JP5498291B2 - Cvd装置 - Google Patents
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Description
また、本発明の第3の態様は、チャンバーと、前記チャンバー内に原料ガスを供給するための原料ガス供給装置と、廃棄ガスを前記チャンバー内から排出するための排気ポートとを備えるCVD装置において、前記チャンバーに設置された、基板を保持するための機構を有する加熱ステージと、前記加熱ステージの周囲に設置された、前記基板から前記排気ポートまで廃棄ガスを誘導するヒーターカバーとをさらに備え、前記ヒーターカバーは、前記廃棄ガスと前記ヒーターカバーの表面との間にシールガス層を形成するための複数のガス噴出口を有し、前記複数のガス噴出口のそれぞれが、前記基板から前記排気ポートの方向に向かって前記廃棄ガスを誘導するようシールガスを噴出し、その噴出角は、前記ヒーターカバー表面と前記ガス噴出口の方向とが為す角度であって、0°以上30°未満であることを特徴とする。
図1に、第1の実施形態にかかるCVD装置を示す。CVD装置100は、チャンバー1と、チャンバー1内に原料ガスを供給するための原料ガス供給装置2と、廃棄ガスをチャンバー1内から排出するための廃棄ガス処理装置12とを備える。
図7に、ガス噴出口16の変形形態を示す。図7のガス噴出口16は、噴出されるシールガスの方向が、廃棄ガスが流れる方向と一致し、ヒーターカバー10の表面と平行である。またガス噴出口16の下流側のヒーターカバー10の表面は、ガス噴出口16の厚み20の分だけ後退している。このためヒーターカバー10の表面と廃棄ガスとの間に作られるシールガス層は、排気ポート7に向かって流れる廃棄ガスの流れを乱すことがないため、互いに混合することなく排気ポート7へ導かれる。したがって廃棄ガスが原因となるヒーターカバー10の表面の付着物は大幅に減少する。
1 チャンバー
2 原料ガス供給装置
3 ガスヘッド
4 原料ガス供給配管
5 基板
6 加熱ステージ
7 排気ポート
8 排気管
9 集合排気管
10 ヒーターカバー
11 圧力調整バルブ
12 廃棄ガス処理装置
13 圧力センサー
14 圧力信号
16 ガス噴出口
18 ガス噴出口16の開口幅
19 ガス噴出口16の噴出角
20 ガス噴出口16の厚み
Claims (6)
- チャンバーと、
前記チャンバー内に原料ガスを供給するための原料ガス供給装置と、
廃棄ガスを前記チャンバー内から排出するための排気ポートと
を備えるCVD装置において、
前記チャンバーに設置された、基板を保持するための機構を有する加熱ステージと、
前記加熱ステージの周囲に設置された、前記基板から前記排気ポートまで廃棄ガスを誘導するヒーターカバーと
をさらに備え、
前記ヒーターカバーは、前記廃棄ガスと前記ヒーターカバーの表面との間にシールガス層を形成するための、前記加熱ステージの中心からの距離が互いに異なり、10mm間隔で設けられた同心円スリット状の3本のガス噴出口を有することを特徴とするCVD装置。 - 前記ガス噴出口のそれぞれが、前記基板から前記排気ポートの方向に向かって前記廃棄ガスを誘導するようシールガスを噴出し、その噴出角は、前記ヒーターカバー表面と前記ガス噴出口の方向とが為す角度であって、0°以上30°未満であることを特徴とする請求項1に記載のCVD装置。
- チャンバーと、
前記チャンバー内に原料ガスを供給するための原料ガス供給装置と、
廃棄ガスを前記チャンバー内から排出するための排気ポートと
を備えるCVD装置において、
前記チャンバーに設置された、基板を保持するための機構を有する加熱ステージと、
前記加熱ステージの周囲に設置された、前記基板から前記排気ポートまで廃棄ガスを誘導するヒーターカバーと
をさらに備え、
前記ヒーターカバーは、前記廃棄ガスと前記ヒーターカバーの表面との間にシールガス層を形成するための複数のガス噴出口を有し、
前記複数のガス噴出口のそれぞれが、前記基板から前記排気ポートの方向に向かって前記廃棄ガスを誘導するようシールガスを噴出し、その噴出角は、前記ヒーターカバー表面と前記ガス噴出口の方向とが為す角度であって、0°以上30°未満であることを特徴とするCVD装置。 - 前記噴出角は、15°であることを特徴とする請求項2または3に記載のCVD装置。
- 前記噴出角は、0°であることを特徴とする請求項2または3に記載のCVD装置。
- 前記排気ポートと、前記チャンバー内の圧力を調整する圧力調整バルブとを有する廃棄ガス処理装置をさらに備え、
前記圧力調整の開度は、前記ガス噴出口から噴出されるシールガスの流量および前記原料ガス供給装置から供給される原料ガスの流量に応じて調整されることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のCVD装置。
Priority Applications (1)
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JP2010162148A JP5498291B2 (ja) | 2010-07-16 | 2010-07-16 | Cvd装置 |
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JP2012023313A JP2012023313A (ja) | 2012-02-02 |
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Family Applications (1)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP4255148B2 (ja) * | 1998-08-06 | 2009-04-15 | キヤノンアネルバ株式会社 | パージガス導入機構および成膜装置 |
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- 2010-07-16 JP JP2010162148A patent/JP5498291B2/ja not_active Expired - Fee Related
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