JP4240913B2 - 析出板製造装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、外部環境とは異なる処理環境下で溶解対象物を加熱溶融させ、該溶解対象物を析出用基板の基板面上に結晶析出させてシート状の析出板を得る析出板製造装置に関し、特に、析出用基板を搬送して基板面上に析出板を得る工程を施す基板移動機構に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体基板を製造する場合のように、加熱溶融された溶解対象物に対して析出処理を施して析出板を製造する場合には、溶解対象物を溶解炉装置にて加熱溶融して溶湯とした後、析出用基板を溶解炉装置の外部から上方に位置するように水平移動させる。そして、析出用基板を下降させて基板面を溶湯に浸漬させ、基板面に溶解対象物を析出させながら所定時間が経過したときに、析出用基板を溶湯から引き上げる。そして、析出用基板を溶解炉装置の上方から外部に水平移動させ、析出用基板の基板面に形成された析出物を引き剥がすことにより所望の析出板を得る処理が行われる。従って、従来、このような処理を行う析出板製造装置においては、析出用基板を溶解炉装置に対して水平方向に進退移動させる水平移動機構と、析出用基板或いは溶解炉装置を所定の高さ位置に位置決め可能に昇降させる昇降機構とを備えており、これらの機構を連動させることによって、上述の析出用基板の溶湯に対する浸漬等の一連の処理を行うようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の析出板製造装置では、析出用基板の水平方向の移動および位置決め動作と析出用基板の鉛直方向の移動、位置決め動作及び基板面角度調整を、水平移動機構、昇降機構及び基板面角度調整機構でそれぞれ実施し、これらの機構を連動させながら上述の浸漬等の一連の処理を行うようになっているため、このような処理を実施するための機構および制御が複雑であるという問題がある。
【０００４】
従って、本発明は、簡単な構成および制御で析出用基板の溶湯に対する浸漬等の処理を行って溶解対象物の析出板を製造することのできる析出板製造装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第１の発明に係る析出板製造装置は、溶解対象物の融湯に対して析出用基板を一定時間浸漬させることによって、該析出用基板に溶解対象物の凝固成長した析出板を生成させる析出板製造装置であって、前記溶湯の上方を通過するように配置された走行レールと、前記走行レールに走行可能に設けられ、前記析出用基板を懸吊する懸吊機構とを備え、前記走行レールは、前記懸吊機構の走行に伴って前記析出用基板を昇降させつつ、前記溶湯面に対する基板面角度を変化させて前記溶湯に浸漬させるようにレール軌道の高度が変更されていることを特徴としている。
【０００６】
上記の構成によると、一定のレール軌道に設定された走行レールと、この走行レールを走行する懸吊機構とからなる簡単な構成で、懸吊機構を走行レール上に走行させるという簡単な制御動作を行うことにより、析出用基板を溶湯に浸漬させて引き上げる等の複雑な一連の処理動作を実現することができる。
【０００７】
第２の発明に係る析出板製造装置は、前記の析出板製造装置において、前記走行レールが、水平方向に環状に設けられており、該走行レールに複数の前記懸吊機構が同一方向に走行可能に設けられていることを特徴としている。
【０００８】
上記の構成によると、複数の懸吊機構が一方向に走行可能に設けられているため、短いサイクルで析出用基板の溶湯への浸漬を繰返し行うことができ、析出物を容易に量産することができる。
【０００９】
第３の発明に係る析出板製造装置は、前記の析出板製造装置において、前記走行レールは、前記溶湯の内側領域の上方に配置され、前記懸吊機構に懸吊された析出用基板を溶湯に浸漬させる高度に設定された第１水平走行部と、前記第１水平走行部の上流側及び下流側にそれぞれ配置され、前記懸吊機構に懸吊された析出用基板を前記溶湯の湯面よりも上方に位置させる高度に設定された第２水平走行部と、前記第１水平走行部と前記第２水平走行部とを連絡する傾斜走行部とを有することを特徴としている。
【００１０】
上記の構成によれば、析出用基板が溶湯に浸漬される距離が第１水平走行部の距離として予め設定されているため、懸吊機構を所定の走行速度で走行させることによって、析出用基板の溶湯への浸漬時間を容易に設定することができる。この結果、懸吊機構の走行速度を複雑に制御する必要がないため、懸吊機構の走行に要する制御装置の部品点数及び組立コストを低減することができる。
【００１１】
第４の発明に係る析出板製造装置は、前記の析出板製造装置において、前記懸吊機構は、走行速度を変更可能にされていることを特徴としている。
【００１２】
上記の構成によると、走行レールの第１水平走行部と第２水平走行部との走行速度をそれぞれ変更することができるため、例えば、第１水平走行部で低速走行して浸漬時間を長くし、第２水平走行部で高速走行して浸漬処理以外の処理を短時間で完了することが可能になる。また、溶湯の湯面が小さな場合でも、第１水平走行部における懸吊機構の走行速度を低速に設定することによって、充分な浸漬時間を確保することができる。
【００１３】
第５の発明に係る析出板製造装置は、前記の析出板製造装置において、前記第１水平走行部下流側にて、前記析出用基板を上下反転することを特徴としている。
【００１４】
上記の構成によると、析出用基板を溶湯に浸漬した後、析出板が基板面から離脱して落下するのを未然に防止することができる。
第６の発明に係る析出板製造装置は、溶解対象物の融湯に対して析出用基板を一定時間浸漬させることによって、該析出用基板に溶解対象物の凝固成長した析出板を生成させる析出板製造装置であって、前記溶湯の上方を通過するように配置された２つの走行レールと、前記２つの走行レールの一方の前記走行レールに載置され前部に配置された車輪と、他方の前記走行レールに載置され後部に配置された車輪とにより前記２つの走行レールに走行可能に設けられ、前記析出用基板を懸吊する懸吊機構とを備え、前記２つの走行レールは、前記溶湯の内側領域の上方に配置され、前記懸吊機構に懸吊された析出用基板を溶湯に浸漬させる高度に設定され、前記２つの走行レールが水平方向から視て重なるように並設された第１水平走行部と、前記第１水平走行部の上流側及び下流側にそれぞれ配置され、前記懸吊機構に懸吊された析出用基板を前記溶湯の湯面よりも上方に位置させる高度に設定され、前記２つの走行レールが水平方向から視て重なるように並設された第２水平走行部と、前記第１水平走行部と前記第２水平走行部とを連絡し、所定の基板面角度に調節されるように水平方向から視て前記２つの走行レールの高度がずれて設けられた傾斜走行部とを有することを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図１乃至図１５に基づいて以下に説明する。
図１に本発明に係る半導体基板製造装置１（析出板製造装置）の正面視した場合における概略構成図を、図２に側面視した場合における概略構成図を、図３に上面から視た場合における概略構成図を示す。尚、半導体基板製造装置１は、析出板製造装置の一種であり、析出板製造装置は、密閉状態にされた処理室で半導体材料や金属材料等の溶解対象物１０１を加熱溶融して溶湯とし、この溶解対象物１０１をシート状の析出板となるように製造する装置を意味する。また、溶解対象物１０１としては、Ｓｉ等の半導体材料の他、鉄やチタン等の金属材料を挙げることができる。
【００１６】
上記の半導体基板製造装置１は、外部環境から内部を密閉状態に隔離可能な二重壁構造の真空容器３を備えている。真空容器３は、上側収容室６を形成する円筒形状の上側タンク部４と、上側タンク部４の下部に設けられ、上側収容室６に連通した下側収容室７を形成する下側タンク部５とを有している。
【００１７】
また、下側タンク部５の一方の側面壁には、図１に示すように、搬入出部５ａが開口されている。搬入出部５ａは、上側タンク部４の長手方向（紙面に対して垂直方向）に進退移動する開閉扉９により開閉可能にされている。そして、このように構成された真空容器３には、Ａｒガス等の不活性ガスを供給する図示しないガス供給装置および両収容室６・７の空気を排気する図示しない真空排気装置が接続されている。これらの装置は、真空容器３の両収容室６・７を所定の圧力に減圧しながら不活性ガスを供給することによって、外部環境とは異なる処理環境を両収容室６・７に出現させるようになっている。
【００１８】
上記の両収容室６・７の略中央部には、析出用基板１４を溶湯１５に一定時間浸漬させて引き上げる析出機構１０が設けられている。析出機構１０は、溶湯１５の上方を通過するように配置され、図３に示すように、上側収容室６内に水平方向に環状に設けられた内側走行レール１１及び外側走行レール１２と、該内側及び外側走行レール１１、１２上に走行可能に設けられ、析出用基板１４を懸吊する懸吊機構２０とで構成されている。
【００１９】
図４乃至図６を参照して、懸吊機構２０の構成を説明する。図４は懸吊機構２０の斜視図を、図５は図４のＡ−Ａ´線矢視断面を、図６は図４のＢ−Ｂ´線矢視断面を示す。
【００２０】
懸吊機構２０は、図４〜６に示すように、内側及び外側走行レール１１、１２間に位置するように設けられた長方体形状の収容体２１と、収容体２１内に収容され、走行レール１１、１２上を走行可能に構成された走行駆動体３２と、収容体２１の下面に設けられた、縦設機構４０とで構成される。尚、収容体２１は、ルツボ装置５１からの輻射熱から防御するため、断熱性能を有するものであることが好ましい。
【００２１】
走行駆動体３２は、収容体２１の進行方向前部に配置された内側走行機構２２と、後部に配置された外側走行機構２７と、略中央に配置された駆動装置３３と、これらの連結部材であるベルト４０とを備える。内側走行機構２２は、収容体２１の幅方向に回転自在に配設された軸２４と、軸２４の一端部に固定され、内側走行レール１１上に載置された車輪２３と、軸２４の略中央に設けられた従動プーリ２５とを有している。一方、収容体２１の後部には、同一の部材で点対象に外側走行機構２７が配置されている。即ち、外側走行機構２７は、収容体２１の幅方向に回転自在に配設された軸２４と、軸２４の一端部に固定され、外側走行レール１２上に載置された車輪２３とを有している。
【００２２】
また、走行駆動体３２の中央に配置された駆動装置３３は、モータ３６と、モータ３６に設けられた駆動プーリ３８とを備えている。モータ３６は収容体２１の内側に固定され、駆動プーリ３８は収容体２１の略中央に配置される。尚、モータ３６は、図示しない電源装置に接続されている。駆動プーリ３８には、ベルト３９が掛けられており、このベルト３９は、駆動プーリ３８を中心として、内側走行機構側の従動プーリ２５に架け渡されている。これにより、内側走行機構２２と駆動装置３３とが連結される。尚、連結部材のベルト３９に、張力が付与される装置が設けられていることが好ましい。
【００２３】
このように構成された走行駆動体３２は、電源装置によりモータ３６に電源が供給されると、駆動プーリ３８が回転することによって、ベルト３９を介して従動プーリ２５が回転する。従動プーリ２５の回転により軸２４および車輪２３が回転することによって、内側走行機構２２が走行レール１１上を走行する。これにより、収容体２１が走行レール１１、１２間を走行する。
【００２４】
一方、収容体２１の下面に設けられた縦設機構４０は、進行方向の前部に固定された第１縦設部材４１と、後部に固定された第２縦設部材４２とを有している。これらの第１および第２縦設部材４１・４２は、幅方向の略中央の位置に配置されている。そして、縦設部材４１、４２は、図７に示すように、カーボン基板把持持装置４３を介して析出用基板１４を保持する。尚、縦設部材４１、４２は収容体２１の下面に固定されていればよく、固定方法は、ピン接合であってもネジ接合であっても良い。
【００２５】
第１及び第２縦設部材４１、４２は、収容体２１側から中部までの範囲が機械的強度に優れたステンレス鋼等の金属材料で形成されている一方、中部から析出用基板１４に連結された下端部までの範囲が耐熱性に優れたカーボンにより形成されている。これにより、析出支持機構４２は、析出用基板１４を析出させて高温の溶湯１５に浸漬させる際に、溶湯１５から大量の輻射熱を下側部分に受けることになっても、長期間に亘って初期の機械的強度を維持することが可能になっている。
【００２６】
上記の内側走行レール１１及び外側走行レール１２は、図３に示すように環状に水平方向に並設されている。内側及び外側走行レール１１、１２は、下端を上側タンク４の壁面に固定された支柱１３ａ、支柱１３ｂに支持されている。支柱１３ａ、支柱１３ｂはそれぞれ４箇所に設けられているが、走行レール１１、１２を安定して固定することができる位置に適宜設けられればよい。また、走行レール１１、１２の固定方法はこれに限定されず、懸吊機構２０の走行の邪魔になることなく、安定して走行レール１１、１２を支持することのできる方法ならどのような形態でもよい。
【００２７】
走行レール１１、１２は、図１に示すように、溶湯１５の内側領域の上方に配置され、懸吊機構２０に懸吊された析出用基板１４を溶湯１５に浸漬させる高度（浸漬高さ）に設定された第１水平走行部１１ａ、１２ａと、第１水平走行部１１ａ、１２ａの進行方向の下流側から上流側に連続的に環状に配置され、懸吊機構２０に懸吊された析出用基板１４を溶湯１５の湯面よりも上方に位置させる高度（搬送高さ）に設定された第２水平走行部１１ｂ、１２ｂとを有する。そして、第１水平走行部１１ａ、１２ａの進行方向上流側と第２水平走行部１１ｂ、１２ｂとを連絡する第１傾斜走行部１１ｃ、１２ｃと、第１水平走行部１１ａ、１２ａの進行方向下流側と第２水平走行部１１ｂ、１２ｂとを連絡する第２傾斜走行部１１ｄ、１２ｄとを有する。
【００２８】
図７に示すように、第２水平走行部１１ｂ、１２ｂから第１傾斜走行部１１ｃ、１２ｃに変化する位置は、所定の基板面角度に調整されるように、ずれて形成される。また、第２傾斜走行部１１ｄ、１２ｄも同様にして形成される。
【００２９】
懸吊機構２０は、図３に示すように、上記の走行レール１１、１２の環状の軌道中に配置された予熱位置Ａと、浸漬位置Ｂと、引き剥がし位置Ｃと、研磨位置Ｄとをこの順に進行する。浸漬位置Ｂは浸漬高さの第１水平走行部１１ａ、１２ａに、予熱位置Ａ、引き剥がし位置Ｃ及び研磨位置Ｄは、搬送高さの第２水平走行部１１ｂ、１２ｂに配置されている。懸吊機構２０は、第１水平走行部１１ａ、１２ａを速度ｖ1で、第２水平走行部１１ｂ、１２ｂを速度ｖ2で、第１傾斜走行部１１ｃ、１２ｃを速度ｖ3で、第２傾斜走行部１１ｄ、１２ｄを速度ｖ4で走行するように、図示しない制御装置にて制御されている。
【００３０】
速度ｖ1〜ｖ4について、具体的に以下に説明する。
速度ｖ1は、析出用基板１４の浸漬時間を設定し、第１水平走行部１１ａ、１２ａの水平距離により算出すればよい。溶湯１５の湯面が小さな場合は、第１水平走行部１１ａ、１２ａにおける懸吊機構２０の速度ｖ1を低速に設定することによって、充分な浸漬時間を確保することができる。速度ｖ2は、高速とすることで、析出工程以外の工程を短時間で完了することができる。
【００３１】
速度ｖ3は、懸吊機構２０が第１傾斜走行部１１ｃ、１２ｃを走行して析出板１４が溶湯１５中に進入する時に溶湯１５の湯面が波立たない程度の速度であればよい。同様に、速度ｖ4は、懸吊機構２０が第２傾斜走行部１１ｄ、１２ｄを走行して析出板１４が溶湯１５中から退出する時に、溶湯１５の湯面が波立たない程度の速度であればよい。
【００３２】
上記の析出用基板１４は、図８に示すように、カーボンにより形成されている。析出用基板１４は、半導体基板２が析出される下面からなる基板面１４ａと、進行方向の上流側および下流側の各側面に形成された傾斜部１４ｂと、析出用基板１４の上面（反析出面）に形成された把持部１４ｃとを有している。傾斜部１４ｂは、基板面１４ａの両端部が上面の両端部の内側に位置するように基板面１４ａから上面側にかけて傾斜されている。
【００３３】
また、析出用基板１４の上面に形成された把持部１４ｃは、断面が逆台形形状に形成されており、カーボン基板把持装置４３の一部を構成している。カーボン基板把持装置４３は、把持部１４ｃを着脱自在に保持するチャック機構４４を備えている。チャック機構４４は、チャック部材４５・４５を左右対称に備えている。各チャック部材４５・４５は、把持部１４ｃに係合するように下面に形成された係合部４５ａと、ゴミ等の落下物を受け止めるように上面の四辺に沿って形成された環状溝部４５ｂと、環状溝部４５ｂに周囲を囲まれた懸吊部４５ｃとを有している。
【００３４】
上記の懸吊部４５ｃの上面には、２つの突設部４５ｄ・４５ｄが対向配置されている。両突設部４５ｄ・４５ｄの中央部には、ピン挿通穴４５ｅ・４５ｅが形成されている。これらの突設部４５ｄ・４５ｄ間には、図９に示すように、上述の懸吊機構２０の各縦設部材４１、４２が嵌合されるようになっている。そして、ピン挿通穴４５ｅ・４５ｅには、カーボン製のピン部材４６が抜脱可能に挿通されるようになっており、ピン部材４６は、各縦設部材４１、４２をチャック機構４４に対して連結させるようになっている。
【００３５】
上記のピン部材４６は、溶湯１５からの輻射熱の直射を回避するように、チャック部材４５の析出側の投影面積よりも短くなるように形成されている。また、ピン部材４６の表面には、図１０に示すように、硬化層１００が形成されており、ピン部材４６は、硬化層１００により表面の機械的強度が高められることによって、チャック部材４５のピン挿通穴４５ｅに対して着脱する際の磨耗が低減されている。一方、チャック部材４５においては、ピン部材４６に接触するピン挿通穴４５ｅと、析出用基板１４に接触する係合部４５ａおよび下面とに硬化層１００が形成されている。そして、チャック部材４５は、硬化層１００で接触面の機械的強度が高められることによって、ピン部材４６の着脱時および析出用基板１４の把持時における磨耗が低減されている。
【００３６】
尚、硬化層１００の形成方法としては、プラズマＣＶＤやイオンプレーティング等の表面処理方法でＳｉＣ膜をコーティングする硬化処理を挙げることができる。また、硬化層１００は、チャック部材４５の全表面に形成されていても良く、この場合には、チャック部材４５の全体の機械的強度を高めることができるため、チャック部材４５をオペレータが運搬する際に衝撃を与えても破損し難いものとすることができる。
【００３７】
上記のカーボン基板把持装置４３で保持される析出用基板１４が浸漬される溶湯１５は、図１に示すように、ルツボ装置５１に収容されている。ルツボ装置５１は、溶湯１５を収容する収容部５２ａを備えたルツボ５２と、ルツボ５２の側面壁５２ｂの周囲に配置された誘導加熱コイル５３と、これらのルツボ５２及び誘導加熱コイル５３を支持するルツボ支持台５４とを有している。誘導加熱コイル５３には、図１の耐熱構造の電力ケーブル５５が着脱可能に接続されており、図示しない高周波電源から高周波数の交流電力が供給されるようになっている。これにより、誘導加熱コイル５３は、ルツボ５２の周囲に交番磁場を生成させ、ルツボ５２の主に表面側を誘導加熱することが可能になっている。
【００３８】
一方、ルツボ５２は、析出用基板１４の進行方向が長尺となるように平面視長方形状に形成されており、溶湯１５の収容量を最小限に抑制しながら、側面壁５２ｂが析出用基板１４の旋回の障害にならないようにしている。尚、ルツボ５２は、析出用基板１４の進行方向が長尺になる形状であれば良く、例えば平面視楕円形状であっても良い。また、ルツボ５２は、図１２に示すように、収容部５２ａの側面側と底面側との２方向から大きな熱量が伝達されるように、底面壁５２ｃの厚みが平均ルツボ半径と略同等であり且つ側面壁５２ｂの厚みと同等以上に設定されている。
【００３９】
ここで、平均ルツボ半径とは、ルツボ５２の全方向の半径を平均化したものである。また、ルツボ５２の側面壁５２ｂは、電磁誘導の浸透深さ未満の厚みに設定されていることが望ましく、この場合には、溶湯１５を対流させることができるため、ゴミ等の落下物が核となって溶湯１５の表面中央が凝固する現象を防止することが可能になる。
【００４０】
また、ルツボ５２の収容部５２ａ内には、図１１にも示すように、溶湯１５の湯面高さの監視に使用されるカーボン製の湯面高さ検出部６１が形成されている。湯面高さ検出部６１は、収容部５２ａの底面から上面にかけて複数の段部６１ａを階段状に有している。湯面高さ検出部６１は、析出用基板１４の障害物とならないように、収容部５２ａのコーナー部に配置されている。尚、湯面高さ検出部６１は、ルツボ５２と一体的に形成されていても良いし、ルツボ５２とは別に形成されていても良い。
【００４１】
さらに、ルツボ５２の収容部５２ａ内には、ルツボ５２の長手方向（半導体基板２の進行方向）に沿って仕切り壁６２が設けられている。仕切り壁６２は、析出用基板１４の障害物とならないように配置されている。また、仕切り壁６２は、上端部がルツボ５２の上面に位置し、下端部が収容部５２ａの底面上方に位置するように形成されている。これにより、仕切り壁６２は、析出用基板１４が浸漬する第１溶解槽６３と、第１溶解槽６３に連通する第２溶解槽６４とに収容部５２ａを区分しており、第２溶解槽６４と第１溶解槽６３との間における湯面の乱れの伝播を防止している。
【００４２】
上記のように構成されたルツボ５２は、ルツボ支持台５４により支持されている。ルツボ支持台５４は、図１に示すように、ルツボ５２および誘導加熱コイル５３をそれぞれ独立して支持する断熱支持体５４ａと、断熱支持体５４ａの下面に接合され、冷却配管を埋設された冷却盤５４ｂと、冷却盤５４ｂを支持する搬送台５４ｃとを有している。ルツボ支持台５４は、ルツボ搬入出機構５７に載置されている。ルツボ搬入出機構５７は、真空容器３の搬入出部５ａを挟んで真空容器３の内外に敷設されており、複数の搬送ローラ５６を回転可能に備えている。そして、ルツボ搬入出機構５７は、搬送ローラ５６を正逆回転させることによって、ルツボ支持台５４やルツボ５２等からなるルツボ装置５１の真空容器３に対する搬入出を可能にしている。
【００４３】
上記のルツボ装置５１の上方には、図２に示すように、溶解対象物１０１を第２溶解槽６４に供給する供給機構７１が設けられている。供給機構７１は、先端部に投入部が形成され、粉状や塊状の溶解対象物１０１を収容した収容箱７２と、収容箱７２を水平方向に進退移動させる収容箱移動機構７３と、収容箱７２内の溶解対象物１０１を先端部から押し出す押出機構７４とを備えている。
【００４４】
また、ルツボ装置５１の上方における真空容器３の第１覗き窓部８ａには、図１に示すように、湯面高さ検出部６１を溶湯１５と共に撮像して撮像信号を出力する撮像装置７５が設けられている。撮像装置７５は、ＣＣＤカメラ等のカメラ本体７６と、カメラ本体７６の前方に配置されたスリット板７７とを有している。スリット板７７には、カメラ本体７６の撮像領域を湯面高さ検出部６１の周辺に制限するスリットが形成されている。
【００４５】
上記の撮像装置７５および供給機構７１は、図示しない制御装置に接続されている。制御装置は、演算部や記憶部、入出力部等を備えており、半導体基板製造装置１の各機構を個別および連動させながら制御する各種の機能を備えている。具体的には、湯面高さ検出部６１の各段部６１ａにおける撮像信号の明暗に基づいて溶湯１５の湯面高さを検出する機能や、検出された湯面高さが所定の基準高さとなるように、供給機構７１における溶解対象物１０１の供給タイミング及び／又は供給量を制御する機能等を有している。
【００４６】
また、ルツボ装置５１と析出機構１０の収容体２１との間には、溶湯１５から収容体２１に向かう輻射熱を遮る第１熱遮蔽体７８が設けられている。第１熱遮蔽体７８は、銅製の熱遮蔽板７８ａと、熱遮蔽板７８ａの上面に接合され、熱遮蔽板７８ａを冷却する冷却配管７８ｂとを備えている。熱遮蔽板７８ａには、懸吊機構２０の縦設部材４１、４２を挿通させる開口部と、撮像装置７５による湯面高さ検出部６１の撮像を可能にする窓部とが形成されている。これにより、第１熱遮蔽体７８は、収容体２１に対する輻射熱の直射を極力低減することによって、収容体２１の過熱を防止するようになっている。
【００４７】
また、ルツボ装置５１から見て析出用基板１４の進行方向の上流側には、予熱機構８１が設けられている。予熱機構８１は、予熱位置Ｂの下方に配置された予熱ヒーター８２と、予熱ヒーター８２に着脱可能に接続された電力ケーブル８３と、真空容器３の外部に配置され、電力ケーブル８３を介して予熱用電力を供給する図示しない予熱電源装置とを有している。そして、予熱機構８１は、予熱ヒーター８２に対して析出用基板１４が対向されたときに、この析出用基板１４を所定温度に昇温させることによって、溶湯１５と析出用基板１４との温度差を一定にするようになっている。尚、析出用基板１４の搬送及び浸漬工程の１サイクルが短い場合には、析出用基板１４は予熱工程の前に一旦冷却されることが好ましい。
【００４８】
一方、ルツボ装置５１から見て析出用基板１４の進行方向の下流側には、引き剥がし機構８５が設けられている。引き剥がし機構８５は、引き剥がし位置Ｇの下方に配置されており、析出用基板１４と半導体基板２との間に進入する剥離部材８７と、剥離部材８７により引き剥がされて落下した半導体基板２を受け止める基板載置台８８とを備えている。
【００４９】
また、図３に示すように、引き剥がし機構８５の下流側には、研磨機構９０が設けられている。研磨機構９０は、図１３に示すように、研磨ディスク９１が備えられた研磨機本体９８と、研磨機本体９８を昇降させる研磨機本体昇降機９９と、研磨機本体昇降機９９を支持する設置台９６とを備えている。設置台９６は、研磨機本体９８を昇降可能に支持する支持台部９６ａと、支持台部９６ａの下端部から前側に突設された土台部９６ｂとを有している。
【００５０】
一方、研磨機本体９８は、図示しない電源装置に接続されたモータ９２を備えている。モータ９２は、回転軸９２ａの軸芯が鉛直方向となるように設定されており、この回転軸９２ａの先端部は、研磨ディスク９１の中心部に連結されている。研磨ディスク９１は、円盤形状に形成されていると共に、析出用基板１４に当接する研磨面（上面）が少なくとも研磨加工可能な材質で形成されている。
【００５１】
また、研磨機本体９８を昇降させる研磨機本体昇降機９９は、アーム９３ａを有する昇降台９３と、外側面にネジ山を有する昇降軸９４と、棒状のガイド９５と、上述の設置台９６の支持台部９６ａに固設された軸受け部材９７ａ、９７ｂとを有している。アーム９３ａの先端部には、研磨機本体９８を支持するように、上述のモータ９２が固定されている。一方、アーム９３ａの基部に位置する昇降台９３には、昇降軸９４が貫通および螺合されたネジ溝を有するネジ穴と、ガイド９５が摺動自在に貫通された貫通穴とが形成されている。
【００５２】
上記の昇降軸９４およびガイド９５は、軸芯が鉛直方向となるように並列配置されている。昇降軸９４の上端部および下端部は、軸受け部材９７ａ、９７ｂにより回転自在に軸支されている。一方、ガイド９５の上端部および下端部は、軸受け部材９７ａ、９７ｂにより固定されている。また、昇降軸９４の下端には、図示しない回転駆動装置が連結されている。この回転駆動装置は、ステッピングモータ等の任意の回転角度で正方向および逆方向に回転可能なモータを備えており、昇降軸９４を所定角度回転させることによって、昇降台９３を介して研磨機本体９８を所定の高さ位置に位置決め可能になっている。尚、駆動装置は、回転角度で研磨機本体９８の高さ位置を位置決めする代わりに、リミットセンサで高さ位置を検出するようになっていても良い。この場合には、一般的な安価なモータを使用することができる。
【００５３】
上記のように構成された研磨機構９０は、図２に示すように、設置台９６が下側タンク５の壁面に接合されることにより取り付けられている。研磨機構９０とルツボ装置５１との間には、溶湯１５から析出研磨機構９０に向かう輻射熱を遮る第２熱遮蔽体７９が配設されている。第２熱遮蔽体７９は、銅製の熱遮蔽板７９ａと、熱遮蔽板７９ａの研磨機構９０側に接合され、熱遮蔽板７９ａを冷却する冷却配管７９ｂとを備えている。第２熱遮蔽板７９は、下側タンク５の壁面に設置された研磨機構９０の３方を囲むように配設されている。これにより、第２熱遮蔽体７９は、研磨機構９０に対する輻射熱の直射を極力低減することによって、研磨機構９０の過熱を防止するようになっている。
【００５４】
上記の構成において、半導体基板製造装置１の動作を通じて、懸吊機構２０の走行レール１１、１２上での動作を説明する。
【００５５】
（準備・保全工程）
準備・保全工程は、半導体基板２の生産開始前および生産開始後において、半導体基板製造装置１を生産に適した状態にする場合に実施される。即ち、図２に示すように、ルツボ装置５１の検査やルツボ５２の交換、真空容器３内の各機構の検査等を行う場合には、先ず、開閉扉９が移動されて真空容器３の搬入出部５ａが開口される。そして、電力ケーブル５５がルツボ装置５１から切り離された後、ルツボ搬入出機構５７の各搬送ローラ５６が回転されることによって、ルツボ装置５１が搬入出部５ａを介して機外に搬出される。この後、図示しない検査作業場において、ルツボ装置５１の検査等が実施され、不具合があれば、該当箇所の修理や交換が行われる。
【００５６】
また、ルツボ装置５１の検査中に、図２に示すように、供給機構７１の収容箱７２に収容された溶解対象物１０１の残存量が確認され、適正な量となるように補充される。さらに、オペレータが真空容器３内の状態を目視等により検査し、必要に応じて部品の修理および交換が行われる。
【００５７】
例えばカーボン基板把持装置４３に取付けられた析出用基板１４に不具合がある場合には、図９および図１０に示すように、ピン部材４６がピン挿通穴４５ｅから抜脱されることによって、析出機構１０の第１縦設部材４１及び第２縦設部材４２が突設部４５ｄ・４５ｄから切り離される。これにより、縦設部材４１、４２により析出用基板１４の上面に左右方向に固定されていたチャック部材４５・４５が自由な状態となる。そして、チャック部材４５・４５が左右方向に引き離すように移動されることによって、析出用基板１４がカーボン基板把持装置４３から取り外される。
【００５８】
次に、新たな析出用基板１４が準備され、この析出用基板１４の把持部１４ｃを挟み込むようにチャック部材４５・４５がセットされる。この後、析出機構１０の第１縦設部材４１及び第２縦設部材４２が突設部４５ｄ・４５ｄ間に挿入され、ピン部材４６がピン挿通穴４５ｅに挿通される。これにより、チャック部材４５・４５が左右方向に固定され、係合部４５ａ・４５ａが把持部１４ｃを把持することによって、析出用基板１４がカーボン基板把持装置４３に取付けられる。
【００５９】
ここで、カーボン基板把持装置４３に対して析出用基板１４が着脱される場合には、チャック部材４５のピン挿通穴４５ｅとピン部材４６との擦れ合いや、チャック部材４５の係合部４５ａと析出用基板１４との擦れ合いが生じるため、磨耗し易い状態となる。ところが、ピン部材４６やカーボン基板把持装置４３の擦れ合う部分は、硬化層１００により機械的強度が高められている。従って、析出用基板１４の着脱が繰り返して行われた場合でも、ピン部材４６およびカーボン基板把持装置４３が初期の形状を維持するため、ピン部材４６およびカーボン基板把持装置４３を長期間に亘って使用することができる。また、析出用基板１４の着脱時において、ピン部材４６等の一部が破損して欠落することになった場合でも、この落下物が環状溝部４５ｂで受け止められるため、図２の溶湯１５にゴミとして落下することはない。
【００６０】
次に、上記のようにして各機器の検査および交換等が完了すると、図２に示すように、開閉扉９により搬入出部５ａが閉鎖され、真空容器３内の上側収容室６および下側収容室７が内部から密閉される。そして、図示しない真空排気装置が作動されて空気が排気された後、Ａｒガス等の不活性ガスが供給されることによって、外部環境とは異なる処理環境が収容室６・７に形成される。
【００６１】
この後、誘導加熱コイル５３に高周波数の交流電力が供給され、高周波磁界がルツボ５２の周囲に生成される。この結果、図１２に示すように、ルツボ５２の側面壁の表面側に強度の磁界が印加されることによって、側面壁の主に表面側が誘導加熱により加熱され、この表面側の熱量が内側方向に向かって伝導していくことになる。この際、ルツボ５２は、底面壁５２ｃの厚みが平均ルツボ半径と略同等であり且つ側面壁５２ｂの厚みと同等以上に設定されている。これにより、収容部５２ａの側面側と底面側との２方向から大きな熱量が伝達され、この熱量で溶解対象物１０１が均等に加熱される結果、早期に全体が溶解して溶湯１５となる。また、溶湯１５になった後は、この溶湯１５の側面および下面が大きな熱量で加熱され続けられるため、溶湯１５全体が均一な温度に維持される。
【００６２】
また、溶湯１５が形成されると、真空容器３内の収容室６・７が高温になると共に、溶湯１５から高温の輻射熱が放出される。そして、輻射熱の一部は、懸吊機構２０方向に進行することになるが懸吊機構２０の手前に配設された第１熱遮蔽体７８により進行が遮られるため、懸吊機構２０に殆んど到達することがない。これにより、懸吊機構２０は、輻射熱が直射されることによる熱劣化が防止されている。また、同様に、研磨機構９０の３方を囲むように配設された第２熱遮蔽板７９により、研磨機構９０は、輻射熱が直射されることによる熱劣化が防止されている。
【００６３】
（予熱工程）
上述のように所望の処理環境下で溶湯１５が形成されることによって、生産の準備が完了すると、懸吊機構２０は第２水平走行部１１ｂ、１２ｂを速度ｖ2で走行し、予熱位置Ａで一旦停止する。この結果、析出用基板１４が予熱ヒーター８２に対向することになる。この後、予熱ヒーター８２に予熱用電力が供給されることによって、予熱ヒーター８２より析出用基板１４が所定の予熱温度となるように加熱される。
【００６４】
（析出工程）
析出用基板１４が所定の予熱温度になると、懸吊機構２０は再び速度ｖ2で走行し、第１傾斜走行部１１ｃ、１２ｃに移動する。そして、第１傾斜走行部１１ｃ、１２ｃを速度ｖ3で走行し、析出用基板１４は溶湯１５中に進入する。図７に示すように、溶湯面に対して所定の角度を持ちつつ、第１傾斜走行部１１ｃ、１２ｃを走行し、浸漬高さの第１水平走行部１１ａ、１２ａに移動する。
【００６５】
そして、懸吊機構２０は、第１水平走行部１１ａ、１２ａの浸漬位置Ａを速度ｖ1で走行する。この間、析出用基板１４は溶湯１５に浸漬されており、析出用基板１４の基板面１４ａに溶解対象物１０１が析出して半導体基板２となる。その後、懸吊機構２０は、第２傾斜走行部１１ｄ、１２ｄに移動する。懸吊機構２０が第２傾斜走行部１１ｄ、１２ｄを速度ｖ4で走行し、半導体基板２が溶湯面に対して所定の角度で溶湯１５から引き上げられることによって、液だれが基板面の最後尾に生じつつ、凝固成長した所定厚みの半導体基板２が引き上げられる。そして、懸吊機構２０は、搬送高さの第２水平走行部１１ｂ、１２ｂ上を進行方向下流側に移動する。なお、液だれが、析出板中央に集成されると、平板でなくなってしまう。
【００６６】
このように、析出工程においては、懸吊機構２０が走行レール１１、１２上を走行することで、析出用基板１４を下降させて基板面１４ａを溶湯１５に浸漬させ、基板面１４ａに溶解対象物１０１を析出させながら所定時間が経過したときに、析出用基板１４を溶湯１５から引き上げることができる。
【００６７】
（引き剥がし工程）
所定厚みの半導体基板２が析出用基板１４の基板面１４ａに形成されると、懸吊機構２０は、上述したように、進行方向下流側に第２水平走行レール１１ｂ、１２ｂを速度ｖ2で走行する。そして、引き剥がし位置Ｃにおいて析出用基板１４と半導体基板２との間に剥離部材８７が進入し、半導体基板２が剥離部材８７により強制的に析出用基板１４から引き剥がされて基板載置台８８に載置されることになる。この後、このようにして引き剥がされた半導体基板２が所定枚数になると、図示しない排出口から一括して機外に搬出される。
【００６８】
（湯面制御工程）
上述の析出工程が繰り返されることによって、多数の半導体基板２が生産されると、半導体基板２の生産数に応じた消費量で溶湯１５が減少する。そして、溶湯１５の減少を放置すると、湯面高さが低下する結果、析出用基板１４の浸漬深さが浅くなり、最終的には、析出用基板１４を溶湯１５に浸漬させることができなくなる。そこで、半導体基板２の生産中においては、撮像装置７５によりルツボ５２内の湯面高さ検出部６１が撮像され、撮像信号に基づいて湯面が一定となるように溶解対象物１０１が供給される。
【００６９】
即ち、湯面高さ検出部６１を撮像して得た各段部６１ａの撮像信号が図示しない制御装置に取り込まれ、この制御装置において、撮像信号中の輝度信号成分が抽出される。そして、溶湯１５と湯面高さ検出部６１の各段部６１ａとを判別するように、輝度信号成分が所定の閾値で２値化される。この後、２値化データに基づいて溶湯１５から露出した段部６１ａが求められ、所定の段部６１ａが露出したときに、溶湯１５の湯面高さが許容範囲以下にまで低下したと判定される。そして、この場合には、図２に示すように、供給機構７１から所定量の溶解対象物１０１が押し出されてルツボ５２に投入され、所定の湯面高さに復帰される。
【００７０】
尚、上記のようにしてルツボ５２に溶解対象物１０１が投入されると、湯面が揺動することになるが、仕切り壁６２で上面が区分された第２溶解槽６４に対して溶解対象物１０１が投下されるため、析出用基板１４が浸漬される第１溶解槽６３に対して揺動が伝播することはない。これにより、溶解対象物１０１の投入中においても、半導体基板２の生産を継続することができる。
【００７１】
（研磨工程）
半導体基板２の生産が繰り返されると、析出用基板１４の基板面１４ａに付着物が残留する場合がある。従って、この場合には、懸吊機構２０が第２水平走行レール１１ｂ、１２ｂを速度ｖ2で走行し、研磨位置Ｄに到達した時に一旦停止する。そして、図１３に示すように、昇降軸９４を所定角度回転させることにより昇降台９３と共に研磨ディスク９１を上昇させ、研磨ディスク９１の上面（研磨面）を基板面１４ａに当接させる。この後、モータ９２に電力を供給して、研磨ディスク９１を回転させ、基板面１４ａを研磨する。この結果、基板面１４ａの付着物が強制的に擦り落とされ、基板面１４ａが生産当初の状態に回復されることになる。そして、懸吊機構２０は予熱工程から同じ工程を行うことにより、繰返し半導体基板２を製造する。
【００７２】
以上のように、本実施形態の半導体基板製造装置１（析出板製造装置）は、溶解対象物１０１の溶湯１５に対して析出用基板１４を一定時間浸漬させることによって、該析出用基板１４に溶解対象物１０１の凝固成長した半導体基板２（析出板）を生成させるものであって、溶湯１５の上方を通過するように配置された走行レール１１、１２と、走行レール１１、１２に走行可能に設けられ、析出用基板１４を懸吊する懸吊機構２０とを備え、走行レール１１、１２は、懸吊機構２０の走行に伴って析出用基板１４を昇降させつつ、溶湯面に対する基板面角度を変化させて溶湯１５に浸漬させるようにレール軌道の高度が変更されている。これにより、一定のレール軌道に設定された走行レール１１、１２と、この走行レール１１、１２を走行する懸吊機構２０とからなる簡単な構成で、懸吊機構２０を走行レール１１、１２上に走行させるのみで、析出用基板１４を溶湯１５に浸漬させて引き上げるという複雑な動作を実現することができる。
【００７３】
また、本実施形態の懸吊機構２０の駆動方法は、モータ３６を有する自走式台車である場合について説明したが、これに限定されるものではない。即ち、懸吊機構の走行は、例えば、牽引式のものであってもよい。
【００７４】
また、懸吊機構は、ロープウェイ式によるものであってもよい。その場合、ロープを上を移動することができる車輪が備えられた懸吊機構とし、軌道が形成されたロープ上を牽引すればよい。
【００７５】
また、本実施形態の半導体基板製造装置１は、走行レール１１、１２が、水平方向に環状に設けられており、該走行レール１１、１２に複数の懸吊機構２０が一方向に走行可能に設けられることが望ましい。この場合には、複数の懸吊機構が一方向に走行可能に設けられているため、短いサイクルで析出用基板の溶湯への浸漬を繰返し行うことができ、析出物を容易に量産することができる。
【００７６】
尚、本実施形態においては、走行レール１１、１２が環状に設けられている場合について説明したが、これに限定されるものではない。即ち、直線状のレールであり、該レール上を懸吊機構が往復走行することによって析出用基板の溶湯への浸漬を繰返し行う構成であってもよい。
【００７７】
また、本実施形態の半導体基板製造装置１における走行レール１１、１２は、溶湯１５の内側領域の上方に配置され、懸吊機構２０に懸吊された析出用基板１４を溶湯１５に浸漬させる高度に設定された第１水平走行部１１ａ、１２ａと、第１水平走行部１１ａ、１２ａの上流側及び下流側にそれぞれ配置され、懸吊機構２０に懸吊された析出用基板１４を溶湯１５の湯面よりも上方に位置させる高度に設定された第２水平走行部１１ｂ、１２ｂと、第１水平走行部１１ａ、１２ａと前記第２水平走行部１１ｂ、１２ｂとを連絡する傾斜走行部１１ｃ、１２ｃ、１１ｄ、１２ｄと、を有する。これにより、析出用基板１４が溶湯１５に浸漬される距離が第１水平走行部１１ａ、１２ａの距離として予め設定されているため、懸吊機構２０を所定の走行速度で走行させることによって、析出用基板１４の溶湯１５への浸漬時間を容易に設定することができる。この結果、懸吊機構２０の走行速度を複雑に制御する必要がないため、懸吊機構２０の走行に要する制御装置の部品点数及び組立コストを低減することができる。
【００７８】
尚、本実施形態においては、析出機構に一箇所だけ第１水平走行部を設けた場合について説明したが、これに限定されるものではない。即ち、長い走行レール上に複数第１水平走行部を設け、間に引き剥がし機構を設置し、夫々の第１水平走行部において析出が行われてもよい。
【００７９】
また、本実施形態の半導体基板製造装置１における懸吊機構２０は、走行速度を変更可能にされている。これにより、走行レール１１、１２の第１水平走行部１１ａ、１２ａと第２水平走行部１１ｂ、１２ｂとの走行速度をそれぞれ変更することができるため、例えば、第１水平走行部１１ａ、１２ａで低速走行して浸漬時間を長くし、第２水平走行部１１ｂ、１２ｂで高速走行して浸漬処理以外の処理を短時間で完了することが可能になる。また、溶湯１５の湯面が小さな場合でも、第１水平走行部１１ａ、１２ａにおける懸吊機構２０の走行速度を低速に設定することによって、充分な浸漬時間を確保することができる。
【００８０】
尚、本実施形態においては、懸吊機構２０は、走行速度を変更可能にされているものとしたが、これに限定されるものではない。即ち、走行レールの軌道のみで全ての工程の時間を制御することも可能である。この場合には、走行速度を一定にすることができるため、速度の制御は全く必要なくなる。
【００８１】
また、本実施形態において、第１水平走行部１１ａ、１２ａ下流側にて、析出用基板１４を上下反転するものであってもよい。そうすると、析出用基板１４を溶湯１５に浸漬した後、半導体基板（析出板）２が基板面１４ａから離脱して落下するのを未然に防止することができる。
【００８２】
【発明の効果】
以上示したように、第１の発明によると、一定のレール軌道に設定された走行レールと、この走行レールを走行する懸吊機構とからなる簡単な構成で、懸吊機構を走行レール上に走行させるという簡単な制御動作を行うことにより、析出用基板を溶湯に浸漬させて引き上げる等の複雑な一連の処理動作を実現することができる。
【００８３】
第２の発明によると、複数の懸吊機構が同一方向に走行可能に設けられているため、短いサイクルで析出用基板の溶湯への浸漬を繰返し行うことができ、析出物を容易に量産することができる。
【００８４】
第３の発明によると、析出用基板が溶湯に浸漬される距離が第１水平走行部の距離として予め設定されているため、懸吊機構を所定の走行速度で走行させることによって、析出用基板の溶湯への浸漬時間を容易に設定することができる。この結果、懸吊機構の走行速度を複雑に制御する必要がないため、懸吊機構の走行に要する制御装置の部品点数及び組立コストを低減することができる。
【００８５】
第４の発明によると、走行レールの第１水平走行部と第２水平走行部との走行速度をそれぞれ変更することができるため、例えば、第１水平走行部で低速走行して浸漬時間を長くし、第２水平走行部で高速走行して浸漬処理以外の処理を短時間で完了することが可能になる。また、溶湯の湯面が小さな場合でも、第１水平走行部における懸吊機構の走行速度を低速に設定することによって、充分な浸漬時間を確保することができる。
【００８６】
第５の発明によると、析出用基板を溶湯に浸漬した後、析出板が基板面から離脱して落下するのを未然に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体基板製造装置を正面視した場合における概略構成図である。
【図２】半導体基板製造装置を側面視した場合における概略構成図である。
【図３】半導体基板製造装置を上面から視た場合における概略構成図である。
【図４】懸吊機構の斜視図である。
【図５】図４の懸吊機構のＡ−Ａ´線矢視断面図である。
【図６】図４の懸吊機構のＢ−Ｂ´線矢視断面図である。
【図７】析出用基板が溶湯に浸漬する状態を示す説明図である。
【図８】カーボン基板把持装置の斜視図である。
【図９】カーボン基板把持装置の斜視図である。
【図１０】カーボン基板把持装置の分解斜視図である。
【図１１】溶湯の収容状態を示す斜視図である。
【図１２】ルツボの熱伝導の状態を示す説明図である。
【図１３】研磨機本体の斜視図である。
【符号の説明】
１ 半導体基板製造装置（析出板製造装置）
２ 半導体基板（析出板）
３ 真空容器
４ 上側タンク部
５ 下側タンク部
５ａ 搬入出部
６ 上側収容室
７ 下側収容室
８ａ〜８ｃ 第１〜第３覗き窓部
８ｄ 第５覗き窓部
８ｅ 第５覗き窓部
９ 開閉扉
１０ 析出機構
１１ 内側走行レール
１２ 外側走行レール
１１ａ、１２ａ 第１水平走行部
１１ｂ、１２ｂ 第２水平走行部
１１ｃ、１２ｃ 第１傾斜走行部
１１ｄ、１２ｄ 第２傾斜走行部
１３ａ 支柱
１３ｂ 支柱
１４ 析出用基板
１５ 溶湯
２０ 懸吊機構
４１ 第１縦設部材
４２ 第２縦設部材
４３ カーボン基板把持装置
５１ ルツボ装置
５２ ルツボ
５２ａ 収容部
５２ｂ 側面壁
５２ｃ 底面壁
５３ 誘導加熱コイル
５４ ルツボ支持台
５４ａ 断熱支持体
５４ｂ 冷却盤
５４ｃ 搬送台
５５ 電力ケーブル
５６ 搬送ローラ
５７ ルツボ搬入出機構
６１ 湯面高さ検出部
７８ 第１熱遮蔽体
８１ 予熱機構
８２ 予熱ヒーター
８３ 電力ケーブル
８５ 引き剥がし機構
８７ 剥離部材
８８ 基板載置台
１０１ 溶解対象物
【発明の属する技術分野】
本発明は、外部環境とは異なる処理環境下で溶解対象物を加熱溶融させ、該溶解対象物を析出用基板の基板面上に結晶析出させてシート状の析出板を得る析出板製造装置に関し、特に、析出用基板を搬送して基板面上に析出板を得る工程を施す基板移動機構に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体基板を製造する場合のように、加熱溶融された溶解対象物に対して析出処理を施して析出板を製造する場合には、溶解対象物を溶解炉装置にて加熱溶融して溶湯とした後、析出用基板を溶解炉装置の外部から上方に位置するように水平移動させる。そして、析出用基板を下降させて基板面を溶湯に浸漬させ、基板面に溶解対象物を析出させながら所定時間が経過したときに、析出用基板を溶湯から引き上げる。そして、析出用基板を溶解炉装置の上方から外部に水平移動させ、析出用基板の基板面に形成された析出物を引き剥がすことにより所望の析出板を得る処理が行われる。従って、従来、このような処理を行う析出板製造装置においては、析出用基板を溶解炉装置に対して水平方向に進退移動させる水平移動機構と、析出用基板或いは溶解炉装置を所定の高さ位置に位置決め可能に昇降させる昇降機構とを備えており、これらの機構を連動させることによって、上述の析出用基板の溶湯に対する浸漬等の一連の処理を行うようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の析出板製造装置では、析出用基板の水平方向の移動および位置決め動作と析出用基板の鉛直方向の移動、位置決め動作及び基板面角度調整を、水平移動機構、昇降機構及び基板面角度調整機構でそれぞれ実施し、これらの機構を連動させながら上述の浸漬等の一連の処理を行うようになっているため、このような処理を実施するための機構および制御が複雑であるという問題がある。
【０００４】
従って、本発明は、簡単な構成および制御で析出用基板の溶湯に対する浸漬等の処理を行って溶解対象物の析出板を製造することのできる析出板製造装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第１の発明に係る析出板製造装置は、溶解対象物の融湯に対して析出用基板を一定時間浸漬させることによって、該析出用基板に溶解対象物の凝固成長した析出板を生成させる析出板製造装置であって、前記溶湯の上方を通過するように配置された走行レールと、前記走行レールに走行可能に設けられ、前記析出用基板を懸吊する懸吊機構とを備え、前記走行レールは、前記懸吊機構の走行に伴って前記析出用基板を昇降させつつ、前記溶湯面に対する基板面角度を変化させて前記溶湯に浸漬させるようにレール軌道の高度が変更されていることを特徴としている。
【０００６】
上記の構成によると、一定のレール軌道に設定された走行レールと、この走行レールを走行する懸吊機構とからなる簡単な構成で、懸吊機構を走行レール上に走行させるという簡単な制御動作を行うことにより、析出用基板を溶湯に浸漬させて引き上げる等の複雑な一連の処理動作を実現することができる。
【０００７】
第２の発明に係る析出板製造装置は、前記の析出板製造装置において、前記走行レールが、水平方向に環状に設けられており、該走行レールに複数の前記懸吊機構が同一方向に走行可能に設けられていることを特徴としている。
【０００８】
上記の構成によると、複数の懸吊機構が一方向に走行可能に設けられているため、短いサイクルで析出用基板の溶湯への浸漬を繰返し行うことができ、析出物を容易に量産することができる。
【０００９】
第３の発明に係る析出板製造装置は、前記の析出板製造装置において、前記走行レールは、前記溶湯の内側領域の上方に配置され、前記懸吊機構に懸吊された析出用基板を溶湯に浸漬させる高度に設定された第１水平走行部と、前記第１水平走行部の上流側及び下流側にそれぞれ配置され、前記懸吊機構に懸吊された析出用基板を前記溶湯の湯面よりも上方に位置させる高度に設定された第２水平走行部と、前記第１水平走行部と前記第２水平走行部とを連絡する傾斜走行部とを有することを特徴としている。
【００１０】
上記の構成によれば、析出用基板が溶湯に浸漬される距離が第１水平走行部の距離として予め設定されているため、懸吊機構を所定の走行速度で走行させることによって、析出用基板の溶湯への浸漬時間を容易に設定することができる。この結果、懸吊機構の走行速度を複雑に制御する必要がないため、懸吊機構の走行に要する制御装置の部品点数及び組立コストを低減することができる。
【００１１】
第４の発明に係る析出板製造装置は、前記の析出板製造装置において、前記懸吊機構は、走行速度を変更可能にされていることを特徴としている。
【００１２】
上記の構成によると、走行レールの第１水平走行部と第２水平走行部との走行速度をそれぞれ変更することができるため、例えば、第１水平走行部で低速走行して浸漬時間を長くし、第２水平走行部で高速走行して浸漬処理以外の処理を短時間で完了することが可能になる。また、溶湯の湯面が小さな場合でも、第１水平走行部における懸吊機構の走行速度を低速に設定することによって、充分な浸漬時間を確保することができる。
【００１３】
第５の発明に係る析出板製造装置は、前記の析出板製造装置において、前記第１水平走行部下流側にて、前記析出用基板を上下反転することを特徴としている。
【００１４】
上記の構成によると、析出用基板を溶湯に浸漬した後、析出板が基板面から離脱して落下するのを未然に防止することができる。
第６の発明に係る析出板製造装置は、溶解対象物の融湯に対して析出用基板を一定時間浸漬させることによって、該析出用基板に溶解対象物の凝固成長した析出板を生成させる析出板製造装置であって、前記溶湯の上方を通過するように配置された２つの走行レールと、前記２つの走行レールの一方の前記走行レールに載置され前部に配置された車輪と、他方の前記走行レールに載置され後部に配置された車輪とにより前記２つの走行レールに走行可能に設けられ、前記析出用基板を懸吊する懸吊機構とを備え、前記２つの走行レールは、前記溶湯の内側領域の上方に配置され、前記懸吊機構に懸吊された析出用基板を溶湯に浸漬させる高度に設定され、前記２つの走行レールが水平方向から視て重なるように並設された第１水平走行部と、前記第１水平走行部の上流側及び下流側にそれぞれ配置され、前記懸吊機構に懸吊された析出用基板を前記溶湯の湯面よりも上方に位置させる高度に設定され、前記２つの走行レールが水平方向から視て重なるように並設された第２水平走行部と、前記第１水平走行部と前記第２水平走行部とを連絡し、所定の基板面角度に調節されるように水平方向から視て前記２つの走行レールの高度がずれて設けられた傾斜走行部とを有することを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図１乃至図１５に基づいて以下に説明する。
図１に本発明に係る半導体基板製造装置１（析出板製造装置）の正面視した場合における概略構成図を、図２に側面視した場合における概略構成図を、図３に上面から視た場合における概略構成図を示す。尚、半導体基板製造装置１は、析出板製造装置の一種であり、析出板製造装置は、密閉状態にされた処理室で半導体材料や金属材料等の溶解対象物１０１を加熱溶融して溶湯とし、この溶解対象物１０１をシート状の析出板となるように製造する装置を意味する。また、溶解対象物１０１としては、Ｓｉ等の半導体材料の他、鉄やチタン等の金属材料を挙げることができる。
【００１６】
上記の半導体基板製造装置１は、外部環境から内部を密閉状態に隔離可能な二重壁構造の真空容器３を備えている。真空容器３は、上側収容室６を形成する円筒形状の上側タンク部４と、上側タンク部４の下部に設けられ、上側収容室６に連通した下側収容室７を形成する下側タンク部５とを有している。
【００１７】
また、下側タンク部５の一方の側面壁には、図１に示すように、搬入出部５ａが開口されている。搬入出部５ａは、上側タンク部４の長手方向（紙面に対して垂直方向）に進退移動する開閉扉９により開閉可能にされている。そして、このように構成された真空容器３には、Ａｒガス等の不活性ガスを供給する図示しないガス供給装置および両収容室６・７の空気を排気する図示しない真空排気装置が接続されている。これらの装置は、真空容器３の両収容室６・７を所定の圧力に減圧しながら不活性ガスを供給することによって、外部環境とは異なる処理環境を両収容室６・７に出現させるようになっている。
【００１８】
上記の両収容室６・７の略中央部には、析出用基板１４を溶湯１５に一定時間浸漬させて引き上げる析出機構１０が設けられている。析出機構１０は、溶湯１５の上方を通過するように配置され、図３に示すように、上側収容室６内に水平方向に環状に設けられた内側走行レール１１及び外側走行レール１２と、該内側及び外側走行レール１１、１２上に走行可能に設けられ、析出用基板１４を懸吊する懸吊機構２０とで構成されている。
【００１９】
図４乃至図６を参照して、懸吊機構２０の構成を説明する。図４は懸吊機構２０の斜視図を、図５は図４のＡ−Ａ´線矢視断面を、図６は図４のＢ−Ｂ´線矢視断面を示す。
【００２０】
懸吊機構２０は、図４〜６に示すように、内側及び外側走行レール１１、１２間に位置するように設けられた長方体形状の収容体２１と、収容体２１内に収容され、走行レール１１、１２上を走行可能に構成された走行駆動体３２と、収容体２１の下面に設けられた、縦設機構４０とで構成される。尚、収容体２１は、ルツボ装置５１からの輻射熱から防御するため、断熱性能を有するものであることが好ましい。
【００２１】
走行駆動体３２は、収容体２１の進行方向前部に配置された内側走行機構２２と、後部に配置された外側走行機構２７と、略中央に配置された駆動装置３３と、これらの連結部材であるベルト４０とを備える。内側走行機構２２は、収容体２１の幅方向に回転自在に配設された軸２４と、軸２４の一端部に固定され、内側走行レール１１上に載置された車輪２３と、軸２４の略中央に設けられた従動プーリ２５とを有している。一方、収容体２１の後部には、同一の部材で点対象に外側走行機構２７が配置されている。即ち、外側走行機構２７は、収容体２１の幅方向に回転自在に配設された軸２４と、軸２４の一端部に固定され、外側走行レール１２上に載置された車輪２３とを有している。
【００２２】
また、走行駆動体３２の中央に配置された駆動装置３３は、モータ３６と、モータ３６に設けられた駆動プーリ３８とを備えている。モータ３６は収容体２１の内側に固定され、駆動プーリ３８は収容体２１の略中央に配置される。尚、モータ３６は、図示しない電源装置に接続されている。駆動プーリ３８には、ベルト３９が掛けられており、このベルト３９は、駆動プーリ３８を中心として、内側走行機構側の従動プーリ２５に架け渡されている。これにより、内側走行機構２２と駆動装置３３とが連結される。尚、連結部材のベルト３９に、張力が付与される装置が設けられていることが好ましい。
【００２３】
このように構成された走行駆動体３２は、電源装置によりモータ３６に電源が供給されると、駆動プーリ３８が回転することによって、ベルト３９を介して従動プーリ２５が回転する。従動プーリ２５の回転により軸２４および車輪２３が回転することによって、内側走行機構２２が走行レール１１上を走行する。これにより、収容体２１が走行レール１１、１２間を走行する。
【００２４】
一方、収容体２１の下面に設けられた縦設機構４０は、進行方向の前部に固定された第１縦設部材４１と、後部に固定された第２縦設部材４２とを有している。これらの第１および第２縦設部材４１・４２は、幅方向の略中央の位置に配置されている。そして、縦設部材４１、４２は、図７に示すように、カーボン基板把持持装置４３を介して析出用基板１４を保持する。尚、縦設部材４１、４２は収容体２１の下面に固定されていればよく、固定方法は、ピン接合であってもネジ接合であっても良い。
【００２５】
第１及び第２縦設部材４１、４２は、収容体２１側から中部までの範囲が機械的強度に優れたステンレス鋼等の金属材料で形成されている一方、中部から析出用基板１４に連結された下端部までの範囲が耐熱性に優れたカーボンにより形成されている。これにより、析出支持機構４２は、析出用基板１４を析出させて高温の溶湯１５に浸漬させる際に、溶湯１５から大量の輻射熱を下側部分に受けることになっても、長期間に亘って初期の機械的強度を維持することが可能になっている。
【００２６】
上記の内側走行レール１１及び外側走行レール１２は、図３に示すように環状に水平方向に並設されている。内側及び外側走行レール１１、１２は、下端を上側タンク４の壁面に固定された支柱１３ａ、支柱１３ｂに支持されている。支柱１３ａ、支柱１３ｂはそれぞれ４箇所に設けられているが、走行レール１１、１２を安定して固定することができる位置に適宜設けられればよい。また、走行レール１１、１２の固定方法はこれに限定されず、懸吊機構２０の走行の邪魔になることなく、安定して走行レール１１、１２を支持することのできる方法ならどのような形態でもよい。
【００２７】
走行レール１１、１２は、図１に示すように、溶湯１５の内側領域の上方に配置され、懸吊機構２０に懸吊された析出用基板１４を溶湯１５に浸漬させる高度（浸漬高さ）に設定された第１水平走行部１１ａ、１２ａと、第１水平走行部１１ａ、１２ａの進行方向の下流側から上流側に連続的に環状に配置され、懸吊機構２０に懸吊された析出用基板１４を溶湯１５の湯面よりも上方に位置させる高度（搬送高さ）に設定された第２水平走行部１１ｂ、１２ｂとを有する。そして、第１水平走行部１１ａ、１２ａの進行方向上流側と第２水平走行部１１ｂ、１２ｂとを連絡する第１傾斜走行部１１ｃ、１２ｃと、第１水平走行部１１ａ、１２ａの進行方向下流側と第２水平走行部１１ｂ、１２ｂとを連絡する第２傾斜走行部１１ｄ、１２ｄとを有する。
【００２８】
図７に示すように、第２水平走行部１１ｂ、１２ｂから第１傾斜走行部１１ｃ、１２ｃに変化する位置は、所定の基板面角度に調整されるように、ずれて形成される。また、第２傾斜走行部１１ｄ、１２ｄも同様にして形成される。
【００２９】
懸吊機構２０は、図３に示すように、上記の走行レール１１、１２の環状の軌道中に配置された予熱位置Ａと、浸漬位置Ｂと、引き剥がし位置Ｃと、研磨位置Ｄとをこの順に進行する。浸漬位置Ｂは浸漬高さの第１水平走行部１１ａ、１２ａに、予熱位置Ａ、引き剥がし位置Ｃ及び研磨位置Ｄは、搬送高さの第２水平走行部１１ｂ、１２ｂに配置されている。懸吊機構２０は、第１水平走行部１１ａ、１２ａを速度ｖ1で、第２水平走行部１１ｂ、１２ｂを速度ｖ2で、第１傾斜走行部１１ｃ、１２ｃを速度ｖ3で、第２傾斜走行部１１ｄ、１２ｄを速度ｖ4で走行するように、図示しない制御装置にて制御されている。
【００３０】
速度ｖ1〜ｖ4について、具体的に以下に説明する。
速度ｖ1は、析出用基板１４の浸漬時間を設定し、第１水平走行部１１ａ、１２ａの水平距離により算出すればよい。溶湯１５の湯面が小さな場合は、第１水平走行部１１ａ、１２ａにおける懸吊機構２０の速度ｖ1を低速に設定することによって、充分な浸漬時間を確保することができる。速度ｖ2は、高速とすることで、析出工程以外の工程を短時間で完了することができる。
【００３１】
速度ｖ3は、懸吊機構２０が第１傾斜走行部１１ｃ、１２ｃを走行して析出板１４が溶湯１５中に進入する時に溶湯１５の湯面が波立たない程度の速度であればよい。同様に、速度ｖ4は、懸吊機構２０が第２傾斜走行部１１ｄ、１２ｄを走行して析出板１４が溶湯１５中から退出する時に、溶湯１５の湯面が波立たない程度の速度であればよい。
【００３２】
上記の析出用基板１４は、図８に示すように、カーボンにより形成されている。析出用基板１４は、半導体基板２が析出される下面からなる基板面１４ａと、進行方向の上流側および下流側の各側面に形成された傾斜部１４ｂと、析出用基板１４の上面（反析出面）に形成された把持部１４ｃとを有している。傾斜部１４ｂは、基板面１４ａの両端部が上面の両端部の内側に位置するように基板面１４ａから上面側にかけて傾斜されている。
【００３３】
また、析出用基板１４の上面に形成された把持部１４ｃは、断面が逆台形形状に形成されており、カーボン基板把持装置４３の一部を構成している。カーボン基板把持装置４３は、把持部１４ｃを着脱自在に保持するチャック機構４４を備えている。チャック機構４４は、チャック部材４５・４５を左右対称に備えている。各チャック部材４５・４５は、把持部１４ｃに係合するように下面に形成された係合部４５ａと、ゴミ等の落下物を受け止めるように上面の四辺に沿って形成された環状溝部４５ｂと、環状溝部４５ｂに周囲を囲まれた懸吊部４５ｃとを有している。
【００３４】
上記の懸吊部４５ｃの上面には、２つの突設部４５ｄ・４５ｄが対向配置されている。両突設部４５ｄ・４５ｄの中央部には、ピン挿通穴４５ｅ・４５ｅが形成されている。これらの突設部４５ｄ・４５ｄ間には、図９に示すように、上述の懸吊機構２０の各縦設部材４１、４２が嵌合されるようになっている。そして、ピン挿通穴４５ｅ・４５ｅには、カーボン製のピン部材４６が抜脱可能に挿通されるようになっており、ピン部材４６は、各縦設部材４１、４２をチャック機構４４に対して連結させるようになっている。
【００３５】
上記のピン部材４６は、溶湯１５からの輻射熱の直射を回避するように、チャック部材４５の析出側の投影面積よりも短くなるように形成されている。また、ピン部材４６の表面には、図１０に示すように、硬化層１００が形成されており、ピン部材４６は、硬化層１００により表面の機械的強度が高められることによって、チャック部材４５のピン挿通穴４５ｅに対して着脱する際の磨耗が低減されている。一方、チャック部材４５においては、ピン部材４６に接触するピン挿通穴４５ｅと、析出用基板１４に接触する係合部４５ａおよび下面とに硬化層１００が形成されている。そして、チャック部材４５は、硬化層１００で接触面の機械的強度が高められることによって、ピン部材４６の着脱時および析出用基板１４の把持時における磨耗が低減されている。
【００３６】
尚、硬化層１００の形成方法としては、プラズマＣＶＤやイオンプレーティング等の表面処理方法でＳｉＣ膜をコーティングする硬化処理を挙げることができる。また、硬化層１００は、チャック部材４５の全表面に形成されていても良く、この場合には、チャック部材４５の全体の機械的強度を高めることができるため、チャック部材４５をオペレータが運搬する際に衝撃を与えても破損し難いものとすることができる。
【００３７】
上記のカーボン基板把持装置４３で保持される析出用基板１４が浸漬される溶湯１５は、図１に示すように、ルツボ装置５１に収容されている。ルツボ装置５１は、溶湯１５を収容する収容部５２ａを備えたルツボ５２と、ルツボ５２の側面壁５２ｂの周囲に配置された誘導加熱コイル５３と、これらのルツボ５２及び誘導加熱コイル５３を支持するルツボ支持台５４とを有している。誘導加熱コイル５３には、図１の耐熱構造の電力ケーブル５５が着脱可能に接続されており、図示しない高周波電源から高周波数の交流電力が供給されるようになっている。これにより、誘導加熱コイル５３は、ルツボ５２の周囲に交番磁場を生成させ、ルツボ５２の主に表面側を誘導加熱することが可能になっている。
【００３８】
一方、ルツボ５２は、析出用基板１４の進行方向が長尺となるように平面視長方形状に形成されており、溶湯１５の収容量を最小限に抑制しながら、側面壁５２ｂが析出用基板１４の旋回の障害にならないようにしている。尚、ルツボ５２は、析出用基板１４の進行方向が長尺になる形状であれば良く、例えば平面視楕円形状であっても良い。また、ルツボ５２は、図１２に示すように、収容部５２ａの側面側と底面側との２方向から大きな熱量が伝達されるように、底面壁５２ｃの厚みが平均ルツボ半径と略同等であり且つ側面壁５２ｂの厚みと同等以上に設定されている。
【００３９】
ここで、平均ルツボ半径とは、ルツボ５２の全方向の半径を平均化したものである。また、ルツボ５２の側面壁５２ｂは、電磁誘導の浸透深さ未満の厚みに設定されていることが望ましく、この場合には、溶湯１５を対流させることができるため、ゴミ等の落下物が核となって溶湯１５の表面中央が凝固する現象を防止することが可能になる。
【００４０】
また、ルツボ５２の収容部５２ａ内には、図１１にも示すように、溶湯１５の湯面高さの監視に使用されるカーボン製の湯面高さ検出部６１が形成されている。湯面高さ検出部６１は、収容部５２ａの底面から上面にかけて複数の段部６１ａを階段状に有している。湯面高さ検出部６１は、析出用基板１４の障害物とならないように、収容部５２ａのコーナー部に配置されている。尚、湯面高さ検出部６１は、ルツボ５２と一体的に形成されていても良いし、ルツボ５２とは別に形成されていても良い。
【００４１】
さらに、ルツボ５２の収容部５２ａ内には、ルツボ５２の長手方向（半導体基板２の進行方向）に沿って仕切り壁６２が設けられている。仕切り壁６２は、析出用基板１４の障害物とならないように配置されている。また、仕切り壁６２は、上端部がルツボ５２の上面に位置し、下端部が収容部５２ａの底面上方に位置するように形成されている。これにより、仕切り壁６２は、析出用基板１４が浸漬する第１溶解槽６３と、第１溶解槽６３に連通する第２溶解槽６４とに収容部５２ａを区分しており、第２溶解槽６４と第１溶解槽６３との間における湯面の乱れの伝播を防止している。
【００４２】
上記のように構成されたルツボ５２は、ルツボ支持台５４により支持されている。ルツボ支持台５４は、図１に示すように、ルツボ５２および誘導加熱コイル５３をそれぞれ独立して支持する断熱支持体５４ａと、断熱支持体５４ａの下面に接合され、冷却配管を埋設された冷却盤５４ｂと、冷却盤５４ｂを支持する搬送台５４ｃとを有している。ルツボ支持台５４は、ルツボ搬入出機構５７に載置されている。ルツボ搬入出機構５７は、真空容器３の搬入出部５ａを挟んで真空容器３の内外に敷設されており、複数の搬送ローラ５６を回転可能に備えている。そして、ルツボ搬入出機構５７は、搬送ローラ５６を正逆回転させることによって、ルツボ支持台５４やルツボ５２等からなるルツボ装置５１の真空容器３に対する搬入出を可能にしている。
【００４３】
上記のルツボ装置５１の上方には、図２に示すように、溶解対象物１０１を第２溶解槽６４に供給する供給機構７１が設けられている。供給機構７１は、先端部に投入部が形成され、粉状や塊状の溶解対象物１０１を収容した収容箱７２と、収容箱７２を水平方向に進退移動させる収容箱移動機構７３と、収容箱７２内の溶解対象物１０１を先端部から押し出す押出機構７４とを備えている。
【００４４】
また、ルツボ装置５１の上方における真空容器３の第１覗き窓部８ａには、図１に示すように、湯面高さ検出部６１を溶湯１５と共に撮像して撮像信号を出力する撮像装置７５が設けられている。撮像装置７５は、ＣＣＤカメラ等のカメラ本体７６と、カメラ本体７６の前方に配置されたスリット板７７とを有している。スリット板７７には、カメラ本体７６の撮像領域を湯面高さ検出部６１の周辺に制限するスリットが形成されている。
【００４５】
上記の撮像装置７５および供給機構７１は、図示しない制御装置に接続されている。制御装置は、演算部や記憶部、入出力部等を備えており、半導体基板製造装置１の各機構を個別および連動させながら制御する各種の機能を備えている。具体的には、湯面高さ検出部６１の各段部６１ａにおける撮像信号の明暗に基づいて溶湯１５の湯面高さを検出する機能や、検出された湯面高さが所定の基準高さとなるように、供給機構７１における溶解対象物１０１の供給タイミング及び／又は供給量を制御する機能等を有している。
【００４６】
また、ルツボ装置５１と析出機構１０の収容体２１との間には、溶湯１５から収容体２１に向かう輻射熱を遮る第１熱遮蔽体７８が設けられている。第１熱遮蔽体７８は、銅製の熱遮蔽板７８ａと、熱遮蔽板７８ａの上面に接合され、熱遮蔽板７８ａを冷却する冷却配管７８ｂとを備えている。熱遮蔽板７８ａには、懸吊機構２０の縦設部材４１、４２を挿通させる開口部と、撮像装置７５による湯面高さ検出部６１の撮像を可能にする窓部とが形成されている。これにより、第１熱遮蔽体７８は、収容体２１に対する輻射熱の直射を極力低減することによって、収容体２１の過熱を防止するようになっている。
【００４７】
また、ルツボ装置５１から見て析出用基板１４の進行方向の上流側には、予熱機構８１が設けられている。予熱機構８１は、予熱位置Ｂの下方に配置された予熱ヒーター８２と、予熱ヒーター８２に着脱可能に接続された電力ケーブル８３と、真空容器３の外部に配置され、電力ケーブル８３を介して予熱用電力を供給する図示しない予熱電源装置とを有している。そして、予熱機構８１は、予熱ヒーター８２に対して析出用基板１４が対向されたときに、この析出用基板１４を所定温度に昇温させることによって、溶湯１５と析出用基板１４との温度差を一定にするようになっている。尚、析出用基板１４の搬送及び浸漬工程の１サイクルが短い場合には、析出用基板１４は予熱工程の前に一旦冷却されることが好ましい。
【００４８】
一方、ルツボ装置５１から見て析出用基板１４の進行方向の下流側には、引き剥がし機構８５が設けられている。引き剥がし機構８５は、引き剥がし位置Ｇの下方に配置されており、析出用基板１４と半導体基板２との間に進入する剥離部材８７と、剥離部材８７により引き剥がされて落下した半導体基板２を受け止める基板載置台８８とを備えている。
【００４９】
また、図３に示すように、引き剥がし機構８５の下流側には、研磨機構９０が設けられている。研磨機構９０は、図１３に示すように、研磨ディスク９１が備えられた研磨機本体９８と、研磨機本体９８を昇降させる研磨機本体昇降機９９と、研磨機本体昇降機９９を支持する設置台９６とを備えている。設置台９６は、研磨機本体９８を昇降可能に支持する支持台部９６ａと、支持台部９６ａの下端部から前側に突設された土台部９６ｂとを有している。
【００５０】
一方、研磨機本体９８は、図示しない電源装置に接続されたモータ９２を備えている。モータ９２は、回転軸９２ａの軸芯が鉛直方向となるように設定されており、この回転軸９２ａの先端部は、研磨ディスク９１の中心部に連結されている。研磨ディスク９１は、円盤形状に形成されていると共に、析出用基板１４に当接する研磨面（上面）が少なくとも研磨加工可能な材質で形成されている。
【００５１】
また、研磨機本体９８を昇降させる研磨機本体昇降機９９は、アーム９３ａを有する昇降台９３と、外側面にネジ山を有する昇降軸９４と、棒状のガイド９５と、上述の設置台９６の支持台部９６ａに固設された軸受け部材９７ａ、９７ｂとを有している。アーム９３ａの先端部には、研磨機本体９８を支持するように、上述のモータ９２が固定されている。一方、アーム９３ａの基部に位置する昇降台９３には、昇降軸９４が貫通および螺合されたネジ溝を有するネジ穴と、ガイド９５が摺動自在に貫通された貫通穴とが形成されている。
【００５２】
上記の昇降軸９４およびガイド９５は、軸芯が鉛直方向となるように並列配置されている。昇降軸９４の上端部および下端部は、軸受け部材９７ａ、９７ｂにより回転自在に軸支されている。一方、ガイド９５の上端部および下端部は、軸受け部材９７ａ、９７ｂにより固定されている。また、昇降軸９４の下端には、図示しない回転駆動装置が連結されている。この回転駆動装置は、ステッピングモータ等の任意の回転角度で正方向および逆方向に回転可能なモータを備えており、昇降軸９４を所定角度回転させることによって、昇降台９３を介して研磨機本体９８を所定の高さ位置に位置決め可能になっている。尚、駆動装置は、回転角度で研磨機本体９８の高さ位置を位置決めする代わりに、リミットセンサで高さ位置を検出するようになっていても良い。この場合には、一般的な安価なモータを使用することができる。
【００５３】
上記のように構成された研磨機構９０は、図２に示すように、設置台９６が下側タンク５の壁面に接合されることにより取り付けられている。研磨機構９０とルツボ装置５１との間には、溶湯１５から析出研磨機構９０に向かう輻射熱を遮る第２熱遮蔽体７９が配設されている。第２熱遮蔽体７９は、銅製の熱遮蔽板７９ａと、熱遮蔽板７９ａの研磨機構９０側に接合され、熱遮蔽板７９ａを冷却する冷却配管７９ｂとを備えている。第２熱遮蔽板７９は、下側タンク５の壁面に設置された研磨機構９０の３方を囲むように配設されている。これにより、第２熱遮蔽体７９は、研磨機構９０に対する輻射熱の直射を極力低減することによって、研磨機構９０の過熱を防止するようになっている。
【００５４】
上記の構成において、半導体基板製造装置１の動作を通じて、懸吊機構２０の走行レール１１、１２上での動作を説明する。
【００５５】
（準備・保全工程）
準備・保全工程は、半導体基板２の生産開始前および生産開始後において、半導体基板製造装置１を生産に適した状態にする場合に実施される。即ち、図２に示すように、ルツボ装置５１の検査やルツボ５２の交換、真空容器３内の各機構の検査等を行う場合には、先ず、開閉扉９が移動されて真空容器３の搬入出部５ａが開口される。そして、電力ケーブル５５がルツボ装置５１から切り離された後、ルツボ搬入出機構５７の各搬送ローラ５６が回転されることによって、ルツボ装置５１が搬入出部５ａを介して機外に搬出される。この後、図示しない検査作業場において、ルツボ装置５１の検査等が実施され、不具合があれば、該当箇所の修理や交換が行われる。
【００５６】
また、ルツボ装置５１の検査中に、図２に示すように、供給機構７１の収容箱７２に収容された溶解対象物１０１の残存量が確認され、適正な量となるように補充される。さらに、オペレータが真空容器３内の状態を目視等により検査し、必要に応じて部品の修理および交換が行われる。
【００５７】
例えばカーボン基板把持装置４３に取付けられた析出用基板１４に不具合がある場合には、図９および図１０に示すように、ピン部材４６がピン挿通穴４５ｅから抜脱されることによって、析出機構１０の第１縦設部材４１及び第２縦設部材４２が突設部４５ｄ・４５ｄから切り離される。これにより、縦設部材４１、４２により析出用基板１４の上面に左右方向に固定されていたチャック部材４５・４５が自由な状態となる。そして、チャック部材４５・４５が左右方向に引き離すように移動されることによって、析出用基板１４がカーボン基板把持装置４３から取り外される。
【００５８】
次に、新たな析出用基板１４が準備され、この析出用基板１４の把持部１４ｃを挟み込むようにチャック部材４５・４５がセットされる。この後、析出機構１０の第１縦設部材４１及び第２縦設部材４２が突設部４５ｄ・４５ｄ間に挿入され、ピン部材４６がピン挿通穴４５ｅに挿通される。これにより、チャック部材４５・４５が左右方向に固定され、係合部４５ａ・４５ａが把持部１４ｃを把持することによって、析出用基板１４がカーボン基板把持装置４３に取付けられる。
【００５９】
ここで、カーボン基板把持装置４３に対して析出用基板１４が着脱される場合には、チャック部材４５のピン挿通穴４５ｅとピン部材４６との擦れ合いや、チャック部材４５の係合部４５ａと析出用基板１４との擦れ合いが生じるため、磨耗し易い状態となる。ところが、ピン部材４６やカーボン基板把持装置４３の擦れ合う部分は、硬化層１００により機械的強度が高められている。従って、析出用基板１４の着脱が繰り返して行われた場合でも、ピン部材４６およびカーボン基板把持装置４３が初期の形状を維持するため、ピン部材４６およびカーボン基板把持装置４３を長期間に亘って使用することができる。また、析出用基板１４の着脱時において、ピン部材４６等の一部が破損して欠落することになった場合でも、この落下物が環状溝部４５ｂで受け止められるため、図２の溶湯１５にゴミとして落下することはない。
【００６０】
次に、上記のようにして各機器の検査および交換等が完了すると、図２に示すように、開閉扉９により搬入出部５ａが閉鎖され、真空容器３内の上側収容室６および下側収容室７が内部から密閉される。そして、図示しない真空排気装置が作動されて空気が排気された後、Ａｒガス等の不活性ガスが供給されることによって、外部環境とは異なる処理環境が収容室６・７に形成される。
【００６１】
この後、誘導加熱コイル５３に高周波数の交流電力が供給され、高周波磁界がルツボ５２の周囲に生成される。この結果、図１２に示すように、ルツボ５２の側面壁の表面側に強度の磁界が印加されることによって、側面壁の主に表面側が誘導加熱により加熱され、この表面側の熱量が内側方向に向かって伝導していくことになる。この際、ルツボ５２は、底面壁５２ｃの厚みが平均ルツボ半径と略同等であり且つ側面壁５２ｂの厚みと同等以上に設定されている。これにより、収容部５２ａの側面側と底面側との２方向から大きな熱量が伝達され、この熱量で溶解対象物１０１が均等に加熱される結果、早期に全体が溶解して溶湯１５となる。また、溶湯１５になった後は、この溶湯１５の側面および下面が大きな熱量で加熱され続けられるため、溶湯１５全体が均一な温度に維持される。
【００６２】
また、溶湯１５が形成されると、真空容器３内の収容室６・７が高温になると共に、溶湯１５から高温の輻射熱が放出される。そして、輻射熱の一部は、懸吊機構２０方向に進行することになるが懸吊機構２０の手前に配設された第１熱遮蔽体７８により進行が遮られるため、懸吊機構２０に殆んど到達することがない。これにより、懸吊機構２０は、輻射熱が直射されることによる熱劣化が防止されている。また、同様に、研磨機構９０の３方を囲むように配設された第２熱遮蔽板７９により、研磨機構９０は、輻射熱が直射されることによる熱劣化が防止されている。
【００６３】
（予熱工程）
上述のように所望の処理環境下で溶湯１５が形成されることによって、生産の準備が完了すると、懸吊機構２０は第２水平走行部１１ｂ、１２ｂを速度ｖ2で走行し、予熱位置Ａで一旦停止する。この結果、析出用基板１４が予熱ヒーター８２に対向することになる。この後、予熱ヒーター８２に予熱用電力が供給されることによって、予熱ヒーター８２より析出用基板１４が所定の予熱温度となるように加熱される。
【００６４】
（析出工程）
析出用基板１４が所定の予熱温度になると、懸吊機構２０は再び速度ｖ2で走行し、第１傾斜走行部１１ｃ、１２ｃに移動する。そして、第１傾斜走行部１１ｃ、１２ｃを速度ｖ3で走行し、析出用基板１４は溶湯１５中に進入する。図７に示すように、溶湯面に対して所定の角度を持ちつつ、第１傾斜走行部１１ｃ、１２ｃを走行し、浸漬高さの第１水平走行部１１ａ、１２ａに移動する。
【００６５】
そして、懸吊機構２０は、第１水平走行部１１ａ、１２ａの浸漬位置Ａを速度ｖ1で走行する。この間、析出用基板１４は溶湯１５に浸漬されており、析出用基板１４の基板面１４ａに溶解対象物１０１が析出して半導体基板２となる。その後、懸吊機構２０は、第２傾斜走行部１１ｄ、１２ｄに移動する。懸吊機構２０が第２傾斜走行部１１ｄ、１２ｄを速度ｖ4で走行し、半導体基板２が溶湯面に対して所定の角度で溶湯１５から引き上げられることによって、液だれが基板面の最後尾に生じつつ、凝固成長した所定厚みの半導体基板２が引き上げられる。そして、懸吊機構２０は、搬送高さの第２水平走行部１１ｂ、１２ｂ上を進行方向下流側に移動する。なお、液だれが、析出板中央に集成されると、平板でなくなってしまう。
【００６６】
このように、析出工程においては、懸吊機構２０が走行レール１１、１２上を走行することで、析出用基板１４を下降させて基板面１４ａを溶湯１５に浸漬させ、基板面１４ａに溶解対象物１０１を析出させながら所定時間が経過したときに、析出用基板１４を溶湯１５から引き上げることができる。
【００６７】
（引き剥がし工程）
所定厚みの半導体基板２が析出用基板１４の基板面１４ａに形成されると、懸吊機構２０は、上述したように、進行方向下流側に第２水平走行レール１１ｂ、１２ｂを速度ｖ2で走行する。そして、引き剥がし位置Ｃにおいて析出用基板１４と半導体基板２との間に剥離部材８７が進入し、半導体基板２が剥離部材８７により強制的に析出用基板１４から引き剥がされて基板載置台８８に載置されることになる。この後、このようにして引き剥がされた半導体基板２が所定枚数になると、図示しない排出口から一括して機外に搬出される。
【００６８】
（湯面制御工程）
上述の析出工程が繰り返されることによって、多数の半導体基板２が生産されると、半導体基板２の生産数に応じた消費量で溶湯１５が減少する。そして、溶湯１５の減少を放置すると、湯面高さが低下する結果、析出用基板１４の浸漬深さが浅くなり、最終的には、析出用基板１４を溶湯１５に浸漬させることができなくなる。そこで、半導体基板２の生産中においては、撮像装置７５によりルツボ５２内の湯面高さ検出部６１が撮像され、撮像信号に基づいて湯面が一定となるように溶解対象物１０１が供給される。
【００６９】
即ち、湯面高さ検出部６１を撮像して得た各段部６１ａの撮像信号が図示しない制御装置に取り込まれ、この制御装置において、撮像信号中の輝度信号成分が抽出される。そして、溶湯１５と湯面高さ検出部６１の各段部６１ａとを判別するように、輝度信号成分が所定の閾値で２値化される。この後、２値化データに基づいて溶湯１５から露出した段部６１ａが求められ、所定の段部６１ａが露出したときに、溶湯１５の湯面高さが許容範囲以下にまで低下したと判定される。そして、この場合には、図２に示すように、供給機構７１から所定量の溶解対象物１０１が押し出されてルツボ５２に投入され、所定の湯面高さに復帰される。
【００７０】
尚、上記のようにしてルツボ５２に溶解対象物１０１が投入されると、湯面が揺動することになるが、仕切り壁６２で上面が区分された第２溶解槽６４に対して溶解対象物１０１が投下されるため、析出用基板１４が浸漬される第１溶解槽６３に対して揺動が伝播することはない。これにより、溶解対象物１０１の投入中においても、半導体基板２の生産を継続することができる。
【００７１】
（研磨工程）
半導体基板２の生産が繰り返されると、析出用基板１４の基板面１４ａに付着物が残留する場合がある。従って、この場合には、懸吊機構２０が第２水平走行レール１１ｂ、１２ｂを速度ｖ2で走行し、研磨位置Ｄに到達した時に一旦停止する。そして、図１３に示すように、昇降軸９４を所定角度回転させることにより昇降台９３と共に研磨ディスク９１を上昇させ、研磨ディスク９１の上面（研磨面）を基板面１４ａに当接させる。この後、モータ９２に電力を供給して、研磨ディスク９１を回転させ、基板面１４ａを研磨する。この結果、基板面１４ａの付着物が強制的に擦り落とされ、基板面１４ａが生産当初の状態に回復されることになる。そして、懸吊機構２０は予熱工程から同じ工程を行うことにより、繰返し半導体基板２を製造する。
【００７２】
以上のように、本実施形態の半導体基板製造装置１（析出板製造装置）は、溶解対象物１０１の溶湯１５に対して析出用基板１４を一定時間浸漬させることによって、該析出用基板１４に溶解対象物１０１の凝固成長した半導体基板２（析出板）を生成させるものであって、溶湯１５の上方を通過するように配置された走行レール１１、１２と、走行レール１１、１２に走行可能に設けられ、析出用基板１４を懸吊する懸吊機構２０とを備え、走行レール１１、１２は、懸吊機構２０の走行に伴って析出用基板１４を昇降させつつ、溶湯面に対する基板面角度を変化させて溶湯１５に浸漬させるようにレール軌道の高度が変更されている。これにより、一定のレール軌道に設定された走行レール１１、１２と、この走行レール１１、１２を走行する懸吊機構２０とからなる簡単な構成で、懸吊機構２０を走行レール１１、１２上に走行させるのみで、析出用基板１４を溶湯１５に浸漬させて引き上げるという複雑な動作を実現することができる。
【００７３】
また、本実施形態の懸吊機構２０の駆動方法は、モータ３６を有する自走式台車である場合について説明したが、これに限定されるものではない。即ち、懸吊機構の走行は、例えば、牽引式のものであってもよい。
【００７４】
また、懸吊機構は、ロープウェイ式によるものであってもよい。その場合、ロープを上を移動することができる車輪が備えられた懸吊機構とし、軌道が形成されたロープ上を牽引すればよい。
【００７５】
また、本実施形態の半導体基板製造装置１は、走行レール１１、１２が、水平方向に環状に設けられており、該走行レール１１、１２に複数の懸吊機構２０が一方向に走行可能に設けられることが望ましい。この場合には、複数の懸吊機構が一方向に走行可能に設けられているため、短いサイクルで析出用基板の溶湯への浸漬を繰返し行うことができ、析出物を容易に量産することができる。
【００７６】
尚、本実施形態においては、走行レール１１、１２が環状に設けられている場合について説明したが、これに限定されるものではない。即ち、直線状のレールであり、該レール上を懸吊機構が往復走行することによって析出用基板の溶湯への浸漬を繰返し行う構成であってもよい。
【００７７】
また、本実施形態の半導体基板製造装置１における走行レール１１、１２は、溶湯１５の内側領域の上方に配置され、懸吊機構２０に懸吊された析出用基板１４を溶湯１５に浸漬させる高度に設定された第１水平走行部１１ａ、１２ａと、第１水平走行部１１ａ、１２ａの上流側及び下流側にそれぞれ配置され、懸吊機構２０に懸吊された析出用基板１４を溶湯１５の湯面よりも上方に位置させる高度に設定された第２水平走行部１１ｂ、１２ｂと、第１水平走行部１１ａ、１２ａと前記第２水平走行部１１ｂ、１２ｂとを連絡する傾斜走行部１１ｃ、１２ｃ、１１ｄ、１２ｄと、を有する。これにより、析出用基板１４が溶湯１５に浸漬される距離が第１水平走行部１１ａ、１２ａの距離として予め設定されているため、懸吊機構２０を所定の走行速度で走行させることによって、析出用基板１４の溶湯１５への浸漬時間を容易に設定することができる。この結果、懸吊機構２０の走行速度を複雑に制御する必要がないため、懸吊機構２０の走行に要する制御装置の部品点数及び組立コストを低減することができる。
【００７８】
尚、本実施形態においては、析出機構に一箇所だけ第１水平走行部を設けた場合について説明したが、これに限定されるものではない。即ち、長い走行レール上に複数第１水平走行部を設け、間に引き剥がし機構を設置し、夫々の第１水平走行部において析出が行われてもよい。
【００７９】
また、本実施形態の半導体基板製造装置１における懸吊機構２０は、走行速度を変更可能にされている。これにより、走行レール１１、１２の第１水平走行部１１ａ、１２ａと第２水平走行部１１ｂ、１２ｂとの走行速度をそれぞれ変更することができるため、例えば、第１水平走行部１１ａ、１２ａで低速走行して浸漬時間を長くし、第２水平走行部１１ｂ、１２ｂで高速走行して浸漬処理以外の処理を短時間で完了することが可能になる。また、溶湯１５の湯面が小さな場合でも、第１水平走行部１１ａ、１２ａにおける懸吊機構２０の走行速度を低速に設定することによって、充分な浸漬時間を確保することができる。
【００８０】
尚、本実施形態においては、懸吊機構２０は、走行速度を変更可能にされているものとしたが、これに限定されるものではない。即ち、走行レールの軌道のみで全ての工程の時間を制御することも可能である。この場合には、走行速度を一定にすることができるため、速度の制御は全く必要なくなる。
【００８１】
また、本実施形態において、第１水平走行部１１ａ、１２ａ下流側にて、析出用基板１４を上下反転するものであってもよい。そうすると、析出用基板１４を溶湯１５に浸漬した後、半導体基板（析出板）２が基板面１４ａから離脱して落下するのを未然に防止することができる。
【００８２】
【発明の効果】
以上示したように、第１の発明によると、一定のレール軌道に設定された走行レールと、この走行レールを走行する懸吊機構とからなる簡単な構成で、懸吊機構を走行レール上に走行させるという簡単な制御動作を行うことにより、析出用基板を溶湯に浸漬させて引き上げる等の複雑な一連の処理動作を実現することができる。
【００８３】
第２の発明によると、複数の懸吊機構が同一方向に走行可能に設けられているため、短いサイクルで析出用基板の溶湯への浸漬を繰返し行うことができ、析出物を容易に量産することができる。
【００８４】
第３の発明によると、析出用基板が溶湯に浸漬される距離が第１水平走行部の距離として予め設定されているため、懸吊機構を所定の走行速度で走行させることによって、析出用基板の溶湯への浸漬時間を容易に設定することができる。この結果、懸吊機構の走行速度を複雑に制御する必要がないため、懸吊機構の走行に要する制御装置の部品点数及び組立コストを低減することができる。
【００８５】
第４の発明によると、走行レールの第１水平走行部と第２水平走行部との走行速度をそれぞれ変更することができるため、例えば、第１水平走行部で低速走行して浸漬時間を長くし、第２水平走行部で高速走行して浸漬処理以外の処理を短時間で完了することが可能になる。また、溶湯の湯面が小さな場合でも、第１水平走行部における懸吊機構の走行速度を低速に設定することによって、充分な浸漬時間を確保することができる。
【００８６】
第５の発明によると、析出用基板を溶湯に浸漬した後、析出板が基板面から離脱して落下するのを未然に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体基板製造装置を正面視した場合における概略構成図である。
【図２】半導体基板製造装置を側面視した場合における概略構成図である。
【図３】半導体基板製造装置を上面から視た場合における概略構成図である。
【図４】懸吊機構の斜視図である。
【図５】図４の懸吊機構のＡ−Ａ´線矢視断面図である。
【図６】図４の懸吊機構のＢ−Ｂ´線矢視断面図である。
【図７】析出用基板が溶湯に浸漬する状態を示す説明図である。
【図８】カーボン基板把持装置の斜視図である。
【図９】カーボン基板把持装置の斜視図である。
【図１０】カーボン基板把持装置の分解斜視図である。
【図１１】溶湯の収容状態を示す斜視図である。
【図１２】ルツボの熱伝導の状態を示す説明図である。
【図１３】研磨機本体の斜視図である。
【符号の説明】
１ 半導体基板製造装置（析出板製造装置）
２ 半導体基板（析出板）
３ 真空容器
４ 上側タンク部
５ 下側タンク部
５ａ 搬入出部
６ 上側収容室
７ 下側収容室
８ａ〜８ｃ 第１〜第３覗き窓部
８ｄ 第５覗き窓部
８ｅ 第５覗き窓部
９ 開閉扉
１０ 析出機構
１１ 内側走行レール
１２ 外側走行レール
１１ａ、１２ａ 第１水平走行部
１１ｂ、１２ｂ 第２水平走行部
１１ｃ、１２ｃ 第１傾斜走行部
１１ｄ、１２ｄ 第２傾斜走行部
１３ａ 支柱
１３ｂ 支柱
１４ 析出用基板
１５ 溶湯
２０ 懸吊機構
４１ 第１縦設部材
４２ 第２縦設部材
４３ カーボン基板把持装置
５１ ルツボ装置
５２ ルツボ
５２ａ 収容部
５２ｂ 側面壁
５２ｃ 底面壁
５３ 誘導加熱コイル
５４ ルツボ支持台
５４ａ 断熱支持体
５４ｂ 冷却盤
５４ｃ 搬送台
５５ 電力ケーブル
５６ 搬送ローラ
５７ ルツボ搬入出機構
６１ 湯面高さ検出部
７８ 第１熱遮蔽体
８１ 予熱機構
８２ 予熱ヒーター
８３ 電力ケーブル
８５ 引き剥がし機構
８７ 剥離部材
８８ 基板載置台
１０１ 溶解対象物
Claims (2)
- 溶解対象物の融湯に対して析出用基板を一定時間浸漬させることによって、該析出用基板に溶解対象物の凝固成長した析出板を生成させる析出板製造装置であって、
前記溶湯の上方を通過するように配置された走行レールと、
前記走行レールに走行可能に設けられ、前記析出用基板を懸吊する懸吊機構と
を備え、
前記走行レールは、前記懸吊機構の走行に伴って前記析出用基板を昇降させつつ、前記溶湯面に対する基板面角度を変化させて前記溶湯に浸漬させるようにレール軌道の高度が変更されているとともに、水平方向に環状に設けられており、
前記走行レールには、複数の前記懸吊機構が同一方向に走行可能に設けられていることを特徴とする析出板製造装置。 - 溶解対象物の融湯に対して析出用基板を一定時間浸漬させることによって、該析出用基板に溶解対象物の凝固成長した析出板を生成させる析出板製造装置であって、
前記溶湯の上方を通過するように配置された２つの走行レールと、
前記２つの走行レールの一方の前記走行レールに載置され前部に配置された車輪と、他方の前記走行レールに載置され後部に配置された車輪とにより前記２つの走行レールに走行可能に設けられ、前記析出用基板を懸吊する懸吊機構と
を備え、
前記２つの走行レールは、
前記溶湯の内側領域の上方に配置され、前記懸吊機構に懸吊された析出用基板を溶湯に浸漬させる高度に設定され、前記２つの走行レールが水平方向から視て重なるように並設された第１水平走行部と、
前記第１水平走行部の上流側及び下流側にそれぞれ配置され、前記懸吊機構に懸吊された析出用基板を前記溶湯の湯面よりも上方に位置させる高度に設定され、前記２つの走行レールが水平方向から視て重なるように並設された第２水平走行部と、
前記第１水平走行部と前記第２水平走行部とを連絡し、所定の基板面角度に調節されるように水平方向から視て前記２つの走行レールの高度がずれて設けられた傾斜走行部と
を有することを特徴とする析出板製造装置。
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