた基板支持機構１８は基板成膜時には上方位置にセットされ、基板１２を搬入・搬出する時は下方位置にセットされる。図１に示した状態は基板支持機構１８の静電チャック２１の上面に基板１２が搭載され固定された状態にあり、基板成膜が行われる状態を示している。基板成膜が行われる時には、基板１２の上方から導入される原料ガスが基板１２の側部や裏面に回り込むのを防止するため、基板１２の周縁部全周からパージガスを上方に向けて噴出させる。この状態を図２に示す。図２において、矢印４０はスペース３０から第１パージガス通路３２へ流れるパージガスの流れ、矢印４１は第１パージガス通路３２の噴出口から噴出されたパージガスの流れを示している。基板成膜時には、切替部３７は、パージガス供給源３６から供給されるパージガスをパージガス導入口３４へ供給する。パージガス導入口３４に供給されたパージガスはスペース３０内に導入され、さらに第１パージガス通路３２を通って基板１２の周縁部に導かれ、噴出される。このようなパージガスの第１パージガス通路３２による導入は、第１パージガス通路３２におけるガス噴出口に至る通路部分が垂直方向を向いているので、図２に示されるような矢印４１の方向、すなわち基板１２の周縁部にほぼ垂直に導入され基板上面の上方から外側に向かってパージガスが噴出される。矢印４１に示されるパージガスの噴出によって上方から到来する原料ガスが基板１２の裏面等に回り込むのを防止することができる。
【００１８】
一方、ゲートバルブ１３を通して基板１２を搬入し基板支持機構１８の静電チャック２１の上面にセットする時、あるいは成膜処理が完了した基板１２をゲートバルブ１３を通して搬出する時、基板支持機構１８の静電チャック２１の上面に基板が搭載されていない状態が生じる。基板１２が搬入・搬出される時、基板支持機構１８は下方位置に移動して静止している。基板１２が静電チャック２１の上面に存在しないと、成膜時に処理チャンバ１１内に堆積した付着膜が剥がれ、静電チャック面に付着するおそれが生じる。そこでこの場合には、切替部３７は制御信号に従ってパージガスをパージガス導入口３５へ供給する。そうすると、導入されたパージガスはスペース３１を通り、第２パージガス通路３３を通り静電チャック２１の上面に対して噴出されることになる。この状態を図３に示す。図３で矢印４２はスペース３１から第２パージガス通路３３へ流れるパージガスの流れ、矢印４３は第２パージガス通路３３の噴出口から噴出されたパージガスの流れを示している。第２パージガス通路３３のガス噴射口は静電チャック面よりも上側に位置し、かつ第２パージガス通路３３のガス噴出口に至る通路部分は静電チャック面に対し平行な位置関係であるので、図３の矢印４３に示されるごとく第２パージガス通路３３の噴出口から噴出されたパージガスは静電チャック面に対して平行で且つその中心方向に向かうように噴射される。このように、静電チャック２１の上面に基板１２が搭載されていない時には、常に当該上面に平行となるようにパージガスが噴出されるので、静電チャック２１の上面に膜が付着しようとしてもこれを阻止することができる。この場合において矢印４３で示されるパージガスの噴出量あるいは噴出時間は処理チャンバ１１における成膜条件等に対応して任意に定めることができる。以上によって基板搬送時に静電チャックの表面を常に清浄に保つことが可能となる。
【００１９】
次に図４と図５を参照して本発明の第２の実施形態を説明する。この実施形態では１つのパージガス導入系統を有し、機械的構造によってパージガスの噴出方法を垂直方向または水平方向に変更できるように構成されている。図４および図５において、前述の第１実施形態で説明された要素と実質的に同一な要素には同一な符号を付し、その詳細な説明を省略する。以下、第２実施形態における特徴的な構成と作用に重点をおいて説明を行う。
【００２０】
この実施形態では基板支持機構１８を上下動させる駆動機構の構成の一例が明らかにされる。基板支持機構１８の下部に設けられた支持筒体２３は処理チャンバ１１の底壁部１１ａの中央に形成された孔１１ｂを通って処理チャンバ１１の下方に延設されている。この支持筒体２３の下端には下端フランジ２３ａが設けられている。支持筒体２３ａは孔１１ｂを通して挿通自在に設けられており、その周囲にはフレキシブル管５１が配置される。フレキシブル管５１は孔１１ｂの外側周囲に取り付けられた支持リング５２と下端フランジ２３ａの間に固定される。本実施形態では、１つのパージガス導入口５３が設けられ、このパージガス導入口５３は下端フランジ２３ａに設けられている。パージガス導入口５３には前述のパージガス供給源３６から直接的にパージガスが供給されるようになっている。パージガス導入口５３に供給されたパージガスはフレキシブル管５１と支持筒体２３との間のスペースを通り、孔１１ｂを通り、基板支持機構１８のブロック２０の下側空間に導入される。図中矢印５４はブロック２０の下側空間に導入されたパージガスの流れを示している。基板支持機構１８を上下動させる駆動機構は、処理チャンバ１１の底壁部１１ａの下側に取り付けられた支柱５５と、支柱５の下端に固定されたモータ５６と、モータ５６の回転動作で回転自在になるネジ棒５７と、ネジ棒５７に噛み合う雌ネジを備えた移動体５８とから構成されている。移動体５８の一部は前述の下端フランジ２３ａに結合されている。またモータ５６にはモータ用電源・コントローラ５９からモータ５６の回転動作に必要な電力が供給される。モータ５６の回転動作によりネジ棒５７がいずれかの方へ回転すると、下端フランジ２３ａに固定された移動体５８はネジ棒５７の軸方向に移動する。ネジ棒５７は図示されるごとく垂直方向に向けて配置されているので、移動体５８が移動することによって基板支持機構１８を上下方向に任意に移動させることができる。基板支持機構１８の移動範囲、すなわち上限及び下限は移動体５８の移動範囲によって決められる。図４で示された状態は、基板支持機構１８は上限位置にセットされている。この状態で基板支持機構１８の静電チャック２１の上面に取り付けられた基板１２が成膜されることになる。
【００２１】
図４において基板支持機構１８の下部および下側空間の周囲には所定の隙間を保ってシールド管６１が設けられる。シールド管６１の下端は処理チャンバ１１の底壁部１１ａの内側面に固定されている。さらに基板支持機構１８の静電チャック２１の側方周囲とブロック２０の側方周囲には、本実施形態の固有の形状を有するホルダカバー６２が配置される。ホルダカバー６２は静電チャック２１の上面と実質的に平行である水平部６２ａと静電チャック２１およびブロック２０の周囲側面を囲む筒体部６２ｂとからなっている。ホルダカバー６２は水平部６２ａが静電チャック２１の周囲に固定されたリング部材６３（固定部）上に載置されることにより基板支持機構１８に取り付けられる。またホルダカバー６２の筒体部６２ｂの径は前述のシールド管６１の径よりも大きくなっており、かつ筒体部６２ｂの下端がシールド管６１の上端と隙間を介して重なり合うような位置関係で維持されている。また筒体部６２ｂの内面上方にはストッパリング６２ｃが設けられている。このストッパリング６２ｃは基板支持機構１８が下方に移動した時に、基板支持機構１８自体が下限に到達した時にホルダカバー６２が所定の下方位置に保持させるための部材である。ストッパリング６２ｃはリング形状に限定されない。
【００２２】
次に上記実施形態による基板支持機構の動作について説明する。基板支持機構１８は前述の上下動駆動機構によって上下動自在に設けられている。図４は基板支持機構１８が上限位置に移動され、基板１２に対して成膜が行われる時の状態を示している。これに対して図５は基板支持機構１８が下限の位置に移動され、基板支持機構１８の静電チャック２１上の基板１２が搬出された状態を示している。基板支持機構１８が図４に示すごとく上限位置にある時、ホルダカバー６２は静電チャック２１の周囲に設けられたリング部材６３の上に搭載され、基板支持機構１８と共に上方に移動する。この場合には、パージガス導入口５３を通して処理チャンバ１１内の下部空間に導入されたパージガスは矢印５４に示すごとくシールド管６１とブロック２０およびリング部材６３の各周囲面との間のスペース（ガス通路７１）を通って最終的に矢印４１に示すごとく基板１２の周縁部から上方に向かってパージガスは噴出する。図４に示された状態では基板１２の周縁部に形成されるパージガスの通路は垂直方向に形成されるため矢印４１に示すごとくパージガスは上方に向かって噴出される。かかるパージガスの噴出によって、原料ガス導入部１６から導入される原料ガスが基板１２の周縁部および裏面部に回り込むことを防止することができる。
【００２３】
一方、上記基板１２の表面における成膜処理が終了すると、処理した基板１２を搬出すると共に処理対象である新しい基板を搬入する工程に移る。そのために基板支持機構１８は前述の上下動駆動機構によって下方に移動し、図５に示すごとく下限位置にセットされる。この状態では、ホルダカバー６２は下降の初期段階では基板支持機構１８と共に下方に移動するが、上記ストッパリング６２ｃがシールド管６１の上端部に当たると、その位置でホルダカバー６２は停止状態になり、保持される。基板支持機構１８自体はさらに下方に移動し停止する。この結果、基板１２が取り除かれた状態において、基板支持機構１８の静電チャック２１の上面とホルダカバー６２の水平部６２ａとの位置関係に関し当該上面が下側に位置する。この状態において、パージガス導入口５３からは継続してパージガスが供給されており、矢印５４に示すごとくパージガスは流れる。静電チャック２１の周縁部まで導入されたパージガスは、ホルダカバー６２の水平部６２ａが静電チャック２１の上面に対してその若干上側であって水平方向に向かってパージガス通路（ガス通路７１）を形成しているので、最終的にパージガスが噴出する時、矢印４３に示されるごとく静電チャック２１の上面に平行であってその周縁部から中心部に向かってパージガスが噴出されることになる。基板の搬送時、すなわち基板が静電チャック２１の上面に搭載されていない時には、静電チャック２１の上面に成膜時の付着物が落下して付着する可能性があるので、矢印４３に示すごとくパージガスを静電チャックの上面に平行に周縁部から中心部に向かって流すことにより当該膜の付着を防止する。これにより基板非搭載時における静電チャックの２１の基板搭載面を常に清浄に保持することができる。
【００２４】
前述のごとく本実施形態によれば、１つのパージガス導入系統を用いてもパージガスの噴出方向を基板成膜時と基板搬送時のそれぞれで異ならせることができる。これは、基板支持機構１８の下側周囲に設けられたシールド管６１と、基板支持機構１８の上下方向の移動に伴ってその位置が変更されるホルダカバー６２（可動部）という簡単な構成で実現される。本実施形態は、簡単な機械的構成で実現可能である。
【００２５】
前述の本発明の構成は、基板支持機構の周縁部に対応する上方位置にシャドウ形成リングを配置する場合にも適用することができる。また原料ガス導入部の構造は、シャワーヘッド形成ではない他の形式、例えばホルン形状を有するものを用いることもできる。
【００２６】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように本発明によれば、成膜時には第１のパージガス通路によって基板の周縁全周で基板表面に対してほぼ垂直にパージガスが噴出されるようにしたため、原料ガスが基板の裏面等に回り込むのを防止でき、これによって原料ガスが基板裏面等に付着するのを防止でき、他方、基板が基板支持機構に搭載されていないときには第２のパージガス通路によって基板載置面に対してほぼ平行にその周縁全周部から中心部に向けてパージガスを噴出するようにしたため、成膜時に残留する反応性ガスによって基板載置面に膜が形成されることを防止でき、基板載置面の汚染を防止でき、基板載置面を常に清浄に保持することができる。基板支持機構が静電チャックを備えるときには、静電チャックの表面を常に平坦に維持することができ、その吸着能力を常に良好に維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態を示す全体構成図である。
【図２】基板成膜時におけるパージガス導入・噴出状態を示す要部断面図である。
【図３】基板非搭載時におけるパージガス導入・噴出状態を示す要部断面図である。
【図４】本発明の第２実施形態であって基板成膜時におけるパージガス導入・噴出状態を示す全体構成図である。
【図５】本発明の第２実施形態であって、基板非搭載時におけるパージガス導入・噴出状態を示す全体構成図である。
【符号の説明】
１１ 処理チャンバ
１２ 基板
１６ 原料ガス導入部
１８ 基板支持機構
２０ ブロック
２１ 静電チャック
２２ ホルダカバー
２８，２９ フレキシブル管
３０．３１ スペース
３２ 第１パージガス通路
３３ 第２パージガス通路
６１ シールド管
６２ ホルダカバー（可動部）
６３ リング部材（固定部）
７１ ガス通路

Claims (4)

1. 基板載置部と、
   前記基板載置部の側面周囲から下側にかけて設けられたカバー部材と、
   前記カバー部材に形成され、かつ基板の周縁部に対してパージガスを噴出する第１噴射口を有する第１ガス通路と、
   前記カバー部材に形成され、かつ前記基板載置部の載置面に沿ってパージガスを噴出する第２噴射口を有する第２ガス通路と、
   を備えることを特徴とするパージガス導入機構。
2. パージガス供給源から供給されたガスを、前記第１噴射口および第１ガス通路に通じる第１導入口と、前記第２噴射口および第２ガス通路に通じる第２導入口のいずれか切り替えて供給するための切替部を有することを特徴とする請求項１に記載のパージガス導入機構。
3. 基板載置部と、
   前記基板載置部の側面周囲から下側にかけて設けられ、可動部と固定部からなるカバー部材と、
   前記可動部と前記固定部の間に構成されるとともに、パージガスを噴出するガス噴射口を有するガス通路と、
   を具備し、
   前記ガス噴射口は、前記可動部が下限位置にあるとき、前記基板の周辺部に対してパージガスを噴出するように構成され、
   前記可動部が上限位置にあるとき、前記基板載置部の載置面に沿ってパージガスを噴出するように構成されていることを特徴とするパージガス導入機構。
4. 処理チャンバと、
   前記処理チャンバに設けられた原料ガス導入部と、
   請求項１〜３のいずれか１項に記載のパージガス導入機構と、
   を具備することを特徴とする成膜装置。

Images