JP4114294B2 - Semiconductor device and inspection method thereof - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、ハイブリッドECUなど、ベアチップ実装製品に搭載する半導体装置およびその検査に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体実装製品の小型化が急速に進んで、半導体チップをベア(裸)状態で実装する要望がある。図3は、ベアチップ等の半導体チップの従来の検査に関する模式図である。
【0003】
図3に示すように、基板J1上に半導体チップJ2が搭載されており、ある半導体チップJ2の端子J3とその他の半導体チップJ2の端子J3とが、基板J1上に形成された配線J4とワイヤボンドにより形成されたワイヤJ5等により電気的に接続されている。また、図示例では2つの半導体チップJ2と同一ノードとなっている配線J4から検査用端子J6が設けられている。そして、検査用端子J6にプロービングすることにより半導体チップJ2の検査を行っている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、実装基板に設けた限られた検査用端子からでは、この製品の機能上の良否は判断できても、実装後の不良チップを特定してリペアしたり、さらに、そのチップのどの様な特性が故障しているのかという故障解析が難しくなるという問題が生じている。
【0005】
上記問題は、基板上に半導体チップを実装した後に、複数の半導体チップが1つのノードを共有していることに起因している。つまり、その検査用端子で半導体チップの不良を検出しても、同一ノードを共有する複数の半導体チップのうち、どの半導体チップが不良であるのかを特定できないためにこの問題が生じている。
【0006】
本発明は、上記問題点に鑑み、半導体チップを単独で検査することができる半導体装置およびその検査方法および半導体チップを提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、半導体チップ(1)は、内部回路(2)と電気的に接続した検査用端子(4b、5b)と、周辺回路と電気的に接続するためのボンディング用端子(4a、5a)とを備えたベアチップICであり前記検査用端子(4b、5b)が前記内部回路(2)と電気的に直結し、ボンディング用端子(4a、5a)が検査用端子(4b、5b)にスイッチ手段(60)を介して電気的に接続することを特徴としている。
【0008】
本発明では、スイッチ手段(60)を用いてボンディング用端子(4a、5a)と検査用端子(4b、5b)を電気的に切断することにより、半導体チップ(1)を周辺回路から電気的に切断した状態で、検査用端子(4b、5b)を用いてその半導体チップ(1)を単独に検査することができる。
【0009】
この場合、請求項2に記載の発明のように、チップ上面においてボンディング用端子(4a、5a)を検査用端子(4b、5b)よりも外周側に位置させれば、ボンディング用端子(4a、5a)を用いて周辺回路と電気的に接続した後に、容易に検査用端子(4b、5b)を用いて検査することができる。
【0010】
請求項3に記載の発明では、半導体チップ(1)は、内部回路(2)と電気的に接続した検査用端子(4b、5b)と、周辺回路と電気的に接続するためのボンディング用端子(4a、5a)とを備えたベアチップICであり前記検査用端子(4b、5b)が前記内部回路(2)と電気的に直結し、ボンディング用端子(4a、5a)が検査用端子(4b、5b)にスイッチ手段(60)を介して電気的に接続しており、スイッチ手段(60)を用いてボンディング用端子(4a、5a)と検査用端子(4b、5b)を電気的に切断した後、検査用端子(4b、5b)を用いて半導体チップ(1)の検査を行うことを特徴としている。
【0011】
本発明によれば、ボンディング用端子(4a、5a)と検査用端子(4b、5b)を電気的に切断することにより、半導体チップ(1)を周辺回路から電気的に切断させることができるため、半導体チップを単独で検査することができる。
【0015】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【0016】
【発明の実施の形態】
図1は、本実施形態の半導体装置に係るベアチップICの電気回路図である。図1に示すように、モノリシックICである半導体チップとしてのベアチップIC1にはロジック回路ブロック(請求項でいう内部回路)2が形成されており、ロジック回路ブロック2からはVss(接地)端子3とVdd(電源)端子4a、4bが出ている。また、ロジック回路ブロック2の入出力端子と電気的に接続された端子5a、5bが設けられている。
【0017】
そして、入出力端子と接続された端子5a、5bとVdd端子4a、4bは、それぞれ2つの端子が1組になっており、一方が周辺回路(電子部品および電源線、接地線を含む)との導通をとるためのボンディング用端子4a、5aであり、他方がベアチップIC1の検査を行うための検査用端子4b、5bである。
【0018】
そして、各々の検査用端子4b、5bがロジック回路ブロック2と電気的に直結しており、各々のボンディング用端子4a、5aがスイッチ手段としてのスイッチ回路ブロック60を介して、各々組となっている検査用端子4b、5bと電気的に接続されている。
【0019】
なお、図1では、Vdd端子4a、4b以外には、1組のボンディング用端子5aと検査用端子5bのみ示してあるが、実際は、この1組の端子5a、5bと同様にして、ロジック回路ブロック2の入出力端子と接続したボンディング用端子と検査用端子の組が複数形成されている。
【0020】
ここで、スイッチ回路ブロック60はPchMOSトランジスタ61とNchMOSトランジスタ62から構成されるトランスミッションゲートからなる。そして、PchMOSトランジスタ61のゲートとCS(チップセレクト)端子7が接続されており、NchMOSトランジスタ62のゲートはインバータ63を介してCS端子7と接続されている。
【0021】
また、CS端子7のオープン時にはCS信号がローレベルとなるようにプルダウン抵抗8が内蔵されており、CS端子7からの配線と電源およびグランドとの間に回路保護用のダイオード9が設けられている。また、PchMOSトランジスタ61の基板電位とインバータ63の電源は、Vdd端子4a、4bのうちのボンディング用端子4aからとるようになっている。
【0022】
図2は、これらのボンディング用端子4a、5aと検査用端子4b、5bの配置に関し、ベアチップIC1を上から見た模式図であ。図2に示すように、本実施形態では、チップ上面にパッドが形成されており、ベアチップIC1の縁部(外周側)に配置されたパッド10がボンディング用端子4a、5aに相当し、これらの縁部のパッド10に対してベアチップIC1の内周側に配置されたパッド11が検査用端子4b、5bに相当する。
【0023】
そして、このベアチップIC1が基板上に実装され、ベアチップIC1の縁部に配置されたパッド10(ボンディング用端子)がワイヤボンド等により周辺回路と電気的に接続されている。
【0024】
以上の構成を持つベアチップIC1は、ベアチップIC1の外部からVdd端子4a、4bのうちのボンディング用端子4aとVss(接地)端子3との間にバイアスを印加した状態で、CS信号がローレベルのときは、PchMOSトランジスタ61とNchMOSトランジスタ62がともにオンするためトランスミッションゲートがオンし、このベアチップIC1が周辺回路と電気的に接続される。一方、CS信号がハイレベルのときは、上記2種類のトランジスタ61、62がともにオフするためトランスミッションゲートがオフし、それぞれ対になっているボンディング用端子4a、5aと検査用端子4b、5bが電気的に切断され、ベアチップIC1が周辺回路と切断される。
【0025】
そして、このベアチップIC1が周辺回路と切断され、ロジック回路ブロック2が電源と通電した状態で、検査用端子4b、5bに相当するパッド11にプロービングすることにより、このベアチップIC1の検査を行う。
【0026】
ところで、本実施形態によれば、検査用端子4b、5bとボンディング用端子4a、5aとを設け、さらにその間にトランスミッションゲートを設けているため、上述のようにベアチップIC1を周辺回路から電気的に切断することができ、ベアチップIC1を基板に実装した後に、ベアチップIC1を単独で検査することができる。
【0027】
また、ベアチップIC1を周辺回路から電気的に切断させて検査を行うため、ベアチップIC1単体でのリーク電流やスタンバイ電流等の検査が可能になり、テスタビリティの向上により信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
【0028】
また、ボンディング用端子4a、5aを検査用端子4b、5bよりもベアチップIC1の外周側に設けているため、ワイヤボンド等によりこのベアチップIC1を基板に実装した後に、ワイヤが検査用端子4b、5b上に渡ることがないため、容易に検査用端子4b、5bへプロービングすることができる。
【0029】
また、不良チップの特定が容易になるため、部品のリペアがより適切にできるようになる。また、チップのどの様な特性が故障しているのかという故障解析も容易になる。また、高集積化が可能なベアチップIC1側に検査用端子4b、5bを設けることにより、実装基板側の検査用端子の面積を大幅に削減することができる。その結果、基板を小型化することができ、特に、基板が高価であるセラミック多層基板においてはコストを下げることができる。
【0030】
なお、本実施形態では、CS信号がハイレベルのときにトランスミッションゲートがオフして、ベアチップIC1が電気的に切断される例について示したが、ローレベルのときにベアチップIC1が切断されるようにしてもよい。
【0031】
また、ベアチップIC1の端子の数が少ないときには、本実施形態のようにベアチップIC1の縁部において二重にパッド10、11を設けるのではなく、ベアチップIC1の縁部において、対をなすボンディング用端子4a、5aと検査用端子4b、5bのそれぞれに応じたパッドを交互に並べるようにしてもよい。
【0032】
なお、本実施形態において、断面図でないものについてもハッチングを施してあるが、あくまでも便宜上のものであり断面を示すものではない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施形態の半導体装置に係るベアチップICの電気回路図である。
【図2】本実施形態の半導体装置に係るベアチップICの模式的な上面図である。
【図3】従来の半導体実装製品の検査に関する模式図である。
【符号の説明】
1…半導体チップ、4a、5a…ボンディング用端子、
4b、5b…検査用端子、60…スイッチ手段。
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor device mounted on a bare chip mounting product such as a hybrid ECU and an inspection thereof.
[0002]
[Prior art]
In recent years, downsizing of semiconductor mounting products has progressed rapidly, and there is a demand for mounting semiconductor chips in a bare state. FIG. 3 is a schematic diagram relating to a conventional inspection of a semiconductor chip such as a bare chip.
[0003]
As shown in FIG. 3, a semiconductor chip J2 is mounted on a substrate J1, and a terminal J3 of one semiconductor chip J2 and a terminal J3 of another semiconductor chip J2 are connected to a wiring J4 and a wire formed on the substrate J1. They are electrically connected by a wire J5 or the like formed by a bond. In the illustrated example, the inspection terminal J6 is provided from the wiring J4 which is the same node as the two semiconductor chips J2. The semiconductor chip J2 is inspected by probing the inspection terminal J6.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, even if it is possible to judge the functional quality of this product from the limited inspection terminals provided on the mounting board, it is possible to identify and repair defective chips after mounting. There is a problem that failure analysis of whether the characteristic is broken is difficult.
[0005]
The above problem is caused by the fact that a plurality of semiconductor chips share one node after the semiconductor chips are mounted on the substrate. That is, even if a defect of a semiconductor chip is detected at the inspection terminal, this problem occurs because it is not possible to identify which semiconductor chip is defective among a plurality of semiconductor chips sharing the same node.
[0006]
In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of independently inspecting a semiconductor chip, an inspection method thereof, and a semiconductor chip.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, the semiconductor chip (1) includes the test terminals (4b, 5b) electrically connected to the internal circuit (2) and the peripheral circuit. A bare chip IC having bonding terminals (4a, 5a) for connection, wherein the inspection terminals (4b, 5b) are electrically connected directly to the internal circuit (2), and bonding terminals (4a, 5a) 5a) is characterized in that it is electrically connected to the inspection terminals (4b, 5b) via the switch means (60).
[0008]
In the present invention, the semiconductor chip (1) is electrically disconnected from the peripheral circuit by electrically disconnecting the bonding terminals (4a, 5a) and the inspection terminals (4b, 5b) using the switch means (60). In the cut state, the semiconductor chip (1) can be inspected independently using the inspection terminals (4b, 5b).
[0009]
In this case, if the bonding terminals (4a, 5a) are positioned on the outer peripheral side of the inspection terminals (4b, 5b) on the upper surface of the chip as in the invention described in claim 2, the bonding terminals (4a, 5a) After being electrically connected to the peripheral circuit using 5a), the inspection can be easily performed using the inspection terminals (4b, 5b).
[0010]
In the invention according to claim 3, the semiconductor chip (1) includes the inspection terminals (4b, 5b) electrically connected to the internal circuit (2) and the bonding terminals for electrical connection to the peripheral circuits. (4a, 5a) and a bare chip IC having a said test terminals (4b, 5b) electrically connected directly said internal circuit and (2), bonding terminals (4a, 5a) is testing terminal ( 4b and 5b) are electrically connected via the switch means (60), and the bonding terminals (4a and 5a) and the inspection terminals (4b and 5b) are electrically connected using the switch means (60). After cutting, the semiconductor chip (1) is inspected using the inspection terminals (4b, 5b).
[0011]
According to the present invention, the semiconductor chip (1) can be electrically disconnected from the peripheral circuit by electrically disconnecting the bonding terminals (4a, 5a) and the inspection terminals (4b, 5b). The semiconductor chip can be inspected independently.
[0015]
In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each said means shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later.
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 is an electric circuit diagram of a bare chip IC according to the semiconductor device of this embodiment. As shown in FIG. 1, a logic circuit block (internal circuit) 2 is formed in a bare chip IC 1 as a semiconductor chip that is a monolithic IC, and a Vss (ground) terminal 3 is connected to the logic circuit block 2. Vdd (power supply) terminals 4a and 4b are exposed. Further, terminals 5a and 5b electrically connected to the input / output terminals of the logic circuit block 2 are provided.
[0017]
Each of the terminals 5a and 5b and the Vdd terminals 4a and 4b connected to the input / output terminals is a set of two terminals, one of which is a peripheral circuit (including electronic components, a power supply line, and a ground line). Are the bonding terminals 4a and 5a for conducting the electrical connection, and the other are the inspection terminals 4b and 5b for inspecting the bare chip IC1.
[0018]
Each inspection terminal 4b, 5b is electrically connected directly to the logic circuit block 2, and each bonding terminal 4a, 5a forms a set via a switch circuit block 60 as a switch means. The test terminals 4b and 5b are electrically connected.
[0019]
In FIG. 1, except for the Vdd terminals 4a and 4b, only one set of bonding terminals 5a and inspection terminals 5b are shown. In practice, however, the logic circuit is similar to the one set of terminals 5a and 5b. A plurality of sets of bonding terminals and inspection terminals connected to the input / output terminals of the block 2 are formed.
[0020]
Here, the switch circuit block 60 includes a transmission gate composed of a Pch MOS transistor 61 and an Nch MOS transistor 62. The gate of the Pch MOS transistor 61 and the CS (chip select) terminal 7 are connected, and the gate of the Nch MOS transistor 62 is connected to the CS terminal 7 via the inverter 63.
[0021]
Further, a pull-down resistor 8 is incorporated so that the CS signal becomes low level when the CS terminal 7 is opened, and a diode 9 for circuit protection is provided between the wiring from the CS terminal 7 and the power supply and ground. Yes. Further, the substrate potential of the Pch MOS transistor 61 and the power source of the inverter 63 are taken from the bonding terminal 4a of the Vdd terminals 4a and 4b.
[0022]
FIG. 2 is a schematic view of the bare chip IC 1 as viewed from above with respect to the arrangement of the bonding terminals 4a and 5a and the inspection terminals 4b and 5b. As shown in FIG. 2, in this embodiment, pads are formed on the upper surface of the chip, and the pads 10 arranged on the edge (outer peripheral side) of the bare chip IC1 correspond to the bonding terminals 4a and 5a. The pads 11 arranged on the inner peripheral side of the bare chip IC 1 with respect to the edge pads 10 correspond to the inspection terminals 4b and 5b.
[0023]
The bare chip IC1 is mounted on the substrate, and the pads 10 (bonding terminals) disposed on the edge of the bare chip IC1 are electrically connected to the peripheral circuit by wire bonding or the like.
[0024]
In the bare chip IC 1 having the above configuration, the CS signal is at a low level while a bias is applied from the outside of the bare chip IC 1 between the bonding terminal 4a of the Vdd terminals 4a and 4b and the Vss (ground) terminal 3. At this time, since both the Pch MOS transistor 61 and the Nch MOS transistor 62 are turned on, the transmission gate is turned on, and the bare chip IC1 is electrically connected to the peripheral circuit. On the other hand, when the CS signal is at a high level, the two types of transistors 61 and 62 are both turned off, so that the transmission gate is turned off. Electrically disconnected, and the bare chip IC1 is disconnected from the peripheral circuit.
[0025]
The bare chip IC1 is inspected by probing the pads 11 corresponding to the inspection terminals 4b and 5b in a state where the bare chip IC1 is disconnected from the peripheral circuit and the logic circuit block 2 is energized with the power supply.
[0026]
By the way, according to the present embodiment, the inspection terminals 4b and 5b and the bonding terminals 4a and 5a are provided, and the transmission gate is provided between them, so that the bare chip IC1 is electrically connected from the peripheral circuit as described above. After the bare chip IC1 is mounted on the substrate, the bare chip IC1 can be inspected alone.
[0027]
Further, since the inspection is performed by electrically disconnecting the bare chip IC1 from the peripheral circuit, the leakage current, the standby current, etc. of the bare chip IC1 can be inspected, and a highly reliable semiconductor device is obtained by improving the testability. be able to.
[0028]
Further, since the bonding terminals 4a and 5a are provided on the outer peripheral side of the bare chip IC1 with respect to the inspection terminals 4b and 5b, the wires are connected to the inspection terminals 4b and 5b after the bare chip IC1 is mounted on the substrate by wire bonding or the like. Since it does not cross over, it is possible to easily probe the inspection terminals 4b and 5b.
[0029]
In addition, since it becomes easy to identify a defective chip, it becomes possible to repair parts more appropriately. In addition, failure analysis of what characteristics of the chip have failed is facilitated. Further, by providing the inspection terminals 4b and 5b on the bare chip IC1 side that can be highly integrated, the area of the inspection terminals on the mounting substrate side can be greatly reduced. As a result, the substrate can be reduced in size, and the cost can be reduced particularly in a ceramic multilayer substrate where the substrate is expensive.
[0030]
In this embodiment, the transmission gate is turned off when the CS signal is at a high level and the bare chip IC1 is electrically disconnected. However, the bare chip IC1 is disconnected when at a low level. May be.
[0031]
Further, when the number of terminals of the bare chip IC1 is small, the pads 10 and 11 are not provided double at the edge of the bare chip IC1 as in the present embodiment, but a pair of bonding terminals at the edge of the bare chip IC1. Pads corresponding to each of 4a, 5a and inspection terminals 4b, 5b may be alternately arranged.
[0032]
In addition, in this embodiment, although it is hatching also about what is not sectional drawing, it is a thing for convenience only and does not show a cross section.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an electric circuit diagram of a bare chip IC according to a semiconductor device of an embodiment.
FIG. 2 is a schematic top view of a bare chip IC according to the semiconductor device of the present embodiment.
FIG. 3 is a schematic diagram relating to inspection of a conventional semiconductor mounted product.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor chip, 4a, 5a ... Terminal for bonding,
4b, 5b ... inspection terminals, 60 ... switch means.

Claims (3)

基板上に半導体チップ(1)が実装され、前記半導体チップ(1)が周辺回路と電気的に接続されてなる半導体装置において、
前記半導体チップ(1)は、内部回路(2)と電気的に接続された検査用端子(4b、5b)と、前記周辺回路と電気的に接続するためのボンディング用端子(4a、5a)とを備えたベアチップICであり
前記検査用端子(4b、5b)が前記内部回路(2)と電気的に直結し、前記ボンディング用端子(4a、5a)が前記検査用端子(4b、5b)にスイッチ手段(60)を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
In a semiconductor device in which a semiconductor chip (1) is mounted on a substrate and the semiconductor chip (1) is electrically connected to a peripheral circuit,
The semiconductor chip (1) includes inspection terminals (4b, 5b) electrically connected to the internal circuit (2), and bonding terminals (4a, 5a) electrically connected to the peripheral circuits. A bare chip IC with
The inspection terminals (4b, 5b) are electrically connected directly to the internal circuit (2), and the bonding terminals (4a, 5a) are connected to the inspection terminals (4b, 5b) via switch means (60). A semiconductor device characterized by being electrically connected to each other.
前記ボンディング用端子(4a、5a)と前記検査用端子(4b、5b)がチップ上面に配置されており、前記ボンディング用端子(4a、5a)が前記検査用端子(4b、5b)よりも外周側に位置していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。  The bonding terminals (4a, 5a) and the inspection terminals (4b, 5b) are arranged on the upper surface of the chip, and the bonding terminals (4a, 5a) are more peripheral than the inspection terminals (4b, 5b). The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device is located on a side. 基板上に半導体チップ(1)が実装され、前記半導体チップ(1)が周辺回路と電気的に接続されてなる半導体装置の検査方法において、
前記半導体チップ(1)は、内部回路(2)と電気的に接続された検査用端子(4b、5b)と、前記周辺回路と電気的に接続するためのボンディング用端子(4a、5a)とを備えたベアチップICであり
前記検査用端子(4b、5b)が前記内部回路(2)と電気的に直結し、前記ボンディング用端子(4a、5a)が前記検査用端子(4b、5b)にスイッチ手段(60)を介して電気的に接続されており、
前記スイッチ手段(60)を用いて前記ボンディング用端子(4a、5a)と前記検査用端子(4b、5b)を電気的に切断した後、前記検査用端子(4b、5b)を用いて前記半導体チップ(1)の検査を行うことを特徴とする半導体装置の検査方法。
In a method for inspecting a semiconductor device in which a semiconductor chip (1) is mounted on a substrate and the semiconductor chip (1) is electrically connected to a peripheral circuit,
The semiconductor chip (1) includes inspection terminals (4b, 5b) electrically connected to the internal circuit (2), and bonding terminals (4a, 5a) electrically connected to the peripheral circuits. A bare chip IC with
The inspection terminals (4b, 5b) are electrically connected directly to the internal circuit (2), and the bonding terminals (4a, 5a) are connected to the inspection terminals (4b, 5b) via switch means (60). Are electrically connected,
After electrically disconnecting the bonding terminals (4a, 5a) and the inspection terminals (4b, 5b) using the switch means (60), the semiconductor using the inspection terminals (4b, 5b) A method for inspecting a semiconductor device, comprising inspecting a chip (1).
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