JP4061913B2 - 析出板製造装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、溶融状の半導体材料、金属材料、又は絶縁材料を結晶析出させてシート状の析出板を製造する析出板製造装置に関し、特に製造された析出板を取り出す方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
融液状の材料を結晶析出させてシート状の析出板を製造する装置として、半導体材料をカーボン基板の基板面に結晶析出させる半導体基板製造装置がある。例えば特開平6−191820号公報には、処理室を形成する真空タンクと、半導体材料を収容しながら加熱して溶湯とする溶解炉装置と、溶湯に対してカーボン基板の基板面を浸漬可能に昇降させる析出機構とを備えた半導体基板製造装置が開示されている。
【0003】
上記の装置を用いて半導体基板を製造する場合には、真空タンク内を減圧して不活性ガス雰囲気とした後、半導体材料を加熱して溶解させる。そして、半導体材料の全体が融液状態の溶湯となったときに、析出機構によりカーボン基板を下降させて溶湯に浸漬し、基板面に半導体材料からなるシート状の析出板を析出させる。この後、カーボン基板を上昇させ、所定の高さ位置に到達したときに、析出板をカーボン基板ごと析出機構から取り外したり、カーボン基板から析出板を取り外した後、真空タンクの外部に搬出するという一連の処理が行われる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の構成であると、カーボン基板の析出機構からの取り外し及び再取付け、又は析出板のカーボン基板からの取り外しの機構及び制御が複雑であるという問題がある。
【0005】
本発明は、前記課題に鑑みなされたものであり、簡易な構成で析出板を取り外すことができると共に、取り外し等に失敗して析出板を落下させた場合でも、重大な故障を引き起こすことがない析出板製造装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するための本発明の請求項1に記載の析出板製造装置は、溶解対象物を析出用基板の基板面に凝固成長させることにより析出板を製造する析出板製造装置であって、前記溶解対象物を溶湯とするように加熱しながら収容する溶解炉装置と、前記析出用基板を前記溶解対象物の溶湯に浸漬させた後、該析出用基板を引き上げながら前記溶解炉装置の外側方向に移動させる析出機構と、前記外側方向に移動される析出用基板の全体が前記溶解炉装置の上方から外れた引き剥がし位置に到達したときに、該析出用基板の基板面から析出板を引き剥がす引き剥がし機構とを有し、前記引き剥がし機構は、剥離部材の先端部を前記析出板の外周側から前記析出用基板と前記析出板との間に進入させて引き剥がすことを特徴としている。
【0007】
上記の構成によると、析出用基板を析出機構に装着した状態を維持しながら、析出板を析出用基板から引き剥がし機構により引き剥がして回収することができる。従って、従来のような析出機構に対して析出用基板を着脱するための着脱機構が不要であるため、簡易な構成で析出板を取り外すことができる。また、析出板の取り外し作業が溶解炉装置の上方から外れた引き剥がし位置で行われるため、引き剥がしを失敗したり、搬出中に析出板を脱落させることがあっても、溶湯内に析出板が落下して重大な故障を引き起こすこともない。
【0009】
また、搬送される析出用基板と析出板の間に部材が進入可能な位置に予め引き剥がし機構を設置するのみで、析出機構の作動により析出用基板から析出板を引き剥がすことが可能である。また、析出用基板に対して部材が適切な勢いで進退可能なものとし、確実に引き剥がされるものとすることも可能である。
【0010】
請求項2に記載の析出板製造装置は、溶解対象物を析出用基板の基板面に凝固成長させることにより析出板を製造する析出板製造装置であって、前記溶解対象物を溶湯とするように加熱しながら収容する溶解炉装置と、前記析出用基板を前記溶解対象物の溶湯に浸漬させた後、該析出用基板を引き上げながら前記溶解炉装置の外側方向に移動させる析出機構と、前記外側方向に移動される析出用基板の全体が前記溶解炉装置の上方から外れた引き剥がし位置に到達したときに、該析出用基板の基板面から析出板を引き剥がす引き剥がし機構とを有し、前記引き剥がし機構は、前記析出用基板を衝打したときの衝撃力で前記析出板を引き剥がすことを特徴としている。
【0011】
上記の構成によると、引き剥がし機構を、析出用基板に対して衝打するように1方向に進退可能に制御するのみで、析出用基板から析出板を引き剥がすことが可能である。
【0012】
請求項3に記載の析出板製造装置は、請求項1又は2において、前記析出機構は、少なくとも前記引き剥がし位置までは前記析出用基板を斜め上方に傾斜した姿勢で引き上げるように設定されており、前記引き剥がし機構は、前記析出用基板の前面を衝打するように設定されており、前記析出用基板は、前記傾斜した姿勢のときに、前面が垂直となるように形成されていることを特徴としている。
【0013】
上記の構成によると、析出用基板が溶湯から傾斜した姿勢で引き上げられる作動に伴い析出板が引き剥がされるため、析出用基板が長い距離を移動することなく析出板を得ることができる。また、析出用基板が傾斜した姿勢のときに、前面が垂直となるようにされているので、水平方向からの部材の進入又は衝打が容易で確実なものとなる。
【0014】
請求項4に記載の析出板製造装置は、溶解対象物を析出用基板の基板面に凝固成長させることにより析出板を製造する析出板製造装置であって、前記溶解対象物を溶湯とするように加熱しながら収容する溶解炉装置と、前記析出用基板を前記溶解対象物の溶湯に浸漬させた後、該析出用基板を引き上げながら前記溶解炉装置の外側方向に移動させる析出機構と、前記外側方向に移動される析出用基板の全体が前記溶解炉装置の上方から外れた引き剥がし位置に到達したときに、該析出用基板の基板面から析出板を引き剥がす引き剥がし機構とを有し、前記引き剥がし機構は、前記析出用基板の基板面に一端が開口された通気穴と、前記通気穴の他端に接続され、該通気穴に剥離用ガスを送給可能なガス送給装置とを有することを特徴としている。
【0015】
上記の構成によると、ガス送給装置からガスを送給することにより、析出用基板と析出板との間に間隙を形成し、析出板を確実に析出用基板から引き剥がすことができる。また、析出用基板の基板面に開口された通気穴を満遍なく設けたり、通気穴からのガスの供給を勢いのあるものとしたりすることで、溶解対象物が析出用基板に付着して残らないように調節することが可能である。
【0020】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図1乃至図11に基づいて以下に説明する。
図2において、半導体基板製造装置1は、Siを主成分とするシート状の半導体基板(析出板)2を製造する。半導体基板製造装置1は、析出板製造装置の一種であり、析出板製造装置は、密閉状態にされた処理室で半導体材料や金属材料等の溶解対象物を加熱溶融して溶湯とし、この溶解対象物をシート状の析出板となるように製造する装置を意味する。また、溶解対象物としては、Si等の半導体材料の他、鉄やチタン等の金属材料を挙げることができる。
【0021】
上記の半導体基板製造装置1は、外部環境から内部を密閉状態に隔離可能な二重壁構造の真空容器3を備えている。真空容器3は、上側収容室6を形成する円筒形状の上側タンク部4と、上側タンク部4の下部に設けられ、上側収容室6に連通した下側収容室7を形成する下側タンク部5とを有している。上側タンク部4の上面中央部には、第1〜第4覗き窓部8a〜8dが幅方向に形成されており、これらの覗き窓部8a〜8dは、上側収容室6および下側収容室7を上側タンク部4の幅方向全体に渡って目視可能にしている。また、図3に示すように、上側タンク部4の一端部には、第5覗き窓部8eが形成されている。第5覗き窓部8eは、上側収容室6および下側収容室7を上側タンク部4の長手方向全体に渡って目視可能にしている。
【0022】
また、下側タンク部5の一方の側面壁には、図2に示すように、搬入出部5aが開口されている。搬入出部5aは、上側タンク部4の長手方向(紙面に対して垂直方向)に進退移動する開閉扉9により開閉可能にされている。そして、このように構成された真空容器3には、Arガス等の不活性ガスを供給する図示しないガス供給装置および両収容室6・7の空気を排気する図示しない真空排気装置が接続されている。これらの装置は、真空容器3の両収容室6・7を所定の圧力に減圧しながら不活性ガスを供給することによって、外部環境とは異なる処理環境を両収容室6・7に出現させるようになっている。
【0023】
上記の両収容室6・7の略中央部には、析出用基板14を溶湯15に浸漬させて引き上げる析出機構10が設けられている。析出機構10は、水平移動機構13と、水平移動機構13により水平移動可能にされた垂直移動機構11と、垂直移動機構11により昇降可能にされた旋回機構12とを有している。水平移動機構13は、水平方向に配置され、上側収容室6の両端部にかけて可動範囲が設定された水平搬送部16と、水平搬送部16の一端部に設けられた水平駆動部17とを有している。
【0024】
水平搬送部16は、図3に示すように、周面全体にネジ溝が形成されたネジ軸部材18と、ネジ軸部材18に螺合されたブロック部材19と、ブロック部材19の下面を進退移動自在に支持するレール部材20と、ブロック部材19の上面に設けられ、垂直移動機構11に連結された連結部材21とを有している。また、水平搬送部16は、これらの部材18、19の上面を覆い隠すように設けられたカバー部材22を備えている。カバー部材22は、溶湯15等から飛散して浮遊する塵埃が各部材18、19に積層することを防止している。
【0025】
上記の水平搬送部16の一端部には、図2に示すように、水平駆動部17が連結されている。水平駆動部17は、任意の回転速度で正逆回転可能であると共に所定の保持力で停止可能なサーボモータ等の水平駆動装置23と、水平駆動装置23を冷却する第1冷却装置24とを有している。水平駆動装置23は、ネジ軸部材18の一端部に連結されており、ネジ軸部材18を正逆回転させることによって、ブロック部材19等を介して垂直移動機構11を水平方向の任意の位置に移動可能にしている。
【0026】
一方、図2に示すように、垂直移動機構11は、垂直方向に配置された垂直搬送部30と、垂直搬送部30の上端部に設けられた垂直駆動部31とを有している。垂直搬送部30は、図3に示すように、上述の水平移動機構13とほぼ同一の構成部材からなっており、周面全体にネジ溝が形成されたネジ軸部材32と、ネジ軸部材32に螺合され、上面(図中右面)に旋回機構12が連結されたブロック部材33と、ブロック部材33の下面(図中右面)を昇降自在に支持するレール部材34とを有している。
【0027】
上記の垂直搬送部30の上端部には、垂直駆動部31が連結されている。垂直駆動部31は、任意の回転速度で正逆回転可能であると共に所定の保持力で停止可能なサーボモータ等の垂直駆動装置35と、垂直駆動装置35を冷却する第2冷却装置36とを有している。垂直駆動装置35は、ネジ軸部材32の上端部に連結されており、ネジ軸部材32を正逆回転させることによって、ブロック部材33等を介して旋回機構12を垂直方向の任意の高さ位置に移動可能にしている。
【0028】
上記の垂直移動機構11で昇降される旋回機構12は、ブロック部材33に一端面を連結された連結支持体38と、連結支持体38の他端面に連結された回動駆動部39とを有している。回動駆動部39は、任意の回転速度で正逆回転可能であると共に所定の保持力で停止可能なサーボモータ等の回動駆動装置40と、回動駆動装置40を冷却する第3冷却装置41とを有している。
【0029】
第3冷却装置41内の回動駆動装置40は、回動軸40aの先端部が連結支持体38内に配置されている。回動軸40aの先端部には、上下方向に配置された第1縦設部材42aの上端部が固設されている。第1縦設部材42aは、横設部材42bを介して第2縦設部材42cの上端部に連結されている。また、第1および第2縦設部材42a・42bの下端部は、析出用基板14における旋回方向の両端部に連結されている。そして、第1および第2縦設部材42a・42cと横設部材42bとは、旋回支持機構42を構成しており、旋回支持機構42は、回動軸40aを中心として析出用基板14を旋回させるようになっている。
【0030】
上記の第1および第2縦設部材42a・42cは、回動軸40a側から中部までの範囲が機械的強度に優れたステンレス鋼等の金属材料で形成されている一方、中部から析出用基板14に連結された下端部までの範囲が耐熱性に優れたカーボンにより形成されている。これにより、旋回支持機構42は、析出用基板14を旋回させて高温の溶湯15に浸漬させる際に、溶湯15から大量の輻射熱を下側部分に受けることになっても、長期間に亘って初期の機械的強度を維持することが可能になっている。
【0031】
上記のように各機構11〜13で構成された析出機構10は、水平移動機構13により垂直移動機構11及び旋回機構12を水平方向に進退移動させることによって、これら機構11・12と共に析出用基板14を予熱位置Aと析出位置Bと引き剥がし位置Cと研磨位置Dとに位置決め可能にしている。析出位置Bにおいては、各機構11〜13を連動させながら作動させることによって、回動軸40aよりも溶湯15側に近い旋回中心Oを半径とした析出軌跡で析出用基板14を進行させるようになっている。尚、析出軌跡は、析出用基板14を旋回方向(進行方向)の上流側から斜め方向に下降させて溶湯15に浸漬させた後、進行方向の下流側に斜め方向に上昇させて溶湯15から引き上げることによって、浸漬された部分に溶湯15の凝固成長した析出物である半導体基板2を生成させるように設定されている。
【0032】
上述した引き剥がし位置Cの下方には、引き剥がし機構85が配置されている。図1において、引き剥がし機構85は、把持装置43を介して析出機構10に搬送される析出用基板14から半導体基板2を引き剥がす剥離部材87と、引き剥がされた半導体基板2を受け止めて装置外に搬出する基板載置台(析出板搬出装置)88とを備える。
【0033】
剥離部材87は、下側タンク部5に固定されており、先端が鋭利なもので形成されている。その鋭利な部分が析出用基板14と製造された半導体基板2との間に進入し、析出用基板14から半導体基板2を引き剥がすことが可能となっている。基板載置台88は、引き剥がし位置C下方に配置されたコンベア88aと、ローラーを軸支するコンベア台88bとを備える。コンベア88aは、コンベア台88bのローラーを両端として掛けられている。コンベア台88bは図示しない駆動装置に接続されており、この駆動装置が駆動されることで、コンベア台88bがコンベア88aを回転駆動し、上部に載置される半導体基板2を搬送することができる。
【0034】
また、上記の析出用基板14は、図4および図5に示すように、カーボンにより形成されている。析出用基板14は、半導体基板2が析出される下面からなる基板面14aと、進行方向の上流側および下流側の各側面に形成された傾斜部14bと、析出用基板14の上面(反析出面)に形成された把持部14cとを有している。傾斜部14bは、基板面14aの両端部が上面の両端部の内側に位置するように基板面14aから上面側にかけて傾斜されている。
【0035】
具体的には、図5において、傾斜部14bは、溶湯15に対する浸漬角度θ1よりも基板面14aに対する傾斜角度θ2が大きな角度となるように設定されており、半導体基板2の端部を上面の両端部よりも進行方向の内側に位置させるようになっている。尚、傾斜角度θ2は、図1において、傾斜した姿勢の析出用基板14の前面が引き剥がされる時に垂直となるように設定されている。
【0036】
また、析出用基板14の上面に形成された把持部14cは、断面が逆台形形状に形成されており、カーボン基板把持装置43の一部を構成している。カーボン基板把持装置43は、把持部14cを着脱自在に保持するチャック機構44を備えている。チャック機構44は、チャック部材45・45を左右対称に備えている。各チャック部材45・45は、把持部14cに係合するように下面に形成された係合部45aと、ゴミ等の落下物を受け止めるように上面の四辺に沿って形成された環状溝部45bと、環状溝部45bに周囲を囲まれた懸吊部45cとを有している。
【0037】
上記の懸吊部45cの上面には、2つの突設部45d・45dが対向配置されている。両突設部45d・45dの中央部には、ピン挿通穴45e・45eが形成されている。これらの突設部45d・45d間には、図6に示すように、上述の旋回支持機構42の各縦設部材42a・42bが嵌合されるようになっている。そして、ピン挿通穴45e・45eには、カーボン製のピン部材46が抜脱可能に挿通されるようになっており、ピン部材46は、各縦設部材42a・42bをチャック機構44に対して連結させるようになっている。
【0038】
上記のピン部材46は、溶湯15からの輻射熱の直射を回避するように、チャック部材45の析出側の投影面積よりも短くなるように形成されている。また、ピン部材46の表面には、図7に示すように、硬化層100が形成されており、ピン部材46は、硬化層100により表面の機械的強度が高められることによって、チャック部材45のピン挿通穴45eに対して着脱する際の磨耗が低減されている。一方、チャック部材45においては、ピン部材46に接触するピン挿通穴45eと、析出用基板14に接触する係合部45aおよび下面とに硬化層100が形成されている。そして、チャック部材45は、硬化層100で接触面の機械的強度が高められることによって、ピン部材46の着脱時および析出用基板14の把持時における磨耗が低減されている。
【0039】
尚、硬化層100の形成方法としては、プラズマCVDやイオンプレーティング等の表面処理方法でSiC膜をコーティングする硬化処理を挙げることができる。また、硬化層100は、チャック部材45の全表面に形成されていても良く、この場合には、チャック部材45の全体の機械的強度を高めることができるため、チャック部材45をオペレータが運搬する際に衝撃を与えても破損し難いものとすることができる。
【0040】
また、上記の第1冷却装置24は、図8に示すように、水平駆動装置23を下側収容室7の処理環境から隔離するように収納した収納容器25と、真空容器3の外部から収納容器25内の一端側に冷却ガスを供給するガス供給配管26と、収納容器25内の他端側から真空容器3の外部に冷却ガスを排出するガス排出配管27とを有している。ガス供給配管26には、ガス供給機28が接続されており、ガス供給機28は、冷却ガスを強制的に収納容器25内に送給することにより水平駆動装置23の周囲温度を所定温度以下に維持している。尚、冷却ガスは、Arガスや窒素ガス等の不活性ガスであっても良いし、空気であっても良い。また、ガス供給機28の代わりに、高圧の冷却ガスを収容したガスボンベを使用しても良い。また、上記の第2冷却装置36及び第3冷却装置41は、図8の収納容器25等を有した上述の第1冷却装置24と同一の部材により同一の冷却機能を発揮するように構成されている。
【0041】
上記のカーボン基板把持装置43で保持される析出用基板14が浸漬される溶湯15は、図9に示すように、ルツボ装置(溶解炉装置)51に収容されている。ルツボ装置51は、溶湯15を収容する収容部52aを備えたルツボ52と、ルツボ52の側面壁52bの周囲に配置された誘導加熱コイル53と、これらのルツボ52および誘導加熱コイル53を支持するルツボ支持台54とを有している。誘導加熱コイル53には、図2の耐熱構造の電力ケーブル55が着脱可能に接続されており、図示しない高周波電源から高周波数の交流電力が供給されるようになっている。これにより、誘導加熱コイル53は、ルツボ52の周囲に交番磁場を生成させ、ルツボ52の主に表面側を誘導加熱することが可能になっている。
【0042】
一方、ルツボ52は、析出用基板14の進行方向が長尺となるように平面視長方形状に形成されており、溶湯15の収容量を最小限に抑制しながら、側面壁52bが析出用基板14の旋回の障害にならないようにしている。尚、ルツボ52は、析出用基板14の進行方向が長尺になる形状であれば良く、例えば平面視楕円形状であっても良い。また、ルツボ52は、図10に示すように、収容部52aの側面側と底面側との2方向から大きな熱量が伝達されるように、底面壁52cの厚みが平均ルツボ半径と略同等であり且つ側面壁52bの厚みと同等以上に設定されている。
【0043】
ここで、平均ルツボ半径とは、ルツボ52の全方向の半径を平均化したものである。また、ルツボ52の側面壁52bは、電磁誘導の浸透深さ未満の厚みに設定されていることが望ましく、この場合には、溶湯15を対流させることができるため、ゴミ等の落下物が核となって溶湯15の表面中央が凝固する現象を防止することが可能になる。
【0044】
また、ルツボ52の収容部52a内には、図10にも示すように、溶湯15の湯面高さの監視に使用されるカーボン製の湯面高さ検出部61が形成されている。湯面高さ検出部61は、収容部52aの底面から上面にかけて複数の段部61aを階段状に有している。湯面高さ検出部61は、析出用基板14の障害物とならないように、収容部52aのコーナー部に配置されている。尚、湯面高さ検出部61は、ルツボ52と一体的に形成されていても良いし、ルツボ52とは別に形成されていても良い。
【0045】
さらに、ルツボ52の収容部52a内には、ルツボ52の長手方向(半導体基板2の進行方向)に沿って仕切り壁62が設けられている。仕切り壁62は、析出用基板14の障害物とならないように配置されている。また、仕切り壁62は、上端部がルツボ52の上面に位置し、下端部が収容部52aの底面上方に位置するように形成されている。これにより、仕切り壁62は、析出用基板14が浸漬する第1溶解槽63と、第1溶解槽63に連通する第2溶解槽64とに収容部52aを区分しており、第2溶解槽64と第1溶解槽63との間における湯面の乱れの伝播を防止している。
【0046】
上記のように構成されたルツボ52は、ルツボ支持台54により支持されている。ルツボ支持台54は、図2に示すように、ルツボ52および誘導加熱コイル53をそれぞれ独立して支持する断熱支持体54aと、断熱支持体54aの下面に接合され、冷却配管を埋設された冷却盤54bと、冷却盤54bを支持する搬送台54cとを有している。ルツボ支持台54は、ルツボ搬入出機構57に載置されている。ルツボ搬入出機構57は、真空容器3の搬入出部5aを挟んで真空容器3の内外に敷設されており、複数の搬送ローラー56を回転可能に備えている。そして、ルツボ搬入出機構57は、搬送ローラー56を正逆回転させることによって、ルツボ支持台54やルツボ52等からなるルツボ装置51の真空容器3に対する搬入出を可能にしている。
【0047】
上記のルツボ装置51の上方には、図3に示すように、溶解対象物101を第2溶解槽64に供給する供給機構71が設けられている。供給機構71は、先端部に投入部が形成され、粉状や塊状の溶解対象物101を収容した収容箱72と、収容箱72を水平方向に進退移動させる収容箱移動機構73と、収容箱72内の溶解対象物101を先端部から押し出す押出機構74とを備えている。
【0048】
また、ルツボ装置51の上方における真空容器3の第1覗き窓部8aには、図2に示すように、湯面高さ検出部61を溶湯15と共に撮像して撮像信号を出力する撮像装置75が設けられている。撮像装置75は、CCDカメラ等のカメラ本体76と、カメラ本体76の前方に配置されたスリット板77とを有している。スリット板77には、カメラ本体76の撮像領域を湯面高さ検出部61の周辺に制限するスリットが形成されている。
【0049】
上記の撮像装置75および供給機構71は、図示しない制御装置に接続されている。制御装置は、演算部や記憶部、入出力部等を備えており、半導体基板製造装置1の各機構を個別および連動させながら制御する各種の機能を備えている。具体的には、湯面高さ検出部61の各段部61aにおける撮像信号の明暗に基づいて溶湯15の湯面高さを検出する機能や、検出された湯面高さが所定の基準高さとなるように、供給機構71における溶解対象物101の供給タイミング及び/又は供給量を制御する機能等を有している。
【0050】
また、ルツボ装置51と析出機構10との間には、溶湯15から析出機構10に向かう輻射熱を遮る第1熱遮蔽体78が設けられている。第1熱遮蔽体78は、銅製の熱遮蔽板78aと、熱遮蔽板78aの上面に接合され、熱遮蔽板78aを冷却する冷却配管78bとを備えている。熱遮蔽板78aには、旋回支持機構42を挿通させる開口部と、撮像装置75による湯面高さ検出部61の撮像を可能にする窓部とが形成されている。これにより、第1熱遮蔽体78は、析出機構10に対する輻射熱の直射を極力低減することによって、析出機構10の過熱を防止するようになっている。さらに、ルツボ装置51と第1熱遮蔽体78との間には、旋回支持機構42への輻射熱の直射を防止するように、第2熱遮蔽体79が設けられている。
【0051】
また、ルツボ装置51から見て析出用基板14の進行方向の上流側には、予熱機構81が設けられている。予熱機構81は、予熱位置Aの下方に配置された予熱ヒーター82と、予熱ヒーター82に着脱可能に接続された電力ケーブル83と、真空容器3の外部に配置され、電力ケーブル83を介して予熱用電力を供給する図示しない予熱電源装置とを有している。そして、予熱機構81は、予熱ヒーター82に対して析出用基板14が対向されたときに、この析出用基板14を所定温度に昇温させることによって、溶湯15と析出用基板14との温度差を一定にするようになっている。
【0052】
一方、ルツボ装置51から見て析出用基板14の進行方向の下流側には、上述した引き剥がし機構85と研磨機構86とがこの順に配置されている。研磨機構86は、研磨位置Dの斜め下方向に配置されている。研磨機構86は、析出用基板14を進入させるように上縁部の一部が開口された収納ボックス89と、収納ボックス89内に設けられた研磨機本体90とを備えている。
【0053】
研磨機本体90は、図11に示すように、析出用基板14の基板面14aが面状に当接される研磨ベルト91と、研磨ベルト91を張設した駆動ローラー92および従動ローラー93と、駆動ローラー92の一端部に接続され、研磨ベルト91を回転駆動させるローラー駆動モータ94と、ローラー駆動モータ94を冷却する第4冷却装置95と、これら部材を支持する研磨支持台96とを備えている。尚、第4冷却装置95は、図8の収納容器25等を有した上述の第1冷却装置24と同一の部材により同一の冷却機能を発揮するように構成されている。そして、このように構成された研磨機本体90は、析出用基板14の基板面14aに研磨ベルト91を面状に当接させながら回転させることによって、基板面14aに付着した付着物を除去するようになっている。
【0054】
上記の構成において、半導体基板製造装置1の動作を通じて引き剥がし機構85の動作を説明する。
【0055】
(準備・保全工程)
準備・保全工程は、半導体基板2の生産開始前および生産開始後において、半導体基板製造装置1を生産に適した状態にする場合に実施される。即ち、図2に示すように、ルツボ装置51の検査やルツボ52の交換、真空容器3内の各機構の検査等を行う場合には、先ず、開閉扉9が移動されて真空容器3の搬入出部5aが開口される。そして、電力ケーブル55がルツボ装置51から切り離された後、ルツボ搬入出機構57の各搬送ローラー56が回転されることによって、ルツボ装置51が搬入出部5aを介して機外に搬出される。この後、図示しない検査作業場において、ルツボ装置51の検査等が実施され、不具合があれば、該当箇所の修理や交換が行われる。
【0056】
また、ルツボ装置51の検査中に、図3に示すように、供給機構71の収容箱72に収容された溶解対象物101の残存量が確認され、適正な量となるように補充される。さらに、オペレータが真空容器3内の状態を目視等により検査し、必要に応じて部品の修理および交換が行われる。
【0057】
例えばカーボン基板把持装置43に取り付けられた析出用基板14に不具合がある場合には、図6及び図7に示すように、ピン部材46がピン挿通穴45eから抜脱されることによって、旋回支持機構42の第1および第2縦設部材42a・42cが突設部45d・45dから切り離される。これにより、縦設部材42a・42cにより析出用基板14の上面に左右方向に固定されていたチャック部材45・45が自由な状態となる。そして、チャック部材45・45が左右方向に引き離すように移動されることによって、析出用基板14がカーボン基板把持装置43から取り外される。
【0058】
次に、新たな析出用基板14が準備され、この析出用基板14の把持部14cを挟み込むようにチャック部材45・45がセットされる。この後、旋回支持機構42の第1および第2縦設部材42a・42cが突設部45d・45d間に挿入され、ピン部材46がピン挿通穴45eに挿通される。これにより、チャック部材45・45が左右方向に固定され、係合部45a・45aが把持部14cを把持することによって、析出用基板14がカーボン基板把持装置43に取り付けられる。
【0059】
ここで、カーボン基板把持装置43に対して析出用基板14が着脱される場合には、チャック部材45のピン挿通穴45eとピン部材46との擦れ合いや、チャック部材45の係合部45aと析出用基板14との擦れ合いが生じるため、磨耗し易い状態となる。ところが、ピン部材46やカーボン基板把持装置43の擦れ合う部分は、硬化層100により機械的強度が高められている。従って、析出用基板14の着脱が繰り返して行われた場合でも、ピン部材46およびカーボン基板把持装置43が初期の形状を維持するため、ピン部材46およびカーボン基板把持装置43を長期間に亘って使用することができる。また、析出用基板14の着脱時において、ピン部材46等の一部が破損して欠落することになった場合でも、この落下物が環状溝部45bで受け止められるため、図2の溶湯15にゴミとして落下することはない。
【0060】
次に、上記のようにして各機器の検査および交換等が完了すると、図2に示すように、開閉扉9により搬入出部5aが閉鎖され、真空容器3内の上側収容室6および下側収容室7が内部から密閉される。そして、図示しない真空排気装置が作動されて空気が排気された後、Arガス等の不活性ガスが供給されることによって、外部環境とは異なる処理環境が収容室6・7に形成される。
【0061】
この後、誘導加熱コイル53に高周波数の交流電力が供給され、高周波磁界がルツボ52の周囲に生成される。この結果、図10に示すように、ルツボ52の側面壁の表面側に強度の磁界が印加されることによって、側面壁の主に表面側が誘導加熱により加熱され、この表面側の熱量が内側方向に向かって伝導していくことになる。この際、ルツボ52は、底面壁52cの厚みが平均ルツボ半径と略同等であり且つ側面壁52bの厚みと同等以上に設定されている。これにより、収容部52aの側面側と底面側との2方向から大きな熱量が伝達され、この熱量で溶解対象物101が均等に加熱される結果、早期に全体が溶解して溶湯15となる。また、溶湯15になった後は、この溶湯15の側面および下面が大きな熱量で加熱され続けられるため、溶湯15全体が均一な温度に維持される。
【0062】
また、溶湯15が形成されると、真空容器3内の収容室6・7が高温になると共に、溶湯15から高温の輻射熱が放出される。そして、輻射熱の一部は、析出機構10方向に進行することになるが、析出機構10の手前に配設された第1熱遮蔽体78および第2熱遮蔽体79により進行が遮られるため、析出機構10に殆んど到達することがない。これにより、析出機構10は、輻射熱が直射されることによる熱劣化が防止されている。
【0063】
また、高温化した真空容器3内の収容室6・7には、析出機構10の駆動装置23・35・40および研磨機構86のローラー駆動モータ94が冷却装置24・36・41・95にそれぞれ収容されることにより冷却されている。この際、図8に示すように、冷却装置24・36・41・95に使用される冷却媒体には、冷却ガスが使用されている。従って、ガス供給配管26やガス排出配管27、収納容器25等が破損することによって、冷却ガスが収容室6・7に漏洩した場合でも、冷却水が溶湯15に接触して重大な故障を引き起こすような事態を生じることがない。
【0064】
(予熱工程)
上記のようにして所望の処理環境下で溶湯15が形成されることによって、生産の準備が完了すると、図2に示すように、析出機構10の垂直移動機構11が水平移動機構13により予熱位置Aに水平移動される。そして、旋回機構12が析出用基板14を垂下させた姿勢を維持しながら垂直移動機構11により下降されることによって、析出用基板14が予熱ヒーター82に対向される。この後、予熱ヒーター82に予熱用電力が供給され、予熱ヒーター82より析出用基板14が所定の予熱温度となるように加熱される。
【0065】
(析出工程)
析出用基板14が所定の予熱温度になると、垂直移動機構11が析出位置Bに移動される。そして、垂直移動機構11と旋回機構12と水平移動機構13とが連動して作動されることによって、回動軸40aよりも溶湯15側に近い旋回中心Oを半径とした析出軌跡で析出用基板14が旋回される。この結果、図5に示すように、析出用基板14が溶湯15に浸漬され、析出用基板14の基板面14aに溶湯15が析出して半導体基板2となり、一定時間の経過後に、半導体基板2が溶湯15から引き上げられることによって、所定厚みの半導体基板2が形成される。
【0066】
(引き剥がし工程)
所定厚みの半導体基板2が析出用基板14の基板面14aに形成されると、垂直移動機構11が引き剥がし位置Cに移動される。そして、旋回機構12が析出用基板14を垂下させた姿勢から剥離部材87方向に旋回させることによって、析出用基板14と半導体基板2との間に剥離部材87の先端部を進入させる。これにより、析出用基板14を析出機構10に装着した状態を維持しながら、半導体基板2を析出用基板14から引き剥がし機構85により引き剥がして回収することができる。従って、従来のような析出機構に対して析出用基板14を着脱するための着脱機構が不要であるため、簡易な構成で析出板を取り外すことができる。このように、半導体基板2が剥離部材87により強制的に析出用基板14から引き剥がされると、基板載置台88のコンベア88a上に載置され、コンベア第88bのローラーを駆動することにより搬送される。そして、図示しない排出口から機外に搬出される。
【0067】
(湯面制御工程)
上述の析出工程が繰り返されることによって、多数の半導体基板2が生産されると、半導体基板2の生産数に応じた消費量で溶湯15が減少する。そして、溶湯15の減少を放置すると、湯面高さが低下する結果、析出用基板14の浸漬深さが浅くなり、最終的には、析出用基板14を溶湯15に浸漬させることができなくなる。そこで、半導体基板2の生産中においては、撮像装置75によりルツボ52内の湯面高さ検出部61が撮像され、撮像信号に基づいて湯面が一定となるように溶解対象物101が供給される。
【0068】
即ち、湯面高さ検出部61を撮像して得た各段部61aの撮像信号が図示しない制御装置に取り込まれ、この制御装置において、撮像信号中の輝度信号成分が抽出される。そして、溶湯15と湯面高さ検出部61の各段部61aとを判別するように、輝度信号成分が所定の閾値で2値化される。この後、2値化データに基づいて溶湯15から露出した段部61aが求められ、所定の段部61aが露出したときに、溶湯15の湯面高さが許容範囲以下にまで低下したと判定される。そして、この場合には、図3に示すように、供給機構71から所定量の溶解対象物101が押し出されてルツボ52に投入され、所定の湯面高さに復帰される。
【0069】
尚、上記のようにしてルツボ52に溶解対象物101が投入されると、湯面が揺動することになるが、仕切り壁62で上面が区分された第2溶解槽64に対して溶解対象物101が投下されるため、析出用基板14が浸漬される第1溶解槽63に対して揺動が伝播することはない。これにより、溶解対象物101の投入中においても、半導体基板2の生産を継続することができる。
【0070】
(研磨工程)
半導体基板2の生産が繰り返されると、析出用基板14の基板面14aに付着物が残留する場合がある。従って、この場合には、垂直移動機構11が研磨位置Dに移動され、析出用基板14が研磨機構86の上方に位置される。そして、析出用基板14が下降され、析出用基板14の基板面14aが研磨ベルト91に当接されることによって、研磨ベルト91が回転される。この結果、基板面14aの付着物が強制的に擦り落とされ、基板面14aが生産当初の状態に回復されることになる。
【0071】
以上示したように、本実施形態の半導体基板製造装置(析出板製造装置)1は、溶解対象物101を析出用基板14の基板面14aに凝固成長させることにより半導体基板(析出板)2を製造する半導体基板製造装置1であって、溶解対象物101を溶湯15とするように加熱しながら収容するルツボ装置51(溶解炉装置)と、析出用基板14を溶解対象物101の溶湯15に浸漬させた後、該析出用基板14を引き上げながらルツボ装置51の外側方向に移動させる析出機構10と、外側方向に移動される析出用基板14の全体がルツボ装置51の上方から外れた引き剥がし位置Cに到達したときに、該析出用基板14の基板面14aから半導体基板2を引き剥がす引き剥がし機構85とを有するものである。これにより、上記の構成によると、析出用基板14を析出機構10に装着した状態を維持しながら、半導体基板2を析出用基板14から引き剥がし機構85により引き剥がして回収することができる。従って、従来のような析出機構に対して析出用基板14を着脱するための着脱機構が不要であるため、簡易な構成で半導体基板2を取り外すことができる。また、半導体基板2の取り外し作業がルツボ装置51の上方から外れた引き剥がし位置Cで行われるため、引き剥がしを失敗したり、搬出中に半導体基板2を脱落させることがあっても、溶湯15内に半導体基板2が落下して重大な故障を引き起こすこともない。
【0072】
尚、本実施形態においては、析出機構は、垂直移動機構と旋回機構と水平移動機構とを備える場合について説明したが、これに限定されるものではない。即ち、析出用基板を溶解対象物の溶湯中に浸漬させた後、析出用基板を引き上げながら溶解炉装置の外側に移動させることが可能なものであればよい。
【0073】
また、本実施形態の半導体基板製造装置1は、引き剥がし機構85は、析出用基板14と半導体基板2との間に剥離部材87を進入させて引き剥がすものである。これにより、搬送される析出用基板と析出板の間に部材が進入可能な位置に予め引き剥がし機構を設置するのみで、析出機構の作動により析出用基板から析出板を引き剥がすことが可能である。また、析出用基板に対して部材が適切な勢いで進退可能なものとし、確実に引き剥がされるものとすることも可能である。
【0074】
尚、本実施形態においては、半導体基板2を剥離部材87により引き剥がす場合について説明したが、これに限定されるものではない。即ち、図12に示すように、析出用基板14を衝打したときの衝撃力で半導体基板2を引き剥がす引き剥がし機構185であってもよい。引き剥がし機構185は、析出用基板14を衝打する衝打機構187と、下側収容室7内に設置された基板載置台88とを備えている。衝打機構187は、設置台187aに設置されたシリンダ187c内に、衝打部187bが析出用基板14に向かって進退可能に設けられている。衝打部187bは、図示しない制御装置に接続されている。析出用基板14が引き剥がし位置Cにきた時に析出用基板14を衝打し、その衝撃力により半導体基板2を引き剥がし落下させる。これにより、引き剥がし機構185を、析出用基板14に対して衝打するように1方向に進退可能に制御するのみで、析出用基板14から半導体基板2を引き剥がすことが可能である。
【0075】
また、図13に示すように、析出用基板214の基板面214aに一端が開口された通気穴214dと、通気穴214dの他端に接続され、該通気穴214dに剥離用ガスを送給可能なガス送給装置とを有する引き剥がし機構285であってもよい。これにより、ガス送給装置からガスを送給することにより、析出用基板214と半導体基板2との間に間隙を形成し、半導体基板2を確実に析出用基板214から引き剥がすことができる。また、析出用基板214の基板面214aに開口された通気穴214dを満遍なく設けたり、通気穴214dからのガスの供給を勢いのあるものとしたりすることで、溶解対象物が析出用基板214に付着して残らないように調節することが可能である。
【0076】
また、図14に示すように、上面に吸引穴387dの一端が開口するように形成された吸引部材387cと、吸引部材387cの吸引穴387dの他端に接続され、該吸引穴378dからガスを排気可能なガス排気装置と、吸引部材387cを析出用基板14の基板面14aに対して当接可能に昇降させる回転部材387b(吸引部材昇降機)とを有するものであってもよい。尚、回転部材387bは、設置台387aに設置され、回転可能に支持されている。回転部材387bは図示しない制御装置に接続されており、析出用基板14が引き剥がし位置にくると回転部材387bは回転され、吸引部材387cは析出用基板14に当接される。これにより、回転部材387b(吸引部材昇降機)により吸引部材387cを析出用基板14の基板面14aに当接させて、吸引部材387cの吸引穴387dからガスを排気させることにより、半導体基板2を吸引部材387cに吸着させ析出板14から引き剥がすことができる。
【0077】
また、本実施形態の半導体基板製造装置1は、析出機構10は、少なくとも引き剥がし位置Cまでは析出用基板14を斜め上方に傾斜した姿勢で引き上げるように設定されており、析出用基板14は、傾斜した姿勢のときに、傾斜部14bが垂直となるように形成されている。これにより、析出用基板14が溶湯15から傾斜した姿勢で引き上げられる作動に伴い析出板が引き剥がされるため、析出用基板14が長い距離を移動することなく半導体基板2を得ることができる。また、析出用基板14が傾斜した姿勢のときに、傾斜面(前面)14bが垂直となるようにされているので、水平方向からの剥離部材87の進入が容易で確実なものとなる。
【0078】
尚、本実施形態においては、析出用基板14が傾斜面14bを有する場合について説明したが、これに限定されるものではない。即ち、析出用基板は必ずしも傾斜面を有するものでなくてもよい。例えば、析出用基板14が傾斜面を有さない場合、析出用基板14が溶湯から引き上げられ、水平な姿勢にされてから剥離部材を進入させるとよい。
【0079】
また、本実施形態の半導体基板製造装置1は、析出用基板14から引き剥がされた半導体基板2を受け止めて装置外に搬出する基板載置台88(析出板搬出装置)を有する。これにより、半導体基板2は引き剥がされた直後に基板載置台88により確実に受け止められ装置外に搬出されるため、落下等して破損等の不具合が発生することがない。
【0080】
尚、本実施形態においては、析出板搬出装置は、コンベア88a上に製造された半導体基板2を載置して搬出する場合について説明したが、これに限定されるものではない。即ち、引き剥がし機構によって引き剥がされた半導体基板を受け止め、搬出可能なものであればよい。例えば、容器の中に製造された半導体基板を載置し、その容器を搬送するものであってもよい。
【0081】
【発明の効果】
請求項1の発明によると、析出用基板を析出機構に装着した状態を維持しながら、析出板を析出用基板から引き剥がし機構により引き剥がして回収することができる。従って、従来のような析出機構に対して析出用基板を着脱するための着脱機構が不要であるため、簡易な構成で析出板を取り外すことができる。また、析出板の取り外し作業が溶解炉装置の上方から外れた引き剥がし位置で行われるため、引き剥がしを失敗したり、搬出中に析出板を脱落させることがあっても、溶湯内に析出板が落下して重大な故障を引き起こすこともない。
【0082】
また、搬送される析出用基板と析出板の間に部材が進入可能な位置に予め引き剥がし機構を設置するのみで、析出機構の作動により析出用基板から析出板を引き剥がすことが可能である。また、析出用基板に対して部材が適切な勢いで進退可能なものとし、確実に引き剥がされるものとすることも可能である。
【0083】
請求項2の発明によると、引き剥がし機構を、析出用基板に対して衝打するように1方向に進退可能に制御するのみで、析出用基板から析出板を引き剥がすことが可能である。
【0084】
請求項3の発明によると、析出用基板が溶湯から傾斜した姿勢で引き上げられる作動に伴い析出板が引き剥がされるため、析出用基板が長い距離を移動することなく析出板を得ることができる。また、析出用基板が傾斜した姿勢のときに、前面が垂直となるようにされているので、水平方向からの部材の進入又は衝打が容易で確実なものとなる。
【0085】
請求項4の発明によると、ガス送給装置からガスを送給することにより、析出用基板と析出板との間に間隙を形成し、析出板を確実に析出用基板から引き剥がすことができる。また、析出用基板の基板面に開口された通気穴を満遍なく設けたり、通気穴からのガスの供給を勢いのあるものとしたりすることで、溶解対象物が析出用基板に付着して残らないように調節することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】引き剥がし機構の引き剥がし状態を示す説明図である。
【図2】半導体基板製造装置を正面視した場合における概略構成図である。
【図3】半導体基板製造装置を側面視した場合における概略構成図である。
【図4】カーボン基板把持装置の斜視図である。
【図5】析出用基板が溶湯に浸漬する状態を示す説明図である。
【図6】カーボン基板把持装置の斜視図である。
【図7】カーボン基板把持装置の分解斜視図である。
【図8】第1冷却装置の概略構成を示す説明図である。
【図9】溶湯の収容状態を示す斜視図である。
【図10】ルツボの熱伝導の状態を示す説明図である。
【図11】研磨機本体の斜視図である。
【図12】他の引き剥がし機構の引き剥がし状態を示す説明図である。
【図13】他の引き剥がし機構の引き剥がし状態を示す説明図である。
【図14】他の引き剥がし機構の引き剥がし状態を示す説明図である。
【符号の説明】
2 半導体基板(析出板)
14 析出用基板
14a 基板面
43 把持装置
85 引き剥がし機構
87 剥離部材
88 基板載置台
88a コンベア
88b コンベア台
Claims (4)
- 溶解対象物を析出用基板の基板面に凝固成長させることにより析出板を製造する析出板製造装置であって、
前記溶解対象物を溶湯とするように加熱しながら収容する溶解炉装置と、
前記析出用基板を前記溶解対象物の溶湯に浸漬させた後、該析出用基板を引き上げながら前記溶解炉装置の外側方向に移動させる析出機構と、
前記外側方向に移動される析出用基板の全体が前記溶解炉装置の上方から外れた引き剥がし位置に到達したときに、該析出用基板の基板面から析出板を引き剥がす引き剥がし機構と
を有し、
前記引き剥がし機構は、剥離部材の先端部を前記析出板の外周側から前記析出用基板と前記析出板との間に進入させて引き剥がすことを特徴とする析出板製造装置。 - 溶解対象物を析出用基板の基板面に凝固成長させることにより析出板を製造する析出板製造装置であって、
前記溶解対象物を溶湯とするように加熱しながら収容する溶解炉装置と、
前記析出用基板を前記溶解対象物の溶湯に浸漬させた後、該析出用基板を引き上げながら前記溶解炉装置の外側方向に移動させる析出機構と、
前記外側方向に移動される析出用基板の全体が前記溶解炉装置の上方から外れた引き剥がし位置に到達したときに、該析出用基板の基板面から析出板を引き剥がす引き剥がし機構と
を有し、
前記引き剥がし機構は、前記析出用基板を衝打したときの衝撃力で前記析出板を引き剥がすことを特徴とする析出板製造装置。 - 前記析出機構は、少なくとも前記引き剥がし位置までは前記析出用基板を斜め上方に傾斜した姿勢で引き上げるように設定されており、
前記析出用基板は、前記傾斜した姿勢のときに、前面が垂直となるように形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の析出板製造装置。 - 溶解対象物を析出用基板の基板面に凝固成長させることにより析出板を製造する析出板製造装置であって、
前記溶解対象物を溶湯とするように加熱しながら収容する溶解炉装置と、
前記析出用基板を前記溶解対象物の溶湯に浸漬させた後、該析出用基板を引き上げながら前記溶解炉装置の外側方向に移動させる析出機構と、
前記外側方向に移動される析出用基板の全体が前記溶解炉装置の上方から外れた引き剥がし位置に到達したときに、該析出用基板の基板面から析出板を引き剥がす引き剥がし機構と
を有し、
前記引き剥がし機構は、
前記析出用基板の基板面に一端が開口された通気穴と、
前記通気穴の他端に接続され、該通気穴に剥離用ガスを送給可能なガス送給装置と
を有することを特徴とする析出板製造装置。
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