JP4212432B2 - 不揮発性半導体記憶装置とその製造方法 - Google Patents
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Description
第1の実施形態では、チャネル消去、チャネルホットエレクトロン書込みを行うNOR 型フラッシュメモリセルのアレイ内のローカルソース線として、例えばタングステン(W) を用いたLI(Local Interconnect)配線を有するセルアレイの構造とその製造方法の一例について説明する。
図20は、図9に示した構造の変形例として、ポリシリコン38の堆積前に、酸化膜37をエッチングするようなウェット処理を加えることにより、STI 領域37´の肩部を落とした(丸めた)構造を示している。ここでは、W−W´線断面を示しているが、L−L´線断面でもSTI 領域37´の肩部を落とした構造になっている。
図23は、図17(b)に示した構造の変形例として、図15中に示したTEOS系酸化膜52、BPSG膜51、バリア窒化膜50に対するドライエッチングによるエッチング時間を調整することにより、LI配線用溝部分でSTI 領域37´が掘れている部分の深さをセルのN+拡散層(ソース拡散層)49の底部よりも深くした構造を示している。
第2の実施形態では、第1の実施形態と同様に、チャネル消去、チャネルホットエレクトロン書込みを行うNOR 型フラッシュメモリセルのセルアレイ内のローカルソース線にタングステン(W) を用いたLI配線を有するメモリセルの構造とその製造方法の一例について説明する。
図29は、前述したNOR 型フラッシュメモリを用いた電子カードと、この電子カードを用いた電子装置の構成の一例を示す。
デジタルスチルカメラ70のケースには、カードスロット72とそれに接続された回路基板(図示せず)が収納されており、メモリカード71は、カードスロット72に取り外しが可能な状態で装着された状態で前記回路基板上の電子回路に電気的に接続される。なお、メモリカード71が例えば非接触型のICカードである場合には、カードスロット72に収納し、または近づけることで、回路基板上の電子回路に無線信号により電気的に接続される。
Claims (4)
- 半導体基板の表層部に形成されたウェル領域内にソース・ドレイン領域およびチャネル領域を有し、前記ウェル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたフローティングゲートおよびその上にゲート間絶縁膜を介して形成されたコントロールゲートを有するメモリセルが行列状に配列され、隣り合う2個で1組をなすメモリセルがそれぞれのドレイン領域を共有し、隣り合う2組のメモリセルがそれぞれのソース領域を共有し、メモリセルの各列間がトレンチ型の素子分離領域で分離されたNOR 型のセルアレイと、
前記セルアレイ上で各行のメモリセルに対応して設けられ、それぞれ同一行のメモリセルのコントロールゲートに共通に連なるように行方向に配設された複数のワード線と、
前記セルアレイの同一行のメモリセルの各ソース領域上および各素子分離領域上に存在するように行方向に配設され、行方向に隣り合うソース領域の列間の素子分離領域上を跨いで同一行のメモリセルの各ソース領域に共通に接続された金属配線からなる複数のローカルソース線と、
前記セルアレイ上で各列のメモリセルに対応して設けられ、それぞれ同一列のメモリセルのドレイン領域に共通にコンタクトするように列方向に配設された金属配線からなる複数のビット線と、
前記セルアレイ上で前記複数のビット線の配列内で間欠的に列方向に配設され、前記複数のローカルソース線に共通にコンタクトする金属配線からなる複数のソース線
とを具備し、
前記ローカルソース線の下方に位置する前記素子分離領域内の埋め込み材の高さは前記メモリセルのソース領域の拡散深さ位置よりも低く、前記ローカルソース線は、前記各ソース領域と各素子分離領域とがそれぞれ隣り合う部分で前記ウェル領域と電気的に導通していることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - シリコン半導体基板の表層部に形成されたウェル領域内にソース・ドレイン領域およびチャネル領域を有し、前記ウェル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたフローティングゲートおよびその上にゲート間絶縁膜を介して形成されたコントロールゲートを有するメモリセルが行列状に配列され、隣り合う2個で1組をなすメモリセルがそれぞれのドレイン領域を共有し、隣り合う2組のメモリセルがそれぞれのソース領域を共有し、メモリセルの各列間がトレンチ型の素子分離領域で分離されたNOR 型のセルアレイと、
前記セルアレイ上で各行のメモリセルに対応して設けられ、それぞれ同一行のメモリセルのコントロールゲートに共通に連なるように行方向に配設された複数のワード線と、
前記セルアレイの同一行のメモリセルの各ソース領域上および各素子分離領域上に存在するように行方向に配設され、行方向に隣り合うソース領域の列間の素子分離領域上を跨いで同一行のメモリセルの各ソース領域に共通に接続された金属配線からなる複数のローカルソース線と、
前記ローカルソース線の底部に形成されているバリアメタルと、
前記セルアレイ上で各列のメモリセルに対応して設けられ、それぞれ同一列のメモリセルのドレイン領域に共通にコンタクトするように列方向に配設された金属配線からなる複数のビット線と、
前記セルアレイ上で前記複数のビット線の配列内で間欠的に列方向に配設され、前記複数のローカルソース線に共通にコンタクトする金属配線からなる複数のソース線
とを具備し、
前記ローカルソース線は、前記メモリセルの各ソース領域と各素子分離領域とがそれぞれ隣り合う部分で、前記シリコン半導体基板が前記バリアメタルに反応したシリサイド層を介して、前記ウェル領域と電気的に導通していることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 半導体基板の表層部に形成されたウェル領域にソース・ドレイン拡散層およびチャネル領域を有し、前記ウェル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたフローティングゲートおよびその上にゲート間絶縁膜を介して形成されたコントロールゲートを有するメモリセルが行列状に配列され、隣り合う2個で1組をなすメモリセルがそれぞれのドレイン領域を共有し、隣り合う2組のメモリセルがそれぞれのソース領域を共有し、メモリセルの各列間がトレンチ型の素子分離領域で分離されたNOR 型のセルアレイと、
前記セルアレイ上で各行のメモリセルに対応して設けられ、それぞれ同一行のメモリセルのコントロールゲートに共通に連なるように行方向に配設された複数のワード線と、
前記セルアレイの行方向に配設され、同一行のメモリセルの各ソース領域上および各素子分離領域上に存在し、行方向に隣り合うソース領域の列間の素子分離領域上を跨いで同一行のメモリセルの各ソース領域に共通に接続された金属配線からなる複数のローカルソース線と、
前記セルアレイ上で各列のメモリセルに対応して設けられ、それぞれ同一列のメモリセルのドレイン領域に共通にコンタクトするように列方向に配設された金属配線からなる複数のビット線と、
前記セルアレイ上で前記複数のビット線の配列内で間欠的に列方向に配設され、前記複数のローカルソース線に共通にコンタクトする金属配線からなる複数のソース線
とを具備する不揮発性半導体記憶装置を製造する際、
シリコン基板の表層部に形成されたウェル領域上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に前記浮遊ゲートを形成するための第1の電極層を形成する工程と、
前記第1の電極層、前記ゲート絶縁膜および前記ウェル領域を選択的に除去し、前記第1の電極層に対して自己整合的に素子分離領域用の溝を形成する工程と、
前記溝内に素子分離用絶縁膜を埋め込み、前記ローカルソース線の下方の素子分離領域用の溝内の埋め込み材の全体、または、前記埋め込み材が前記半導体基板に接する部分の高さが前記ローカルソース線の下方の前記ソース領域より低くなるようにエッチングする工程と、
全面にゲート間絶縁膜を形成する工程と、
全面に第2の電極層を形成する工程と、
前記第2の電極層上にゲート加工用パターンを形成し、それをマスクとして第2の電極層、前記ゲート間絶縁膜および前記第1の電極層をパターニングすることにより、前記制御ゲート線およびメモリセル毎に分離された浮遊ゲートを得る工程と、
前記メモリセルのドレイン・ソース領域を形成する工程と、
全面に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜に対して前記セルアレイにおける同一列のメモリセルの前記ドレイン領域上にビット線用コンタクトホールを形成するとともに、前記セルアレイにおける同一行のメモリセルのソース領域上およびソース領域間の素子分離領域上で連続するようにローカルソース線埋め込み用溝を形成する工程と、
全面にメタルを堆積し、前記ビット線用コンタクトホールの内部および前記ローカルソース線埋め込み用溝の内部にメタルを埋め込み、ビット線用コンタクトプラグを形成するとともに前記メモリセルの各ソース領域と各素子分離領域とがそれぞれ隣り合う部分で前記ウェル領域と電気的に導通する前記ローカルソース線を形成する工程
とを具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 半導体基板の表層部に形成されたウェル領域にソース・ドレイン拡散層およびチャネル領域を有し、前記ウェル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたフローティングゲートおよびその上にゲート間絶縁膜を介して形成されたコントロールゲートを有するメモリセルが行列状に配列され、隣り合う2個で1組をなすメモリセルがそれぞれのドレイン領域を共有し、隣り合う2組のメモリセルがそれぞれのソース領域を共有し、メモリセルの各列間がトレンチ型の素子分離領域で分離されたNOR 型のセルアレイと、
前記セルアレイ上で各行のメモリセルに対応して設けられ、それぞれ同一行のメモリセルのコントロールゲートに共通に連なるように行方向に配設された複数のワード線と、
前記セルアレイの行方向に配設され、同一行のメモリセルの各ソース領域上および各素子分離領域上に存在し、行方向に隣り合うソース領域の列間の素子分離領域上を跨いで同一行のメモリセルの各ソース領域に共通に接続された金属配線からなる複数のローカルソース線と、
前記セルアレイ上で各列のメモリセルに対応して設けられ、それぞれ同一列のメモリセルのドレイン領域に共通にコンタクトするように列方向に配設された金属配線からなる複数のビット線と、
前記セルアレイ上で前記複数のビット線の配列内で間欠的に列方向に配設され、前記複数のローカルソース線に共通にコンタクトする金属配線からなる複数のソース線
とを具備する不揮発性半導体記憶装置を製造する際、
シリコン基板の表層部に形成されたウェル領域上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に前記浮遊ゲートを形成するための第1の電極層を形成する工程と、
前記第1の電極層、前記ゲート絶縁膜および前記ウェル領域を選択的に除去し、前記第1の電極層に対して自己整合的に素子分離領域用の溝を形成する工程と、
前記溝内に素子分離用絶縁膜を埋め込み、前記素子分離用絶縁膜を研磨して平坦化を行なう工程と、
全面に再び第1の電極層を形成する工程と、
前記素子分離用絶縁膜の上方で前記浮遊ゲートを分離するために前記第1の電極層にセルスリットを形成する工程と、
前記セルスリットの底面下の前記素子分離領域をエッチングしてディープスリットを形成する工程と、
全面にゲート間絶縁膜を形成する工程と、
全面に第2の電極層を形成する工程と、
前記第2の電極層上にゲート加工用パターンを形成し、それをマスクとして第2の電極層、前記第2の絶縁膜および前記第1の電極層をパターニングすることにより、前記制御ゲート線およびメモリセル毎に分離された浮遊ゲートを得る工程と、
前記メモリセルのドレイン・ソース領域を形成する工程と、
全面に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜に対して前記セルアレイにおける同一列のメモリセルの前記ドレイン領域上にビット線用コンタクトホールを形成するとともに、前記セルアレイにおける同一行のメモリセルのソース領域上およびソース領域間の素子分離領域上で連続するようにローカルソース線埋め込み用溝を形成する工程と、
前記ディープスリットの底面下の前記素子分離領域をウェル領域に到達するまでエッチングする工程と、
全面にメタルを堆積し、前記ビット線用コンタクトホールの内部および前記ローカルソース線埋め込み用溝の内部にメタルを埋め込み、ビット線用コンタクトプラグを形成するとともに前記ディープスリットの各形成位置で前記ウェル領域と電気的に導通している前記ローカルソース線を形成する工程
とを具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
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