JP4232414B2 - 光増幅ガラスおよび光導波路 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は1530〜1630nmの波長の光の増幅に好適な光増幅ガラスに関する。
【0002】
【従来の技術】
通信サービスの多様化に対応できる光通信方式として、波長多重のチャンネル数を増加させて伝送容量の増大を図る波長多重光通信方式(WDM)等が提案されている。
ところで、Cバンド(波長:1530〜1560nm)またはLバンド(波長:1570〜1620nm)の光を信号光とするWDM等においてはこれら信号光を増幅する光ファイバ増幅器が必須であり、このような増幅器としてEDFAの開発が行われている。
【0003】
EDFAとは、その光ファイバのコアがEr添加ガラスである光ファイバ増幅器である。このような光ファイバとして、コアが石英ガラスであるEr添加石英系ファイバ、および、コアがフッ化物ガラスであるEr添加フッ化物ガラスファイバが例示される。
【0004】
しかし、Er添加石英系ファイバを用いたEDFAには、その光ファイバの長さが典型的には20m以上であり、30cm程度の大きさのEDFA容器の中に収容するためにはこれをボビン状に巻かなければならない問題があった。
また、Er添加フッ化物ガラスファイバを用いたEDFAは、そのガラス転移点が典型的には320℃以下であり、そのために、光増幅のための励起光の強度が大きくなると熱的な損傷がおこるおそれがあった。
【0005】
これらの問題を解決するために、特開2001−102661号公報には、波長が1.50μm以上1.59μm以下、強度が0.001mWである信号光について9dB以上の利得が得られる、長さ6cmの樹脂コートガラスファイバが開示されている。なお、長さが6cmであればボビン状に巻く必要はない。また、前記樹脂コートガラスファイバのコアは、酸化ビスマス系マトリクスガラス(モル%表示で、Bi:42.8%、B:28.5%、SiO:14.3%、Ga:7.1%、Al:7.1%、CeO:0.2%)100質量部に0.6質量部の割合でErが添加されたEr添加酸化ビスマス系ガラス(以下、従来ガラスという。)である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
従来ガラスの前記利得はファイバ長さが6cm、信号光強度が0.001mWの場合についてのものであるが、一般に利得は信号光強度が大きくなるほど低下することが知られており、通常WDM等で使用される強度が約0.1mWの信号光については従来ガラスによっては所望の利得が得られないおそれがある。
【0007】
また、従来ガラスをLバンドを含む波長帯の光の増幅に用いると所望の変換効率が得られないおそれがある。
本発明は、以上の課題を解決できる光増幅ガラスおよび光導波路の提供を目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は、マトリクスガラス100質量部に0.1〜10質量部の割合でErが添加されている光増幅ガラスであって、該マトリクスガラスがBiと、BおよびSiOの少なくともいずれか一方と、Ga、WOおよびTeOからなる群の1種以上と、Laとを含有し、Biが20〜80モル%、B+SiOが5〜75モル%、Ga+WO+TeOが0.1〜35モル%、Laが0.01〜15モル%である光増幅ガラスを提供する。
また、マトリクスガラス100質量部に0.1〜3質量部の割合でErが添加されている光増幅ガラスであって、マトリクスガラスがBi と、B およびSiO の少なくともいずれか一方と、Ga と、La とを含有し、Biが35〜50モル%、B+SiOが25〜40モル%、Ga 10〜20モル%、La4.3モル%である光増幅ガラスを提供する。
また、前記光増幅ガラスをコアとする光導波路を提供する。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明の光増幅ガラス(以下本発明のガラスという。)は通常、コア/クラッド構造の光導波路、たとえば同構造のガラスファイバまたは同構造の平面導波路のコアとして使用される。なお、このような光導波路は本発明の光導波路である。
【0010】
本発明の光導波路は1530〜1630nmの波長の光、特にCバンドの光を短い長さで増幅するのに好適である。また、Lバンドの光を高変換効率で増幅するのに好適である。
この増幅は、増幅されるべき光(信号光)とともに励起光をコアに入射することによって行われ、前記励起光としては通常、波長が970〜990nmまたは1470〜1490nmのレーザー光が使用される。通常、Cバンドの光の増幅には波長が970〜990nmの励起光が、Lバンドの光の増幅には波長が1470〜1490nmの励起光がそれぞれ使用されるがこれに限定されない。
【0011】
本発明の光導波路を8cmまたはそれ以下の長さでCバンドの光の増幅に用いる場合、波長が1530nm以上1560nm以下、強度が0.1mWの光に対する利得が、該光導波路の長さが5cmのときに8dB以上であることが好ましい。長さが5cmのときの前記利得が8dB未満では、前記課題を解決できないおそれがある、すなわち、長さが8cmまたはそれ以下のときに強度が0.1mWの信号光について充分な利得が得られないおそれがある。長さが5cmのときの前記利得はより好ましくは9dB以上である。
【0012】
本発明の光導波路を、Lバンドを含む波長帯の光の増幅に用いる場合、波長が1600nmの光に対する変換効率ηが10%以上であることが好ましい。10%未満では所望の利得が得られないおそれがある。より好ましくは15%以上である。ここでηは信号光出射強度と励起光強度の比の百分率表示である。
【0013】
ηが10%以上であり、かつ1530〜1620nmの波長帯において強度が1mWの光に対する3dBバンド幅が55nm以上であることがより好ましい。特に好ましくは60nm以上である。
また、ηが10%以上であり、かつ波長が1620nmであって強度が1mWの光に対する利得が10dB以上であることがより好ましい。特に好ましくは15dB以上である。
【0014】
ηが10%以上であり、1530〜1620nmの波長帯において強度が1mWの光に対する3dBバンド幅が55nm以上であり、かつ波長が1620nmであって強度が1mWの光に対する利得が10dB以上であることが特に好ましい。
【0015】
本発明のガラスをコアとする光ファイバ(以下本発明の光ファイバという。)におけるコア径、クラッド径はそれぞれ典型的には2〜10μm、100〜200μmである。
【0016】
本発明の光ファイバをボビン状に巻かずにEDFAに使用する場合、その長さは8cm以下であることが好ましい。より好ましくは6cm以下、特に好ましくは5cm以下である。
【0017】
本発明の光ファイバのクラッドの屈折率nとコアすなわち本発明のガラスの屈折率nとは次式を満足することが好ましい。なお、nは典型的には1.8〜2.2である。
0.0005≦(n−n)/n≦0.1
また、前記クラッドはガラスからなることが好ましく、該ガラスはモル%表示で本質的に、Bi:25〜70%、B+SiO:5〜74.89%、Al+Ga:0.1〜30%、CeO:0.01〜10%からなることがより好ましい。
【0018】
本発明の光ファイバは、たとえばコアガラスとクラッドガラスを複合化したプリフォームを周知の押出し成形法によって作製し、このプリフォームを延伸して作製される。
【0019】
本発明のガラスのガラス転移点Tは360℃以上であることが好ましい。Tが360℃未満では、励起光として強度の大きいレーザー光を使用したときにガラスの温度が局所的に高くなって熱的に損傷し、その結果光損失が増加して光増幅が不充分となるおそれがある。より好ましくは400℃以上、特に好ましくは420℃以上である。
【0020】
本発明のガラスはマトリクスガラスおよびErからなる。
マトリクスガラスに対するErの添加量が、マトリクスガラスを100質量部して0.1質量部未満では充分な利得が得られない。好ましくは0.2質量部以上である。10質量部超では、ガラス化が困難になる、または、濃度消光のためにかえって利得が低下する。好ましくは7質量部以下、より好ましくは4質量部以下、特に好ましくは3質量部以下である。
【0021】
本発明のガラスを、ボビン状に巻かずにEDFAに使用される光ファイバ(その長さは典型的には8cm以下)に使用する場合またはEDFAに使用されるコンパクトな平面導波路(その長さは典型的には8cm以下)に使用する場合、Erはマトリクスガラス100質量部に0.5質量部以上添加されていることが好ましい。より好ましくは0.8質量部以上、特に好ましくは1.0質量部以上である。
【0022】
これらの場合におけるErの添加割合はマトリクスガラス100質量部に対して1〜3質量部であることが好ましい。より好ましくは1.2〜3質量部、特に好ましくは1.5〜3質量部である。
【0023】
本発明のガラスを、Lバンドを含む波長帯の光の増幅に用いる場合、Erはマトリクスガラス100質量部に0.1質量部以上1質量部未満の割合で添加されていることが好ましい。より好ましくは0.2質量部以上、特に好ましくは0.3質量部以上である。また、より好ましくは0.9質量部以下、特に好ましくは0.8質量部以下である。
【0024】
次に、本発明のガラスにおけるマトリクスガラスの組成についてモル%を単に%と表示して説明する。
Biは必須成分である。その含有量が20%未満では利得が得られる波長幅Δλが小さい。好ましくは30%以上、より好ましくは35%以上、特に好ましくは40%以上である。80%超では、ガラス化が困難になる、ファイバ加工時に失透する、またはTが低くなりすぎる。好ましくは70%以下、より好ましくは60%以下、特に好ましくは50%以下である。ここでいう失透とは結晶析出の顕著なものであり、ファイバ加工時にファイバ切れを起こしたり、光ファイバとしての使用時にファイバ破壊を起こしたりするものである。
【0025】
およびSiOはネットワークフォーマであり、ガラス作製時の結晶析出を抑制してガラス形成を容易にするために、少なくともいずれか一方を含有しなければならない。これらの含有量の合計B+SiOが5%未満では、ガラス化が困難になる、またはファイバ加工時に失透する。より好ましくは10%以上、さらに好ましくは15%以上、特に好ましくは19%以上、最も好ましくは25%以上である。75%超では利得が低下する。より好ましくは60%以下、さらに好ましくは55%以下、特に好ましくは45%以下、最も好ましくは40%以下である。
【0026】
の含有量は、好ましくは60%以下、より好ましくは45%以下、特に好ましくは30%以下である。耐水性を向上させたい場合または利得をより高めたい場合、その含有量を20%以下とすることが好ましく、Bを含有しないことがより好ましい。
【0027】
SiOの含有量は、好ましくは60%以下、より好ましくは50%以下、特に好ましくは45%以下、最も好ましくは40%以下である。SiOを含有する場合、その含有量は1%以上であることが好ましい。より好ましくは10%以上、特に好ましくは19%以上、最も好ましくは25%以上である。
【0028】
Ga、WOおよびTeOはΔλを大きくする成分であり、これら3成分の1種以上を含有しなければならない。これらの含有量の合計Ga+WO+TeOが0.1%未満ではΔλが小さくなる。好ましくは3%以上、より好ましくは5%以上、特に好ましくは10%以上である。35%超では利得が低下する。好ましくは30%以下、より好ましくは25%以下である。
なお、Δλを大きくしたい場合、Gaを含有することが好ましい。
【0029】
Gaの含有量は30%以下であることが好ましい。より好ましくは20%以下である。Gaを含有する場合、その含有量は、好ましくは1%以上、より好ましくは5%以上、特に好ましくは10%以上である。
【0030】
WOの含有量は30%以下であることが好ましい。より好ましくは20%以下、特に好ましくは10%以下である。WOを含有する場合、その含有量は、好ましくは1%以上、より好ましくは3%以上である。
【0031】
TeOの含有量は30%以下であることが好ましい。より好ましくは20%以下である。TeOを含有する場合、その含有量は、好ましくは1%以上、より好ましくは3%以上である。
【0032】
Laは濃度消光を起こりにくくする効果または利得を増大させる効果を有し、必須である。0.01%未満では前記効果が小さい。好ましくは0.1%以上である。15%超ではガラス化が困難になる、または光損失が増加しやすくなる。好ましくは12%以下、より好ましくは10%以下である。
【0033】
本発明のガラスを、ボビン状に巻かずにEDFAに使用される光ファイバに使用する前述の場合またはEDFAに使用されるコンパクトな平面導波路に使用する前述の場合、Erのマトリクスガラスへの添加割合が典型的には1質量部以上と高くなるので、Erによる濃度消光を抑制するためにLaは1%以上とすることが好ましい。より好ましくは2%以上である。
【0034】
本発明のガラスを、Lバンドを含む波長帯の光の増幅に用いる場合、Laは0.5〜4%であることが好ましい。この場合光ファイバまたは平面導波路の長さ(典型的には80cm以上)が長いので4%超では光損失のために所望の光増幅を得にくくなる。より好ましくは3%以下、特に好ましくは2.5%以下である。
【0035】
本発明におけるマトリクスガラスは、下記酸化物基準で、
Bi 20〜80%、
0〜60%、
SiO 0〜60%、
Ga 0〜30%、
WO 0〜30%、
TeO 0〜30%、
La 0.01〜15%、
Al 0〜10%、
GeO 0〜30%、
TiO 0〜30%、
SnO 0〜30%、
CeO 0〜2%、
から本質的になることが好ましい。
【0036】
上記好ましいマトリクスガラスの、先に説明したBi、B、SiO、Ga、WO、TeOおよびLa以外の成分について以下に説明する。
Alは必須ではないが、ガラス作製時の結晶析出を抑制してガラス形成を容易にするために10%まで含有してもよい。10%超では光増幅率が低下するおそれがある。より好ましくは9%以下、さらに好ましくは8%以下、特に好ましくは7%以下、最も好ましくは5%以下である。Alを含有する場合、その含有量は0.1%以上であることが好ましい。より好ましくは1%以上、特に好ましくは2%以上である。
【0037】
ガラス作製時の結晶析出を抑制してガラス形成を容易にするために、AlおよびGaの少なくともいずれか一方を含有し、これらの含有量の合計Al+Gaが30%以下であることが好ましい。30%超ではガラス化が困難になるおそれがある、またはTが低くなるおそれがある。より好ましくは25%以下である。また、Al+Gaは好ましくは3%以上、より好ましくは8%以上、特に好ましくは12%以上である。
【0038】
GeOは必須ではないが、ガラス形成を容易にする効果、または屈折率を高くする効果を有し、30%まで含有してもよい。30%超ではガラスが結晶化しやすくなる。好ましくは10%以下、より好ましくは5%以下である。GeOを含有する場合、その含有量は0.1%以上であることが好ましい。より好ましくは1%以上である。
【0039】
CeOは必須ではないが、Biがガラス融液中で金属ビスマスとなって析出しガラスの透明性を低下させるのを防止するために、2%まで含有してもよい。2%超ではガラスの黄色またはオレンジ色の着色が顕著になり透過率が低下する。好ましくは1%以下、より好ましくは0.5%以下である。CeOを含有する場合、その含有量は0.1%以上であることが好ましい。なお、透過率を高めたい場合はCeOを含有しないことが好ましい。
【0040】
TiOおよびSnOはいずれも必須ではないが、ファイバ加工時の失透を抑制するために、それぞれ30%までの範囲で含有してもよい。それぞれの含有量は10%以下であることがより好ましい。
【0041】
本発明における好ましいマトリクスガラスは本質的に上記成分からなるが、他の成分を本発明の目的を損なわない範囲で含有してもよい。該「他の成分」の含有量の合計は10%以下であることが好ましい。たとえば、ファイバ加工時の失透を抑制するため、またはガラス化を容易にするために、MgO、CaO、SrO、BaO、NaO、KO、ZrO、ZnO、CdO、In、PbO等を、濃度消光または失透を抑制するためにYbを含有してもよい。なお、Ybを含有する場合、その含有量は5%以下であることが好ましい。
【0042】
本発明のガラスの製造方法については特に制限はなく、たとえば、原料を調合して混合し、金ルツボ、アルミナルツボ、石英ルツボやイリジウムルツボ中に入れ、800〜1300℃で空気中で溶解し、得られた融液を所定のモールドにキャストする溶融法によって製造できる。また、ゾルゲル法や気相蒸着法などの溶融法以外の方法で製造してもよい。
【0043】
【実施例】
表1〜3のBiからCeOまでの欄にモル%表示で示す組成のマトリクスガラスに、マトリクスガラスを100質量部として表に質量部表示で示す割合のErを添加したガラスを、1200℃で溶解する溶融法により作製した。なお、例1(クラッド)、例2(クラッド)、例3(クラッド)、例4(クラッド)、例5(クラッド)および例6(クラッド)においてはErを添加しなかった。
【0044】
例1(コア)、例3(コア)、例4(コア)および例5(コア)は本発明のガラスの実施例である。その他のガラスは比較例である。
これらガラスについて、波長1.55μmにおける屈折率nをエリプソメータにより、ガラス転移点T(単位:℃)を示差熱分析(DTA)によりそれぞれ測定した。結果を表に示す。
【0045】
例1(コア)および例1(クラッド)からコア径が4μm、クラッド径が124μm、長さが5cmである光ファイバ1を、例2(コア)および例2(クラッド)からコア径が4μm、クラッド径が124μm、長さが5cmである光ファイバ2を、例3(コア)および例3(クラッド)からコア径が4.5μm、クラッド径が125μm、長さが98cmである光ファイバ3を、例4(コア)および例4(クラッド)からコア径が4.9μm、クラッド径が125μm、長さが254cmである光ファイバ4を、例5(コア)および例5(クラッド)からコア径が4.7μm、クラッド径が125μm、長さが253cmである光ファイバ5を、例6(コア)および例6(クラッド)からコア径が4.0μm、クラッド径が125μm、長さが118cmである光ファイバ6を、それぞれ周知の押出し成形法によって作製したプリフォームを延伸して作製した。光ファイバ1、3、4、5は本発明の光導波路の実施例、光ファイバ2、6は比較例である。
【0046】
光ファイバ1、2に、波長980nm、強度230mWのレーザー光(励起光)と表4、5に示す波長(単位:nm)の信号光(強度=0.1mW)とを入射して、また光ファイバ3〜6に、波長1480nm、強度280mWのレーザー光(励起光)と表4、5に示す波長の信号光(強度=1mW)とを入射して、利得G(単位:dB)を測定した。Gの測定結果を表4、5に示す。
【0047】
Gは、信号光の光ファイバへの入射強度Iinと光ファイバからの出射強度Ioutとから次式によって算出され、その測定誤差は±0.5dBである。
G=10×log(Iout−Iin/Iin)。
【0048】
表4、5から、強度が1mWの光に対する3dBバンド幅が光ファイバ3、4、5、6においてそれぞれ75nm、75nmまたはそれ以上、70nmまたはそれ以上、70nmまたはそれ以上であることがわかる。
【0049】
また、光ファイバ1、2に、波長が980nmであり、表6に示す強度(単位:mW)を有するレーザー光(励起光)と波長が1560nmの信号光(強度=1mW)とを入射してG(単位:dB)を測定した。表6に示す測定結果から、長さが5cmの光ファイバ1においては、励起光強度が120mW以上のときに8dB以上のGが得られることがわかる。
【0050】
また、光ファイバ3〜6に、波長が1480nmであり表7または表8に示す強度(単位:mW)を有するレーザー光(励起光)と波長が1600nmの信号光(強度=1mW)とを入射してG(単位:dB)およびIout(単位:mW)を測定した。表7にGの測定結果を、表8にIoutの測定結果をそれぞれ示す。
【0051】
表8から、光ファイバ3は励起光強度が186mW以上で、光ファイバ4は励起光強度が100mW以上で、光ファイバ5は励起光強度が79mW以上で、それぞれ前記ηが10%以上となることがわかる。一方、比較例である光ファイバ6は励起光強度が400mWでもηは8.2%、すなわち10%未満である。
【0052】
なお、表6、7、8において強度が0mWの場合は、レーザー光を入射せず信号光のみを入射した場合である。
【0053】
光ファイバ1はボビン状に巻かずにEDFAに使用される光ファイバに使用する前述の場合またはEDFAに使用されるコンパクトな平面導波路に使用する前述の場合に好適である。
光ファイバ3、4、5はLバンドを含む波長帯の光の増幅に用いる場合に好適である。
【0054】
また、Laの含有量と光損失の関係を次のようにして調べた。すなわち、例3(コア)、例3(クラッド)のLa含有量4.3モル%を2.8モル%に減少させた例7(コア)、例7(クラッド)、1.4モル%に減少させた例8(コア)、例8(クラッド)、0モル%に減少させた例9(コア)、例9(クラッド)のガラスを先に述べたと同様に作製した。なお、La含有量の減少分だけSiOの含有量を増加させた。表9に、表1〜3と同様にして例7(コア)〜例9(クラッド)のガラスの組成を示す。
【0055】
光ファイバ3と同様にして、例7(コア)および例7(クラッド)から光ファイバ7を、例8(コア)および例8(クラッド)から光ファイバ8を、例9(コア)および例9(クラッド)から光ファイバ9を作製した。同様に光ファイバ、9を作製した。
光ファイバ3、7、8、9の波長1310nmの光に対する光損失をカットバック法により測定した結果、それぞれ2.1dB/m、1.4dB/m、0.7dB/m、0.7dB/mであった。すなわち、La含有量が4モル%超では光損失が2dB/m以上であり、長さの長い光ファイバではその光損失が無視できなくなるおそれがある。なお、Erによる吸収を避けるために前記波長の光を使用して光損失を測定した。
【0056】
【表1】
Figure 0004232414
【0057】
【表2】
Figure 0004232414
【0058】
【表3】
Figure 0004232414
【0059】
【表4】
Figure 0004232414
【0060】
【表5】
Figure 0004232414
【0061】
【表6】
Figure 0004232414
【0062】
【表7】
Figure 0004232414
【0063】
【表8】
Figure 0004232414
【0064】
【表9】
Figure 0004232414
【0065】
【発明の効果】
本発明によれば、励起光として強度の大きいレーザー光を使用しても熱的な損傷が起りにくく、かつ、濃度消光の起こりにくい光増幅ガラスおよび増幅機能を有する光導波路が得られる。
また、長さが短くとも所望の増幅機能を有し、ボビン状に巻くことなくEDFAに使用できる光ファイバが得られる。
【0066】
また、Lバンドを含む波長帯の光の増幅においても高い変換効率を有する光導波路が得られる。さらに、同増幅において広い3dBバンド幅を有する光導波路得ることも可能となり、また1620nmにおける利得が10dB以上である光導波路得ることも可能となる。

Claims (10)

  1. マトリクスガラス100質量部に0.1〜3質量部の割合でErが添加されている光増幅ガラスであって、該マトリクスガラスがBiと、BおよびSiOの少なくともいずれか一方と、Ga 、Laとを含有し、Biが35〜50モル%、B+SiOが25〜40モル%、Ga 10〜20モル%、La4.3モル%である光増幅ガラス。
  2. マトリクスガラスにおけるSiO含有量が25〜40モル%である請求項1に記載の光増幅ガラス。
  3. マトリクスガラスがAlを1〜8モル%含有するものである請求項1または2に記載の光増幅ガラス。
  4. マトリクスガラスがCeOを0.1〜0.5モル%含有するものである請求項1、2または3に記載の光増幅ガラス。
  5. マトリクスガラスにおけるLa含有量が4モル%以下である請求項1、2、3または4に記載の光増幅ガラス。
  6. Erがマトリクスガラス100質量部に1質量部未満の割合で添加されている請求項1、2、3、4または5に記載の光増幅ガラス。
  7. 請求項1〜6のいずれかに記載の光増幅ガラスをコアとする光導波路。
  8. 請求項7に記載の光導波路であって、波長が1530nm以上1560nm以下であって強度が0.1mWの光に対する利得が、該光導波路の長さが5cmのときに8dB以上である光導波路。
  9. 1530〜1620nmの波長帯において強度が1mWの光に対する3dBバンド幅が55nm以上であり、かつ波長が1600nmの光に対する変換効率が10%以上である請求項7に記載の光導波路。
  10. 波長が1620nmであって強度が1mWの光に対する利得が10dB以上であり、かつ波長が1600nmの光に対する変換効率が10%以上である請求項7または9に記載の光導波路。
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