JP2000031221A - Semiconductor integrated circuit device and testing method thereof - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device and testing method thereof

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JP2000031221A
JP2000031221A JP10193381A JP19338198A JP2000031221A JP 2000031221 A JP2000031221 A JP 2000031221A JP 10193381 A JP10193381 A JP 10193381A JP 19338198 A JP19338198 A JP 19338198A JP 2000031221 A JP2000031221 A JP 2000031221A
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pad
test
semiconductor integrated
interface
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Manabu Miura
学 三浦
Michio Nakajima
三智雄 中島
Nobuyuki Fujii
信行 藤井
Masaaki Matsuo
政明 松尾
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    • HELECTRICITY
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To realize a semiconductor integrated circuit device capable of surely rejecting a faulty chip in the testing time also avoiding the expansion of chip size and the increase in testing time. SOLUTION: Separately from the pads for interface connected by inner circuit or power supply and a pad leading-out line 11a, a testing pad 3a for discriminating the breakage of the chip 1 is formed thereon. Next, this testing pad 3a and inner circuit or power supply is connected by a pad leading-out line 11b wired along the corners of the chip 1.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、容易に、そして
確実にチップ欠けの判別を行うことができる半導体集積
回路装置、およびそのテスト方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device capable of easily and reliably determining chip chipping, and a test method therefor.

【0002】[0002]

【従来の技術】図18は、従来の半導体集積回路装置を
構成するチップの一例を示す平面図である。図におい
て、1は半導体集積回路装置のチップ、2はこのチップ
1に配置されたインタフェース用パッド、11aはこの
インタフェース用パッド2とチップ1の内部回路あるい
は電源とを接続しているパッド引き出し線である。
2. Description of the Related Art FIG. 18 is a plan view showing an example of a chip constituting a conventional semiconductor integrated circuit device. In the drawing, 1 is a chip of a semiconductor integrated circuit device, 2 is an interface pad arranged on the chip 1, and 11a is a pad lead-out line connecting the interface pad 2 to an internal circuit or power supply of the chip 1. is there.

【0003】また、図17は半導体集積回路装置の製造
過程における、チップ1のウェハへの配置例を示す平面
図である。図において、100はウェハであり、1aは
このウェハ100上にチップ欠けなしに配置された完全
なチップ、1bはウェハ100上にその一部が欠けて配
置された不完全なチップである。なお、この図17で
は、不完全なチップ1bにはハッチングをかけて、ハッ
チングがかけられていない完全なチップ1aと区別して
示している。
FIG. 17 is a plan view showing an example of arranging chips 1 on a wafer in a process of manufacturing a semiconductor integrated circuit device. In the drawing, 100 is a wafer, 1a is a complete chip arranged on the wafer 100 without chip chipping, and 1b is an incomplete chip arranged on the wafer 100 with a part thereof chipped. In FIG. 17, incomplete chips 1b are hatched to distinguish them from complete chips 1a that are not hatched.

【0004】半導体集積回路装置の製造過程では、図1
7に示すように、円板状のウェハ100の上に矩形のチ
ップ1を配置しているので、その一部が欠けた不完全な
チップ1bがどうしても存在することになる。このよう
なチップ欠けのある不完全なチップ1bは明らかに不良
品であるため、それをリジェクトする必要がある。
In the process of manufacturing a semiconductor integrated circuit device, FIG.
As shown in FIG. 7, since the rectangular chips 1 are arranged on the disc-shaped wafer 100, incomplete chips 1b partially missing therefrom are inevitably present. Such an incomplete chip 1b with chip missing is obviously a defective product, and it is necessary to reject it.

【0005】ここで、このようなチップ1がウェハ10
0に作りこまれたとき、実際にチップ1の一部が欠けた
状態になった場合について説明する。図19はチップ欠
けとなった不完全なチップ1bの一例を示す平面図であ
る。図19に示すように、チップ1の一部が欠けて不完
全なチップ1bとなっても、従来の半導体集積回路装置
を構成するチップ1では、そのチップ欠けの状況によっ
ては、通常のテストにおいてインタフェース用パッド2
のインタフェースをとることができて、内部回路も正常
に動作し、良品と判定されてしまう場合がある。したが
って、チップ欠けのある不完全なチップ1bを確実にリ
ジェクトすることができない。
Here, such a chip 1 is attached to the wafer 10
A case where a part of the chip 1 is actually chipped when the chip 1 is built into 0 will be described. FIG. 19 is a plan view showing an example of an incomplete chip 1b in which a chip is missing. As shown in FIG. 19, even if a part of the chip 1 is chipped to become an incomplete chip 1b, the chip 1 constituting the conventional semiconductor integrated circuit device may not be able to perform a normal test depending on the chip chipping condition. Interface pad 2
, The internal circuit also operates normally, and may be determined to be non-defective. Therefore, it is impossible to reliably reject an incomplete chip 1b having a chip missing.

【0006】また、図20は従来の半導体集積回路装置
を構成するチップ1の他の例を示す平面図であり、相当
部分には図18と同一の符号を付してその説明を省略す
る。図において、1000と1001はチップ1内に配
置され、パッド引き出し線11aによってそれぞれイン
タフェース用パッド2に接続されている、たとえばDR
AM回路とロジック回路、あるいはアナログ回路とロジ
ック回路といったような回路である。
FIG. 20 is a plan view showing another example of the chip 1 constituting the conventional semiconductor integrated circuit device, and the corresponding parts are denoted by the same reference numerals as in FIG. 18 and will not be described. In the figure, reference numerals 1000 and 1001 are arranged in a chip 1 and connected to interface pads 2 by pad lead lines 11a, for example, DR
It is a circuit such as an AM circuit and a logic circuit, or an analog circuit and a logic circuit.

【0007】このチップ1において、回路1000と回
路1001がそれぞれ個別にテストされる場合、たとえ
ば、チップ1がDRAM回路1000とロジック回路1
001で構成され、そのDRAMテストとロジックテス
トが別々に行われる場合、DRAM回路1000のテス
ト時は、通常DRAM回路1000に関係するインタフ
ェース用パッド2のインタフェーステストと、DRAM
回路1000の回路テストは実施するが、ロジック回路
1001のテストは行わない。
In the chip 1, when the circuit 1000 and the circuit 1001 are individually tested, for example, the chip 1 is connected to the DRAM circuit 1000 and the logic circuit 1
001 and the DRAM test and the logic test are performed separately. When the DRAM circuit 1000 is tested, the interface test of the interface pad 2 related to the normal DRAM circuit 1000 and the DRAM test are performed.
A circuit test of the circuit 1000 is performed, but a test of the logic circuit 1001 is not performed.

【0008】ここで、このようなチップ1がウェハ10
0に作りこまれたとき、実際にチップが欠けた状態にな
った場合について説明する。図21はチップ欠けとなっ
た不完全なチップ1bの一例を示す平面図である。図2
1に示すような、チップ欠けによって回路1001の一
部が欠けた不完全なチップ1bであっても、回路100
0のテスト時には、回路1000のみのインタフェース
用パッド2はインタフェースをとることができ、回路1
000も正常に動作して、良品と判定される場合があ
る。したがって、この場合も同様に、チップ欠けのある
チップ1bをテスト時に確実にリジェクトすることがで
きない。
Here, such a chip 1 is attached to the wafer 10
A case will be described in which a chip is actually chipped when it is built into zero. FIG. 21 is a plan view showing an example of an incomplete chip 1b in which a chip is missing. FIG.
As shown in FIG. 1, even if an incomplete chip 1b in which a part of the circuit
In the test of 0, the interface pad 2 of the circuit 1000 alone can take an interface, and the circuit 1
000 may also operate normally and be determined to be good. Therefore, also in this case, similarly, the chip 1b having the chip missing cannot be reliably rejected at the time of the test.

【0009】ただし、この場合、回路1001のテスト
を行うことによってチップ欠けのあるチップ1bをリジ
ェクトすることはできる。しかしながら、回路1000
のテスト時間に加えて、この回路1001のテスト時間
が必要となり、テストに多大な時間が浪費される。
However, in this case, the chip 1b having the chip missing can be rejected by testing the circuit 1001. However, the circuit 1000
In addition to the above test time, a test time for the circuit 1001 is required, and a great deal of time is wasted in the test.

【0010】また、この他の、チップ欠けを判別するこ
とができる半導体集積回路装置に関する記載のある文献
としては、たとえば特開平5−211222号公報、あ
るいは特開平4−199651号公報などがある。上記
特開平5−211222号公報では、チップのコーナー
に、チップ欠けを検出するための正形チェックパッドを
配置したものが開示され、特開平4−199651号公
報では、チップの外周を囲むように、チップ欠けを検出
するための欠陥検出用配線を配置したものが開示されて
いる。
[0010] Other documents that describe a semiconductor integrated circuit device capable of determining chip chipping include, for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 5-211222 and 4-199651. Japanese Patent Application Laid-Open No. H5-211222 discloses an arrangement in which a regular check pad for detecting chip chipping is disposed at a corner of a chip. Also, there is disclosed one in which a defect detection wiring for detecting chip chipping is arranged.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体集積回路
装置は以上のように構成されているので、不完全なチッ
プ1bのチップ欠けの状況によっては、通常のテストに
おいてインタフェース用パッド2のインタフェースをと
ることができてしまい、内部回路も正常に動作して、良
品と判定される場合があるため、チップ欠けのある不完
全なチップ1bを確実にリジェクトすることができない
という課題があった。
Since the conventional semiconductor integrated circuit device is constructed as described above, the interface of the interface pad 2 may be changed in a normal test depending on the incomplete chipping of the chip 1b. Since the internal circuit also operates normally and may be determined to be a non-defective product, there is a problem that an incomplete chip 1b with chip missing cannot be reliably rejected.

【0012】また、複数の回路1000,1001を含
むチップ1では、一方の回路(回路1001)の一部が
欠けた不完全なチップ1bとなっても、他方の回路(回
路1000)のテスト時には、当該回路のみのインタフ
ェース用パッド2はインタフェースをとることができ
て、内部回路も正常に動作するため、良品と判定される
場合がある。したがって、この場合もチップ欠けのある
チップ1bを確実にリジェクトすることができず、不完
全なチップ1bを確実にリジェクトするために、チップ
1上のすべての回路1000,1001のテストを行っ
た場合、無駄なテスト時間が浪費されるなどの課題があ
った。
Further, in the chip 1 including the plurality of circuits 1000 and 1001, even if one of the circuits (circuit 1001) becomes an incomplete chip 1b in which a part thereof is chipped, the other circuit (circuit 1000) is not tested. Since the interface pad 2 of only this circuit can take an interface and the internal circuit operates normally, it may be determined that the circuit is good. Therefore, also in this case, the chip 1b having the chip chip cannot be reliably rejected, and all the circuits 1000 and 1001 on the chip 1 are tested to surely reject the incomplete chip 1b. There is a problem that wasteful test time is wasted.

【0013】また、特開平5−211222号公報に示
された半導体集積回路装置では、チップ欠けを判別する
ための正形チェックパッドをチップのコーナー付近に配
置する必要があるため、チップのコーナーにプロセスや
アセンブリのマークがあったり、ワイヤリングのルール
などで正形チェックパッドをコーナーに配置できないと
きには適用することができず、適用したとしても、チッ
プサイズを拡大する必要が生じるといった課題があっ
た。
In the semiconductor integrated circuit device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-211222, it is necessary to arrange a regular check pad for determining chip chipping near a corner of the chip. If there is a mark of a process or an assembly, or a regular check pad cannot be arranged at a corner due to wiring rules or the like, it cannot be applied, and even if it is applied, there is a problem that the chip size needs to be increased.

【0014】さらに、特開平4−199651号公報に
示された半導体集積回路装置では、チップ欠けを判別す
るための欠陥検出用配線をチップを囲むように配置する
必要があり、チップサイズの増大をまねき、このチップ
サイズの増大を回避するために欠陥検出用配線を埋め込
み層としても、パッドが凹凸となってボンディングに適
さないなどの課題があった。
Further, in the semiconductor integrated circuit device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-199651, it is necessary to arrange a defect detection wiring for determining chip chipping so as to surround the chip. To avoid this increase in chip size, even if the defect detection wiring is used as a buried layer, there is a problem that the pad becomes uneven and is not suitable for bonding.

【0015】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、テスト時にチップ欠けのある不完
全なチップを確実にリジェクトすることが可能であり、
チップサイズの拡大を抑制でき、テスト時間の増大を防
止できる半導体集積回路装置を得ることを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and it is possible to reliably reject an incomplete chip having a chip chip during a test.
An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit device capable of suppressing an increase in chip size and preventing an increase in test time.

【0016】また、この発明は、そのように構成された
半導体集積回路装置におけるチップのチップ欠けを判別
するための、半導体集積回路装置のテスト方法を得るこ
とを目的とする。
Another object of the present invention is to provide a method for testing a semiconductor integrated circuit device for determining chip chipping of a chip in the semiconductor integrated circuit device configured as described above.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体集
積回路装置は、当該チップのチップ欠けを判別するため
のテスト用パッドをチップ上に設け、チップのコーナー
に沿って配線されたパッド引き出し線によって、そのテ
スト用パッドをチップの内部回路あるいは電源に接続す
るようにしたものである。
In a semiconductor integrated circuit device according to the present invention, a test pad for determining chip chipping of the chip is provided on the chip, and a pad lead-out line is provided along a corner of the chip. The test pad is connected to an internal circuit of the chip or a power supply.

【0018】この発明に係る半導体集積回路装置は、チ
ップのコーナーに沿って配線されたパッド引き出し線に
よって内部回路あるいは電源に接続されたテスト用パッ
ドと、チップのコーナーに配置されて、パッド引き出し
線によって内部回路あるいは電源に接続されたテスト用
パッドとを混在させたものである。
A semiconductor integrated circuit device according to the present invention includes a test pad connected to an internal circuit or a power supply by a pad lead line wired along a corner of a chip, and a pad lead line arranged at a corner of the chip. And a test pad connected to an internal circuit or a power supply.

【0019】この発明に係る半導体集積回路装置は、チ
ップ上に、当該チップのチップ欠けを判別するためのテ
スト用パッドを設けて、そのテスト用パッドとインタフ
ェース用パッドとの間を、パッド引き出し線によって接
続するようにしたものである。
In the semiconductor integrated circuit device according to the present invention, a test pad for determining chip chip of the chip is provided on the chip, and a pad lead-out line is provided between the test pad and the interface pad. It is made to connect by.

【0020】この発明に係る半導体集積回路装置は、チ
ップのコーナーに、パッド引き出し線によってインタフ
ェース用パッドに接続されたテスト用パッドを配置した
ものである。
In the semiconductor integrated circuit device according to the present invention, a test pad connected to an interface pad by a pad lead line is arranged at a corner of a chip.

【0021】この発明に係る半導体集積回路装置は、チ
ップのコーナーに沿って配線されたパッド引き出し線に
よって、テスト用パッドをインタフェース用パッドに接
続するようにしたものである。
In the semiconductor integrated circuit device according to the present invention, a test pad is connected to an interface pad by a pad lead line wired along a corner of a chip.

【0022】この発明に係る半導体集積回路装置は、チ
ップのコーナーに配置され、パッド引き出し線によって
インタフェース用パッドに接続されたテスト用パッド
と、チップのコーナーに沿って配線されたパッド引き出
し線によって、インタフェース用パッドに接続されたテ
スト用パッドとを混在させたものである。
A semiconductor integrated circuit device according to the present invention comprises a test pad arranged at a corner of a chip and connected to an interface pad by a pad lead line, and a pad lead line wired along a corner of the chip. The test pads connected to the interface pads are mixed.

【0023】この発明に係る半導体集積回路装置のテス
ト方法は、チップのチップ欠けを判別するためのインタ
フェーステスト時に、内部回路の保護回路のダイオード
特性、もしくはショート特性を確認するようにしたもの
である。
In the test method for a semiconductor integrated circuit device according to the present invention, a diode characteristic or a short-circuit characteristic of a protection circuit of an internal circuit is confirmed at the time of an interface test for determining chip chipping. .

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態1.図1はこの発明の実施の形態1による半
導体集積回路装置を構成するチップの一例を示す平面図
である。図において、1は当該半導体集積回路装置を構
成しているチップである。2はこのチップ1上に配置さ
れたインタフェース用パッドであり、11aはこのイン
タフェース用パッド2とチップ1の内部回路あるいは電
源との間を接続しているパッド引き出し線である。な
お、これらは図18に同一符号を付して示した従来の半
導体集積回路装置におけるそれらと同等のものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below. Embodiment 1 FIG. FIG. 1 is a plan view showing an example of a chip constituting a semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 1 of the present invention. In the figure, reference numeral 1 denotes a chip constituting the semiconductor integrated circuit device. Reference numeral 2 denotes an interface pad disposed on the chip 1, and reference numeral 11a denotes a pad lead line connecting the interface pad 2 to an internal circuit of the chip 1 or a power supply. These are the same as those in the conventional semiconductor integrated circuit device shown by the same reference numerals in FIG.

【0025】また、3aは上記インタフェース用パッド
2とともにチップ1上に配置されている、チップ欠けを
判別するためのテスト用パッドである。11bはチップ
1のコーナーに沿って配線されて、このテスト用パッド
3aとチップ1の内部回路あるいは電源とを接続してい
るパッド引き出し線である。なお、このテスト用パッド
3aは、チップ欠けを判別する目的のためだけに新たに
設けたものであっても、通常のインタフェースに使用さ
れるインタフェース用パッド2として既に設けられてい
るものを共用するようにしたものであってもよい。
Reference numeral 3a denotes a test pad arranged on the chip 1 together with the interface pad 2 for determining chip chipping. Reference numeral 11b denotes a pad lead line that is wired along a corner of the chip 1 and connects the test pad 3a to an internal circuit of the chip 1 or a power supply. Note that the test pad 3a, which is newly provided only for the purpose of determining chip chipping, shares the one already provided as the interface pad 2 used for a normal interface. Such a configuration may be used.

【0026】このように、この実施の形態1による半導
体集積回路装置は、チップ1に、テスト用パッド3a
と、このテスト用パッド3aと内部回路あるいは電源と
を接続する、チップ1のコーナーに沿って配線されたパ
ッド引き出し線11bとを備えている点で、従来のもの
とは異なっている。
As described above, in the semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment, the chip 1 has the test pads 3a
And a pad lead-out line 11b connected along a corner of the chip 1 for connecting the test pad 3a to an internal circuit or a power supply.

【0027】次に、このようなチップ1が、図17に示
すようにウェハ100に作りこまれたとき、実際にチッ
プ1の一部が欠けて不完全なチップ1bになった場合に
ついて説明する。図2はそのチップ欠けとなった不完全
なチップ1bの一例を示す平面図である。チップ1が図
2に示すように、一部が欠損してチップ欠けの状態とな
った不完全なチップ1bであれば、チップ1bのコーナ
ーに沿って配線されたパッド引き出し線11bが切断さ
れる。このパッド引き出し線11bはチップ欠けを判別
するためのテスト用パッド3aと内部回路あるいは電源
とを接続しているため、それが切断されれば、テスト用
パッド3aを使用して当該チップ1bをテストすること
により、不良を検出することができる。
Next, a description will be given of a case where when such a chip 1 is formed on a wafer 100 as shown in FIG. 17, a part of the chip 1 is actually chipped and becomes an incomplete chip 1b. . FIG. 2 is a plan view showing an example of the incomplete chip 1b in which the chip has been chipped. As shown in FIG. 2, if the chip 1 is an incomplete chip 1 b partially chipped and chipped, the pad lead-out line 11 b wired along a corner of the chip 1 b is cut. . Since the pad lead-out line 11b connects the test pad 3a for determining chip chipping to an internal circuit or a power supply, if the pad is disconnected, the chip 1b is tested using the test pad 3a. By doing so, a defect can be detected.

【0028】ここで、この場合のチップ1のコーナーの
定義について説明する。図3はこの実施の形態1におけ
る半導体集積回路装置のチップ1のコーナー部を拡大し
て示した部分平面図である。図3において、301はウ
ェハ100上に形成されたチップ1を切り放すためのダ
イシングラインであり、500はテスト時にテスト用パ
ッド3aに接触するプローブ針である。なお、その他の
部分には図2の相当部分と同一の符号を付してその説明
を省略する。
Here, the definition of the corner of the chip 1 in this case will be described. FIG. 3 is a partial plan view showing a corner portion of chip 1 of the semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment in an enlarged manner. In FIG. 3, reference numeral 301 denotes a dicing line for cutting off the chip 1 formed on the wafer 100, and reference numeral 500 denotes a probe needle which comes into contact with the test pad 3a during a test. The other parts are denoted by the same reference numerals as the corresponding parts in FIG. 2 and the description thereof is omitted.

【0029】図3(a)では、チップ欠けを判別するた
めのテスト用パッド3aに接続されているパッド引き出
し線11bが、チップ1とダイシングライン301との
境界線から距離r1 だけ間隔をとって配線されている。
このようなチップ1が、図17に示すようにウェハ10
0に作りこまれて、実際にチップ欠けの状態になった場
合、図3(a)に示すように、当該チップ欠けによって
パッド引き出し線11bが切断される。したがって、テ
スト時にプローブ針500がテスト用パッド3aに接触
しても、内部回路や電源などにコンタクトすることはで
きない。すなわち、テスト用パッド3aに接続されてい
るパッド引き出し線11bが、チップ1とダイシングラ
イン301との境界線から距離r1 だけ間隔をとって配
線されている場合には、テスト時にチップ欠けを判別す
ることは可能である。
[0029] In FIG. 3 (a), the pad lead lines 11b connected to the test pad 3a for discriminating chipping is spaced by a distance r 1 from the boundary line between the chip 1 and the dicing line 301 Wired.
Such a chip 1 is placed on a wafer 10 as shown in FIG.
When it is made to be 0 and the chip is actually chipped, as shown in FIG. 3A, the pad lead-out line 11b is cut off by the chip chipping. Therefore, even if the probe needle 500 contacts the test pad 3a during the test, it cannot contact the internal circuit or the power supply. That is, the pad lead lines 11b connected to the test pad 3a is, when taking apart by a distance r 1 from the boundary line between the chip 1 and the dicing line 301 is wired can determine the chipping during the test It is possible to do.

【0030】ところが、図3(b)に示すように、テス
ト用パッド3aの接続されているパッド引き出し線11
bが、チップ1とダイシングライン301との境界線か
ら距離r2 だけ間隔をとって配線されていると、チップ
1が欠けた状態になってもパッド引き出し線11bは完
全に切断されてしまうことはなく、一部でその接続が保
たれている。そのため、プローブ針500がテスト用パ
ッド3aに接触すると、内部回路や電源などにコンタク
トすることが可能となる。したがって、テスト用パッド
3aが接続されているパッド引き出し線11bを、チッ
プ1とダイシングライン301の境界線から距離r2
間隔をとって配線した場合には、チップ欠けを判別する
ことはできなくなる。
However, as shown in FIG. 3B, the pad lead-out line 11 to which the test pad 3a is connected
that b is, when are wired spaced from the boundary line by a distance r 2 between the chip 1 and the dicing line 301, the pad lead lines 11b even in a state where the chip 1 is missing would be completely cut Not, but the connection is maintained in part. Therefore, when the probe needle 500 comes into contact with the test pad 3a, it becomes possible to make contact with an internal circuit, a power supply, or the like. Accordingly, the pad lead lines 11b the test pads 3a is connected, when wiring spaced a distance r 2 from the boundary line of the chip 1 and the dicing line 301 is no longer possible to determine the chipping .

【0031】また、図4に示す場合も同様で、ウェハ1
00に作りこまれたチップ1が実際にチップ欠けの状態
になった場合には、チップ欠けを判別するためのテスト
用パッド3aに接続されたパッド引き出し線11bが、
図4(a)に示すように、チップ1とダイシングライン
301との境界線から距離r3 の間隔で配線されていれ
ば、チップ欠けを判別できるが、図4(b)に示すよう
に距離r4 の間隔で配線した場合には、チップ欠けを判
別できない。
The same applies to the case shown in FIG.
When the chip 1 built at 00 is actually in a chipped state, the pad lead-out line 11b connected to the test pad 3a for determining the chipped part is
As shown in FIG. 4A, if the chip is wired at a distance of r 3 from the boundary line between the chip 1 and the dicing line 301, chip chipping can be determined, but as shown in FIG. If you wire at intervals of r 4 it can not determine the chipping.

【0032】すなわち、チップ1が図17に示すウェハ
100に配置されたとき、不完全なチップ1bのすべて
を不良としてリジェクトすることが可能な、チップ1と
ダイシングライン301との境界線から、テスト用パッ
ド3aが接続されているパッド引き出し線11bまでの
距離をコーナーと定義する。
That is, when the chip 1 is placed on the wafer 100 shown in FIG. 17, the test is performed from the boundary between the chip 1 and the dicing line 301 from which all the incomplete chips 1b can be rejected as defective. The distance to the pad lead line 11b to which the pad 3a is connected is defined as a corner.

【0033】このように、チップ欠けを判別するための
テスト用パッド3aを設け、そのパッド引き出し線11
bをコーナーに沿って配線したチップ1が、図17に示
すどのような状態であっても、不完全なチップ1bをテ
スト時に確実にリジェクトすることができるようにな
る。また、その構造も、テスト用パッド3aを設け、そ
れが接続されているパッド引き出し線11bをチップ1
のコーナーに沿って配線するだけなので、その実現は容
易なものとなる。
As described above, the test pad 3a for determining chip chipping is provided, and the pad lead-out line 11a is provided.
Regardless of the state of the chip 1 in which b is wired along the corner in any state shown in FIG. 17, the incomplete chip 1b can be surely rejected during the test. Also, in the structure, a test pad 3a is provided, and a pad lead line 11b connected to the test pad 3a is
Since the wiring is only performed along the corners, the realization is easy.

【0034】また、この実施の形態1は、図20に示す
ように構成された従来の半導体集積回路装置のチップ1
に適用することも可能である。すなわち、テスト用パッ
ド3aを設けて、それが接続されているパッド引き出し
線11bをチップ1のコーナーに沿って配線し、回路1
000の回路テストと同時に、そのテスト用パッド3a
を使用したインタフェーステストを行うことで、不完全
なチップ1bの確実なリジェクトが可能となる。さら
に、この回路1000のテストで不完全なチップ1bの
リジェクトができれば、回路1001をテストするため
の時間が不要となって、テスト時間の増大を抑制するこ
ともできる。
In the first embodiment, a chip 1 of a conventional semiconductor integrated circuit device configured as shown in FIG.
It is also possible to apply to. That is, the test pad 3a is provided, and the pad lead line 11b to which the test pad 3a is connected is wired along the corner of the chip 1, and the circuit 1
000 circuit test and its test pad 3a
, An incomplete chip 1b can be reliably rejected. Further, if the incomplete chip 1b can be rejected in the test of the circuit 1000, the time for testing the circuit 1001 becomes unnecessary, and the increase in the test time can be suppressed.

【0035】さらに、チップ1上にチップ欠けを判別す
るためのテスト用パッド3aを設けて、それが接続され
ているパッド引き出し線11bをチップ1のコーナーに
沿って配線しているため、テスト用パッド3aを必ずし
もコーナーに設ける必要がない。したがって、チップ1
のコーナーにプロセスやアセンブリのマークがあった
り、ワイヤリングのルールなどによってテスト用パッド
3aをチップ1のコーナーに配置できない場合にも対応
可能であり、チップサイズが拡大するのを防ぐことがで
きる。
Further, a test pad 3a for discriminating chip chipping is provided on the chip 1, and a pad lead-out line 11b connected to the test pad 3a is wired along a corner of the chip 1. It is not always necessary to provide the pad 3a at a corner. Therefore, chip 1
It is possible to cope with a case where a mark of a process or an assembly is provided at a corner of the chip 1 or the test pad 3a cannot be arranged at a corner of the chip 1 due to wiring rules or the like, thereby preventing an increase in chip size.

【0036】なお、テスト用パッド3aは、チップ欠け
を判別するためだけに新たに設けたパッドであっても、
インタフェース用パッドと共用されるパッドであっても
よいので、これもチップサイズの拡大の防止に有効に作
用する。
The test pad 3a is a pad newly provided only for determining chip chipping,
Since a pad shared with the interface pad may be used, this also effectively prevents the chip size from increasing.

【0037】以上のように、この実施の形態1によれ
ば、チップ欠けのある不完全なチップ1bをテスト時に
確実にリジェクトすることが可能になるとともに、チッ
プサイズの拡大を抑制することができ、テスト時間の増
大を防止することができる半導体集積回路装置が実現で
きるという効果が得られる。
As described above, according to the first embodiment, it is possible to reliably reject an incomplete chip 1b having a chip chip at the time of a test and to suppress an increase in chip size. This has the effect of realizing a semiconductor integrated circuit device that can prevent an increase in test time.

【0038】実施の形態2.上記実施の形態1では、チ
ップ1上にそのチップ欠けを判別するためのテスト用パ
ッド3aを設けて、当該テスト用パッド3aと内部回路
あるいは電源との間を接続しているパッド引き出し線1
1bを、チップ1の各コーナーのそれぞれに沿って配線
した場合について説明したが、チップ欠けを判別するた
めのテスト用パッド3aのうちのいくつかをチップ1の
コーナーに配置するようにしてもよい。
Embodiment 2 In the first embodiment, a test pad 3a for determining chip chipping is provided on a chip 1, and a pad lead-out line 1 connecting the test pad 3a to an internal circuit or a power supply is provided.
Although the case where 1b is wired along each corner of chip 1 has been described, some of test pads 3a for determining chip chipping may be arranged at the corner of chip 1. .

【0039】図5はそのようなこの発明の実施の形態2
による半導体集積回路装置を構成するチップの一例を示
す平面図である。図において、3bはチップ1のコーナ
ーに配置された、チップ欠けを判別するためのテスト用
パッドであり、11cはこのテスト用パッド3bと内部
回路あるいは電源との間を接続しているパッド引き出し
線である。このチップ欠けを判別するためのテスト用パ
ッド3bもテスト用のテスト用パッド3aと同様に、チ
ップ欠けを判別する目的のためだけに別途用意されたパ
ッドであっても、通常のインタフェースと共用されるパ
ッドであってもよい。
FIG. 5 shows such a second embodiment of the present invention.
1 is a plan view showing an example of a chip constituting a semiconductor integrated circuit device according to the present invention. In the drawing, reference numeral 3b denotes a test pad arranged at a corner of the chip 1 for determining chip chipping, and 11c denotes a pad lead-out line connecting the test pad 3b to an internal circuit or a power supply. It is. Similarly to the test pad 3a for testing, the test pad 3b for determining chip lack is a pad separately prepared only for the purpose of determining chip lack and is shared with a normal interface. Pad.

【0040】この実施の形態2においては、チップ欠け
を判別するためのテスト用パッド3bは、チップ1の一
方の対角線上の2つのコーナーに配置されており、その
パッド引き出し線11cはチップ1のコーナーに沿って
配線されてはいない。また、チップ1の他方の対角線上
の2つのコーナーには、当該コーナーに沿って、テスト
用パッド3aに接続されているパッド引き出し線11b
が配線されている。なお、その他の部分については、図
1の相当部分と同一の符号を付してその説明を省略す
る。
In the second embodiment, test pads 3b for determining chip chipping are arranged at two corners on one diagonal of chip 1, and pad lead-out lines 11c of chip 1 are provided. Not routed along corners. Further, two corners on the other diagonal line of the chip 1 are provided along the corners with the pad lead-out lines 11b connected to the test pads 3a.
Are wired. The other parts are denoted by the same reference numerals as the corresponding parts in FIG. 1, and the description thereof is omitted.

【0041】次に、このようなチップ1が、図17に示
すようにウェハ100に作りこまれたとき、実際にチッ
プ1の一部が欠けた状態になった場合について説明す
る。図6はチップ欠けとなった不完全なチップ1bの一
例を示す平面図である。図6に示すように、チップ1の
一部が欠けて不完全なチップ1bになると、チップ1b
のコーナーに設けられたチップ欠けを判別するためのテ
スト用パッド3bがなくなってしまったり、不完全なも
のとなってしまう。したがって、このチップ1bのコー
ナーに設けられたテスト用パッド3bを用いたテストは
できなくなり、当該テスト用パッド3bを使用したチッ
プ1のテストにより、不良を検出することが可能にな
る。
Next, a description will be given of a case where a part of the chip 1 is actually cut off when such a chip 1 is formed on the wafer 100 as shown in FIG. FIG. 6 is a plan view showing an example of an incomplete chip 1b in which a chip is missing. As shown in FIG. 6, when a part of the chip 1 is chipped and becomes an incomplete chip 1b, the chip 1b
The test pads 3b provided at the corners for determining chip chipping are missing or incomplete. Therefore, a test using the test pads 3b provided at the corners of the chip 1b cannot be performed, and a defect can be detected by testing the chip 1 using the test pads 3b.

【0042】ここで、この場合のチップ1のコーナーの
定義について説明する。図7はこの実施の形態2におけ
る半導体集積回路装置のチップ1のコーナー部を拡大し
て示した部分平面図である。なお、各部には図6の相当
部分と同一の符号を付してその説明を省略する。
Here, the definition of the corner of the chip 1 in this case will be described. FIG. 7 is an enlarged partial plan view showing a corner portion of chip 1 of the semiconductor integrated circuit device according to the second embodiment. Note that the same reference numerals as in FIG. 6 denote the same parts, and a description thereof will be omitted.

【0043】図7(a)では、チップ欠けを判別するた
めのテスト用パッド3bが、チップ1とダイシングライ
ン301との境界線から距離r5 の間隔をとって配置さ
れている。このようなチップ1がウェハ100に作りこ
まれて、実際にチップ欠けの状態になった場合には、図
7(a)に示すように、テスト時にプローブ針500を
テスト用パッド3bに接触させようとしても、チップ欠
けによって当該テスト用パッド3bは存在せず、それに
プローブ針500を接触させることはできない。したが
って、このチップ1のコーナーのテスト用パッド3b
が、チップ1とダイシングライン301との境界線から
距離r5 だけ間隔をとって配置されている場合には、チ
ップ欠けを判別することが可能となる。
[0043] In FIG. 7 (a), the test pad 3b for discriminating chipping, are arranged spaced a distance r 5 from the boundary line between the chip 1 and the dicing line 301. When such a chip 1 is formed on the wafer 100 and the chip is actually chipped, as shown in FIG. 7A, the probe needle 500 is brought into contact with the test pad 3b during the test. Even so, the test pad 3b does not exist due to chip lack, and the probe needle 500 cannot be brought into contact therewith. Therefore, the test pads 3b at the corners of the chip 1
But if it is arranged to take by a distance r 5 from the boundary line between the chip 1 and the dicing line 301, it is possible to determine the chipping.

【0044】ところが、図7(b)に示すように、チッ
プ欠けを判別するためのテスト用パッド3bが、チップ
1とダイシングライン301との境界線から距離r6
け間隔をとって配置されていると、チップ1がチップ欠
けの状態になってもテスト用パッド3bは存在する。そ
のため、プローブ針500がこのテスト用パッド3bに
接触すると、内部回路や電源などにコンタクトすること
ができる。したがって、テスト用パッド3bを、チップ
1とダイシングライン301との境界線から距離r6
間隔をとって配置した場合には、チップ欠けを判別する
ことはできなくなる。
However, as shown in FIG. 7B, test pads 3b for determining chip chipping are arranged at a distance r 6 from the boundary between chip 1 and dicing line 301. In this case, the test pad 3b exists even when the chip 1 is chipped. Therefore, when the probe needle 500 comes into contact with the test pad 3b, it can contact an internal circuit, a power supply, or the like. Therefore, the test pad 3b, when arranged spaced a distance r 6 from the boundary line between the chip 1 and the dicing line 301 is no longer possible to determine the chipping.

【0045】また、図8に示す場合も同様で、ウェハ1
00に作りこまれたチップ1が実際にチップ欠けの状態
になった場合、チップ1bのコーナーに設けたチップ欠
けを判別するためのテスト用パッド3bが、図8(a)
に示すように、チップ1とダイシングライン301との
境界線から距離r7 だけ間隔をとって配置されていれ
ば、チップ欠けを判別できるが、図8(b)に示すよう
に距離r8 だとチップ欠けは判別できなくなる。
The same applies to the case shown in FIG.
When the chip 1 formed at 00 is actually in a chipped state, the test pad 3b provided at the corner of the chip 1b for determining the chipped state is replaced by the test pad 3b shown in FIG.
As shown in, if it is arranged spaced by a distance r 7 from the boundary line between the chip 1 and the dicing line 301, it can determine the chipping, but the distance r 8 as shown in FIG. 8 (b) And chip missing can no longer be determined.

【0046】すなわち、チップ1が図17に示すウェハ
100に配置されたとき、不完全なチップ1bのすべて
を不良としてリジェクトすることが可能な、チップ1と
ダイシングライン301との境界線から、チップ欠けを
判別するためにチップ1bのコーナーに設けられた3b
までの距離をコーナーと定義する。
That is, when the chip 1 is placed on the wafer 100 shown in FIG. 17, all of the imperfect chips 1b can be rejected as defectives. 3b provided at the corner of chip 1b to determine chipping
The distance to is defined as the corner.

【0047】なお、この実施の形態2によっても、上記
実施の形態1と同様に、テスト時においてチップ欠けの
ある不完全なチップ1bの確実なリジェクトが行え、チ
ップサイズの拡大、およびテスト時間の増大を防止する
ことが可能な半導体集積回路装置が実現できるととも
に、チップ1のコーナーにはテスト用パッド3bを配置
することも、テスト用パッド3aからのパッド引き出し
線11bを配線することも可能になって、設計の自由度
が向上するなどの効果が得られる。
According to the second embodiment, as in the first embodiment, the incomplete chip 1b having a chip chip can be reliably rejected at the time of the test, so that the chip size can be increased and the test time can be reduced. A semiconductor integrated circuit device capable of preventing an increase can be realized, and a test pad 3b can be arranged at a corner of the chip 1 and a pad lead 11b from the test pad 3a can be wired. As a result, effects such as improvement in the degree of freedom of design can be obtained.

【0048】実施の形態3.図9はこの発明の実施の形
態3による半導体集積回路装置を構成するチップの一例
を示す平面図であり、相当部分には図1と同一符号を付
してその説明を省略する。図において、3cはチップ1
のコーナーに配置された、チップ欠けを判別するための
テスト用パッドであり、11dはこのテスト用パッド3
cとインタフェース用パッド2とを接続しているパッド
引き出し線である。したがって、チップ1のコーナーに
配置されたテスト用パッド3cは、このパッド引き出し
線11d、インタフェース用パッド2、およびパッド引
き出し線11aを介して、内部回路あるいは電源と接続
されている。
Embodiment 3 FIG. 9 is a plan view showing an example of a chip constituting a semiconductor integrated circuit device according to a third embodiment of the present invention. The corresponding portions are denoted by the same reference numerals as in FIG. 1 and description thereof is omitted. In the figure, 3c is chip 1
11d are test pads arranged at the corners for determining chip chipping.
This is a pad lead-out line connecting c to the interface pad 2. Therefore, the test pad 3c arranged at the corner of the chip 1 is connected to an internal circuit or a power supply via the pad lead line 11d, the interface pad 2, and the pad lead line 11a.

【0049】次に、このようなチップ1が、図17に示
すようにウェハ100に作りこまれたときに、実際にチ
ップ1の一部が欠けた状態になった場合について説明す
る。図10はチップ欠けとなった不完全なチップ1bの
一例を示す平面図である。図10に示すように、チップ
1の一部が欠けて不完全なチップ1bとなると、チップ
1bのコーナーに設けたテスト用パッド3cがなくなっ
てしまったり、不完全なものとなってしまう。
Next, a description will be given of a case where a part of the chip 1 is actually cut off when such a chip 1 is formed on the wafer 100 as shown in FIG. FIG. 10 is a plan view showing an example of an incomplete chip 1b in which a chip is missing. As shown in FIG. 10, when a part of the chip 1 is chipped to become an incomplete chip 1b, the test pad 3c provided at a corner of the chip 1b is lost or becomes incomplete.

【0050】したがって、このチップ1のコーナーに設
けたテスト用パッド3cを用いたテストができなくなる
ため、当該テスト用パッド3cを使用してチップ1bの
テストを行うことで、不良の検出が可能となる。このよ
うに、チップ1のコーナーにチップ欠けを判別するため
のテスト用パッド3cを設け、そのパッド引き出し線1
1dによりインタフェース用パッド2と接続した、図9
に示すチップ1が、図17に示すどのような状態であっ
ても、テスト時に確実にリジェクトすることができる。
Therefore, the test using the test pads 3c provided at the corners of the chip 1 cannot be performed. Therefore, by testing the chip 1b using the test pads 3c, it is possible to detect a defect. Become. Thus, the test pad 3c for determining chip chipping is provided at the corner of the chip 1, and the pad lead-out line 1c is provided.
FIG. 9 shows a connection with the interface pad 2 by 1d.
17 can be reliably rejected at the time of the test, regardless of the state shown in FIG.

【0051】なお、この実施の形態3による半導体集積
回路装置は、チップ1のコーナーにチップ欠けを判別す
るためのテスト用パッド3cを設け、それをパッド引き
出し線11dによってインタフェース用パッド2と接続
するだけなので、その実現は容易なものである。
In the semiconductor integrated circuit device according to the third embodiment, a test pad 3c for determining chip chip is provided at a corner of the chip 1, and the test pad 3c is connected to the interface pad 2 by a pad lead-out line 11d. This is easy to achieve.

【0052】また、図20に示すように構成された従来
の半導体集積回路装置のチップ1に適用した場合におい
ても、チップ1のコーナーにチップ欠けを判別するため
のテスト用パッド3cを設けて、それをパッド引き出し
線11dによってインタフェース用パッド2と接続し、
回路1000のテストと同時に、そのテスト用パッド3
cを使用したテストを行うことにより、確実に不完全な
チップ1bをリジェクトすることが可能になるととも
に、この回路1000のテストで不完全なチップ1bの
リジェクトができれば、回路1001をテストするため
の時間が不要となり、テスト時間の増大を抑制すること
ができる。
Further, even when the present invention is applied to the chip 1 of the conventional semiconductor integrated circuit device configured as shown in FIG. 20, a test pad 3c for determining chip chip is provided at a corner of the chip 1, It is connected to the interface pad 2 by the pad lead line 11d,
Simultaneously with the test of the circuit 1000, its test pad 3
By performing the test using c, the incomplete chip 1b can be surely rejected, and if the incomplete chip 1b can be rejected in the test of the circuit 1000, the circuit 1001 can be rejected. No time is required, and an increase in test time can be suppressed.

【0053】さらに、このチップ1のコーナーに配置さ
れたテスト用パッド3cは、チップ欠けを判別するため
のものであって、アセンブリの際にボンディングをする
必要がないため、テスト用パッド3cの大きさを小さく
することができる。したがって、チップ1のコーナーに
プロセスやアセンブリのマークがあっても、このテスト
用パッド3cをチップ1のコーナーに配置することが可
能で、チップサイズが拡大するのを防ぐことができる。
Further, the test pads 3c arranged at the corners of the chip 1 are for determining chip chipping and do not need to be bonded at the time of assembly, so that the size of the test pads 3c is large. Can be reduced. Therefore, even if there is a process or assembly mark at the corner of the chip 1, the test pad 3c can be arranged at the corner of the chip 1, and the chip size can be prevented from increasing.

【0054】また、チップ1のコーナーに配置されたテ
スト用パッド3cは、パッド引き出し線11dによって
インタフェース用パッド2と接続されるため、インタフ
ェース用パッド2の配置に影響を与えることはない。こ
れは、内部回路からの配線の引き回しができないとき
や、ワイヤリングのルールなどでインタフェース用パッ
ド2を移動できないときに有利であり、チップサイズが
拡大するのを抑制することができる。
The test pads 3c arranged at the corners of the chip 1 are connected to the interface pads 2 by the pad lead lines 11d, so that the arrangement of the interface pads 2 is not affected. This is advantageous when wiring cannot be routed from the internal circuit or when the interface pad 2 cannot be moved due to wiring rules or the like, and it is possible to suppress an increase in chip size.

【0055】さらに、コーナーに配置されたテスト用パ
ッド3cを設けることで複数回のテストを可能にする。
すなわち、複数回のテストを必要とする、図20に示す
ような内部回路1000と1001からなるチップ1で
は、複数回のテスト時にインタフェース用パッド2に複
数回の針あてを行うことが必要となり、それによって当
該インタフェース用パッド2にダメージを与えてしま
い、それがボンディングに影響を及ぼすようなときに
は、それを防止するのに有効である。
Further, by providing the test pads 3c arranged at the corners, a plurality of tests can be performed.
That is, in the chip 1 including the internal circuits 1000 and 1001 as shown in FIG. 20 that requires a plurality of tests, it is necessary to perform the needle application to the interface pad 2 a plurality of times during the plurality of tests. As a result, the interface pad 2 may be damaged, and when it affects the bonding, it is effective in preventing the bonding.

【0056】以上のように、この実施の形態3によれ
ば、チップ欠けのある不完全なチップ1bをテスト時に
確実にリジェクトでき、チップサイズの拡大、およびテ
スト時間の増大を防止することが可能になるとともに、
複数回のテストにも耐えられる半導体集積回路装置が実
現できるという効果が得られる。
As described above, according to the third embodiment, an incomplete chip 1b having a chipped chip can be reliably rejected at the time of a test, and an increase in chip size and an increase in test time can be prevented. Along with
An effect is obtained that a semiconductor integrated circuit device that can withstand a plurality of tests can be realized.

【0057】なお、上記説明では、チップ欠けを判別す
るためのテスト用パッド3cは、チップ1のコーナーに
設けるものとしたが、図11に示すように、インタフェ
ース用パッド2がコーナーに配置されている場合には、
パッド引き出し線11dによって、コーナー以外に配置
されたテスト用パッド3cを当該インタフェース用パッ
ド2に接続するようにしてもよく、同様の効果を奏す
る。
In the above description, the test pads 3c for determining chip chipping are provided at the corners of the chip 1. However, as shown in FIG. 11, the interface pads 2 are arranged at the corners. If you have
The test pad 3c arranged at a position other than the corner may be connected to the interface pad 2 by the pad lead-out line 11d, and the same effect is obtained.

【0058】実施の形態4.図12はこの発明の実施の
形態4による半導体集積回路装置を構成するチップの一
例を示す平面図であり、相当部分には図1と同一符号を
付してその説明を省略する。図において、3dはチップ
欠けを判別するためのテスト用パッドであり、11eは
チップ1のコーナーに沿って配線されて、このテスト用
パッド3dをインタフェース用パッド2に接続している
パッド引き出し線である。したがって、テスト用パッド
3dは、このパッド引き出し線11e、インタフェース
用パッド2、およびパッド引き出し線11aを介して、
内部回路あるいは電源と接続されている。
Embodiment 4 FIG. 12 is a plan view showing an example of a chip constituting a semiconductor integrated circuit device according to a fourth embodiment of the present invention. The corresponding parts are denoted by the same reference numerals as in FIG. 1 and description thereof is omitted. In the figure, reference numeral 3d denotes a test pad for determining chip chipping, and 11e denotes a pad lead line which is wired along a corner of the chip 1 and connects the test pad 3d to the interface pad 2. is there. Therefore, the test pad 3d is connected to the pad lead line 11e, the interface pad 2, and the pad lead line 11a.
Connected to internal circuit or power supply.

【0059】次に、このようなチップ1が、図17に示
すようにウェハ100に作りこまれたときに、実際にチ
ップ1の一部が欠けた状態になった場合について説明す
る。図13はチップ欠けとなった不完全なチップ1bの
一例を示す平面図である。図13に示すように、チップ
1がその一部でチップ欠けとなった不完全なチップ1b
である場合には、チップ1bのコーナーに沿って配線さ
れたパッド引き出し線11eが切断される。
Next, a description will be given of a case where a part of the chip 1 is actually cut off when such a chip 1 is formed on the wafer 100 as shown in FIG. FIG. 13 is a plan view showing an example of an incomplete chip 1b in which a chip is missing. As shown in FIG. 13, an incomplete chip 1b in which the chip 1 is partially chipped.
In the case of, the pad lead-out line 11e wired along the corner of the chip 1b is cut.

【0060】このコーナーに沿って配線されたパッド引
き出し線11eは、チップ欠けを判別するためのテスト
用パッド3dとインタフェース用パッド2とを接続して
いるため、テスト用パッド3dを使用してチップ1のテ
ストを行うことでその切断を検出すれば、不良を検出す
ることが可能になる。このように、テスト用パッド3d
を設け、それをチップ1のコーナーに沿って配線したパ
ッド引き出し線11eによってインタフェース用パッド
2に接続された、図11に示すチップ1bが、図17に
示すどのような状態であっても、テスト時に確実にリジ
ェクトすることができる。
The pad lead-out line 11e wired along this corner connects the test pad 3d for determining chip chipping and the interface pad 2, so that the test pad 3d is used for the chip. If the disconnection is detected by performing the test 1, the defect can be detected. Thus, the test pad 3d
The chip 1b shown in FIG. 11, which is connected to the interface pad 2 by a pad lead wire 11e laid out along the corner of the chip 1 in the state shown in FIG. Sometimes it can be rejected reliably.

【0061】なお、この実施の形態4による半導体集積
回路装置は、チップ欠けを判別するためのテスト用パッ
ド3dを設け、それをチップ1のコーナーに沿って配線
したパッド引き出し線11eによってインタフェース用
パッド2と接続するだけなので、その実現は容易なもの
である。
In the semiconductor integrated circuit device according to the fourth embodiment, a test pad 3d for determining chip chipping is provided, and the test pad 3d is provided along a corner of the chip 1 by a pad lead-out line 11e. This is easy to implement because it is only connected to 2.

【0062】また、図20に示すように構成された従来
の半導体集積回路装置のチップ1に適用した場合にも、
チップ欠けを判別するためのテスト用パッド3dを設け
て、それをチップ1のコーナーに沿って配線されたパッ
ド引き出し線11eによって、インタフェース用パッド
2と接続し、回路1000の回路テストと同時に、その
テスト用パッド3dを使用したインタフェーステストを
行うことで、確実に不完全なチップ1bのリジェクトが
可能になるとともに、回路1000のテストでリジェク
トができれば回路1001をテストするための時間が不
要となり、テスト時間の増大を抑制することができる。
Also, when applied to a chip 1 of a conventional semiconductor integrated circuit device configured as shown in FIG.
A test pad 3d for determining chip chipping is provided, which is connected to the interface pad 2 by a pad lead wire 11e wired along a corner of the chip 1, and simultaneously with the circuit test of the circuit 1000, By performing an interface test using the test pad 3d, it is possible to reliably reject the incomplete chip 1b, and if the circuit 1000 can be rejected, the time for testing the circuit 1001 becomes unnecessary. An increase in time can be suppressed.

【0063】さらに、このチップ1のコーナーに配置さ
れたテスト用パッド3dは、チップ欠けを判別するため
のものであって、実施の形態3の場合と同様に、アセン
ブリの際にボンディングをする必要がないため、テスト
用パッド3dの大きさを小さくすることができる。ま
た、このテスト用パッド3dを、チップ1のコーナーに
沿って配線されたパッド引き出し線11eによって、イ
ンタフェース用パッド2と接続することにより、当該テ
スト用パッド3dをチップ1のコーナーに設ける必要を
なくしている。これは、チップ1のコーナーにプロセス
やアセンブリのマークがあったり、ワイヤリングのルー
ルなどでテスト用パッド3dをチップ1のコーナーに配
置できない場合に有利となり、チップサイズが拡大する
のを抑制することができる。
Further, the test pads 3d arranged at the corners of the chip 1 are for determining chip chipping, and need to be bonded at the time of assembly as in the case of the third embodiment. Therefore, the size of the test pad 3d can be reduced. Further, by connecting the test pad 3d to the interface pad 2 by a pad lead line 11e wired along the corner of the chip 1, it is not necessary to provide the test pad 3d at the corner of the chip 1. ing. This is advantageous when there are process or assembly marks at the corners of the chip 1 or when the test pads 3d cannot be arranged at the corners of the chip 1 due to wiring rules or the like, thereby suppressing an increase in chip size. it can.

【0064】また、チップ欠けを判別するためのテスト
用パッド3dは、パッド引き出し線11eによってイン
タフェース用パッド2と接続されるため、インタフェー
ス用パッド2の配置に影響を与えることはない。これ
は、内部回路からの配線の引き回しができないときや、
ワイヤリングのルールなどでインタフェース用パッド2
を移動できないときに有利であり、チップサイズが拡大
するのを抑制することができる。
Since the test pad 3d for determining chip chipping is connected to the interface pad 2 by the pad lead-out line 11e, it does not affect the arrangement of the interface pad 2. This is when wiring cannot be routed from the internal circuit,
Interface pad 2 according to wiring rules
This is advantageous when cannot be moved, and it is possible to suppress an increase in chip size.

【0065】さらに、このテスト用パッド3dを設ける
ことで、複数回のテストを可能にすることができる。す
なわち、複数回のテストを必要とする図20に示すよう
な内部回路1000と1001からなるチップ1では、
複数回のテスト時にインタフェース用パッド2に複数回
の針あてを行うことが必要となり、それによって当該イ
ンタフェース用パッド2にダメージを与えてしまい、そ
れがボンディングに影響を及ぼすようなときには、それ
を防止するのに有効である。
Further, by providing the test pad 3d, a plurality of tests can be performed. That is, in the chip 1 including the internal circuits 1000 and 1001 as shown in FIG.
It is necessary to apply the needle to the interface pad 2 a plurality of times during a plurality of tests, thereby damaging the interface pad 2 and preventing it from affecting the bonding. It is effective to do.

【0066】以上のように、この実施の形態4によれ
ば、チップ欠けのある不完全なチップ1bをテスト時に
確実にリジェクトでき、チップサイズの拡大、およびテ
スト時間の増大を防止することが可能になるとともに、
複数回のテストにも耐えられる半導体集積回路装置が実
現できるという効果が得られる。
As described above, according to the fourth embodiment, an incomplete chip 1b having a chip chip can be reliably rejected at the time of a test, and an increase in chip size and an increase in test time can be prevented. Along with
An effect is obtained that a semiconductor integrated circuit device that can withstand a plurality of tests can be realized.

【0067】実施の形態5.上記実施の形態4において
は、チップ1上にそのチップ欠けを判別するためのテス
ト用パッド3dを設けて、当該テスト用パッド3dとイ
ンタフェース用パッド2との間を接続しているパッド引
き出し線11eを、チップ1の各コーナーのそれぞれに
沿って配線した場合について説明したが、チップ欠けを
判別するためのテスト用パッド3dのうちのいくつか
を、上記実施の形態3の場合と同様の、チップ1のコー
ナーに配置したテスト用パッド3cで代替し、それをパ
ッド引き出し線11dによってインタフェース用パッド
2に接続するようにしてもよい。
Embodiment 5 In the fourth embodiment, a test pad 3d for determining chip lack is provided on the chip 1, and a pad lead-out line 11e connecting between the test pad 3d and the interface pad 2 is provided. Was described along each of the corners of the chip 1, but some of the test pads 3d for determining chip chipping were replaced with the same chip as in the third embodiment. Instead of the test pad 3c arranged at the first corner, the test pad 3c may be connected to the interface pad 2 by a pad lead line 11d.

【0068】図14はそのようなこの発明の実施の形態
5による半導体集積回路装置を構成するチップの一例を
示す平面図であり、この実施の形態5による半導体集積
回路装置は、上記実施の形態3および実施の形態4によ
る半導体集積回路装置を組み合わせたものである。な
お、各部には図9もしくは図12の相当部分と同一の符
号を付してその説明を省略する。
FIG. 14 is a plan view showing an example of a chip constituting such a semiconductor integrated circuit device according to the fifth embodiment of the present invention. The semiconductor integrated circuit device according to the fifth embodiment is different from the above-described embodiment. 3 and a semiconductor integrated circuit device according to the fourth embodiment. Note that the same reference numerals as in FIG. 9 or FIG. 12 denote the same parts, and a description thereof will be omitted.

【0069】図14に示すように、チップ1にはインタ
フェース用パッド2と、チップ欠けを判別するためのテ
スト用パッド3cおよび3dとが配置されている。その
インタフェース用パッド2はパッド引き出し線11aに
よって内部回路あるいは電源と接続されている。また、
コーナーに配置されたテスト用パッド3cはパッド引き
出し線11dにてインタフェース用パッド2と接続さ
れ、それ以外のテスト用パッド3dはチップ1のコーナ
ーに沿って配線されたパッド引き出し線11eによって
インタフェース用パッド2と接続されている。
As shown in FIG. 14, the chip 1 is provided with interface pads 2 and test pads 3c and 3d for determining chip chipping. The interface pad 2 is connected to an internal circuit or a power supply by a pad lead line 11a. Also,
The test pads 3c arranged at the corners are connected to the interface pads 2 by pad lead lines 11d, and the other test pads 3d are connected to the interface pads by pad lead lines 11e wired along the corners of the chip 1. 2 is connected.

【0070】なお、この実施の形態5においても、上記
実施の形態3および実施の形態4と同様に、テスト時に
チップ欠けのある不完全なチップ1bの確実なリジェク
トが行え、チップサイズの拡大、およびテスト時間の増
大を防止できるとともに、複数回のテストにも耐えられ
る半導体集積回路装置が実現できるという効果が得ら
れ、さらに、チップ1のコーナーにはテスト用パッド3
cを配置することも、テスト用パッド3dからのパッド
引き出し線11eを配線することも可能になるため、設
計の自由度を向上させることができるなどの効果が得ら
れる。
In the fifth embodiment, as in the third and fourth embodiments, an incomplete chip 1b having a chip chip can be surely rejected at the time of a test, and the chip size can be increased. And an increase in test time can be prevented, and a semiconductor integrated circuit device that can withstand a plurality of tests can be realized.
Since it is possible to arrange c and to arrange the pad lead-out line 11e from the test pad 3d, it is possible to obtain an effect that the degree of freedom in design can be improved.

【0071】実施の形態6.上記各実施の形態において
は、チップ欠けを確実かつ容易に判別することができる
半導体集積回路装置について示したが、次に、そのよう
な半導体集積回路装置のチップ欠けを判別するためのテ
スト方法について説明する。この発明の実施の形態6に
よる半導体集積回路装置のテスト方法は、実施の形態1
から実施の形態5に示した構成の半導体集積回路装置お
いて、チップ欠けを判別するためのテスト用パッド3a
〜3dのインタフェーステストを行うものであり、図1
5および図16はそのテスト用パッド3a〜3dのイン
タフェーステスト方法について、その一例を示した説明
図である。
Embodiment 6 FIG. In each of the above embodiments, the semiconductor integrated circuit device capable of reliably and easily discriminating a chip is shown. Next, a test method for discriminating a chip in such a semiconductor integrated circuit device will be described. explain. The test method of a semiconductor integrated circuit device according to the sixth embodiment of the present invention is similar to that of the first embodiment.
In the semiconductor integrated circuit device having the structure shown in the fifth embodiment, a test pad 3a for determining chip chipping is provided.
1 to 3d are performed, and FIG.
FIGS. 5 and 16 are explanatory diagrams showing an example of an interface test method for the test pads 3a to 3d.

【0072】図15(a)に入力回路の保護回路の特性
を利用した、テスト用パッド3a〜3dを用いたインタ
フェーステスト方法を示し、図15(b)にその保護回
路の電圧V−電流I特性を示す。図15(a)におい
て、1はテストが行われるチップであり、2はインタフ
ェース用パッドである。3はチップ欠けを判別するため
のテスト用パッド3a〜3dを包括して示したものであ
り、それらのうちのいずれであってもよい。201はP
チャネルトランジスタ、202はNチャネルトランジス
タであり、それらによって入力回路が形成されている。
203はダイオードによる上記入力回路の保護回路であ
り、204はインタフェース用パッド2に接続されるG
ND電極である。
FIG. 15A shows an interface test method using the test pads 3a to 3d utilizing the characteristics of the protection circuit of the input circuit. FIG. 15B shows the voltage V-current I of the protection circuit. Show characteristics. In FIG. 15A, reference numeral 1 denotes a chip to be tested, and reference numeral 2 denotes an interface pad. Numeral 3 generally indicates test pads 3a to 3d for determining chip chipping, and any of them may be used. 201 is P
A channel transistor 202 is an N-channel transistor, which forms an input circuit.
Reference numeral 203 denotes a protection circuit for the input circuit using a diode, and reference numeral 204 denotes a G connected to the interface pad 2.
ND electrode.

【0073】チップ1にチップ欠けを判別するためのテ
スト用パッド3が配置され、それがPチャネルトランジ
スタ201とNチャネルトランジスタ202から構成さ
れる入力回路の入力(ゲート端子)に接続される。また
保護回路203の一方はその入力(アノード電極)がテ
スト用パッド3に接続され、他方はその出力(カソード
電極)がテスト用パッド3に接続されている。入力回路
を構成するNチャネルトランジスタ202のソース電極
はインタフェース用パッド2に接続されている。インタ
フェーステスト時に、このインタフェース用パッド2を
GND電極204に接続して、図15(b)に示した保
護回路203の電圧V−電流I特性(ダイオード特性)
を測定し、インタフェースの確認を行う。
A test pad 3 for judging chip chipping is arranged on chip 1, and is connected to an input (gate terminal) of an input circuit composed of P-channel transistor 201 and N-channel transistor 202. One of the protection circuits 203 has its input (anode electrode) connected to the test pad 3, and the other has its output (cathode electrode) connected to the test pad 3. The source electrode of the N-channel transistor 202 constituting the input circuit is connected to the interface pad 2. At the time of the interface test, the interface pad 2 is connected to the GND electrode 204, and the voltage V-current I characteristic (diode characteristic) of the protection circuit 203 shown in FIG.
Is measured and the interface is confirmed.

【0074】ここで、上記説明では入力回路のインタフ
ェースの確認について述べたが、出力回路のインタフェ
ースの確認であってもよい。なお、出力回路の場合に
は、保護回路あるいは出力のトランジスタの電圧V−電
流I特性(ダイオード特性)を測定してインタフェース
を確認する。
Here, in the above description, confirmation of the interface of the input circuit has been described, but confirmation of the interface of the output circuit may be performed. In the case of an output circuit, the interface is confirmed by measuring the voltage V-current I characteristic (diode characteristic) of the protection circuit or the output transistor.

【0075】また、図16(a)にチップ欠けを判別す
るためのテスト用パッド3に接続される別のインタフェ
ース用パッド2との間のショートを確認するテスト用パ
ッド3のインタフェーステスト方法を示し、図16
(b)にその電圧V−電流I特性(ショート特性)示
す。なお、図16(a)の各部には図15(a)の相当
部分と同一の符号を付してその説明を省略する。
FIG. 16A shows an interface test method of the test pad 3 for confirming a short circuit with another interface pad 2 connected to the test pad 3 for determining chip chipping. FIG.
(B) shows the voltage V-current I characteristic (short characteristic). Note that the same reference numerals as in FIG. 15A denote the same parts in FIG. 16A, and a description thereof will be omitted.

【0076】インタフェーステスト時にインタフェース
用パッド2をGND電極204に接続して、チップ1の
テスト用パッド3に電圧Vを印加する。図16(b)に
示した、そのときの電圧V−電流I特性(ショート特
性)を測定して、インタフェースの確認を行う。
At the time of the interface test, the interface pad 2 is connected to the GND electrode 204, and a voltage V is applied to the test pad 3 of the chip 1. The voltage V-current I characteristic (short characteristic) at that time shown in FIG. 16B is measured to confirm the interface.

【0077】以上のように、この実施の形態6によれ
ば、チップ欠けを判別するためのテスト用パッド3のイ
ンタフェーステストとして、ダイオード特性を確認する
方法、あるいはショート特性を確認する方法を用いるこ
とで、簡単なテストで不完全なチップ1bを確実にリジ
ェクトすることが可能となり、またその確認を短時間で
行えるなどの効果が得られる。
As described above, according to the sixth embodiment, a method for confirming diode characteristics or a method for confirming short-circuit characteristics is used as an interface test of test pad 3 for determining chip chipping. Thus, an incomplete chip 1b can be reliably rejected by a simple test, and the effect of confirming the rejection in a short time can be obtained.

【0078】[0078]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、チッ
プ上に設けたテスト用パッドにチップの内部回路あるい
は電源を、チップのコーナーに沿って配線されたパッド
引き出し線にて接続するように構成したので、チップ欠
けのある不完全なチップを、テスト時に確実にリジェク
トすることができ、さらにチップサイズの拡大の抑制、
およびテスト時間の増大の防止が可能な半導体集積回路
装置が得られる効果がある。
As described above, according to the present invention, an internal circuit or a power supply of a chip is connected to a test pad provided on the chip by a pad lead line wired along a corner of the chip. Incomplete chip with chip missing can be reliably rejected at the time of testing, further suppressing chip size expansion,
In addition, a semiconductor integrated circuit device capable of preventing an increase in test time can be obtained.

【0079】この発明によれば、内部回路または電源
に、チップのコーナーに沿って配線されたパッド引き出
し線で接続されたテスト用パッドと、チップのコーナー
に配置されたテスト用パッドとを混在させるように構成
したので、テスト時に不完全なチップを確実にリジェク
トでき、チップサイズの拡大、およびテスト時間の増大
を防止することが可能になるとともに、設計の自由度も
向上するなどの効果がある。
According to the present invention, the internal circuit or the power supply mixes the test pads connected by the pad lead wires wired along the corners of the chip and the test pads arranged at the corners of the chip. With this configuration, incomplete chips can be reliably rejected at the time of testing, and it is possible to prevent an increase in chip size and test time, and to improve design flexibility. .

【0080】この発明によれば、チップ上に設けたテス
ト用パッドとインタフェース用パッドとを、パッド引き
出し線によって接続するように構成したので、テスト時
に不完全なチップを確実にリジェクトでき、チップサイ
ズの拡大、およびテスト時間の増大を防止することが可
能になるとともに、複数回のテストに対する耐久性も向
上するなどの効果がある。
According to the present invention, since the test pad and the interface pad provided on the chip are connected by the pad lead-out line, an incomplete chip can be surely rejected at the time of the test, and the chip size can be reduced. It is possible to prevent an increase in test time and an increase in test time, and also to improve the durability against a plurality of tests.

【0081】この発明によれば、パッド引き出し線によ
ってインタフェース用パッドに接続されたテスト用パッ
ドを、チップのコーナーに配置するように構成したの
で、テスト時に不完全なチップを確実にリジェクトで
き、チップサイズの拡大、およびテスト時間の増大を防
止することが可能になるとともに、複数回のテストに対
する耐久性も向上するなどの効果がある。
According to the present invention, the test pad connected to the interface pad by the pad lead-out line is arranged at the corner of the chip, so that an incomplete chip can be reliably rejected at the time of testing. It is possible to prevent an increase in size and an increase in test time, and to improve the durability against a plurality of tests.

【0082】この発明によれば、テスト用パッドを、チ
ップのコーナーに沿って配線されたパッド引き出し線を
介してインタフェース用パッドに接続するように構成し
たので、テスト時に不完全なチップを確実にリジェクト
でき、チップサイズの拡大、およびテスト時間の増大を
防止することが可能になるとともに、複数回のテストに
対する耐久性も向上するなどの効果がある。
According to the present invention, the test pad is connected to the interface pad via the pad lead-out line arranged along the corner of the chip, so that an incomplete chip can be surely removed during the test. Rejection is possible, and it is possible to prevent an increase in chip size and an increase in test time, and to improve the durability against a plurality of tests.

【0083】この発明によれば、チップのコーナー沿っ
て配線されたパッド引き出し線にてインタフェース用パ
ッドに接続されたテスト用パッドと、チップのコーナー
に配置されたテスト用パッドとを混在させるように構成
したので、テスト時に不完全なチップを確実にリジェク
トでき、チップサイズの拡大、およびテスト時間の増大
も防止可能で、複数回のテストにも耐えられるようにな
るとともに、設計の自由度も向上するなどの効果があ
る。
According to the present invention, the test pads connected to the interface pads by the pad lead wires arranged along the corners of the chip and the test pads arranged at the corners of the chip are mixed. With this configuration, imperfect chips can be reliably rejected during testing, chip size and test time can be prevented, so that it can withstand multiple tests and design flexibility is improved. There are effects such as doing.

【0084】この発明によれば、テスト用パッドのイン
タフェーステストとして、ダイオード特性を確認する方
法、あるいはショート特性を確認する方法を用いるよう
に構成したので、簡単なテストで不完全なチップを確実
にリジェクトすることができ、またその確認を短時間で
行える半導体集積回路装置のテスト方法が得られる効果
がある。
According to the present invention, a method for confirming the diode characteristics or a method for confirming the short-circuit characteristics is used as the interface test of the test pad. There is an effect that a test method for a semiconductor integrated circuit device which can be rejected and can be confirmed in a short time can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明の実施の形態1による半導体集積回
路装置のチップの一例を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing an example of a chip of a semiconductor integrated circuit device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 実施の形態1における不完全なチップの一例
を示す平面図である。
FIG. 2 is a plan view showing an example of an incomplete chip according to the first embodiment.

【図3】 実施の形態1におけるチップのコーナー部の
一例を拡大して示した部分平面図である。
FIG. 3 is an enlarged partial plan view showing an example of a corner portion of the chip according to the first embodiment;

【図4】 実施の形態1におけるチップのコーナー部の
他の例を拡大して示した部分平面図である。
FIG. 4 is an enlarged partial plan view showing another example of the corner portion of the chip according to the first embodiment;

【図5】 この発明の実施の形態2による半導体集積回
路装置のチップの一例を示す平面図である。
FIG. 5 is a plan view showing an example of a chip of a semiconductor integrated circuit device according to a second embodiment of the present invention.

【図6】 実施の形態2における不完全なチップの一例
を示す平面図である。
FIG. 6 is a plan view showing an example of an incomplete chip according to the second embodiment.

【図7】 実施の形態2におけるチップのコーナー部の
一例を拡大して示した部分平面図である。
FIG. 7 is an enlarged partial plan view showing an example of a corner portion of a chip according to a second embodiment.

【図8】 実施の形態2におけるチップのコーナー部の
他の例を拡大して示した部分平面図である。
FIG. 8 is an enlarged partial plan view showing another example of the corner portion of the chip according to the second embodiment.

【図9】 この発明の実施の形態3による半導体集積回
路装置のチップの一例を示す平面図である。
FIG. 9 is a plan view showing an example of a chip of a semiconductor integrated circuit device according to a third embodiment of the present invention.

【図10】 実施の形態3における不完全なチップの一
例を示す平面図である。
FIG. 10 is a plan view showing an example of an incomplete chip according to a third embodiment.

【図11】 実施の形態3における半導体集積回路装置
のチップの他の例を示す平面図である。
FIG. 11 is a plan view showing another example of the chip of the semiconductor integrated circuit device according to the third embodiment.

【図12】 この発明の実施の形態4による半導体集積
回路装置のチップの一例を示す平面図である。
FIG. 12 is a plan view showing an example of a chip of a semiconductor integrated circuit device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図13】 実施の形態4における不完全なチップの一
例を示す平面図である。
FIG. 13 is a plan view showing an example of an incomplete chip according to the fourth embodiment.

【図14】 この発明の実施の形態5による半導体集積
回路装置のチップの一例を示す平面図である。
FIG. 14 is a plan view showing an example of a chip of a semiconductor integrated circuit device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図15】 この発明の実施の形態6による半導体集積
回路装置のテスト方法の一例を示す説明図である。
FIG. 15 is an explanatory diagram showing an example of a test method for a semiconductor integrated circuit device according to a sixth embodiment of the present invention.

【図16】 この発明の実施の形態6による半導体集積
回路装置のテスト方法の他の例を示す説明図である。
FIG. 16 is an explanatory diagram showing another example of the test method of the semiconductor integrated circuit device according to the sixth embodiment of the present invention.

【図17】 この発明および従来の半導体集積回路装置
の製造過程におけるチップのウェハへの配置例を示す平
面図である。
FIG. 17 is a plan view showing an example of arranging chips on a wafer in the process of manufacturing the semiconductor integrated circuit device of the present invention and the conventional one.

【図18】 従来の半導体集積回路装置のチップの一例
を示す平面図である。
FIG. 18 is a plan view showing an example of a chip of a conventional semiconductor integrated circuit device.

【図19】 図18に示した従来の半導体集積回路装置
の不完全なチップの一例を示す平面図である。
19 is a plan view showing an example of an incomplete chip of the conventional semiconductor integrated circuit device shown in FIG.

【図20】 従来の半導体集積回路装置のチップの他の
例を示す平面図である。
FIG. 20 is a plan view showing another example of a chip of a conventional semiconductor integrated circuit device.

【図21】 図20に示した従来の半導体集積回路装置
の不完全なチップの一例を示す平面図である。
21 is a plan view showing an example of an incomplete chip of the conventional semiconductor integrated circuit device shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 チップ、2 インタフェース用パッド、3,3a〜
3d テスト用パッド、11a〜11e パッド引き出
し線、203 保護回路。
1 chip, 2 interface pads, 3, 3a ~
3d test pad, 11a to 11e pad lead wire, 203 protection circuit.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤井 信行 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 松尾 政明 長崎県諫早市貝津町1830番地25 イサハヤ 電子株式会社内 Fターム(参考) 2G032 AA01 AB00 AD08 AE14 AK00 AK11 AL00 4M106 AA02 AC02 AC04 AC07 AD23 BA14 CA01 CA16 CA70  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Nobuyuki Fujii, 2-3-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo, Japan Mitsui Electric Co., Ltd. Company F term (reference) 2G032 AA01 AB00 AD08 AE14 AK00 AK11 AL00 4M106 AA02 AC02 AC04 AC07 AD23 BA14 CA01 CA16 CA70

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 チップ上に形成され、当該チップの内部
回路あるいは電源とパッド引き出し線にて接続されてい
るインタフェース用パッドと、 前記インタフェース用パッドとは別に前記チップ上に設
けられた、当該チップのチップ欠けを判別するためのテ
スト用パッドと、 前記チップのコーナーに沿って配線されて、前記テスト
用パッドを前記内部回路あるいは電源に接続するための
パッド引き出し線とを備えた半導体集積回路装置。
An interface pad formed on a chip and connected to an internal circuit or a power supply of the chip by a pad lead line, and the chip provided on the chip separately from the interface pad A semiconductor integrated circuit device comprising: a test pad for determining chip chipping; and a pad lead line wired along a corner of the chip to connect the test pad to the internal circuit or a power supply. .
【請求項2】 チップ上に形成され、当該チップの内部
回路あるいは電源とパッド引き出し線にて接続されてい
るインタフェース用パッドと、 前記インタフェース用パッドとは別に前記チップ上に設
けられた、当該チップのチップ欠けを判別するためのテ
スト用パッドと、 前記チップのコーナーに沿って配線されて、前記テスト
用パッドを前記内部回路あるいは電源に接続するための
パッド引き出し線と、 前記チップ上のコーナーに配置されて、前記テスト用パ
ッドおよび前記インタフェース用パッドとは別の、当該
チップのチップ欠けを判別するためのテスト用パッド
と、 前記チップ上のコーナーに配置されたテスト用パッド
を、前記内部回路あるいは電源と接続するためのパッド
引き出し線とを備えた半導体集積回路装置。
2. An interface pad formed on a chip and connected to an internal circuit or power supply of the chip by a pad lead line; and the chip provided on the chip separately from the interface pad. A test pad for determining chip chipping; a pad lead wire wired along a corner of the chip to connect the test pad to the internal circuit or a power supply; and a corner on the chip. A test pad for determining chip chipping of the chip, which is different from the test pad and the interface pad, and a test pad arranged at a corner on the chip; Alternatively, a semiconductor integrated circuit device including a pad lead line for connecting to a power supply.
【請求項3】 チップ上に形成され、当該チップの内部
回路あるいは電源とパッド引き出し線にて接続されてい
るインタフェース用パッドと、 前記インタフェース用パッドとは別に前記チップ上に設
けられた、当該チップのチップ欠けを判別するためのテ
スト用パッドと、 前記テスト用パッドを前記インタフェース用パッドに接
続するためのパッド引き出し線とを備えた半導体集積回
路装置。
3. An interface pad formed on the chip and connected to an internal circuit or power supply of the chip by a pad lead line; and the chip provided on the chip separately from the interface pad. A semiconductor integrated circuit device comprising: a test pad for determining chip chipping; and a pad lead-out line for connecting the test pad to the interface pad.
【請求項4】 チップのチップ欠けを判別するためのテ
スト用パッドを、前記チップのコーナーに配置したこと
を特徴とする請求項3記載の半導体集積回路装置。
4. The semiconductor integrated circuit device according to claim 3, wherein test pads for determining chip chipping of the chip are arranged at corners of said chip.
【請求項5】 チップのチップ欠けを判別するためのテ
スト用パッドが接続されているパッド引き出し線を、前
記チップのコーナーに沿って配線したことを特徴とする
請求項3記載の半導体集積回路装置。
5. The semiconductor integrated circuit device according to claim 3, wherein pad lead lines to which test pads for determining chip chipping of the chip are connected are wired along corners of said chip. .
【請求項6】 チップのチップ欠けを判別するためのテ
スト用パッドの一部を、前記チップのコーナーに配置す
るとともに、 残りの前記テスト用パッドが接続されているパッド引き
出し線を、前記チップのコーナーに沿って配線したこと
を特徴とする請求項3記載の半導体集積回路装置。
6. A part of a test pad for determining chip chipping of a chip is arranged at a corner of the chip, and a pad lead wire to which the remaining test pads are connected is connected to the chip. 4. The semiconductor integrated circuit device according to claim 3, wherein wiring is performed along the corner.
【請求項7】 チップのチップ欠けを判別するためのテ
スト用パッドを用いて、チップのチップ欠けを判別し、
不完全なチップをリジェクトするための半導体集積回路
装置のテスト方法において、 前記テスト用パッドのインタフェーステストとして、前
記チップの内部回路の保護回路のダイオード特性、もし
くは、前記テスト用パッドにおけるショート特性を確認
することによって、前記チップのチップ欠けの判別を行
うことを特徴とする半導体集積回路装置のテスト方法。
7. Using a test pad for determining chip chipping of a chip, determining chip chipping of the chip,
In a test method of a semiconductor integrated circuit device for rejecting an incomplete chip, a diode characteristic of a protection circuit of an internal circuit of the chip or a short-circuit characteristic of the test pad is confirmed as an interface test of the test pad. A test method for the semiconductor integrated circuit device, wherein the chip of the chip is determined.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1299545C (en) * 2002-02-19 2007-02-07 精工电子有限公司 Electronic device
US7307441B2 (en) 2002-05-15 2007-12-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Integrated circuit chips and wafers including on-chip test element group circuits, and methods of fabricating and testing same
JP2009054862A (en) * 2007-08-28 2009-03-12 Nec Electronics Corp Semiconductor device
US7700944B2 (en) 2004-03-26 2010-04-20 Nec Electronics Corporation Semiconductor wafer, semiconductor chip, and semiconductor chip inspection method
CN115881696A (en) * 2023-01-31 2023-03-31 广州粤芯半导体技术有限公司 Test structure and test method for detecting metal bottom internal cutting defects

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1299545C (en) * 2002-02-19 2007-02-07 精工电子有限公司 Electronic device
US7307441B2 (en) 2002-05-15 2007-12-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Integrated circuit chips and wafers including on-chip test element group circuits, and methods of fabricating and testing same
US7700944B2 (en) 2004-03-26 2010-04-20 Nec Electronics Corporation Semiconductor wafer, semiconductor chip, and semiconductor chip inspection method
JP2009054862A (en) * 2007-08-28 2009-03-12 Nec Electronics Corp Semiconductor device
CN115881696A (en) * 2023-01-31 2023-03-31 广州粤芯半导体技术有限公司 Test structure and test method for detecting metal bottom internal cutting defects

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