JP2005145759A - 光増幅ガラス製造方法および光導波路 - Google Patents

光増幅ガラス製造方法および光導波路 Download PDF

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Naoki Sugimoto
直樹 杉本
Katsuhiro Ochiai
克弘 落合
Yasushi Fukazawa
寧司 深澤
Moriteru Ohara
盛輝 大原
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Abstract

【課題】溶融急冷法で製造されたErまたはTmを含有するBi系光増幅ガラスの光増幅利得のロット変動を抑制する。
【解決手段】溶融雰囲気の露点を−38℃以下としてEr含有Bi系光増幅ガラスを溶融急冷法で製造する方法。前記光増幅ガラスがモル%で、Bi 20〜80%、SiO 5〜70%、B 0〜30%、In 0〜20%、Al+Ga 0〜45%、WO 0〜30%、Ta 0〜30%、TeO 0〜30%、Y+La+Gd+Yb 0〜15%、GeO 0〜30%、TiO 0〜30%、SnO 0〜30%、CeO 0〜2%、Er 0.1〜4%、からなる前記光増幅ガラス製造方法。
【選択図】なし

Description

本発明はErまたはTmを含有するBi系光増幅ガラスを溶融急冷法で製造する方法に関する。
Sバンドの光(波長:1460〜1510nm)、Cバンドの光(波長:1530〜1560nm)、Lバンドの光(波長:1570〜1620nm)等を信号光とする波長多重光通信方式(WDM)においてはこの光を増幅する増幅器(典型的には光ファイバ増幅器)が必須である。
Cバンド用光ファイバ増幅器においてはEr添加石英系光ファイバが従来用いられているがその長さは通常20m以上となり、これを増幅器容器の中に収容するためにはボビン状に巻かなければならない問題があった。
このような問題を解決するべく、Cバンドの光をたとえば8cm以下の長さで増幅できるガラスとして、モル%でBi 42.7%、SiO 31.4%、Ga 17.8%、La 4.3%、Al 3.6%、CeO 0.2%からなるマトリクスガラス100質量部に1.22質量部の割合でErが添加されているBi系ガラスが提案されている(特許文献1参照)。
また、Sバンド用光増幅ガラスとして好適なTm含有Bi系光増幅ガラスも提案されている(特許文献2参照)。
特開2003−183049号公報(表1) 特開2002−211950号公報
Er添加Bi系光増幅ガラスは先に述べたいわゆる短尺光増幅ファイバに適したものに限られず種々の特性を有するものが知られているが、Tm含有Bi系光増幅ガラスも含めて典型的には溶融急冷法で製造される。
しかし、溶融急冷法で製造された前記光増幅ガラスにはロットによって光増幅利得が変動する(低くなる)問題があった。
本発明はこのような問題を解決できる前記光増幅ガラスの製造方法および光導波路の提供を目的とする。
本発明は、ErまたはTmを含有するBi系光増幅ガラス(以下、本発明のガラスと総称することがある。)を溶融急冷法で製造する方法であって、溶融雰囲気の露点を−38℃以下とすることを特徴とする光増幅ガラス製造方法を提供する。
また、前記光増幅ガラス製造方法によって製造されたBi系光増幅ガラスをコアとする光導波路を提供する。
本発明者は前記ロットによって光増幅利得が変動する問題は光増幅ガラス中の水分量の変動(増大)に起因するものであると考え、本発明に至った。
本発明によればErまたはTmを含有するBi系光増幅ガラスの水分含有量を顕著に減少させることができ、ロット毎の光増幅利得の変動を抑制できる。
本発明における溶融急冷法とは典型的には、目標とする本発明のガラスの組成が得られるように原料を調合して混合し、これを金ルツボ、アルミナルツボ、石英ルツボ、イリジウムルツボ等に入れ、雰囲気式電気炉またはグローブボックス付電気炉を用いて800〜1300℃で溶解し、得られたガラス融液を所定のモールドにキャストするものである。このとき、溶解雰囲気は電気炉内に乾燥ガスを充満させること等によりその露点を−38℃以下として行われる。露点は、好ましくは−60℃以下、より好ましくは−80℃以下である。
前記乾燥ガスとしてはたとえば酸素および窒素の混合ガスが用いられる。この場合、酸素/窒素の体積比は0.01〜0.3であることが好ましい。0.01未満ではガラス中のBiが還元しガラスが黒色化するおそれがある。0.3超ではガラス中のBi5+の割合が増加し、茶色の着色が強くなってコアの伝搬損失が大きくなるおそれがある。
本発明のガラスは光学活性成分としてErまたはTm(ErイオンおよびTmイオンは光学活性イオン)を含有する。
本発明のガラスのうちErを含有するものは典型的には、下記酸化物基準のモル%表示で、Bi 20〜80%、SiO 5〜70%、B 0〜30%、In 0〜20%、Al+Ga 0〜45%、WO 0〜30%、Ta 0〜30%、TeO 0〜30%、Y+La+Gd+Yb 0〜15%、GeO 0〜30%、TiO 0〜30%、SnO 0〜30%、CeO 0〜2%、Er 0.1〜4%、から本質的になる。この典型的な態様においては本発明のガラスは上記成分から本質的になるがその他の成分をこのガラスの使用目的を損なわない範囲で含有してもよく、その場合それら成分の含有量は合計で10モル%以下であることが好ましい。
これを短尺光増幅ファイバのコア等に使用する場合には、Bi 20〜80%、SiO 15〜50%、B 0〜10%、Al+Ga+In 8〜30%、Y+La+Gd+Yb 0.1〜15%、CeO 0〜2%、Er 0.1〜4%、から本質的になることが好ましい。
本発明のガラスのうちTmを含有するものは典型的には、Bi 15〜80%、GeO 5〜80%、Al 0〜30%、Ga 0〜30%、WO 0〜10%、TeO 0〜20%、TiO 0〜10%、ZrO 0〜10%、LiO 0〜10%、NaO 0〜20%、KO 0〜20%、MgO 0〜20%、CaO 0〜20%、SrO 0〜20%、BaO 0〜20%、ZnO 0〜20%、SnO 0〜10%、CeO 0〜2%、Tm 0.001〜4%、から本質的になる。この典型的な態様においては本発明のガラスは上記成分から本質的になるがその他の成分をこのガラスの使用目的を損なわない範囲で含有してもよく、その場合それら成分の含有量は合計で10モル%以下であることが好ましい。
本発明のガラスのガラス転移点Tは360℃以上であることが好ましい。Tが360℃未満では、励起光として強度の大きいレーザー光を使用したときにガラスの温度が局所的に高くなって熱的に損傷し、その結果伝搬損失が増加して光増幅が不充分となるおそれがある。より好ましくは400℃以上である。
光ファイバ形状の本発明の光導波路は、たとえば本発明の光増幅ガラス製造方法によって製造された光増幅ガラスをコアとしクラッドガラスと複合化したプリフォームを周知の押出し成形法によって作製し、このプリフォームを延伸して製造される。
本発明の光導波路はコア/クラッド構造の光導波路であり、同構造のガラスファイバ(光ファイバ)に限定されず、同構造の平面導波路であってもよい。
本発明の光導波路は、たとえばSバンド、CバンドまたはLバンドの光を増幅するのに好適である。
この増幅は、増幅されるべき光(信号光)とともに励起光をコアに入射することによって行われる。Sバンド、Cバンド、Lバンドの光の増幅には励起光として通常、波長が1010〜1020nm、970〜990nm、1470〜1490nmの光がそれぞれ使用されるがこれに限定されない。
本発明の光導波路が光ファイバである場合(以下、この光ファイバを本発明の光ファイバという。)におけるコア径、クラッド径はそれぞれ典型的には2〜10μm、100〜200μmである。
コアがErを含有する本発明のガラスである本発明の光ファイバをボビン状に巻かずに光ファイバ増幅器(EDFA)に使用する場合、その長さは8cm以下であることが好ましい。より好ましくは6cm以下、特に好ましくは5cm以下である。
本発明の光ファイバにおいてクラッドの屈折率nとコアの屈折率nとは次式を満足することが好ましい。なお、nは典型的には1.8〜2.2である。
0.0005≦(n−n)/n≦0.1。
また、前記クラッドはガラスからなることが好ましい。
表1にモル%表示で示す組成のガラス1、1cを、1200℃に120分間保持して溶解する溶融法により作製した。溶解には雰囲気式電気炉(モトヤマ社製、型式SBA)を用い、酸素/窒素体積比が0.17である酸素・窒素混合ガスを電気炉内に導入し露点が−38℃および+10℃の2水準で溶解した。
ガラス1、1cの、露点が−38℃の条件で溶解したものについて、ガラス転移点T(単位:℃)を示差熱分析(DTA)により、波長1.55μmにおける屈折率nをプリズムカプラによりそれぞれ測定した。結果を表1に示す。
Figure 2005145759
前記2水準で溶解して得られた2種のガラス1についてαOH(単位:cm−1)を測定したところ、露点が−38℃および+10℃の条件で溶解したもののαOHはそれぞれ、0.45cm−1、2.13cm−1であった。なお、αOHはガラス中の水分に起因する吸収バンド(典型的には波長が2700〜3500nmの領域に存在)のピークにおける吸収係数であり、ガラス中の水分量に比例する。
次に、前記2水準で溶解したガラス1、1cをそれぞれコア、クラッドとするプリフォームを周知の押出し成形法によって作製し、得られたプリフォームを延伸して、コア径が4μm、クラッド径が124μm、長さが5cmである光ファイバを2本製造した。
この光ファイバに、波長980nm、強度300mWのレーザー光(励起光)と波長が1560nmの信号光(強度=1mW)とを入射して利得G(単位:dB)を測定した。その結果、露点が−38℃および+10℃の条件で溶解したコアを用いた光ファイバのGはそれぞれ10.2dB、1.0dBであった。
一方、溶融雰囲気の露点を管理しないで作製した2種のガラス1(αOHが0.62cm−1と1.20cm−1であるもの)を用いて製造した2本の光ファイバのGは表2に示すようなものであった。
表2の結果から、αOHが0cm−1のときのGはG=12.2dBになると推定される。ロット間変動として問題になるのはGがGから3dB以上低下する場合であるので、前記露点を−38℃以下とすることによってロット間変動の問題は解決される。
Figure 2005145759

Claims (4)

  1. ErまたはTmを含有するBi系光増幅ガラスを溶融急冷法で製造する方法であって、溶融雰囲気の露点を−38℃以下とすることを特徴とする光増幅ガラス製造方法。
  2. Bi系光増幅ガラスが下記酸化物基準のモル%表示で、Bi 20〜80%、SiO 5〜70%、B 0〜30%、In 0〜20%、Al+Ga 0〜45%、WO 0〜30%、Ta 0〜30%、TeO 0〜30%、Y+La+Gd+Yb 0〜15%、GeO 0〜30%、TiO 0〜30%、SnO 0〜30%、CeO 0〜2%、Er 0.1〜4%、から本質的になる請求項1に記載の光増幅ガラス製造方法。
  3. Bi系光増幅ガラスが下記酸化物基準のモル%表示で、Bi 15〜80%、GeO 5〜80%、Al 0〜30%、Ga 0〜30%、WO 0〜10%、TeO 0〜20%、TiO 0〜10%、ZrO 0〜10%、LiO 0〜10%、NaO 0〜20%、KO 0〜20%、MgO 0〜20%、CaO 0〜20%、SrO 0〜20%、BaO 0〜20%、ZnO 0〜20%、SnO 0〜10%、CeO 0〜2%、Tm 0.001〜4%、から本質的になる請求項1に記載の光増幅ガラス製造方法。
  4. 請求項1、2または3に記載の光増幅ガラス製造方法によって製造されたBi系光増幅ガラスをコアとする光導波路。
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