JP3624717B2 - Multichip module and test method thereof - Google Patents

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    • H01L2924/181Encapsulation

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、故障チップの検出、導体配線パターンのオープンをチェックするのに必要なスタンバイ電流測定、インサーキットテスト、リーク測定等の試験を精確に行うための構成を持つマルチチップモジュール(MCM)及びその試験方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
LSI、あるいはVLSIのパッケージには、1チップを有する通常パッケージがある。この複数の通常パッケージを用いプリント配線により接続した半導体回路装置は古くから知られている。このような通常パッケージによる半導体回路装置(以後、通常パッケージ回路という)ではチップ間の配線距離による信号遅延が大きく、高速化が妨げられるという問題があった。
これを改善するために、近年は、ベース基板に薄膜配線層を形成し、複数のベアチップを接続し高密度化したマルチチップモジュールの開発が急速に進んでいる。本発明はこのマルチチップモジュールに関するものである。通常パッケージ回路において、用いられるチップパッケージは通常チップ自体の試験は済んで良品保証がなされているものである。したがって、チップ自体のテスト、例えばスタンバイ電流測定などは通常パッケージ回路においては必要とはされない。一方、マルチチップモジュールでは、搭載するベアチップは一般に良品保証がなされていないものである。したがって、例えば搭載されているベアチップの良否を判定するのに有用なスタンバイ電流測定は必須のものとなる。
このように通常パッケージ回路とマルチチップモジュールとは異質な面があるため、マルチチップモジュールには通常パッケージ回路とは異なる特有の課題が生じることとなる。以下に従来技術とその課題について、もう少し詳細に説明する。
【0003】
従来、プリント基板上に実装される通常パッケージにおいて、プリント基板でのインサーキットテストでは、部品アイソレーションを行うために、抵抗素子等の追加が行なわれている(例えば特開平3−213000号公報)。
又、プリント基板上に実装される通常パッケージにおいて、上記のような抵抗素子等の追加を必要としないよう改良した従来技術として、被テスト部品に同一基板上の別部品から制御信号が結線されている場合の論理的分離が不可能な被テスト部品に対し、この制御信号を論理的に切断するために別々の電源供給源を設け対処する手法が提案されている(例えば特開平9−159728号公報)。
【0004】
上記通常パッケージ回路に比べて、マルチチップモジュールに関しては、上述の通常パッケージ回路と同様のDCテスト、ファンクションテストが実施され、チップ内部の故障はテストで不良と判定された場合のテストデータの内容を解析し故障チップを特定している。一般にマルチチップモジュール基板は、内部に電源プレーン層を持ち、共通電源として各ベアチップに供給している。従ってスタンバイ電流測定では、各ベアチップの合計した電流値を得、良/不良の判定を行なう。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
プリント基板上に実装される通常パッケージの前記従来例(特開平9−159728号公報)においては、図12に例示するように、電源供給源P12からのみ電源供給を行った時、パッケージ部品PKG1、PKG2が動作可能となり、パッケージ部品PKG3、PKG4は動作しない。したがって物理的には接続されているが、論理的にはパッケージ部品PKG3、PKG4は分離されているので、パッケージ部品PKG1、PKG2は、パッケージ部品PKG3、PKG4の影響を受けずテストデータを用いた期待値比較を行うテストが確実に実施可能になる。電源供給源P34からのみ電源供給を行った場合も前記と同様の動作となる。しかしスタンバイ電流測定値として、電源供給源P12、電源供給源P34の2つの測定値が得られるが、不良を示すフェィル値が返されたとき、2つの電源供給源P12、P34共、各々2つのチップ部品に電源を与えているため、どちらのチップ部品が不良なのか判断できない。続いてインサートキットテストを実施しても使用テストデータが故障部に対してのアクセスがないなど故障検出率の不足やインサーキットテスト時の入出力の電圧レベル(VIL,VIH,V0L,VOH)に影響を与えない不良の場合は、スタンバイ電流測定で検出されたフェイル値に対する故障チップを特定することはできない。
【0006】
上記プリント基板上に実装される通常パッケージは、基本的に良品保証されている。すなわちインサーキットテストを実施する目的は、主に実装不良検出のためである。一般にはプリント基板上にテストポイントを設け、被試験パッケージ専用のプローバーを用い、パッケージのピンにダイレクトにアクセス可能とした状態でインサーキットテストを実施する。このため不良パッケージが直接検出できる。すなわちここでは、DC測定は重要な意味をもたない。
【0007】
一方、マルチチップモジュールでは、上記プリント基板上に実装される通常パッケージとは異なり、DCテストが重要なテスト項目となる。その理由としては、
1.KGB(Known Good Die)が保証されていないベアチップを実装することがある。このためベアチップ内部故障を高い確率で検出するスタンバイ電流測定が必須である。
2.パッケージの小型化要求に加え、ボンディングワイヤー数が一般に多い。このため、ワイヤー部の不具合(オープン・ショート)の可能性が高い。従ってファンクションテストでは検出不可能な、ピン間抵抗性ショート検出(入力リーク、HIZリーク測定)をしなければならない。
【0008】
しかし、従来のように、複数チップが単一の電源を使用する構造にマルチチップモジュール基板内配線及び、測定系が構成されている時、スタンバイ電流測定だけでの故障チップ特定が不可能になるばかりでなく、複数チップの合計されたスタンバイ電流値でテスターは、良/不良(PASS/FAIL)を判断するため故障マルチチップモジュールを検出しない可能性もあった。スタンバイ電流測定とは、入出力ピンと内部ロジック、メモリなどすべての箇所につき動作させない状態で、電源・電圧のリーク値を測定しCMOSデバイスの故障判定をするものである。
図7に2つのチップ部品C1、C2を1つの電源供給源5でスタンバイ電流測定する従来例を示す。チップ部品各々のPASS値が10μA以下で2つ合わせたPASS値が20μA以下とし、電流測定器4から得られた値が25μAとすると不良結果は得られるが、チップC1あるいはC2の個別のスタンバイ電流は測定できないのでどちらのチップが不良なのかはからない。更に電流測定器4から得られた値が18μAとするとマルチチップモジュールとしては良品と判断されるが、チップC1からのスタンバイ電流が2μAでチップC2のスタンバイ電流が16μAのとき、チップ単体としてチップC2は10μAを超えているので不良品である。しかし、チップ個別のスタンバイ電流は測定されないので、この個別の不良は検出できない。
【0009】
又、マルチチップモジュールの基板内で複数ピン(パッド)を持つネットの、ピン間抵抗性ショート検査、ピン単位リーク検査においても不良個所特定は困難である。
ピン間抵抗性ショート検査及びピン間単体リーク検査とは、入力バッファとトライステートバッファのフローティング状態のピンに電圧を印加し、リーク電流を測定するものである。このときピン間抵抗性ショート検出のために残りの全ピンにはテストパターンを印加しておく。このリーク電流の測定はピン毎に順次実施される。
【0010】
図9は複数ピンを持つネットのリーク検査を1つの電源供給源15で行うマルチチップモジュールの従来例を示すものである。ピン番号12の順にリーク測定が実施される。このときアウタリード(図示せず)とベアチップのピンが1対1に対応していれば、故障ピンは明確になる。しかしネット10のようにベアチップC1とC2の入力ピン1に接続されている場合には、故障ピンの特定はできない。すなわち、ネット各々のPASS値が2μA以下で電流測定器13から得られた値が5μAとすると不良結果は得られるが、チップC1あるいはC2のどちらのピンが不良なのかはわからない。マルチチップモジュール内チップC1の出力ピン2からの出力をマルチチップモジュール内チップC2の入力ピン1へ入力している構成のネット11も同様の事態となる。
【0011】
一般にマルチチップモジュールでは多数のリードを必要とし、試験用の端子も必要となるが、試験用の端子を設置できるだけの余裕があれば良いが、足りない場合、マルチチップモジュールパッケージの設計の変更が必要になってくる。これは、コストとパッケージサイズの増大を招いてしまう。
【0012】
本発明は、マルチチップモジュールの試験における上記従来技術の問題点を解消するためになされたものである。
すなわち、本発明は、マルチチップモジュール内故障チップの特定と故障箇所の位置特定を確実に行うことのできる構造を持つマルチチップモジュールを得ることを課題とする。
又、本発明は、アウタリードの個数に余裕がない場合にも、実質的な端子数を確保できるアウタリードの構造を得ることを課題とする。
又、本発明は上記マルチチップモジュールに搭載されている各チップを個別に良否判定を行うことのできる試験方法を提供することを課題とする。
【0013】
本発明は、基板に複数のベアチップを実装したマルチチップモジュールにおいて、基板上の少なくとも2つ以上のベアチップに対し、個別に電源を供給する供給手段を設け、その電源の供給手段は、一方が各ベアチップの電源端子に接続され、他方がマルチチップモジュールの電源入力ピンに接続されるリード線を持つリードフレームを有し、隣接する2つのベアチップの電源端子からの2つのリード線が端子ピンのところで絶縁層を挟んで対向し、電気的に分離した1つのピンを形成した構成を有することを特徴とするものである。
【0015】
【作用】
本発明は、マルチチップモジュールが、基板上に実装された複数のベアチップに対し、個別に電源を供給する供給手段を設けた構成を有するので、このマルチチップモジュールの試験に際しては、測定系に各ベアチップに対応する電源供給源を個別にベアチップに接続し、被試験対象のベアチップのみに電源の供給をすることができるので、スタンバイ電流測定、リーク測定、インサーキット試験その他すべての試験が他チップの影響を受けることなく実施できる。更にベアチップ単体での測定となるため、マルチチップモジュール全体の動作を考慮する必要がなくなり、テストプログラム及び治具作製時間を短縮することができる。各種試験において、マルチチップモジュール内故障チップの特定と故障箇所の位置特定を確実に行うことができる。
【0016】
ベアチップ毎に個別の電源を有する構成としたとき、マルチチップモジュールのアウタリードにはチップの個数分だけ必要となり、それを設置できるだけのスペースを確保できない場合には、本発明のようにアウタリード1ピンに対し複数リードを絶縁層を介して集合させて1つのピンとして構成し、それらの複数のリードは別のベアチップの端子に接続された構造、例えば、図3のベアチップC3の電源用リードPN3とベアチップC4の電源用リードPN4をマルチチップモジュールの基板K1の同一辺の隣り合ったパッド位置に配線し、互いのリードフレームを同一アウターリード位置に絶縁体Z1を挟み上下に設置する構造とすることにより、ピン数を削減することができる。なお、実機で使用するマザーボードにマルチチップモジュールを実装する時は、自然に複数のリードPN3、PN4が半田H1によりショートするため、実装信頼性に関しても問題ない。好ましくは、マルチチップモジュール内の全チップ数に対し、電源供給源数が不足している場合に、測定系にスイッチを設け、電源供給先を順次切替えて電源を使用することによりひとつの電源供給源しか持っていなくても本発明による試験が可能である。又電源切替えのための構成を測定系にもたせたためマルチチップモジュールのサイズ拡大と信頼性低下を防ぐことができ測定手順も簡素となっている。
【0017】
【発明の実施の形態】
ルチチップモジュールによる半導体集積回路の例について説明する。図1はマルチチップモジュールの電気的な配線接続関係の概要を示す図であり、図2はそのマルチチップモジュールの電源供給パス及びマルチチップモジュールの基板内構成のイメージを示す図である。図1及び図2に示すように、この例のマルチチップモジュールモジュールM1は、薄膜多層配線層を有するマルチチップモジュール用の基板K1内に4個のベアチップC1乃至C4が搭載され、その薄膜多層配線層により高密度に接続されている。
【0018】
基板K1内の薄膜配線層の全ての導体配線パターンは基板K1の周辺部に設けた信号の入出力用のパッドに接続され、各パッドはリードフレームR1を介してアウタリードR2に接続されている。それぞれアウタリードR2によっ形成されるノードN1〜N9は、マルチチップモジュールの試験の際にベアチップや配線の動作状態を観測するのに利用される。ノードN1、N2、N5は入力動作のみの信号のためのノード、ノードN3、N4は信号の出力動作のみのノード、N6〜N9は信号の入出力可能な双方向属性を持つノードである。この時双方向属性を持つノードとは例えばN6は、ベアチップC1の出力、ベアチップC3の入力の組合せで双方向属性を持たせる。
基板K1内の電源部は、何れかの薄膜配線層に電源プレーンVP1〜VP4あるいは電源メッシュとしてチップ毎に個別に設けられている。図1及び図22において電源供給パスは太線で描いてあり、各チップ毎に個別に電源供給が可能なように、各チップの電源部は独立した別個のパッドに接続され、その電源用のパッドは前記信号の場合と同様にリードフレームR1を介してアウタリードR2に接続されている。マルチチップモジュールの試験に際しては、各チップへの電源供給源P1〜P4は、独立のパスPN1〜PN4よりアウタリードR2に接続され、さらにリードフレームR1と各ベアチップの電源用パッドを介して電源プレーンP1〜VP4に接続された構造により、各ベアチップに対して個別の独立した電源供給が可能となっている。
【0019】
基板K1内は、電源供給源に対しチップ毎専用の導体配線パターン、電源供給用内層接続経由孔、電源供給用内層分割領域等を使用して、独立した電源供給用ラインを測定系からチップの電源パッドまで接続させる。
この構成例によれば、マルチチップモジュールは、マルチチップ基板上のすべてのベアチップに対し、個別に電源を供給する供給手段を設けた構成を有するので、このマルチチップモジュールの試験に際しては、測定系に各ベアチップに対応する電源供給源を個別にベアチップに接続し、被試験対象のベアチップのみに電源の供給をすることができるので、スタンバイ電流測定、リーク測定、インサーキット試験その他すべての試験が他チップの影響を受けることなくな実施できる。更にベアチップ単体での測定となるため、マルチチップモジュール全体の動作を考慮する必要がなくなり、テストプログラム及び治具作製時間を短縮することができる。各種試験において、マルチチップモジュール内故障チップの特定と故障箇所の位置特定を確実に行うことができる。
【0020】
上記構成例のマルチチップモジュールのアウターリードにはチップの個数分だけの電源種類を必要個数分だけ設けなければならない。その時アウターリードの数(ピン数)に必要個数分の電源が設置できるだけの余裕があれば良いが、ピン数が足りない場合、マルチチップモジュールパッケージの変更が必要になってくる。これは、コストとパッケージサイズ増大を招いてしまう。
この問題点の解決をするために、本本発明の実施例は、図3に示すようなクワッド・フラット・パッケージ(QFP)構成とすると共にアウタリードの構造に工夫がなされている。チップC3の電源用リードPN3とチップC4の電源用リードPN4を基板K1の同一辺の隣り合ったパッド位置に配線し、互いのリードを同一アウターリード位置で絶縁体Z1を挟み上下に設置する。本リードフレーム構成をとることにより2電源ピンが1ピンで済み、マルチチップモジュールのピン数削減になる。テスト時の電源供給は、ピンの上下を各々プローブPB3、PB4することにより行なう。
【0021】
実機で使用するマザーボードにマルチチップモジュールを実装する時は、自然に上下のリードPN3、PN4が半田H1によりショートするため、実装信頼性に関しても問題ない。
加えて前記リードフレーム構成は、電源ピンだけでなく、一般信号のリードフレームとしても利用できる。この場合、基板に実装する際同一ノードになるため論理的には、実動作で使用しないテストピンが一般に対象となる。
【0022】
なお、実施例ではアウタリードが2個のリードが絶縁体Z1を介して上下に重ねた構造としたが、1個のアウタリードに対して長手方向にスリットを切り二股状態にし、両者間に絶縁体を挟む構造に変更実施することもできる。さらに、図4に示すように、4個のリードA、B、C、Dを絶縁体Zを介してつきあわせて1個のアウタリードとし、アウタリードの端部を折り曲げて表面実装が可能なような構造とすることもできる。この構造によれば、試験のためのアウタリードとしては4個のピンがあるのと同じとなり、他方、実装時には4個のリードはハンダの接合により電気的にも機構的にも1個のアウタリードとなる。したがって、アウタリードの設置スペースに余裕がなく、通常のアウターリードでは個別電源供給用のアウタリード数を確保できない場合でも、上記アウターリード構造とすることにより、試験用の個別の電源供給用の端子部を確保できることとなる。
【0023】
さらに、図5に示すようにリード挿入型の端子構造とすることもできる。この場合には、2個のリードA、Bを絶縁体を挟んで重ね合わせ、下方に湾曲させると共に、配線用孔に挿入しやすいように先端を先細りの形状とする。
【0024】
(マルチチップモジュールの試験方法)
図4は、前述の図1〜3に示すように電源を個別に供給可能とした構造のマルチチップモジュールパッケージを検査対象とするマルチチップモジュールの試験方法の手順の例を示すフロー図である。
マルチチップモジュールに搭載されたベアチップC1、C2、C3、C4は、順次1つずつ検査対象とする。そのため電源供給パスは、各ベアチップごとに残りのベアチップとは独立に測定用の電源供給源P1、P2、P3、P4と接続される。
【0025】
まず、テスト開始ベアチップのセットアップを行う(ステップS1)。すなわち、テストする1つのベアチップに対応する電源供給源をオンとし、他のテストベアチップの電源供給源はオフとする。例えば最初の被テストチップがチップC1の場合チップC1専用に接続されている電源供給源P1のみ起動し、電源供給パスPN1より電源が供給され、図4に示す手順でチップC1のテストが実施される。
前記開始チップのセットアップの次に検査対象ベアチップと測定系とのコンタクトチェックを行う(ステップS2)。コンタクトが正常であったときには、検査対象ベアチップの静消費電力測定いわゆるスタンバイ電流測定を行う(ステップS3)。スタンバイ電流測定は、図8に示すように、チップC1あるいはC2の電源供給部VDD1あるいはVDD2のへ電圧供給源8から電圧を印加し、それによってチップへ流れる電流を電流測定器6で計測することである。消費電力は、印加電圧と電流の計測値とからを算出する。
【0026】
スタンバイ電流が正常であれば、次にリーク測定を実施する(ステップS4)。リーク電流の計測は、図10に示すように、スイッチ16とスイッチ17を操作して被試験ベアチップ例えばC1のみに個別の専用の電源供給源18から電源の供給を行う。そして電源を供給した被試験ベアチップの信号用の全てのアウタリードにそれぞれのピンの機能に合った電圧を与えるテストパターンを印加した状態において、ピンに対して電圧源21から所定のレベルの電圧(VIL、VIH、VOL、VOH)を印加し、それによる電流を電流測定器20により測定する。このリーク電流の測定はピン1のビン番号12の順にすべての入力ピン1に対して次々と実施する。このリーク測定のテストの項目は、市販のLSIあるいはボードテスターで測定できる項目を実施するものとする。
【0027】
ステップS3のスタンバイ電流測定の結果、スタンバイ電流が正常ではなかったときは、ベアチップC1の以後のテストすなわちリーク測定(ステップS4)、インサーキットテスト(ステップS5)を実施せず次の未検査チップのテスト準備を行なう(ステップS6)。このときスタンバイ電流が異常に大きいような場合、テストを中止できるので、測定系及び被測定チップへの異常電流が生じるための破壊を防止することができる。
次に、リーク測定(ステップS4)において測定結果が正常を示すものであれば、インサーキットテスト(ステップS5)を実施する。インサーキットテストではテストデータを入力ピンから印加し、得られた出力データとあらかじめ準備した期待値データと比較して良否を判定する。
リーク測定でリーク異常ありのときは、インサーキットテストS5を実施せず、次の未検査チップのテスト準備を行なう(ステップS6)。
インサーキットテストも合格すればチップC1は良品となり、順次チップC2、チップC3、チップC4、の順でテストを続行する。
【0028】
以上に述べた本発明の試験方法の実施例によれば、チップ個別に電源を印加し、スタンバイ電流測定、リーク測定を実施するため、インサーキットテストと併用することにより、故障チップを特定することができる。その特定に際して、従来のように破壊検査などの不良解析をする必要はない。そのためテスト時間を短縮することができる。
又、チップ個別に電源を印加し、そのチップの故障の判断をすればよいので、故障判断のためのテストプログラムが簡単となり、プログラムの作成時間を短縮することができる。又、複数のチップが故障しているような多重故障の検出も容易となる。
あるチップの試験においてその他のチップには電源が印加されていないので、故障の判断に際して他のチップからのチップ制御信号を意識する必要はなく、インサーキットテスト方法の標準化が容易となる。
異なるチップの複数の入出力ピンに接続された信号線でも、信号が有効なのは被試験対象のチップだけであるので、特定チップの入出力ピンのリークを測定可能になる。
【0029】
上記の実施例の試験方法では、マルチチップモジュール内の4個のチップ数のそれぞれに対応して測定用の電源供給源P1、P2、P3、P4が設置されたが、マルチチップモジュールM1内のチップ数4に対し、電源供給源P1をひとつしか設置できない場合の構成を図11に示す。チップ数4個分の電源切替えスイッチSW1〜SW4を測定系に設置し、前記スイッチ群SW1〜SW4を被テストチップ電源印加の為に切替えてテストを行なう。
【0030】
【発明の効果】
本発明によれば、マルチチップモジュールは、ベアチップに対し、個別に電源を供給する供給手段を設けた構成を有するので、このマルチチップモジュールの試験に際しては、電源供給源を個別にベアチップに接続し、被試験対象のベアチップのみに電源の供給をすることができ、曳いてはマルチチップモジュール内故障チップの特定と故障箇所の位置特定を確実に行うことができる。そして、本発明によれば、1つのアウタリードに試験の際に複数の端子としての機能を持たせる構造を有するので、より少ないアウタリード数すなわちピン数で、電源や一般信号の入出力をまかなうことができる。
【0031】
本発明によれば、被試験対象のマルチチップモジュールは、ベアチップに対し、個別に電源を供給する供給手段を有し、電源供給源を個別にベアチップに接続できるので、必要な各種の試験が他チップの影響を受けることなく実施できる。更にベアチップ単体での測定となるため、マルチチップモジュール全体の動作を考慮する必要がなくなり、テストプログラム及び治具作製時間を短縮することができる。又、マルチチップモジュール内故障チップの特定と故障箇所の位置特定を確実に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】ルチチップモジュール基板の電源個別化の構成を示す図。
【図2】ルチチップモジュールの電源分割構造を示すイメージ図。
【図3】1リード(1ピン)で2ノードを担うリード構造の例を説明するための図。
【図4】1リードで4ノードを担う表面実装型の分割リード構造の例を示す図。
【図5】1リードで2ノードを担うリード挿入型の分割リード構造の例を示す図。試験の手順の一例を示す図。
【図6】本発明のマルチチップモジュールの試験方法の手順の一例を示すフロー図。
【図7】従来のマルチチップモジュールのスタンバイ電流の測定を説明するための図。
【図8】本発明のマルチチップモジュールのスタンバイ電流の測定を説明するための図。
【図9】従来のマルチチップモジュールの単独ネット(ピン)リーク電流の測定を説明するための図。
【図10】本発明のマルチチップモジュールの単独ネット(ピン)リーク電流の測定を説明するための図。
【図11】測定系の電源供給源がチップ数より少ない場合のマルチチップモジュールの試験方法を説明するための図。
【図12】プリント基板上に実装される通常パッケージにおける従来例の電源分割構成を示す図。
【図13】図12の通常パッケージの従来例における電源分割構造を示すイメージ図。
【符号の説明】
P1〜P4、P12、P34…電源供給源。 M1…マルチチップモジュール。M2…プリント基板。
PN1〜PN4、PN12、PN34…電源供給源からマルチチップモジュール内チップまでのパス。
C1〜C4…マルチチップモジュール内チップ。N1〜N8…各チップの外部からの入出力端子及び基板内一般信号。K1…基板。R1…リードフレーム。R2…外部リード。Z1…絶縁体。PB3、PB4…電源供給プローブ。H1…半田、
1…入力ピン、2…出力ピン、3…内部回路、4,6,7,13,20…電流測定器、5,8,9,14,15,18,19…電源供給源、10,11…ネット、12…ビン番号、16,17…スイッチ。
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a multi-chip module (MCM) having a configuration for accurately performing tests such as standby current measurement, in-circuit test, and leak measurement necessary for detecting a faulty chip and checking for openness of a conductor wiring pattern. It relates to the test method.
[0002]
[Prior art]
The LSI or VLSI package includes a normal package having one chip. Semiconductor circuit devices connected by printed wiring using a plurality of normal packages have been known for a long time. In such a semiconductor circuit device using a normal package (hereinafter referred to as a normal package circuit), there is a problem that a signal delay due to a wiring distance between chips is large and an increase in speed is hindered.
In order to improve this, in recent years, development of a multi-chip module in which a thin film wiring layer is formed on a base substrate and a plurality of bare chips are connected to increase the density has rapidly progressed. The present invention relates to this multichip module. In a normal package circuit, a chip package to be used is usually a product that has been tested for the chip itself and is guaranteed to be non-defective. Therefore, testing of the chip itself, such as standby current measurement, is not usually required in a package circuit. On the other hand, in a multi-chip module, a bare chip to be mounted is generally not guaranteed for a good product. Therefore, for example, standby current measurement useful for determining the quality of a mounted bare chip is essential.
As described above, since the normal package circuit and the multi-chip module have different surfaces, the multi-chip module has a unique problem different from that of the normal package circuit. The prior art and its problems will be described in more detail below.
[0003]
Conventionally, in a normal package mounted on a printed circuit board, in an in-circuit test on the printed circuit board, a resistance element or the like has been added in order to perform component isolation (for example, JP-A-3-213000). .
In addition, in a conventional package mounted on a printed circuit board, a control signal is connected to a component under test from another component on the same substrate as a conventional technique improved so that the addition of the resistance element as described above is not required. In order to logically cut off this control signal, a method has been proposed for dealing with components under test that cannot be logically separated when they are present (for example, JP-A-9-159728). Publication).
[0004]
Compared to the normal package circuit, the multi-chip module is subjected to the same DC test and function test as the normal package circuit described above. Analyzes and identifies faulty chips. In general, a multi-chip module substrate has a power plane layer inside and supplies it to each bare chip as a common power source. Therefore, in the standby current measurement, the total current value of each bare chip is obtained, and good / bad determination is performed.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
In the conventional example of the normal package mounted on the printed circuit board (Japanese Patent Laid-Open No. 9-159728), as illustrated in FIG. 12, when power is supplied only from the power supply source P12, the package component PKG1, PKG2 becomes operable, and package parts PKG3 and PKG4 do not operate. Therefore, although physically connected, the package parts PKG3 and PKG4 are logically separated, so that the package parts PKG1 and PKG2 are not affected by the package parts PKG3 and PKG4 and are expected to use test data. Tests that compare values can be reliably implemented. The same operation as described above is performed when power is supplied only from the power supply source P34. However, as the standby current measurement values, two measurement values of the power supply source P12 and the power supply source P34 are obtained. When a failure value indicating failure is returned, each of the two power supply sources P12 and P34 has two values. Since power is supplied to the chip parts, it cannot be determined which chip part is defective. Subsequently, even if the insert kit test is performed, the usage test data does not have access to the failed part, such as insufficient failure detection rate and the input / output voltage levels (VIL, VIH, V0L, VOH) during the in-circuit test. In the case of a defect that does not affect the failure chip, it is not possible to specify a failed chip for the fail value detected by the standby current measurement.
[0006]
A normal package mounted on the printed circuit board is basically guaranteed to be non-defective. In other words, the purpose of performing the in-circuit test is mainly to detect mounting defects. In general, a test point is provided on a printed circuit board, and a prober dedicated to the package under test is used to perform an in-circuit test in a state where the package pins can be directly accessed. For this reason, a defective package can be detected directly. That is, here, DC measurement has no significant meaning.
[0007]
On the other hand, in the multi-chip module, the DC test is an important test item, unlike the normal package mounted on the printed board. The reason is
1. There is a case where a bare chip for which KGB (Knowed Good Die) is not guaranteed is mounted. For this reason, standby current measurement for detecting a bare chip internal failure with high probability is essential.
2. In addition to the demand for smaller packages, the number of bonding wires is generally large. For this reason, the possibility of a defect (open / short) of the wire portion is high. Therefore, it is necessary to detect resistive shorts between pins (measurement of input leakage and HIZ leakage) that cannot be detected by the function test.
[0008]
However, when the multi-chip module substrate wiring and measurement system are configured in a structure in which a plurality of chips use a single power supply as in the past, it is impossible to identify a failed chip only by measuring the standby current. In addition, the tester may not detect a failed multi-chip module in order to determine good / bad (PASS / FAIL) based on the total standby current value of a plurality of chips. The standby current measurement is to determine the failure of the CMOS device by measuring the leak value of the power supply / voltage without operating the input / output pins, the internal logic, and the memory at all locations.
FIG. 7 shows a conventional example in which standby current measurement is performed on two chip components C1 and C2 with one power supply source 5. If the PASS value of each chip component is 10 μA or less and the combined PASS value is 20 μA or less and the value obtained from the current measuring device 4 is 25 μA, a failure result is obtained, but the individual standby current of the chip C1 or C2 It is not possible to determine which chip is defective because it cannot be measured. Further, when the value obtained from the current measuring device 4 is 18 μA, it is determined that the multi-chip module is a non-defective product. However, when the standby current from the chip C1 is 2 μA and the standby current of the chip C2 is 16 μA, the chip C2 as a single chip. Is inferior because it exceeds 10 μA. However, since the stand-by current of each chip is not measured, this individual failure cannot be detected.
[0009]
Also, it is difficult to identify a defective part in the inter-pin resistive short inspection and the pin unit leak inspection of the net having a plurality of pins (pads) in the substrate of the multichip module.
The inter-pin resistive short inspection and the inter-pin single leak inspection are those in which a voltage is applied to the floating pins of the input buffer and the tri-state buffer and the leakage current is measured. At this time, a test pattern is applied to all remaining pins in order to detect inter-pin resistive shorts. The measurement of the leakage current is sequentially performed for each pin.
[0010]
FIG. 9 shows a conventional example of a multichip module in which a single power supply source 15 performs a leak test on a net having a plurality of pins. Leak measurement is performed in the order of pin number 12. At this time, if the outer lead (not shown) and the pin of the bare chip have a one-to-one correspondence, the fault pin becomes clear. However, when it is connected to the input pins 1 of the bare chips C1 and C2 as in the net 10, the failure pin cannot be specified. That is, if the PASS value of each net is 2 μA or less and the value obtained from the current measuring device 13 is 5 μA, a failure result is obtained, but it is not known which pin of the chip C1 or C2 is defective. The net 11 having a configuration in which the output from the output pin 2 of the chip C1 in the multichip module is input to the input pin 1 of the chip C2 in the multichip module is the same situation.
[0011]
In general, multi-chip modules require a large number of leads and test terminals, but it is sufficient if there is enough room to install test terminals, but if this is not enough, the design of the multi-chip module package may be changed. It becomes necessary. This leads to an increase in cost and package size.
[0012]
The present invention has been made to solve the above-described problems of the prior art in the testing of multichip modules.
That is, an object of the present invention is to obtain a multichip module having a structure capable of reliably specifying a faulty chip in a multichip module and specifying a location of a fault location.
It is another object of the present invention to obtain an outer lead structure that can secure a substantial number of terminals even when the number of outer leads is not sufficient.
It is another object of the present invention to provide a test method capable of individually judging pass / fail of each chip mounted on the multichip module.
[0013]
The present invention relates to a multichip module in which a plurality of bare chips are mounted on a substrate. At least two Supply means to supply power to the bare chip individually The power supply means has a lead frame having one lead connected to the power supply terminal of each bare chip and the other connected to the power input pin of the multichip module, and the power supply of two adjacent bare chips. Two lead wires from the terminal are opposed to each other with the insulating layer sandwiched at the terminal pin, and one electrically isolated pin is formed. It is characterized by this.
[0015]
[Action]
Main departure Tomorrow The multi-chip module has a configuration that provides supply means for supplying power separately to multiple bare chips mounted on the board. When testing this multi-chip module, the measurement system supports each bare chip. The power supply source to be connected can be connected to the bare chip individually, and power can be supplied only to the bare chip to be tested, so standby current measurement, leak measurement, in-circuit test and all other tests are affected by other chips Can be implemented without Further, since the measurement is performed with a bare chip alone, it is not necessary to consider the operation of the entire multichip module, and the test program and jig manufacturing time can be shortened. In various tests, it is possible to reliably identify a faulty chip in the multichip module and a fault location.
[0016]
If each bare chip has a separate power supply, the outer leads of the multichip module are required by the number of chips, and if there is not enough space to install them, Mysterious In this way, a plurality of leads are assembled together via an insulating layer with respect to one pin of the outer lead to constitute one pin, and the plurality of leads are connected to terminals of another bare chip, for example, the bare chip C3 of FIG. The power supply lead PN3 and the power supply lead PN4 of the bare chip C4 are wired to adjacent pad positions on the same side of the substrate K1 of the multichip module, and the lead frames are placed up and down with the insulator Z1 sandwiched between the same outer lead positions. By adopting such a structure, the number of pins can be reduced. When the multichip module is mounted on the motherboard used in the actual machine, the plurality of leads PN3 and PN4 are naturally short-circuited by the solder H1, so that there is no problem with the mounting reliability. Preferably, when the number of power supply sources is insufficient with respect to the total number of chips in the multichip module, a switch is provided in the measurement system, and one power supply is provided by sequentially switching the power supply destination and using the power supply. Tests according to the present invention are possible even if they have only the source. Further, since the configuration for switching the power supply is provided in the measurement system, the size of the multichip module can be prevented from being increased and the reliability can be prevented, and the measurement procedure can be simplified.
[0017]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Ma Semiconductor integrated circuit with multichip module Example Will be described. FIG. 1 is a diagram showing an outline of the electrical wiring connection relationship of the multichip module, and FIG. 2 is a diagram showing an image of the power supply path of the multichip module and the in-substrate configuration of the multichip module. As shown in Figs. Example In the multichip module module M1, four bare chips C1 to C4 are mounted in a multichip module substrate K1 having a thin film multilayer wiring layer, and are connected with high density by the thin film multilayer wiring layer.
[0018]
All the conductor wiring patterns of the thin film wiring layer in the substrate K1 are connected to signal input / output pads provided in the periphery of the substrate K1, and each pad is connected to the outer lead R2 via the lead frame R1. The nodes N1 to N9 formed by the outer leads R2 are used for observing the operation state of the bare chip and the wiring when testing the multichip module. Nodes N1, N2, and N5 are nodes for signals only for input operations, nodes N3 and N4 are nodes for only signal output operations, and N6 to N9 are nodes having bidirectional attributes capable of inputting and outputting signals. At this time, the node having the bidirectional attribute, for example, N6 gives the bidirectional attribute by a combination of the output of the bare chip C1 and the input of the bare chip C3.
The power supply unit in the substrate K1 is individually provided for each chip as a power supply plane VP1 to VP4 or a power supply mesh on any thin film wiring layer. 1 and 22, the power supply path is drawn with a thick line, and the power supply portion of each chip is connected to an independent and separate pad so that power can be individually supplied to each chip. Is connected to the outer lead R2 via the lead frame R1 as in the case of the signal. In the test of the multichip module, the power supply sources P1 to P4 to each chip are connected to the outer lead R2 through independent paths PN1 to PN4, and further the power plane P1 through the lead frame R1 and the power pads of each bare chip. With the structure connected to VP4, it is possible to supply power independently to each bare chip.
[0019]
In the substrate K1, an independent power supply line is connected from the measurement system to the chip using a conductor wiring pattern dedicated to each chip, a power supply inner layer connection via hole, an inner layer divided region for power supply, and the like for the power supply source. Connect to the power pad.
According to this configuration example, the multi-chip module has a configuration in which supply means for individually supplying power to all bare chips on the multi-chip substrate is provided. In addition, the power supply source corresponding to each bare chip can be individually connected to the bare chip, and power can be supplied only to the bare chip to be tested, so standby current measurement, leak measurement, in-circuit test and all other tests It can be implemented without being affected by the chip. Further, since the measurement is performed with a bare chip alone, it is not necessary to consider the operation of the entire multichip module, and the test program and jig manufacturing time can be shortened. In various tests, it is possible to reliably identify a faulty chip in the multichip module and a fault location.
[0020]
Of the above configuration example The outer leads of the multichip module must be provided with as many power supply types as there are chips. At that time, the number of outer leads (number of pins) need only be enough to install the required number of power supplies, but if the number of pins is insufficient, the multichip module package must be changed. This leads to an increase in cost and package size.
In order to solve this problem, the embodiment of the present invention has a quad flat package (QFP) structure as shown in FIG. 3 and a structure of the outer lead. The power supply lead PN3 of the chip C3 and the power supply lead PN4 of the chip C4 are wired to adjacent pad positions on the same side of the substrate K1, and the respective leads are installed above and below the insulator Z1 at the same outer lead position. By adopting this lead frame configuration, two power supply pins are sufficient, and the number of pins of the multichip module is reduced. The power supply during the test is performed by using probes PB3 and PB4 on the top and bottom of the pin, respectively.
[0021]
When a multichip module is mounted on a motherboard used in an actual machine, the upper and lower leads PN3 and PN4 are naturally short-circuited by the solder H1, so that there is no problem with respect to mounting reliability.
In addition, the lead frame configuration can be used not only as a power supply pin but also as a general signal lead frame. In this case, since they become the same node when mounted on the substrate, logically, test pins that are not used in actual operation are generally targeted.
[0022]
In addition, Example The outer lead has a structure in which two leads are stacked one above the other through an insulator Z1, but the structure is changed to a structure in which a slit is cut in the longitudinal direction with respect to one outer lead and the insulator is sandwiched between the two. It can also be implemented. Further, as shown in FIG. 4, the four leads A, B, C, and D are put together through an insulator Z to form one outer lead, and the end portion of the outer lead can be bent to perform surface mounting. It can also be a structure. According to this structure, the outer lead for testing is the same as having four pins. On the other hand, when mounting, the four leads are electrically and mechanically connected to one outer lead by soldering. Become. Therefore, even when the outer lead installation space is not enough and the number of outer leads for individual power supply cannot be secured with normal outer leads, the above-mentioned outer lead structure makes it possible to provide individual power supply terminals for testing. It can be secured.
[0023]
Further, as shown in FIG. 5, a lead insertion type terminal structure may be adopted. In this case, the two leads A and B are overlapped with an insulator interposed therebetween, bent downward, and the tip is tapered to facilitate insertion into the wiring hole.
[0024]
(Test method for multi-chip module)
FIG. 4 is a flowchart showing an example of a procedure of a test method for a multi-chip module in which a multi-chip module package having a structure in which power can be individually supplied as shown in FIGS.
The bare chips C1, C2, C3, and C4 mounted on the multichip module are sequentially inspected one by one. Therefore, the power supply path is connected to the measurement power supply sources P1, P2, P3, and P4 for each bare chip independently of the remaining bare chips.
[0025]
First, a test start bare chip is set up (step S1). That is, the power supply source corresponding to one bare chip to be tested is turned on, and the power supply sources of the other test bare chips are turned off. For example, when the first chip to be tested is the chip C1, only the power supply source P1 connected exclusively for the chip C1 is activated, power is supplied from the power supply path PN1, and the test of the chip C1 is performed according to the procedure shown in FIG. The
Following the setup of the starting chip, a contact check is performed between the bare chip to be inspected and the measurement system (step S2). When the contact is normal, the static power consumption measurement of the bare chip to be inspected, so-called standby current measurement is performed (step S3). In the standby current measurement, as shown in FIG. 8, a voltage is applied from the voltage supply source 8 to the power supply part VDD1 or VDD2 of the chip C1 or C2, and thereby the current flowing to the chip is measured by the current measuring device 6. It is. The power consumption is calculated from the applied voltage and the measured current value.
[0026]
If the standby current is normal, the leak measurement is performed next (step S4). As shown in FIG. 10, the leakage current is measured by operating the switch 16 and the switch 17 to supply power to the bare chip to be tested, for example, C1 from an individual dedicated power supply source 18. Then, in a state where a test pattern for applying a voltage suitable for the function of each pin is applied to all the outer leads for signals of the bare chip under test to which power is supplied, a voltage (VIL) of a predetermined level is applied from the voltage source 21 to the pin. , VIH, VOL, VOH), and the resulting current is measured by the current measuring device 20. The measurement of the leakage current is sequentially performed for all the input pins 1 in the order of the bin number 12 of the pin 1. The items of the leak measurement test are items that can be measured by a commercially available LSI or board tester.
[0027]
If the standby current is not normal as a result of the standby current measurement in step S3, the subsequent test of the bare chip C1, that is, the leak measurement (step S4) and the in-circuit test (step S5) are not performed, and the next untested chip is not tested. Test preparation is performed (step S6). At this time, if the standby current is abnormally large, the test can be stopped, so that it is possible to prevent destruction due to the occurrence of abnormal current to the measurement system and the chip to be measured.
Next, if the measurement result indicates normal in the leak measurement (step S4), an in-circuit test (step S5) is performed. In the in-circuit test, test data is applied from an input pin, and the quality is determined by comparing the obtained output data with expected value data prepared in advance.
If there is a leak abnormality in the leak measurement, the in-circuit test S5 is not performed, and the next untested chip is prepared for testing (step S6).
If the in-circuit test passes, the chip C1 becomes a non-defective product, and the test is continued in order of the chip C2, the chip C3, and the chip C4.
[0028]
According to the embodiment of the test method of the present invention described above, in order to perform standby current measurement and leak measurement by applying power to each chip individually, a faulty chip is specified by using it together with an in-circuit test. Can do. It is not necessary to perform a failure analysis such as a destructive inspection as in the prior art for the identification. Therefore, the test time can be shortened.
Further, since it is sufficient to apply power to each chip and determine the failure of the chip, the test program for determining the failure is simplified, and the time for creating the program can be shortened. In addition, it is easy to detect multiple faults in which a plurality of chips are faulty.
Since power is not applied to other chips in a test of a certain chip, it is not necessary to be aware of chip control signals from other chips when determining a failure, and standardization of an in-circuit test method is facilitated.
Even in a signal line connected to a plurality of input / output pins of different chips, the signal is valid only for the chip under test, so that the leakage of the input / output pins of a specific chip can be measured.
[0029]
In the test method of the above embodiment, the measurement power supply sources P1, P2, P3, and P4 are installed corresponding to each of the four chips in the multichip module. FIG. 11 shows a configuration in which only one power supply source P1 can be installed for four chips. The power switch SW1 to SW4 corresponding to four chips are installed in the measurement system, and the switch groups SW1 to SW4 are switched to apply the power to the chip to be tested.
[0030]
【The invention's effect】
According to the present invention, the multichip module is The Since it has a configuration with supply means for supplying power separately to the chip, when testing this multichip module, connect the power supply source individually to the bare chip and supply power only to the bare chip to be tested In other words, the failure chip in the multichip module can be identified and the location of the failure location can be reliably determined. According to the present invention, since one outer lead has a structure that functions as a plurality of terminals at the time of testing, power and general signal input / output can be provided with a smaller number of outer leads, that is, the number of pins. it can.
[0031]
Main departure Clearly According to the multi-chip module under test, The Since there is a supply means for individually supplying power to the chip, and the power supply source can be individually connected to the bare chip, various necessary tests can be performed without being affected by other chips. Further, since the measurement is performed with a bare chip alone, it is not necessary to consider the operation of the entire multichip module, and the test program and jig manufacturing time can be shortened. Further, it is possible to reliably identify the defective chip in the multichip module and specify the position of the failed part.
[Brief description of the drawings]
[Figure 1] Ma The figure which shows the structure of the power supply individualization of a multi-chip module board | substrate.
[Figure 2] Ma The image figure which shows the power supply division | segmentation structure of a multichip module.
FIG. 3 is a diagram for explaining an example of a lead structure that bears two nodes with one lead (one pin);
FIG. 4 is a diagram showing an example of a surface mount type split lead structure that takes four nodes with one lead;
FIG. 5 is a diagram showing an example of a lead insertion type divided lead structure that takes two nodes with one lead; The figure which shows an example of the procedure of a test.
FIG. 6 is a flowchart showing an example of a procedure of a test method for a multichip module according to the present invention.
FIG. 7 is a diagram for explaining a standby current measurement of a conventional multichip module.
FIG. 8 is a diagram for explaining standby current measurement of the multichip module of the present invention;
FIG. 9 is a diagram for explaining measurement of a single net (pin) leakage current of a conventional multichip module.
FIG. 10 is a diagram for explaining measurement of a single net (pin) leakage current of the multichip module of the present invention.
FIG. 11 is a diagram for explaining a test method for a multi-chip module when the power supply source of the measurement system is smaller than the number of chips.
FIG. 12 is a diagram showing a conventional power source splitting configuration in a normal package mounted on a printed circuit board.
13 is an image diagram showing a power supply division structure in the conventional example of the normal package of FIG. 12;
[Explanation of symbols]
P1 to P4, P12, P34... Power supply source. M1 is a multi-chip module. M2 ... Printed circuit board.
PN1 to PN4, PN12, PN34... Path from the power supply source to the chip in the multichip module.
C1 to C4: Chips in the multichip module. N1 to N8: Input / output terminals and general signals in the substrate from the outside of each chip. K1 ... substrate. R1: Lead frame. R2: External lead. Z1 is an insulator. PB3, PB4 ... Power supply probes. H1 ... Solder,
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Input pin, 2 ... Output pin, 3 ... Internal circuit, 4, 6, 7, 13, 20 ... Current measuring instrument, 5, 8, 9, 14, 15, 18, 19 ... Power supply source, 10, 11 ... Net, 12 ... Bin number, 16, 17 ... Switch.

Claims (1)

基板に複数のベアチップを実装したマルチチップモジュールにおいて、基板上の少なくとも2つ以上のベアチップに対し、個別に電源を供給する供給手段を設け、
その電源の供給手段は、一方が各ベアチップの電源端子に接続され、他方がマルチチップモジュールの電源入力ピンに接続されるリード線を持つリードフレームを有し、隣接する2つのベアチップの電源端子からの2つのリード線が端子ピンのところで絶縁層を挟んで対向し、電気的に分離した1つのピンを形成した構成を有することを特徴とするマルチチップモジュール。
In a multi-chip module mounting a plurality of bare chips on a substrate, for at least two or more bare chips on a substrate, setting the supply means for supplying power individually,
The power supply means has a lead frame having one lead connected to the power supply terminal of each bare chip and the other connected to the power input pin of the multichip module, and from the power supply terminals of two adjacent bare chips. The multi-chip module has a configuration in which two lead wires are opposed to each other at the terminal pin with an insulating layer interposed therebetween to form one electrically isolated pin .
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101371711B1 (en) * 2012-03-21 2014-03-12 리드텍(주) The bare chip of pin type multi chip module chip testing apparatus
US11181589B2 (en) 2018-04-26 2021-11-23 Denso Corporation Semiconductor device

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100886928B1 (en) 2001-03-19 2009-03-09 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 Semiconductor device and its test method
US6693348B2 (en) * 2001-06-15 2004-02-17 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor device with power supplying unit between a semiconductor chip and a supporting substrate
US20050224942A1 (en) * 2004-03-26 2005-10-13 Fan Ho Semiconductor device with a plurality of ground planes
JP4620970B2 (en) * 2004-05-24 2011-01-26 株式会社日立製作所 Quality control method and quality control system for semiconductor products
JP4197678B2 (en) 2004-12-24 2008-12-17 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 Semiconductor device
JP2007278767A (en) * 2006-04-04 2007-10-25 Denso Corp Ic-mounted electronic component mounting substrate and leakage current test method therefor
US8878559B2 (en) 2010-05-19 2014-11-04 Panasonic Corporation IC current measuring apparatus and IC current measuring adapter
CN111653497A (en) * 2020-06-12 2020-09-11 长江存储科技有限责任公司 Test structure and test method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101371711B1 (en) * 2012-03-21 2014-03-12 리드텍(주) The bare chip of pin type multi chip module chip testing apparatus
US11181589B2 (en) 2018-04-26 2021-11-23 Denso Corporation Semiconductor device

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